DE102008051028A1

DE102008051028A1 - Arrangement for absorbing electromagnetic waves and absorber plate

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Publication number: DE102008051028A1
Application number: DE102008051028A
Authority: DE
Inventors: Guenter Nimtz
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2008-10-13
Filing date: 2008-10-13
Publication date: 2010-04-15
Also published as: WO2010043528A1

Abstract

Bei einer Anordnung (1) zur Absorption von elektromagnetischen Wellen (2), bei der mehrere metallisch leitende Nano-Filme (4) in einem elektromagnetische Wellen (2) aufweisenden Raum angeordnet sind, der durch mehrere Metallwände (5) begrenzt ist, wird zur Schaffung einer reflexionsarmen und frequenzunabhängigen Absorberanordnung vorgeschlagen, dass die Nano-Filme (4) einen Flächenwiderstand Z zwischen 10 und 1.000 Omega aufweisen und so im Bereich der Metallwände (5) angeordnet sind, dass bei einem sich an einem bestimmten Ort zwischen den Metallwänden (5) befindenden Sender (6) eine n-fache Mehrfachreflexion der vom Sender (6) in Richtung aller Bereiche der Wände (5) emittierten elektromagnetischen Wellen (2) zwischen den Nano-Filmen (4) stattfindet.In an arrangement (1) for absorbing electromagnetic waves (2) in which a plurality of metallically conductive nano-films (4) are arranged in a space having electromagnetic waves (2) bounded by a plurality of metal walls (5), becomes To provide a low-reflection and frequency-independent absorber arrangement proposed that the nano-films (4) have a sheet resistance Z between 10 and 1000 omega and are arranged in the region of the metal walls (5) that at a certain location between the metal walls (5 ) located transmitter (6) an n-fold multiple reflection of the transmitter (6) in the direction of all areas of the walls (5) emitted electromagnetic waves (2) between the nano-films (4) takes place.

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Absorption von elektromagnetischen Wellen, bei der mehrere metallisch leitende Nano-Filme in einem elektromagnetische Wellen aufweisenden Raum angeordnet sind, der durch mehrere Metallwände begrenzt ist, sowie eine Absorberplatte zur Absorption von auf eine Plattenoberfläche einfallenden elektromagnetischen Wellen.The The invention relates to an arrangement for the absorption of electromagnetic Waves in which several metallically conductive nano-films in an electromagnetic Waves having space arranged through several metal walls is limited, as well as an absorber plate for absorption of a Plate surface incident electromagnetic waves.

Eine derartige Anordnung metallisch leitender Nano-Filme in einem durch mehrere Metallwände begrenzten Raum und Absorberplatte zur Absorption von auf eine Plattenoberfläche einfallenden elektromagnetischen Wellen sind aus der DE 4404071 A1 bekannt. Gemäß diesem Stand der Technik sind die Nano-Filme auf keil-, kegel-, pyramiden-, oder stufenförmigen Trägern im Bereich der Metallwände von Räumen zur Prüfung der elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV) angeordnet. Die auf den genannten Trägern aufgebrachten metallisch leitenden Nano-Filme bilden Absorberelemente, beispielsweise in Form von Pyramiden mit spitzwinkligen Scheiteln, die im Bereich der Metallwände eines EMV-Raums so angeordnet sind, dass ihre spitzwinkligen Scheitel in den Raum weisen.Such an arrangement of metallically conductive nano-films in a space bounded by a plurality of metal walls and absorber plate for the absorption of electromagnetic waves incident on a disk surface are known from US Pat DE 4404071 A1 known. According to this prior art, the nano-films are arranged on wedge, conical, pyramidal or step-shaped supports in the region of the metal walls of rooms for testing the electromagnetic compatibility (EMC). The metallically conductive nano-films applied to said supports form absorber elements, for example in the form of pyramids with acute-angled apices, which are arranged in the region of the metal walls of an EMC space so that their acute-angled apices point into the space.

Mit der bekannten Anordnung kann ein relativ breitbandiges Spektrum von elektromagnetischer Strahlung bis etwa 10 GHz absorbiert werden. Statt der bis zu 3 m langen Pyramiden werden auf den Metallwänden des EMV-Raums Ferrit-Platten angebracht. Diese besitzen einen reflexionsarmen Frequenzbereich von etwa 30 MHz bis etwa 1 GHz. Den höherfrequenten Bereich absorbieren dann auf die Ferrit-Platten montierte kleinere pyramidenförmige Schaumstoff- oder Metallfolien-Absorberelemente, wie sie aus der DE 4404071 A1 bekannt sind. Für eine reflexionsarme Absorption im Mikrowellenbereich werden meist kohlenstoffhaltige Schaumstoffplatten eingesetzt, deren Oberfläche eierkartonförmig oder pyramidenförmig strukturiert ist.With the known arrangement, a relatively broadband spectrum of electromagnetic radiation can be absorbed up to about 10 GHz. Instead of the up to 3 m long pyramids, ferrite plates are placed on the metal walls of the EMC area. These have a low reflection frequency range from about 30 MHz to about 1 GHz. The higher frequency region then absorb smaller pyramidal foam or metal foil absorber elements mounted on the ferrite plates, as disclosed in US Pat DE 4404071 A1 are known. For a reflection-poor absorption in the microwave range usually carbon-containing foam plates are used, the surface of which is structured egg-carton-shaped or pyramidal.

Nachteilig bei den Schaumstoffabsorbern sind die Frequenzabhängigkeit der Reflexion, die Brandgefahr und die begrenzte Lebensdauer. Bei den Metallfolien-Absorberelementen können zwar brandlastarme Folienträger eingesetzt werden. Nachteilig sind jedoch die Kosten derartiger in der Regel pyramidenförmiger Absorberelemente und der nach oben hin begrenzte Frequenzbereich.adversely with the foam absorbers are the frequency dependence the reflection, the fire danger and the limited lifespan. Both Although metal foil absorber elements can be low-fire Film carrier can be used. However, they are disadvantageous the cost of such usually pyramid-shaped absorber elements and the upwardly limited frequency range.

Bei den durch Kombination von Ferrit-Platten und pyramidenförmigen Absorberelementen bestehenden Hybrid-Absorbern wird zwar ein größeres Spektrum von elektromagnetischer Strahlung absorbiert. Die reflexionsarme Wirkung ist jedoch aufgrund der Form und der Resonanzfrequenz der Ferrite frequenzabhängig. Darüber hinaus sind die Bauteile relativ kostenintensiv.at the combination of ferrite plates and pyramidal Absorber elements existing hybrid absorber is indeed a wider range absorbed by electromagnetic radiation. The low-reflection However, due to the shape and resonant frequency of the effect Ferrites frequency dependent. In addition, are the components are relatively expensive.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine reflexionsarme, frequenzunabhängige und brandlastarme Anordnung zur Absorption elektromagnetischer Wellen im Frequenzbereich unterhalb des Infrarotgebietes bereitzustellen.Of the The present invention is therefore based on the object, a low reflection, frequency-independent and low-fire arrangement for absorption electromagnetic waves in the frequency range below the infrared range provide.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einer Anordnung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass die Nano-Filme einen Flächenwiderstand Z zwischen 10 und 1.000 Ω aufweisen und so im Bereich der Metallwände des elektromagnetische Wellen aufweisenden Raums angeordnet sind, dass bei einem sich an einem bestimmten Ort zwischen den Metallwänden befindenden Sender eine n-fache Mehrfachreflexion der vom Sender in Richtung aller Bereiche der Wände emittierten elektromagnetischen Wellen zwischen den Nano-Filmen stattfindet.The Task is according to the invention in an arrangement of the type mentioned solved in that the nano-films have a sheet resistance Z between 10 and 1000 Ω and so in the area of the metal walls of the electromagnetic waves having arranged space, that at a on a certain location between the metal walls located transmitter an n-fold multiple reflection of the transmitter in the direction of all areas the walls emitted electromagnetic waves between the nano-films takes place.

Unter metallisch leitenden Nano-Filmen werden im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung metallisch leitende Folien, Filme oder Schichten bezeichnet, die eine Dicke von 5 nm bis 100.000 nm, vorzugsweise 10 nm bis 100 nm, aufweisen.Under Metallic conductive nano-films are associated with the present invention metallically conductive films, films or layers denotes a thickness of 5 nm to 100,000 nm, preferably 10 nm to 100 nm.

Metallisch leitende Nano-Filme mit einem Flächenwiderstand Z zwischen 10 und 1.000 Ω besitzen im Frequenzbereich ab dem Infrarotgebiet eine frequenzunabhängige Reflexion. Wie aus den 1a bis 1c hervorgeht, ergibt sich in Abhängigkeit vom Flächenwiderstand Z, dem Einfallswinkel der elektromagnetischen Wellen auf die metallisch leitenden Nano-Filme und der Polarisation (TM- bzw. TE-Polarisation) eine maximale Absorption (A) von 50% und dabei eine Reflexion (R) und eine Transmission (T) von jeweils 25%. Diese elektromagnetischen Eigenschaften treten bei senkrechtem Einfall der elektromagnetischen Wellen bei einer metallischen Filmdicke d, einer Leitfähigkeit σ und einem Flächenwiderstand Z auf, wenn die Beziehung 2 = 377 Ω·d·σ = 377 Ω·1/Z erfüllt ist, wie in 1a dargestellt ist. Bei einem gegen die Flächennormale um den Winkel θ geneigtem Einfall und bei TM- bzw. TE-Polarisation gelten die Beziehungen 2 = 377 Ω·d·σ·cosθ bzw. 2 = 377 Ω·d·σ/cosθ (vgl. Woltersdorff Z. Phys. 91, 230–252 (1934); G. Hettner, Optik 1, 2–7 (1946) ). In den 1b und 1c sind die Reflexion (R), Transmission (T) und Absorption (A) in Abhängigkeit vom Flächenwiderstand Z bei einem Einfallswinkel θ = 45° und bei TM-Polarisation bzw. TE-Polarisation der elektromagnetischen Wellen dargestellt.Metallic conductive nano-films with a sheet resistance Z between 10 and 1000 Ω have a frequency-independent reflection in the frequency range from the infrared region. Like from the 1a to 1c shows, depending on the sheet resistance Z, the angle of incidence of the electromagnetic waves on the metallically conductive nano-films and the polarization (TM or TE polarization) a maximum absorption (A) of 50% and thereby a reflection (R) and a transmission (T) of 25% each. These electromagnetic characteristics occur when the electromagnetic waves are incident perpendicularly at a metallic film thickness d, a conductivity σ and a sheet resistance Z when the relation 2 = 377 Ω · d · σ = 377 Ω · 1 / Z is satisfied, as in FIG 1a is shown. In the case of an incidence inclined by the surface normal through the angle θ and in TM or TE polarization, the relationships 2 = 377 Ω · d · σ · cos θ and 2 = 377 Ω · d · σ / cos θ, respectively (cf. Woltersdorff Z. Phys. 91, 230-252 (1934); G. Hettner, Optics 1, 2-7 (1946) ). In the 1b and 1c the reflection (R), transmission (T) and absorption (A) are shown as a function of the surface resistance Z at an angle of incidence θ = 45 ° and in TM polarization or TE polarization of the electromagnetic waves.

Geht man von einem Einfallswinkel θ = 45° aus, so ergibt sich eine Reflexion von etwa 0,3 bei beliebiger Polarisation der Wellen in einem Flächenwiderstandsbereich zwischen 80 und 160 Ω. Bei anderen Einfallswinkeln θ lassen sich aufgrund der obigen Beziehung durch eine geeignete Wahl der Filmdicke d und Leitfähigkeit σ der Nano-Filme entsprechend günstige Reflexions-Werte ermitteln. Insgesamt kann die Einfallswinkel- und Polarisationsabhängigkeit der Reflexion und der Absorption durch eine entsprechende Flächenwiderstandswahl und geometrische Anordnung der Nano-Filme so ausgeglichen werden, dass die Reflexion in den Raum minimiert werden kann.Assuming an angle of incidence θ = 45 °, the result is a reflection of about 0.3 at any polarization of the waves in a surface resistance range between 80 and 160 Ω. At other angles of incidence θ, due to the above relationship, by a suitable choice of the film thickness d and the conductivity σ of the nano-films can be corresponded Determine favorable reflection values. Overall, the angle of incidence and polarization dependence of the reflection and the absorption can be compensated for by a corresponding surface resistance selection and geometric arrangement of the nano-films so that the reflection in the space can be minimized.

Werden die metallisch leitenden Nano-Filme gemäß der vorliegenden Erfindung vor den reflektierenden Metallwänden eines EMV-Raums so angeordnet, dass es zu Mehrfachreflexionen der Anzahl n kommt, so ist die restliche reflektierte Leistung durch die Beziehung R(gesamt) = Rⁿ gegeben.If the metallic-conductive nano-films according to the present invention are arranged in front of the reflective metal walls of an EMC space so that multiple reflections of the number n occur, the remaining reflected power is given by the relationship R (total) = R ⁿ .

Aufgrund der erfindungsgemäßen Anordnung kann eine gegenüber dem Stand der Technik reflexionsarme und frequenzunabhängige Absorberanordnung erhalten werden. Darüber hinaus kann die Anordnung kostengünstiger und brandlastärmer durch geeignete Träger für die metallisch leitenden Nano-Filme hergestellt werden. Gegenüber den entsprechenden pyramidenförmigen Absorbern reduziert sich der Materialaufwand um etwa 80%.by virtue of the arrangement according to the invention can be compared with the prior art low reflection and frequency independent Absorber arrangement can be obtained. In addition, the Arrangement cost-effective and low-fire through suitable carrier for the metallically conductive nano-films getting produced. Opposite the corresponding pyramidal Absorbers reduce the cost of materials by about 80%.

Zweckmäßigerweise sollte die Anzahl n der Mehrfachreflexionen an den Nano-Filmen ≥ 3 sein.Conveniently, the number n of multiple reflections on the nano-films should be ≥ 3 be.

Vorzugsweise beträgt die Anzahl n der Mehrfachreflexionen mindestens 5. Bei einer Reflexion (R) von 25% wird somit eine Gesamtreflexion R(gesamt) = 0,25⁵ = 0,001 bzw. –30 dB erreicht.The number n of the multiple reflections is preferably at least 5. With a reflection (R) of 25%, a total reflection R (total) = 0.25 ⁵ = 0.001 or -30 dB is thus achieved.

In einer besonders einfachen Ausbildung der Erfindung weisen die metallisch leitenden Nano-Filme den gleichen Flächenwiderstand Z auf. Dieser wird unter Berücksichtigung des Ein fallswinkels θ der elektromagnetischen Wellen auf die Nano-Filme und der Polarisation (sowohl TM- als auch TE-Polarisation) so gewählt, dass sich eine für eine minimale Gesamtreflexion R(gesamt) günstige Reflexion R zwischen 20% und 70% an den einzelnen Nano-Filmen ergibt.In a particularly simple embodiment of the invention, the metallic conductive nano-films have the same surface resistance Z. This is in consideration of the Einfallwinkels θ of the electromagnetic Waves on the nano-films and the polarization (both TM and TE polarization) chosen so that a for a minimal total reflection R (total) favorable reflection R gives between 20% and 70% of the individual nano-films.

Die Gesamtreflexion der elektromagnetischen Wellen kann durch eine geeignete Auswahl des Flächenwiderstands Z und/oder eine geeignete Anordnung der Nano-Filme im Bereich der Metallwände des EMV-Raums, insbesondere die individuelle Winkeleinstellung der einzelnen Nano-Filmen, empirisch minimiert werden.The Total reflection of the electromagnetic waves can be achieved by a suitable Selection of sheet resistance Z and / or a suitable arrangement the nano-films in the area of the metal walls of the EMC room, in particular the individual angle adjustment of the individual nano-films, empirical be minimized.

Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Reflexion an den einzelnen Nano-Folien in dem bevorzugten Bereich zwischen 20% und 70% aufgrund der oben genannten Beziehungen zwischen dem Flächenwiderstand Z bzw. der Dicke d und Leitfähigkeit σ der Nano-Filme und dem Einfallswinkel, mit dem die elektromagnetischen Wellen auf die Nano-Filme der Anordnung treffen, theoretisch zu ermitteln und zu minimieren.A Another possibility is the reflection on the individual nano-films in the preferred range between 20% and 70% due to the above relationships between the sheet resistance Z or the thickness d and conductivity σ of the nano-films and the angle of incidence at which the electromagnetic waves rise make the arrangement nano-films, theoretically detect and to minimize.

Bei einer gegebenen Anordnung von Nano-Filmen im Bereich der Metallwände des EMV-Raums mit vorgegebener Winkelstellung der einzelnen Nano-Filme, die eine Mehrfachreflexion der einfallenden elektromagnetischen Wellen gewährleistet, kann der durchschnittliche Einfallswinkel bezüglich aller Nano-Filme ermittelt werden. Aufgrund der oben angegebenen Beziehung kann dann, ausgehend von diesem durchschnittlichen Einfallswinkel, ein günstiger Flächenwiderstand Z für die Nano-Filme ausgewählt werden, um unter Berücksichtigung der TM- bzw. TE-Polarisation der elektromagnetischen Wellen die Gesamt-Reflexion zu minimieren.at a given arrangement of nano-films in the area of the metal walls the EMC space with given angular position of the individual nano-films, which is a multiple reflection of the incident electromagnetic Ensures waves, the average angle of incidence can be all nano-movies are detected. Due to the above Relationship can then, starting from this average angle of incidence, a favorable sheet resistance Z for The nano-films are chosen to be considered the TM or TE polarization of the electromagnetic waves the To minimize total reflection.

Bei einer Anordnung, gemäß der die Einfallswinkel statistisch etwa gleichmäßig verteilt sind, kann von einem durchschnittlichen Einfallswinkel von 45° ausgegangen werden. Unter Berücksichtigung der TM- bzw. TE-Polarisation der elektromagnetischen Wellen ergibt sich aus den Reflexions-Kurven der 1b und 1c ein für die Reflexion günstiger Flächenwiderstand zwischen 80 Ω und 160 Ω.In an arrangement according to which the angles of incidence are statistically distributed approximately uniformly, it can be assumed that the average angle of incidence is 45 °. Taking into account the TM or TE polarization of the electromagnetic waves results from the reflection curves of the 1b and 1c a surface resistance between 80 Ω and 160 Ω, which is favorable for the reflection.

Eine weitere Optimierung der Reflexion kann dadurch erreicht werden, dass die Flächenwiderstände der Nano-Filme innerhalb der Anordnung bereichsweise ausgewählt werden. Insbesondere können die Bereiche durch unterschiedliche Einfallswinkel der elektromagnetischen Wellen auf die Nano-Filme in den jeweiligen Bereichen bestimmt sein. In Abhängigkeit von den Einfallswinkeln und der Polarisation der elektromagnetischen Wellen können dann die Flächenwiderstände Z so gewählt werden, dass die Gesamtreflexion minimal ist, d. h. die Reflexion an den einzelnen Nano-Filmen zwischen 20% und 70% beträgt.A further optimization of the reflection can be achieved by that the surface resistances of nano-films within The arrangement can be selected in areas. Especially The areas can be affected by different angles of incidence the electromagnetic waves on the nano-films in the respective Be determined areas. Depending on the angles of incidence and the polarization of the electromagnetic waves then the surface resistances Z chosen so be that the total reflection is minimal, d. H. the reflection on the individual nano-films between 20% and 70%.

Zwecks Winkeleinstellung der Nano-Filme können diese schwenkbar an den Metallwänden des EMV-Raums oder an Trägerkonstruktionen im Bereich der Metallwände angeordnet sein.For the purpose of Angular adjustment of nano-films can this be pivoted on the metal walls of the EMC room or on support structures be arranged in the region of the metal walls.

Die Nano-Filme können aus einem anorganischen Material, vorzugsweise Aluminium, bestehen.The Nano-films may be made of an inorganic material, preferably Aluminum, consist.

Andererseits können die Nano-Filme auch aus einem organischen Metall bestehen.on the other hand The nano-films can also be made from an organic metal consist.

In einer bevorzugten Ausführung der Erfindung sind die Nano-Filme auf einem Polymer-Trägerfilm aufgebracht.In A preferred embodiment of the invention are the nano-films applied to a polymer carrier film.

Die Dicke des Polymer-Trägerfilms beträgt vorzugsweise zwischen 5 μm und 100 μm.The Thickness of the polymer carrier film is preferably between 5 μm and 100 μm.

In einer bevorzugten Ausführung bestehen die Polymer-Trägerfilme aus Polyethylen.In In a preferred embodiment, the polymer carrier films are made made of polyethylene.

Die Nano-Filme können mit ihren Polymer-Trägerfilmen an Stützkonstruktionen aus einem Material mit einer Dielektrizitätskonstante nahe 1 im Raum angeordnet sein. Vorzugsweise besteht die Stützkonstruktion aus feuerfesten Kalziumsili kat-Platten.The Nano-films can with their polymer carrier films on support structures made of a material with a dielectric constant be located near 1 in the room. Preferably, the support structure consists made of refractory calcium silicate kat plates.

Für eine Absorber-Platte zur Absorption von auf eine Plattenoberfläche einfallenden elektromagnetischen Wellen wird die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe dadurch gelöst, dass in mindestens einer parallel zur Plattenoberfläche verlaufenden Schicht mehrere metallisch leitende Nano-Filme mit einem Flächenwiderstand Z zwischen 10 und 1.000 Ω so angeordnet sind, dass sie in einem von 0 verschiedenen Winkel zur Plattenoberfläche verlaufen und bei auf die Plattenoberfläche einfallenden elektromagnetischen Wellen eine n-fache Mehrfachreflexion zwischen den Nano-Filmen stattfindet.For an absorber plate for absorption onto a plate surface incident electromagnetic waves is the basis of the invention lying task solved in that in at least one several parallel to the plate surface extending layer Metallic conductive nano-films with a sheet resistance Z are arranged between 10 and 1000 Ω so that they at a different angle from 0 to the plate surface run and incident on the disk surface electromagnetic waves an n-fold multiple reflection between the nano-films takes place.

In einer bevorzugten Ausführung der Absorber-Platte sind die Nano-Filme in einem Winkel etwa zwischen 20° und 70° gegenüber der Plattenoberfläche angeordnet.In a preferred embodiment of the absorber plate are the Nano-films at an angle approximately between 20 ° and 70 ° opposite the disk surface arranged.

Die Abstände zwischen den Nano-Filmen in der Absorber-Platte sind vorteilhafterweise so gewählt, dass sich eine reflexionsarme Absorption für den Wellenlängenbereich 1 μm bis |1000 mm| ergibt.The Distances between the nano-films in the absorber plate are advantageously chosen so that a low reflection Absorption for the wavelength range 1 μm to | 1000 mm | results.

Der Flächenwiderstand der Nano-Filme kann in Abhängigkeit von der Polarisation der elektromagnetischen Wellen so gewählt sein, dass die empirisch ermittelte Gesamtreflexion der elektromagnetischen Wellen minimal ist.Of the Sheet resistance of nano-films may vary so chosen by the polarization of the electromagnetic waves be that the empirically determined total reflection of the electromagnetic waves is minimal.

Andererseits kann der Flächenwiderstand Z der Nano-Filme in Abhängigkeit von einem angenommenen Einfallswinkel, mit dem die elektromagnetischen Wellen auf die Plattenoberfläche treffen, und der Polarisation so gewählt sein, dass die daraus theoretisch ermittelte Gesamtreflexion minimal ist.on the other hand can the sheet resistance Z of the nano-films depending from an assumed angle of incidence with which the electromagnetic Waves on the plate surface, and the polarization be chosen so that the theoretically determined Total reflection is minimal.

Bei dem angenommenen Einfallswinkel kann es sich um den durchschnittlichen Einfallswinkel der elektromagnetischen Wellen auf die Plattenoberfläche handeln. Ist der Einfallswinkel statistisch etwa gleichmäßig verteilt, kann ein Einfallswinkel von 45° angenommen werden und der Flächenwider stand Z so gewählt werden, dass sich aufgrund dieses Winkels und der beiden Polarisationen (TM- bzw. TE-Polarisation) theoretisch eine minimale Gesamtreflexion ergibt.at the assumed angle of incidence may be the average Angle of incidence of electromagnetic waves on the disk surface act. Is the angle of incidence statistically approximately even distributed, an angle of incidence of 45 ° can be assumed and the area resistance Z stood to be chosen so that due to this angle and the two polarizations (TM or TE polarization) theoretically gives a minimum total reflection.

Die Nano-Filme können zueinander parallel verlaufend in der mindestens einen Schicht der Absorber-Platte angeordnet sein. Vorzugsweise besitzen die Nano-Filme gleiche Abstände.The Nano-films can run parallel to each other in the be arranged at least one layer of the absorber plate. Preferably The nano-films have the same distances.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der Absorber-Platte kann diese aus mehreren Schichten bestehen, wobei die in den unterschiedlichen Schichten angeordneten Nano-Filme sich durch ihre Winkel gegenüber der Plattenoberfläche und/oder Abstände zueinander unterscheiden. Die Schichten können weiterhin unterschiedliche Dicken in Abhängigkeit von den Abständen der Nano-Filme zueinander aufweisen, um statistisch etwa die gleiche Anzahl n von Mehrfachreflexionen oder unterschiedliche Anzahlen n der Mehrfachreflexionen in den verschiedenen Schichten zu gewährleisten. In den Schichten kann eine reflexionsarme Absorption in verschiedenen Frequenzbereichen mit gegebenenfalls verschiedener Gesamtreflexion erfolgen.In An advantageous development of the absorber plate can this consist of several layers, the ones in the different Layers of nano-films face each other through their angles the plate surface and / or distances from each other differ. The layers can continue to be different Thicknesses depending on the distances of nano-films to each other to statistically about the same number n of multiple reflections or different numbers n of the multiple reflections in the to ensure different layers. In the layers can provide low reflection absorption in different frequency ranges possibly with different total reflection.

In einer bevorzugten Ausführung der Absorber-Platte sind zwischen den Nano-Filmen Stützschichten mit einer Dielektrizitätskonstante nahe 1 angeordnet.In a preferred embodiment of the absorber plate are between The nano-films supporting layers with a dielectric constant arranged near 1.

Die Nano-Filme können auf Polymer-Trägerfilmen aufgebracht sein, mit denen sie an den Stützschichten angeordnet sind.The Nano-films can be applied to polymer carrier films be, with which they are arranged on the support layers.

Einige Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im Folgenden anhand der Zeichnungen näher beschrieben.Some Embodiments of the invention are described below described in more detail with reference to the drawings.

In der Zeichnung zeigen:In show the drawing:

1a Die Reflexion (R), Absorption (A) und Transmission (T) in Abhängigkeit vom Flächenwiderstand Z bei senkrechtem Einfall elektromagnetischer Wellen auf einen Nano-Film, 1a The reflection (R), absorption (A) and transmission (T) as a function of the sheet resistance Z with normal incidence of electromagnetic waves on a nano-film,

1b die Reflexion (R), Absorption (A) und Transmission (T) bei TM-Polarisation der elektromagnetischen Wellen bei einem Einfallwinkel θ = 45°, 1b the reflection (R), absorption (A) and transmission (T) at TM polarization of the electromagnetic waves at an angle of incidence θ = 45 °,

1c die Reflexion (R), Absorption (A) und Transmission (T) bei TE-Polarisation der elektromagnetischen Wellen bei einem Einfallwinkel θ = 45°, 1c the reflection (R), absorption (A) and transmission (T) at TE polarization of the electromagnetic waves at an angle of incidence θ = 45 °,

2 eine Draufsicht auf das Innere einer EMV-Messhalle mit an den seitlichen Metallwänden angeordneten Nano-Filmen und einem im Raum angeordneten Sender, 2 a top view of the interior of an EMC measuring hall with arranged on the side metal walls nano-films and a transmitter arranged in space,

3 eine seitliche Ansicht der in 2 gezeigten EMV-Messhalle, bei der ausschnittsweise nur die im Deckenbereich angeordneten Nano-Filme gezeigt sind, 3 a side view of the in 2 EMC exhibition hall shown in the excerpt, in which only the nano-films arranged in the ceiling area are shown,

4 ein Herstellungsbeispiel reflexionsfreier Absorber-Platten aus metallisch leitenden Nano-Filmen und 4 a production example of reflection-free absorber plates of metallically conductive nano-films and

5 eine seitliche Ansicht einer aus zwei Schichten bestehenden Absorber-Platte. 5 a side view of a two-layer absorber plate.

Wie aus 2 hervorgeht, sieht die Anordnung 1 zur Absorption von elektromagnetischen Wellen 2 in einer EMV-Messhalle 3 eine Vielzahl von metallisch leitenden Nano-Filmen 4 im Bereich der Metallwände 5 der EMV-Messhalle 3 vor. Die Nano-Filme 4 sind auf (in der Zeichnung nicht dargestellten) Polymer-Trägerfilmen aufgebracht und an den gegenüberliegenden größten Flächen von Kalziumsilikat-Platten als Stützkonstruktion angeordnet.How out 2 shows, the arrangement looks 1 for the absorption of electromagnetic waves 2 in an EMC measuring hall 3 a variety of metallically conductive nano-films 4 in the field of metal walls 5 the EMC measuring hall 3 in front. The nano-movies 4 are applied to (not shown in the drawing) polymer carrier films and arranged on the opposite largest surfaces of calcium silicate plates as a support structure.

Die Nano-Filme 4 bestehen aus einer etwa 10 nm dicken Aluminiumschicht, die auf einem etwa 10 μm dicken Polymer-Trägerfilm aus Polyethylen aufgebracht ist.The nano-movies 4 consist of an approximately 10 nm thick aluminum layer, which is applied to an approximately 10 micron thick polymer support film made of polyethylene.

Wie 2 zeigt, sind die Kalziumsilikat-Platten mit den auf Polyethylen-Trägerfilmen aufgebrachten Nano-Filmen 4 an einer ihrer Schmalseiten an den Metallwänden 5 angeordnet. Die Platten sind weiterhin zur Winkeleinstellung mit Scharnieren schwenkbar mit den Metallwänden 5 verbunden.As 2 2 shows the calcium silicate plates with the nano-films coated on polyethylene carrier films 4 on one of its narrow sides on the metal walls 5 arranged. The plates are also pivotable for angular adjustment with hinges with the metal walls 5 connected.

Wie weiterhin aus 2 hervorgeht, sind die Platten mit den auf ihren beiden gegenüberliegenden größten Seitenflächen angeordneten Nano-Filmen 4 in bestimmten Winkelstellungen und Abständen so an den Metallwänden 5 angeordnet, dass bei einem sich an einem bestimmten Ort zwischen den Metallwänden 5 befindenden Sender 6 eine Mehrfachreflexion der vom Sender 6 in Richtung aller Bereiche der Metallwände 5 emittierten elektromagnetischen Wellen 2 zwischen den Nano-Filmen 4 stattfindet. In dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Anzahl n der Reflexionen zwischen gegenüberliegenden Nano-Filmen 4 etwa 6.How to continue 2 As can be seen, the plates are arranged with the arranged on their two opposite largest side surfaces nano-films 4 in certain angular positions and distances so on the metal walls 5 Arranged that at one in a certain place between the metal walls 5 located transmitter 6 a multiple reflection from the transmitter 6 towards all areas of the metal walls 5 emitted electromagnetic waves 2 between the nano-movies 4 takes place. In the in 2 the embodiment shown is the number n of reflections between opposing nano-films 4 about 6.

Da die Einfallswinkel der elektromagnetischen Wellen 2 auf die Nano-Filme 4 statistisch etwa gleich sind, kann von einem durchschnittlichen Einfallswinkel θ = 45° ausgegangen werden. Für einen solchen Einfallswinkel θ zeigen die 1b und 1c die Reflexion (R), Absorption (A) und Transmission (T) bei TM-Polarisation bzw. TE-Polarisation der elektromagnetischen Wellen 2 in Abhängigkeit vom Flächenwiderstand Z. Da die technisch optimalen Werte für die Reflexion (R) nur schwach vom Flächenwiderstand Z abhängen, wird, um beide Polarisationen etwa gleich stark zu reflektieren, ein mittlerer Flächenwiderstandswert von 80 bis 160 Ω für die eingesetzten Nano-Filme 4 ausgewählt. Die Reflexion (R) beträgt dann annähernd 25%. Bei einer Anzahl n ≥ 6 von Reflexionen zwischen den jeweils gegenüberliegenden Nano-Filmen 4 ergibt sich eine Gesamtreflexion R(gesamt) ≥ |–36| dB. Somit wird ein weitgehend reflexionsfreier Raum innerhalb der EMV-Messhalle 3 erzielt.Because the angles of incidence of the electromagnetic waves 2 on the nano-movies 4 statistically about the same, one can assume an average angle of incidence θ = 45 °. For such an angle of incidence θ, the 1b and 1c the reflection (R), absorption (A) and transmission (T) at TM polarization or TE polarization of the electromagnetic waves 2 depending on the sheet resistance Z. Since the technically optimal values for the reflection (R) only weakly depend on the sheet resistance Z, in order to reflect both polarizations approximately equally strong, a mean sheet resistance value of 80 to 160 Ω for the nano-films used 4 selected. The reflection (R) is then approximately 25%. For a number n ≥ 6 of reflections between the respective opposing nano-films 4 is there a total reflection R (total) ≥ | -36 | dB. Thus, a largely reflection-free space within the EMC measuring hall 3 achieved.

Ein Herstellungsbeispiel für eine reflexionsfreie Absorber-Platte 7 aus metallisch leitenden Nano-Filmen 4 ist in 4 gezeigt. Zunächst wird eine Anordnung 8 aus metallischen Nano-Filmen 4, getrennt durch Stützschichten 9, die zum Beispiel aus hochporösem Hartschaum oder Wellpappe bestehen, mit einer die Dielektrizitätskonstante nahe 1 hergestellt. Die Nano-Filme 4 sind auch bei diesem Beispiel auf Polyethylen-Trägerfilmen aufgebracht. Die Abmessungen der Lagen aus Nano-Filmen 4 mit dazwischen angeordneten Stützschichten 9 sind entsprechend dem zu absorbierenden Frequenzbereich der elektromagnetischen Wellen 2 ausgewählt.A production example of a reflection-free absorber plate 7 made of metallically conductive nano-films 4 is in 4 shown. First, an arrangement 8th from metallic nano-films 4 separated by supporting layers 9 , for example, made of highly porous rigid foam or corrugated cardboard, with a dielectric constant near 1 produced. The nano-movies 4 are also applied in this example on polyethylene carrier films. The dimensions of the layers of nano-films 4 with supporting layers interposed therebetween 9 are corresponding to the frequency range of the electromagnetic waves to be absorbed 2 selected.

Aus dieser zunächst hergestellten Anordnung 8 wird die gewünschte Absorber-Platte 7 längs der in 4 eingezeichneten Flächen 10 ausgeschnitten. Die Orientierung der für den Einfall der elektromagnetischen Wellen 2 vorgesehenen Plattenoberfläche 11 relativ zu den Lagen der Nano-Filme 4 richtet sich nach den Anforderungen an die Reflexionsdämpfung, d. h. die gewünschte Anzahl n der Reflexionen zwischen den Nano-Filmen 4. Bei dem in 4 dargestellten Beispiel ist die Absorber-Platte 7 für auf die Plattenoberfläche 11 senkrecht einfallende elektromagnetische Wellen 2 ausgelegt. Hierbei sind die parallel zueinander verlaufenden Nano-Filme 4 in einem Winkel von 45° zur Plattenoberfläche 11 angeordnet. Somit beträgt der Einfallswinkel der elektromagnetischen Wellen 2 auf die Nano-Filme 4 θ = 45°. Gemäß den 1b und 1c kann somit durch n-fache Mehrfachreflexion eine beliebig geringe Gesamtreflexion R(gesamt) = Rⁿ bei Flächenwiderständen zwischen 80 und 160 Ω erreicht werden.From this initially produced arrangement 8th becomes the desired absorber plate 7 along the in 4 marked areas 10 cut out. The orientation of the incidence of electromagnetic waves 2 provided plate surface 11 relative to the layers of nano-films 4 depends on the requirements of the reflection attenuation, ie the desired number n of reflections between the nano-films 4 , At the in 4 The example shown is the absorber plate 7 for on the plate surface 11 perpendicularly incident electromagnetic waves 2 designed. Here are the mutually parallel nano-films 4 at an angle of 45 ° to the plate surface 11 arranged. Thus, the angle of incidence of the electromagnetic waves 2 on the nano-movies 4 θ = 45 °. According to the 1b and 1c Thus, by an n-fold multiple reflection, an arbitrarily low total reflection R (total) = R ^{n can be achieved} for surface resistances between 80 and 160 Ω.

5 zeigt eine aus zwei Schichten 12 und 13 bestehende Absorber-Platte 7. Die erste Schicht 12 ist aus parallel in einem bestimmten Abstand zueinander angeordneten Nano-Filmen 4 mit dazwischen liegenden Stützschichten 9 aufgebaut, wobei die Nano-Filme 4 senkrecht zur Plattenoberfläche 11 angeordnet sind. Diese Anordnung eignet sich für aus allen Richtungen auf die Plattenoberfläche einfallende elektromagnetische Wellen 2. Der Abstand der gegenüberliegenden Nano-Filme 4 ist so bemessen, dass ein bestimmter Frequenzbereich der einfallenden elektromagnetischen Wellen 2 eine Reflexionsdämpfung in der Schicht 12 erfährt. Auf der der Plattenoberfläche 11 gegenüberliegenden Seite der Schicht 12 ist eine zweite Schicht 13 angeordnet, in der ebenfalls parallel zueinander verlaufende Nano-Filme 4 mit einem Winkel von 45° zur Plattenoberfläche 11 angeordnet sind. Der Abstand der gegenüberliegenden Nano-Filme 4 in der zweiten Schicht 13 ist geringer gewählt als der Abstand der in Schicht 12 gegenüberliegenden Nano-Filme 4. Mit einer solchen aus zwei Schichten 12 und 13 bestehenden Absorber-Platte lässt sich z. B. eine Reflexionsdämpfung für den Frequenzbereich GHz bis THz erreichen. 5 shows one of two layers 12 and 13 existing absorber plate 7 , The first shift 12 is made of parallel nano-films arranged at a certain distance from each other 4 with intermediate support layers 9 built, with the nano-films 4 perpendicular to the plate surface 11 are arranged. This arrangement is suitable for electromagnetic waves incident on the disk surface from all directions 2 , The distance of the opposite nano-films 4 is such that a certain frequency range of the incident electromagnetic waves 2 a reflection attenuation in the layer 12 experiences. On the plate surface 11 opposite side of the layer 12 is a second layer 13 arranged in the likewise mutually parallel nano-films 4 at an angle of 45 ° to the plate surface 11 are arranged. The distance of the opposite nano-films 4 in the second layer 13 is chosen lower than the distance in layer 12 opposite nano-films 4 , With one of two layers 12 and 13 existing absorber plate can be z. B. achieve a reflection attenuation for the frequency range GHz to THz.

Die Dicken der beiden Schichten 12 und 13 sind so bemessen, dass in ihnen jeweils eine Mehrfachreflexion mit etwa n = 7 erfolgt. Es lässt sich somit in dem genannten Frequenzbereich eine Gesamtreflexion von bis zu –50 dB erreichen.The thicknesses of the two layers 12 and 13 are sized so that in each case one more Subject reflection with about n = 7 takes place. It can thus be achieved in the said frequency range, a total reflection of up to -50 dB.

11: Anordnungarrangement
22: elektromagnetische Welleelectromagnetic wave
33: EMV-MesshalleEMC measuring hall
44: Nano-FilmNano-film
55: Metallwandmetal wall
66: Sendertransmitter
77: Absorberplatteabsorber plate
88th: Anordnungarrangement
99: Stützschichtbacking
1010: Flächearea
1111: Plattenoberflächedisk surface
1212: Schichtlayer
1313: Schichtlayer

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

- DE 4404071 A1 [0002, 0003] - DE 4404071 A1 [0002, 0003]

Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature

- Woltersdorff Z. Phys. 91, 230–252 (1934); G. Hettner, Optik 1, 2–7 (1946) [0009] - Woltersdorff Z. Phys. 91, 230-252 (1934); G. Hettner, Optics 1, 2-7 (1946) [0009]

Claims

Anordnung zur Absorption von elektromagnetischen Wellen (2), bei der mehrere metallisch leitende Nano-Filme (4) in einem elektromagnetische Wellen (2) aufweisenden Raum angeordnet sind, der durch mehrere Metallwände (5) begrenzt ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Nano-Filme (4) einen Flächenwiderstand Z zwischen 10 und 1000 Ω aufweisen und so im Bereich der Metallwände (5) angeordnet sind, dass bei einem sich an einem bestimmten Ort zwischen den Metallwänden (5) befindenden Sender (6) eine n-fache Mehrfachreflexion der vom Sender (6) in Richtung aller Bereiche der Wände (5) emittierten elektromagnetischen Wellen (2) zwischen den Nano-Filmen (4) stattfindet.Arrangement for the absorption of electromagnetic waves ( 2 ), in which several metallically conductive nano-films ( 4 ) in an electromagnetic wave ( 2 ) are arranged having space through several metal walls ( 5 ), characterized in that the nano-films ( 4 ) have a sheet resistance Z between 10 and 1000 Ω and so in the region of the metal walls ( 5 ) are arranged, that at one at a certain place between the metal walls ( 5 ) ( 6 ) an n-fold multiple reflection from the transmitter ( 6 ) in the direction of all areas of the walls ( 5 ) emitted electromagnetic waves ( 2 ) between the nano-films ( 4 ) takes place.

Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass n ≥ 3 ist.Arrangement according to claim 1, characterized that n ≥ 3.

Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass n ≥ 5 ist.Arrangement according to claim 2, characterized that n ≥ 5.

Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass alle Nano-Filme (4) den gleichen Flächenwiderstand Z aufweisen.Arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that all nano-films ( 4 ) have the same sheet resistance Z.

Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Gesamtreflexion der elektromagnetischen Wellen (2) durch eine geeignete Auswahl des Flächenwiderstands Z und/oder eine geeignete Anordnung der Nano-Filme (4) im Bereich der Metallwände (5) des Raums, insbesondere durch die individuelle Winkeleinstellung der einzelnen Nano-Filme (4), empirisch minimiert ist.Arrangement according to claim 4, characterized in that the total reflection of the electromagnetic waves ( 2 ) by a suitable selection of the sheet resistance Z and / or a suitable arrangement of the nano-films ( 4 ) in the area of the metal walls ( 5 ) of the room, in particular by the individual angle adjustment of the individual nano-films ( 4 ), is empirically minimized.

Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Flächenwiderstand Z der Nano-Filme (4) in Abhängigkeit vom durchschnittlichen Einfallswinkel, mit dem die elektromagnetischen Wellen (2) auf die Nano-Filme (4) der Anordnung (1) treffen, und der Polarisation so gewählt ist, dass die theoretisch ermittelte Reflexion an den einzelnen Nano-Filmen (4) zwischen 20% und 70% beträgt.Arrangement according to claim 4, characterized in that the sheet resistance Z of the nano-films ( 4 ) as a function of the average angle of incidence with which the electromagnetic waves ( 2 ) on the nano-films ( 4 ) of the arrangement ( 1 ) and the polarization is chosen so that the theoretically determined reflection at the individual nano-films ( 4 ) is between 20% and 70%.

Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Flächenwiderstand Z der Nano-Filme (4) bei einem angenommenen Einfallswinkel von 45° und in Abhängigkeit von der Polarisation so gewählt ist, dass die theoretisch ermittelte Reflexion an den einzelnen Nano-Filmen (4) zwischen 20% und 70% beträgt.Arrangement according to claim 6, characterized in that the sheet resistance Z of the nano-films ( 4 ) is chosen at an assumed angle of incidence of 45 ° and in dependence on the polarization such that the theoretically determined reflection at the individual nano-films ( 4 ) is between 20% and 70%.

Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Flächenwiderstände Z der Nano-Filme (4) innerhalb der Anordnung (1) bereichsweise ausgewählt sind, wobei sie in Abhängigkeit von einem empirisch ermittelten durchschnittlichen oder angenommenen Einfallswinkel in den jeweiligen Bereichen und der Polarisation so gewählt sind, dass die theoretisch ermittelte Reflexion an den Nano-Filmen (4) in den einzelnen Bereichen zwischen 20% und 70% beträgt.Arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that the surface resistances Z of the nano-films ( 4 ) within the arrangement ( 1 ) are selected in regions, depending on an empirically determined average or assumed angle of incidence in the respective regions and the polarization are selected so that the theoretically determined reflection on the nano-films ( 4 ) ranges between 20% and 70% in the individual areas.

Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Nano-Filme (4) aus einem anorganischen Metall, vorzugsweise Aluminium, bestehen.Arrangement according to one of claims 1 to 8, characterized in that the nano-films ( 4 ) consist of an inorganic metal, preferably aluminum.

Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Nano-Filme (4) aus einem organischen Metall bestehen.Arrangement according to one of claims 1 to 8, characterized in that the nano-films ( 4 ) consist of an organic metal.

Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Nano-Filme (4) auf einem Polymerträgerfilm aufgebracht sind.Arrangement according to one of claims 1 to 10, characterized in that the nano-films ( 4 ) are applied to a polymer carrier film.

Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke des Polymerträgerfilms zwischen 5 und 100 μm beträgt.Arrangement according to claim 11, characterized the thickness of the polymer carrier film is between 5 and 100 μm is.

Anordnung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Polymerträgerfilm aus Polyethylen besteht.Arrangement according to claim 11 or 12, characterized that the polymer carrier film is made of polyethylene.

Anordnung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Nano-Filme (4) mit ihren Polymerträgerfilmen an Stützkonstruktionen aus einem Material mit einer Dielektrizitätskonstante nahe 1 im Raum angeordnet sind.Arrangement according to one of claims 11 to 13, characterized in that the nano-films ( 4 ) are arranged with their polymer carrier films on support structures made of a material with a dielectric constant near 1 in space.

Anordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Stützkonstruktion aus Kalziumsilikat-Platten besteht.Arrangement according to claim 14, characterized that the support structure consists of calcium silicate plates.

Absorberplatte (7) zur Absorption von auf eine Plattenoberfläche (11) fallenden elektromagnetischen Wellen (2), dadurch gekennzeichnet, dass in mindestens einer parallel zur Plattenoberfläche (11) verlaufenden Schicht (12, 13) mehrere metallisch leitende Nano-Filme (4) mit einem Flächenwiderstand Z zwischen 10 und 1.000 Ω so angeordnet sind, dass sie in einem von 0 verschiedenen Winkel zur Plattenoberfläche (11) verlaufen und bei auf die Plattenoberfläche (11) einfallenden elektromagneti schen Wellen (2) eine n-fache Mehrfachreflexion zwischen den Nano-Filmen (4) stattfindet.Absorber plate ( 7 ) for absorption onto a disk surface ( 11 ) falling electromagnetic waves ( 2 ), characterized in that in at least one parallel to the plate surface ( 11 ) extending layer ( 12 . 13 ) several metallically conductive nano-films ( 4 ) are arranged with a sheet resistance Z between 10 and 1000 Ω so that they at an angle different from 0 to the plate surface ( 11 ) and on to the disk surface ( 11 ) incident electromagnetic waves ( 2 ) an n-fold multiple reflection between the nano-films ( 4 ) takes place.

Absorberplatte nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Nano-Filme (4) in einem Winkel etwa zwischen 20° und 70° gegenüber der Plattenoberfläche (11) angeordnet sind.An absorber plate according to claim 16, characterized in that the nano-films ( 4 ) at an angle approximately between 20 ° and 70 ° with respect to the plate surface ( 11 ) are arranged.

Absorberplatte nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine reflexionsarme Absorption für den Wellenlängenbereich zwischen 1 μm und 1000 mm gewährleistet.Absorber plate according to claim 16 or 17, characterized characterized in that it has a low reflection absorption for the wavelength range between 1 μm and 1000 mm guaranteed.

Absorberplatte nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Gesamtreflexion der elektromagnetischen Wellen (2) durch eine geeignete Auswahl des Flächenwiderstands Z und/oder eine geeignete Anordnung der Nano-Filme (4) in der Absorberplatte (7), insbesondere durch die individuelle Winkeleinstellung der einzelnen Nano-Folien (4) gegenüber der Plattenoberfläche (11), empirisch minimiert ist.Absorber plate according to one of claims 16 to 18, characterized in that the total re flexion of electromagnetic waves ( 2 ) by a suitable selection of the sheet resistance Z and / or a suitable arrangement of the nano-films ( 4 ) in the absorber plate ( 7 ), in particular by the individual angle adjustment of the individual nano-films ( 4 ) opposite the disk surface ( 11 ), is empirically minimized.

Absorberplatte nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Flächenwiderstand Z der Nano-Filme (4) in Abhängigkeit von einem empirisch ermittelten durchschnittlichen oder angenommenen Einfallswinkel und in Abhängigkeit von der Polarisation so gewählt ist, dass die daraus theoretisch ermittelte Reflexion an den einzelnen Nano-Filmen (4) zwischen 20% und 70% beträgt.Absorber plate according to one of Claims 16 to 18, characterized in that the sheet resistance Z of the nano-films ( 4 ) is chosen as a function of an empirically determined average or assumed angle of incidence and as a function of the polarization such that the theoretically determined reflection on the individual nano-films ( 4 ) is between 20% and 70%.

Absorberplatte nach einem der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Nano-Filme (4) in der mindestens einen Schicht (12, 13) der Absorberplatte (7) parallel zueinander angeordnet sind.Absorber plate according to one of claims 16 to 20, characterized in that the nano-films ( 4 ) in the at least one layer ( 12 . 13 ) of the absorber plate ( 7 ) are arranged parallel to each other.

Absorberplatte nach einem der Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Nano-Filme (4) gleiche Abstände aufweisen.Absorber plate according to one of claims 16 to 21, characterized in that the nano-films ( 4 ) have equal distances.

Absorberplatte nach einem der Ansprüche 16 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass sie aus mehreren Schichten (12, 13) besteht, wobei die in den unterschiedlichen Schichten angeordneten Nano-Filme (4) sich durch ihre Winkel gegenüber der Plattenoberfläche (11) und/oder Abstände zueinander unterscheiden.Absorber plate according to one of claims 16 to 22, characterized in that it consists of several layers ( 12 . 13 ), wherein the nano-films arranged in the different layers ( 4 ) by their angle to the plate surface ( 11 ) and / or distances to each other.

Absorberplatte nach einem der Ansprüche 16 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Nano-Filmen (4) Stützschichten (9) mit einer Dielektrizitätskonstante nahe 1 angeordnet sind.Absorber plate according to one of claims 16 to 23, characterized in that between the nano-films ( 4 ) Supporting layers ( 9 ) are arranged with a dielectric constant near 1.

Absorberplatte nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Nano-Filme (4) auf Polymer-Trägerfilmen aufgebracht sind, mit denen sie an den Stützschichten (9) angeordnet sind.Absorber plate according to claim 24, characterized in that the nano-films ( 4 ) are applied to polymer carrier films with which they are attached to the support layers ( 9 ) are arranged.