-
BEREICH DER ERFINDUNG
-
Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Rückkontaktsolarzelle mit integrierter
Bypass-Diode sowie ein Herstellungsverfahren für eine solche Rückkontaktsolarzelle.
-
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
-
Eine übliche Form
der Nutzung von Solarzellen ist ihre Verschaltung zu Modulen. In
diesen Modulen wird jeweils eine bestimmte Anzahl von Solarzellen
zu sogenannten „Strings” in Reihe
geschaltet. Die Reihenschaltung ist erstrebenswert, da sich in dieser Weise
die Spannungen der einzelnen Solarzellen des Strings addieren und
die durch die gesamte Reihenschaltung fließende Stromstärke der
von einer einzelnen Solarzelle generierten Stromstärke entspricht.
Da Widerstandsverluste eine Funktion der Stromstärke sind, wird durch die Reihenschaltung der
Solarzellen zu Strings der Verlust an elektrischer Energie in den
Widerständen
der stromführenden Leitungen
innerhalb eines Moduls minimiert.
-
Ist
in einem solchen String jedoch eine der Solarzellen abgeschattet
oder defekt, so wird nicht nur in dieser abgeschatteten Zelle kein
Beitrag zur Generation von elektrischer Energie geleistet, sondern
diese Zelle behindert bzw. blockiert den Stromfluss durch den gesamten
String. Das heißt,
der Licht-generierte Strom der nicht abgeschatteten Zellen wird,
soweit es die summierte Spannung der nicht abgeschatteten Zellen
zulässt,
durch die abgeschattete Zelle, die in diesem Fall als pn-Diode in
Sperrrichtung wirkt, getrieben. Hierbei wird eine unter Umständen erhebliche
elektrische Leistung in der abgeschatteten Zelle umgesetzt, die
zu starken lokalen Erwärmungen
und letztendlich zu Beschädigungen des
Moduls führen
kann.
-
Aus
diesem Grunde werden in Modulverschaltungen sogenannte Bypass-Dioden
eingebaut, die einen ganzen String, Teilbereiche eines Strings oder
auch nur eine einzelne Solarzelle eines Strings derart überbrücken können, dass
bei Teilabschattungen die in dem verbleibenden Teil des Strings
erzeugte elektrische Energie durch die Bypass-Diode fließen kann,
anstatt durch die abgeschattete oder defekte Solarzelle. Hierzu
wird herkömmlicherweise eine
separate pn-Diode in Durchlassrichtung parallel zu dem zu überbrückenden
Stringbereich geschaltet.
-
Diese
Art der Verschaltung mit Bypass-Dioden ist eine Methode, bei der
eine Schädigung
von Solarzellen bzw. des ganzen Solarmoduls, vermieden werden kann
und die erreicht, dass zumindest ein Teil der beleuchteten Solarzellen
noch zur Bereitstellung elektrischer Energie beitragen kann.
-
Es
ist jedoch anzumerken, dass für
den Fall, dass eine Bypass-Diode einem ganzen String oder einem
aus mehreren Solarzellen bestehenden Teilbereich eines Strings zugeordnet
wird, auch bei Abschattung nur einer einzelnen Solarzelle auch die Leistung
der anderen Solarzellen in dem String bzw. Teilstring der Stromerzeugung
in dem Modul nicht mehr zur Verfügung
stehen. Die Solarzellen im Modul werden daher bei Abschattung einzelner
Zellen nicht optimal für
die Bereitstellung elektrischer Energie genutzt. Der hierzu alternative
Fall, jede einzelne Solarzelle mit einer ihr zugeordneten Bypass-Diode
zu versehen, bedeutet bei herkömmlichen
Solarzellen einen erheblichen zusätzlichen Verschaltungs- und Kostenaufwand.
-
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
-
Es
kann ein Bedarf an einer Solarzelle bestehen, die derart ausgestaltet
ist, dass, wenn sie mit anderen Solarzellen in Serie zu einem String
verschaltet ist, eine Abschattung der Solarzelle lediglich zu einem
geringfügigen
Leistungsverlust bezogen auf die von dem String zur Verfügung gestellte
elektrische Leistung bewirkt. Ferner kann ein Bedarf für eine Solarzelle
mit der genannten Eigenschaft bestehen, bei der kein zusätzlicher
Verschaltungsaufwand nötig
ist. Es kann außerdem
Bedarf an einem Herstellungsverfahren für eine solche Solarzelle bestehen.
-
Dieser
Bedarf kann durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche erfüllt werden.
Vorteilhafte Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
-
Gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Rückkontaktsolarzelle
vorgeschlagen, bei der ein Halbleitersubstrat Basisbereiche, Emitterbereiche,
Bypassdiodenbasisbereiche und Bypassdiodenemitterbereiche entlang
einer Rückseitenoberfläche des
Halbleitersubstrats aufweist. Die Basisbereiche und die Bypassdiodenbasisbereiche
weisen einen Basis-Halbleitertyp, beispielsweise p-Typ, auf, wohingegen
die Emitterbereiche und die Bypassdiodenemitterbereiche einen dem Basis-Halbleitertyp entgegengesetzten
Emitter-Halbleitertyp, beispielsweise n-Typ, aufweisen. Die Bypassdiodenemitterbereiche
sind von den Emitterbereichen durch dazwischen liegende Bereiche
elektrisch getrennt, sodass im Normalbetrieb der Solarzelle keine
Ladungsträger
zwischen den Bypassdiodenemitterbereichen und den Emitterbereichen
fließen
können.
Die dazwischen liegenden Bereiche können dabei beispielsweise Bereiche
des Halbleitersubstrates vom Basis-Halbleitertyp sein. Die Bypassdiodenbasisbereiche
sind von den Basisbereichen durch umgebende Bypassdiodenemitterbereiche
ebenfalls elektrisch getrennt. Die Rückkontaktsolarzelle weist ferner
Emitterkontakte zur elektrischen Kontaktierung der Emitterbereiche
und der Bypassdiodenbasisbereiche sowie Basiskontakte zur elektrischen
Kontaktierung der Basisbereiche und der Bypassdiodenemitterbereiche
auf.
-
Dieser
erste Aspekt der vorliegenden Erfindung kann als auf der folgenden
Idee basierend angesehen werden: Bei der beschriebenen Rückkontaktsolarzelle
sind an der Rückseitenoberfläche des Halbleitersubstrats
nicht nur wie bei herkömmlichen Rückkontaktsolarzellen
Basisbereiche und Emitterbereiche vorgesehen, sondern zusätzlich sind
neben bzw. zwischen benachbarten Basis- und Emitterbereichen sogenannte
Bypassdiodenbereiche vorgesehen. Diese Bypassdiodenbereiche weisen
einen Bypassdiodenemitterbereich und einen Bypassdiodenbasisbereich
auf. Der Bypassdiodenbasisbereich wird dabei von einem Emitterkontakt
elektrisch kontaktiert, der gleichzeitig auch einen benachbarten Emitterbereich
kontaktiert, so dass der Bypassdiodenbasisbereich mit dem benachbarten
Emitterbereich elektrisch kurzgeschlossen ist. In ähnlicher Weise
wird der Bypassdiodenemitterbereich von einem Basiskontakt elektrisch
kontaktiert, der gleichzeitig einen benachbarten Basisbereich kontaktiert, so
dass der Bypassdiodenemitterbereich mit dem benachbarten Basisbereich
kurzgeschlossen ist. Um elektrische Kurzschlüsse innerhalb der Solarzelle
zu vermeiden, sind die mit einem Basiskontakt in Verbindung stehenden
Bypassdiodenemitterbereiche von benachbarten Emitterbereichen durch
dazwischen liegende Bereiche räumlich
und insbesondere auch elektrisch getrennt. In ähnlicher Weise sind auch die mit
dem Emitterkontakt in Verbindung stehenden Bypassdiodenbasisbereiche
von benachbarten mit den Basiskontakten in Verbindung stehenden
Basisbereichen durch umgebende Bypassdiodenemitterbereiche räumlich und
insbesondere elektrisch getrennt.
-
Auf
diese Weise kann eine von den Bypassdiodenemitterbereichen und Bypassdiodenbasisbereichen
gebildete Bypassdiode an der Rückseitenoberfläche des
Halbleitersubstrats in die Rückkontaktsolarzelle
integriert werden. p- und n-Typ-Bereiche der Bypass-Diode sind dabei
mit den Emitterkontakten und den Basiskontakten in umgekehrter Polung verschaltet,
wie die eigentlichen, Strom-sammelnden p- und n-Typ-Bereiche der
Basis und des Emitters der Rückkontaktsolarzelle.
Mit anderen Worten ist die pn-Diode, die von den Bypassdiodenemitterbereichen
und den Bypassdiodenbasisbereichen gebildet wird, in umgekehrter
Polung mit den Emitterkontakten und Basiskontakten verschaltet,
wie die pn-Diode,
die von den benachbarten Basis- und Emitterbereichen gebildet wird
und die im Normalbetrieb der Solarzelle deren elektrische Leistung
generieren. Da alle zu kontaktierenden Bereiche an der Rückseite der
Solarzelle angeordnet sind, ist eine solche Verschaltung sehr einfach
realisierbar.
-
Für den Fall,
dass eine derart ausgebildete Rückkontaktsolarzelle
innerhalb eines mehrere Solarzellen aufweisenden Strings abgeschattet
würde, kann
die von den Bypassdiodenemitterbereichen und Bypassdiodenbasisbereichen
gebildete pn-Diode als in Durchlassrichtung geschaltete Bypass-Diode
für die
Rückkontaktsolarzelle
wirken.
-
Weitere
Merkmale, Einzelheiten und mögliche
Vorteile von Ausführungsformen
der erfindungsgemäßen Rückkontaktsolarzelle
werden im Anschluss erläutert.
-
Unter
einer Rückkontaktsolarzelle
kann vorliegend eine Solarzelle verstanden werden, bei der sowohl
die Emitterkontakte als auch die Basiskontakte an einer Rückseite,
das heißt
einer im Einsatz dem eingestrahlten Licht abgewandten Seite der
Solarzelle, angeordnet sind. Hierzu werden zumindest Teile des den
Strom-sammelnden pn-Übergang
bildenden Emitters an der Rückseitenoberfläche der
Solarzelle ausgebildet und dort von den Emitterkontakten kontaktiert.
-
Zusätzlich zu
den allgemeinen Vorteilen von Rückkontaktsolarzellen,
nämlich,
dass aufgrund des Verzichts auf Emitterkontakte auf der Solarzellenvorderseite
Abschattungsverluste vermieden werden können und dass aufgrund der
Tatsache, dass sowohl die Emitterkontakte als auch die Basiskontakte auf
der Zellrückseite
angeordnet sind, die Zellen in einfacher Weise miteinander verschaltet
werden können,
weist die hier vorgestellte Rückkontaktsolarzelle bei
Verschaltung von mehreren Solarzellen in Strings aufgrund der integrierten
Bypassdiodebereiche den Vorteil auf, dass auf zusätzliche,
extern zu verschaltende Bypassdioden verzichtet werden kann, was den
Verschaltungsaufwand deutlich reduziert.
-
Das
Halbleitersubstrat kann beispielsweise ein Silizium-Wafer sein.
Es kann beispielsweise mit Bor in einer relativ geringen Dotierungskonzentration von
etwa 0,01 – 5 × 1016 cm–3 dotiert sein, so dass
der Basis-Halbleitertyp ein p-Halbleitertyp ist. Alternativ kann
das Halbleitersubstrat mit Phosphor dotiert sein, so dass der Basis-Halbleitertyp
ein n-Halbleitertyp
ist.
-
Alternativ
kann das Halbleitersubstrat auch aus einem beliebigen anderen Halbleiter
bestehen. Es kann auch als Halbleiter-Dünnschicht vorgesehen werden.
-
Die
Emitterbereiche können
sich entlang der Rückseitenoberfläche des
Halbleitersubstrats direkt an der Oberfläche erstrecken, es können aber
auch Teile der Emitterbereiche, insbesondere in eventuell vorgesehenen Überlappungsbereichen
mit den Basisbereichen, nicht direkt an die Oberfläche angrenzen,
sondern sich etwas tiefer im Inneren des Halbleitersubstrats erstrecken.
Diese im Inneren „vergrabenen” Emitterbereiche
können
in elektrischem Kontakt mit den an die Rückseitenoberfläche angrenzenden
Regionen der Emitterbereiche stehen, so dass sie von dort aus auch
elektrisch durch die Emitterkontakte kontaktiert werden können.
-
Die
Emitterbereiche bzw. die Bypassdiodenemitterbereiche können durch
Eindiffundieren von Dotanden in das Halbleitersubstrat erzeugt werden.
Beispielsweise kann in einem Halbleitersubstrat vom p-Typ durch
lokales Eindiffundieren von Phosphor ein Emitterbereich vom n-Typ
erzeugt werden. Alternativ können
die Emitterbereiche jedoch auch durch andere Verfahren wie zum Beispiel
durch Ionenimplantation oder Legieren erzeugt werden, so dass sich
eine sogenannte Homo-Junction, das heißt ein pn-Übergang mit gegensätzlich dotierten
Bereichen eines gleichen Halbleitergrundmaterials, wie zum Beispiel
Silizium, ergibt. Alternativ können
die Emitterbereiche auch epitaktisch abgeschieden werden, beispielsweise
aufgedampft oder aufgesputtert werden, so dass sich Homo- oder sogenannte
Hetero-Junctions
ergeben, das heißt,
dass im Falle von Hetero-Junctions pn-Übergänge vorliegen zwischen einem
ersten Halbleitermaterial vom Basis-Halbleitertyp und einem zweiten
Halbleitermaterial eines Emitter-Halbleitertyps. Ein mögliches
Beispiel sind Emitterbereiche aus mittels der PECVD-Technik aufgebrachten
amorphen Siliziumschichten (a-Si) auf einem Halbleitersubstrat aus
kristallinem Silizium (c-Si).
-
Auch
die Basisbereiche bzw. Bypassdiodenbasisbereiche können mittels
eines der oben genannten Herstellungsverfahren erzeugt werden, wobei
jedoch eine Erzeugung durch lokales Eindiffundieren eines Dotanden
zur Bildung der Basisbereiche bevorzugt sein kann, aufgrund der
damit verbundenen Bildung von vorteilhaften Dotierungsprofilen.
-
Ein
wesentliches Merkmal für
die erfindungsgemäße Rückkontaktsolarzelle
ist, dass die Bypassdiodenemitterbereiche, die mit dem Basiskontakt
verbunden sind, von benachbarten Emitterbereichen, die mit dem Emitterkontakt
verbunden sind, elektrisch getrennt sind. Hierzu können dazwischen
liegende Bereiche vom Basis-Halbleitertyp dienen. Diese dazwischen
liegenden Bereiche können
beispielsweise herstellungsbedingt beim Ausbilden der Emitterbereiche
und der Bypassdiodenemitterbereiche zwischen diesen verbleiben.
Beispielsweise können die
Emitterbereiche und die Bypassdiodenemitterbereiche in ein Halbleitersubstrat
vom Basis-Halbleitertyp lokal eindiffundiert werden, beispielsweise
unter Verwendung von Masken oder Fotolithographie, wobei dazwischen
liegende Bereiche gegen Eindiffusion geschützt werden und somit vom Basis-Halbleitertyp
verbleiben. Alternativ kann auch zunächst ein zusammenhängender
Emitterbereich erzeugt werden, der anschließend durch Ausbilden von Untertrennungen
in normale Emitterbereiche und Bypassdiodenemitterbereiche unterteilt
wird. Die Untertrennungen können
dabei beispielsweise durch lokales Entfernen von Emitter-Teilbereichen,
beispielsweise durch Wegätzen
oder Weglasern, oder durch lokales Überkompensieren von Emitterbereichen
beispielsweise durch lokales Eindiffundieren von Dotanden des Basis-Halbleitertyps
erzeugt werden.
-
Unter
einer „elektrischen
Trennung” soll
hierbei verstanden werden, dass zwischen den entsprechenden Bereichen
im Normalbetrieb der Solarzelle keine signifikanten Ströme, wie
sie beispielsweise den Wirkungsgrad der Solarzelle negativ beeinflussen
könnten,
fließen
können.
Es kann jedoch trotz elektrischer Trennung möglich sein, dass geringfügige Ströme bzw.
Stromdichten im Bereich von weniger als 0.1 mA/cm2,
z. B. aufgrund von Minoritätsladungsträgerströmen im Sperrsättigungsbetrieb,
fließen
können.
-
Ein
weiteres wichtiges Merkmal für
die erfindungsgemäße Rückkontaktsolarzelle
ist, dass die mit dem Emitterkontakt verbundenen Bypassdiodenbasisbereiche
von den mit dem Basiskontakt verbundenen Basisbereichen durch umgebende
Bypassdiodenemitterbereiche getrennt sind. Die Bypassdiodenemitterbereiche
sollten dabei die Bypassdiodenbasisbereiche vollständig umgeben,
so dass kein elektrischer Kontakt zu den mit dem Basiskontakt verbundenen
Basisbereichen möglich
ist. Hierzu kann beispielsweise zunächst ein Bypassdiodenemitterbereich
tief eindiffundiert werden und anschließend ein stärker dotierter Bypassdiodenbasisbereich in
einen Teilbereich dieses Bypassdiodenemitterbereichs eindiffundiert
werden und dadurch eine lokale Überkompensierung
erreicht werden. Der Bypassdiodenbasisbereich kann dabei quasi wie
in einer Wanne liegend von dem Bypassdiodenemitterbereich umgeben
sein.
-
Gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung sind die Bypassdiodenemitterbereiche
von den Emitterbereichen durch dazwischen liegende Bereiche vom
Basis- Halbleitertyp
getrennt. Wie bereits oben angedeutet, ist eine solche Ausgestaltung
in verfahrenstechnisch einfacher Weise herstellbar, indem in ein
Halbleitersubstrat vom Basis-Halbleitertyp
lokal Emitterbereiche und Bypassdiodenemitterbereiche eingebracht
werden.
-
Bei
den bisher beschriebenen Ausführungsformen
der erfindungsgemäßen Rückkontaktsolarzelle
können
mit dem Basiskontakt in Verbindung stehende Bypassdiodenemitterbereiche
direkt an den Absorber der Rückkontaktsolarzelle,
der im Allgemeinen vom Basis-Halbleitertyp-artigen Halbleitersubstrat
gebildet wird, angrenzen. Die dabei entstehenden Grenzflächen können wie
Bereiche sehr hoher (Oberflächen-
bzw. Grenzflächen-)Rekombination wirken.
Um den dadurch entstehenden negativen Effekt auf die Solarzelle
möglichst
gering zu halten, sollte die Geometrie und Ausgestaltung der Bypassdiodenbereiche
entsprechend gewählt
werden. Insbesondere kann es vorteilhaft sein, den Anteil der Bypassdiodenbereiche
an der gesamten Rückseitenoberfläche möglichst
gering zu halten, beispielsweise kleiner als 10%, vorzugsweise kleiner
als 5% und stärker
bevorzugt kleiner als 1% Flächenanteil.
-
Alternativ
kann der potentiell negative Einfluss der Bypassdiodenbereiche auf
den Wirkungsgrad der Solarzelle dadurch reduziert werden, dass die
Rückkontaktsolarzelle
gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ferner Bypassdiodenumhüllungsbereiche
vom Basis-Halbleitertyp aufweist, die die Bypassdiodenemitterbereiche
zumindest teilweise umgeben und die eine höhere Dotierungskonzentration
aufweisen als daran angrenzende Bereiche des Halbleitersubstrats.
Mit anderen Worten soll gemäß dieser
Ausführungsform verhindert
werden, dass die Bypassdiodenemitterbereiche direkt an schwach dotierte
Basisbereiche des Absorbers der Rückkontaktsolarzelle angrenzen. Stattdessen
sollen die Bypassdiodenemitterbereiche von stark dotierten Bypassdiodenumhüllungsbereichen
vom Basis-Halbleitertyp möglichst
weitgehend umhüllt
werden, vorzugsweise komplett abgekapselt werden. Stark dotierte
Bypassdiodenumhüllungsbereiche
vom Basis-Halbleitertyp können
dabei mit den stark dotierten Bereichen unten den Basiskontakten direkt
in Kontakt stehen. Sie können
alternativ aber auch voneinander durch schwächer dotierte Bereiche vom
Basis-Halbleitertyp getrennt sein. Die Bypassdiodenumhüllungsbereiche
wirken wie ein lokales BSF (Back Surface Field), das verhindern
soll, dass im Absorber erzeugte Minoritätsladungsträger hin zu der Grenzfläche zu den
Bypassdiodenemitterbereichen diffundieren und dort rekombinieren.
-
Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
sind die Bypassdiodenbereiche bzw. die darin enthaltenen Bypassdiodenemitterbereiche
im Wesentlichen homogen über
die Rückseitenoberfläche verteilt.
Mit anderen Worten sollen die Bypassdiodenbereiche nicht auf einen
kleinen Teilbereich der Rückseitenoberfläche der
Solarzelle beschränkt
sein, sondern sich über
die gesamte Rückseitenoberfläche hin
verteilen. Dies fördert
einerseits eine gute, gleichmäßige Verteilung
einer Dissipation von eventuell in den Bypassdioden erzeugter Wärme und
ist andererseits verhältnismäßig einfach
herzustellen.
-
Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung sind die Emitterkontakte und die Basiskontakte
jeweils als längliche,
kammartig ineinander greifende Finger ausgebildet.
-
Die
Emitterbereiche und die Basisbereiche können dabei, in einer Draufsicht
auf die Rückseitenoberfläche des
Halbleitersubstrats gesehen, jeweils ebenfalls eine kammartige Struktur
aufweisen, bei der jeweils lineare fingerartige Emitterbereiche
zu linearen fingerartigen Basisbereichen benachbart sind bzw. an
diese angrenzen. Eine solche verschachtelte Struktur wird auch als „interdigitated” bezeichnet.
Zwischen einzelnen Emitter- und Basisbereichen können Bypassdiodenbereiche angeordnet sein,
die vorzugsweise parallel zu diesen verlaufen oder aber mit gewissen
Abständen
im Zwischenfingergebiet Bereiche für Bypassdioden vorgesehen sind.
-
Sowohl
die Emitterkontakte als auch die Basiskontakte können jeweils in Form einer
lokalen Metallisierung beispielsweise in Form von fingerartigen Grids
ausgebildet sein. Hierzu können
Metalle wie zum Beispiel Silber oder Aluminium lokal beispielsweise
durch eine Maske oder unter Verwendung von Photolithographie oder
Siebdruck oder anderer Verfahren auf die Basis- bzw. Emitterbereiche
abgeschieden werden, beispielsweise durch Aufdampfen oder Aufsputtern
oder auch durch Verwendung von Siebdruck- oder Dispensverfahren.
Generell können alle
Verfahren verwendet werden, die es ermöglichen, Kontakte lokal, beispielsweise
Finger- oder Grid-förmig,
an einer Substratrückseite
auszubilden, einschließlich
der Möglichkeit,
ganzflächige
Metallschichten aufzubringen, die im Nachhinein durch lokales Entfernen
strukturiert werden. Zur Vermeidung von Kurzschlüssen zwischen den Emitterkontakten und
den Basiskontakten kann zwischen den beiden jeweils ein elektrisch
isolierender Spalt vorgesehen sein.
-
Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum
Herstellen einer Rückkontaktsolarzelle
vorgeschlagen, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
Bereitstellen eines Halbleitersubstrats; Ausbilden von Basisbereichen,
Emitterbereichen, Bypassdiodenbasisbereichen und Bypassdiodenemitterbereichen
entlang einer Rückseitenoberfläche des
Halbleitersubstrats und Ausbilden von Emitterkontakten zur elektrischen
Kontaktierung der Emitterbereiche und der Bypassdiodenbasisbereiche
sowie von Basiskontakten zur elektrischen Kontaktierung der Basisbereiche und
der Bypassdiodenemitterbereiche. Die Bypassdiodenemitterbereiche
sind dabei von den Emitterbereichen durch dazwischen liegende Bereiche,
vorzugsweise durch Bereiche vom Basis-Halbleitertyp, elektrisch
getrennt. Die Bypassdiodenbasisbereiche sind von benachbarten Basisbereichen
durch umgebende Bypassdiodenemitterbereiche elektrisch getrennt.
-
Die
lokal verschieden dotierten Bereiche können mittels unterschiedlicher
Verfahren erzeugt werden, beispielsweise durch lokales Eindiffundieren unter
Verwendung beispielsweise von Masken oder Lithographie, durch Ionenimplantation,
durch lokales Einlegieren, durch epitaktisches Aufbringen entsprechender
Schichten, etc.
-
Die
Emitter- und Basiskontakte können ebenfalls
mittels verschiedener Verfahren ausgebildet werden, beispielsweise
durch lokales Aufdampfen von Metallen zum Beispiel unter Verwendung
von Masken oder Lithographie oder auch durch Verwendung von Siebdruck- oder Dispensverfahren.
Generell können
alle Verfahren verwendet werden, die es ermöglichen, Kontakte lokal, beispielsweise
Finger- oder Grid-förmig,
an einer Substratrückseite
auszubilden, einschließlich
der Möglichkeit,
ganzflächige Metallschichten
aufzubringen, die im Nachhinein durch lokales Entfernen strukturiert
werden.
-
Gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung werden zuerst die Bypassdiodenemitterbereiche
mit einer ersten Tiefe und einer ersten Dotierungskonzentration
und dann die Bypassdiodenbasisbereiche mit einer zweiten Tiefe und einer
zweiten Dotierungskonzentration ausgebildet, wobei die erste Tiefe
größer ist
als die zweite Tiefe und wobei die erste Dotierungskonzentration
kleiner ist als die zweite Dotierungskonzentration. Mit anderen
Worten wird zunächst
ein relativ schwach dotierter, tiefer Bypassdiodenemitter gebildet,
der dann lokal von einem stärker
dotierten, flacheren Bypassdiodenbasisbereich lokal überkompensiert
werden kann. Dabei können
außerhalb
der überkompensierten
Bereiche tiefer gelegene Bypassdiodenemitterbereiche verbleiben,
so dass ein Bypassdiodenemitterbereich einen jeweiligen Bypassdiodenbasisbereich
vollständig
umgibt und damit gegen sonstige Basis-Halbleitertyp-Bereiche der
Solarzelle abkapselt.
-
Es
wird angemerkt, dass die Ausführungsformen,
Merkmale und Vorteile der Erfindung hauptsächlich in Bezug auf die erfindungsgemäße Rückkontaktsolarzelle
beschrieben wurden. Ein Fachmann wird jedoch aus der vorangehenden
und auch aus der nachfolgenden Beschreibung erkennen, dass, sofern
dies nicht anders angegeben ist, die Ausführungsformen und Merkmale der
Erfindung auch analog auf das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren für eine Solarzelle übertragen
werden können
und umgekehrt. Insbesondere können
die Merkmale der verschiedenen Ausführungsformen auch in beliebiger
Weise untereinander kombiniert werden.
-
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
Weitere
Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden dem Fachmann
aus der nachfolgenden Beschreibung von beispielhaften Ausführungsformen,
die jedoch nicht als die Erfindung beschränkend auszulegen ist, und unter
Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen ersichtlich.
-
1 zeigt
in Querschnittsdarstellung eine Rückkontaktsolarzelle mit einer
integrierten Bypassdiode gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
-
2 zeigt
eine Draufsicht auf eine Rückseite
und einen vergrößerten Ausschnitt
der in 1 dargestellten Rückkontaktsolarzelle entlang
eines Schnitts in der Ebene A-A aus 1.
-
3 zeigt
in Querschnittsdarstellung eine Rückkontaktsolarzelle mit einer
durch eine stark dotierte BSF-Schicht geschützten integrierten Bypassdiode
gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
-
Alle
Figuren sind lediglich schematisch und nicht maßstabsgetreu. In den Figuren
sind ähnliche oder
gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen beziffert.
-
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
-
Die
in 1 im Querschnitt dargestellte erfindungsgemäße Rückkontaktsolarzelle
weist ein Halbleitersubstrat 1 in Form eines Silizium-Wafers auf.
An der Rückseitenoberfläche 3 des
Halbleitersubstrats 1 sind sowohl Emitterbereiche 5 als
auch Basisbereiche 7 ausgebildet.
-
Zwischen
benachbarten Emitter- und Basisbereichen 5, 7 ist
ein Bypassdiodenbereich 9 angeordnet, der einen Bypassdiodenbasisbereich 11 und einen
Bypassdiodenemitterbereich 13 aufweist. Der Bypassdiodenbasisbereich 11 wird
von dem Bypassdiodenemitterbereich umgeben und ist wannenartig innerhalb
des Bypassdiodenemitterbereichs 13 aufgenommen. Sowohl
der Bypassdiodenbasisbereich als auch der Bypassdiodenemitterbereich 13 sind von
benachbarten Emitterbereichen 5 und Basisbereichen 7 elektrisch
getrennt durch dazwischen liegende Bereiche 15 des Halbleitersubstrats 1.
-
An
der Rückseitenoberfläche 3 des
Halbleitersubstrats 1 ist eine Dielektrikumschicht 17 ausgebildet,
die einerseits zur Oberflächenpassivierung
der Rückseitenoberfläche 3 und
andererseits zur lokalen elektrischen Isolierung zwischen dem Halbleitersubstrat 1 und
den über
der Dielektrikumschicht 17 angeordneten Kontakten 19, 21 dient.
-
Ein über der
Dielektrikumschicht 17 ausgebildeter Basiskontakt 19 kontaktiert
durch lokale Öffnungen
in der Dielektrikumschicht 7 hindurch einen Basisbereich 7 sowie
einen Bypassdiodenemitterbereich 13. Ein Emitterkontakt 21 kontaktiert
einen Emitterbereich 5 sowie einen Bypassdiodenbasisbereich 11.
Der Basiskontakt 19 und der Emitterkontakt 21 sind
nicht in direktem physikalischem Kontakt miteinander, sondern durch
einen Spalt 23 voneinander getrennt.
-
Wie
in 2 zu erkennen, verlaufen fingerförmige Emitter-
und Basiskontakte 21, 19 ebenso wie die Emitter-
und Basisbereiche 5, 7 parallel zueinander. Zwischen
benachbarten Emitter- und
Basisbereichen 5, 7 liegt ein Bypassdiodenbereich 9 mit seinem
Bypassdiodenbasisbereich 11 und seinem Bypassdiodenemitterbereich 13.
Der Bypassdiodenbereich 9 ist von den benachbarten Basis-
und Emitterbereichen 5, 7 durch sich ebenfalls
linear fingerförmig
erstreckende dazwischen liegende Bereiche 15 elektrisch
getrennt.
-
Das
Halbleitersubstrat 1 weist eine Grunddotierung im Bereich
von etwa 1014 bis 5 × 1016 cm–3 auf. Die
Basisbereiche 7 dienen als BSF und weisen typischerweise
eine Dotierungskonzentration im Bereich von 1018 bis
5 × 1020 cm–3 auf. Die Emitterbereiche 5 bilden
zusammen mit dem entgegengesetzt dotierten Halbleitersubstrat 1 den
großflächigen,
Strom-sammelnden pn-Übergang
der Solarzelle und weisen typischerweise eine Dotierung im Bereich
von 1018 bis 5 × 1020 cm–3 auf.
Die Bypassdiodenemitterbereiche 13 können eine ähnliche Dotierungskonzentration und
Tiefe aufweisen wie die Emitterbereiche 5 und werden vorzugsweise
im selben Prozessschritt zusammen mit diesem ausgebildet. Die Bypassdiodenbasisbereiche 11 werden
typischerweise durch lokale Überkompensation
eines Teilbereichs eines Bypassdiodenemitterbereichs erzeugt und
weisen daher eine höhere
Dotierungskonzentration auf als der ursprüngliche Bypassdiodenemitterbereich
in diesem Teilbereich. Im Falle von durch Schichtwachstum erzeugten
Bereichen verschiedener Dotierung oder im Falle von tief in das
Substrat eingebrachter Dotieratome wie beispielsweise der Ionenimplantation
ist die genannte Überkompensation
der Bypassdioden-Emitterbereiche durch eine höhere Dotierung der Bypassdioden-Basisgebiete
nicht erforderlich.
-
Im
Normalbetrieb der Solarzelle, das heißt unter Beleuchtung, ist die
von der Solarzelle generierte und somit an den Basis- und Emitterkontakten 19, 21 anliegende
Spannung derart gerichtet, dass die von den Bypassdiodenemitterbereichen 13 und Bypassdiodenbasisbereichen 11 gebildete
Bypassdiode in Sperrrichtung betrieben wird. Es kann daher nicht
zu einem signifikanten Stromfluss vom Basiskontakt 19 über den
in Sperrrichtung betriebenen Bypassdiodenbereichen 9 hin
zum Emitterkontakt 21 kommen.
-
Wenn
andererseits die Solarzelle abgeschattet wird oder defekt sein sollte,
wird von den in einem Solarzellen-String benachbart angeordneten
Solarzellen an den Basis- und Emitterkontakten 19, 21 eine
derart gerichtete Spannung angelegt, dass die Bypassdiode 9 in
Durchlassrichtung betrieben wird, so dass es zu einem Stromfluss
zwischen den Basiskontakten 19 und den Emitterkontakten 21 kommen kann
und somit die abgeschattete bzw. defekte Solarzelle überbrückt werden
kann.
-
Bei
der in 1 dargestellten Ausführungsform grenzt der Bypassdiodenemitterbereich 13 direkt
an den entgegengesetzt und relativ schwach dotierten Absorber des
Halbleitersubstrats 1 an. An der Grenzfläche kann
es zu einer hohen Ladungsträgerrekombination
kommen, die einen Wirkungsgrad der Solarzelle negativ beeinflussen
kann.
-
Um
dies zu vermeiden, wurde bei der in 3 gezeigten
Ausführungsform
ein Bypassdiodenumhüllungsbereich 25 vorgesehen,
der den Bypassdiodenemitterbereich 13 möglichst vollständig gegen
daran angrenzende Bereiche des Halbleitersubstrats 1 abkapselt.
Dieser Bypassdiodenumhüllungsbereich 25 weist
den gleichen Halbleitertyp auf wie das Halbleitersubstrat 1,
hat jedoch im Vergleich zu diesem eine wesentliche höhere Dotierungskonzentration,
beispielsweise im Bereich von 1018 bis 1019 cm–3. Der Bypassdiodenumhüllungsbereich 25 wirkt
daher wie ein BSF und kann auf diese Weise verhindern, dass im Halbleitersubstrat
generierte Ladungsträger
hin zur Grenzfläche
mit dem Bypassdiodenemitterbereich 13 diffundieren und
dort rekombinieren.
-
Abschließend wird
darauf hingewiesen, dass die Begriffe „umfassen”, „aufweisen” etc. das Vorhandensein weiterer
Elemente nicht ausschließen.
Der Begriff „ein” schließt auch
das Vorhandensein einer Mehrzahl von Gegenständen nicht aus. Die Bezugszeichen
in den Ansprüchen
dienen lediglich der besseren Lesbarkeit und sollen den Schutzbereich
der Ansprüche
in keiner Weise einschränken.