DE102008036853A1 - Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008036853A1 DE102008036853A1 DE102008036853A DE102008036853A DE102008036853A1 DE 102008036853 A1 DE102008036853 A1 DE 102008036853A1 DE 102008036853 A DE102008036853 A DE 102008036853A DE 102008036853 A DE102008036853 A DE 102008036853A DE 102008036853 A1 DE102008036853 A1 DE 102008036853A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode layer
- back electrode
- semiconductor layer
- layer
- inkjet printer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 7
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N trioxido(oxo)vanadium;yttrium(3+) Chemical compound [Y+3].[O-][V]([O-])([O-])=O QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls (1) werden auf ein transparentes Substrat (2) eine transparente Frontelektrodenschicht (3), eine Halbleiterschicht (4) und eine Rückelektrodenschicht (5) aufgebracht, welche zur Bildung serienverschalteter Zellen (C1, C2, ...Cn, Cn+1) durch Tennlinien (6, 7, 8) strukturiert werden. Nach Aufbringen der Halbleiterschicht (4) wird auf die Bereiche der Halbleiterschicht (4), an denen die Trennlinien (8) in der Rückelektrodenschicht (5) gebildet werden sollen, eine wasserlösliche Ablösemasse (12) mit einem Tintenstrahldrucker (15) aufgetragen, worauf die Rückelektrodenschicht (5) aufgebracht wird. Die Ablösemasse (12) wird mit den darauf aufgebrachten Bereichen der Rückelektrodenschicht (5) unter Bildung der Trennlinien (8) in der Rückelektrodenschicht (5) mit einem Wasserstrahl (13) entfernt.
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls nach dem Oberbegriff des Patenanspruchs 1.
- Bei der Herstellung eines photovoltaischen Moduls werden auf einem transparenten, elektrisch isolierenden Substrat, beispielsweise einer Glasscheibe, drei Funktionsschichten, nämlich eine transparente Frontelektrodenschicht, eine Halbleiterdünnschicht und eine Rückelektrodenschicht großflächig abgeschieden.
- Um aus diesen monolithischen Schichten serienverschaltete Zellen zu bilden, werden die Schichten z. B. mit einem Laser, mechanischen Verfahren oder auf chemischem Wege durch Trennlinien strukturiert.
- Zur Strukturierung der Frontelektrodenschicht, die beispielsweise aus einem transparenten, elektrisch leitfähigen Metalloxid (TCO), beispielsweise dotiertem Zinnoxid, besteht, wird üblicherweise die Lasertechnik eingesetzt. Der verwendete Laser ist typischerweise ein Neodym dotierter Yttrium-Aluminium-Granat (Nd:YAG)- oder ein Neodym dotierter Yttrium-Vanadat (Nd:YVO4)-Festkörperlaser, der ein Strahlung mit einer Wellenlänge von 1064 nm emittiert.
- Die Strukturierung der Halbleiterschicht, beispielsweise eine Silizium-Dünnschicht, erfolgt ebenfalls typischerweise mit Laserlicht. Dabei wird ein frequenzverdoppelter (Nd:YAG)- oder ein (Nd:YVO4)-Festkörperlaser verwendet, der ein Laserlicht mit einer Wellenlänge von 532 nm emittiert.
- Zur Strukturierung der Rückelektrodenschicht, die aus Metall oder einem elektrisch leitfähigen Metalloxid besteht, werden sowohl mechanische Verfahren wie Laserverfahren eingesetzt.
- Bei der Strukturierung der Rückelektrodenschicht mit Lasertechnik wird typischerweise ein (Nd:YAG)- oder ein (Nd:YVO4)-Festkörperlaser verwendet und der Laserstrahl von der Glasseite in die Schichten fokussiert. Bei den mechanischen Verfahren wird die Maskentechnik eingesetzt, bei der beispielsweise Metalldrähte die Halbleiteroberfläche beim Beschichten mit der Rückelektrodenschicht maskieren oder auf der Halbleiterschicht wird in den Bereichen, an denen die Rückelektrodenschicht mit Trennlinien versehen werden soll, linienförmig eine haftenden Paste aufgebracht, sodass die Halbleiterschicht in diesen Bereichen beim anschließenden Beschichten mit der Rückelektrodenschicht maskiert ist. In den folgenden „Lift-Off”-Prozess wird das linienförmige maskierende Medium mit der darüber liegenden Rückelektrodenschicht mechanisch entfernt. Somit wird die Rückelektrodenschicht in einzelne Streifen separiert.
- Während bei der Bildung der Trennlinien in der Rückelektrodenschicht mit der Laser-Technik die darunter liegende Halbleiterschicht mehr oder weniger in Mitleidenschaft gezogen wird, bleibt bei Verwendung einer Paste und dem „Lift-Off”-Prozess die Halbleiterschicht unbeeinträchtigt.
- Das Auftragen einer Paste als maskierendes Medium erfolgt mit einem Dosierwerkzeug, mit dem die Paste durch eine Hohlnadel oder dergleichen Düse auf die Halbleiterschicht aufgetragen wird. Synchron zur Bewegung des Werkzeugs wird mit einem Dosiermedium, das im Allgemeinen druckluftgesteuert ist, dem Dosierwerkzeug aus einem Vorratsbehälter die erforderliche Menge an Paste zugeführt.
- Die Paste wird auf die Halbleiterschicht in parallelen, äquidistanten Linien aufgetragen. Dazu wird, wenn eine Linie auftragen worden ist, das Auftragen der Paste unterbrochen, bis das Spritzwerkzeug so positioniert worden ist, dass die nächste Linie aufgetragen werden kann. Der zeitlich unterbrochene Pastenauftrag kann zur Folge haben, dass sich die Düse durch Pastenreste zusetzt.
- Zudem kann die Hohlnadel durch Austrocknen der Paste verstopfen, wenn nach dem Auftragen aller Linien auf die Halbleiterschicht eines Moduls das Modul entladen wird, um die Paste auf die Halbleiterschicht eines neuen Moduls aufzutragen.
- Auch kann beispielsweise bei Schwankungen der Versorgungsmedien, z. B. der Druckluft, das Auftragen der Paste für eine Linie unterbrochen werden. Damit wird ein Bereich der Halbleiterschicht innerhalb einer Linie nicht maskiert. Bei unterbrochenen Pastenlinien ist nach der Beschichtung mit der Rückelektrodenschicht und nach dem „Lift-Off”-Prozess die Rückelektrodenschicht benachbarter Zellen des photovoltaischen Moduls elektrisch verbunden und somit die Zellen elektrisch kurzgeschlossen.
- Dies führt zu einem erheblich Ausschuss. Zudem muss für ein fehlerfreies Funktionieren des Pastenauftrags eine aufwändige Prozesskontrolle und intensive Wartung der Pastenauftragwerkzeuge durchgeführt werden.
- Aufgrund ihrer zähen Konsistenz werden mit der Paste Linien mit einer Dicke von etwa 500 nm auf der Halbleiterschicht gebildet. Die Linien müssen vor dem Beschichten mit der Rückelektrodenschicht z. B. durch Sputtern getrocknet werden. Das Trocknen der dicken Linien nimmt jedoch viel Zeit in Anspruch. Wird die Paste nicht ausreichend getrocknet, besteht die Gefahr, dass sie während der Beschichtung mit dem Rückkontakt, z. B. durch Glimmentladungsabscheidung (PE-PVD) im Vakuum, auseinander läuft und damit nach dem „Lift-Off”-Prozess ein photovoltaisches Modul mit Trennlinien undefinierter Breite in der Rückelektrodenschicht erzeugt wird.
- Aufgabe der Erfindung ist es daher, photovoltaische Module hoher Qualität ohne Ausschussprobleme mit einem geringeren Aufwand herzustellen.
- Dies wird erfindungsgemäß mit dem im Anspruch 1 gekennzeichneten Verfahren erreicht. In den Unteransprüchen sind bevorzugte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens wiedergegeben.
- Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird das transparente, elektrisch nicht leitfähige Substrat, beispielsweise eine Glasscheibe oder Kunststoffplatte, zunächst mit der transparenten Frontelektrodenschicht beschichtet. Die Beschichtung mit der transparenten Frontelektrodenschicht kann beispielsweise durch PE-PVD erfolgen. Die Frontelektrodenschicht besteht vorzugsweise aus TCO (Transparent Conductive Oxide), z. B. dotiertes, insbesondere Fluor dotiertes Zinnoxid, dotiertes, insbesondere Aluminium dotiertes Zinkoxid oder dergleichen.
- Anschließend werden zur Strukturierung der Frontelektrodenschicht die Trennlinien beispielsweise mit einem Laser, vorzugsweise mit einem (Nd:YAG)- oder ein (Nd:YVO4)-Festkörperlaser mit einer Wellenlänge von 1064 nm erzeugt.
- Die strukturierte Frontelektrodenschicht wird dann mit der Halbleiterschicht beschichtet, beispielsweise durch PECVD. Die Halbleiterschicht kann aus Silizium, beispielsweise amorphem, nano-, mikro- oder polykristallinem Silizium bestehen, aber auch aus anderen Halbleitern, beispielsweise Kupfer-Indium- oder Kupfer-Indium-Gallium-Sulfid und/oder - Selenid oder aus Cadniumtellurid. Die Trennlinien in der Frontelektrodenschicht werden beim Beschichten mit der Halbleiterschicht mit dem Halbleiter verfüllt.
- Zur Strukturierung der Halbleiter-Dünnschicht werden beispielsweise mit einem Laser, vorzugsweise einem (Nd:YAG)- oder (Nd:YVO4)-Festkörperlaser mit einer Wellenlänge von 532 nm die Trennlinien in der Halbleiterschicht erzeugt.
- Anschließend werden die Bereiche der Halbleiterschicht, an denen die Trennlinien in der Rückelektrodenschicht gebildet werden sollen, mit einer Ablösemasse versehen.
- Zur Bildung der Ablösemasse wird erfindungsgemäß eine Dispersion oder Lösung der Ablösemasse verwendet, die mit einem Tintenstrahldrucker auf die Halbleiterschicht aufgetragen und anschließend getrocknet wird.
- Die Ablösemasse kann beispielsweise aus einem Bindemittel bestehen, das Pigmente oder Farbstoffe enthalten kann. Vorzugsweise werden Harze, insbesondere wasserlösliche Harze als Bindemittel verwendet, beispielsweise Kunststoffharze, die Carboxyl-, Hydroxyl- oder dergleichen salzbildende Gruppen enthalten, z. B. carboxylgruppenhaltige Harnstoff- und/oder Aldehydharze. Das Löse- oder Dispersionsmittel, in dem das Bindemittel gelöst oder dispergiert ist, kann beispielsweise ein Alkohol oder ein anderes leichtflüchtiges, vorzugsweise mit Wasser mischbares Lösungsmittel sein. Beispielsweise können zur Bildung der Ablösemasse auch wasserlösliche Tinten verwendet werden, die im Handel zum Bedrucken von Stahl mit Tintenstrahldruckern angeboten werden.
- Die wesentliche Eigenschaft der erfindungsgemäßen verwendeten Lösung bzw. Dispersion, die mit dem Tintenstrahldrucker aufgetragen wird, um die Ablösemasse zu bilden, ist schnell zu trocknen und einen dünnen Film zu bilden, der nach dem Trocknen nicht dicker als die Rückelektrodenschicht sein soll, also vorzugsweise eine Schichtdicke von 0,1 bis 5 μm, insbesondere 0,3 bis 3 μm, aufweist.
- Da die Rückelektrodenschicht im Allgemeinen im Vakuum, z. B. durch Sputtern aufgetragen wird, sollte die Ablösemasse im trockenen Zustand vakuumbeständig sein, und hohen Temperaturen widerstehen. Ferner muss die Ablösemasse nach der Beschichtung mit der Rückelektrodenschicht, der anschließenden Belüftung auf Atmosphärendruck und Abkühlung auf Raumtemperatur an der Halbleiterschicht gut haften. Außerdem darf die Ablösemasse nach dem Trocknen keine Risse bilden, da diese, wenn sie beim Beschichten mit der Rückelektrodenschicht verfüllt werden, zu einem Kurzschluss zwischen benachbarten Zellen des photovoltaischen Moduls führen würden.
- Als Tintenstrahldrucker wird vorzugsweise ein kontinuierlicher oder so genannter Continuous-Ink-Jet oder CIJ-Drucker oder ein Drop-on-Demand- oder DOD-Drucker verwendet. Ein kontinuierlicher Tintenstrahldrucker oder CIJ-Drucker wird bevorzugt. Bei ihm tritt die Ablösemasse-Lösung bzw. -Dispersion auch in der Pause aus der Düse aus, wenn nach dem Auftragen aller Linien auf die Halbleiterschicht ein Modul entladen wird, um die Halbleiterschicht eines neuen Moduls mit den Ablösemasselinien zu versehen. Dabei wird die aus der Düse in der Pause austretende Ablösemasse-Lösung bzw. - Dispersion in einem Gefäß aufgefangen und im Kreislauf zu dem Vorratsbehälter des Tintenstrahldruckers zurückgeführt. Damit ist verhindert, dass sich die Düse des Tintenstrahldruckers beim Be- und Entladen der Module zusetzt. D. h. bei einem kontinuierlichen Tintenstrahldrucker ist die Ablösemasse-Lösung bzw. – Dispersion in der Düse ständig in Bewegung, sodass sie nicht verklumpen oder Austrocknen kann.
- Bei dem vorzugsweise kontinuierlichen Tintenstrahldrucker tritt der Strahl durch eine piezoelektrischen Wandler in einzelnen Tropfen aus der Düse aus, die mit Ladeelektroden elektrostatisch aufgeladen und mit Ablenkelektroden seitlich abgelenkt werden können, also entweder zur Linienbildung auf die Halbleiterschicht des jeweiligen Moduls oder in den Auffangbehälter zur Rückführung der Ablösemasse-Lösung bzw. Dispersion.
- Die mit dem Tintenstrahldrucker in Tröpfchen aufgebrachte Ablösemasse weist je nach relativer Geschwindigkeit zwischen dem Tintenstrahldrucker und dem mit der Frontelektroden- und Halbleiterschicht versehenen Substrat sowie der Größe der vom Tintenstrahldrucker abgegebenen Tropfen gerade oder durch Aneinanderreihung diskreter Tropfen bogenförmig gewölbte Ränder auf. Dabei sollte die Breitenschwankung der aufgetragenen Ablösemasselinie nach dem Trocknen nicht mehr als 20 bis 30% betragen. Die Breite der Ablösemasselinien kann z. B. 50 bis 500 μm, insbesondere 100 bis 300 μm betragen.
- Beim Auftragen der Ablösemasse werden der Tintenstrahldrucker und das mit der Frontelektroden- und Halbleiterschicht versehene Substrat relativ zueinander bewegt. Dazu kann das Substrat beispielsweise auf einem Schlitten angeordnet sein, der in einer oder zwei zueinander senkrechten Richtungen bewegbar ist und/oder der Tintenstrahldrucker kann an einem Träger, der in einer zu der Bewegungsrichtung des Schlittens senkrechten Richtung bewegbar ist, vorgesehen sein. Auch kann das Substrat auf einem Tisch angeordnet sein, wobei der Träger gegenüber dem Tisch in zwei zueinander senkrechten Richtungen oder wenn der Tintenstrahldrucker entlang dem Träger bewegbar ist, nur in einer Richtung bewegbar ist.
- Nach dem die Halbleiterschicht des Moduls mit den Ablösemasselinien versehen worden ist, wird die Rückelektrodenschicht aufgetragen.
- Die Rückelektrodenschicht wird vorzugsweise durch eine Metallschicht oder ein elektrisch leitendes Metalloxid gebildet. Die Metallschicht kann beispielsweise aus Aluminium, Kupfer oder Silber bestehen. Das Metalloxid kann ein transparentes Metalloxid sein, beispielsweise Zinnoxid oder Zinkoxid.
- Auch kann zwischen der Metallschicht und der Halbleiterschicht eine Zwischenschicht aufgebracht werden, die beispielsweise aus einem dotierten TCO, wie Indiumoxid oder Aluminium dotiertem Zinkoxid besteht und z. B. verhindert, dass Metallatome aus der Metallschicht in die Halbleiterschicht des Moduls diffundieren.
- Die Rückelektrodenschicht wird vorzugsweise durch Sputtern aufgebracht, kann jedoch auch durch andere Beschichtungsverfahren aufgetragen werden, beispielsweise durch Bedampfung. Dabei werden die Trennlinien oder Gräben in der Halbleiterschicht verfüllt.
- Nach dem Beschichten der mit der Ablösemasse-Linien versehenen Halbleiterschicht mit der Rückelektrodenschicht wird die Ablösemasse mit der darauf aufgebrachten Rückelektrodenschicht mechanisch entfernt („Lift-Off”-Prozess).
- Dazu wird vorzugsweise ein Wasserstrahl verwendet, um die vorzugsweise wasserlösliche Ablösemasse zu entfernen. Mit dem Wasserstrahl wir die Ablösemasse rückstandsfrei aufgelöst und die darauf liegende Rückelektrodenschicht löst sich in diesem Bereich ab. Der Druck des Wasserstrahls kann beispielsweise 0,5 bis 2 bar betragen.
- Um ein rückstandsfreies Ablösen der auf der Ablösemasse aufgebrachten Rückelektrodenschicht beim „Lift-Off”-Prozess zu garantieren, ist eine gute Benetzung der Halbleiterschicht notwendig. Durch die Benetzung der Halbleiterschicht durch die Ablösemasse-Lösung bzw. Dispersion wird zugleich ein fehlerfreies Bild, also kein Einschnüren oder Verlaufen der Lösung bzw. Dispersion erhalten und damit eine Trennlinie gebildet, bei der ein eventueller elektrischer Kurzschluss benachbarter Zellen des Moduls durch eine Brücke in der Rückelektrodenschicht verhindert ist.
- Durch die Verwendung von (neutralem) Wasser für den „Lift-Off”-Prozess ist sicher gestellt, dass die Halbleiterschicht dabei nicht beeinträchtigt wird.
- Damit ist die Rückelektrodenschicht ebenfalls mit den erforderlichen Trennlinien versehen und die Strukturierung zur Bildung serienverschalteter Zellen des photovoltaischen Moduls abgeschlossen.
- Die Trennlinien in der Rückelektrodenschicht können eine Breite von beispielsweise von 50 bis 300 μm aufweisen, um die für die integrierte Serienverschaltung notwendige elektrische Trennung der Zellen des photovoltaischen Moduls zu erzielen. Die Breite der Trennlinien in der Frontelektrodenschicht und in der Halbleiterschicht beträgt typischerweise 30 bis 50 μm.
- Mit der Erfindung wird eine hohe Prozesssicherheit und - stabilität erreicht. Auch sind keine aufwändige Wartungs- und Kontrollarbeiten notwendig.
- Nachstehend ist die Erfindung anhand der Zeichnung beispielhaft näher erläutert. Darin zeigen jeweils schematisch:
-
1 einen Querschnitt durch ein photovoltaisches Modul; -
2a und2b jeweils perspektivisch eine teilweise Ansicht zweier benachbarter Zellen nach dem Beschichten des Moduls mit der Rückelektrodenschicht bzw. nach dem „Lift-Off”-Prozess; und -
3 und4 eine Seitenansicht bzw. verkleinerte Draufsicht einer Vorrichtung zum Auftragen der Ablösemasse auf das mit der Frontelektrodenschicht und der Halbleiterschicht versehene Substrat. - Gemäß
1 weist das photovoltaische Dünnschichtmodul1 ein transparentes Substrat2 , beispielsweise eine Glasscheibe, auf, die an der Lichteinfallsseite hν des Moduls angeordnet ist. Auf dem Substrat2 sind drei Funktionsschichten, nämlich eine transparente Frontelektrodenschicht3 , eine Halbleiterdünnschicht4 , und eine Rückelektrodenschicht5 aufeinander abgeschieden. Die Rückelektrodenschicht5 kann mit einer nicht dargestellten Schutzschicht z. B. aus Kunststoff versehen sein. - Das Modul
1 besteht aus einzelnen streifenförmigen Zellen C1, C2, ... Cn, Cn+1, die serienverschaltet sind. Dazu ist die Frontelektrodenschicht3 durch Trennlinien6 , die Halbleiterschicht4 durch Trennlinien7 und die Rückelektrodenschicht5 durch Trennlinien8 unterbrochen, die senkrecht zur Stromflussrichtung F des Moduls1 verlaufen. - Die optimale Breite der streifenförmigen Zellen C1, C2, ... Cn, Cn+1 wird durch den Flächenwiderstand der Frontelektrodenschicht
3 und der Rückelektrodenschicht5 sowie der Impedanz der Zelle bei Beleuchtung bestimmt. Typischweise ergeben sich bei einem auf Leistung optimierten Modul je nach Dünnschichttechnologie Zellenbreiten von 4 bis 10 mm bei Dünnschicht-Einfachzellen, also Zellen mit nur einem p-n-Übergang beispielsweise mit einer Halbleiterschicht aus Silizium, während die Zellenbreite bei Siliziumdünnschicht-Stapelzellen, also Zellen mit mehreren p-n-Übergängen meist 7 bis 20 mm beträgt. - Die Rückelektrodenschicht
5 einer Zelle C1, ... Cn kontaktiert damit durch die Trennlinien7 in der Halbleiterschicht4 hindurch die Frontelektrodenschicht3 der benachbarten Zelle C2, ... Cn+1. Der von dem photovoltaischen Modul erzeugte Strom wird mit den Kontakten9 ,10 an beiden Seiten des Moduls abgenommen, wobei der Kontakt9 der Pluspol und der Kontakt10 der Minuspol ist. - Die Trennlinien
6 in der Frontelektrodenschicht3 , die z. B. aus Zinnoxid gebildet ist, können mit dem fokussierten Laserstrahl eines (Nd:YAG)- oder ein (Nd:YVO4)-Festkörperlaser mit einer Wellenlänge von 1064 nm gebildet werden, und die Trennlinien7 in der Siliziumhalbleiterschicht4 mit einem (Nd:YAG)- oder ein (Nd:YVO4)-Festkörperlaser mit einer Wellenlänge von 532 nm. - Zur Bildung der Trennlinien
8 in der Rückelektrodenschicht5 , die beispielsweise aus einem Metall besteht, ist gemäß2a auf die Halbleiterschicht4 eine wasserlösliche Ablösemasse12 linienförmig aufgetragen worden, die dann z. B. durch Sputtern mit der Rückelektrodenschicht5 beschichtet worden ist. - Durch den durch die Pfeile
13 dargestellten Wasserstrahl wird die Rückelektrodenschicht5 auf der Ablösemasse12 z. B. mechanisch beschädigt, wobei sich an den Beschädigungsstellen der Rückelektrodenschicht5 die wasserlösliche Ablösemasse12 auflöst und damit die Rückelektrodenschicht5 an den auf der Ablösemasse12 abgeschiedenen Stellen unter Bildung der Trennlinien8 abgelöst und entfernt wird, wie in2b und1 dargestellt. - Die Ablösemasse
12 wird mit einem Tintenstrahldrucker15 gemäß3 und4 auf das mit der Frontelektrodenschicht3 und der Halbleiterschicht4 versehene Substrat2 aufgetragen. - Dazu kann gemäß
3 der Tintenstrahldrucker15 an einem Träger16 angeordnet sein, der entlang dem Tisch17 in Richtung des Doppelpfeiles18 verfahrbar ist. Der Tintenstrahldrucker15 kann zudem entlang dem Träger16 und damit quer zu dem Tisch17 in Richtung des Doppelpfeiles19 verfahren werden. - Damit kann durch Verfahren des Trägers
16 entsprechend dem Pfeil18 in3 nach links bei einer bestimmten Position des Tintenstrahldruckers15 gegenüber dem Träger16 mit dem Tintenstrahldrucker15 die Ablösemasse12 auf der Halbleiterschicht4 in den Trennlinien8 entsprechenden Linien aufgetragen werden. - Anschließend wird die Rückelektrodenschicht
5 aufgetragen und danach die Ablösemasse12 mit der darüber liegenden Rückelektrodenschicht5 durch Abspritzen des Moduls1 mit dem Wasserstrahl13 zur Bildung der Trennlinien8 entfernt, wie vorstehend geschildert und in2a und2b dargestellt. - Gemäß
4 weist der Tintenstrahldrucker15 einen piezoelektronischen Wandler21 hinter der Düse22 auf, der die von einem nicht dargestellten Vorratsbehälter zugeführte Ablösemasse-Lösung oder -dispersion als Tropfen mit einer Ladeelektrode24 elektrostatisch auflädt, die anschließend mit einer Ablenkelektrode25 seitlich auf die Halbleiterschicht4 abgelenkt werden, wie durch den Strahl23 veranschaulicht. - Der Tintenstrahldrucker
15 ist als kontinuierlicher Drucker ausgebildet, d. h. die Tropfen werden auch in den Pausen, beispielsweise für das Be- und Entladen der Substrate gebildet. Dazu können die Tropfen mit der Ablenkelektrode25 einem Auffangbehälter26 am Druckkopf des Tintenstrahldruckers15 zugeführt werden, wie durch den Strahl23' veranschaulicht, von wo sie in Kreislauf dem nicht dargestellten Vorratsbehälter zugeführt werden.
Claims (5)
- Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls (
1 ), bei dem auf ein transparentes Substrat (2 ) eine transparente Frontelektrodenschicht (3 ), eine Halbleiterschicht (4 ) und eine Rückelektrodenschicht (5 ) aufgebracht werden, welche zur Bildung serienverschalter Zellen (C1, C2, ... Cn, Cn+1) durch Trennlinien (6 ,7 ,8 ) strukturiert werden, wobei nach dem Aufbringen der Halbleiterschicht (4 ) auf die Bereiche der Halbleiterschicht (4 ), an denen die Trennlinien (8 ) in der Rückelektrodenschicht (5 ) gebildet werden sollen, eine Ablösemasse (12 ) aufgetragen wird, worauf die Rückelektrodenschicht (5 ) aufgebracht und die Ablösemasse (12 ) mit den darauf aufgebrachten Bereichen der Rückelektrodenschicht (5 ) zur Bildung der Trennlinien (8 ) in der Rückelektrodenschicht (5 ) entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bildung der Ablösemasse (12 ) eine Dispersion oder Lösung der Ablösemasse (12 ) mit einem Tintenstrahldrucker (15 ) auf die Halbleiterschicht (4 ) aufgetragen wird, die anschließend getrocknet wird. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Tintenstrahldrucker (
15 ) ein kontinuierlicher Tintenstrahldrucker (15 ) verwendet wird. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mit dem Tintenstrahldrucker (
15 ) eine wasserlösliche Ablösemasse (12 ) aufgetragen wird. - Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass zur mechanischen Entfernung der Ablösemasse (
12 ) und den darauf aufgebrachten Bereichen der Rückelektrodenschicht (5 ) ein Wasserstrahl (13 ) verwendet wird. - Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ablösemasse (
12 ) nach dem Trocknen eine Schichtdicke von 0,1 bis 5 μm aufweist.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008036853A DE102008036853A1 (de) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls |
EP09010078A EP2151870A3 (de) | 2008-08-07 | 2009-08-04 | Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls |
US12/462,491 US7977146B2 (en) | 2008-08-07 | 2009-08-04 | Method for manufacturing a photovoltaic module |
JP2009182104A JP2010103482A (ja) | 2008-08-07 | 2009-08-05 | 光起電モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008036853A DE102008036853A1 (de) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008036853A1 true DE102008036853A1 (de) | 2010-03-04 |
Family
ID=41360299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008036853A Withdrawn DE102008036853A1 (de) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7977146B2 (de) |
EP (1) | EP2151870A3 (de) |
JP (1) | JP2010103482A (de) |
DE (1) | DE102008036853A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2711971A1 (de) | 2012-09-21 | 2014-03-26 | JUMO GmbH & Co. KG | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Dünnschicht |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103956407B (zh) * | 2014-04-23 | 2017-06-06 | 中国科学院物理研究所 | 制备钙钛矿基薄膜太阳电池的方法及喷墨打印机 |
EP3706887A1 (de) | 2017-11-09 | 2020-09-16 | Evonik Fibres GmbH | Membranbündelaufmachung mit abstandshaltern |
EP3482817A1 (de) | 2017-11-09 | 2019-05-15 | Frank Wiese | Membranbündelaufmachung mit abstandshaltern |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0193820A2 (de) * | 1985-02-27 | 1986-09-10 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtmusters |
US20030098046A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-29 | Masaru Suzuki | Lift-off method and chemical liquid tank |
DE102007062620A1 (de) * | 2007-12-22 | 2009-07-09 | Schott Solar Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines semitransparenten photovoltaischen Moduls |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030041893A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Solar cell, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same |
US20040118444A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-24 | General Electric Company | Large-area photovoltaic devices and methods of making same |
US20080145633A1 (en) * | 2006-06-19 | 2008-06-19 | Cabot Corporation | Photovoltaic conductive features and processes for forming same |
ES2624054T3 (es) * | 2006-12-21 | 2017-07-12 | Hyet Energy Systems B.V. | Procedimiento para la fabricación de subcélulas solares a partir de una célula solar |
-
2008
- 2008-08-07 DE DE102008036853A patent/DE102008036853A1/de not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-08-04 US US12/462,491 patent/US7977146B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-04 EP EP09010078A patent/EP2151870A3/de not_active Withdrawn
- 2009-08-05 JP JP2009182104A patent/JP2010103482A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0193820A2 (de) * | 1985-02-27 | 1986-09-10 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtmusters |
US20030098046A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-29 | Masaru Suzuki | Lift-off method and chemical liquid tank |
DE102007062620A1 (de) * | 2007-12-22 | 2009-07-09 | Schott Solar Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines semitransparenten photovoltaischen Moduls |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2711971A1 (de) | 2012-09-21 | 2014-03-26 | JUMO GmbH & Co. KG | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Dünnschicht |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2151870A3 (de) | 2012-12-26 |
US20100035374A1 (en) | 2010-02-11 |
JP2010103482A (ja) | 2010-05-06 |
EP2151870A2 (de) | 2010-02-10 |
US7977146B2 (en) | 2011-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2168177B1 (de) | Herstellungsverfahren eines Dünnschichtsolarzellen-Moduls | |
DE69224965T2 (de) | Verbesserte solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE3604894C2 (de) | ||
DE102010016476B4 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Kontaktdrähten auf eine Oberfläche einer Photovoltaikzelle, Photovoltaikzelle, Photovoltaikmodul, Anordnung zum Aufbringen von Kontaktdrähten auf eine Oberfläche einer Photovoltaikzelle | |
DE102004048680A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle | |
DE3712589C2 (de) | ||
EP1987543A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer metallischen kontaktstruktur einer solarzelle | |
EP2478559A2 (de) | Serielle verschaltung von dünnschichtsolarzellen | |
DE102011104159A1 (de) | Verfahren zum elektrischen verbinden mehrerer solarzellen und photovoltaikmodul | |
DE102008036853A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls | |
EP2058870A2 (de) | Kontaktierung und Modulverschaltung von Dünnschichtsolarzellen auf polymeren Trägern | |
DE102006021804A1 (de) | Solarzellenmodul sowie Verfahren zur Herstellung von Solarzellenmodulen | |
EP2073268A2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines semitransparenten photovoltaischen Moduls | |
EP1723681B1 (de) | Verfahren zum ausbilden einer struktur | |
DE10064629B4 (de) | Verfahren zum Verbinden von Leiterplatten | |
DE102013220886A1 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einem Halbleitersubstrat | |
WO2013067998A1 (de) | Beidseitig kontaktierte halbleiterwafer-solarzelle mit oberflächenpassivierter rückseite | |
DE602005004562T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer rfid-antenne | |
DE102008029107B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates | |
DE102008015807A1 (de) | Verfahren zur Strukturierung der Zinkoxid-Frontelektrodenschicht eines photovoltaischen Moduls | |
EP1943685A2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines elektrischen solarzellen-kontaktstruktur an einem substrat | |
EP3447804B1 (de) | Solarzellenverbinder mit funktioneller längsbeschichtung | |
DE102010006879A1 (de) | Verfahren zur Kontaktierung eines Fotovoltaikmoduls | |
DE102011004501A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Moduls mit einem elektronischen Bauelement | |
EP2280425A2 (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Kontakte auf einem Halbleiterbauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140301 |