DE102008033189B4 - Interdigitale Kontaktstreifenanordnung für Rückseitenkontakt-Solarzelle; - Google Patents
Interdigitale Kontaktstreifenanordnung für Rückseitenkontakt-Solarzelle; Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008033189B4 DE102008033189B4 DE102008033189A DE102008033189A DE102008033189B4 DE 102008033189 B4 DE102008033189 B4 DE 102008033189B4 DE 102008033189 A DE102008033189 A DE 102008033189A DE 102008033189 A DE102008033189 A DE 102008033189A DE 102008033189 B4 DE102008033189 B4 DE 102008033189B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wafer
- contact
- combs
- cell
- comb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 98
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 63
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 101100518972 Caenorhabditis elegans pat-6 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 210000002287 horizontal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft eine interdigitale Kontaktstreifenanordnung für Rückseitenkontakt-Solarzellen, welche lokale Kontakte, die zu n- und p-dotierten Bereichen führen, jeweils untereinander verbinden, um auf einem Gesamtwafer Abschnitte des Wafers zu einer Halbleiterdiode zu verschalten.
- Die Erfindung bezieht sich auf die Problematik der Unterteilung einer Silizium-Solarzelle, d. h. eines Wafers mit rückseitigen Kontakten in eine Vielzahl kleiner, parallel geschalteter Zellbereiche und eine hierfür optimierte Geometrie hinsichtlich der Serienschaltung der Gesamtzellen.
- Standard-Silizium-Solarzellen besitzen Frontseiten- und Rückseitenkontakte, die bei der Herstellung von Strings für die Serienschaltung im kompletten Solarmodul abwechselnd miteinander verbunden werden müssen. Hierzu ist es bekannt, Kupferbändchen mit sogenannten Busbars auf der Unterseite einer ersten Zelle mit den Busbars auf der Frontseite der zweiten, d. h. der Nachbarzelle durch Löten zu verbinden. Eine derartige Verbindungstechnologie ist mit der
1 in schematischer Seitenansicht gezeigt. - Reine Rückseitenkontakt-Solarzellen auf monokristallinen n-Si-Wafern besitzen eine sogenannte IBC-Struktur (Interdigitated Back Contacts), d. h. hier wird ein Kamm einer ersten Polarität mit einem weiteren Kamm der zweiten, entgegengesetzten Polarität auf der Nachbarzelle verlötet.
- Zum Stand der Technik sei auf folgende Literaturstellen aufmerksam gemacht:
R. J. Schwartz, Review of Silicon Solar Cells for High Concentrations, Solar Cells, 6, (1982), Seite 17 bis 38;
Martin A. Green, Silicon Solar Cells – Advanced Principles and Practice, Centre for Photovoltaic Devices and Systems, University of New South Wales, Sydney, Australien, 1995, Seiten 255 ff.;
R. A. Sinton, Y. Kwark, R. M. Swanson, Recombination Mechanisms in Silicon Solar Cells, 14th Project Integration Meeting, Photovoltaic Concentrator Technology Project, Juni 1986, Seiten 117 bis 125. - Weiter ist aus
DE 19525720 A1 eine Solarzelle bekannt, bei der beide Kontakte auf der Rückseite der Solarzelle aufgebracht sind. Es wird vorgeschlagen, die Rückseitenkontaktierung dabei ebenfalls durch eine interdigitale Kontaktstreifenanordnung zu realisieren. - In
US 2005/0172996 A1 - Schließlich wird in
DE 10 2005 053 363 A1 ein Photovoltaikmodul mit einer Mehrzahl von zueinander benachbarten und elektrisch miteinander verbundenen Solarzellen, die als Rückkontakt-Solarzellen ausgebildet sind, vorgestellt. - Als Nachteil der Verbindungstechnik für das Stringing von Standard-Solarzellen gemäß
1 ergibt sich die Notwendigkeit, dass die Kontaktverbindungsbändchen die Ebene wechseln müssen. Konkret müssen die Bändchen nach der Verlötung auf der Nachbarzelle enden. Weiterhin ist zumindest auf der Vorderseite die Breite der Bändchen beschränkt durch die Notwendigkeit, eine Verschattung der Zelle gering zu halten. Hierdurch ist die Stromtragfähigkeit des jeweiligen Bändchens eingeschränkt. Ein höherer Widerstand des Bändchens führt wiederum zu einer Erhöhung des Serienwiderstands des gesamten Moduls und reduziert den Füllfaktor. - Auch die IBC-Struktur weist Nachteile auf. So ist die Länge der ineinander greifenden Kämme fast so groß wie die Seitenlänge des Substrats, d. h. des Wafers. Bei großen Substraten ist somit pro Finger eine sehr lange Bahn die Folge.
- Aufgrund der Notwendigkeit, einen sehr kleinen seitlichen Abstand (Pitch) der benachbarten lokalen Emitter- und Basiskontakte vorzusehen, um auf die beschränkten Diffusionslängen der Ladungsträger zu reagieren, müssen die Bahnen bzw. Finger sehr schmal gestaltet werden. Hierdurch erhöht sich der Bahnwiderstand bei größer werdenden Substratdimensionen proportional und damit auch der Serienwiderstand. Auch hier ist ein reduzierter Füllfaktor die Folge.
- Es wäre zwar prinzipiell möglich, eine chemische Verstärkung der Bahnen mit Kupfer oder Silber auszuführen, um deren Schichtwiderstand zu verringern und damit die Bahnwiderstandserhöhung durch entsprechende Verlängerung zu kompensieren. Eine chemische Verstärkung ist jedoch technologisch aufwendig und in ihrer Wirksamkeit und hinsichtlich der Kosteneffizienz begrenzt.
- Aus dem Vorgenannten ist es daher Aufgabe der Erfindung, eine weiterentwickelte digitale Kontaktstreifenanordnung für Rückseitenkontakt-Solarzellen auf der Basis vorgesehener lokaler Kontakte anzugeben, die in besonders einfacher Weise eine Stromsammlung auf einer relativ kleinen Zellbereichsfläche vornimmt, wobei unter Beachtung einer zu schaffenden Grundzellenstruktur aus jedem Bereich des Wafers der aufgesammelte Strom über breite Sammelbahnen geleitet werden kann, um dann über an sich bekannte leitfähige Verbindungsbändchen zum nächsten Wafer geführt werden zu können. Die Kontaktstreifenanordnung soll es darüber hinaus ermöglichen, einen Potentialausgleich für parallel laufende Zellstränge zu schaffen, so dass nicht Teilbereiche des Wafers bei geringerer Stromgeneration als diejenige in Nachbarbereichen in Gegenrichtung gepolt und von der Stromleitung ausgeschlossen werden.
- Die Lösung der Aufgabe der Erfindung erfolgt mit einer Kontaktstreifenanordnung gemäß der Merkmalskombination nach Patentanspruch 1, wobei die Unteransprüche mindestens zweckmäßige Ausgestaltungen und Weiterbildungen darstellen.
- Es wird demnach ausgegangen von einer Kontaktstreifenanordnung für Rückseitenkontakt-Solarzellen, welche interdigital lokale Kontakte, die zu n- und p-dotierten Bereichen führen, verbinden, um auf einem Gesamtwafer Abschnitte des Wafers zu einer Halbleiterdiode zu verschalten.
- Erfindungsgemäß ist als kleinste Diodeneinheit eine Zelle gebildet, deren Basiskontaktstreifen und Emitterkontaktstreifen in Kontaktkämmen mit paralleler Kontaktfingerstruktur ausgeführt sind. Hier ist eine ungerade Anzahl von Kontaktkämmen beider Polaritäten vorgesehen. Die Kontaktkämme sind untereinander auf der Waferfläche positioniert, d. h. räumlich untereinander angeordnet und verfügen über jeweils seitlich vorgesehene, gegenüberliegende Kammsammelbahnen, die den jeweiligen gemeinsamen Emitter- bzw. Basisanschluss der Zelle bilden.
- Die Kontaktkämme mit paralleler Kontaktfingerstruktur weisen erfindungsgemäß eine Länge von kleiner gleich einem Bruchteil des Waferdurchmessers auf und sind auf der Hälfte ihrer jeweiligen Länge durch Stege untereinander verbunden.
- Jede Zelle enthält jeweils n ganze und einen halben Kontaktkamm.
- Die Anzahl der eine T-Struktur aufweisenden Kontaktkämme ist ungerade und liegt vorzugsweise bei 5.
- Die durchschnittliche Länge der Kontaktfinger eines Kontaktkamms beträgt kleiner gleich 2,54 cm (1 Zoll).
- Zum Erhalt der T-Struktur sind mehrere Kontaktfinger mit einem Quersteg an einem Fingerende verbunden.
- Zwei spiegelbildlich ausgeführte T-Strukturen bilden einen kompletten Kamm, eine einfache T-Struktur einen sogenannten halben Kamm.
- Eine Grundzelle besteht demnach aus einer Kombination von zwei kompletten und einem halben Basiskamm und zwei kompletten und einem halben Emitterkamm. Diese Struktur bedeckt etwa 1/8 der Fläche eines Halbleiterwafers.
- Zur Bildung einer Doppelzelle werden zwei Grundzellen spiegelbildlich zueinander angeordnet. Die Doppelzelle nimmt dann etwa 1/4 der Fläche des Wafers ein.
- Eine Vierfachzelle wird aus zwei linear zueinander verschobenen Doppelzellen gebildet. Diese Vierfachzelle nimmt dann im Wesentlichen die Hälfte der Waferfläche ein.
- Eine Achtfachzelle entsteht aus zwei um 180° gegeneinander rotierten Vierfachzellen, die dann den kompletten Wafer bedeckt.
- Für die Verbindung von Wafern zu kompletten Solarmodulen mit einer Vielzahl von Wafern sind entsprechende Löt-Verbindungspunkte vorgesehen.
- Die Verbindung von nebeneinander liegenden Wafern erfolgt durch mindestens zwei leitfähige Streifen, die im Wesentlichen von der senkrechten Mittelachse des ersten Wafers bis im Wesentlichen zur senkrechten Mittelachse des zweiten Wafers reichen und welche mit vorgesehenen Lötpunkten auf den Verbindungsstegen der Basiskämme des ersten Wafers und den vorgesehenen Lötpunkten auf den Verbindungsstegen der Emitterkämme des zweiten Wafers kontaktiert sind.
- Die Erfindung soll nachstehend anhand eines Ausführungsbeispiels sowie unter Zuhilfenahme von Figuren näher erläutert werden.
- Hierbei zeigen:
-
1 eine schematische Darstellung für die Verbindung konventioneller Solarzellen zu Strings; -
2 einen Halbleiterwafer mit Blick auf eine vollprozessierte Rückseite mit lokalen Emitter- und BSF-Kontakten, die jeweils untereinander zu verbinden sind; -
3 eine Grundzelle einer Kontaktstreifenstruktur mit Rückseitenkontakten; -
4a eine Kontaktstreifenstruktur einer Rückseitenkontaktzelle mit zwei spiegelsymmetrischen Grundelementen; -
4b eine Addition zweier spiegelsymmetrischer Grundelemente gemäß4a zur Bildung eines Viertelwafers; -
5 eine erfindungsgemäße Kontaktstreifenstruktur einer Rückseitenkontaktzelle, und zwar in der Darstellung einer Waferhälfte gebildet aus zwei Vierteln gemäß4 , wobei die Kontaktgeometrie die Parallelschaltung aller Einzelzellen-Dioden realisert; -
6a eine erfindungsgemäße Kontaktstreifenstruktur einer Rückseitenkontaktzelle, und zwar in der Darstellung als kompletter Wafer, wobei die Zelle an der Schnittlinie25 in zwei funktionsfähige Teilzellen teilbar ist; -
6b eine prinzipielle Darstellung, wie sich die linke Hälfte des Wafers nach6A durch 180°-Rotation aus der rechten Hälfte ergibt, wobei die vorgestellte Kontaktstreifengeometrie invariant sowohl gegen Verschiebung als auch gegen 180°-Rotation ist; -
7a eine Symmetriebetrachtung der erfindungsgemäßen Kontaktstreifenstruktur hinsichtlich Invarianz gegen Verschiebung; -
7b eine Symmetriebetrachtung der erfindungsgemäßen Kontaktstreifenstruktur auf der Rückseite des Wafers mit Invarianz gegen 180°-Rotation; -
8 eine prinzipielle Darstellung der Verbindung zweier Wafer, wobei die linearen Verbindungselemente die Reihenschaltung der Wafer als Dioden realisieren und die Wafer ohne Rücksicht auf Rotation platziert und verbunden werden können, und -
9 eine prinzipielle Darstellung von konischen Fingerstrukturen, wobei die Kontaktflächen23 und24 kürzer oder länger als die beispielhaften Darstellungen ausbildbar sind. - Eine Grundzelle der erfindungsgemäßen Rückseitenkontaktstruktur ist in der
3 schematisch dargestellt. - Die Basis-
7 und Emitterkontatkstreifen8 werden hier zu parallel angeordneten, interdigital ineinander greifenden Kammeinheiten kombiniert. - Dabei ist bei einer bevorzugten Ausführungsform festgelegt, dass eine ungerade Anzahl von halben Kammeinheiten das Grundelement, d. h. die Grundzelle bilden.
- Am Beispiel gemäß der
3 sind von beiden Polaritäten je fünf halbe Kämme, d. h. zwei ganze und ein halber Kamm waagerecht und räumlich untereinander angeordnet, wobei die Verbindungsstege9 und10 mit den seitlich links und rechts angeordneten Sammelbahnen11 und12 kontaktiert sind. - Das dargestellte Grundelement, d. h. die Zelle, stellt elektrisch eine Diode dar, deren Emitteranschluss durch die Kammsammelbahn
11 und deren Basisanschluss durch die Kammsammelbahn12 repräsentiert ist. - Je nach gewähltem Pitch, d. h. Bahn-Bahn-Abstand gleicher Polarität können die Kammelemente bei vorgegebener geometrischer Breite unterschiedlich viele Finger besitzen.
- Im gewählten Beispieldesign nach
3 sind es jeweils 12 Finger, die von jedem waagerecht verlaufenden Verbindungssteg in einem vorzugsweise rechten Winkel in jede der beiden senkrechten Richtungen verlaufen. - Je nach Größe des Gesamtwafers kann das Grundelement einen unterschiedlich großen Teil der Waferfläche belegen.
- In den
3 bis8 wird erfindungsgemäß der Anteil 1/8 gewählt. Dies bedeutet, dass zwei nebeneinander angeordnete Grundelemente die Fläche eines Viertelwafers belegen. - In der Darstellung gemäß
4 ist eine erfindungsgemäße Anordnung eines Doppelzellenelements schematisch gezeigt. - Die zweite Zelle entsteht hier durch Spiegelung um die linke Außenkante der senkrechten Kammsammelbahn
11 (4a ), so dass eine breite Doppelkamm-Sammelbahn13 in der Mitte des in der4b dargestellten Doppelzellenelements auf der Fläche eines Viertelwafers resultiert. - Die Parallelschaltung weiterer Dioden entsteht durch Verdoppelung der bisherigen Struktur auf die Gesamtgröße des halben Wafers gemäß
5 . - Das zweite Doppelzellenelement
15 entsteht dabei durch Verschiebung einer Kopie des ersten Doppelzellenelements14 , an dessen unterer Kante bei gleichzeitiger Modifikation auf folgendem Wege. - Die Fingerlänge des untersten halben Kamms
16 wird zweckmäßig von D1 auf die Länge D2 reduziert, um die Platzierung einer zusätzlichen Kammsammelbahn17 an der unteren Substratkante entlang bis zur unteren linken Ecke der der dargestellten Waferhälfte zu ermöglichen. - Die obere Basiskamm-Sammelbahn
18 des unteren Doppeldiodenelements15 wird zweckmäßigerweise mittig geteilt, um die mittlere Emitterkamm-Sammelbahn des Doppelzellenelements15 an die mittlere Emitterkamm-Sammelbahn des oberen Doppelzellenelements14 anschließen zu können. Die elektrische Verbindung der Basiskamm-Sammelbahnen des dargestellten unteren und oberen Doppelzellenelements wird hingegen an der rechten Außenkante der dargestellten Waferhälfte vorgenommen. - Eine komplette erfindungsgemäße Rückseitenkontaktstruktur ist in der
6 gezeigt. - Die Struktur der linken Waferhälfte entsteht bei 180°-Rotation einer Kopie der rechten Waferhälfte, die in
5 gezeigt worden ist. - Um die Emitterkamm-Sammelbahn
19 der rechten Waferhälfte mit der Emitterkamm-Sammelbahn20 der linken (rotierten) Waferhälfte verbinden zu können, müssen die zentralen Kammelemente des unteren rechten und des oberen linken Waferviertels leicht abgeschrägt werden (Bezugszeichen21 ), damit ein Leiterbahnverbindungsstück22 über das Waferzentrum vom unteren linken zum oberen rechten Waferviertel verlegt werden kann. - Durch die vorgeschlagene erfindungsgemäße Symmetrie der Kammstrukturen auf dem Gesamtwafer liegen die Basiskammstege der linken Waferhälfte auf gleicher Höhe wie die Emitterkammstege der rechten Waferhälfte und umgekehrt.
- Hieraus ergibt sich die in
7 dargestellte doppelte Symmetrie bei Anordnung zweier gleicher Wafer nebeneinander. - Gemäß
7a entsteht die identische Rückseitenkontaktstruktur des rechten Wafers durch lineare Verschiebung der Rückseitenkontaktstruktur des linken Wafers. - Andererseits entsteht die identische Rückseitenkontaktstruktur des rechten Wafers durch 180°-Rotation der Rückseitenkontaktstruktur des linken Wafers (siehe
7b ). - Hierdurch können Wafer beim Stringing, d. h. bei der Anordnung und Montage in Solarmodule, ohne Beachtung der Orientierung des Wafers platziert werden, solange nur die Finger aller Kammstrukturen in dieselbe Richtung zeigen.
- Es ergibt sich hieraus die in
8 dargestellte erfindungsgemäße Waferverbindungsstruktur, und zwar hinsichtlich eines wesentlich vereinfachten Stringing. - Es wird eine frei wählbare Anzahl von Kontakten
24 , die als lötbare Fläche in vorteilhafter Weise als Aussparungen in einer isolierenden Lötstoppschicht ausgebildet sind, auf den wagerechten Kammstegen der rechten Hälfte des linken Wafers 1 durch Metallbändchen25 mit der frei wählbaren Zahl von Kontakten23 der auf gleicher Höhe liegenden Kammstege der linken Waferhälfte des rechten Wafers 2 verbunden. Hierbei haben die Ausgangs-Kammstege auf Wafer 1 aufgrund der gewählten Symmetrie die entgegengesetzte Polarität der Ziel-Kammstege auf Wafer 2. Das heißt, wenn auf Wafer 1 die Emitterkämme e1 kontaktiert werden, enden die Verbindungsleitungen auf Basiskämmen b2, ohne dass bei der Prozessierung darauf geachtet werden muss. Wenn hingegen auf Wafer 1 die Basiskämme kontaktiert werden, enden die Verbindungsleitungen auf Emitterkämmen, ohne dass hierbei bei der vorhergehenden Prozessierung besondere Rücksicht zu nehmen ist. - Es ist, wie oben dargelegt, die Serienschaltung von Wafer 1 und Wafer 2 in jedem Fall gewährleistet. Über die zentrale Schnittlinie
25 in6 ist die Zellstruktur auch teilbar in zwei unabhängig voneinander funktionierende Teilzellen, die ebenfalls mit dem in8 angegebenen Stringingverfahren in Serie geschaltet werden können. - Die in den
3 bis8 dargestellten Fingerstrukturen sind der Übersichtlichkeit halber als gerade Linien dargestellt. Vorteilhafterweise können die Finger aber auch konisch ausgebildet sein (9 ), um die von lokalem Kontakt zu lokalem Kontakt wachsende Stromstärke im Finger mit gleichbleibendem Spannungsabfall pro Fingerelement zu führen. - Mit der vorgeschlagenen Lösung wird es möglich, eine beliebig wählbare Zellularstruktur der Solarzelle zu schaffen, die eine Stromsammlung auf einer relativ kleinen Zellenbereichsfläche vornimmt, wobei aus jedem Bereich des Wafers der gesammelte Strom über breite Sammelbahnen zur anderen Waferhälfte geleitet wird, von wo er über Verbindungsbändchen zum nächsten Wafer führbar ist.
- Alle Sammelbahnen der einen Polarität stehen über die gesamte Waferfläche miteinander in elektrischer Verbindung. Hierdurch wird ein Potentialausgleich für parallel laufende Zellstränge geschaffen, so dass nicht Teilbereiche des Wafers bei geringerer Stromgeneration als die ihrer Nachbarbereiche in Gegenrichtung gepolt und daher von der Stromleitung ausgeschlossen werden.
- Auch waagerechte Zellhälften stellen voll funktionsfähige Solarzellen dar, so dass für eventuelle Anwendungen in Spezialmodulen, insbesondere bei Konzentratoren oder Consumer-Applikationen auch halbe, d. h. kleinere Zellen erzeugt werden können.
- Die erfindungsgemäße Zell- und Kontaktstruktur ist sowohl translationssymmetrisch als auch punktsymmetrisch um den Zellmittelpunkt. Hierdurch können Wafer nebeneinander gelegt und untereinander verbunden werden, ohne dass auf eine richtige Orientierung zu achten ist. Hierbei müssen die Kammbahnen immer senkrecht stehen, wenn die Zellen seitlich aneinanderliegend verbunden werden sollen.
- Die Zahl der Streifenleitungen für die Zellverbindung im Modul ist über die gewählte Zellularstruktur einstellbar. Diese Leitungen sind als einfache Kupferbändchen ausführbar, die sämtlich parallel von kurz hinter der senkrechten Mittellinie eines Wafers bis kurz vor die senkrechte Mittellinie des Machbarwafers reichen. In Verbindung mit einer optionalen Abdeckung des Wafers mit Lötstopplack, der einen mechanischen Schutz und elektrische Isolation der Kammstruktur gegenüber der Lötung darstellt, wird durch die erfindungsgemäße Kontaktstruktur eine höchst einfach zu automatisierende und daher kostengünstige Stringing-Technologie ermöglicht.
Claims (6)
- Interdigitale Kontaktstreifenanordnung einer Rückseitenkontakt-Solarzelle, welche lokale Kontakte, die zu n- und p-dotierten Bereichen führen, jeweils untereinander verbinden, um auf einem Gesamtwafer Abschnitte des Wafers zu einer Halbleiterdiode zu verschalten, wobei – als kleinste Diodeneinheit eine Zelle gebildet ist, deren Basiskontaktstreifen und Emitterkontaktstreifen in Kontaktkämmen mit paralleler Kontaktfingerstruktur ausgeführt sind, wobei eine ungerade Anzahl von Kontaktkämmen beider Polaritäten ausgebildet ist, die Kontaktkämme räumlich untereinander auf der Waferfläche positioniert sind und über jeweils seitlich angeordnete, gegenüberliegende Kammsammelbahnen verfügen, die den jeweiligen gemeinsamen Emitter- oder Basisanschluss der Zelle bilden, – die Kontaktkämme mit paralleler Kontaktfingerstruktur eine Länge von kleiner gleich einem Bruchteil der Waferseitenlänge aufweisen und auf der Hälfte ihrer Länge durch Stege untereinander verbunden sind, wodurch T-Strukturen erhalten werden; – weiterhin zwei spiegelbildlich ausgeführte T-Strukturen einen kompletten Kamm und eine einfache T-Struktur einen halben Kamm bilden, derart, dass – eine Grundzelle aus einer Kombination von zwei kompletten und einem halben Basiskamm und zwei kompletten und einem halben Emitterkamm besteht und diese Struktur 1/8 der Fläche des Wafers bedeckt; – zur Bildung einer Doppelzelle zwei Grundzellen spiegelbildlich zueinander angeordnet sind und die Doppelzelle 1/4 der Fläche des Wafers bedeckt; – eine Vierfachzelle aus zwei linear zueinander verschobenen Doppelzellen gebildet wird und diese die Hälfte der Waferfläche bedeckt und – eine Achtfachzelle aus zwei um 180° gegeneinander rotierten Vierfachzellen gebildet ist, welche den kompletten Wafer bedeckt.
- Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass für die Verbindung von Wafern zu kompletten Solarmodulen mit einer Vielzahl von Wafern die Löt-Verbindungspunkte der waagerecht liegenden Verbindungsstege der Emitterkämme auf der einen Hälfte der Kontaktstreifenstruktur des Gesamtwafers auf der gleichen Höhe liegt wie die Verbindungspunkte der waagerecht liegenden Verbindungsstege der Basiskämme auf der benachbarten anderen Hälfte der Kontaktstreifenstruktur des Wafers.
- Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass für die Verbindung von Wafern zu kompletten Solarmodulen mit einer Vielzahl von Wafern die Löt-Verbindungspunkte der waagerecht liegenden Verbindungsstege der Basiskämme auf der einen Hälfte der Kontaktstreifenstruktur des Gesamtwafers auf der gleichen Höhe liegt wie die Verbindungspunkte oder Lötkontakte der waagerecht liegenden Verbindungsstege der Emitterkämme auf der benachbart danebenliegenden anderen Hälfte der Kontaktstreifenstruktur des Wafers.
- Anordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die lineare Anordnung der Lötkontaktpunkte auf den Basis- und Emitterkämmen der Waferhälften invariant gegen seitliche Verschiebung und invariant gegen Rotation um 180° ausgeführt ist.
- Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung von nebeneinander liegenden Wafern durch mindestens zwei leitfähige Streifen erfolgt, die von der senkrechten Mittelachse des ersten Wafers bis zur senkrechten Mittelachse des zweiten Wafers reichen und welche mit vorliegenden Lötpunkten auf den Verbindungsstegen der Basiskämme des ersten Wafers und den vorliegenden Lötpunkten auf den Verbindungsstegen der Emitterkämme des zweiten Wafers kontaktiert sind.
- Anordnung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die durchschnittliche Länge der Kontaktfinger eines Kontaktkamms höchstens 25,4 mm beträgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008033189A DE102008033189B4 (de) | 2008-05-07 | 2008-07-15 | Interdigitale Kontaktstreifenanordnung für Rückseitenkontakt-Solarzelle; |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008022573 | 2008-05-07 | ||
DE102008022573.8 | 2008-05-07 | ||
DE102008033189A DE102008033189B4 (de) | 2008-05-07 | 2008-07-15 | Interdigitale Kontaktstreifenanordnung für Rückseitenkontakt-Solarzelle; |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008033189A1 DE102008033189A1 (de) | 2009-11-19 |
DE102008033189B4 true DE102008033189B4 (de) | 2012-11-22 |
Family
ID=41180548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008033189A Expired - Fee Related DE102008033189B4 (de) | 2008-05-07 | 2008-07-15 | Interdigitale Kontaktstreifenanordnung für Rückseitenkontakt-Solarzelle; |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102008033189B4 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2709162A1 (de) * | 2012-09-13 | 2014-03-19 | Roth & Rau AG | Photovoltaikzelle und Photovoltaikzellenmodul, das darauf basiert |
WO2015045242A1 (ja) | 2013-09-25 | 2015-04-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池の製造方法 |
WO2023001509A1 (en) | 2021-07-22 | 2023-01-26 | Meyer Burger (Germany) Gmbh | Photovoltaic module and method for manufacturing the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19525720A1 (de) * | 1995-07-14 | 1997-01-16 | Siemens Solar Gmbh | Solarzelle ohne Vorderseitemetallisierung und Herstellverfahren dafür |
US20050172996A1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-11 | Advent Solar, Inc. | Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells |
DE102005053363A1 (de) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Systaic Deutschland Gmbh | Verfahren zur elektrischen Kontaktierung von Solarzellen, Photovoltaikmodul und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
2008
- 2008-07-15 DE DE102008033189A patent/DE102008033189B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19525720A1 (de) * | 1995-07-14 | 1997-01-16 | Siemens Solar Gmbh | Solarzelle ohne Vorderseitemetallisierung und Herstellverfahren dafür |
US20050172996A1 (en) * | 2004-02-05 | 2005-08-11 | Advent Solar, Inc. | Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells |
DE102005053363A1 (de) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Systaic Deutschland Gmbh | Verfahren zur elektrischen Kontaktierung von Solarzellen, Photovoltaikmodul und Verfahren zu dessen Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102008033189A1 (de) | 2009-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10239845C1 (de) | Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul | |
DE102008033632B4 (de) | Solarzelle und Solarzellenmodul | |
EP2130232A2 (de) | Solarzellenvorrichtung, solarzellenmodul und verbindungsanordnung | |
DE102008044910A1 (de) | Solarzelle und Solarzellenmodul mit einseitiger Verschaltung | |
DE102007059486A1 (de) | Rückkontaktsolarzelle mit länglichen, ineinander verschachtelten Emitter- und Basisbereichen an der Rückseite und Herstellungsverfahren hierfür | |
DE112010005717T5 (de) | Solarbatteriemodul und Herstellungsverfahren für dieses | |
DE102007035883A1 (de) | Rückkontaktsolarzelle und Solarmodul mit reduzierten Serienwiderständen | |
DE202015101360U1 (de) | Solarzelle | |
DE202012004526U1 (de) | Photovoltaikmodul | |
DE102012000291A1 (de) | Solarzelle und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE102013217356A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle und Solarzelle | |
EP2289107B1 (de) | Solarzelle und verfahren zu deren herstellung | |
EP2577738A2 (de) | Dünnschichtsolarmodul und herstellungsverfahren hierfür | |
DE102008033189B4 (de) | Interdigitale Kontaktstreifenanordnung für Rückseitenkontakt-Solarzelle; | |
EP2956966A1 (de) | Busbarlose rückkontaktsolarzelle, deren herstellungsverfahren und solarmodul mit solchen solarzellen | |
DE112012006078B4 (de) | Solarzelle | |
DE102021106598B4 (de) | Solarzellenstring und Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenstrings | |
DE102008040332B4 (de) | Rückseitenkontaktierte Solarzelle und Solarmodul mit rückseitenkontaktierten Solarzellen | |
DE102021114906B4 (de) | Solarmodul mit optimierter verschaltung sowie verfahren zum fertigen desselben | |
DE102022110490B4 (de) | Solarzellenmodul | |
DE102017122530B4 (de) | Photovoltaikmodul mit auf der Rückseite ineinandergreifenden Kontakten | |
DE202023101532U1 (de) | Photovoltaikmodul | |
EP4122017A1 (de) | Dünnschichtsolarmodul und herstellungsverfahren | |
WO2023099771A1 (de) | Solarzellenmodul | |
DE102019122222A1 (de) | Photovoltaische Solarzelle und Solarzellenmodul |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: BOSCH SOLAR ENERGY AG, 99099 ERFURT, DE |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: ROBERT BOSCH GMBH, 70469 STUTTGART, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20130223 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SOLARWORLD INDUSTRIES GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: ROBERT BOSCH GMBH, 70469 STUTTGART, DE Effective date: 20140724 Owner name: SOLARWORLD INDUSTRIES THUERINGEN GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: ROBERT BOSCH GMBH, 70469 STUTTGART, DE Effective date: 20140724 |
|
R082 | Change of representative | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: MEYER BURGER (GERMANY) GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: SOLARWORLD INDUSTRIES THUERINGEN GMBH, 99310 ARNSTADT, DE Owner name: SOLARWORLD INDUSTRIES GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: SOLARWORLD INDUSTRIES THUERINGEN GMBH, 99310 ARNSTADT, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: MEYER BURGER (GERMANY) GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: SOLARWORLD INDUSTRIES GMBH, 53175 BONN, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |