DE102008024808B3 - Geometrienormal und Verfahren zum Herastellen eines Millimeterbereich-Längennormals - Google Patents

Geometrienormal und Verfahren zum Herastellen eines Millimeterbereich-Längennormals Download PDF

Info

Publication number
DE102008024808B3
DE102008024808B3 DE200810024808 DE102008024808A DE102008024808B3 DE 102008024808 B3 DE102008024808 B3 DE 102008024808B3 DE 200810024808 DE200810024808 DE 200810024808 DE 102008024808 A DE102008024808 A DE 102008024808A DE 102008024808 B3 DE102008024808 B3 DE 102008024808B3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plate
recess
edge
standard according
crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE200810024808
Other languages
English (en)
Inventor
Sebastian Dr. Bütefisch
Hans-Ulrich Dr. Danzebrink
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bundesrepublik Deutschland
Bundesministerium fuer Wirtschaft und Technologie
Original Assignee
Bundesrepublik Deutschland
Bundesministerium fuer Wirtschaft und Technologie
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bundesrepublik Deutschland, Bundesministerium fuer Wirtschaft und Technologie filed Critical Bundesrepublik Deutschland
Priority to DE200810024808 priority Critical patent/DE102008024808B3/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102008024808B3 publication Critical patent/DE102008024808B3/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B3/00Measuring instruments characterised by the use of mechanical techniques
    • G01B3/30Bars, blocks, or strips in which the distance between a pair of faces is fixed, although it may be preadjustable, e.g. end measure, feeler strip
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G01B21/02Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
    • G01B21/04Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness by measuring coordinates of points
    • G01B21/042Calibration or calibration artifacts

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Geometrienormal, das eine erste Platte (12), die eine Erstplatten-Ausnehmung (16) aufweist, die von einem Erstplatten-Rand (18) begrenzt ist, und zumindest eine zweite Platte (24), die mit der ersten Platte (12) verbunden ist umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Platte (12) und die zweite Platte Einkristalle (24) sind, der Erstplatten-Rand (18) entlang einer Kristallebene der ersten Platte (12) verläuft und die zumindest eine zweite Platte (24) eine Zweitplatten-Ausnehmung (26) aufweist, die von einem Zweitplatten-Rand (25) begrenzt wird, der entlang einer Kristallebene der zweiten Platte (24) verläuft, sodass sich die Erstplatten-Ausnehmung (16) und die Zweitplatten-Ausnehmung (26) zu einer gemeinsamen Ausnehmung ergänzen.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Geometrienormal, insbesondere ein Millimeterbereich-Längennormal, das eine erste Platte, die eine Erstplatten-Ausnehmung aufweist, die von einem Erstplatten-Rand begrenzt ist, und zumindest eine zweite Platte, die mit der ersten Platte verbunden ist, umfasst.
  • Bei einem derartigen Endmaßstapel wird eine Erstplatte, die als Grundkörper fungiert, mit mehreren, voneinander beabstandeten Platten bzw. Blöcken verbunden. Die Abstände zwischen den einzelnen Platten bzw. Blöcken werden exakt vermessen. Zum Kalibrieren einer Koordinatenmessmaschine werden dann die einzelnen Blöcke angetastet, deren Abstände voneinander vermessen und das Messergebnis mit dem Soll-Ergebnis verglichen.
  • Nachteilig an bestehenden Millimeterbereich-Längennormalen ist, dass die maximal erzielbare Messgenauigkeit durch deren Oberflächenrauigkeit begrenzt ist. Bei der Herstellung der Endmaßstapel müssen die beispielsweise aus Stahl bestehenden Bestandteile poliert werden, so dass eine möglichst geringe Oberflächenrauigkeit entsteht. Es verbleibt aber ein Bereich der Oberflächenrauigkeit, so dass die exakte Begrenzung des Längennormals nur bis in die Größenordnung der Oberflächenrauigkeit definiert ist.
  • Aus der DE 10 2004 022 750 A1 ist ein Mikroprüfkörper zur Einmessung dimensionaler Messgeräte bekannt, der durch Abformung einer Anordnung von in einem Siliziumwafer eingeätzten Pyramiden entstanden ist. Ein derartiger Mikroprüfkörper eignet sich jedoch nachteiligerweise nicht für eine Prüfung im Bereich mehrerer Größenordnungen und ist auf den Mikrometerbereich beschränkt. Vor allen Dingen sind die Pyramiden in einer Ebene angeordnet und so ausgebildet, dass die Position der Pyramiden und nicht die Form der einzelnen Pyramiden gemessen werden kann.
  • Aus der DE 103 42 689 B3 ist ein Verfahren zur Herstellung von Prüfkörpern für die Überprüfung von Messgeräten bekannt, bei dem einzelne Segmente durch Stapeln zum gesamten Prüfkörper zusammengesetzt werden. So wird ein hohes Aspektverhältnis für Mikrobohrungen erreicht. Nachteilig hieran ist, wie oben beschrieben, die gering erreichbare Oberflächenqualität.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Längennormal vorzuschlagen, das eine erhöhte Messgenauigkeit erlaubt.
  • Die Erfindung löst das Problem durch ein gattungsgemäßes Längennormal, bei dem die erste Platte und die zweite Platte Einkristalle sind, der Erstplatten-Rand entlang einer Kristallebene der ersten Platte verläuft und die zumindest eine zweite Platte umfasst, die eine Zweitplatten-Ausnehmung aufweist, die von einem Zweitplatten-Rand begrenzt wird, der entlang einer Kristallebene der zweiten Platte verläuft, so dass sich die Erstplatten-Ausnehmung und die Zweitplatten-Ausnehmung zu einer gemeinsamen Ausnehmung ergänzen.
  • Vorteilhaft an dem erfindungsgemäßen Längennormal ist, dass hochpräzise Verfahren der Fotolithographie und anschließende Ätztechniken genutzt werden können, um den Erstplatten-Rand der Ausnehmungen auszubilden. Da Ätzverfahren bis auf wenige Kristallgitterabstände genau sind, wird eine sehr geringe Oberflächenrauig keit erreicht, die im Bereich weniger Nanometer oder sogar im Subnanometerbereich liegen können.
  • Gleichzeitig erlaubt es das Verwenden von Einkristallen, einzelne Wafer so miteinander zu verbinden, dass sie sich wie ein einstückiges Objekt verhalten. So wird ein Längennormal im Millimeterbereich erhalten, das mit Koordinatenmessmaschinen sicher angetastet werden kann.
  • Im Rahmen der folgenden Beschreibung wird unter einem Millimeterbereich-Längennormal insbesondere ein Längennormal verstanden, das zumindest eine Länge verkörpert, die größer ist als 1 mm. Hierunter ist zu verstehen, dass das Millimeterbereich-Längennormal mindestens eine Längenverkörperung umfasst, die mit einem Koordinatenmessgerät prozesssicher antastbar ist. Dazu genügt es beispielsweise nicht, aus einem Siliziumwafer eine Ausnehmung herauszuätzen. Aufgrund der Dünne des Siliziumwafers wäre ein prozesssicheres Antasten der Längenverkörperung, beispielsweise in Form der Erstplatten-Ausnehmung, nicht möglich. Der Kontaktpunkt, in dem angetastet wird, wäre nämlich nicht mit hinreichender Sicherheit weit genug von einer Kante der Erstplatten-Ausnehmung beabstandet. Insbesondere ist das Millimeterbereich-Längennormal so ausgebildet, dass es prozesssicher mit einem Messkopf angetastet werden kann, der einen Durchmesser von 500 μm oder weniger hat. Günstig ist es daher, wenn das Längennormal Antastflächen besitzt, die mindestens 1 mm breit und hoch sind. Unter dem Rand wird diejenige Fläche verstanden, die die Ausnehmung begrenzt. Der Rand geht in einer Kante in die jeweilige Oberfläche der Platte über.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist die zumindest eine zweite Platte eine Zweitplatten-Ausnehmung auf, die von einem Zweitplatten-Rand begrenzt wird, der entlang einer Kristallebene der zweiten Platte verläuft. Beispielsweise hat die Zweitplatten-Ausnehmung die gleichen Abmessungen wie die Erstplatten-Ausnehmung, da sie im gleichen lithographischen Prozess hergestellt worden ist. Durch Übereinanderstapeln von erster Platte, zweiter Platte und gegebenenfalls weiteren Platten wird ein Plattenstapel montiert, der eine Plattenstapel-Ausnehmung besitzt, deren Rand eine sehr geringe Oberflächenrauigkeit aufweist. Zwei gegenüberliegende Wände der Plattenstapel-Ausnehmung können dann als Maßverkörperung für eine Länge verwendet werden, die beispielsweise mehr als 1 mm beträgt.
  • Bevorzugt sind für die erste Platte, die zweite Platte und, sofern vorhanden, weitere Platten, Halbleiter-Einkristalle. Die Platten können in anderen Worten Halbleiter-Wafer sein, beispielsweise Silizium-Einkristalle, wie Silizium-Wafer. Es ist möglich, Halbleiter-Einkristalle (bspw. durch Ätz- oder Poliertechniken) so zu bearbeiten, dass sehr glatte Oberflächen entstehen. Es ist zudem möglich, Ausnehmungen in die Halberleiter-Einkristalle zu ätzen, die mit hoher Genauigkeit entlang vorbestimmbarer Kristallebenen verlaufen. Bei diesem Ätzen entstehen Oberflächen mit sehr geringen Oberflächenrauigkeiten. Beispielsweise liegen Mittenrauwerte nach DIN unterhalb von 5 nm.
  • Besonders präzise Millimeterbereich-Längennormale werden erhalten, wenn die Ausnehmungen durch Ätzen hergestellt sind. Als Ätzen kommt beispielsweise anisotropes, nasschemisches Ätzen in Betracht.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform besitzt das Millimeterbereich-Längennormal eine Erstplatten-Ausnehmung mit einem geometrischen Schwerpunkt, wobei einander bezüglich des geometrischen Schwerpunkts gegenüberliegende Teile des Erstplatten-Rands parallel verlaufen. Durch Übereinanderstapeln von zwei oder mehreren solcher Platten wird ein Plattenstapel mit einer Plattenstapel-Ausnehmung erhalten, die sich in ihrem Querschnitt im Wesentlichen nicht ändert. Die gegenüberliegenden Ränder der Plattenstapel-Ausnehmung eignen sich dann als Maßverkörperung einer Länge. Das Längennormal ist zudem mechanisch so stabil, dass es sicher gehandhabt werden kann.
  • Gemäß einer alternativen Ausführungsform ergänzen sich die Ausnehmungen zu einer inversen Pyramide, deren Seitenflächen in unterschiedlichen Winkeln zu einer Oberfläche der Platten verlaufen. Es ist zudem möglich, dass sich die Ausnehmungen zu einer gemeinsamen Ausnehmung ergänzen, bei der ein Randabschnitt oder zwei Randabschnitte senkrecht zur Oberfläche der Platten verlaufen, wohingegen die verbleibenden Rand-Abschnitte unter einem nicht-rechten Winkel zur Oberfläche ver laufen. Bevorzugt sind mindestens zwei der Ausnehmungen gleich groß, so dass sich alle Ränder so aneinander anschließen, dass ein ebener gemeinsamer Rand entsteht.
  • Es ist zudem möglich, dass die Platten mehr als eine Ausnehmung aufweisen. Wenn in den Ansprüchen und in der Beschreibung „ein” oder „eine” verwendet wird, so ist hierunter der unbestimmte Artikel gemeint, nicht das Zahlwort. Wenn die Platten mehr als eine Ausnehmung aufweisen, können die sich zu jeweiligen gemeinsamen Ausnehmungen ergänzen, die eine vorgegebene Anordnung bilden. Auf diese Weise kann das Längennormal auch als Winkelnormal eingesetzt werden.
  • Bevorzugt besitzt die erste Platte eine Oberseite und der Erstplatten-Rand verläuft senkrecht zur Oberseite. Sind weitere Platten vorhanden, so verlaufen die entsprechenden Ränder bevorzugt zu den jeweiligen Oberseiten der Platten. Auf diese Weise wird eine besonders leicht antastbare Längenverkörperung erhalten.
  • Ein leicht zu handhabendes Millimeterbereich-Längennormal wird erhalten, wenn eine dritte Platte vorhanden ist, die eine Drittplatten-Ausnehmung aufweist, die von einem Drittplatten-Rand begrenzt wird, die ein Einkristall ist und deren Drittplatten-Rand entlang einer Kristallebene der Drittplatte verläuft, wobei die Erstplatten-Ausnehmung, die Zweitplatten-Ausnehmung eine Pyramide oder Stufenpyramide bilden. Es ist zudem möglich, dass jeweils zwei, drei oder mehr Plattenausnehmungen gleiche Abmessungen aufweisen und dass dann übereinander gestapelte Sätze von Platten mit gleichen Ausnehmungen ihrerseits übereinander gestapelt werden, so dass die Stufen der Stufenpyramide aus mehreren Platten bestehen und größere Absätze haben.
  • Bevorzugt weisen die erste Platte und die zweite Platte insbesondere alle Platten Positionsmarker auf. Hierdurch wird vorteilhafterweise erreicht, dass die einzelnen Platten in einem Mask-Aligner angeordnet und zueinander ausgerichtet werden können, wodurch sie mit hoher Präzision aneinander befestigt bzw. miteinander verbondet werden können. Die Positionsmarker sind bevorzugt so ausgebildet, dass sie op tisch, elektronenoptisch, mechanisch und/oder rastersondenmikroskopisch erfassbar, insbesondere antastbar sind.
  • Es ist möglich, die Positionsmarker in Form von inversen Pyramiden auszubilden, deren Begrenzungsflächen durch ätzbegrenzende Kristallebene gebildet sind. Die inversen Pyramiden können zum Beispiel eine rechteckige oder quadratische Grundfläche haben. Bevorzugt werden die Positionsmarker in denselben Prozessschritt wie die Ausnehmungen gefertigt. Alternativ haben die Positionsmarker die Gestalt erhabener Pyramiden oder von Kugeln oder Ringen mit erhabenem Zentrum. Es ist möglich, die Positionsmarker zumindest teilweise als Dünnschichtmarke auszubilden, beispielsweise als durch Lithographie hergestellte Metalllinien. Das erleichtert eine optische Antasterfassung. Die lithographische Herstellung dieser Marker ist nur möglich, weil das Längennormal aus einzelnen Platten aufgebaut ist. Herkömmliche Längennormale können aufgrund ihrer Höhe nicht nachträglich durch Lithographie strukturiert oder mit Markern versehen werden.
  • Besonders bevorzugt sind die Platten miteinander verbondet. Unter einem Bonden wird das Verbinden von zwei Platten ohne Klebstoff verstanden, bei dem die miteinander in Verbindung gebrachten Flächen eine innige, feste Verbindung miteinander eingehen.
  • Möglich ist das direkte Bonden (das so genannte Silizium-Direkt-Bonden (SDB)), das eutektische Bonden, das anodische Bonden oder ein Waferbonden.
  • Bei einem Längennormal handelt es sich um eine Verkörperung einer Länge durch einen lichten Abstand zwischen zwei Flächen. Davon zu unterscheiden sind Dickennormale, bei denen der Abstand zwischen zwei Oberflächen eine Massverkörperung darstellt.
  • Im Folgenden wird die Erfindung anhand exemplarischer Ausführungsbeispiele näher erläutert. Dabei zeigt
  • 1 eine Explosionsansicht eines erfindungsgemäßen Millimeterbereich-Längennormals aus vier Platten,
  • 2 das Längennormal gemäß 1 in einem verbundenen Zustand,
  • 3 eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Millimeterbereich-Längennormals,
  • 4 zeigt eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Millimeterbereich-Längennormals,
  • 5a zeigt einen Positionsmarker eines erfindungsgemäßen Millimeterbereich-Längennormals,
  • 5b zeigt ein Querschnitt durch das erfindungsgemäße Längennormal und
  • 5c ist eine Draufsicht auf das Längennormal. Die
  • 6a bis 6e zeigen Querschnitte von Ausführungsformen erfindungsgemäßer Millimeterbereich-Längennormale.
  • 1 zeigt ein Millimeterbereich-Längennormal 10, das eine erste Platte 12 aus einem Silizium-Einkristall umfasst. Die erste Platte 12 besitzt eine Oberseite 14 und hat eine erste Platten-Ausnehmung 16. Die Erstplatten-Ausnehmung 16 ist von einem Erstplatten-Rand 18 umgeben, der zwischen der Oberseite 14 und einer Unterseite 20 der ersten Platte 12 verläuft.
  • Der Erstplatten-Rand 18 ist eine Fläche, die sich von der Oberseite 14 zur Unterseite 20 erstreckt und aus vier Erstplatten-Randabschnitten 19.1 bis 19.4 besteht. Zwischen je zwei Erstplatten-Randabschnitten 19.1 und 19.3 bzw. 19.2 und 19.4 beträgt ein lichter Abstand beispielsweise über 1 mm.
  • 2 zeigt, dass sich die Ausnehmungen 16, 26, 32 zu einer gemeinsamen Ausnehmung 38 in Form einer inversen Stufenpyramide ergänzen.
  • 3 zeigt eine erfindungsgemäße weitere Ausführungsform eines Längennormals, bei der jede Platte mehr als eine Ausnehmung besitzt. So weist die erste Platte 12 eine erste Erstplatten-Ausnehmung 16.1, eine zweite Erstplatten-Ausnehmung 16.2, eine dritte Erstplatten-Ausnehmung 16.3 und eine vierte Erstplatten-Ausnehmung 16.4 auf.
  • Es ist zudem möglich, dass die Ränder nicht unter einem rechten Winkel verlaufen, sondern beispielsweise einwärts geneigt sind. Die Ausnehmungen sind dann so geformt, dass die Ränder glatt, das heißt, im mathematischen Sinne stetig und stetig differenzierbar, ineinander übergehen und sich beispielsweise eine Pyramide in dem Plattenstapel aus den einzelnen Platten ausbildet. So kann auch ein Volumennormal erhalten werden.
  • 4 zeigt eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Längennormals 10, bei dem die Ausnehmungen randständig sind. Das heißt, dass beispielsweise die Erstplatten-Ausnehmungen 16.1, 16.2, 16.3, 16.4 der ersten Platte 12 nur aus zwei Erstplatten-Randabschnitten bestehen. So besteht die Erstplatten-Ausnehmung 16.4 aus den beiden Erstplatten-Randabschnitten 19.4.1 und 19.4.2..
  • 5a zeigt eine Detailansicht eines Positionsmarkers 28, der aus einer Ausnehmung 40, die durch Lithographie und Ätzen hergestellt ist, und vier Metalllinien 42.1 bis 42.4 aufgebaut ist.
  • 5b zeigt einen Querschnitt durch ein erfindungsgemäßes Millimeterbereich-Längennormal, bei dem die Querschnitte von Positionsmarkern erkennbar sind. Es ist zudem zu erkennen, dass die Erstplatten-Ausnehmung 16 mit ihrem Erstplatten-Rand 18 einen Böschungswinkel α mit der Oberseite 14 bildet. Der Böschungswinkel α beträgt vorzugsweise 90 Grad. Er kann jedoch u. a. auch Werte kleiner als 90 Grad annehmen. In dem in 5b gezeigten Fall sind die Böschungswinkel L des Erstplatten-Rands 18 und des Zweitplatten-Rands 25 gleich groß. Das ist aber nicht notwendig, es ist auch möglich, dass sich die Böschungswinkel L verschiedener Platten voneinander unterscheiden.
  • 5c zeigt eine perspektivische Ansicht der gemeinsamen Ausnehmung 14 mit einzelnen Positionsmarkern.
  • 6a zeigt einen ersten Querschnitt durch ein erfindungsgemäßes Längennormal, bei dem die Böschungswinkel α für die erste Platte 12 und die zweite Platte 24 gleich groß sind und 90 Grad betragen. Die Ausnehmungen hingegen sind unterschiedlich groß.
  • Im Querschnitt gemäß 6b sind die Böschungswinkel L gleich groß, aber von 90 Grad verschieden.
  • Im Querschnitt gemäß 6c ist ein Böschungswinkel 90 Grad und der zweite Böschungswinkel ist kleiner als 90 Grad.
  • Im Querschnitt gemäß 6d ist der Böschungswinkel der ersten Platte 12 kleiner als 90 Grad und der Böschungswinkel der zweiten Platte 24 beträgt 90 Grad.
  • 6e zeigt, dass der Böschungswinkel α auch größer als 90 Grad sein kann.
  • Der Erstplatten-Rand 18 schließt sowohl mit der Oberseite 14 als auch mit der der Oberseite 14 gegenüberliegenden Unterseite 20 einen rechten Winkel ein. Die erste Platte 12 hat eine Dicke D von mindestens 1 mm und besitzt um die Erstplatten-Ausnehmung 16 herum Positionsmarker, 22.1, 22.2, 22.3 .... Bezugszeichen ohne Zählsuffix bezeichnen im Folgenden das Objekt als solches. Die Positionsmarker 22 und die Erstplatten-Ausnehmung 16 werden fotolithographisch und mit mittels nass chemischem Ätzen in die erste Platte 12 eingebracht. Dabei verläuft die <110>-Richtung senkrecht zur Oberseite 14 und damit parallel zum Erstplatten-Rand 18.
  • Das Millimeterbereich-Längennormal 10 umfasst zudem eine zweite Platte 24, die eine Zweitplatten-Ausnehmung 26 mit Zweitplatten-Rand 25 besitzt. An den Stellen, die den Stellen für die Positionsmarker 22 der ersten Platte 12 entsprechen, weist auch die zweite Platte 24 Positionsmarker 28.1, 28.2, 28.3, ... auf. Die Zweitplatten-Ausnehmung 26 hat, wenn die Positionsmarker 22 und 28 zueinander ausgerichtet sind, einen geometrischen Schwerpunkt S2, der genau unterhalb des geometrischen Schwerpunkts S1 der Erstplatten-Ausnehmung 16 angeordnet ist. Alternativ zu der in 1 gezeigten Ausführungsform können die Ausnehmungen 16, 26 gleich groß sein und die Ränder bündig aneinander anschließen.
  • Das Millimeterbereich-Längennormal 10 besitzt zudem eine dritte Platte 30, die wie die erste Platte 12 und die zweite Platte 24 aufgebaut ist, mit dem Unterschied, dass eine Drittplatten-Ausnehmung 32, die von einem Drittplatten-Rand 33 begrenzt ist, kleiner ist als die Zweitplatten-Ausnehmung 26. Die dritte Platte 30 besitzt zudem Positionsmarker 34.1, 34.2, 34.3, ....
  • Eine vierte Platte 36 besitzt keine Ausnehmung, hat aber die gleichen Außenabmessungen wie die übrigen Platten 12, 24, 30 und nicht eingezeichnete Positionsmarker. Zum Verbinden der vier Platten 12, 24, 30, 36 werden diese durch Bonden miteinander verbunden. Dieser Zustand ist in 2 gezeigt. Die Außenabmessungen des so erhaltenen Millimeterbereich-Längennormals, der einen Plattenstapel darstellt, können beispielsweise 13 mm × 13 mm × 1,5 mm betragen. Der Mittenrauwert liegt an den Rändern 18 unter 1 mm.
  • 10
    Millimeterbereich-Längennormal
    12
    erste Platte
    14
    Oberseite
    16
    Erstplatten-Ausnehmung
    18
    Erstplatten-Rand
    19
    Erstplatten-Randabschnitt
    20
    Unterseite
    22
    Positionsmarker
    24
    zweite Platte
    25
    Zweitplatten-Rand
    26
    Zweitplatten-Ausnehmung
    28
    Positionsmarker
    30
    dritte Platte
    32
    Drittplatten-Ausnehmung
    34
    Positionsmarker
    36
    vierte Platte
    38
    gemeinsame Ausnehmung
    40
    Ausnehmung
    42
    Metalllinie
    D
    Dicke
    S
    geometrischer Schwerpunkt
    L
    Böschungswinkel

Claims (13)

  1. Geometrienormal, das (a) eine erste Platte (12), die eine Erstplatten-Ausnehmung (16) aufweist, die von einem Erstplatten-Rand (18) begrenzt ist, und (b) zumindest eine zweiten Platte (24), die mit der ersten Platte (12) verbunden ist umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass (c) die erste Platte (12) und die zweite Platte Einkristalle (24) sind, (d) der Erstplatten-Rand (18) entlang einer Kristallebene der ersten Platte (12) verläuft und (e) die zumindest eine zweite Platte (24) eine Zweitplatten-Ausnehmung (26) aufweist, die von einem Zweitplatten-Rand (25) begrenzt wird, der entlang einer Kristallebene der zweiten Platte (24) verläuft, so dass sich die Erstplatten-Ausnehmung (16) und die Zweitplatten-Ausnehmung (26) zu einer gemeinsamen Ausnehmung ergänzen.
  2. Geometrienormal nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es ein Millimeterbereich-Längennormal ist.
  3. Geometrienormal nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Platte (12) und die zweite Platte (24) Halbleitereinkristalle sind.
  4. Geometrienormal nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmungen (16) durch Ätzen hergestellt sind.
  5. Geometrienormal nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Erstplatten-Ausnehmung (16) einen geometrischen Schwerpunkt besitzt und einander bezüglich des geometrischen Schwerpunkt gegenüberliegende Teile des Erstplatten-Rands (18) parallel verlaufen.
  6. Geometrienormal nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Platte (12) eine Oberseite (14) hat und der Erstplatten-Rand (18) senkrecht zur Oberseite (14) verläuft.
  7. Geometrienormal nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Platte (12) und die zweite Platte (24) jeweils so dick sind, dass sich der Erstplatten-Rand (18) und der Zweitplatten-Rand (25) glatt aneinander anschließen.
  8. Geometrienormal nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Ausnehmung eine lichte Weite von zumindest 1 mm hat.
  9. Geometrienormal nach einem der Ansprüche 2 bis 8, gekennzeichnet dadurch, dass alle Platten (12, 24, 30, 36) gemeinsam eine Dicke (D) von mehr als 1,5 mm haben.
  10. Geometrienormal nach einem der Ansprüche 2 bis 9 gekennzeichnet durch eine dritte Platte (36), die – eine dritte Platten-Ausnehmung aufweist, die von einem Drittplatten-Rand begrenzt wird, – eine Einkristall ist und – deren Drittplatten-Rand entlang einer Kristallebene der dritten Platte (36) verläuft, wobei die Erstplatten-Ausnehmung, die Zweitplatten-Ausnehmung und die Drittplatten-Ausnehmung eine inverse Pyramide oder inverse Stufenpyramide bilden.
  11. Geometrienormal nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Platte (12) und die zweite Platte (24) Positionsmarker (22) aufweisen.
  12. Geometrienormal nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Platten (12, 24, 30, 36) miteinander verbondet sind.
  13. Verfahren zum Herstellen eines Millimeterbereich-Längennormals, mit den Schritten: (a) Herstellen einer ersten Platte (12), die eine Erstplatten-Ausnehmung (16) aufweist, die von einem Erstplatten-Rand (18) begrenzt wird, (b) Herstellen einer zweite Platte (24), die eine Zweitplatten-Ausnehmung (26) aufweist, die von einem Zweitplatten-Rand (26) begrenzt wird, (c) Verbinden der ersten Platte (12) mit zumindest der zweiten Platte (24), (d) wobei die erste Platte (12) und die zweite Platte (24) Einkristalle sind, (e) der Erstplatten-Rand (18) und der Zweitplatten-Rand (25) mittels Lithographie und Ätzen hergestellt werden und (f) wobei die erste Platte (12) mit der zweiten Platte (24) so verbunden wird, dass sich die Erstplatten-Ausnehmung (16) und die Zweitplatten-Ausnehmung (26) zu einer gemeinsamen Ausnehmung ergänzen.
DE200810024808 2008-05-23 2008-05-23 Geometrienormal und Verfahren zum Herastellen eines Millimeterbereich-Längennormals Active DE102008024808B3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200810024808 DE102008024808B3 (de) 2008-05-23 2008-05-23 Geometrienormal und Verfahren zum Herastellen eines Millimeterbereich-Längennormals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200810024808 DE102008024808B3 (de) 2008-05-23 2008-05-23 Geometrienormal und Verfahren zum Herastellen eines Millimeterbereich-Längennormals

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008024808B3 true DE102008024808B3 (de) 2009-11-26

Family

ID=41212800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200810024808 Active DE102008024808B3 (de) 2008-05-23 2008-05-23 Geometrienormal und Verfahren zum Herastellen eines Millimeterbereich-Längennormals

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102008024808B3 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014191016A1 (de) * 2013-05-27 2014-12-04 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Vorrichtung und verfahren zur kalibrierung eines koordinatenmessgeräts

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1843021U (de) * 1961-06-24 1961-12-07 Leitz Ernst Gmbh Pruefstueck fuer messgeraete.
JPS6242010A (ja) * 1985-08-19 1987-02-24 Mitsutoyo Mfg Corp 測定機の補正用基準器
DE3806791C1 (de) * 1988-03-03 1989-04-27 C. Stiefelmayer Kg, 7300 Esslingen, De
DE29822001U1 (de) * 1998-12-09 1999-03-25 Fa. Carl Zeiss, 89518 Heidenheim Prüfkörper zur Kalibrierung eines Koordinatenmeßgerätes
US20020157449A1 (en) * 2000-02-22 2002-10-31 Susumu Asanuma Inspection master block and method of producing the same
DE10342689B3 (de) * 2003-09-16 2005-05-25 Bundesrepublik Deutschland, vertr. d. d. Bundesministerium für Wirtschaft und Arbeit, dieses vertr. d. d. Präsidenten der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt Verfahren zur Herstellung von Prüfkörpern für die Überprüfung von Messgeräten für Mikro-Bohrungen
DE102004022750A1 (de) * 2004-05-07 2005-12-01 Bundesrepublik Deutschland, vertr. d. d. Bundesministerium für Wirtschaft und Arbeit, dieses vertr. d. d. Präsidenten der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt Mikro-Prüfkörper

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1843021U (de) * 1961-06-24 1961-12-07 Leitz Ernst Gmbh Pruefstueck fuer messgeraete.
JPS6242010A (ja) * 1985-08-19 1987-02-24 Mitsutoyo Mfg Corp 測定機の補正用基準器
DE3806791C1 (de) * 1988-03-03 1989-04-27 C. Stiefelmayer Kg, 7300 Esslingen, De
DE29822001U1 (de) * 1998-12-09 1999-03-25 Fa. Carl Zeiss, 89518 Heidenheim Prüfkörper zur Kalibrierung eines Koordinatenmeßgerätes
US20020157449A1 (en) * 2000-02-22 2002-10-31 Susumu Asanuma Inspection master block and method of producing the same
DE10342689B3 (de) * 2003-09-16 2005-05-25 Bundesrepublik Deutschland, vertr. d. d. Bundesministerium für Wirtschaft und Arbeit, dieses vertr. d. d. Präsidenten der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt Verfahren zur Herstellung von Prüfkörpern für die Überprüfung von Messgeräten für Mikro-Bohrungen
DE102004022750A1 (de) * 2004-05-07 2005-12-01 Bundesrepublik Deutschland, vertr. d. d. Bundesministerium für Wirtschaft und Arbeit, dieses vertr. d. d. Präsidenten der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt Mikro-Prüfkörper

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014191016A1 (de) * 2013-05-27 2014-12-04 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Vorrichtung und verfahren zur kalibrierung eines koordinatenmessgeräts
US10345101B2 (en) 2013-05-27 2019-07-09 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Device and method for calibrating a coordinate-measuring device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1771701B1 (de) Sensormodul für einen tastkopf eines taktilen koordinatenmessgerätes
EP3460833B1 (de) Aufnahmeeinrichtung zur halterung von wafern
DE102010012441B4 (de) Millinewton-Mikrokraftmesser und Verfahren zum Herstellen eines Millinewton-Mikrokraftmessers
EP3239676A1 (de) Kraftmesssensor
AT501513A1 (de) Mehrlagige leiterplatte mit leitenden testflächen sowie verfahren zum bestimmen eines versatzes einer innenlage
WO2007107324A1 (de) Prüfkörper und verfahren zum einmessen eines koordinatenmessgerätes
DE3920645C2 (de)
DE112004002561T5 (de) Verfahren, Vorrichtung und Beugungsgitter zum Trennen von Halbleiterelementen, die auf einem Substrat gebildet werden, durch Änderung besagten Beugungsgitters
DE19736306C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Drucksensoren
DE102008024808B3 (de) Geometrienormal und Verfahren zum Herastellen eines Millimeterbereich-Längennormals
DE102021006484A1 (de) Magnetsensor
DE102016122509A1 (de) Prüf- und/oder Kalibriernormal
EP2855131B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer vielzahl von mikrolinsen
DE102006038148A1 (de) Standard-Spezimen zur Evaluierung einer Sondenform und Verfahren zu Evaluierung einer Sondenform
DE60207864T2 (de) Drucksensor
DE102017206709A1 (de) Drucksensorvorrichtung mit hoher Empfindlichkeit
DE102005043914A1 (de) Halbleiterbauelement für Bondverbindung
DE19853588A1 (de) Halteeinrichtung für ein Substrat
DE10107796A1 (de) Massverkörperungen und Kalibriernormale zur Erfassung lateraler Abmessungen an nanoskaligen Objekten für Mikroskopie und Längenmessung
DE10318762B3 (de) Verfahren zur Herstellung von Prüfkörpern
DE102012217853B4 (de) Anordnung zum Erzeugen eines definierten Abstands zwischen Elektrodenflächen auf integrierten Bauelementen für chemische und biochemische Sensoren
DE19711361A1 (de) Prüfkörper für optische Industriemeßsysteme und Koordinatenmeßgeräte mit optischen Flächensensoren
DE4334666C1 (de) Verfahren zum anisotropen Ätzen monokristalliner Materialien
DE102018126747A1 (de) Wafer und Verfahren zur Analyse seiner Form
DE20100418U1 (de) Photodetektor

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Representative=s name: GRAMM, LINS & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWAEL, DE