DE102008019612A1 - Optoelectronic component has base body and two light-emitting semiconductor chips arranged on two non-parallel surfaces of base body, where base body has metallization for supplying power to light-emitting semiconductor chips - Google Patents

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Abstract

The optoelectronic component has a base body (1) and two light-emitting semiconductor chips (4a,4b) arranged on two non-parallel surfaces (3a,3b) of the base body. The base body has a metallization for supplying power to the light-emitting semiconductor chips. Connection elements (7) are provided for connection of the component. An independent claim is included for an optoelectronic component manufacturing method.

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil mit lichtemittierenden Halbleiterchips und ein Herstellungsverfahren für derartige optoelektronische Bauteile.The The invention relates to an optoelectronic component with light-emitting Semiconductor chips and a manufacturing method for such optoelectronic Components.

Wegen ihrer hohen Effizienz und langen Lebensdauer werden lichtemittierende Halbleiterchips, zum Beispiel in Leuchtdioden, zunehmend nicht nur zu Signal-, sondern auch zu Beleuchtungszwecken eingesetzt. Insbesondere wenn das emittierte Licht von optischen Elementen wie Linsen oder Reflektoren gebündelt werden soll, sind kompakte Abmessungen und eine hohe Strahlungsdichte bei geeigneter Abstrahlcharakteristik für das optoelektronische Bauteil wünschenswert.Because of Their high efficiency and long life are light-emitting Semiconductor chips, for example in light emitting diodes, increasingly not only too Signal, but also used for lighting purposes. Especially when the emitted light from optical elements such as lenses or Reflectors bundled is to be compact dimensions and a high radiation density with suitable radiation characteristic for the optoelectronic component desirable.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optoelektronisches Bauteil mit lichtemittierenden Halbleiterchips zu schaffen, das bei kompakten Abmessungen eine hohe Strahlungsdichte erreicht. Es ist eine weitere Aufgabe, ein Herstellungsverfahren für ein solches optoelektronisches Bauteil anzugeben.It is therefore an object of the present invention, an optoelectronic To provide a component with light-emitting semiconductor chips, the achieves a high radiation density in compact dimensions. It is another object, a production method for such specify optoelectronic component.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.These The object is solved by the features of the independent claims. advantageous Further developments and refinements of the invention are specified in the dependent claims.

Gemäß einem ersten Aspekt wird die Aufgabe gelöst durch ein optoelektronische Bauteil, das einen Grundkörper und mindestens zwei lichtemittierende Halbleiterchips umfasst. Die mindestens zwei lichtemittierende Halbleiterchips sind auf mindestens zwei nicht parallelen Flächen des Grundkörpers angeordnet, wobei der Grundkörper eine Metallisierung zur Stromversorgung der Halbleiterchips aufweist.According to one In the first aspect, the object is achieved by an optoelectronic Component that has a basic body and at least two light-emitting semiconductor chips. The at least two light-emitting semiconductor chips are at least two non-parallel surfaces of the basic body arranged, with the main body has a metallization for powering the semiconductor chips.

Die auf mehreren, nicht parallelen Flächen des dreidimensional ausgestalteten Grundkörpers angeordneten lichtemittierende Halbleiterchips führen zu einer Lichtabstrahlung in verschiedene Richtungen. Durch geeignete Formgebung des Grundkörpers und Anordnung der lichtemittierenden Halbleiterchips kann die Abstrahlcharakteristik des gesamten optoelektronischen Bauelements gezielt festgelegt werden. Durch die Metallisierung des Grundkörpers zur Stromversorgung der lichtemittierenden Halbleiterchips kann die Versorgung der lichtemittierenden Halbleiterchips auf Platz sparende Weise erfolgen, sodass die Oberfläche des optoelektronischen Bauteils ohne größere Freiräume mit Halbleiterchips belegt werden kann. Dieses resultiert in einem Bauteil mit hoher Strahlungsdichte. Es ist möglich, das Bauteil so zu gestalten, dass seine Abmessungen in einer Ebene die Fläche eines Halbleiterchips nur unwesentlich übersteigen. Somit kann eine nahezu punktförmige Lichtquelle realisiert werden.The on several, non-parallel surfaces of the three-dimensional designed Arranged body light-emitting semiconductor chips lead to a light emission in different directions. By suitable shaping of the basic body and Arrangement of the light-emitting semiconductor chips, the emission characteristics be set specifically the entire optoelectronic device. Due to the metallization of the main body to power the light-emitting semiconductor chips can supply the light-emitting Semiconductor chips take place in a space-saving manner, so that the surface of the Optoelectronic device without large clearances occupied by semiconductor chips can be. This results in a component with high radiation density. It is possible, To design the component so that its dimensions in one plane the area of a semiconductor chip only slightly exceed. Thus, an almost punctate Be realized light source.

In einer bevorzugten Ausgestaltung des optoelektronischen Bauteils sind Anschlusselemente zum Anschluss des Bauteils vorgesehen, wobei durch die Metallisierung Leiterbahnen zur Verbindung der lichtemittierenden Halbleiterchips mit den Anschlusselementen gebildet sind. Besonders bevorzugt werden die Anschlusselemente dabei ebenfalls durch die Metallisierung gebildet. Auf diese Weise kann das Bauelement mit den Anschlusselementen platzsparend als SMD (Surface-Mounted Device)-Bauteil auf eine Platine gelötet werden.In a preferred embodiment of the optoelectronic device are provided connecting elements for connection of the component, wherein by the metallization interconnects to connect the light-emitting Semiconductor chips are formed with the connection elements. Especially The connecting elements are also preferred by the Metallization formed. In this way, the device with The connection elements save space as an SMD (Surface-Mounted Device) component soldered to a board become.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist der Grundkörper des optoelektronischen Bauteils ein moulded interconnect device. Die in einem Spritzgussverfahren hergestellten moulded interconnect devices können kompakt und preisgünstig hergestellt werden, wobei verschiedene Techniken eingesetzt werden können, um eine Metallisierung aufzubringen oder auszubilden. Die Metallisierung kann beispielsweise als galvanisch aufgebrachte Metallschicht oder als aufgedruckte metallhaltige Schicht ausgeführt werden. Es ist dabei auch möglich, den Grundkörper aus mindestens zwei verschiedenen Kunststoffkomponenten aufzubauen, wobei nur bei einer der beiden Komponenten eine Metallisierung aufbringbar ist. Weiterhin kann die Metallisierung durch einen Metallkomplex innerhalb eines Kunststoffes gebildet werden, der durch einen Laser aktiviert und somit leitfähig wird.In a further preferred embodiment, the main body of Optoelectronic component a molded interconnect device. The Molded interconnect devices produced by injection molding can compact and inexpensive be prepared using various techniques can, to apply or form a metallization. The metallization can, for example, as a galvanically applied metal layer or as printed metal-containing layer are executed. It is there too possible, the main body out build up at least two different plastic components, wherein only one of the two components metallization can be applied is. Furthermore, the metallization through a metal complex be formed within a plastic by a laser activated and thus conductive becomes.

In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist der Grundkörper transparent. Im Gegensatz zu einem nicht transparenten Grundkörper wird in Richtung des Grundkörpers abgegebene Strahlung auf diese Weise nicht zwingend absorbiert sondern kann, gegebenenfalls nach internen Reflektionen den Grundkörper wieder verlassen, wodurch die Effizienz des Bauteils erhöht wird. Bevorzugt weist der Grundkörper dabei mindestens eine Oberfläche auf, die optisch funktionell strukturiert oder mikrostrukturiert ist. Dadurch kann die Abstrahlcharakteristik des Bauteils vorteilhaft beeinflusst werden.In In another advantageous embodiment, the base body is transparent. In contrast to a non-transparent base body is emitted in the direction of the body Radiation in this way is not necessarily absorbed but can, if necessary after internal reflections leave the body again, causing increases the efficiency of the component becomes. Preferably, the base body at least one surface on, the optically functionally structured or microstructured is. As a result, the emission characteristic of the component can be advantageous to be influenced.

In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist der Grundkörper von einer Vergussmasse umgeben. Bevorzugt hat die Vergussmasse Lichtkonversionseigenschaften oder es ist ein lichtkonvertierendes Material in der Vergussmasse vorgesehen oder wird von dieser umschlossen. Lichtkonvertierende Materialien erlauben die Herstellung eines Bauteils mit einer spektral breiten, weißlichtähnlichen Strahlung, die für Beleuchtungszwecke besonders geeignet ist.In a further advantageous embodiment of the basic body of surrounded by a potting compound. Preferably, the potting compound has light conversion properties or it is a light-converting material in the potting compound provided or is enclosed by this. Lichtkonvertierende Materials allow the production of a component with a spectral wide, white light-like Radiation for Lighting is particularly suitable.

In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind die lichtemittierenden Halbleiterchips Dünnfilm-Leuchtdioden. Bevorzugt sind die lichtemittierenden Halbleiterchips substratlos und besonders bevorzugt sind die lichtemittierenden Halbleiterchips dabei beidseitig emittierend. Alle zuvor genannten Ausführungsformen erlauben einen kompakten Aufbau des optoelektronischen Bauteils. Beidseitig lichtemittierende Halbleiterchips führen zudem zu einem Bauteil mit hoher Effizienz, insbesondere in Verbindung mit einem transparenten Grundkörper.In a further advantageous embodiment, the light-emitting semiconductor chips are thin-film light-emitting diodes. Preferably, the light-emitting semiconductor chips are substrateless and particularly preferably the light-emitting semiconductor chips are emitting on both sides. All aforementioned Embodiments allow a compact construction of the optoelectronic device. Both sides light-emitting semiconductor chips also lead to a component with high efficiency, especially in conjunction with a transparent body.

In weiteren vorteilhaften Ausgestaltungen weist der Grundkörper eine geschlossene Kavität auf, die mit einer Flüssigkeit gefüllt ist, oder eine Kavität und mit der Kavität verbundene Zuführungen zum Zuführen einer die Kavität durchströmenden Flüssigkeit. In beiden Ausgestaltungen kann über die Flüssigkeit von den lichtemittierenden Halbleiterchips abgegebene Wärme aufgenommen und verteilt beziehungsweise abgeführt werden.In Further advantageous embodiments, the main body has a closed cavity, with a liquid filled is, or a cavity and with the cavity connected feeds to the Respectively one the cavity flowing liquid. In both embodiments can over the liquid absorbed heat emitted by the light-emitting semiconductor chips and distributed or paid off.

In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist der der Grundkörper innerhalb eines Gehäuses angeordnet ist, wobei das Gehäuse so ausgeführt ist, dass der Grundkörper von einer Flüssigkeit umschlossen ist oder umströmt werden kann. Auch auf diese Weise kann über eine den Grundkörper umgebende oder diesen umströmende Flüssigkeit von den lichtemittierenden Halbleiterchips abgegebene Wärme aufgenommen und verteilt beziehungsweise abgeführt werden.In a further advantageous embodiment of the body is within a housing arranged is, the case so executed is that the main body from a liquid is enclosed or flows around can be. Also in this way can over a surrounding the body or this flowing around liquid absorbed heat emitted by the light-emitting semiconductor chips and distributed or paid off.

In weiteren vorteilhaften Ausgestaltungen sind neben den lichtemittierenden Halbleiterchips elektronische Halbleiterchips auf der Oberfläche des Grundkörpers vorgesehen. Elektronische Ansteuerschaltungen für die lichtemittierenden Halbleiterchips können so platzsparend in das Bauteil integriert werden.In Further advantageous embodiments are in addition to the light-emitting Semiconductor chips electronic semiconductor chips provided on the surface of the base body. Electronic drive circuits for the light-emitting semiconductor chips can so space-saving integrated into the component.

Gemäß einem zweiten Aspekt wird die Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils. Zunächst wird ein Grundkörper in einem Spritzgussverfahren erstellt und eine Metallisierung auf ausgewählte Bereiche des Grundkörpers aufgebracht oder in ausgewählten Bereiche des Grundkörpers eingebracht. Dann werden mindestens zwei lichtemittierende Halbleiterchips auf mindestens zwei nicht parallele Flächen des Grundkörpers derart angebracht, dass die Metallisierung der Stromversorgung der lichtemittierenden Halbleiterchips dient. Die sich ergebenden Vorteile des zweiten Aspekts entsprechen denen des ersten Aspekts.According to one second aspect, the object is achieved by a method for Production of an optoelectronic component. First, will a basic body created in an injection molding process and a metallization on selected Areas of the body applied or in selected areas of the basic body brought in. Then, at least two light-emitting semiconductor chips on at least two non-parallel surfaces of the body in such a way attached, that the metallization of the power supply of the light-emitting semiconductor chips serves. The resulting benefits of the second aspect correspond those of the first aspect.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen mit Hilfe von fünf Figuren näher erläutert. Es zeigen:following The invention will be described with reference to exemplary embodiments of five Figures closer explained. Show it:

1 eine schematische perspektivische Darstellung eines ersten Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauteils, 1 a schematic perspective view of a first embodiment of an optoelectronic device,

2 eine schematische perspektivische Darstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauteils, 2 a schematic perspective view of a second embodiment of an optoelectronic device,

3 eine schematische Darstellung eines lichtemittierenden Halbleiterchips, 3 a schematic representation of a light-emitting semiconductor chip,

4 eine schematische Darstellung eines dritten Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauteils mit externem Reflektor und 4 a schematic representation of a third embodiment of an optoelectronic device with external reflector and

5 eine schematische perspektivische Darstellung eines vierten Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauteils. 5 a schematic perspective view of a fourth embodiment of an optoelectronic device.

Gleiche Bezugszeichen in den Figuren kennzeichnen gleiche oder gleich wirkende Elemente. Wird ein Bezugszeichen im Folgenden ohne einen Suffix a, b, usw. benutzt, beziehen es sich auf die Gesamtheit der entsprechenden Elemente oder auf ein einzelnes, nicht näher spezifiziertes Element.Same Reference numerals in the figures indicate the same or the same effect Elements. In the following, a reference numeral becomes without a suffix a, b, etc., they refer to the entirety of the corresponding ones Elements or to a single, unspecified element.

1 zeigt einen würfelförmigen Grundkörper 1 mit Ausnehmungen 2a, 2b in den Seiten, wobei der Boden der Ausnehmungen 2a und 2b die Flächen 3a und 3b bildet. Auf den Flächen 3a, 3b sind Halbleiterchips 4a, 4b jeweils mit einem zentralen Kontaktbereich 5a, 5b angeordnet. Der Grundkörper 1 weist eine Metallisierung 6 auf, die als Anschlusselement 7, Leiterbahn 8 und Kontaktpunkte 9a, 9b ausgestaltet ist. Über Kontaktdrähte 10a, 10b sind die Kontaktpunkte 9a, 9b mit den Kontaktbereichen 5a, 5b der Halbleiterchips 4a, 4b verbunden. 1 shows a cube-shaped body 1 with recesses 2a . 2 B in the sides, leaving the bottom of the recesses 2a and 2 B the surfaces 3a and 3b forms. On the surfaces 3a . 3b are semiconductor chips 4a . 4b each with a central contact area 5a . 5b arranged. The main body 1 has a metallization 6 on that as a connecting element 7 , Trace 8th and contact points 9a . 9b is designed. About contact wires 10a . 10b are the contact points 9a . 9b with the contact areas 5a . 5b the semiconductor chips 4a . 4b connected.

In dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Grundkörper 1 des optoelektronischen Bauteils im Wesentlichen würfelförmig ausgestaltet und weist somit sechs Seitenflächen auf. Auf fünf dieser Seitenflächen sind lichtemittierende Halbleiterchips 4 vorgesehen, von denen nur zwei, die lichtemittierenden Halbleiterchips 4a und 4b, im Ausführungsbeispiel sichtbar sind. Die sechste, in der Figur nach unten weisende Seitenfläche dient der Auflage des Bauteils, z. B. auf einer Platine. Durch die Anordnung mehrerer Halbleiterchips 4 auf den nicht parallelen Flächen 3 des Grundkörpers 1 wird eine Abstrahlung in mehrere Raumrichtungen erreicht. Der Grundkörper 1 ist dabei prinzipiell nicht auf eine würfelförmige Form beschränkt, sondern kann eine beliebige Anzahl von Flächen oder Facetten zur Aufnahme von lichtemittierenden Halbleiterchips aufweisen. Die von den einzelnen Chips ausgehende Strahlung überlagert sich und formt abhängig von der Ausrichtung der Seitenflächen und dem Abstrahlprofil der einzelnen lichtemittierenden Halbleiterchips die Gesamtabstrahlcharakteristik des optoelektronischen Bauteils. Diese kann folglich über die Geometrie des Grundkörpers 1 in weiten Grenzen variiert werden.In the in 1 embodiment shown is the main body 1 of the optoelectronic component designed substantially cube-shaped and thus has six side surfaces. On five of these side surfaces are light-emitting semiconductor chips 4 of which only two, the light-emitting semiconductor chips 4a and 4b , are visible in the embodiment. The sixth, in the figure downwardly facing side surface serves the support of the component, for. B. on a board. By the arrangement of several semiconductor chips 4 on the non-parallel surfaces 3 of the basic body 1 a radiation in several directions is achieved. The main body 1 is in principle not limited to a cube-shaped form, but may have any number of surfaces or facets for receiving light-emitting semiconductor chips. The radiation emanating from the individual chips is superimposed and, depending on the orientation of the side surfaces and the emission profile of the individual light-emitting semiconductor chips, shapes the overall emission characteristic of the optoelectronic component. This can consequently on the geometry of the body 1 be varied within wide limits.

Der Grundkörper 1 dient folglich zum Einen der Aufnahme und Halterung der lichtemittierenden Halbleiterchips 4. Als Halbleiterchips 4 können vorteilhaft Dünnfilm-Halbleiterchips eingesetzt werden, um kompakte Abmessungen des Bauteils zu erreichen. Darüber hinaus stellt der Grundkörper 1 elektrische Verbindungen zur Stromversorgung der Halbleiterchips 4 zur Verfügung. Zu diesem Zweck ist die Metallisierung 6 vorgesehen, die in festgelegten Bereichen des ansonsten isolierenden Grundkörpers 1 ausgeformt ist.The main body 1 Consequently, on the one hand, it serves to receive and hold the light-emitting semiconductor chips 4 , As semiconductor chips 4 can before Partially thin-film semiconductor chips are used to achieve compact dimensions of the component. In addition, the basic body presents 1 electrical connections for powering the semiconductor chips 4 to disposal. For this purpose is the metallization 6 provided in fixed areas of the otherwise insulating body 1 is formed.

Bevorzugt ist der Grundkörper 1 dazu als so genanntes moulded interconnect device (MID) ausgestaltet. Bei dieser Herstellungstechnik wird der Grundkörper im Plastik-Spritzgussverfahren hergestellt, wodurch auf einfache Weise beliebige geometrische Formen auch bei kleinen Abmessungen preisgünstig gefertigt werden können. Um die Metallisierung 6 selektiv auf bestimmte Bereiche des Grundkörpers 1 aufzubringen oder in bestimmte Bereiche des Grundkörpers 1 einzubringen, sind in der MID-Technik verschiedene Verfahren bekannt.The basic body is preferred 1 for this purpose designed as a so-called molded interconnect device (MID). In this manufacturing technique, the base body is produced by plastic injection molding, which can be manufactured inexpensively any geometric shapes in a simple manner, even with small dimensions. To the metallization 6 selectively on certain areas of the body 1 to apply or in certain areas of the body 1 to bring in, various methods are known in the MID technology.

Zum einen kann das Spritzgussherstellungsverfahren in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten erfolgen, wobei ein isolierender Kunststoff und ein metallisierter, leitender Kunststoff räumlich ineinander verzahnt den Grundkörper 1 bilden. Die Metallisierung 6 kann auf diese Weise entweder an der Oberfläche des Grundkörpers 1 oder auch in seinem Inneren angeordnet sein.On the one hand, the injection molding production process can be carried out in several successive steps, wherein an insulating plastic and a metallized conductive plastic spatially interlocking the main body 1 form. The metallization 6 can be this way either on the surface of the main body 1 or be arranged in its interior.

Eine weitere Möglichkeit zur Aufbringung der Metallisierung bedient sich ebenfalls eines Zweikomponenten-Spritzgussverfahrens, wobei zwei verschiedene isolierende Kunststoffe eingesetzt werden. Die beiden Kunststoffe unterscheiden sich darin, dass auf einem der beiden Kunststoffe auf eine metallische Schicht abgeschieden werden kann, auf dem anderen jedoch nicht. Damit kann, beispielsweise durch einen stromlosen Metallabscheideprozess, die Metallisierung 6 nachträglich selektiv auf nur einen der beiden Kunststoffe des im Spritzgussverfahren hergestellten Grundkörpers 1 aufgebracht werden, wodurch räumlich selektiv bestimmte Bereiche des Grundkörpers 1 Strom leitend werden.Another possibility for applying the metallization also uses a two-component injection molding process, wherein two different insulating plastics are used. The two plastics differ in that one of the two plastics can be deposited on one metallic layer, but not on the other. Thus, for example, by an electroless Metallabscheideprozess, the metallization 6 subsequently selective to only one of the two plastics of the base body produced by injection molding 1 be applied, thereby spatially selectively certain areas of the body 1 Electricity becomes conductive.

Als dritte Möglichkeit ist bekannt, den Grundkörper 1 aus einem Kunststoff im Spritzgussverfahren herzustellen, der durch Laserbestrahlung geeigneter Wellenlänge und Intensität seine elektrischen Eigenschaften von nicht leitend zu leitend verändert. Dieses kann zum Beispiel erreicht werden, indem einem Kunststoff Metallionenkomplexe zugefügt werden.As a third possibility is known, the basic body 1 made of a plastic by injection molding, which changes its electrical properties from non-conductive to conductive by laser irradiation of suitable wavelength and intensity. This can be achieved, for example, by adding metal ion complexes to a plastic.

Weiterhin sind Polymermaterialien bekannt, bei denen eine Leitfähigkeit durch Bestrahlung aktiviert werden kann. Die Metallisierung 6 kann durch einen Lasereinschreibeprozess somit räumlich selektiv auf den Grundkörper 1 aufgebracht werden.Furthermore, polymer materials are known in which a conductivity can be activated by irradiation. The metallization 6 can by a laser writing process thus spatially selective on the body 1 be applied.

In dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Metallisierung 6 so ausgeführt, dass zwei Anschlusselemente 7, von denen in der Figur nur eines sichtbar ist, sowie Leiterbahnen 8 und die Kontaktpunkte 9a, 9b. Die Anschlusselemente 7 dienen dabei sowohl der Montage als auch dem elektrischen Anschluss des optoelektronischen Bauteils als oberflächenmontierbares Bauelement (SMT – surface mounted technology). Zu diesem Zweck kann die Metallisierung 6 im Bereich der Anschlusselemente 7 gegenüber den Leiterbahnen 8 verdickt ausgeführt sein. Ebenfalls ist denkbar, dass im Bereich der Anschlusselemente 7 eine zusätzliche Metallschicht zum Beispiel galvanisch aufgebracht ist.In the in 1 The embodiment shown is the metallization 6 designed so that two connection elements 7 of which only one is visible in the figure, as well as tracks 8th and the contact points 9a . 9b , The connection elements 7 serve both the assembly and the electrical connection of the optoelectronic device as a surface mountable device (SMT - surface mounted technology). For this purpose, the metallization 6 in the area of the connection elements 7 opposite the tracks 8th be executed thickened. It is also conceivable that in the area of the connection elements 7 an additional metal layer, for example, is applied galvanically.

Alternativ ist es möglich, Anschlussfahnen oder -drähte als Anschlusselemente 7 vorzusehen, die aus dem Grundkörper 1 herausragen und eine konventionelle Montage des optoelektronischen Bauteils ermöglichen.Alternatively, it is possible to use terminal lugs or wires as connection elements 7 to provide that from the main body 1 protrude and allow conventional mounting of the optoelectronic device.

Ausgehend von den Anschlusselementen 7 erstreckt sich die Metallisierung 6 als Leiterbahn 8 bis zu den Kontaktpunkten 9a, 9b neben den Halbleiterchips 4a und 4b. In der Figur nicht sichtbar sind weitere Kontaktpunkte unterhalb der montierten Halbleiterchips. Auf diese nicht sichtbaren Kontaktpunkte ist der Halbleiterchip zum Beispiel mit einem leitfähigen Kleber aufgebracht. Von den sichtbaren, seitlich von den Halbleiterchips 4 angeordneten Kontaktpunkten 9 ist jeweils ein Kontaktdraht zur sichtbaren Kontaktfläche 5 des Halbleiterchips 4 geführt. Die Kontaktpunkte 9a und 9b sind somit in ihrer Funktion mit Bondpads zu vergleichen und der Kontaktdraht 10a, 10b entspricht einem Bondwire. Entsprechend können bekannte Bondtechniken zur Herstellung der Verbindung vom Kontaktpunkt 9 zu den Kontaktbereichen 5 eingesetzt werden.Starting from the connection elements 7 extends the metallization 6 as a conductor track 8th up to the contact points 9a . 9b in addition to the semiconductor chips 4a and 4b , Not visible in the figure are further contact points below the assembled semiconductor chips. On these non-visible contact points of the semiconductor chip, for example, applied with a conductive adhesive. From the visible side of the semiconductor chips 4 arranged contact points 9 is in each case a contact wire to the visible contact surface 5 of the semiconductor chip 4 guided. The contact points 9a and 9b are thus comparable in function with bond pads and the contact wire 10a . 10b corresponds to a bondwire. Accordingly, known bonding techniques for making the connection from the contact point 9 to the contact areas 5 be used.

Jeder lichtemittierende Halbleiterchip 4 wird folglich über zwei Kontaktpunkte mit Strom versorgt. Innerhalb des optoelektronischen Bauelements können die Halbleiterchips 4 entweder parallel oder in Serie oder in einer Kombination von Serien- und Parallelverschaltung verdrahtet sein. Auch ist es möglich, neben den lichtemittierenden Halbleiterchips 4 weitere Halbleiterchips, die elektronische Steuerkreise aufweisen, vorzusehen, die die lichtemittierenden Halbleiterchips 4 ansteuern. Ein solcher Halbleiterchip kann zum Beispiel auf der nicht mit einem Halbleiterchip 4 belegten unteren Seitenfläche des Grundkörpers 1 angeordnet sein.Each light-emitting semiconductor chip 4 is thus supplied with power via two contact points. Within the optoelectronic component, the semiconductor chips 4 wired either in parallel or in series or in a combination of series and parallel connection. It is also possible, in addition to the light-emitting semiconductor chips 4 further semiconductor chips having electronic control circuits to provide, which the light emitting semiconductor chips 4 drive. Such a semiconductor chip, for example, on the not with a semiconductor chip 4 occupied lower side surface of the body 1 be arranged.

Zum Schutz der Halbleiterchips 4 und der Kontaktdrähte 10 kann vorgesehen sein, die Ausnehmungen 2 im Grundkörper 1 mit einer Vergussmasse auszufüllen. Weiterhin kann der Grundkörper 1 als Ganzes von einer Vergussmasse umgeben sein, wobei nur die Anschlusselemente 7 auszunehmen sind. Die Vergussmasse schützt die Halbleiterchips 4 vor chemischen und mechanischen Umgebungseinflüssen und kann zudem so geformt sein, dass sie Strahl formend wirkt.To protect the semiconductor chips 4 and the contact wires 10 can be provided, the recesses 2 in the main body 1 filled with a potting compound. Furthermore, the main body 1 be surrounded as a whole by a potting compound, with only the connection elements 7 are to be excluded. The potting compound protects the semiconductor chips 4 in front chemical and mechanical environmental influences and can also be shaped so that it forms beam shaping.

Diese Vergussmasse kann zudem lichtkonvertierende, also die Lichtwellenlänge beeinflussende Eigenschaften, haben. Dieses kann entweder erreicht werden, indem die Vergussmasse ein entsprechendes Material aufweist oder aus diesem besteht oder ein entsprechendes Material in sie eingebettet ist. Ein geeignetes Material ist beispielsweise YAG:Ce, bei dem eine Lichtkonversation durch einen Lumineszenzprozess erfolgt. Durch ein Material mit lichtkonvertierenden Eigenschaften kann auch mit spektral schmalbandig, im Extremfall monochromatisch abstrahlenden lichtemittierenden Halbleiterchips 4 eine spektral breite, weißlichtähnlichen Strahlung des optoelektronischen Bauteils erreicht werden, die für Beleuchtungszwecke besonders geeignet ist. Eine weitere Möglichkeit, um das vom optoelektronischen Bauteil abgestrahlte Licht in seiner Farbe zu beeinflussen, besteht darin, verschiedenfarbige lichtemittierende Halbleiterchips 4 vorzusehen. Diese können einzeln oder zusammen betrieben werden, wobei im letzteren Fall Mischfarben erzeugt werden können.This potting compound can also light-converting, so the light wavelength influencing properties have. This can either be achieved by the potting compound has a corresponding material or consists of this or a corresponding material is embedded in it. A suitable material is, for example, YAG: Ce, in which a light conversation is effected by a luminescence process. By means of a material with light-converting properties, it is also possible to use spectrally narrow-band, in extreme cases monochromatically, light-emitting semiconductor chips which emit light 4 a spectrally broad, white light-like radiation of the optoelectronic device can be achieved, which is particularly suitable for lighting purposes. Another possibility for influencing the color emitted by the optoelectronic component in its color is to use differently colored light-emitting semiconductor chips 4 provided. These can be operated individually or together, in the latter case mixed colors can be generated.

2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils. Das Bauteil weist wiederum einen würfelförmigen Grundkörper 1 mit Ausnehmungen 2 in den Seitenflächen auf. In vier dieser Ausnehmungen 2 sind Halbleiterchips angeordnet. In der in der Figur nach oben weisenden Ausnehmung 2 ist eine Linse 15 vorgesehen. Die nach unten weisende Fläche des Grundkörpers 1 ist als Spiegel 16 ausgestaltet. 2 shows a further embodiment of an optoelectronic device. The component in turn has a cube-shaped body 1 with recesses 2 in the side surfaces. In four of these recesses 2 are arranged semiconductor chips. In the upwardly facing in the figure recess 2 is a lens 15 intended. The downward facing surface of the body 1 is as a mirror 16 designed.

Auch bei dem Ausführungsbeispiel der 2 ist eine Metallisierung des Grundkörpers 1 vorgesehen, über die das optoelektronische Bauteil angeschlossen wird und die der Stromzufuhr zu den einzelnen Halbleiterchips 4 dient. Diese ist aus Gründen der Übersichtlichkeit in der Figur nicht dargestellt.Also in the embodiment of 2 is a metallization of the body 1 provided, via which the optoelectronic component is connected and the power supply to the individual semiconductor chips 4 serves. This is not shown in the figure for reasons of clarity.

Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 1 ist im Beispiel der 2 ein transparenter Kunststoff für den Grundkörper 1 vorgesehen. Als Halbleiterchips 4a bis 4d werden zu beiden Seiten lichtemittierende Halbleiterchips 4 eingesetzt. Solche Halbleiterchips sind in 3 dargestellt. Die Halbleiterchips 4 weist einen Schichtstapel auf, der eine n-seitige Schichtenfolge 11 mit einem n-Kontaktbereich 12 sowie eine p-seitige Schichtenfolge 13 und einen p-Kontaktbereich 14 umfasst. In der linken Bildhälfte ist die Aufsicht auf die n-seitige Schichtenfolge 11 dargestellt, in der rechten Bildhälfte ist der Halbleiterchip um 180° gedreht dargestellt, sodass die p-seitige Schichtenfolge 13 sichtbar ist. Eine Abstrahlung in beide Richtungen wird dadurch ermöglicht, dass sowohl der n-Kontaktbereich 12 als auch der p-Kontaktbereich 14 sich nicht über die gesamte laterale Ausdehnung des Halbleiterchips 4 erstreckt.In contrast to the embodiment of 1 is in the example of 2 a transparent plastic for the body 1 intended. As semiconductor chips 4a to 4d become light-emitting semiconductor chips on both sides 4 used. Such semiconductor chips are in 3 shown. The semiconductor chips 4 has a layer stack which has an n-sided layer sequence 11 with a n-contact area 12 and a p-side layer sequence 13 and a p-contact region 14 includes. In the left half of the picture is the supervision of the n-sided layer sequence 11 shown, in the right half of the semiconductor chip is shown rotated by 180 °, so that the p-side layer sequence 13 is visible. A radiation in both directions is made possible by the fact that both the n-contact area 12 as well as the p-contact area 14 not over the entire lateral extent of the semiconductor chip 4 extends.

Weiterhin sind die Halbleiterchips 4 substratlos ausgeführt. Der Ausdruck ”substratlos” bedeutet in diesem Zusammenhang, dass ein für das epitaktische Wachstum des Schichtstapels des Halbleiterchips 4 notwendiges Aufwachssubstrat von dem Schichtstapel vollständig entfernt ist oder seine Dicke zumindest so stark reduziert ist, dass nur ein dünner Rest des Aufwachssubstrats auf dem Schichtstapel verbleibt. Auch weist der substratlose Schichtstapel vorzugsweise keinen Hilfsträger auf, der ihn mechanisch stützt. Die Dicke des substratlosen Halbleiterchips 4 ist zweckmäßigerweise kleiner oder gleich 20 μm, bevorzugt kleiner oder gleich 10 μm, sodass in keiner der beiden Strahlungsrichtungen eine nennenswerte Absorption im Schichtstapel selbst erfolgt Furthermore, the semiconductor chips 4 carried out without substrata. The term "substrateless" in this context means that one for the epitaxial growth of the layer stack of the semiconductor chip 4 necessary growth substrate is completely removed from the layer stack or its thickness is at least reduced so much that only a thin remnant of the growth substrate remains on the layer stack. Also, the substrateless layer stack preferably has no auxiliary carrier, which mechanically supports it. The thickness of the substrateless semiconductor chip 4 is expediently less than or equal to 20 microns, preferably less than or equal to 10 microns, so that in any of the two radiation directions, a significant absorption in the layer stack itself takes place

Durch die in der 3 dargestellten lichtemittierenden Halbleiterchips 4 ergibt sich beim Betrieb des optoelektronischen Bauteils gemäß 2 eine Lichtabstrahlung in den transparenten Grundkörper 1 hinein. Nach innen abgestrahltes Licht kann entweder direkt oder nach Reflexion an dem Spiegel 16 oder nach einer inneren Reflexion an einer Grenzfläche des Grundkörpers 1 den Grundkörper 1 durch nicht mit Halbleiterchips 4 belegte Oberflächenbereiche oder über die Linse 15 wieder verlassen. Auf diese Weise werden Absorptionsverluste innerhalb des optoelektronischen Bauteils minimiert und es wird erreicht, dass der größte Teil des von den Halbleiterchips 4 abgestrahlten Lichts genutzt werden kann.By in the 3 illustrated light-emitting semiconductor chips 4 arises during operation of the optoelectronic device according to 2 a light emission into the transparent base body 1 into it. Inwardly emitted light can be either directly or after reflection on the mirror 16 or after an internal reflection at an interface of the main body 1 the main body 1 not with semiconductor chips 4 occupied surface areas or over the lens 15 leave again. In this way, absorption losses within the optoelectronic device are minimized and it is achieved that the largest part of the semiconductor chip 4 radiated light can be used.

Die Linse 15 kann entweder auf den Grundkörper 1 aufgesetzt sein oder in einer vorteilhaften Ausgestaltung einstückig mit dem Grundkörper 1 im Spritzgussverfahren angeformt sein. Statt einer Linse sind weitere strahlungsformenden Elemente wie zum Beispiel Prismen oder eine Mikroprismenanordnung auf einer oder mehreren Oberflächen des Grundkörpers 1 möglich. Der Spiegel 16 kann durch die Metallisierung, aus der die Anschlusselemente und Leiterbahnen zur Stromversorgung der Halbleiterchips 4 geformt sind, gebildet werden. Es ist jedoch auch möglich, den Spiegel 16 in einem separaten Galvanisierungsschritt aufzubringen.The Lens 15 can either be on the main body 1 be placed or in one advantageous embodiment integral with the body 1 be molded by injection molding. Instead of a lens, further radiation-shaping elements, such as prisms or a micro-prism arrangement, are disposed on one or more surfaces of the base body 1 possible. The mirror 16 can through the metallization, from which the connection elements and conductor tracks for power supply of the semiconductor chips 4 are formed. However, it is also possible the mirror 16 in a separate electroplating step.

Die 4 zeigt den Einsatz eines optoelektronischen Bauteils, beispielsweise des in 2 gezeigten Bauteils, im Zusammenhang mit einem externen Reflektor 17. Zur Positionierung des optoelektronischen Bauteils im externen Reflektor 17 ist dabei eine Halterung 18 vorgesehen. Die Halterung 18 kann dabei integral mit dem Grundkörper 1 ausgebildet sein oder als separates Element ausgeführt sein.The 4 shows the use of an optoelectronic component, for example, the in 2 shown component, in connection with an external reflector 17 , For positioning the optoelectronic component in the external reflector 17 is a holder 18 intended. The holder 18 can be integral with the main body 1 be formed or executed as a separate element.

In 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauteils gezeigt. Wiederum ist ein würfelförmiger Grundkörper 1 vorgesehen, auf dessen Seitenflächen Halbleiterchips 4a und 4b angeordnet sind. Im Unterschied zu den vorangehenden Ausführungsbeispielen sind hier keine Ausnehmungen in den Seitenflächen vorgesehen, was jedoch auch hier möglich wäre. Umgekehrt ist eine Ausgestaltung ohne Ausnehmungen selbstverständlich auch im Zusammenhang mit den zuvor gezeigten Beispielen denkbar.In 5 a further embodiment of an optoelectronic device is shown. In turn is a cube-shaped body 1 provided on the side surfaces of semiconductor chips 4a and 4b are arranged. In contrast to the preceding embodiments, no recesses are provided in the side surfaces, but this would also be possible here. Conversely, a configuration without recesses is of course also conceivable in connection with the examples shown above.

Im Inneren des Grundkörpers 1 ist eine Kavität 19 vorgesehen, die wie ein U-förmiges Rohr ausgelegt ist und zwei nach außen weisende Öffnungen als Flüssigkeitszuführung 20 aufweist. Angeschlossen über die Zuführungen 20 kann die Kavität 19 im Betrieb von einer Kühlflüssigkeit durchströmt werden, sodass von den Halbleiterchips 4 abgegebene Wärme von der Kühlflüssigkeit aufgenommen und aus dem Gehäusekörper 1 abgeführt werden kann. Vorteilhaft wird als Material für den Grundkörper 1 ein isolierendes, aber Wärme leitendes Material eingesetzt.Inside the main body 1 is a cavity 19 provided, which is designed as a U-shaped tube and two outwardly facing openings as liquid supply 20 having. Connected via the feeders 20 can the cavity 19 be flowed through during operation of a cooling liquid, so that of the semiconductor chips 4 emitted heat absorbed by the cooling liquid and from the housing body 1 can be dissipated. Is advantageous as a material for the body 1 used an insulating, but heat-conducting material.

In einer weiteren Ausgestaltung ist es möglich, die Kavität 19 ohne Zuführungen 20 als nach außen abgeschlossenen inneren Hohlraum auszuführen, der mit einer Flüssigkeit mit guter Wärmeleitfähigkeit und/oder hoher Wärmekapazität gefüllt ist. Eine hohe Wärmekapazität der Flüssigkeit ist dann geeignet, kurzzeitig, zum Beispiel im Pulsbetrieb, auftretende Wärmemengen als Puffer aufzunehmen.In a further embodiment, it is possible to use the cavity 19 without feeders 20 as outwardly closed internal cavity filled with a liquid having good thermal conductivity and / or high heat capacity. A high heat capacity of the liquid is then suitable, for a short time, for example, in pulse mode, absorb heat quantities occurring as a buffer.

In einer alternativen Ausgestaltung kann eine Flüssigkeitskühlung auch bei einem Grundkörper 1, der keine Kavität 19 aufweist, wie beispielsweise in den 1 bis 4 dargestellt, erreicht werden. In diesem Fall ist der Grundkörper 1 in einem Gehäuse angeordnet und von Flüssigkeit umgeben. Bevorzugt sollten die lichtemittierenden Halbleiterchips 4 und auch an der Oberfläche des Grundkörpers 1 liegende Bereiche der Metallisierung 6 dabei von einer isolierenden und aus Gründen des Korrosionsschutzes abdichtenden Vergussmasse umgeben sein. Das Gehäuse kann wiederum abgeschlossen und mit Flüssigkeit gefüllt sein, so dass die Flüssigkeit der Wärmeverteilung und als Wärmepuffer dient. Alternativ ist es möglich, dass das Gehäuse eine Flüssigkeitszuführungen aufweist und im Betrieb des optoelektronischen Bauteils von einer Flüssigkeit durchströmt wird.In an alternative embodiment, liquid cooling can also be applied to a base body 1 that no cavity 19 has, such as in the 1 to 4 represented reached. In this case, the main body 1 arranged in a housing and surrounded by liquid. The light-emitting semiconductor chips should be preferred 4 and also on the surface of the body 1 lying areas of the metallization 6 be surrounded by an insulating and for reasons of corrosion protection sealing potting compound. The housing can in turn be closed and filled with liquid, so that the liquid of the heat distribution and serves as a heat buffer. Alternatively, it is possible for the housing to have a liquid feed and for a liquid to flow through it during operation of the optoelectronic component.

In allen zuvor genannten Fällen ist bei einem transparenten Grundkörper 1 vorteilhafterweise auch eine transparente Flüssigkeit einzusetzen. Darüber hinaus ist die Verwendung einer lichtkonvertierenden Flüssigkeit denkbar.In all the cases mentioned above is in a transparent body 1 advantageously to use a transparent liquid. In addition, the use of a light-converting liquid is conceivable.

In diesem und auch den zuvor gezeigten Ausführungsbeispielen kann zudem vorgesehen sein, die Metallisierung 6 selbst möglichst Wärme leitend auszugestalten, sodass von den Halbleiterchips 6 abgegebene Wärme über die Anschlusselemente 7 an die Umgebung oder an einen externen Kühlkörper als Wärmesenke geführt werden kann.In this and also the previously shown embodiments can also be provided, the metallization 6 Even as possible heat conductive design, so that of the semiconductor chips 6 emitted heat through the connection elements 7 can be performed to the environment or to an external heat sink as a heat sink.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited to these. Rather, the invention encompasses every new feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in the claims includes, even if this feature or this combination itself not explicitly in the patent claims or embodiments is specified.

Claims (16)

Optoelektronisches Bauteil mit – einem Grundkörper (1) und – mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterchips (4), die auf mindestens zwei nicht parallelen Flächen (3) des Grundkörpers (1) angeordnet sind, wobei – der Grundkörper (1) eine Metallisierung (6) zur Stromversorgung der lichtemittierenden Halbleiterchips (4) aufweist.Opto-electronic component with - a basic body ( 1 ) and - at least two light-emitting semiconductor chips ( 4 ) on at least two non-parallel surfaces ( 3 ) of the basic body ( 1 ) are arranged, wherein - the basic body ( 1 ) a metallization ( 6 ) for the power supply of the light-emitting semiconductor chips ( 4 ) having. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 1, bei dem Anschlusselemente (7) zum Anschluss des Bauteils vorgesehen sind, wobei durch die Metallisierung (6) Leiterbahnen (8) zur Verbindung der lichtemittierenden Halbleiterchips (4) mit den Anschlusselementen (7) gebildet sind.Optoelectronic component according to Claim 1, in which connection elements ( 7 ) are provided for connection of the component, wherein by the metallization ( 6 ) Conductor tracks ( 8th ) for connecting the light-emitting semiconductor chips ( 4 ) with the connecting elements ( 7 ) are formed. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 2, bei dem die Anschlusselemente (7) ebenfalls durch die Metallisierung (6) gebildet sind.Optoelectronic component according to Claim 2, in which the connection elements ( 7 ) also by the metallization ( 6 ) are formed. Optoelektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Grundkörper (1) ein Moulded Interconnect Device ist.Optoelectronic component according to one of Claims 1 to 3, in which the base body ( 1 ) is a molded interconnect device. Optoelektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Grundkörper (1) transparent ist.Optoelectronic component according to one of Claims 1 to 4, in which the main body ( 1 ) is transparent. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 5, bei dem der Grundkörper (1) mindestens eine Oberfläche aufweist, die optisch funktionell strukturiert oder mikrostrukturiert ist.Optoelectronic component according to Claim 5, in which the basic body ( 1 ) has at least one surface which is optically functionally structured or microstructured. Optoelektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Grundkörper (1) von einer Vergussmasse umgeben ist.Optoelectronic component according to one of Claims 1 to 6, in which the main body ( 1 ) is surrounded by a potting compound. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 7, bei dem die Vergussmasse Lichtkonversionseigenschaften hat oder ein lichtkonvertierendes Material in der Vergussmasse vorgesehen ist oder von dieser umschlossen wird.An optoelectronic component according to claim 7, wherein the potting compound has light conversion properties or a light-converting Material is provided in the potting compound or enclosed by this becomes. Optoelektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die lichtemittierenden Halbleiterchips (4) Dünnfilm-Halbleiterchips sind.Optoelectronic component according to one of Claims 1 to 8, in which the light-emitting semiconductor chips ( 4 ) Are thin-film semiconductor chips. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 9, bei dem die lichtemittierenden Halbleiterchips (4) substratlos sind.Optoelectronic component according to Claim 9, in which the light-emitting semiconductor chips ( 4 ) are substrateless. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 10, bei dem die lichtemittierenden Halbleiterchips (4) beidseitig emittierend sind.Optoelectronic component according to Claim 10, in which the light-emitting semiconductor chips ( 4 ) are emitting on both sides. Optoelektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem der Grundkörper (1) eine geschlossene Kavität aufweist, die mit einer Flüssigkeit gefüllt ist.Optoelectronic component according to one of claims 1 to 11, in which the basic body ( 1 ) has a closed cavity which is filled with a liquid. Optoelektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem der Grundkörper (1) eine Kavität (19) aufweist, sowie mit der Kavität (19) verbundene Zuführungen (20) zum Zuführen einer die Kavität (19) durchströmenden Flüssigkeit.Optoelectronic component according to one of claims 1 to 11, in which the basic body ( 1 ) a cavity ( 19 ), as well as with the cavity ( 19 ) associated allocations ( 20 ) for feeding a cavity ( 19 ) flowing liquid. Optoelektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem der Grundkörper (1) innerhalb eines Gehäuses angeordnet ist, wobei das Gehäuse so ausgeführt ist, dass der Grundkörper (1) von einer Flüssigkeit umschlossen ist oder umströmt werden kann.Optoelectronic component according to one of Claims 1 to 12, in which the base body ( 1 ) is arranged within a housing, wherein the housing is designed so that the main body ( 1 ) is surrounded by a liquid or can be flowed around. Optoelektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 14, das neben den lichtemittierenden Halbleiterchips (4) auf einer Oberfläche des Grundkörpers (1) aufgebrachte elektronische Halbleiterchips aufweist.Optoelectronic component according to one of claims 1 to 14, which in addition to the light-emitting semiconductor chips ( 4 ) on a surface of the base body ( 1 ) has applied electronic semiconductor chips. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils umfassend die folgenden Schritte: – Erstellen eines Grundkörpers (1) in einem Spritzgussverfahren; – Aufbringen einer Metallisierung (6) auf oder Einbringen der Metallisierung (6) in ausgewählte Bereiche des Grundkörpers (1) und – Anordnen von mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterchips (4) auf mindestens zwei nicht parallele Flächen (3) des Grundkörpers (1) derart, dass die Metallisierung (6) der Stromversorgung der lichtemittierenden Halbleiterchips (4) dient.Method for producing an optoelectronic device comprising the following steps: - creating a basic body ( 1 ) in an injection molding process; Application of a metallization ( 6 ) or introducing the metallization ( 6 ) in selected areas of the body ( 1 ) and - arranging at least two light-emitting semiconductor chips ( 4 ) on at least two non-parallel surfaces ( 3 ) of the basic body ( 1 ) such that the metallization ( 6 ) of the power supply of the light-emitting semiconductor chips ( 4 ) serves.
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