DE102008011394A1 - Method for assembling electronic components of assembly building group on plastic carrier substrate, involves providing bond pad in area adjacent to contact area or in contact area with fastening recess - Google Patents

Method for assembling electronic components of assembly building group on plastic carrier substrate, involves providing bond pad in area adjacent to contact area or in contact area with fastening recess Download PDF

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Abstract

The method involves providing a bond pad (5) in an area adjacent to a contact area or in a contact area with a fastening recess (6). The bond pad is exposed together with a carrier substrate (1) such that a fastener is assigned in an area, which encloses the fastening recess. The fastening recess is filled with the fastener. An electrically conductive adhesive is used as connecting medium which is made of an electrically polymer resin. An electrically leading particle (3p) is formed from silver flakes or from metalized polymer spheres. An independent claim is included for an assembly building group with a connection of electronic components.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Montage von elektronischen Bauelementen sowie eine Montagebaugruppe mit einem auf ein Trägersubstrat montierten elektronischen Bauelement.The The invention relates to a method for assembling electronic Components and a mounting assembly with a mounted on a support substrate electronic component.

Bei der direkten Montage von Halbleiter-Chips, der sog. Flip-Chip-Montage, wird der Chip ohne weitere Anschlussdrähte direkt mit der aktiven Kontaktierungsseite nach unten zum Substrat bzw. zum Schaltungsträger hin montiert. Dazu wird der Chip beispielsweise mit Kontaktierungshügeln, sog. Bumps, versehen und unter Zwischenschaltung eines Klebers und/oder Lots unter Temperatur- und Druckeinwirkung mit dem Substrat verbunden. Dabei kann es zu Problemen mit Kleberschichten des Substrats kommen, die beim Bonden erweichen und beispielsweise die Haftung zwischen einer aufgalvanisierten Kontaktschicht und dem übrigen Substrataufbau verschlechtern.at the direct assembly of semiconductor chips, the so-called flip-chip assembly, The chip is directly connected to the active contacting side without any additional connection wires down to the substrate or to the circuit board mounted. This will be the chip, for example, with Kontaktierungshügeln, so-called. Bumps provided and with the interposition of an adhesive and / or solder under temperature and pressure associated with the substrate. It may be too Problems come with adhesive layers of the substrate, which during bonding soften and, for example, the adhesion between a galvanized Contact layer and the rest Worsen substrate structure.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein verbessertes Montageverfahren für elektronische Bauelemente sowie eine verbesserte Montagebaugruppe anzugeben.task The present invention is an improved method of assembly for electronic components and specify an improved assembly assembly.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst mit einem Verfahren zur Montage von elektronischen Bauelementen, wie Flip-Chips oder gekapselten integrierten Schaltkreisen, auf einem Kunststoff-Trägersubstrat, wobei die Anschlüsse des elektronischen Bauelements mit auf dem Trägersubstrat angeordneten elektrisch leitenden Bond-Pads verbunden werden, wobei die Bond-Pads Kontaktbereiche für die Anschlüsse des elektronischen Bauelements bereitstellen und wobei das elektronische Bauelement auf dem Trägersubstrat durch ein Verbindungsmittel gesichert wird, wobei vorgeschlagen wird, dass das Bond-Pad in einem dem Kontaktbereich benachbarten Bereich und/oder im Kontaktbereich mit mindestens einer Befestigungsausnehmung versehen wird, wobei zugleich das Trägersubstrat freigelegt wird, dass das Verbindungsmittel in einem Bereich aufgetragen wird, der die mindestens eine Befestigungsausnehmung einschließt, und dass die mindestens eine Befestigungsausnehmung mit dem Verbindungsmittel gefüllt wird. Die Aufgabe wird weiter gelöst mit einer Montagegruppe mit einem auf ein Trägersubstrat montierten elektronischen Bauelement, wie einen Flip-Chip oder einen gekapselten integrierten Schaltkreis, wobei die Anschlüsse des elektronischen Bauelements mit auf dem Trägersubstrat angeordneten elektrisch leitenden Bond-Pads elektrisch verbunden sind, wobei die Bond-Pads Kontaktbereiche für die Anschlüsse des elektronischen Bauelements aufweisen und wobei das elektronische Bauelement auf dem Trägersubstrat durch ein Verbindungsmittel gesichert ist, wobei vorgeschlagen wird, dass das Bond-Pad in einem dem Kontaktbereich benachbarten Bereich und/oder im Kontaktbereich mindestens eine Befestigungsausnehmung aufweist, die mindestens das Trägersubstrat freilegt, dass das Verbindungsmittel in einem Bereich aufgetragen ist, der die mindestens eine Befestigungsausnehmung einschließt, und dass die mindestens eine Befestigungsausnehmung von dem Verbindungsmittel ausgefüllt ist.According to the invention this Task solved with a method for assembling electronic components, such as Flip chips or encapsulated integrated circuits, on one Plastic carrier substrate, the connections of the electronic component with arranged on the carrier substrate electrically conductive bond pads are connected, wherein the bond pads contact areas for the connections of the provide electronic component and wherein the electronic Component on the carrier substrate is secured by a connecting means, being proposed is that the bond pad in a contact area adjacent Area and / or in the contact area with at least one mounting recess is provided, wherein at the same time the carrier substrate is exposed, that the bonding agent is applied in an area that the includes at least one mounting recess, and that the at least one Fastening recess is filled with the connecting means. The task will be solved further with a mounting group with a mounted on a support substrate electronic Component, such as a flip-chip or an encapsulated integrated Circuit, with the connections of the electronic component with arranged on the carrier substrate electrically conductive bond pads are electrically connected, the bond pads Contact areas for the connections of the electronic component and wherein the electronic component on the carrier substrate secured by a connecting means, suggesting the bond pad is in an area adjacent to the contact area and / or has at least one fastening recess in the contact region, the at least the carrier substrate exposes that the bonding agent is applied in a region that the includes at least one mounting recess, and that the at least a mounting recess is filled by the connecting means.

Durch die erfindungsgemäße Ausbildung des Bond-Pads mit Befestigungsausnehmungen wird erreicht, dass das Bond-Pad mindestens eine zusätzliche Verbindungsstelle zum Trägersubstrat aufweist und somit besser gegen thermische und/oder mechanische Beanspruchungen geschützt ist, insbesondere gegen thermische Beanspruchungen beim Bonden des elektronischen Bauelements.By the inventive design of Bond pads with fixing recesses is achieved that the bond pad at least one additional one Connection point to the carrier substrate and thus better against thermal and / or mechanical Protected loads is, in particular against thermal stress during bonding of the electronic component.

Am Bond-Pad angreifende Kräfte werden durch das erfindungsgemäße Verfahren bzw. bei dem erfindungsgemäßen Aufbau der Montagegruppe nun auch direkt auf das Trägersubstrat geleitet, so dass die Gefahr des Ablösens des Bond-Pads von dem Trägersubstrat wesentlich verringert ist. Bei dem Trägersubstrat kann es sich um eine Kunststofffolie aus PVC, PETF, PETG, PC, ABS usw. handeln. Die Stärke der Folie kann im Bereich von 20 bis 100 μm liegen.At the Bond pad attacking forces be through the inventive method or in the structure according to the invention The assembly group now also passed directly to the carrier substrate, so that the danger of detachment of the bond pad from the carrier substrate is significantly reduced. The carrier substrate may be a plastic film of PVC, PETF, PETG, PC, ABS, etc. act. The strenght the film can be in the range of 20 to 100 microns.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist besonders gut geeignet, um integrierte Schaltkreise, die eine RFID-Schaltung (RFID = Radio Frequency Identification) aufweisen, mit einer auf dem Trägersubstrat ausgebildeten Antennenstruktur zu verbinden.The inventive method is particularly well suited to integrated circuits that have a Have RFID (Radio Frequency Identification) circuit, with one on the carrier substrate to connect trained antenna structure.

Es kann vorgesehen sein, dass die Befestigungsausnehmung auch in das Trägersubstrat eingebracht wird. Damit gelangt das Verbindungsmittel auch in das Trägersubstrat oder durchdringt es, so dass es eine noch bessere Haftung aufweist. Es können sich weiter technologische Vorteile ergeben, wenn sich die Befestigungsausnehmung auch auf das Trägersubstrat erstreckt. Die Befestigungsausnehmungen können beispielsweise als durchgehende Perforierungen ausgebildet werden, wobei als Werkzeug zum Beispiel Nadeln einsetzbar sind. Eine unregelmäßige, mit einem Grat ausgebildete Querschnittsform kann die Haftung zwischen dem Verbindungsmittel und dem Trägersubstrat verbessern. Es sind auch andere Querschnittsformen möglich, zum Beispiel eine quadratische Querschnittsform. Als Verfahren zum Einbringen der Befestigungsausnehmungen kommen beispielsweise Abtragen mittels Laserstrahl oder Elektronenstrahl, Stanzen und Bohren in Frage. Durch geeignete Wahl der Wellenlänge kann der Laserstrahl beispielsweise eingestellt werden, um eine metallische Schicht, jedoch keine Kunststoffschicht zu perforieren. In metallische Schichten können die Befestigungsausnehmungen auch durch die Verfahren, die zum Strukturieren von metallischen Schichten geeignet sind, wie beispielsweise Ätzen oder Drucken, ausgebildet werden.It can be provided that the fastening recess is also introduced into the carrier substrate. Thus, the connecting means also enters the carrier substrate or penetrates it, so that it has an even better adhesion. There may be further technological advantages if the mounting recess also extends to the carrier substrate. The fastening recesses can be formed, for example, as continuous perforations, with needles being used as a tool, for example. An irregular burr-shaped cross-sectional shape can improve the adhesion between the bonding agent and the support substrate. Other cross-sectional shapes are possible, for example, a square cross-sectional shape. As a method for introducing the fastening recesses, for example, ablation by means of laser beam or electron beam, punching and drilling in question. By suitable choice of the wavelength of the laser beam can be adjusted, for example, to perforate a metallic layer, but no plastic layer. In metallic layers, the mounting recesses may also be formed by the methods used to structure metallic layers are suitable, such as etching or printing, are formed.

Es kann auch weiter vorgesehen sein, dass die Befestigungsausnehmung als Durchkontaktierung zwischen dem Bond-Pad und einer auf der Unterseite des Trägersubstrats im Bereich des Bond-Pads aufgebrachten elektrisch leitenden Schicht ausgebildet wird.It can also be further provided that the mounting recess as a via between the bond pad and one on the bottom of the carrier substrate in the region of the bond pad applied electrically conductive layer is trained.

Eine weitere vorteilhafte Ausbildung sieht vor, dass die Befestigungsausnehmung im Querschnitt eine Hinterschneidung aufweist, so dass das Verbindungsmittel in der Befestigungsausnehmung einen Anker ausbildet.A Further advantageous embodiment provides that the mounting recess has an undercut in cross section, so that the connecting means in the mounting recess forms an anchor.

Es kann vorgesehen sein, dass als Verbindungsmittel ein elektrisch nicht leitfähiger Kleber verwendet wird. Der elektrisch nicht leitfähige Kleber kann insbesondere vorgesehen sein, um Kurzschlüsse beim Bonden mit Sicherheit zu vermeiden.It can be provided that as connecting means an electrical non-conductive Glue is used. The electrically non-conductive adhesive can in particular be provided to short circuits to avoid with the bonding with security.

Es kann aber auch vorgesehen sein, dass als Verbindungsmittel ein elektrisch leitfähiger Kleber verwendet wird, der aus einem elektrisch nicht leitenden Polymer-Harz besteht, dessen Matrix elektrisch leitfähige Partikel aufweist.It but can also be provided that as connecting means an electric conductive Adhesive is used, which consists of an electrically non-conductive Polymer resin, whose matrix is electrically conductive particles having.

Bei den elektrisch leitenden Partikeln kann es sich beispielsweise um Silberflocken oder um metallbeschichtete Polymerkugeln handeln.at the electrically conductive particles may be, for example Silver flakes or act on metal-coated polymer balls.

Weiter kann vorgesehen sein, dass als Verbindungsmittel eine Lötpaste verwendet wird. Die Lötpaste kann beispielsweise mittels Siebdruck aufgebracht werden, wobei darauf zu achten ist, dass der Pastenauftrag im Register mit den Bond-Pads ist. Bei der Lötpaste kann es sich beispielsweise um eine Zinn-Silber-Legierung handeln, wie etwa Sn-3,5Ag. Dieses Material weist einen Schmelzpunkt von 221°C und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 23,5 × 10–6/°C auf. Das Trägersubstrat kann beispielsweise aus Polycarbonat bestehen, das einen Erweichungsbereich von 204 bis 221°C und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 66 bis 70 × 10–6/°C aufweist. Weil der thermische Ausdehnungskoeffizient des Trägersubstrats in diesem Beispiel ungefähr dreimal größer ist als der thermische Ausdehnungskoeffizient der Lötpaste, dehnen sich beim Erhitzen die Befestigungsausnehmungen mehr als die Lötpaste aus und begünstigen das Eindringen des geschmolzenen Lotes. Beim Abkühlen schrumpfen die Befestigungsausnehmungen stärker als das Lot und bilden dadurch einen guten Schutz gegen das Lockern der Verbindung.It can further be provided that a soldering paste is used as the connecting means. For example, the solder paste can be applied by screen printing, making sure that the paste application is in register with the bond pads. The solder paste may be, for example, a tin-silver alloy, such as Sn-3.5Ag. This material has a melting point of 221 ° C and a thermal expansion coefficient of 23.5 × 10 -6 / ° C. The carrier substrate may be made of, for example, polycarbonate having a softening range of 204 to 221 ° C and a thermal expansion coefficient of 66 to 70 × 10 -6 / ° C. Because the coefficient of thermal expansion of the carrier substrate in this example is about three times greater than the coefficient of thermal expansion of the solder paste, when heated, the attachment recesses expand more than the solder paste and promote the penetration of the molten solder. Upon cooling, the mounting recesses shrink more than the solder and thereby provide good protection against loosening of the connection.

Es kann vorgesehen sein, dass das Bauelement ein Flip-Chip ist, dessen Anschlüsse als Bumps ausgebildet sind. Die Bumps oder auch Kontaktierhügel sind im Allgemeinen halbkugelförmig ausgebildet, weil sie durch Aufschmelzen von auf die Kontaktflächen der Chips aufgebrachtes Material erzeugt werden und dabei infolge der wirkenden Oberflächenspannung eine Kugelfläche ausgebildet wird. Unter dem Begriff „Bumps” sollen aber auch drahtförmige Fortsätze verstanden werden, die im Allgemeinen eine Länge von 10 bis 20 μm haben können.It can be provided that the device is a flip-chip whose connections are designed as bumps. The bumps or contacting hills are generally hemispherical formed because they melt by on the contact surfaces of the Chips applied material can be generated and thereby as a result of acting surface tension a spherical surface is trained. The term "bumps" but also wire-shaped extensions understood which can generally have a length of 10 to 20 microns.

Die Bumps können vorteilhafterweise aus einer Gold- oder Nickel-Gold-Legierung ausgebildet sein.The Bumps can advantageously be formed of a gold or nickel-gold alloy.

Weiter kann vorgesehen sein, dass der Abstand zwischen der unterhalb des elektronischen Bauelements verlaufenden Außenkante des Bond-Pads und der dem elektronischen Bauelement zugewandeten Außenkante der Befestigungsausnehmung größer ist als die Differenz zwischen dem Mittenabstand der Bumps und dem Abstand der unterhalb des elektronischen Bauelements verlaufenden Außenkanten benachbarter Bond-Pads.Further can be provided that the distance between the below the electronic component extending outer edge of the bond pad and the electronic component facing outer edge the mounting recess is larger as the difference between the center distance of the bumps and the distance the extending below the electronic component outer edges adjacent bond pads.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigenThe The invention will now be explained in more detail with reference to exemplary embodiments. It demonstrate

1 einen nach dem Stand der Technik auf einem Trägersubstrat montierten Flip-Chip in schematischer Schnittdarstellung; 1 a mounted on a carrier substrate according to the prior art flip-chip in a schematic sectional view;

2 den nach dem Stand der Technik montierten Flip-Chip in 1 in schematischer Draufsicht; 2 the prior art mounted flip-chip in 1 in a schematic plan view;

3 ein erstes Ausführungsbeispiel eines nach dem erfindungsgemäßen Verfahren auf einem Trägersubstrat montierten Flip-Chips in schematischer Schnittdarstellung; 3 a first embodiment of a method according to the invention mounted on a carrier substrate flip-chip in a schematic sectional view;

4 den nach dem erfindungsgemäßen Verfahren montierten Flip-Chip in 3 in schematischer Draufsicht längs der Schnittlinie IV-IV in 3; 4 the mounted according to the inventive flip-chip in 3 in a schematic plan view along the section line IV-IV in 3 ;

5 ein zweites Ausführungsbeispiel eines nach dem erfindungsgemäßen Verfahren auf einem Trägersubstrat montierten Flip-Chips in schematischer Schnittdarstellung; 5 a second embodiment of a method according to the invention mounted on a support substrate flip-chip in a schematic sectional view;

6 ein drittes Ausführungsbeispiel eines auf einem Trägersubstrat montierten Flip-Chips nach dem erfindungsgemäßen Verfahren in schematischer Schnittdarstellung; 6 a third embodiment of a mounted on a carrier substrate flip-chip according to the inventive method in a schematic sectional view;

7a eine photographische Darstellung eines ersten Ausführungsbeispiels einer Befestigungsausnehmung in einem Trägersubstrat, von der Rückseite her gesehen; 7a a photographic representation of a first embodiment of a mounting recess in a carrier substrate, seen from the rear side;

7b die Befestigungsausnehmung in 7a, mit Lot gefüllt; 7b the mounting recess in 7a , filled with solder;

8a eine photographische Darstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels von drei Befestigungsausnehmungen in einem Trägersubstrat, von der Rückseite her gesehen; 8a a photographic representation of a second embodiment of three mounting recesses in a carrier substrate, seen from the rear side;

8b die Befestigungsausnehmungen in 8a, mit Lot gefüllt; 8b the fastening recesses in 8a , filled with solder;

9a bis 9e unterschiedliche Ausbildungen von Bond-Pads mit erfindungsgemäßen Befestigungsausnehmungen; 9a to 9e different embodiments of bond pads with mounting recesses according to the invention;

10 ein viertes Ausführungsbeispiel eines auf einem Trägersubstrat montierten gekapselten integrierten Schaltkreises nach dem erfindungsgemäßen Verfahren in schematischer Schnittdarstellung. 10 A fourth embodiment of a mounted on a carrier substrate encapsulated integrated circuit according to the inventive method in a schematic sectional view.

Die 1 und 2 zeigen einen nach dem Stand der Technik auf einem Trägersubstrat 1 montierten Flip-Chip 2, der mit einer Kleberschicht 3 auf dem Trägersubstrat 1 fixiert ist. Bei der Kleberschicht 3 handelt es sich um einen elektrisch nicht leitenden Kleber, der mit elektrisch leitfähigen Partikeln 3p vermischt ist.The 1 and 2 show one of the prior art on a carrier substrate 1 mounted flip-chip 2 that with a glue layer 3 on the carrier substrate 1 is fixed. At the adhesive layer 3 it is an electrically non-conductive adhesive, with electrically conductive particles 3p is mixed.

Als Flip-Chip wird ein im Allgemeinen gehäuseloser elektronischer Schaltkreis bezeichnet, der mit der Kontaktseite nach unten auf dem Trägersubstrat montierbar ist. Die Kontakte des Flip-Chips 2 können, wie in 1 und 2 dargestellt, als Kontaktierhügel 4 – in der Fachliteratur auch als Bumps bezeichnet – ausgebildet sein. Die Bumps 4 stehen über die elektrisch leitfähigen Partikel 3p mit elektrisch leitenden Bond-Pads 5 in Kontakt. Die Kleberschicht 3 fixiert die besagte elektrische Kontaktierung, indem sie nach dem Aushärten den Flip-Chip 2 unlösbar mit dem Trägersubstrat 1 verbindet. Die Bond-Pads 5 sind vor dem Bonden auf das Trägersubstrat 1 aufgebracht, wobei vorgesehen sein kann, dass zunächst eine Keimschicht – auch als Seed-Layer bezeichnet – aufgebracht wird und sodann die Keimschicht, deren Dicke typischerweise im Nanometerbereich liegt, galvanisch verstärkt wird. Der Seed-Layer kann beispielsweise aus Kupfer bestehen, das auf das Trägersubstrat aufgesputtert wird. In dem in den 1 und 2 dargestellten Ausführungsbeispiel des Standes der Technik handelt es sich um zwei T-förmige Bond-Pads 5, deren Ableitungen beispielsweise mit einer aus Flachwindungen gebildeten Antennenstruktur verbunden sein können.A flip-chip is a generally housing-less electronic circuit which can be mounted with the contact side down on the carrier substrate. The contacts of the flip chip 2 can, as in 1 and 2 shown as Kontaktierhügel 4 - Be referred to in the literature as bumps - be trained. The bumps 4 stand over the electrically conductive particles 3p with electrically conductive bond pads 5 in contact. The adhesive layer 3 fixes said electrical contact by after curing the flip-chip 2 insoluble with the carrier substrate 1 combines. The bond pads 5 are prior to bonding to the carrier substrate 1 applied, wherein it can be provided that initially a seed layer - also referred to as seed layer - is applied and then the seed layer, whose thickness is typically in the nanometer range, is galvanically reinforced. The seed layer can be made of copper, for example, which is sputtered onto the carrier substrate. In the in the 1 and 2 illustrated embodiment of the prior art is two T-shaped bond pads 5 whose derivatives can be connected, for example, to an antenna structure formed from flat windings.

Die Bumps können auch durch Löten unter Druck- und Temperatureinwirkung mit den Bond-Pads verbunden werden. Dabei kann es jedoch zu Ablösungen des Seed-Layers und damit des Bond-Pads im Bereich der Flip-Chips kommen, zumindest zu einem im Langzeitbetrieb unsicheren Verbindungsaufbau.The Bumps can also by soldering connected to the bond pads under pressure and temperature become. However, it may lead to separations of the seed layer and so that the bond pads come in the area of flip chips, at least to an unsafe connection in long-term operation.

Die 3 und 4 zeigen nun ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verbindungsverfahrens. Bei dem Trägersubstrat kann es sich um eine Kunststofffolie aus PVC, PETF, PETG, PC, ABS usw. handeln. Die 3 und 4 zeigen grundsätzlich einen Aufbau, wie in 1 und 2 dargestellt, mit dem Unterschied, dass nun die Bond-Pads 5 mit Befestigungsausnehmungen 6 ausgebildet sind. Die Befestigungsausnehmungen 6 sind schlitzförmig ausgebildet und durchgreifen jeweils das Bond-Pad 5. Die beiden Bond-Pads weisen einen Abstand g auf (siehe 3), der typischerweise etwa 200 μm beträgt.The 3 and 4 Now show a first embodiment of the connection method according to the invention. The carrier substrate can be a plastic film of PVC, PETF, PETG, PC, ABS, etc. The 3 and 4 basically show a structure as in 1 and 2 shown, with the difference that now the bond pads 5 with mounting recesses 6 are formed. The mounting recesses 6 are slit-shaped and each pass through the bond pad 5 , The two bond pads are at a distance g (see 3 ), which is typically about 200 microns.

Die Befestigungsausnehmungen 6 verlaufen außerhalb der Kontaktierungsbereiche der Bumps 4 in paralleler Erstreckung zur jeweiligen Außenkante des Flip-Chip 2, wobei die Kontaktierung wie in 1 dargestellt, ausgebildet ist.The mounting recesses 6 run outside the contacting areas of the bumps 4 in parallel extension to the respective outer edge of the flip-chip 2 , wherein the contacting as in 1 shown, is formed.

Der Abstand Pd zwischen der unterhalb des Flip-Chip 2 angeordneten Außenkante des Bond-Pads 5 und der dem Flip-Chip 2 zugewandeten Außenkante der Befestigungsausnehmung 6 ist typischerweise größer als die Differenz zwischen dem Mittenabstand Sb der Bumps 4 und dem Abstand g der Bond-Pads 5: Pd > Sb – g The distance Pd between the below the flip chip 2 arranged outer edge of the bond pad 5 and the flip chip 2 facing outer edge of the mounting recess 6 is typically greater than the difference between the center-to-center distance Sb of the bumps 4 and the distance g of the bond pads 5 : Pd> Sb - g

Die Befestigungsausnehmungen 6 sind von der Kleberschicht 3 durchdrungen, es ist also in dem besagten Bereich ein zusätzliches chemisches Bonden vorgesehen, wobei der Kleber 3 im Bereich der Befestigungsausnehmungen 6 direkt auf der dem Flip-Chip 2 zugewandten Oberfläche des Trägersubstrats 1 haftet. Durch diese Maßnahme wird die Haftung der Bond-Pads 5 insbesondere in der Nähe der Bondkontakte verbessert, so dass ein Ablösen des Bond-Pads von dem Trägersubstrat 1 infolge von äußeren Kräften, die an dem Flip-Chip 2 angreifen, nicht zu befürchten ist.The mounting recesses 6 are from the adhesive layer 3 penetrated, so it is provided in the said area an additional chemical bonding, wherein the adhesive 3 in the area of the fastening recesses 6 directly on the flip chip 2 facing surface of the carrier substrate 1 liable. This measure will increase the adhesion of the bond pads 5 especially in the vicinity of the bond contacts, so that a detachment of the bonding pad from the carrier substrate 1 due to external forces applied to the flip chip 2 attack, not to worry about.

Die typischen Fertigungsschritte zur Herstellung der besagten Verbindung in 3 und 4 können wie folgt beschrieben werden:

  • – Ausbildung der Bond-Pads 5, die beispielsweise Antennenanschlüsse bilden können, durch Aufbringen einer dünnen elektrisch leitfähigen Schicht auf das Trägersubstrat 1, wie weiter oben beschrieben. Die Dicke der Schicht, die aus dem Seed-Layer und einer galvanisch aufgebrachten metallischen Schicht besteht, beträgt etwa 20 μm oder weniger.
  • – Ausbildung mindestens einer Befestigungsausnehmung 6 von beliebiger Form und Größe in dem Bond-Pad 5 sowie Freilegen des Trägersubstrats 1 in einer Region, die nicht in Kontakt ist mit den Anschlüssen des Flip-Chips 2, aber in einer Region, die durch den Kleber 3 überdeckt wird.
  • – Auftragen des Klebers 3 zur Überdeckung der mindestens einen Befestigungsausnehmung 6.
  • – Verbinden der Bumps 4 des Flip-Chips 2 mit den Bond-Pads 5 durch Anwenden von Hitze und Druck.
  • – Die Zeit zur Ausführung des beschriebenen Prozessschritts, muss so bemessen werden, dass der Kleber 3 aushärtet und gleichzeitig das Bonden der Bond-Pads 5 und des Trägersubstrats 1 erfolgt.
The typical manufacturing steps for the production of said compound in 3 and 4 can be described as follows:
  • - Formation of bond pads 5 , which may form, for example, antenna terminals, by applying a thin electrically conductive layer on the carrier substrate 1 as described above. The thickness of the layer consisting of the seed layer and a plated metallic layer is about 20 μm or less.
  • - Training at least one mounting recess 6 of any shape and size in the bond pad 5 and exposing the carrier substrate 1 in a region that is not in contact with the terminals of the flip chip 2 but in a region covered by the glue 3 is covered.
  • - Apply the adhesive 3 to cover the at least one mounting recess 6 ,
  • - Connect the bumps 4 of the flip chip 2 with the bond pads 5 by applying heat and pressure.
  • - The time to perform the process step described, must be such that the adhesive 3 hardens and at the same time bonding the bond pads 5 and the carrier substrate 1 he follows.

5 zeigt nun einen montierten Flip-Chip 2, wie vorstehend in 3 und 4 beschrieben, mit dem Unterschied, dass Befestigungsausnehmungen 6 sowohl die Bond-Pads 5 als auch das Trägersubstrat 1 durchgreifen. Bei dieser Ausführung ist die Verankerung des Bond-Pads 5 auf dem Trägersubstrat 1 weiter verbessert. 5 now shows a mounted flip-chip 2 as defined in above 3 and 4 described, with the difference that mounting recesses 6 both the bond pads 5 as well as the carrier substrate 1 succeed. In this embodiment, the anchoring of the bond pad 5 on the carrier substrate 1 further improved.

6 zeigt eine weitere Ausführung, bei der Befestigungsausnehmungen 6 so im Querschnitt ausgebildet sind, dass der in der Befestigungsausnehmung 6 ausgehärtete Kleber 3 einen Anker bildet. Das Bond-Pad 5 ist auch auf der Unterseite des Trägersubstrats 1 ausgebildet. Die Befestigungsausnehmungen 6 sind in dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel weiter als Durchkontaktierungen ausgebildet. Der Querschnitt der Befestigungsausnehmungen 6 ist im oberen Abschnitt kegelförmig ausgebildet und verengt sich mit zunehmender Tiefe. Im unteren Abschnitt erweitert sich der Querschnitt der Befestigungsausnehmung 6 wieder, so dass der ausgehärtete Kleber 3, wie weiter oben beschrieben, einen mechanischen Anker bildet. 6 shows a further embodiment, in the Befestigungsausnehmungen 6 are formed in cross-section, that in the mounting recess 6 cured adhesive 3 forms an anchor. The bond pad 5 is also on the bottom of the carrier substrate 1 educated. The mounting recesses 6 are in the in 6 illustrated embodiment further formed as vias. The cross section of the mounting recesses 6 is cone-shaped in the upper section and narrows with increasing depth. In the lower section, the cross section of the mounting recess widens 6 again, leaving the cured glue 3 As described above, forms a mechanical anchor.

Die 7a bis 8b zeigen nun photographische Aufnahmen von der Unterseite eines aufgelöteten gekapselten integrierten Schaltkreises, wie er weiter unten in 10 beschrieben ist. Das Lot 3 verbindet den Leadframe des gekapselten integrierten Schaltkreises mit dem Bondpad.The 7a to 8b now show photographic images of the underside of a soldered, encapsulated integrated circuit, as described below 10 is described. The lot 3 connects the leadframe of the encapsulated integrated circuit to the bondpad.

Die 7a und 8a zeigen jeweils die Befestigungsausnehmungen 6 vor der Montage des gekapselten integrierten Schaltkreises, die 7b und 8b vom Lot 3 nach Montage des integrierten Schaltkreises gebildete Anker 3a, die die Befestigungsausnehmungen 6 überdecken. Während in dem in 7a und 7b dargestellten Ausführungsbeispiel eine Befestigungsausnehmung 6 vorgesehen ist, sind in dem in 8a und 8b dargestellten Ausführungsbeispiel drei Befestigungsausnehmungen 6 vorgesehen, die jedoch kleinere Abmessungen aufweisen als die eine Befestigungsausnehmung in 7a und 7b.The 7a and 8a each show the mounting recesses 6 before mounting the encapsulated integrated circuit, the 7b and 8b from the lot 3 Anchor formed after assembly of the integrated circuit 3a holding the fixing recesses 6 cover. While in the in 7a and 7b illustrated embodiment, a mounting recess 6 is provided in the in 8a and 8b illustrated embodiment three mounting recesses 6 provided, however, have smaller dimensions than the one mounting recess in 7a and 7b ,

Die 9a bis 9e zeigen nun unterschiedliche Ausbildungen der Bond-Pads 5 und der Befestigungsausnehmungen 6, wobei die Bond-Pads 5 der deutlichen Darstellung wegen mit einer Schraffur versehen sind. Die Befestigungsausnehmungen 6 können sich, wie weiter oben beschrieben, die Trägerfolie 1 freilegen, die Trägerfolie 1 zusätzlich durchgreifen oder die Trägerfolie 1 sowie eine auf der Unterseite der Trägerfolie aufgebrachte elektrisch leitende Schicht zusätzlich durchgreifen.The 9a to 9e now show different forms of bond pads 5 and the mounting recesses 6 where the bond pads 5 the clear representation are provided because of a hatching. The mounting recesses 6 can, as described above, the carrier film 1 uncover the carrier film 1 additionally reach through or the carrier film 1 as well as an applied on the underside of the carrier film applied electrically conductive layer in addition.

9a zeigt ein T-förmiges Bond-Pad 5 mit einer ebenfalls T-förmigen Befestigungsausnehmung 6. 9a shows a T-shaped bond pad 5 with a likewise T-shaped mounting recess 6 ,

9b und 9c zeigen ein T-förmiges Bond-Pad 5 mit einer Vielzahl von Befestigungsausnehmungen 6, die voneinander beabstandet T-förmig angeordnet sind. Die Befestigungsausnehmungen 6 in 9b sind mit kreisförmigem Querschnitt ausgebildet. Die Befestigungsausnehmungen 6 in 9c sind mit quadratischem Querschnitt ausgebildet. Der mögliche Querschnitt der Befestigungsausnehmungen 6 in 9b und 9c ist jedoch nicht auf die beiden genannten geometrischen Formen beschränkt, wobei die reale Querschnittsform (siehe 7a und 8a) ohne Qualitätseinbußen deutlich von der idealen Querschnittsform abweichen kann. 9b and 9c show a T-shaped bond pad 5 with a variety of mounting recesses 6 which are spaced apart T-shaped. The mounting recesses 6 in 9b are formed with a circular cross-section. The mounting recesses 6 in 9c are formed with square cross-section. The possible cross section of the mounting recesses 6 in 9b and 9c however, is not limited to the two mentioned geometric shapes, the real cross-sectional shape (see 7a and 8a ) can differ significantly from the ideal cross-sectional shape without loss of quality.

Die 9d und 9e zeigen Bond-Pads 5 mit einem annähernd trapezförmigen Querschnitt.The 9d and 9e show bond pads 5 with an approximately trapezoidal cross section.

In dem in 9d dargestellten Ausführungsbeispiel sind in das Bond-Pad 5 mehrere Befestigungsausnehmungen 6 mit unterschiedlichem Querschnitt eingebracht, während in dem in 9e dargestellten Ausführungsbeispiel nur eine Befestigungsausnehmung 6 vorgesehen ist, die etwa wie das Bond-Pad 5 im Querschnitt ausgebildet ist, so dass der die Befestigungsausnehmung 6 umgebende Randbereich des Bond-Pads 5 eine annähernd konstante Breite aufweist.In the in 9d illustrated embodiment are in the bonding pad 5 several mounting recesses 6 introduced with different cross-section, while in the in 9e illustrated embodiment, only one mounting recess 6 is provided, which is about like the bond pad 5 is formed in cross-section, so that the the mounting recess 6 surrounding edge area of the bond pad 5 has an approximately constant width.

10 zeigt nun ein viertes Ausführungsbeispiel, bei dem ein auf einem Zwischenträger 7a, dem sogenannten Leadframe, montierter gekapselter integrierter Schaltkreis 7 nach dem erfindungsgemäßen Verfahren auf dem Trägersubstrat 1 montiert ist und mit einer Lötpaste 31 gesichert ist. Das Trägersubstrat 1 besteht, wie weiter oben beschrieben, aus einem thermoplastischen Polymer. 10 now shows a fourth embodiment, in which one on an intermediate carrier 7a , the so-called leadframe, mounted encapsulated integrated circuit 7 according to the inventive method on the carrier substrate 1 is mounted and with a solder paste 31 is secured. The carrier substrate 1 consists, as described above, of a thermoplastic polymer.

Die typischen Fertigungsschritte zur Herstellung der besagten Verbindung in 10 können wie folgt beschrieben werden:

  • – Ausbildung der Bond-Pads 5, die beispielsweise Antennenanschlüsse bilden können, durch Aufbringen einer dünnen elektrisch leitfähigen Schicht auf das Trägersubstrat 1, wie weiter oben beschrieben. Die Dicke der Schicht, die aus dem Seed-Layer und einer galvanisch aufgebrachten metallischen Schicht besteht, beträgt etwa 20 μm oder weniger.
  • – Ausbildung mindestens einer Befestigungsausnehmung 6 von beliebiger Form und Größe in dem Bond-Pad 5 sowie mindestens partiell in dem Trägersubstrat 1 sowie Ausbildung der Befestigungsausnehmung in einer Region, die durch die Lötpaste 31 überdeckt wird.
  • – Auftragen der Lötpaste 31 zur Überdeckung der mindestens einen Befestigungsausnehmung 6.
  • – Verbinden des Leadframes 7a des integrierten Schaltkreises 7 mit den Bond-Pads 5 durch Anwenden von Hitze und Druck.
  • – Die Zeit zur Ausführung des beschriebenen Prozessschritts muss so bemessen werden, dass die Lötpaste 31 schmilzt und dabei den Zwischenraum zwischen dem Leadframe 7a und dem Bond-Pad 5 füllt und gleichzeitig das Trägersubstrat 1 im Bereich der Befestigungsausnehmungen 6 durchdringt. In 10 sind beispielhaft Befestigungsausnehmungen mit unterschiedlicher Ausbildung dargestellt.
  • – Kühlung der Lötpaste 31 zur Aushärtung und Schrumpfung des Bond-Pads 5 und des Trägersubstrats 1.
The typical manufacturing steps for the production of said compound in 10 can be described as follows:
  • - Formation of bond pads 5 , which may form, for example, antenna terminals, by applying a thin electrically conductive layer on the carrier substrate 1 as described above. The thickness of the layer consisting of the seed layer and a plated metallic layer is about 20 μm or less.
  • - Training at least one Befestigungsaus perception 6 of any shape and size in the bond pad 5 and at least partially in the carrier substrate 1 as well as forming the mounting recess in a region passing through the solder paste 31 is covered.
  • - Apply the solder paste 31 to cover the at least one mounting recess 6 ,
  • - Connecting the leadframe 7a of the integrated circuit 7 with the bond pads 5 by applying heat and pressure.
  • - The time to perform the described process step must be measured so that the solder paste 31 melts while keeping the gap between the leadframe 7a and the bond pad 5 fills and at the same time the carrier substrate 1 in the area of the fastening recesses 6 penetrates. In 10 exemplary Befestigungsausnehmungen are shown with different training.
  • - cooling the solder paste 31 for hardening and shrinking the bond pad 5 and the carrier substrate 1 ,

Bei der vorstehend genannten Lötpaste 31 kann es sich beispielsweise um eine Zinn-Silber-Legierung handeln, wie etwa Sn-3,5Ag. Dieses Material weist einen Schmelzpunkt von 221°C und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 23,5 × 10–6/°C auf.In the above-mentioned solder paste 31 For example, it may be a tin-silver alloy, such as Sn-3.5Ag. This material has a melting point of 221 ° C and a thermal expansion coefficient of 23.5 × 10 -6 / ° C.

Das Trägersubstrat 1 kann aus Polycarbonat bestehen, das einen Erweichungsbereich von 204 bis 221°C und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 66 bis 70 × 10–6/°C aufweist.The carrier substrate 1 may consist of polycarbonate having a softening range of 204 to 221 ° C and a thermal expansion coefficient of 66 to 70 × 10 -6 / ° C.

Weil der thermische Ausdehnungskoeffizient des Trägersubstrats 1 ungefähr dreimal größer ist als der thermische Ausdehnungskoeffizient der Lötpaste 31, dehnen sich beim Erhitzen die Befestigungsausnehmungen 6 mehr aus als das Lot und ermöglichen besonders gut das Eindringen des geschmolzenen Lotes. Beim Abkühlen schrumpfen die Befestigungsausnehmungen stärker als das Lot und bilden dadurch einen guten Schutz gegen das Lockern der Verbindung.Because the thermal expansion coefficient of the carrier substrate 1 about three times larger than the thermal expansion coefficient of the solder paste 31 , the fixing recesses expand when heated 6 more than the solder and allow the penetration of the molten solder particularly well. Upon cooling, the mounting recesses shrink more than the solder and thereby provide good protection against loosening of the connection.

Claims (16)

Verfahren zur Montage von elektronischen Bauelementen, wie Flip-Chips oder gekapselten integrierten Schaltkreisen, auf einem Kunststoff-Trägersubstrat, wobei die Anschlüsse des elektronischen Bauelements mit auf dem Trägersubstrat angeordneten elektrisch leitenden Bond-Pads verbunden werden, wobei die Bond-Pads Kontaktbereiche für die Anschlüsse des elektronischen Bauelements bereitstellen und wobei das elektronische Bauelement auf dem Trägersubstrat durch ein Verbindungsmittel gesichert wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Bond-Pad (5) in einem dem Kontaktbereich benachbarten Bereich und/oder im Kontaktbereich mit mindestens einer Befestigungsausnehmung (6) versehen wird, wobei zugleich das Trägersubstrat (1) freigelegt wird, dass das Verbindungsmittel (3) in einem Bereich aufgetragen wird, der die mindestens eine Befestigungsausnehmung (6) einschließt, und dass die mindestens eine Befestigungsausnehmung (6) mit dem Verbindungsmittel (3) gefüllt wird.Method for mounting electronic components, such as flip chips or encapsulated integrated circuits, on a plastic carrier substrate, wherein the terminals of the electronic component are connected to electrically conductive bonding pads arranged on the carrier substrate, wherein the bonding pads provide contact areas for the terminals of the electronic component and wherein the electronic component is secured on the carrier substrate by a connecting means, characterized in that the bonding pad ( 5 ) in a region adjacent to the contact region and / or in the contact region with at least one fastening recess ( 6 ), wherein at the same time the carrier substrate ( 1 ) is revealed that the connecting means ( 3 ) is applied in a region which has the at least one fastening recess ( 6 ), and that the at least one mounting recess ( 6 ) with the connecting means ( 3 ) is filled. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Befestigungsausnehmung (6) auch in das Trägersubstrat (1) eingebracht wird.Method according to claim 1, characterized in that the fastening recess ( 6 ) also in the carrier substrate ( 1 ) is introduced. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Befestigungsausnehmung (6) als Durchkontaktierung zwischen dem Bond-Pad (5) und einer auf der Unterseite des Trägersubstrats (1) im Bereich des Bond-Pads (5) aufgebrachten elektrisch leitenden Schicht ausgebildet wird.Method according to claim 1 or 2, characterized in that the fastening recess ( 6 ) as a via between the bond pad ( 5 ) and one on the underside of the carrier substrate ( 1 ) in the area of the bond pad ( 5 ) is formed applied electrically conductive layer. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Verbindungsmittel (3) ein elektrisch nicht leitfähiger Kleber verwendet wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that as connecting means ( 3 ) an electrically non-conductive adhesive is used. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass als Verbindungsmittel (3) ein elektrisch leitfähiger Kleber verwendet wird, der aus einem elektrisch nicht leitenden Polymer-Harz besteht, dessen Matrix elektrisch leitfähige Partikel (3p) aufweist.Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that as connecting means ( 3 ) an electrically conductive adhesive is used, which consists of an electrically non-conductive polymer resin whose matrix electrically conductive particles ( 3p ) having. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitenden Partikel (3p) aus Silberflocken oder aus metallbeschichteten Polymerkugeln gebildet sind.Method according to claim 5, characterized in that the electrically conductive particles ( 3p ) are formed of silver flakes or metal-coated polymer balls. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass als Verbindungsmittel (3) eine Lötpaste verwendet wird.Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that as connecting means ( 3 ) a solder paste is used. Montagebaugruppe mit einem auf ein Trägersubstrat montierten elektronischen Bauelement, wie einen Flip-Chip oder einen gekapselten integrierten Schaltkreis, wobei die Anschlüsse des elektronischen Bauelements mit auf dem Trägersubstrat angeordneten elektrisch leitenden Bond-Pads elektrisch verbunden sind, wobei die Bond-Pads Kontaktbereiche für die Anschlüsse des elektronischen Bauelements aufweisen und wobei das elektronische Bauelement auf dem Trägersubstrat durch ein Verbindungsmittel gesichert ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Bond-Pad (5) in einem dem Kontaktbereich benachbarten Bereich und/oder im Kontaktbereich mindestens eine Befestigungsausnehmung (6) aufweist, die mindestens das Trägersubstrat (1) freilegt, dass das Verbindungsmittel (3) in einem Bereich aufgetragen ist, der die mindestens eine Befestigungsausnehmung (6) einschließt, und dass die mindestens eine Befestigungsausnehmung (6) von dem Verbindungsmittel (3) ausgefüllt ist.A mounting assembly having an electronic component mounted on a carrier substrate, such as a flip-chip or an encapsulated integrated circuit, wherein the terminals of the electronic component are electrically connected to electrically conductive bond pads disposed on the carrier substrate, wherein the bonding pads provide contact areas for the terminals of the electronic component and wherein the electronic component is secured on the carrier substrate by a connecting means, characterized in that the bonding pad ( 5 ) in a region adjacent to the contact region and / or in the contact region at least one fastening recess ( 6 ), which at least the carrier substrate ( 1 ) discloses that the bonding agent ( 3 ) is applied in a region which has the at least one fastening recess ( 6 ), and that the at least one mounting recess ( 6 ) of the Connecting means ( 3 ) is filled out. Montagebaugruppe nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Befestigungsausnehmung (6) weiter das Trägersubstrat (1) mindestens teilweise durchgreift.Mounting assembly according to claim 8, characterized in that the mounting recess ( 6 ) further the carrier substrate ( 1 ) at least partially. Montagebaugruppe nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Befestigungsausnehmung (6) weiter eine auf der Unterseite des Trägersubstrats (1) im Bereich des Bond-Pads (5) aufgebrachten elektrisch leitenden Schicht durchgreift.Mounting assembly according to claim 9, characterized in that the Befestigungsausnehmung ( 6 ) further one on the underside of the carrier substrate ( 1 ) in the area of the bond pad ( 5 ) applied applied electrically conductive layer. Montagebaugruppe nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Befestigungsausnehmung (6) im Querschnitt eine Hinterschneidung aufweist, so dass das Verbindungsmittel (3) in der Befestigungsausnehmung (6) einen Anker ausbildet.Mounting assembly according to claim 9 or 10, characterized in that the mounting recess ( 6 ) has an undercut in cross section, so that the connecting means ( 3 ) in the mounting recess ( 6 ) forms an anchor. Montagebaugruppe nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement ein Flip-Chip (2) ist, dessen Anschlüsse als Bumps (4) ausgebildet sind.Mounting assembly according to one of claims 8 to 11, characterized in that the component is a flip-chip ( 2 ) whose connections are bumps ( 4 ) are formed. Montagebaugruppe nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Bumps (4) aus einer Gold- oder Nickel-Gold-Legierung ausgebildet sind.Mounting assembly according to claim 12, characterized in that the bumps ( 4 ) are formed of a gold or nickel-gold alloy. Montagebaugruppe nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (Pd) zwischen der unterhalb des elektronischen Bauelements (2) verlaufenden Außenkante des Bond-Pads (5) und der dem elektronischen Bauelement zugewandeten Außenkante der Befestigungsausnehmung (6) größer ist als die Differenz zwischen dem Mittenabstand (Sb) der Bumps (5) und dem Abstand (g) der unterhalb des elektronischen Bauelements (2) verlaufenden Außenkanten benachbarter Bond-Pads (5).Mounting assembly according to claim 12 or 13, characterized in that the distance (Pd) between the below the electronic component ( 2 ) extending outer edge of the bond pad ( 5 ) and the electronic component facing outer edge of the mounting recess ( 6 ) is greater than the difference between the center distance (Sb) of the bumps ( 5 ) and the distance (g) of the below the electronic component ( 2 ) extending outer edges of adjacent bond pads ( 5 ). Montagebaugruppe nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement ein Flip-Chip ist, dessen Anschlüsse als Anschlussdraht ausgebildet sind.Mounting assembly according to one of claims 8 to 11, characterized in that the device is a flip-chip, its connections are designed as connecting wire. Montagebaugruppe nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlussdraht die Befestigungsausnehmung (6) durchgreift.Mounting assembly according to claim 15, characterized in that the connecting wire, the Befestigungsausnehmung ( 6 ).
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