DE102008011282A1 - Housing arrangement for e.g. LED, in display device, has housing lower part with boundary layer that is partially formed such that mechanical holding strength is generated between filler particle and housing lower part - Google Patents

Housing arrangement for e.g. LED, in display device, has housing lower part with boundary layer that is partially formed such that mechanical holding strength is generated between filler particle and housing lower part Download PDF

Info

Publication number
DE102008011282A1
DE102008011282A1 DE102008011282A DE102008011282A DE102008011282A1 DE 102008011282 A1 DE102008011282 A1 DE 102008011282A1 DE 102008011282 A DE102008011282 A DE 102008011282A DE 102008011282 A DE102008011282 A DE 102008011282A DE 102008011282 A1 DE102008011282 A1 DE 102008011282A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
filler particles
housing part
cavity
leadframe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102008011282A
Other languages
German (de)
Inventor
Michael Dr. Zitzlsperger
Bert Dr. Braune
Harald Jaeger
Thomas Zeiler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102008011282A priority Critical patent/DE102008011282A1/en
Publication of DE102008011282A1 publication Critical patent/DE102008011282A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

The arrangement has a housing lower part (1) composed of an organic base material that contains inorganic filler particle. A cavity (102) of the lower part is open to an upper side (101) of the lower part. A housing upper part (2) is inserted into the cavity. A boundary layer (103) of the lower part is partially formed such that a mechanical holding strength is generated between the particle and the lower part. The strength is generated between the particle and a material of the upper part, where the material is selected from silicon and/or polysiloxane based material. An independent claim is also included for a method for production of a housing for a semiconductor component.

Description

Gehäuseanordnungen sowie Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein eine elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement mit einem Gehäuseunterteil und einem Gehäuseoberteil.housing arrangements and method of making a housing for a semiconductor device emitting an electromagnetic radiation a housing lower part and a housing upper part.

Heutzutage werden elektromagnetische Strahlung aussendende Halbleiterbauelemente vielseitig eingesetzt. Als Halbleiterbauelemente seien hier beispielhaft Leuchtdioden (LED), organische Leuchtdioden, Infrarot-Leuchtdioden oder Ultraviolett-Leuchtdioden aufgezählt. Als Einsatzgebiete beispielsweise in Anzeigegeräten, als Bildschirmhintergrundbeleuchtung in LC Displays, als Statusanzeigen, als Scheinwerfer in Kfz oder als Leuchtmittel, insbesondere in Taschenlampen oder Tischbeleuchtungen finden diese Halbleiterbauelemente bereits vielfach Verwendung. Zudem werden klassische Beleuchtungsmittel vermehrt durch diese Halbleiterbauelemente ersetzt.nowadays become electromagnetic radiation emitting semiconductor devices versatile. As semiconductor devices are exemplary here Light-emitting diodes (LEDs), organic light emitting diodes, infrared light emitting diodes or ultraviolet LEDs enumerated. As applications for example, in display devices, as a screen backlight in LC displays, as status indicators, as headlights in motor vehicles or as lighting, especially in flashlights or table lighting These semiconductor devices are already widely used. In addition, classic lighting will be increased by this Semiconductor devices replaced.

All diese Halbleiterbauelemente haben gemein, dass sie eine elektromagnetische Strahlung einer bestimmten Wellenlänge, beziehungsweise eines bestimmen Wellenlängenbereiches aussenden. Hierzu ist ein Halbleiterchip vorgesehen, der durch elektrische Anregung diese elektromagnetische Strahlung aussendet.Alles These semiconductor devices have in common that they have an electromagnetic Radiation of a certain wavelength, respectively send out a certain wavelength range. For this a semiconductor chip is provided by electrical stimulation this emits electromagnetic radiation.

Diese Halbleiterchips werden mit einem Gehäuse versehen. Dieses erfüllt mehrere Aufgaben, grundlegend schützt ein Gehäuse eines Halbleiterbauelementes den darin befindlichen Halbleiterchip vor äußeren Einflüssen. Äußere Einflüsse sind zum Beispiel Feuchtigkeit, schwankende Umgebungstemperaturen und mechanischer Stress. Eine weitere Aufgabe des Gehäuses ist es, elektrische Anschlüsse zur Anregung und den Betrieb des Halbleiterchips bereitzustellen. Dazu wird zumeist der Halbleiterchip auf ein Leadframe aufgebracht und elektrisch leitend, beispielsweise mittels Bondverdrahtung mit dem Leadframe verbunden. Der Leadframe wird teilweise aus dem Gehäuse geführt und dient somit einer elektrischen Kontaktiermöglichkeit. Das Kontaktieren erfolgt nun beispielsweise mittels SMT oder Steckverbindung. Eine weitere Aufgabe des Gehäuses ist die hinreichende Wärmeleitung, wobei Wärmestrahlung, die im Inneren des Gehäuses vorrangig durch den Halbleiterchip erzeugt wird mittels des Gehäuses an die Umgebung abgeleitet wird. Darüber hinaus ist es Aufgabe des Gehäuses, die auszusendende elektromagnetische Strahlung optimal an die Umgebung weiterzuleiten und optische Eigenschaften des Halbleiterbauelements zu verbessern.These Semiconductor chips are provided with a housing. This fulfills several tasks, fundamentally protects a housing of a semiconductor device located therein Semiconductor chip from external influences. Outer Influences are for example humidity, fluctuating ambient temperatures and mechanical stress. Another task of the housing is it electrical connections for stimulation and operation of the semiconductor chip. For this purpose, the semiconductor chip is usually on a leadframe applied and electrically conductive, for example connected to the leadframe by means of bond wiring. The leadframe is partially guided out of the housing and serves thus an electrical contacting possibility. Contacting Now takes place for example by means of SMT or plug connection. A further task of the housing is the sufficient heat conduction, taking heat radiation inside the case is primarily generated by the semiconductor chip by means of the housing is derived to the environment. In addition, it's up to you of the housing, the electromagnetic radiation to be emitted optimally forward to the environment and optical properties of the semiconductor device.

Ein Gehäuse eines Halbleiterbauelements weist zumeist ein Gehäuseunterteil und ein Gehäuseoberteil auf.One Housing a semiconductor device usually has a lower housing part and an upper housing part.

In einer ersten Herstellungsvariante wird ein Halbleiterchip auf einem Leadframe angeordnet und mittels beispielsweise Bondverdrahtung mit dem Leadframe elektrisch leitend verbunden. In einem weiteren Herstellungsschritt wird ein Gehäuseunterteil gefertigt, der den Halbleiterchip und zumindest Teile des Leadframes umhüllt. Dabei ist darauf zu achten, dass der Halbleiterchip nicht mit dem Gehäuseunterteil bedeckt wird. Durch Bilden einer Kavität im Gehäuseunterteil wird dies grundsätzlich vermieden. Ein Gehäuseoberteil wird dann in die Kavität und somit um den darin befindlichen Halbleiterchip eingebracht.In a first manufacturing variant, a semiconductor chip on a Leadframe arranged and by means of, for example, bonding wiring electrically connected to the leadframe. In another Manufacturing step, a housing base is made, which envelops the semiconductor chip and at least parts of the leadframe. It is important to ensure that the semiconductor chip does not interfere with the Housing base is covered. By forming a cavity in the Housing base this is basically avoided. An upper housing part is then in the cavity and thus introduced to the semiconductor chip therein.

In einer zweiten Herstellungsvariante wird zunächst ein Gehäuseunterteil mit einem darin befindlichen Leadframe gefertigt. Ein Halbleiterchip wird in eine Kavität des Gehäuseunterteils eingebracht und mit dem Leadframe elektrisch leitend verbunden. Ein Gehäuseoberteil wird dann in die Kavität und somit um den darin befindlichen Halbleiterchip eingebracht.In A second production variant is initially a housing base made with a leadframe inside. A semiconductor chip becomes introduced into a cavity of the housing base and electrically connected to the leadframe. An upper housing part is then in the cavity and thus around it Semiconductor chip introduced.

Zur Verbesserung der Haltekraft zwischen Gehäuseoberteil und -unterteil werden bislang Plasmaprozesse oder Haftvermittler auf chemischer Basis eingesetzt. Als Plasma wird hier ein ionisiertes Gas verstanden. In einem Plasmaprozess werden beispielsweise Sauerstoff, Stickstoff, Argon und Wasserstoff als ionisierte Gase verwendet. Dieses Plasmas verursachen eine Oxidation oder Reduktion bzw. eine mechanische Abtragung auf molekularer Ebene an der Oberfläche. Diese Prozesse sind sehr aufwändig, da zum Beispiel Vakuumapparaturen verwendet werden müssen. Zusätzlich ist die Plasmaprozessführung sehr umfangreich. Schließlich erzeugen diese Prozesse keine dauerhafte gute Haltekraft zwischen Gehäuseoberteil und -unterteil. Somit kann durch Plasmaprozesse die Haftung des Gehäuseoberteils nur begrenzt erhöht werden.to Improvement of the holding force between the upper housing part and base are so far plasma processes or adhesion promoters used chemical basis. As a plasma here is an ionized gas Understood. For example, in a plasma process, oxygen, Nitrogen, argon and hydrogen are used as ionized gases. These plasmas cause oxidation or reduction mechanical ablation on the molecular level at the surface. These processes are very complex, because, for example, vacuum equipment must be used. In addition, the plasma process control very extensive. After all, these processes do not generate any durable good holding force between the housing top and -unterteil. Thus, by plasma processes, the adhesion of the upper housing part only be increased to a limited extent.

Eine Aufgabe der hier vorliegenden Erfindung ist es, eine Gehäuseanordnung sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses aufzuzeigen, welches eine verbesserte Haltekraft zwischen dem Gehäuseoberteil und dem Gehäuseunterteil auf kostengünstigere Weise gewährleistet.A The object of the present invention is to provide a housing arrangement and to provide a method of manufacturing a housing which an improved holding force between the upper housing part and the lower housing part to cheaper Guaranteed manner.

Die Aufgabe wird in allen nebengeordneten Patentansprüchen der Erfindung gelöst.The Task is in all independent claims solved the invention.

Dadurch, dass eine Gehäuseanordnung für ein, eine elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement mit ei nem Gehäuseunterteil und einem Gehäuseoberteil aufgezeigt ist, wobei das Gehäuseunterteil aus einem Basismaterial besteht und das Basismaterial Füllstoffpartikel aufweist, das Gehäuseunterteil eine Kavität aufweist, die Kavität zu einer Oberseite des Gehäuseunterteils offen ist, das Gehäuseoberteil in die Kavität eingebracht ist und die Grenzfläche des Gehäuseunterteils zum Gehäuseoberteil zumindest teilweise derart ausgestaltet ist, dass zumindest eine mechanische Haltekraft zwischen den Füllstoffpartikeln und dem Gehäuseunterteil erzeugt ist, wird die Aufgabe gelöst.Characterized in that a housing arrangement for a, a electromagnetic radiation emitting semiconductor device is shown with egg nem lower housing part and a housing upper part, wherein the lower housing part consists of a base material and the base material has filler particles, the lower housing part has a cavity, the Kavi it is open to an upper side of the housing lower part, the upper housing part is introduced into the cavity and the interface of the lower housing part to the upper housing part is at least partially designed such that at least one mechanical holding force between the filler and the lower housing part is generated, the problem is solved.

Das Gehäuseunterteil besteht heutzutage bevorzugt aus einem organischen Basismaterial. Dieses Basismaterial ist insbesondere ein Kunststoff und wird aufgrund kostengünstiger und fertigungstechnisch leichter Realisierbarkeit verwendet. Als Kunststoff, auch als Plastik, bezeichnet man einen Festkörper, dessen Grundbestandteil synthetisch oder halbsynthetisch erzeugte Polymere mit organischen Gruppen sind. Bevorzugt wird als Basismaterial eine Epoxidharzkomponente oder Polyphthalamid (PPA) verwendet.The Housing base is nowadays preferably made of a organic base material. This base material is particular a plastic and is due to cost and manufacturing technology easier to use. As plastic, also as plastic, refers to a solid, its basic component Synthetically or semi-synthetically produced polymers with organic Groups are. The base material used is preferably an epoxy resin component or polyphthalamide (PPA).

Das Gehäuseoberteil ist transparent für die vom Halbleiterchip ausgesendete elektromagnetische Strahlung ausgestaltet. Zusätzlich wird durch das Gehäuseoberteil eine verbesserte Ankopplung des im Gehäuse ausgesendeten Lichtes an die Umgebung erzielt. Somit ist durch das Gehäuseoberteil der Oberflächenbrechungsindex zwischen Halbleiterchip und Gehäuseoberteil verbessert. Dadurch ist eine höhere ausgesendete Lichtintensität des Halbleiterbauelements erzielt. Zusätzlich kann das Gehäuseoberteil eine Verbesserung der optischen Eigenschaften des Halbleiterbauelements aufweisen. Durch Ausgestalten in Form einer Linse können gezielt Strahlungsverläufe geformt und eine spezielle Abstrahlcharakteristik ge schaffen werden. Das Gehäuseoberteil wird zumeist mittels Spritzgießen, Spritzpressen oder Vergießen in das Gehäuseunterteil eingebracht.The Housing top is transparent to that of the semiconductor chip designed emitted electromagnetic radiation. additionally is through the upper housing part an improved coupling of the achieved in the housing emitted light to the environment. Thus, through the upper housing part of the surface refractive index improved between the semiconductor chip and the upper housing part. This is a higher emitted light intensity achieved the semiconductor device. In addition, that can Housing top an improvement of the optical properties of the semiconductor device. By shaping in shape A lens can specifically radiation patterns shaped and create a special radiation characteristics ge. The upper housing part is usually by injection molding, transfer molding or potting introduced into the housing base.

Heutzutage finden vermehrt Silikone oder Polysiloxan-basierte Materialien Einsatz als Gehäuseoberteil. Silikon ist eine Bezeichnung für eine Gruppe synthetischer Polymere, bei denen Siliziumatome über Sauerstoffatome zu Molekülketten und/oder netzartig verknüpft sind. Die restlichen freien Valenzelektronen des Siliziums sind dabei meist abgesättigt. In der wissenschaftlichen Literatur finden sich statt Silikone häufig die Begriffe Poly(organo)siloxane oder kurz Siloxane. Aufgrund ihres typisch anorganischen Gerüstes einerseits und ihren organischen Resten andererseits nehmen Silikone eine Zwischenstellung zwischen anorganischen und organischen Verbindungen ein, insbesondere zwischen Silikaten und organischen Polymeren. Sie sind in gewisser Weise Hybride und weisen ein einzigartiges Eigenschaftsspektrum auf, das von keinem anderen Kunststoff erreicht wird. Silikone sind wärmebeständig, hydrophob und dielektrisch.nowadays are increasingly using silicones or polysiloxane-based materials as housing upper part. Silicone is a name for a group of synthetic polymers in which silicon atoms over Oxygen atoms linked to molecular chains and / or net-like are. The remaining free valence electrons of silicon are mostly saturated. In the scientific literature Instead of silicones, the terms poly (organo) siloxanes are frequently used or short siloxanes. Due to its typical inorganic framework on the one hand and their organic residues on the other, silicones take one Intermediate position between inorganic and organic compounds in particular between silicates and organic polymers. They are, in a way, hybrids and unique Range of properties that reaches from no other plastic becomes. Silicones are heat resistant, hydrophobic and dielectrically.

Silikone oder Polysiloxan- basierte Materialien können im Verlauf ihrer Polymerisation aufgrund ihrer chemischen Struktur nur eine mechanische Haltekraft, speziell eine physikalische Adhäsion zu den meisten Materialien herstellen. Lediglich zu Silanol-Gruppen (SiOH), Titanhydroxid-Gruppen (TiOH), Hydrid-Gruppen (SiH) und Gruppen mit Kohlenstoffdoppelbindung, beispielsweise Vinylgruppen, ist eine chemische Bindung möglich.silicones or polysiloxane-based materials may over time their polymerization due to their chemical structure only one mechanical holding force, especially a physical adhesion to produce most materials. Only to silanol groups (SiOH), titanium hydroxide groups (TiOH), hydride groups (SiH) and groups with carbon double bond, for example, vinyl groups, is a chemical Binding possible.

Unter diese meisten Materialien fallen alle Kunststoffe, die für Gehäuseunterteile verwendet werden, beispielsweise Polyphthalamid (PPA) und Epoxide. Dadurch gehen diese Silikone keine chemische Bindung zu dem Kunststoffgehäuseunterteil ein und weisen zunächst eine schlechte Haltekraft mit dem Gehäuseunterteil auf. Durch diese schlechte Haltekraft zwischen Gehäuseober- und unterteil entsteht das Problem der Delamination an der Grenzfläche zwischen Gehäuseoberteil und Gehäuseunterteil. Die Delamination entsteht vorrangig durch Spannungen in der Grenzfläche zwischen Gehäuseoberteil und Gehäuseunterteil. Diese Delamination ist vorrangig durch den häufigen Temperaturwechsel innerhalb des Gehäuses beim Betrieb des Halbleiterchips begründet. Ebenfalls im Herstellungsprozess wird das Gehäuse einem mechanischen Stress ausgesetzt, der durch die erhöhte Temperatur, beispielsweise beim Auflöten der LED oder Fertigen der LED entsteht. Zusätzlich kann mechanischer Stress von außen, beispielsweise eine Biegebewegung diese Delamination zwischen Gehäuseoberteil und Gehäuseunterteil auslösen. Zudem zersetzen sich anorganische Materialien, zu denen das Silikon oder die Polysiloxan- basierte Stoffe zählen, unter Licht- und Wärmeeinwirkung. Durch diese Zersetzung wird die oberste Kunststoffschicht zerstört, wodurch die Haltekraft zwischen Gehäuseoberteil und -unterteil verloren geht. Dadurch ist das Gehäuse nicht mehr in der Lage, die oben aufgeführten Aufgaben zu erfüllen.Under Most of these materials are all plastics for Housing bases are used, such as polyphthalamide (PPA) and epoxides. As a result, these silicones are not chemical Binding to the plastic housing lower part and point initially a poor holding force with the lower housing part on. Due to this poor holding force between housing top and bottom part, the problem of delamination at the interface arises between upper housing part and lower housing part. The delamination arises primarily from tensions in the interface between upper housing part and lower housing part. This delamination is primarily due to frequent temperature changes established within the housing during operation of the semiconductor chip. Also in the manufacturing process, the housing is a exposed to mechanical stress caused by the elevated temperature, for example, when soldering the LED or making the LED is created. In addition, mechanical stress from the outside, For example, a bending movement this delamination between the upper housing part and lower housing part trigger. Also decompose inorganic materials, to which the silicone or the polysiloxane based substances count, under light and heat. This decomposition destroys the top layer of plastic, whereby the holding force between the upper housing part and lower part get lost. As a result, the housing is no longer in the Able to perform the tasks listed above.

Die Delamination erzeugt wiederum mechanischen Stress auf dem Halbleiterchip und den entsprechenden elektrischen Verbindungen, beispielsweise den Wire-Bonds, die nun durch den mechanischen Stress abgerissen werden und zu einem Ausfall oder einer Fehlfunktion des Halbleiterbauelements führen.The Delamination in turn generates mechanical stress on the semiconductor chip and the corresponding electrical connections, for example the wire bonds, which are now demolished by mechanical stress and a failure or malfunction of the semiconductor device to lead.

Ein weiterer Nebeneffekt der Delamination ist die Verschlechterung der optischen Eigenschaften des Halbleiterbauelements. Durch die Delamination werden Gehäuseoberteil und Gehäuseunterteil zumindest teilweise voneinander getrennt, wodurch die optische Ankopplung des Halbleiterbauelements an die Umgebung nicht mehr gegeben ist. Es kommt zusätzlich zu Totalreflexionen an den Grenzflächen des Halbleiterbauelements.One Another side effect of delamination is the deterioration of optical properties of the semiconductor device. By the delamination will be Upper housing part and lower housing part at least partially separated from each other, whereby the optical coupling the semiconductor device is no longer given to the environment. It comes in addition to total reflections at the interfaces of the semiconductor device.

Heutige Gehäuseunterteile weisen zumeist ein organisches Basismaterial auf. Dieses Basismaterial ist bevorzugt eine Epoxidharzkomponente. Dieses Basismaterial wird heutzutage zumeist mit Füllstoffpartikeln gefüllt, beziehungsweise sind Füllstoffe in das Basismaterial eingebracht.Today's housing bases mostly have an organic base material. This base material is preferably an epoxy resin component. These base material is nowadays usually filled with filler particles, or fillers are introduced into the base material.

In der WO 96/37532 ist ein Gehäuseunterteilmaterial, wie es hier beispielsweise Verwendung findet, beschrieben. In der Regel enthält heutzutage ein solches Gehäuseunterteilmaterial zu 5–30% organische und zu 70–95% anorganische Komponenten. Zur Verbesserung der Eigenschaften des Gehäuseunterteilmaterials werden Füllstoffe eingebracht. Die Füllstoffpartikel sind zumeist splittrig und sphärisch. Diese Füllstoffe verbessern die mechanisch-thermischen Eigenschaften, insbesondere die Einstellung des Ausdehnungskoeffizienten. Zusätzlich können Ruß, Stearate und Wachse als Füllstoffe eingebracht sein.In the WO 96/37532 is a housing base material, as used here, for example, described. As a rule, today such a housing bottom material contains 5-30% organic and 70-95% inorganic components. To improve the properties of the lower housing material fillers are introduced. The filler particles are mostly splintery and spherical. These fillers improve the mechanical-thermal properties, in particular the adjustment of the expansion coefficient. In addition, carbon black, stearates and waxes can be incorporated as fillers.

Wird die Grenzfläche zwischen Gehäuseoberteil und Gehäuseunterteil entsprechend geformt, dass die Füllstoffpartikel eine mechanische Haltekraft zu dem Gehäuseoberteil erzeugen, wird eine Delamination zwischen Gehäuseoberteil und Gehäuseunterteil unterbunden. Die mechanische Haltekraft ist vorrangig durch eine verbesserte mechanische Adhäsion des Gehäuseoberteils mit dem Gehäuseunterteil erzielt.Becomes the interface between the upper part of the housing and the lower part of the housing shaped accordingly, that the filler particles a mechanical Create holding force to the upper housing part, a delamination between upper housing part and lower housing part prevented. The mechanical holding force is primarily by a improved mechanical adhesion of the housing top achieved with the lower housing part.

Wird zusätzlich erreicht, dass die Füllstoffpartikel eine chemische Bindung mit dem Material des Gehäuseoberteils eingehen, wird diese Haltekraft verbessert und die Delamination weiter verhindert. Sind die Füllstoffpartikel anorganischer Natur und besteht das Material des Gehäuseoberteils aus einem Silikon beziehungsweise einem Polysiloxan-basierten Material, ist zusätzlich zur mechanischen Haltekraft auch eine chemische Haltekraft erzeugt, wenn im Gehäuseunterteilmaterial Silanol-Gruppen (SiOH), Titanhydroxid-Gruppen (TiOH), Hydrid-Gruppen (SiH) und Gruppen mit Kohlenstoffdoppelbindung, beispielsweise Vinylgruppen, enthalten sind. Wie eingangs aufgezeigt, können diese Silikone mit diesen Stoffen eine chemische Bindung eingehen. Dadurch ist die Haltekraft zwischen Gehäuseoberteil und Gehäuseunterteil signifikant verbessert und die Delamination verhindert. Die Haltekraft ist weiter verbessert, wenn die Füllstoffpartikel eine haftvermittelnde Beschichtung aufweisen. Dazu ist möglicherweise eine Vorbehandelung der Füllstoffpartikel nötig.Becomes additionally achieved that the filler particles a chemical bond with the material of the housing top enter, this holding power is improved and the delamination continues prevented. Are the filler particles of inorganic nature and the material of the housing top is made of a silicone or a polysiloxane-based material is in addition also produces a chemical holding force for the mechanical holding force, if in the lower housing material silanol groups (SiOH), Titanium hydroxide groups (TiOH), hydride groups (SiH) and groups with Carbon double bond, for example, vinyl groups included are. As indicated at the beginning, these silicones can be used with these Substances form a chemical bond. This is the holding power between upper housing part and lower housing part significantly improved and prevents delamination. The holding force is further improved when the filler particles a have adhesion-promoting coating. This may be one Pretreatment of the filler particles necessary.

In vorteilhafter Weise sind die Füllstoffpartikel teilweise freigelegt. Durch die Korngröße der Füllstoffpartikel, besteht eine größere Grenzoberfläche für eine Verbindung zwischen Gehäuseoberteil und -unterteil. Da die Korngröße der Füllstoffpartikel zumeist größer ist als die Korngröße der Moleküle im Gehäuseoberteil, wird durch das Freilegen der Füllstoffpartikel eine höhere Rauhigkeit der Grenzfläche erreicht, wodurch eine verbesserte mechanische Haltekraft und eine verbesserte chemische Bindung zwischen Füllstoffpartikeln und Gehäuseoberteil-Molekülen erreicht ist. Somit sorgt die Topographie, also die Mikrorauhigkeit des Gehäuseunterteils für eine Verbesserung der Haltekraft auf mechanischem Weg.In Advantageously, the filler particles are partial exposed. Due to the particle size of the filler particles, there is a larger boundary surface for a connection between the upper part of the housing and the lower part. Because the grain size of the filler particles usually larger than the grain size the molecules in the upper housing part, is through the Exposing the filler particles a higher roughness reaches the interface, resulting in an improved mechanical holding force and improved chemical bonding between filler particles and housing top molecules is achieved. Consequently ensures the topography, so the micro roughness of the housing base for an improvement of the holding force by mechanical means.

Vorteilhaft werden die Füllstoffpartikel durch ein Laserabtragungsverfahren freigelegt. Dies ist ein zusätzlicher kostengünstiger Prozessschritt, der keine aufwändigen Apparatu ren benötigt. Denkbar sind weiterhin auch chemische Prozesse, die die gewünschte Rauhigkeit und das Freilegen der Füllstoffpartikel ermöglichen. Die Erfindung ist in keinster Weise auf das Laserabtragungsverfahren beziehungsweise chemische Behandeln der Grenzflächen beschränkt.Advantageous The filler particles are removed by a laser ablation process exposed. This is an additional cost-effective Process step, which does not require elaborate Apparatu ren. Also conceivable are chemical processes that produce the desired Roughness and the exposure of the filler particles allow. The invention is in no way related to the laser ablation process or chemical treatment of the interfaces limited.

Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein, eine elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement mit folgenden Verfahrensschritten aufgezeigt:

  • – Herstellen eines Gehäuseunterteils, wobei das Gehäuseunterteil-Basismaterial teilweise aus Füllstoffpartikeln besteht, das Gehäuseunterteil eine Kavität aufweist und die Kavität zu einer Oberseite des Gehäuseunterteils offen ist,
  • – Formen der Oberseite des Gehäuseunterteils derart, dass die Füllstoffpartikel zumindest teilweise freiliegen und die Oberfläche eine größere Rauhigkeit als vor dem Formen aufweist,
  • – Einbringen eines Gehäuseoberteils in die Kavität, wobei das Gehäuseoberteil durch die Oberseitenformung eine mechanische Haltekraft zwischen Gehäuseunterteil und Gehäuseoberteil erzeugt wird.
Furthermore, a method for producing a housing for a device emitting an electromagnetic radiation is shown with the following method steps:
  • Producing a lower housing part, wherein the lower housing base material partially consists of filler particles, the lower housing part has a cavity and the cavity is open to an upper side of the housing lower part,
  • Shaping the upper surface of the lower housing part such that the filler particles are at least partially exposed and the surface has a greater roughness than before molding,
  • - Introducing an upper housing part in the cavity, wherein the upper housing part by the upper side forming a mechanical holding force between the lower housing part and the upper housing part is generated.

Mit diesem Verfahren wird kostengünstig eine verbesserte Haltekraft zwischen Gehäuseoberteil und Gehäuseunterteil erreicht.With This method is cost-effectively improved holding power between upper housing part and lower housing part reached.

Dadurch dass das Gehäuseoberteil mittels Spritzgießen, Spritzpressen oder Vergießen eingebracht ist, wird kostengünstig das Einbringen des Gehäuseoberteils erreicht.Thereby that the upper housing part by means of injection molding, Transfer molding or casting is introduced, is inexpensive achieved the introduction of the upper housing part.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung mit Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert, wobei die Figuren gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit dem gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind. Die dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß beziehungsweise übertrieben vereinfacht dargestellt sein. Es zeigen:following Be embodiments of the invention with reference explained on the drawings, the figures are the same or equivalent components in each case with the same reference numerals Marked are. The illustrated elements are not to scale rather, individual elements can be exaggerated for better understanding large or exaggeratedly simplified be. Show it:

1 ein Ausführungsbeispiel einer Gehäuseanordnung mit verbesserter Haltekraft, 1 An embodiment of a housing arrangement with improved holding power,

2 eine Weiterbildung des in 1 dargestellten Ausführungsbeispiels, 2 a further education of in 1 illustrated embodiment,

3, 4, 5 Darstellung verschiedener Herstellungsschritte zur Herstellung des in 2 dargestellten Ausführungsbeispiels, 3 . 4 . 5 Presentation of various manufacturing steps for the production of in 2 illustrated embodiment,

3a, 3b Fertigen des Gehäuseunterteils, 3a . 3b Manufacture the housing base,

4a, 4b Aufrauen der Grenzfläche zwischen Gehäuseoberteil und Gehäuseunterteil, 4a . 4b Roughening the interface between the upper part of the housing and the lower part of the housing,

5a, 5b Einbringen des Gehäuseoberteils. 5a . 5b Inserting the upper housing part.

In der 1 ist ein Ausführungsbeispiel einer Gehäuseanordnung mit verbesserter Haltekraft aufgezeigt. Ein Gehäuseunterteil 1 weist eine Oberseite 101 auf. Eine Kavität 102 ist in das Gehäuseunterteil 1 eingebracht, wobei die Kavität 102 zu der Oberseite 101 des Gehäuseunterteils 1 offen ist. Die Gehäuseanordnung weist zudem ein Gehäuseoberteil 2 auf, welches in die Kavität 102 des Gehäuseunterteils 1 angeordnet ist. Die Grenzfläche 103 zwischen Gehäuseunterteil 1 und Ge häuseoberteil 2 ist hierin derart ausgeformt, dass eine verbesserte Haltekraft erzeugt ist.In the 1 an embodiment of a housing assembly with improved holding power is shown. A housing base 1 has a top 101 on. A cavity 102 is in the lower housing part 1 introduced, the cavity 102 to the top 101 of the housing base 1 is open. The housing arrangement also has an upper housing part 2 which is in the cavity 102 of the housing base 1 is arranged. The interface 103 between housing base 1 and housing upper part 2 is herein formed such that an improved holding force is generated.

Das Gehäuseunterteil 1 ist aus einem organischen Basismaterial, insbesondere einem Kunststoff. Beispielhaft erwähnt sei eine Epoxidharzkomponente als organisches Basismaterial 3. In das Basismaterial 3 sind Füllstoffpartikel 4 eingebracht bzw. ist das Basismaterial 3 zumindest teilweise mit den Füllstoffpartikeln 4 gefüllt. Diese Füllstoffpartikel 4 sind zumeist anorganisch. Die Füllstoffpartikel können unterschiedliche Materialien sein. Sie erfüllen unterschiedlichste Aufgaben. Bei der Verwendung eines Epoxyds als Basismaterial 3 ist das Gehäuseunterteil zunächst transparent. Wird unter anderem beispielsweise Ruß als Füllstoffpartikel 4 dem Basismaterial beigefügt, erfolgt eine Schwarzfärbung des Gehäuseunterteils. Bei Verwendung von Titandioxyd erfolgt eine Weißfärbung des Basismaterials 3. Füllstoffpartikel 4 können weiterhin zur verbesserten Wärmeableitung, Stabilisierung oder Strahlungsabsorption bzw. -reflektion in das Basismaterial eingebracht sein. Es ist ebenfalls eine Mischung mehrerer Füllstoffpartikelmaterialien möglich. Als Füllstoffpartikel 4 finden auch Mineralien, Glas oder Sand Verwendung. Zur Bildung einer chemischen Bindung sind die Füllstoffpartikel 4 Silanol-Gruppen (SiOH), Titanhydroxid-Gruppen (TiOH), Hydrit-Gruppen (SiH) und Gruppen mit Kohlenstoffdoppelbindung.The lower housing part 1 is made of an organic base material, in particular a plastic. An example of an epoxy resin component as organic base material 3 , In the base material 3 are filler particles 4 introduced or is the base material 3 at least partially with the filler particles 4 filled. These filler particles 4 are mostly inorganic. The filler particles can be different materials. They fulfill a wide variety of tasks. When using an epoxy as a base material 3 the housing bottom is initially transparent. Among other things, for example, soot as filler particles 4 attached to the base material, there is a blackening of the housing base. When titanium dioxide is used, the base material is whitened 3 , filler 4 may also be incorporated into the base material for improved heat dissipation, stabilization or radiation absorption or reflection. It is also possible to mix several filler particle materials. As filler particles 4 also find minerals, glass or sand use. To form a chemical bond are the filler particles 4 Silanol groups (SiOH), titanium hydroxide groups (TiOH), hydrite groups (SiH) and carbon double bond groups.

Das Gehäuseoberteil 2 ist ein Silikon- oder ein Polysiloxan-basiertes Material. Grundsätzlich gehen diese Materialien aufgrund ihrer chemischen Struktur keine chemische Bindung mit dem organischen Basismaterial 3 des Gehäuseunterteils 1 ein. Dies liegt vorrangig am chemischen Aufbau der Moleküle des Silikons. Dadurch, dass beispielsweise in der Grenzfläche 103 Füllstoffpartikel 4 freigelegt sind, ist eine höhere Rauhigkeit der Grenzfläche 103 erreicht, mit der eine verbesserte mechanische Haltekraft erzielt ist. Die mechanische Haltekraft wird beispielsweise durch eine mechanische Adhäsion zwischen Gehäuseoberteil 2 und Gehäuseunterteil 1 erreicht. Die erhöhte Rauhigkeit begründet sich beispielsweise durch die Korngrößen der Füllstoffpartikel 4. Die Korngröße der Füllstoffpartikel ist größer als die Korngrößen des Basismaterials 3 des Gehäuseunterteils 1 und des Materials des Gehäuseoberteils 2. Somit sorgt die Topographie, also die Mikrorauhigkeit des Gehäuseunterteils 1 für eine Verbesserung der Haltekraft in der Grenzfläche 103 auf mechanischem Weg.The upper housing part 2 is a silicone or a polysiloxane-based material. Basically, due to their chemical structure, these materials do not chemically bond with the organic base material 3 of the housing base 1 one. This is primarily due to the chemical structure of the molecules of the silicone. As a result, for example, in the interface 103 filler 4 are exposed, is a higher roughness of the interface 103 achieved, with which an improved mechanical holding force is achieved. The mechanical holding force is, for example, by a mechanical adhesion between the upper housing part 2 and housing base 1 reached. The increased roughness is due, for example, to the particle sizes of the filler particles 4 , The grain size of the filler particles is larger than the grain sizes of the base material 3 of the housing base 1 and the material of the housing top 2 , Thus ensures the topography, so the micro roughness of the housing base 1 for an improvement of the holding force in the interface 103 by mechanical means.

Die Rauhigkeit wird durch ein Laserabtragungsverfahren erreicht. Dadurch, dass die Füllstoffpartikel 4 anorganisch sind, die Füllstoffpartikel 4 beispielsweise Silanol-Gruppen, Titanhydroxid-Gruppen, Hydrit-Gruppen und Gruppen mit Kohlenstoffdoppelbindung angehören, und das Material des Gehäuseoberteils ein Silikon oder ein Polysiloxan-basiertes Material ist, werden neben verbesserten mechanischen Haltekräften auch chemische Bindungen zwischen Füllstoffpartikeln und Gehäuseoberteilmaterial erhalten, wodurch eine weitere, signifikante Verbesserung der Haltekraft erzeugt ist. Eine chemische Bindung zwischen den unterschiedlichen Molekülen von Füllstoffpartikeln 4 im Basismaterial 3 und im Gehäuseoberteil 2 ist beispielsweise die Atombindung. Grundsätzlich wird eine chemische Bindung als die Bezeichnung für den Zusammenhalt der kleinsten Teilchen in Materialien verstanden. Die Haltekraft ist weiter verbessert, wenn die Füllstoffpartikel eine haftvermittelnde Beschichtung aufweisen. Dazu ist möglicherweise eine Vorbehandelung der Füllstoffpartikel nötig.The roughness is achieved by a laser ablation process. Because of the filler particles 4 inorganic, the filler particles 4 For example, silanol groups, titanium hydroxide groups, hydrite groups, and carbon double bond groups, and the material of the housing top is a silicone or a polysiloxane-based material, chemical bonds between filler particles and housing shell material are obtained in addition to improved mechanical holding forces , Significant improvement in holding power is generated. A chemical bond between the different molecules of filler particles 4 in the base material 3 and in the upper housing part 2 is for example the atomic bond. In principle, a chemical bond is understood as the term for the cohesion of the smallest particles in materials. The holding force is further improved if the filler particles have an adhesion-promoting coating. This may require pre-treatment of the filler particles.

In 2 ist eine Weiterbildung des in 1 dargestellten Ausführungsbeispiels aufgezeigt. Im Folgenden wird nur auf die Unterschiede zwischen 1 und 2 eingegangen. In 2 ist weiterhin ein Leadframe 5 innerhalb des Gehäuseunterteils 1 eingebracht. Auf dem Leadframe 5 ist ein Halbleiterchip 6 befestigt und mittels Bondverdrahtung 7 mit dem Leadframe elektrisch leitfähig verbunden. Hierbei ist der Halbleiterchip 6 in einer der Oberseite 101 parallelen Ebene innerhalb der Kavität 102 angeordnet ist. Das Leadframe 5 dient zusätzlich zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips. Der Halbleiterchip 6 wird durch elektrische Anregung elektromagnetische Strahlung einer bestimmten Wellenlänge aussenden. Das Gehäuseoberteil 2 ist für die auszusendende Wellenlänge transparent und sorgt durch einen geeigneten Oberflächenbrechungsindex für eine optische Ankopplung des Halbleiterchips 6 mit der Umgebung Luft. Durch die Ankopplung ist eine verbesserte Lichtintensität des Halbleiterbauelements erreicht. Das Gehäuseoberteil 2 kann zudem speziell geformt sein, um beispielsweise eine optische Linsenwirkung zu erzielen. Dadurch ist Abstrahlcharakteristik und Lichtintensität verbessert.In 2 is a further education of in 1 illustrated embodiment shown. The following will only focus on the differences between 1 and 2 received. In 2 is still a leadframe 5 within the housing base 1 brought in. On the leadframe 5 is a semiconductor chip 6 attached and by means of bond wiring 7 electrically conductively connected to the leadframe. Here is the semiconductor chip 6 in one of the top 101 parallel plane within the cavity 102 is arranged. The leadframe 5 serves in addition to the electrical contacting of the semiconductor chip. The semiconductor chip 6 will emit electromagnetic radiation of a certain wavelength by electrical excitation. The upper housing part 2 is transparent to the wavelength to be transmitted and provides a suitable surface refractive index for optical coupling of the semiconductor chip 6 with the surrounding air. By coupling an improved light intensity of the semiconductor device is achieved. The upper housing part 2 can also be specially shaped, for example, to achieve an optical lens effect. As a result, the radiation characteristic and light intensity is improved.

In den 3 bis 5 werden verschiedene Herstellungsschritte zur Herstellung eines Gehäuses für eine elektromagnetische Strahlung aussendendes Halbleiterbauelement aufgezeigt. Die 3a, 4a, 5a zeigen dabei die gesamte Gehäuseanordnung. Die 3b, 4b und 5b zeigen jeweils einen vergrößerten Ausschnitt eines Bereiches Z der Gehäuseanordnung zur besseren Darstellung aufzeigen.In the 3 to 5 various manufacturing steps for producing a housing for an electromagnetic radiation emitting semiconductor device are shown. The 3a . 4a . 5a show thereby the entire housing arrangement. The 3b . 4b and 5b each show an enlarged section of a portion Z of the housing assembly for better illustration show.

In 3a ist ein Leadframe 5 innerhalb eines Gehäuseunterteils 1 eingebracht. Hierbei sind beide eingangs beschriebenen Herstellungsvarianten realisierbar. In 3b ist ein vergrößerter Bereich Z des in 3a dargestellten Gehäuseunterteils 1 aufgezeigt. Im Bereich Z ist eine Grenzfläche 103 des Gehäuseunterteils 1 dargestellt. Im Gehäuseunterteil 1 sind das organische Basismaterial 3 des Gehäuseunterteils 1 sowie die Füllstoffpartikel 4 dargestellt. Die Form der Füllstoffpartikel 4 kann zum einen stabförmig, zum anderen rund sein. Eine spezielle Formgebung der Füllstoffpartikel 4 ist nicht zwingend erforderlich. Die Korngröße der Füllstoffpartikel 4 ist größer als die Korngröße des Basismaterials 3. Die Füllstoffpartikel 4 sind die in 1 beschriebenen Materialien des Gehäuseunterteils 1.In 3a is a leadframe 5 within a housing base 1 brought in. Here, both manufacturing variants described above can be realized. In 3b is an enlarged area Z of the in 3a illustrated housing part 1 demonstrated. In the area Z is an interface 103 of the housing base 1 shown. In the housing base 1 are the organic base material 3 of the housing base 1 and the filler particles 4 shown. The shape of the filler particles 4 can be rod-shaped, round-shaped. A special shape of the filler particles 4 is not mandatory. The particle size of the filler particles 4 is larger than the grain size of the base material 3 , The filler particles 4 are the in 1 described materials of the housing base 1 ,

In 4a ist das Gehäuseunterteil 1 erneut aufgezeigt. Im Bereich Z, dargestellt in 4b, ist zu erkennen, dass die Grenzfläche 103 aufgeraut ist. Dieses Aufrauen A der Grenzfläche 103 legt zumindest teilweise die Füllstoffpartikel 4 an der Oberseite 101 und der Grenzfläche 103 frei. Durch die Korngröße der Füllstoffpartikel 4 ist eine verbesserte Rauhigkeit der Grenzfläche 103 erreicht. Das Freilegen der Füllstoffpartikel 4 beziehungsweise das Aufrauen der Grenzfläche 103 ist bevorzugt mit einem Laserabtragungsverfahren durchgeführt. Weiterhin denkbar sind weitere chemische, mechanische oder Plasmaprozesse, die eine genügende Rauhigkeit und ein genügendes Freilegen der Füllstoffpartikel 4 garantieren.In 4a is the lower housing part 1 shown again. In the area Z, shown in 4b , is to realize that the interface 103 is roughened. This roughening A of the interface 103 at least partially deposits the filler particles 4 at the top 101 and the interface 103 free. Due to the grain size of the filler particles 4 is an improved roughness of the interface 103 reached. The exposure of the filler particles 4 or the roughening of the interface 103 is preferably carried out with a laser ablation process. Also conceivable are other chemical, mechanical or plasma processes which have sufficient roughness and sufficient exposure of the filler particles 4 to guarantee.

In 5a ist die Weiterbildung des in der 2 dargestellten Ausführungsbeispiels aufgezeigt. Wiederum ist der Bereich Z herausgenommen und in 5b dargestellt. Zusätzlich zu der 4b ist in 5b das Gehäuseoberteil 2 in die Kavität 102 eingebracht. Dieses Einbringen B ist vorwiegend mittels Spritzguss-, Spritzpress- oder Vergussverfahren realisiert. Durch die mechanische und chemische Verbindung zwischen Gehäuseoberteil und Gehäuseunterteil ist eine ver besserte Haltekraft erzeugt. Die chemische Verbindung wird vorrangig zwischen den anorganischen Füllstoffpartikeln 4 und den Gehäuseoberteilmolekülen erreicht. Die mechanische Verbindung wird vorrangig durch die Rauhigkeit der Grenzfläche 103 erzeugt und ist Basis einer mechanischen Adhäsion. Das Gehäuseoberteil 2 kann zur Verbesserung der mechanischen und chemisch basierten Haltekraft zusätzlich auf der Oberseite 101 des Gehäuseunterteils 1 angeordnet sein.In 5a is the education of the in the 2 illustrated embodiment shown. Again, the area Z is taken out and in 5b shown. In addition to the 4b is in 5b the upper housing part 2 into the cavity 102 brought in. This introduction B is realized mainly by injection molding, transfer molding or casting. Due to the mechanical and chemical connection between the upper housing part and the lower housing part, a ver improved holding force is generated. The chemical compound becomes predominantly between the inorganic filler particles 4 and reaches the housing toppermember molecules. The mechanical connection is given priority by the roughness of the interface 103 produced and is the basis of a mechanical adhesion. The upper housing part 2 can help improve the mechanical and chemical based holding power in addition to the top 101 of the housing base 1 be arranged.

Durch die verbesserte Haltekraft ist eine verbesserte Haftung zu den anorganischen Partikeln des Gehäuseunterteils 2 erreicht. Es wird somit eine stabilere Verbindung zwischen Gehäuseoberteil 2 und Gehäuseunterteil 1 erzeugt. Diese Verbindung wirkt einer drohenden Delamination entgegen. Die Rauhigkeit erzeugt zusätzlich eine mechanische Verankerung des Silikons und des Polysiloxans zum Gehäuseunterteil 1. Das Gehäuseunterteil 1 wird auch als Substrat oder Träger bezeichnet. Wesentlicher Vorteil ist der weniger aufwändige Prozess.Due to the improved holding force is an improved adhesion to the inorganic particles of the housing base 2 reached. It thus becomes a more stable connection between the upper housing part 2 and housing base 1 generated. This compound counteracts the threat of delamination. The roughness additionally produces a mechanical anchoring of the silicone and the polysiloxane to the lower housing part 1 , The lower housing part 1 is also referred to as a substrate or carrier. The main advantage is the less time-consuming process.

Durch die entstehende chemische und mechanische verbesserte Haltekraft wird die Oberfläche der organischen Bestandteile im Laufe der Zeit kaum verändert und somit dauerhaft.By the resulting chemical and mechanical improved holding power The surface of the organic components in the course the time hardly changed and thus permanently.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - WO 96/37532 [0020] WO 96/37532 [0020]

Claims (16)

Gehäuseanordnung für ein, eine elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement mit einem Gehäuseunterteil (1) und einem Gehäuseoberteil (2), wobei: – das Gehäuseunterteil (1) aus einem Basismaterial (3) besteht und das Basismaterial (3) Füllstoffpartikel (4) aufweist, – das Gehäuseunterteil (1) eine Kavität (102) aufweist, – die Kavität (102) zu einer Oberseite (101) des Gehäuseunterteils (1) offen ist, – das Gehäuseoberteil (101) in die Kavität (102) eingebracht ist und – die Grenzfläche (103) des Gehäuseunterteils (1) zum Gehäuseoberteil (2) zumindest teilweise derart ausgestaltet ist, dass zumindest eine mechanische Haltekraft (8) zwischen den Füllstoffpartikeln (4) und dem Gehäuseunterteil (1) erzeugt ist.Housing arrangement for a, a electromagnetic radiation emitting semiconductor device having a housing lower part ( 1 ) and an upper housing part ( 2 ), wherein: - the lower housing part ( 1 ) from a base material ( 3 ) and the base material ( 3 ) Filler particles ( 4 ), - the lower housing part ( 1 ) a cavity ( 102 ), - the cavity ( 102 ) to a top ( 101 ) of the lower housing part ( 1 ) is open, - the upper housing part ( 101 ) into the cavity ( 102 ) and - the interface ( 103 ) of the lower housing part ( 1 ) to the upper housing part ( 2 ) is at least partially configured such that at least one mechanical holding force ( 8th ) between the filler particles ( 4 ) and the lower housing part ( 1 ) is generated. Gehäuseanordnung nach Anspruch 1, wobei zusätzlich eine Haltekraft (8) durch chemische Bindung zwischen den Füllstoffpartikeln (4) des Gehäuseunterteils (1) und dem Material des Gehäuseoberteils (2) erzeugt ist.Housing arrangement according to claim 1, wherein additionally a holding force ( 8th ) by chemical bonding between the filler particles ( 4 ) of the lower housing part ( 1 ) and the material of the upper housing part ( 2 ) is generated. Gehäuseanordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Basismaterial (3) organisch ist.Housing arrangement according to claim 1 or 2, wherein the base material ( 3 ) is organic. Gehäuseanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Füllstoffpartikel (4) anorganisch sind.Housing arrangement according to one of claims 1 to 3, wherein the filler particles ( 4 ) are inorganic. Gehäuseanordnung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, wobei die Füllstoffpartikel (4) eine haftvermittelnde Beschichtung aufweisen.Housing arrangement according to one of claims 3 or 4, wherein the filler particles ( 4 ) have an adhesion-promoting coating. Gehäuseanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Material des Gehäuseoberteils (2) ein Silikon und/oder ein Polysiloxan- basiertes Material ist.Housing arrangement according to one of claims 1 to 5, wherein the material of the housing upper part ( 2 ) is a silicone and / or a polysiloxane-based material. Gehäuseanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Füllstoffpartikel (4) zumindest teilweise an der Grenzfläche (103) freigelegt sind.Housing arrangement according to one of the preceding claims, wherein the filler particles ( 4 ) at least partially at the interface ( 103 ) are exposed. Gehäuseanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Freilegen der Füllstoffpartikel (4) mittels Laser-Abtragungsverfahren realisiert ist.Housing arrangement according to one of the preceding claims, wherein the exposure of the filler particles ( 4 ) is realized by laser ablation. Gehäuseanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit zumindest einem, eine elektromagnetische Strahlung emittierenden Halbleiterchip (6), wobei: – der Halbleiterchip (6) innerhalb der Kavität (102) auf einer der Oberseite (101) des Gehäuseunterteils (1) parallelen Ebene angeordnet ist, – ein Leadframe (5) im Gehäuseunterteil (1) eingebracht ist und – der Halbleiterchip (6) elektrisch leitend mit dem Leadframe (5) verbunden ist.Housing arrangement according to one of the preceding claims with at least one, a electromagnetic radiation emitting semiconductor chip ( 6 ), wherein: the semiconductor chip ( 6 ) within the cavity ( 102 ) on one of the top ( 101 ) of the lower housing part ( 1 ) parallel plane, - a leadframe ( 5 ) in the housing lower part ( 1 ) and - the semiconductor chip ( 6 ) electrically conductive with the leadframe ( 5 ) connected is. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein, eine elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelements mit folgenden Verfahrensschritten: – Herstellen eines Gehäuseunterteils, wobei: – das Gehäuseunterteilbasismaterial teilweise aus Füllstoffpartikel besteht, – das Gehäuseunterteil eine Kavität aufweist und die Kavität zu einer Oberseite des Gehäuseunterteils offen ist, – Formen der Oberseite des Gehäuseunterteils derart, dass die Füllstoffpartikel zumindest teilweise freiliegen und die O berfläche eine größere Rauhigkeit als vor dem Formen aufweist, – Einbringen eines Gehäuseoberteils in die Kavität, wobei das Gehäuseoberteil durch die Oberseitenformung eine mechanische Haltekraft zwischen Gehäuseunterteil und Gehäuseoberteil erzeugt wird.Method for producing a housing for a, a electromagnetic radiation emitting semiconductor device with the following process steps: - Making a Housing base, wherein: The lower case base material partially composed of filler particles, - the Housing bottom has a cavity and the cavity is open to a top of the housing base, - To shape the top of the housing bottom such that the filler particles at least partially exposed and the surface a has greater roughness than before molding, - bring in an upper housing part in the cavity, wherein the Housing top by the top molding a mechanical Holding force between the lower part of the housing and the upper part of the housing is produced. Verfahren nach Anspruch 10, wobei durch die eine chemische Bindung zwischen den Füllstoffpartikeln und dem Gehäuseoberteil erzeugt wird.The method of claim 10, wherein the one chemical bond between the filler particles and the Housing top is generated. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei: – vor der Herstellung des Gehäuseunterteils ein Leadframe geformt wird, – auf den Leadframe ein, eine elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip angeordnet wird – der Halbleiterchip elektrisch leitend mit dem Leadframe verbunden wird und – der Leadframe während der Herstellung des Gehäuseunterteils in das Gehäuseunterteil eingebracht wird.A method according to claim 10 or 11, wherein: - in front the production of the housing base molded a leadframe becomes, - on the leadframe, an electromagnetic radiation emitting semiconductor chip is arranged - of the Semiconductor chip is electrically connected to the leadframe and - The leadframe during production of the lower housing part in the lower housing part is introduced. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei das Gehäuseoberteil mittels Spritzgießen, Spritzpressen oder Vergießen eingebracht wird.Method according to one of claims 10 to 12, wherein the upper housing part by means of injection molding, transfer molding or casting is introduced. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei das Gehäuseunterteilmaterial organisch ist und in das Gehäuseunterteilmaterial anorganische Füllstoffpartikel eingebracht sind.Method according to one of claims 10 to 13, wherein the housing bottom material is organic and in the housing bottom material inorganic filler particles are introduced. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei das Gehäuseoberteilmaterial ein Silikon oder ein Polysiloxan-basiertes Material ist.Method according to one of claims 10 to 14, wherein the housing shell material is a silicone or a Polysiloxane-based material is. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, wobei das Freilegen der Füllstoffpartikel mittels Laser-Abtragungsverfahren realisiert wird.Method according to one of claims 10 to 15, wherein the exposure of the filler particles by means of laser ablation is realized.
DE102008011282A 2007-12-20 2008-02-27 Housing arrangement for e.g. LED, in display device, has housing lower part with boundary layer that is partially formed such that mechanical holding strength is generated between filler particle and housing lower part Withdrawn DE102008011282A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008011282A DE102008011282A1 (en) 2007-12-20 2008-02-27 Housing arrangement for e.g. LED, in display device, has housing lower part with boundary layer that is partially formed such that mechanical holding strength is generated between filler particle and housing lower part

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007061470 2007-12-20
DE102007061470.7 2007-12-20
DE102008011282A DE102008011282A1 (en) 2007-12-20 2008-02-27 Housing arrangement for e.g. LED, in display device, has housing lower part with boundary layer that is partially formed such that mechanical holding strength is generated between filler particle and housing lower part

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008011282A1 true DE102008011282A1 (en) 2009-06-25

Family

ID=40690043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008011282A Withdrawn DE102008011282A1 (en) 2007-12-20 2008-02-27 Housing arrangement for e.g. LED, in display device, has housing lower part with boundary layer that is partially formed such that mechanical holding strength is generated between filler particle and housing lower part

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102008011282A1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0400176A1 (en) * 1989-05-31 1990-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Surface-mountable optical element
WO1996037532A1 (en) 1995-05-24 1996-11-28 Siemens Aktiengesellschaft Epoxy resin moulding materials fire-proofed without halogens
EP0881678A2 (en) * 1997-05-28 1998-12-02 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to porous dielectric structures
DE102004047510A1 (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Infineon Technologies Ag Semiconductor device having semiconductor device components embedded in plastic package

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0400176A1 (en) * 1989-05-31 1990-12-05 Siemens Aktiengesellschaft Surface-mountable optical element
WO1996037532A1 (en) 1995-05-24 1996-11-28 Siemens Aktiengesellschaft Epoxy resin moulding materials fire-proofed without halogens
EP0881678A2 (en) * 1997-05-28 1998-12-02 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to porous dielectric structures
DE102004047510A1 (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Infineon Technologies Ag Semiconductor device having semiconductor device components embedded in plastic package

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010028407B4 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
DE102005036520A1 (en) Optical component, optoelectronic component with the component and its manufacture
EP2031667B1 (en) Light emitting diode housing
DE102009055786A1 (en) Housing, optoelectronic component and method for producing a housing
DE102008008057A1 (en) A method of manufacturing compact housed light emitting devices having a plurality of optical elements by compression molding
DE102006046678A1 (en) Housing for use with semiconductor body of e.g. LED unit, has plastic-base body with plastic components, where one plastic component is made of material differing from that of other component in optical characteristic
EP1853943A2 (en) Method for producing an optical, radiation-emitting component and optical, radiation-emitting component
DE10153259A1 (en) Optoelectronic component
DE202012011948U1 (en) LED module with Flächenverguß
DE102007018208A1 (en) SMD LED
EP1770797A2 (en) Method for producing a radiation emitting device and radiation emitting device
DE102007029369A1 (en) Opto-electronic semiconductor component, has opaque material for covering conductive strips of connection carrier and areas of chip connection region and for uncovering radiation passage surface of opto-electronic semiconductor chip
DE102011018921A1 (en) Carrier, optoelectronic component with carrier and method for the production of these
DE102007046348A1 (en) Radiation-emitting device with glass cover and method for its production
DE102012104363A1 (en) Optoelectronic component and method for its production
DE102014116778A1 (en) Method for producing a conversion element, conversion element and optoelectronic component with such a conversion element
WO2005064696A1 (en) Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for the production thereof
DE102009032253B4 (en) electronic component
DE10323857A1 (en) Housing for a laser diode device, laser diode device and method of manufacturing a laser diode device
DE102008035255A1 (en) Optoelectronic semiconductor component
DE102008011282A1 (en) Housing arrangement for e.g. LED, in display device, has housing lower part with boundary layer that is partially formed such that mechanical holding strength is generated between filler particle and housing lower part
DE102008005936A1 (en) Opto-electronic arrangement has opto-electronic semiconductor chip which generates or detects electromagnetic radiation in operation, where part of electromagnetic radiation enters through outer surface of body
WO2001015242A1 (en) Method for the production of an optoelectronic component with a lens
DE102008044847A1 (en) Optoelectronic component has support with electrically conductive lead frame, which has two elements, where organic layer is arranged on both elements
DE102013213542A1 (en) Lighting device for a motor vehicle, as well as housing part for a motor vehicle lighting device

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination

Effective date: 20150228