DE102008005396A1 - Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Solarzelle mit einer Vorderseite zum Einkoppeln elektromagnetischer Strahlung und einer Rückseite, umfassend mindestens eine Basismetallisierung (3) und mindestens eine Emittermetallisierung (6) sowie eine Halbleiterstruktur, welche mindestens einen Basisbereich (1) eines ersten Dotierungstyps und mindestens einen Emitterbereich (2) eines zweiten, zum ersten Dotierungstyp entgegengesetzten Dotierungstyps aufweist, zur Ausbildung eines pn-Übergangs zwischen Basis und Emitter, wboe die Basismetallisierung (3) mit dem Basisbereich (1) und die Emittermetallisierung (6) mit dem Emitterbereich (2) elektrisch leitend verbunden sind, die Baismetallisierung (3) und die Emittermetallisierung (6) beide an einer Metallisierungsseite der Solarzelle angeordnet sind, welche die Vorderseite oder die Rückseite der Solarzelle ist un der Emitterbereich (2) sich zumindest teilweise entlang der Metallisierungsseite der Solarzelle erstreckt. Wesentlich ist, dass der Emitterbereich (2) sich zumindest teilweise in den von der Basismetallisierung (3) bedeckten Bereich der Metallisierungsseite erstreckt und dass die Halbleiterstruktur zusätzlich einen Isolierungsbereich (4) des ersten Dotierungstyps aufweist, welcher sich entlang der Metallisierungsseite der Solarzelle zumindest teilweise zwischen der Basismetallisierung (3) und dem Emitterbereich (2) erstreckt. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Solarzelle gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung der Solarzelle gemäß Anspruch 9.
  • Typische Solarzellen weisen eine Vorderseite zum Einkoppeln elektromagnetischer Strahlung und eine Rückseite auf. Sie umfassen mindestens eine Basismetallisierung und mindestens eine Emittermetallisierung sowie eine Halbleiterstruktur, welche mindestens einen Basisbereich eines ersten Dotierungstyps und mindestens einen Emitterbereich eines zweiten Dotierungstyps aufweist.
  • Basisbereich und Emitterbereich sind zumindest teilweise aneinandergrenzend angeordnet, so dass sich zwischen Basis und Emitter ein pn-Übergang ausbildet. Dotierungstypen sind der n-Dotierungstyp und der hierzu entgegengesetzte p-Dotierungstyp.
  • Die Basismetallisierung ist mit dem Basisbereich und die Emittermetallisierung mit dem Emitterbereich elektrisch leitend verbunden, so dass über die jeweilige Metallisierung Ladungsträger aus dem Basisbereich bzw. dem Emitterbereich zu- und abgeführt werden können.
  • Im Sinne der vorliegenden Anmeldung werden bei der Bezeichnung „elektrisch leitend verbunden" solche Ströme oder Rekombinationseffekte vernachlässigt, die am oder über einen pn-Übergang auftreten. Im Sinne der vorliegenden Anmeldung sind somit Emitter und Basis nicht über den pn-Übergang elektrisch leitend verbunden und dementsprechend ist die Emittermetallisierung nicht mit dem Basisbereich und die Basismetallisierung nicht mit dem Emitterbereich elektrisch leitend verbunden.
  • Die Erfindung betrifft solche Solarzellen, bei der Basis- und Emittermetallisierung entweder beide an der Vorder- oder beide an der Rückseite der Solarzelle angeordnet sind. Die Seite der Solarzelle, an der beide Metallisierungen angeordnet sind, wird im Folgenden als Metallisierungsseite bezeichnet.
  • Die Anordnung von Basis- und Emittermetallisierung an der Metallisierungsseite der Solarzelle weist verschiedene Vorteile auf: Ist die Metallisierungsseite beispielsweise die Rückseite der Solarzelle, so wird an der Vorderseite die Einkopplung elektromagnetischer Strahlung nicht durch eine Metallisierung eingeschränkt. Weiterhin ermöglich die Anordnung beider Metallisierungen an der Metallisierungsseite die Kontaktierung der Solarzelle lediglich über eine Seite, so dass insbesondere eine einfachere Modulverschaltung solcher Solarzellen möglich ist.
  • Typischerweise sind bei einseitig kontaktierbaren Solarzellen an der Metallisierungsseite lateral nebeneinanderliegend in abwechselnder Folge Emitter- und Basisbereiche angeordnet. Dies führt zu gegenläufigen Effekten bei der Optimierung der Effizienz der Solarzelle: Zum einen ist es wünschenswert, möglichst viel der Metallisierungsoberfläche durch den Emitterbereich zu bedecken, um eine effiziente Einsammlung von Minoritätsladungsträgern zu ermöglichen. Zum anderen definieren die Größen der Emitter- und Basisbereiche die Größen der darüberliegenden Metallisierungen und eine zu starke Reduktion beispielsweise des Basisbereiches an der Metallisierungsoberfläche führt zu einer Reduzierung der Basismetallisierung, insbesondere hinsichtlich der Breite und damit zu erhöhten Leitungswiderständen, welche wiederum die Effizienz der Solarzelle verringern.
  • Es ist bekannt, eine überlappende Metallisierung vorzusehen, beispielsweise indem die Basismetallisierung sich über den Bereich der Metallisierungsoberfläche hin erstreckt, der von dem Emitterbereich bedeckt ist und zwischen Basismetallisierung und Emitterbereich ist auf der Metallisierungsoberfläche eine isolierende Schicht aufgebracht, die einen Kurzschluss verhindert. In der Pra xis weisen solche isolierenden Schichten jedoch häufig ungewollte kleine Öffnungen (pinholes) auf, so dass Kurzschlussströme fließen, welche die Effizienz der Solarzelle herabsetzen. Diese Problematik ergibt sich insbesondere bei großflächigen Solarzellen.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Solarzelle zu schaffen, bei der mindestens eine Basismetallisierung und mindestens eine Emittermetallisierung auf einer Metallisierungsseite der Solarzelle angeordnet sind und gleichzeitig eine hohe Effizienz der Solarzelle gewährleistet ist, bei Verringerung der Gefahr von Kurzschlussströmen.
  • Gelöst ist diese Aufgabe durch eine Solarzelle gemäß Anspruch 1 sowie durch ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle gemäß Anspruch 9. Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Solarzelle finden sich in den Ansprüchen 2–8, vorteilhafte Ausbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens finden sich in den Ansprüchen 10 bis 13.
  • Die erfindungsgemäße Solarzelle weist wie vorhergehend beschrieben eine Vorderseite zum Einkoppeln elektromagnetischer Strahlung und eine Rückseite auf. Die Solarzelle umfasst mindestens eine Basismetallisierung und mindestens eine Emittermetallisierung sowie eine Halbleiterstruktur, welche mindestens einen Basisbereich eines ersten Dotierungstyps und mindestens einen Emitterbereich eines zweiten Dotierungstyps zur Ausbildung eines pn-Übergangs zwischen Basis und Emitter aufweist. Der erste Dotierungstyp ist zu dem zweiten Dotierungstyp entgegengesetzt.
  • Die Basismetallisierung ist mit dem Basisbereich und die Emittermetallisierung mit dem Emitterbereich elektrisch leitend verbunden. Weiterhin sind Basismetallisierung und Emittermetallisierung beide an einer Metallisierungsseite der Solarzelle angeordnet, wobei die Metallisierungsseite entweder die Vorderseite oder die Rückseite der Solarzelle ist.
  • Der Emitterbereich der Solarzelle erstreckt sich zumindest teilweise entlang der Metallisierungsseite der Solarzelle.
  • Wesentlich ist, dass der Emitterbereich sich zumindest teilweise in den von der Basismetallisierung bedeckten Bereich der Metallisierungsseite erstreckt und dass die Halbleiterstruktur zusätzlich einen Isolierungsbereich des ersten Dotierungstyps aufweist, welcher sich entlang der Metallisierungsseite der Solarzelle zumindest teilweise zwischen der Basismetallisierung und dem Emitterbereich erstreckt.
  • Die erfindungsgemäße Solarzelle weist somit eine Überlappung zwischen Basismetallisierung und Emitterbereich auf, wobei die Trennung zwischen Basismetallisierung und Emitterbereich nicht durch eine isolierende Schicht, sondern durch einen Isolierungsbereich des ersten Dotierungstyps erfolgt.
  • Hierdurch ergibt sich der Vorteil, dass sich zwischen Isolierungsbereich und Emitterbereich ebenfalls ein pn-Übergang ausbildet, der somit den Isolierungsbereich von dem Emitterbereich elektrisch abschirmt. Ebenso ist die Basismetallisierung durch den Isolierungsbereich und den sich zwischen Isolierungsbereich und Emitterbereich ausbildenden pn-Übergang elektrisch von dem Emitterbereich abgeschirmt, so dass insbesondere Kurzschlussströme zwischen Basismetallisierung und Emitterbereich vermieden werden.
  • Vorteilhafterweise erstreckt sich der Isolierungsbereich mindestens entlang desjenigen Bereiches der Metallisierungsseite, welcher von der Metallisierung bedeckt ist.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung ist die Halbleiterstruktur der Solarzelle in einem Halbleitersubstrat ausgebildet, insbesondere vorteilhafterweise in einem Siliziumwafer.
  • Die Metallisierungsoberfläche ist hierbei eine Oberfläche des Halbleitersubstrates und der Emitterbereich ist schichtartig an der Metallisierungsoberfläche und im Wesentlichen parallel zu der Metallisierungsoberfläche in dem Halbleitersubstrat ausgebildet. Der pn-Übergang zwischen Basis und Emitter verläuft somit in etwa parallel zu der Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates.
  • Weiterhin ist der Isolierungsbereich ebenfalls an der Metallisierungsoberfläche in dem Halbleitersubstrat ausgebildet.
  • Vorteilhafterweise wird der Isolierungsbereich durch Überkompensation des Emitterbereiches mittels Diffusion ausgebildet. Dies ermöglicht eine einfache Herstellung der erfindungsgemäßen Solarzelle, indem zunächst wie bisher bekannt ein Emitter an der Metallisierungsoberfläche der Solarzelle ausgebildet wird, der sich im Wesentlichen über die gesamte Metallisierungsoberfläche der Solarzelle erstreckt und anschließend mittels Überkompensation an den gewünschten Bereichen der Metallisierungsoberfläche ein oder mehrere Isolierungsbereiche erzeugt werden.
  • Es ist bekannt, eine Überkompensation beispielsweise mittels Diffusion von Dotierstoffen zu erzeugen.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist die Halbleiterstruktur der Solarzelle in einem Halbleitersubstrat ausgebildet, wobei die Metallisierungsoberfläche eine Oberfläche des Halbleitersubstrates ist. Der Emitterbereich ist schichtartig an der Metallisierungsoberfläche und im Wesentlichen parallel zu dieser in dem Halbleitersubstrat ausgebildet, wie zuvor beschrieben. Im Gegensatz zu der zuvor beschriebenen vorteilhaften Ausgestaltung ist bei dieser vorteilhaften Ausgestaltung der Isolierungsbereich als eigene Halbleiterschicht ausgebildet. Diese Halbleiterschicht ist auf der Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates angeordnet, wobei die Basismetallisierung auf der Halbleiterschicht ausgebildet ist.
  • Diese Ausgestaltung weist den Vorteil auf, dass die Solarzelle wie bekannt durch Ausbildung eines Emitters in einem Halbleitersubstrat an der Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates ausgebildet wird und anschließend auf die Metallisierungsoberfläche zunächst in einem oder mehreren gewünschten Bereichen eine oder mehrere Halbleiterschichten aufgetragen werden, welche die Isolierungsbereiche darstellen und entsprechend gemäß des ersten Dotierungstyps dotiert sind. Anschließend wird die Basismetallisierung derart an der Metallisierungsseite der Solarzelle angeordnet, dass sie auf den Isolie rungsbereich, der in diesem Fall als Halbleiterschicht ausgebildet ist, aufgebracht wird.
  • Vorteilhafterweise sind Basis- und Emittermetallisierung zumindest teilweise als linienartige Metallisierungen ausgeführt. Insbesondere ist es vorteilhaft, dass Basis- und Emittermetallisierung zumindest teilweise als parallel verlaufende linienartige Metallisierungsfinger ausgeführt sind.
  • Insbesondere ist es vorteilhaft, Basis- und Emittermetallisierung in an sich bekannter Weise als kammartige ineinandergreifende Metallisierungen auszuführen.
  • Vorteilhafterweise weisen die Metallisierungsfinger von Basis- und Emittermetallisierung eine Breite im Bereich von 100 μm bis 2000 μm auf. Insbesondere ist es vorteilhaft, wenn die Metallisierungsfinger eine Breite von etwa 1000 μm aufweisen.
  • Der Abstand zwischen den Metallisierungsfingern liegt vorteilhafterweise im Bereich von 100 μm bis 500 μm.
  • Vorteilhafterweise ist der Isolierungsbereich mit dem Basisbereich elektrisch leitend verbunden. Dies wird insbesondere vorteilhafterweise dadurch erreicht, dass der Isolierungsbereich zumindest teilweise unmittelbar an den Basisbereich angrenzt.
  • Hierdurch kann die elektrisch leitende Verbindung zwischen Basismetallisierung und Basisbereich beispielsweise dadurch realisiert werden, dass die Basismetallisierung mit dem Isolierungsbereich und dieser wiederum mit dem Basisbereich elektrisch leitend verbunden ist.
  • Vorteilhafterweise wird die zuvor beschriebene erfindungsgemäße Solarzelle gemäß einem Verfahren nach Anspruch 9 aus einem Halbleitersubstrat hergestellt.
  • Hierbei wird in einem Schritt A ein Basisbereich eines ersten Dotiertyps und ein zumindest teilweise an den Basisbereich angrenzender Emitterbereich eines zweiten Dotiertyps erzeugt, wobei der erste Dotiertyp zu dem zweiten Dotiertyp entgegengesetzt ist. Der Emitterbereich erstreckt sich zumindest teilweise entlang einer Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates.
  • In einem Schritt B wird ein Isolierungsbereich des ersten Dotiertyps erzeugt, der sich zumindest teilweise zwischen der Metallisierungsoberfläche und dem Emitterbereich erstreckt.
  • In einem Schritt C wird eine Basismetallisierung auf die Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates aufgebracht, wobei die Basismetallisierung zumindest teilweise die Metallisierungsoberfläche in dem Bereich bedeckt, in dem sich der Isolierungsbereich erstreckt. Der Isolierungsbereich ist somit zumindest teilweise von der Basismetallisierung bedeckt.
  • In einem Schritt D wird eine Emittermetallisierung auf die Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates aufgebracht, wobei die Emittermetallisierung zumindest teilweise die Metallisierungsoberfläche in dem Bereich bedeckt, in dem sich der Emitterbereich erstreckt. Der Emitterbereich ist somit zumindest teilweise von der Emittermetallisierung bedeckt.
  • Vorteilhafterweise wird in Schritt B der Isolierungsbereich mittels Diffusion von Dotierstoffen erzeugt. Insbesondere ist es vorteilhaft, dass der Isolierungsbereich mittels Überkompensation des Emitters erzeugt wird.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird in Schritt B der Isolierungsbereich durch Aufbringen einer Halbleiterschicht auf die Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates erzeugt, wobei die Halbleiterschicht eine Schicht des ersten Dotiertyps ist. In Schritt D wird die Basismetallisierung auf den als Halbleiterschicht ausgebildeten Isolierungsbereich aufgebracht.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird in Schritt B der Isolierungsbereich derart erzeugt, dass zunächst der Emit terbereich teilweise entfernt wird und anschließend in einem Diffusionsvorgang der Isolierungsbereich erzeugt wird. Vorteilhafterweise wird der Emitter hierbei bis zu einer vorgegebenen Tiefe teilweise entfernt. Insbesondere ist es vorteilhaft, wenn die vorgegebene Tiefe in etwa der Tiefe des pn-Übergangs ausgehend von der Metallisierungsoberfläche entspricht, abzüglich der Tiefe des in dem Diffusionsvorgang eindiffundierten Isolierungsbereiches.
  • Denn hierdurch wird in dem Bereich, in dem der Emitter teilweise entfernt wurde, ein Kontakt zwischen Isolierungsbereich und Basis geschaffen, so dass Basismetallisierung und Basisbereich elektrisch leitend verbunden sind. In den Bereichen, in denen der Isolierungsbereich per Diffusion erzeugt wurde, jedoch der Emitter nicht teilweise entfernt wurde, stellt der Isolierungsbereich wie zuvor beschrieben eine elektrische Isolierung zwischen Basismetallisierung und Emitterbereich dar.
  • Vorteilhafterweise wird der Emitterbereich mittels Laserablation teilweise entfernt.
  • Weitere Merkmale und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung werden im Folgenden anhand einer Zeichnung erläutert. Dabei zeigt:
  • 1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Solarzelle im Querschnitt.
  • Bei der in 1 dargestellten erfindungsgemäßen Solarzelle ist die Vorderseite zum Einkoppeln elektromagnetischer Strahlung unten angeordnet und die Rückseite entsprechend oben. Die Solarzelle umfasst eine Basismetallisierung 3 und eine Emittermetallisierung 6. Ferner umfasst die Solarzelle eine Halbleiterstruktur, welche in einem Siliziumwafer ausgebildet ist. In dem Siliziumwafer ist ein n-dotierter Basisbereich 1 und ein p-dotierter Emitterbereich 2, der somit einen zum Basisbereich entgegengesetzten Dotierungstyp aufweist, ausgebildet.
  • Zwischen Basisbereich 1 und Emitterbereich 2 ergibt sich ein pn-Übergang, zur Ladungsträgertrennung der durch die eingekoppelte elektromagnetische Strahlung erzeugten freien Ladungsträger.
  • Basismetallsierung 3 und Emittermetallisierung 6 sind an der in 1 obenliegenden Rückseite der Solarzelle angeordnet, die Rückseite ist somit die Metallisierungsseite der Solarzelle.
  • Wesentlich ist, dass der Emitterbereich sich zumindest teilweise in den von der Basismetallisierung bedeckten Bereich der Metallisierungsseite erstreckt. Dieser Bereich ist in 1 durch A beispielhaft gekennzeichnet. Weiterhin weist die Halbleiterstruktur einen Isolierungsbereich 4 auf, der sich entlang der Metallisierungsseite der Solarzelle teilweise zwischen Basismetallisierung und dem Emitterbereich erstreckt. Der Isolierungsbereich 4 ist wie die Basis ebenfalls n-dotiert.
  • Die Basismetallisierung 3 ist mit dem Isolierungsbereich 4 elektrisch leitend verbunden und der Isolierungsbereich 4 ist mit dem Basisbereich 1 elektrisch leitend verbunden, so dass auch die Basismetallisierung 3 mit dem Basisbereich 1 elektrisch leitend verbunden ist.
  • Ebenso ist der Emitterbereich 2 mit der Emittermetallisierung 6 elektrisch leitend verbunden.
  • Wesentlich ist, dass in dem mit A beispielhaft gekennzeichneten Bereich sich zwar die Basismetallisierung 3 über die Metallisierungsoberfläche erstreckt, gleichzeitig jedoch in diesen Bereich A sich der Emitterbereich 2 entlang der Metallisierungsseite erstreckt, wobei zwischen Emitterbereich 2 und Basismetallisierung 3 der Isolierungsbereich 4 angeordnet ist.
  • Zwischen Isolierungsbereich 4 und Emitterbereich 2 bildet sich ein pn-Übergang aus, so dass insbesondere die Basismetallisierung 3 von dem Emitterbereich 2 in dem Bereich A elektrisch getrennt ist.
  • Bei der erfindungsgemäßen Solarzelle ist es somit möglich, die Basismetallisierung 3 großflächig auszuführen, insbesondere in dem in 1 dargestellten Schnittbild mit einer Breite zu versehen, die der Breite der Emittermetallisierung 6 entspricht. Emittermetallisierung und Basismetallisierung sind linienartig ausgeführt, wobei die Linien in 1 senkrecht zur Zeichenebene verlaufen.
  • Gleichzeitig ist der Emitterbereich 2 überlappend unter die Basismetallisierung 3 geführt, so dass sich eine Effizienzsteigerung der Solarzelle ergibt und gleichzeitig eine ausreichend starke Metallisierung durch die Basismetallisierung 3 gewährleistet ist, so dass darüber hinaus Verluste durch Ohmsche Widerstände der Basismetallisierung 3 minimiert sind.
  • Zur Herstellung der in 1 dargestellten Solarzelle wurde ausgehend von einem n-dotierten Siliziumwafer der Emitterbereich 2 mittels Diffusion erzeugt. Anschließend wurde an der durch den gestrichelten Pfeil 5 markierten Stelle der Siliziumwafer ausgehend von der Metallisierungsseite und damit der Emitterbereich 2 teilweise abgetragen.
  • In einem folgenden Schritt wurde der Isolierungsbereich 4 mittels Diffusion erzeugt. Dadurch, dass die Eindringtiefe des eindiffundierten Isolierungsbereiches größer ist als die verbleibende Restdicke des Emitterbereiches in dem Bereich, in dem der Emitterbereich teilweise abgetragen wurde, entsteht an der mit Bezugszeichen 5 in 1 gekennzeichneten Stelle eine elektrisch leitende Verbindung zwischen Isolierungsbereich 4 und Basisbereich 1. Hierdurch ist gewährleistet, dass einerseits die Basismetallisierung 3 über den Isolierungsbereich 4 elektrisch leitend mit dem Basisbereich 1 verbunden ist und darüber hinaus (beispielsweise in dem mit A gekennzeichneten Bereich) der Isolierungsbereich 4 den Emitterbereich 2 von der Basismetallisierung 3 abschirmt.

Claims (13)

  1. Solarzelle mit einer Vorderseite zum Einkoppeln elektromagnetischer Strahlung und einer Rückseite, umfassend mindestens eine Basismetallisierung (3) und mindestens eine Emittermetallisierung (6) sowie eine Halbleiterstruktur, welche mindestens einen Basisbereich (1) eines ersten Dotierungstyps und mindestens einen Emitterbereich (2) eines zweiten, zum ersten Dotierungstyp entgegengesetzten Dotierungstyps aufweist, zur Ausbildung eines pn-Übergangs zwischen Basis und Emitter, wobei die Basismetallisierung (3) mit dem Basisbereich (1) und die Emittermetallisierung (6) mit dem Emitterbereich (2) elektrisch leitend verbunden sind, die Basismetallisierung (3) und die Emittermetallisierung (6) beide an einer Metallisierungsseite der Solarzelle angeordnet sind, welche die Vorderseite oder die Rückseite der Solarzelle ist und der Emitterbereich (2) sich zumindest teilweise entlang der Metallisierungsseite der Solarzelle erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass der Emitterbereich (2) sich zumindest teilweise in den von der Basismetallisierung (3) bedeckten Bereich der Metallisierungseite erstreckt und dass die Halbleiterstruktur zusätzlich einen Isolierungsbereich (4) des ersten Dotierungstyps aufweist, welcher sich entlang der Metallisierungseite der Solarzelle zumindest teilweise zwischen der Basismetallisierung (3) und dem Emitterbereich (2) erstreckt.
  2. Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Isolierungsbereich (4) mindestens entlang desjenigen Bereiches der Metallisierungseite erstreckt, welcher von der Basismetallisierung (3) bedeckt ist.
  3. Solarzelle nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterstruktur in einem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, wobei die Metallisierungsoberfläche eine Oberfläche des Halbleitersubstrates ist, der Emitterbereich (2) schichtartig an der Metallisierungsoberfläche und im Wesentlichen parallel zu dieser in dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist und der Isolierungsbereich (4) ebenfalls an der Metallisierungsoberfläche in dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, insbesondere durch Überkompensation des Emitterbereiches (2) mittels Diffusion.
  4. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterstruktur in einem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, wobei die Metallisierungsoberfläche eine Oberfläche des Halbleitersubstrates ist, der Emitterbereich (2) schichtartig an der Metallisierungsoberfläche und im Wesentlichen parallel zu dieser in dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist und der Isolierungsbereich (4) als eigene Halbleiterschicht ausgebildet ist, welche auf der Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates angeordnet ist, wobei die Basismetallisierung (3) auf der Halbleiterschicht ausgebildet ist.
  5. Solarzelle nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Basis- und Emittermetallisierung (3, 6) zumindest teilweise als linienartige Metallisierungen ausgeführt sind, insbesondere, dass Basis- und Emittermetallisierung (3, 6) zumindest teilweise als parallel verlaufende linienartige Metallisierungsfinger ausgeführt sind.
  6. Solarzelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierungsfinger von Basis- und Emittermetallisierung (3, 6) eine Breite im Bereich von 100 μm bis 2000 μm aufweisen, insbesondere in etwa 1000 μm.
  7. Solarzelle nach einem der Ansprüche 4 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Metallisierungsfingern ein Abstand im Bereich von 100 μm bis 500 μm besteht.
  8. Solarzelle nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolierungsbereich (4) mit Basisbereich (1) elektrisch leitend verbunden ist, insbesondere, dass der Isolierungsbereich (4) zumindest teilweise unmittelbar an den Basisbereich (1) angrenzt.
  9. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einem Halbleitersubstrat nach einem der vorangegangenen Ansprüche, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Erzeugen eines Basisbereiches (1) eines ersten Dotiertyps und eines zumindest teilweise daran angrenzenden Emitterbereiches (2) eines zweiten, zu dem ersten Dotiertyp entgegengesetzten Dotiertyps, wobei sich der Emitterbereich (2) zumindest teilweise entlang einer Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates erstreckt, B Erzeugen eines Isolierungsbereiches (4) des ersten Dotiertyps, der sich zumindest teilweise zwischen der Metallisierungsoberfläche und dem Emitterbereich (2) erstreckt, C Aufbringen einer Basismetallisierung (3) auf die Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates, welche zumindest teilweise die Metallisierungsoberfläche in dem Bereich bedeckt, in dem sich der Isolierungsbereich (4) erstreckt und D Aufbringen einer Emittermetallisierung (6) auf die Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates, welche zumindest teilweise die Metallisierungsoberfläche in dem Bereich bedeckt, in dem sich der Emitterbereich (2) erstreckt.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt B der Isolierungsbereich (4) mittels Diffusion von Dotierstoffen erzeugt wird, insbesondere, dass der Isolierungsbereich (4) mittels Überkompensation des Emitters erzeugt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt B der Isolierungsbereich (4) durch Aufbringen einer Halbleiterschicht auf die Metallisierungsoberfläche des Halbleitersubstrates erzeugt wird und dass in Schritt D die Basismetallisierung (3) auf die Halbleiterschicht des Isolierungsbereiches (4) aufgebracht wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt B der Isolierungsbereich (4) derart erzeugt wird, dass zunächst der Emitterbereich (2) ausgehend von der Metallisierungsoberfläche teilweise entfernt wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Emitterbereich (2) mittels Laserablation teilweise entfernt wird.
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