DE102008000030A1 - Production method for a micromechanical electrostatic adjustment device and micromechanical electrostatic adjustment device - Google Patents

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Tjalf Pirk
Stefan Pinter
Hubert Benzel
Heribert Weber
Michael Krueger
Robert Sattler
Jörg Muchow
Joachim Fritz
Christoph Schelling
Christoph Friese
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung (10) mit den Schritten: Aufbringen einer ersten leitfähigen Schicht (12) auf eine Unterlage (28, 30), Ätzen der ersten leitfähigen Schicht (12) zum Bilden von mindestens einer ersten Elektrode (16) aus dem Material der ersten leitfähigen Schicht (12), Aufbringen einer Trennschicht (32a) auf die erste leitfähige Schicht (12), Aufbringen einer zweiten leitfähigen Schicht auf die Trennschicht (32a), Ätzen der zweiten leitfähigen Schicht zum Bilden von mindestens einer zweiten Elektrode (22) aus dem Material der zweiten leitfähigen Schicht und Aufbringen einer Abdeckschicht (40) auf die zweite Elektrode (22) und Biegen der zweiten Elektrode (22) mittels einer von der Abdeckschicht (40) auf die zweite Elektrode (22) ausgeübten mechanischen Druckspannung. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine entsprechende mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung.The invention relates to a production method for a micromechanical electrostatic adjustment device (10) comprising the steps of: applying a first conductive layer (12) to a substrate (28, 30), etching the first conductive layer (12) to form at least one first electrode ( 16) of the material of the first conductive layer (12), depositing a release layer (32a) on the first conductive layer (12), depositing a second conductive layer on the separation layer (32a), etching the second conductive layer to form at least one second electrode (22) made of the material of the second conductive layer and applying a cover layer (40) on the second electrode (22) and bending the second electrode (22) by means of one of the cover layer (40) on the second electrode (22) exerted mechanical compressive stress. Furthermore, the invention relates to a corresponding micromechanical electrostatic adjustment device.

Description

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine entsprechende mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung.The The invention relates to a production method for a micromechanical electrostatic Adjustment. Furthermore, the invention relates to a corresponding micromechanical electrostatic adjustment device.

Stand der TechnikState of the art

Mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtungen finden heutzutage als Positionier- oder Sensorvorrichtungen eine häufige Verwendung. Beispielsweise kann eine mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung Bestandteil eines Mikrospiegels eines Projektionssystems sein, welches einen Laserstrahl mittels des Mikrospiegels ablenkt, um auf diese Weise ein Videobild zu projizieren oder um eine Oberfläche abzurastern.Micromechanical Electrostatic adjusting devices are nowadays used as positioning or sensor devices a frequent Use. For example, a micromechanical electrostatic Adjustment device Component of a micromirror of a projection system be, which deflects a laser beam by means of the micromirror to to project a video image in this way or to rasterize a surface.

Bei einer mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung erfolgt das Verstellen des verstellbaren Bauteils üblicherweise mittels statischer und beweglicher Elektrodenkämme, die elektrostatisch ineinander gezogen werden. Um eine bevorzugte, quasi statische Ansteuerung zu realisieren, müssen die statischen und beweglichen Elektrodenkämme so zueinander angeordnet werden, dass aufgrund einer zwischen ihnen angelegten elektrischen Spannung ungleich Null ein Drehmoment auf die beweglichen Elektrodenkämme erzeugbar ist. Aufgrund der häufigen Verwendung von elektrostatischen Verstellvorrichtungen im Consumer-Bereich oder in einem Kraftfahrzeug ist es wünschenswert, über eine kostengünstige Möglichkeit zum Herstellen von vergleichsweise kleinen elektrostatischen Verstellvorrichtungen zu verfügen. Insbesondere ist es wünschenswert, bei der Herstellung einer derartigen elektrostatischen Verstellvorrichtung auf die Verwendung von vergleichsweise teuren Silicon-on-Isolator (SOI) Substraten verzichten zu können.at a micromechanical electrostatic adjustment takes place the adjustment of the adjustable component usually by means of static and movable electrode combs, which are electrostatically drawn into each other. To a preferred, To realize quasi-static control, the static and moving electrode combs be arranged to each other so that due to one between them applied zero voltage torque on a torque the movable electrode combs can be generated. Due to the frequent Use of electrostatic adjusting devices in the consumer sector or in a motor vehicle it is desirable to have a cost effective option for producing comparatively small electrostatic adjusting devices to dispose of. In particular, it is desirable in the manufacture of such an electrostatic adjusting device on the use of comparatively expensive silicon-on-insulator (SOI) substrates to be able to do without.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Die Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und eine mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 7.The The invention provides a manufacturing method for a micromechanical electrostatic Adjusting device with the features of claim 1 and a micromechanical electrostatic adjusting device with the features of the claim 7th

Dabei kann die Trennschicht beispielsweise eine isolierende Schicht und/oder eine Opferschicht sein, wobei die Opferschicht vor oder nach einem Biegen der zweiten Elektrode wenigstens teilweise entfernt wird. Das Biegen der zweiten Elektrode umfasst mindestens das Biegen der beweglichen Elektrodenfinger der zweiten Elektrode. Vorzugsweise wird die Abdeckschicht dazu unter Druckspannung auf die zweite Elektrode aufgebracht.there For example, the release layer can be an insulating layer and / or a sacrificial layer, with the sacrificial layer before or after bending the second electrode is at least partially removed. The bending the second electrode comprises at least the bending of the movable Electrode fingers of the second electrode. Preferably, the cover layer becomes for this purpose applied to the second electrode under compressive stress.

Die Erfindung beschreibt ein einfach durchführbares Herstellungsverfahren für eine mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung und eine entsprechend kostengünstige mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung. Auf die Verwendung von Mehrschichtsubstraten kann verzichtet werden.The Invention describes an easily practicable manufacturing method for one micromechanical electrostatic adjusting device and a corresponding inexpensive micromechanical electrostatic adjustment device. On the use Of multi-layer substrates can be dispensed with.

Die vorliegende Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass die vergleichsweise aufwendigen herkömmlichen Verfahren zum Bilden einer elektrostatischen Verstellvorrichtung auf dem Problem beruhen, die mindestens zwei Elektroden der elektrostatischen Verstellvorrichtung so zueinander anzuordnen, dass eine ausreichend große Kraft zum Verstellen der beweglichen Elektrode durch Anlegen einer möglichst geringen Spannung möglich ist. Dies erfordert eine relativ nahe Anordnung der mindestens zwei Elektroden zueinander. Mittels der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die mindestens zwei Elektroden auf einfache Weise zu bilden und anschließend mindestens eine der beiden Elektroden über das Aufbringen der Abdeckschicht so zu biegen, dass die Wechselwirkung zwischen den beiden Elektroden verstärkt wird. Vorzugsweise wird die zweite Elektrode so gebogen, dass die mindestens zwei Elektroden ineinandergreifen und damit die elektrostatische Kraft zwischen den beiden Elektroden bei einem Anlegen einer elektrischen Spannung ungleich Null verstärkt wird.The The present invention is based on the finding that the comparative elaborate conventional Method for forming an electrostatic adjusting device based on the problem, the at least two electrodes of the electrostatic adjustment device to arrange each other so that a sufficiently large force for adjusting the movable electrode by applying the smallest possible Tension possible is. This requires a relatively close arrangement of the at least two Electrodes to each other. It is by means of the present invention possible, to form the at least two electrodes in an easy way and subsequently at least one of the two electrodes via the application of the cover layer to bend so that the interaction between the two electrodes is reinforced. Preferably, the second electrode is bent so that the at least two electrodes mesh and thus the electrostatic Force between the two electrodes when applying an electrical Voltage not equal to zero is amplified.

Bei einer mittels des vorgestellten Herstellungsverfahrens erzeugte elektrostatischen Verstellvorrichtung sind die mindestens eine statische Elektrode und die mindestens eine bewegliche Elektrode vorzugsweise in zwei verschiedenen Ebenen über der Unterlage ausgebildet. Durch das Aufbringen der Abdeckschicht kann jedoch eine der beiden Elektroden, vorzugsweise die bewegliche Elektrode, in die Ebene der anderen hineingebogen werden. Dies kann z. B. mittels einer Schubspannung der auf die zweite, obere Elektrode aufgebrachten Abdeckschicht geschehen.at a generated by means of the presented manufacturing process electrostatic adjusting device are the at least one static Electrode and the at least one movable electrode preferably in two different levels above the Pad formed. By applying the cover layer can however, one of the two electrodes, preferably the movable electrode, be bent into the plane of the others. This can be z. B. by means a shear stress applied to the second, upper electrode Covering done.

Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren erfordert zu seiner Durchführung nur einen Ausgangswafer. Bei einem Waferprozess können anschließend eine hohe Anzahl von elektrostatischen Verstellvorrichtungen prozessiert und anschließend vereinzelt werden. Die dazu durchgeführten Prozessschritte weisen eine vergleichsweise geringe Zahl auf und sind einfach ausführbar, was die Kosten für das Herstellungsverfahren senkt.The Production method according to the invention requires to its implementation only one starting wafer. In a wafer process, a high number of electrostatic adjusting devices processed and then isolated become. The performed to Process steps have a comparatively small number and are easy to execute, what the cost of lowers the manufacturing process.

In einer bevorzugten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens wird eine Abdeckschicht mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizient, welcher kleiner als der thermische Ausdehnungskoeffizient des Materials der zweiten leitfähigen Schicht ist, auf die zweite Elektrode aufgebracht. Aufgrund des geringeren Ausdehnungskoeffizienten der Abdeckschicht kann die zweite Elektrode nach einem Aufbringen der Abdeckschicht durch eine Temperaturänderung ohne eine Fremdeinwirkung gebogen werden. Vorzugsweise ragt dann mindestens ein Ende der zweiten Elektrode in einen Zwischenraum der ersten Elektrode hinein. Dies gewährleistet eine gute Wechselwirkung zwischen den beiden Elektroden bei einem Anlegen einer Spannung ungleich Null.In a preferred embodiment of the manufacturing method, a cover layer having a thermal expansion coefficient which is smaller than the thermal expansion coefficient of the material of the second conductive layer is applied to the second electrode. Due to the ge the lower expansion coefficient of the cover layer, the second electrode can be bent after application of the cover layer by a temperature change without external influence. Preferably, at least one end of the second electrode then projects into a gap of the first electrode. This ensures good interaction between the two electrodes when applying a non-zero voltage.

Beispielsweise wird eine Abdeckschicht, welche Siliziumoxid umfasst, auf der zweiten Elektrode gebildet. Bei einem Abkühlen der zweiten Elektrode und der Abdeckschicht biegt sich die zweite Elektrode dann ohne eine Fremdeinwirkung in Richtung der unter ihr liegenden ersten Elektrode. Dies gewährleistet eine kostengünstig und einfach ausführbare Möglichkeit zum Biegen der zweiten Elektrode.For example For example, a capping layer comprising silicon oxide on the second Electrode formed. Upon cooling of the second electrode and the cover layer then bends the second electrode without a foreign influence in the direction of the underlying first Electrode. This ensures a cost-effective and easily executable possibility for bending the second electrode.

Vorzugsweise wird die Abdeckschicht streifenförmig und/oder senkrecht zu einer Symmetrieachse der zweiten Elektrode auf die zweite Elektrode aufgebracht. Somit können die beweglichen Elektrodenfinger der zweiten Elektrode leicht in die gewünschte Form gebogen werden.Preferably The cover layer is strip-shaped and / or perpendicular to an axis of symmetry of the second electrode applied to the second electrode. Thus, the movable electrode fingers the second electrode can be easily bent into the desired shape.

Zusätzlich kann zumindest die zweite Elektrode und/oder das Material der Abdeckschicht vor dem Aufbringen der Abdeckschicht erhitzt werden. Ein Abkühlen der zweite Elektrode und/oder des Materials der Abdeckschicht bewirkt dann automatisch die vorteilhafte Verformung der zweiten Elektrode.In addition, can at least the second electrode and / or the material of the cover layer be heated before applying the cover layer. A cooling of the second electrode and / or the material of the cover causes then automatically the advantageous deformation of the second electrode.

In einer bevorzugten Weiterbildung wird eine Siliziumgermaniumschicht zumindest als Bestandteil der Trennschicht auf die erste leitfähige Schicht aufgebracht, wobei die Siliziumgermaniumschicht nach einem Bilden der zweiten Elektrode zumindest teilweise mit einem Ätzmaterial weggeätzt wird, welches ClF3 und/oder XeF2 umfasst. Auf diese Weise kann die Siliziumgermaniumschicht von den gewünschten Bereichen weggeätzt werden, ohne dass dabei eine aus Silizium gebildete Elektrode beschädigt wird.In a preferred refinement, a silicon germanium layer is applied to the first conductive layer at least as part of the separation layer, wherein the silicon germanium layer is at least partially etched away with an etching material which comprises ClF 3 and / or XeF 2 after forming the second electrode. In this way, the silicon germanium layer can be etched away from the desired areas without damaging an electrode formed of silicon.

Die in den oberen Abschnitten beschriebenen Vorteile gelten auch für eine entsprechende mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung.The Benefits described in the above sections also apply to a corresponding one micromechanical electrostatic adjustment device.

In einer bevorzugten Ausführungsform der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung ist die zweite Elektrode über eine Feder mit mindestens einem fest angeordneten Aufhängeelement verbunden, und wobei die Feder bei einem Anlegen einer Spannung zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode verformt wird. Vorzugsweise ist die zweite Elektrode einstückig mit der Feder und dem Aufhängeelement ausgebildet. Ebenso kann das Ankerelement, an welchem das Aufhängeelement befestigt ist, einstückig mit der ersten Elektrode ausgebildet sein. Ein derartiger Aufbau der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung lässt sich einfach realisieren und gewährleistet eine gute Beweglichkeit der zweiten Elektrode bei Anlegen einer Spannung zwischen den mindestens zwei Elektroden.In a preferred embodiment the micromechanical electrostatic adjusting device is the second electrode over a spring with at least one fixed suspension element connected, and wherein the spring upon application of a voltage deformed between the first electrode and the second electrode becomes. Preferably, the second electrode is integral with the spring and the suspension element educated. Likewise, the anchor element, on which the suspension element is attached, in one piece be formed with the first electrode. Such a construction the micromechanical electrostatic adjusting device can be simply realize and ensure a good mobility of the second electrode when applying a voltage between the at least two electrodes.

Vorteilhafterweise ist die Feder mäanderförmig oder zickzackförmig ausgebildet. Durch ein derartiges Design der Feder kann der Abstand zwischen dem Aushängeelement und der zweiten Elektrode minimiert werden.advantageously, is the spring meandering or zigzag educated. By such a design of the spring, the distance between the hanging element and the second electrode are minimized.

Des Weiteren kann die zweite Elektrode über ein Verbindungselement mit einer verspiegelten Platte verbunden sein, welche durch das Anlegen der Spannung zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode aus einer Ausgangsstellung in mindestens eine Endstellung verstellbar ist. Die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung eignet sich in diesem Fall gut als Mikrospiegel. Dabei kann auch das Verbindungselement mäanderförmig oder zickzackförmig ausgebildet sein, um den oben schon genannten Vorteil zu gewährleisten.Of Further, the second electrode via a connecting element be associated with a mirrored plate, which by the Applying the voltage between the first electrode and the second Electrode from a starting position in at least one end position is adjustable. The micromechanical electrostatic adjustment device is suitable in this case, good as a micromirror. It can also be the connecting element meandering or zigzag be formed to ensure the above-mentioned advantage.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der Figuren erläutert. Es zeigen:Further Features and advantages of the present invention will become apparent below explained with reference to the figures. Show it:

1 zeigt ein Flussdiagramm zur Darstellung einer ersten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für eine mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung; 1 shows a flowchart for illustrating a first embodiment of the manufacturing method for a micromechanical electrostatic adjustment device;

2 bis 6 zeigen eine erste Ausführungsform der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung, wobei 2 eine Draufsicht auf die Verstellvorrichtung und 3 bis 6 einen Querschnitt durch die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung zeigen; 2 to 6 show a first embodiment of the micromechanical electrostatic adjusting device, wherein 2 a plan view of the adjustment and 3 to 6 show a cross section through the micromechanical electrostatic adjusting device;

7 und 8 zeigen eine zweite Ausführungsform der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung, wobei 7 eine Draufsicht auf die Verstellvorrichtung und 8 einen Querschnitt durch die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung zeigen; und 7 and 8th show a second embodiment of the micromechanical electrostatic adjusting device, wherein 7 a plan view of the adjustment and 8th show a cross section through the micromechanical electrostatic adjusting device; and

9 und 10 zeigen einen Vergleich einer dritten Ausführungsform der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung mit der ersten Ausführungsform. 9 and 10 show a comparison of a third embodiment of the micromechanical electrostatic adjusting device with the first embodiment.

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

1 zeigt ein Flussdiagramm zur Darstellung einer ersten Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für eine mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung. 1 shows a flowchart for illustrating a first embodiment of the manufacturing method for a micromechanical electrostatic adjustment device.

In einem ersten Schritt S1 des Herstellungsverfahrens wird eine erste leitfähige Schicht, vorzugsweise Polysilizium, auf eine Unterlage aufgebracht. Dabei kann die Unterlage eine isolierende Oberfläche aufweisen. Beispielsweise ist die Unterlage ein Siliziumsubstrat, auf dessen Oberfläche mittels eines thermischen Oxidierungsverfahrens eine Siliziumoxidschicht gebildet ist. Gegebenenfalls wird nach dem Aufbringen der ersten leitfähigen Schicht ein CMP-Verfahren (chemisches mechanisches Polierverfahren) durchgeführt zum Glätten der ersten leitfähigen Schicht.In a first step S1 of the manufacturing process is a first conductive Layer, preferably polysilicon, applied to a substrate. In this case, the pad may have an insulating surface. For example the substrate is a silicon substrate, on the surface of which a thermal oxidation process, a silicon oxide layer is formed. Optionally, after the application of the first conductive Layer a CMP process (chemical mechanical polishing process) carried out for straightening the first conductive Layer.

In einem weiteren Schritt S2 wird die erste leitfähige Schicht geätzt, um aus der ersten leitfähigen Schicht mindestens eine erste Elektrode zu formen. Dazu kann eine Maske, wie beispielsweise eine Lackmaske, auf der Oberfläche der ersten leitfähigen Schicht so strukturiert werden, dass Aussparungen in der Maske den Zwischenräumen der mindestens einen ersten Elektrode entsprechen.In In a further step S2, the first conductive layer is etched to from the first conductive Layer to form at least a first electrode. This can be a Mask, such as a resist mask, on the surface of first conductive layer be structured so that recesses in the mask the spaces between the at least correspond to a first electrode.

Anschließend wird eine Trennschicht auf die erste leitfähige Schicht, bzw. auf die erste Elektrode aufgebracht (Schritt S3). Diese Trennschicht kann beispielsweise als Opferschicht Siliziumgermanium enthalten. Die Trennschicht kann auch zumindest teilweise ein elektrisch isolierendes Material enthalten. Nach dem Aufbringen der Trennschicht kann ein CMP-Verfahren durchgeführt werden, um die Trennschicht zu glätten.Subsequently, will a release layer on the first conductive layer, or on the first electrode applied (step S3). This release layer can, for example as a sacrificial layer containing silicon germanium. The separation layer can also at least partially contain an electrically insulating material. After applying the release layer, a CMP process can be carried out to smooth the release layer.

In einem nachfolgenden Schritt S4 wird eine zweite leitfähige Schicht auf die Trennschicht aufgebracht. Auch die zweite leitfähige Schicht kann Polysilizium enthalten. Anschließend wird in einem Schritt S5 mindestens eine zweite Elektrode aus dem Material der zweiten leitfähigen Schicht geätzt. Die erste und die zweite Elektrode sind in zwei verschiedenen Ebenen übereinander angeordnet. Der Abstand zwischen der ersten und der zweiten Elektrode in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche der Unterlage beträgt mindestens die Schichtdicke der Trennschicht.In a subsequent step S4 becomes a second conductive layer applied to the release layer. Also the second conductive layer may contain polysilicon. Subsequently, in a step S5 at least one second electrode made of the material of the second conductive layer etched. The first and second electrodes are superimposed in two different planes arranged. The distance between the first and the second electrode in a direction perpendicular to the surface of the pad is at least the layer thickness of the separation layer.

In dem Verfahrensschritt S6 wird die zweite Elektrode gebogen. Dazu wird eine Abdeckschicht auf die zweite Elektrode aufgebracht. Vorzugsweise wird dabei der Abstand zwischen der zweiten Elektrode und der ersten Elektrode in der Richtung senkrecht zur Oberfläche der Unterlage verringert.In In method step S6, the second electrode is bent. To a covering layer is applied to the second electrode. Preferably while the distance between the second electrode and the first Reduced electrode in the direction perpendicular to the surface of the substrate.

Die Abdeckschicht kann ein unter mechanische Druckspannung stehendes Material enthalten. Beispielsweise enthält die Abdeckschicht Siliziumoxid. Nach einem Entfernen der Opferschicht während des Schritts S6 findet in diesem Fall ohne eine Fremdeinwirkung die weiter unten noch genauer beschriebene Biegung der zweiten Elektrode statt. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Abdeckschicht senkrecht zu einer Symmetrieachse der zweiten Elektrode streifenförmig auf der oberen zweiten Elektrode strukturiert.The Covering layer may be under mechanical compressive stress Material included. For example, the cover layer contains silicon oxide. After removing the sacrificial layer during step S6 in this case without a foreign influence the more detailed below described bending of the second electrode instead. In a preferred embodiment the cover layer is perpendicular to an axis of symmetry of the second Electrode strip-shaped structured on the upper second electrode.

2 bis 6 zeigen eine erste Ausführungsform der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung, wobei 2 eine Draufsicht auf die Verstellvorrichtung und 3 bis 6 einen Querschnitt durch die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung zeigen. 2 to 6 show a first embodiment of the micromechanical electrostatic adjusting device, wherein 2 a plan view of the adjustment and 3 to 6 show a cross section through the micromechanical electrostatic adjustment.

Die in 2 gezeigte mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 10 umfasst eine (nicht gezeigte) Unterlage mit einer isolierenden Oberfläche. Auf der Unterlage ist eine erste leitfähige Schicht 12 gebildet, welche beispielsweise aus Polysilizium besteht. In die erste leitfähige Schicht 12 sind Hohlräume 14 geätzt. Die zwischen den Hohlräumen 14 liegenden Bereiche sind als stationäre Elektroden 16 ausgebildet. Hierbei sind die Elektrodenfinger beidseits einer Symmetrieachse der zweiten Elektrode bestehend aus Verbindungselementen 20, beweglichen Elektroden 22, Torsionsfedern 24 und Aufhängeelementen 26 durch einen Graben elektrisch voneinander isoliert. So lässt sich ein unterschiedliches Potenzial an die durch den Isolationsgraben getrennten beiden Elektrodenhälften anlegen und ein Drehmoment auf die beweglichen Elektroden 22 erzeugen.In the 2 shown micromechanical electrostatic adjustment 10 includes a pad (not shown) having an insulating surface. On the pad is a first conductive layer 12 formed, which consists for example of polysilicon. In the first conductive layer 12 are cavities 14 etched. The between the cavities 14 lying areas are considered stationary electrodes 16 educated. Here, the electrode fingers on both sides of an axis of symmetry of the second electrode consisting of connecting elements 20 , movable electrodes 22 , Torsion springs 24 and suspension elements 26 electrically insulated from each other by a trench. Thus, a different potential can be applied to the two electrode halves separated by the isolation trench and a torque to the movable electrodes 22 produce.

Teilflächen der ersten leitfähigen Schicht 12, welche in 2 jedoch nicht dargestellt sind, sind mit einer Trennschicht bedeckt. Auf der Trennschicht ist ein aus einer zweiten leitfähigen Schicht, beispielsweise Polysilizium, gebildetes Verstellelement angeordnet. Das einstückig ausgebildete Verstellmoment umfasst eine Spiegelplatte 18, Verbindungselemente 20, bewegliche Elektroden 22, Torsionsfedern 24 und Aufhängeelemente 26. Die Spiegelplatte 18 ist mit einer (nicht skizzierten) reflektierenden Schicht bedeckt. Die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 10 kann somit als Mikrospiegel genutzt werden.Partial surfaces of the first conductive layer 12 , what a 2 however, are not shown are covered with a release layer. On the separating layer, an adjusting element formed from a second conductive layer, for example polysilicon, is arranged. The integrally formed adjusting moment comprises a mirror plate 18 , Fasteners 20 , movable electrodes 22 , Torsion springs 24 and suspension elements 26 , The mirror plate 18 is covered with a (not sketched) reflective layer. The micromechanical electrostatic adjustment device 10 can thus be used as a micromirror.

Die Verbindungselemente 20 sind an den beiden Seiten der Spiegelplatte 18 in Längrichtung der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung 10 ausgebildet. Senkrecht zur Längsrichtung der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung 10 stehen die beweglichen Elektroden 22 von den Verbindungselementen 20 ab. An den von der Spiegelplatte 18 abgewandten Enden der Verbindungselemente 20 sind Torsionsfedern 24 ausgebildet. Bei der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung 10 verlaufen die Torsionsfedern 24 als schmale gerade Streifen parallel zu der Längsrichtung der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung 10. Als Alternative dazu können die Torsionsfedern 24 auch mäanderförmig oder zickzackförmig ausgebildet sein, um den Abstand zwischen den Verbindungselementen 20 und den an den Torsionsfedern 24 ebenfalls angeordneten Aufhängeelementen 26 zu minimieren.The connecting elements 20 are on the two sides of the mirror plate 18 in the longitudinal direction of the micromechanical electrostatic adjustment device 10 educated. Perpendicular to the longitudinal direction of the micromechanical electrostatic adjustment device 10 stand the movable electrodes 22 from the fasteners 20 from. At the of the mirror plate 18 remote ends of the connecting elements 20 are torsion springs 24 educated. In the micromechanical electrostatic adjustment device 10 the torsion springs run 24 as narrow straight strips parallel to the longitudinal direction of the micromechanical electrostatic adjusting device 10 , Alternatively, the torsion springs 24 also be formed meander-shaped or zigzag-shaped, to the distance between the connecting elements 20 and on the torsion springs 24 also arranged suspension elements 26 to minimize.

3 zeigt einen Querschnitt durch die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 10 entlang einer Linie A-A' der 2. Die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 10 weist als Unterlage ein Siliziumsubstrat 28 auf, dessen Oberfläche 30 isolierend ausgebildet ist. In die darüber angeordnete erste leitfähige Schicht 12 sind Hohlräume 14a und 14b geätzt. Die Hohlräume 14a unterteilen die erste leitfähige Schicht 12 in elektrisch voneinander isolierte Bereiche, welche als stationäre Elektroden 16 ausgebildet sind. 3 shows a cross section through the micromechanical electrostatic adjustment 10 along a line AA 'the 2 , The micromechanical electrostatic adjustment device 10 has as a substrate a silicon substrate 28 on, its surface 30 is formed insulating. In the above first conductive layer 12 are cavities 14a and 14b etched. The cavities 14a divide the first conductive layer 12 in electrically isolated areas, which are used as stationary electrodes 16 are formed.

Nach dem Ätzen der stationären Elektroden 16 wird eine Trennschicht 32a auf die erste leitfähige Schicht 12 aufgebracht. Auch die Hohlräume 14a und 14b werden mit der Trennschicht 32a gefüllt. Die Trennschicht 32a weist eine Mindestschichtdicke d1 auf, welche so gewählt ist, dass eine auf einer Oberfläche 32b der Trennschicht 32a angeordnete zweite leitfähige Schicht von den stationären Elektroden 16 elektrisch isoliert ist. Anschließend werden die Komponenten 18 bis 26 aus der zweiten leitfähigen Schicht gebildet.After etching the stationary electrodes 16 becomes a separation layer 32a on the first conductive layer 12 applied. Also the cavities 14a and 14b be with the release layer 32a filled. The separation layer 32a has a minimum layer thickness d 1 , which is chosen so that one on a surface 32b the separation layer 32a arranged second conductive layer of the stationary electrodes 16 is electrically isolated. Subsequently, the components 18 to 26 formed from the second conductive layer.

Die aus der zweiten leitfähigen Schicht gebildeten beweglichen Elektroden 22 sind so angeordnet, dass je eine bewegliche Elektrode 22 über einem der Hohlräume 14a liegt. Der Hohlraum 14b erstreckt sich unterhalb der Spiegelplatte 18.The movable electrodes formed of the second conductive layer 22 are arranged so that each has a movable electrode 22 over one of the cavities 14a lies. The cavity 14b extends below the mirror plate 18 ,

Bei dem in 3 gezeigten Herstellungszustand vor einem Ätzen der Trennschicht 32a entspricht die Mindestschichtdicke d1 der Trennschicht 32a einem Mindestabstand zwischen den stationären Elektroden 16 und den beweglichen Elektroden 22 in einer Richtung 34 senkrecht zu der Oberfläche 30 des Substrats 28 vor einem Biegen der beweglichen Elektroden 22.At the in 3 shown manufacturing state before etching the release layer 32a corresponds to the minimum layer thickness d 1 of the separation layer 32a a minimum distance between the stationary electrodes 16 and the movable electrodes 22 in one direction 34 perpendicular to the surface 30 of the substrate 28 before bending the movable electrodes 22 ,

4 zeigt einen Querschnitt durch die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 10 entlang einer Linie B-B' der 2, welche einer Symmetrieachse 42 des Verstellelements entspricht. Wie in 4 zu erkennen, wird die Trennschicht vor einem Biegen der beweglichen Elektroden 22 aus den Hohlräumen 14a und 14b und unterhalb der Spiegelplatte 18, der Verbindungselemente 20, der beweglichen Elektroden 22 und der Torsionsfedern 24 weggeätzt. 4 shows a cross section through the micromechanical electrostatic adjustment 10 along a line BB 'the 2 which is an axis of symmetry 42 corresponds to the adjustment. As in 4 To recognize, the separation layer is before bending the movable electrodes 22 from the cavities 14a and 14b and below the mirror plate 18 , the connecting elements 20 , the moving electrodes 22 and the torsion springs 24 etched away.

Lediglich unter den Aufhängeelementen 26 kann noch eine Resttrennschicht 36 erhalten bleiben. Diese Resttrennschicht 36 dient zur elektrischen Isolierung des Verstellelements von den Ankerpunkten 38 der ersten leitfähigen Schicht 12. Gleichzeitig sind die Aufhängeelemente 26 über die Resttrennschichten 36 fest mit der ersten leitfähigen Schicht 12 verbunden, wodurch eine Bewegung der Aufhängeelemente 26 verhindert wird.Only under the suspension elements 26 can still have a residual release layer 36 remain. This residual separation layer 36 is used for electrical insulation of the adjustment of the anchor points 38 the first conductive layer 12 , At the same time are the suspension elements 26 over the residual separating layers 36 firmly with the first conductive layer 12 connected, causing a movement of the suspension elements 26 is prevented.

Ein besonders leicht ausführbarer Ätzschritt zum zumindest teilweisen Entfernen der Trennschicht 32a ist bei einem Isolationsgraben um den Ankerpunkt 26 gewährleistet. In diesem Fall ist an dem Ankerpunkt 26 das Material der oberen Elektrode mit dem der unteren Elektrode verbunden. Aufgrund des Isolationsgrabens liegt aber dennoch eine elektrische Isolation vor. Der Ätzschritt kann deshalb ein Endpunktätzen anstelle eines Zeitätzens beinhalten.A particularly easily executable etching step for at least partial removal of the release layer 32a is at an isolation trench around the anchor point 26 guaranteed. In this case is at the anchor point 26 the material of the upper electrode is connected to that of the lower electrode. Due to the isolation trench but is still an electrical isolation. The etching step may therefore involve end point etching rather than time etching.

5 zeigt einen Querschnitt durch die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 10 entlang einer Linie C-C' der 2, wobei zwischen den stationären Elektroden 16 und den beweglichen Elektroden 22 keine Spannung anliegt. Wie in 5 deutlich zu erkennen ist, weisen die beweglichen Elektroden 22 nach dem Aufbringen einer Abdeckschicht 40 und dem Entfernen der Trennschicht eine im Vergleich zur Spiegelplatte 18 gebogene Form auf. Durch diese Biegung der beweglichen Elektroden 22 in eine Richtung zu den stationären Elektroden 16 wird die elektrostatische Wechselwirkung zwischen den stationären Elektroden 16 und den beweglichen Elektroden 22 verbessert. 5 shows a cross section through the micromechanical electrostatic adjustment 10 along a line CC 'the 2 , wherein between the stationary electrodes 16 and the movable electrodes 22 no voltage is applied. As in 5 can be clearly seen, have the movable electrodes 22 after applying a cover layer 40 and the removal of the release layer compared to the mirror plate 18 curved shape. By this bending of the movable electrodes 22 in one direction to the stationary electrodes 16 becomes the electrostatic interaction between the stationary electrodes 16 and the movable electrodes 22 improved.

Die von den Verbindungselementen 20 abgewandten Enden der beweglichen Elektroden 22 ragen in die (nicht skizzierten) Hohlräume zwischen den stationären Elektroden 16 hinein. Man kann dies als ein Ineinandergreifen der stationären Elektroden 16 und der beweglichen Elektroden 22 bezeichnen. Durch das Aufbringen der Abdeckschicht 40, beispielsweise aus einem Material mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten kleiner als dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der beweglichen Elektroden 22, werden die beweglichen Elektroden 22 so verformt, dass Bereiche von ihnen sich unterhalb der Oberfläche 32b der (inzwischen weggeätzten) Trennschicht befinden.The of the fasteners 20 remote ends of the movable electrodes 22 protrude into the (not outlined) cavities between the stationary electrodes 16 into it. One can do this as a meshing of the stationary electrodes 16 and the movable electrodes 22 describe. By applying the cover layer 40 For example, from a material having a coefficient of thermal expansion smaller than the thermal expansion coefficient of the movable electrodes 22 , become the moving electrodes 22 deformed so that areas of them are below the surface 32b the (now weggeätzten) separating layer are located.

Wie in 5 zu erkennen, verläuft ein Trenngraben 44 enthalt der Längsrichtung der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung 10 mittig durch die erste leitfähige Schicht 12. Damit ist es möglich, unterschiedliche Spannungen an die an den beiden Seiten des Trenngrabens 44 ausgebildeten stationären Elektroden 16 anzulegen.As in 5 to recognize, runs a dividing trench 44 contains the longitudinal direction of the micromechanical electrostatic adjustment device 10 centrally through the first conductive layer 12 , This makes it possible to apply different voltages to those on both sides of the dividing trench 44 trained stationary electrodes 16 to apply.

6 zeigt denselben Querschnitt wie 5 nach einem Anlegen einer elektrischen Spannung U ungleich Null zwischen den beweglichen Elektroden 22 und den auf einer Seite des Trenngrabens 44 angeordneten stationären Elektroden 16. Diese Spannung U bewirkt eine elektrostatische Kraft, durch welche die beweglichen Elektroden 22 um die Symmetrieachse des Verstellelements gedreht werden. 6 shows the same cross section as 5 after applying an electrical voltage U not equal to zero between the movable electrodes 22 and on one side of the dividing trench 44 arranged stationary electrodes 16 , This voltage U causes an electrostatic force through which the movable electrodes 22 be rotated about the axis of symmetry of the adjustment.

Die Drehung der beweglichen Elektroden 22 bewirkt auch eine Drehung der Spiegelplatte 18, so dass die Spiegelplatte 18 aus ihrer in 5 gezeigten Ausgangsposition um einen Winkel α1 geneigt wird.The rotation of the movable electrodes 22 also causes a rotation of the mirror plate 18 so that the mirror plate 18 from her in 5 shown starting position is inclined by an angle α1.

Der maximale Auslenkwinkel der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung 10 ist abhängig von der Mindestschichtdicke d1 der (fast vollständig weg geätzten) Trennschicht. Durch eine größere Mindestschichtdicke d1 lässt sich der maximale Auslenkwinkel steigern.The maximum deflection angle of the micromechanical electrostatic adjustment device 10 depends on the minimum layer thickness d 1 of the (almost completely etched away) separating layer. By a larger minimum layer thickness d 1 , the maximum deflection angle can be increased.

In einer bevorzugten Ausführungsform besteht wenigstens ein Teil der Trennschicht aus Siliziumgermanium. Die Siliziumgermaniumschicht lässt sich leicht durch ein Ätzmedium, welches ClF3 und/oder XeF2 enthält, bis auf die gewünschten Resttrennschichten entfernen. Grundsätzlich können auch isolierende Materialien, die sich selektiv gegen das Substrat oder die Spiegelstrukturen ätzen lassen, als Trennschicht auf die erste leitfähige Schicht 12 aufgebracht werden.In a preferred embodiment, at least a part of the separating layer consists of silicon germanium. The silicon germanium layer is easily removed by an etching medium containing ClF 3 and / or XeF 2 , except for the desired residual release layers. In principle, insulating materials which can be selectively etched against the substrate or the mirror structures can also be used as a release layer on the first conductive layer 12 be applied.

Durch die Multifunktionalität der Trennschicht als Isolator und als Opferschicht (Opferschichttechnologie), entfällt die Notwendigkeit, die gewünschten Strukturen von der Rückseite des Substrats aus freizulegen. Damit entfällt auch eine sonst typischerweise notwendige Verkapselung, was wiederum die Komplexität und die Kosten senkt.By the multifunctionality the separation layer as insulator and as sacrificial layer (sacrificial layer technology), deleted the need, the desired Structures from the back of the substrate from expose. This also eliminates one typically necessary encapsulation, which in turn reduces the complexity and the Costs lowers.

7 und 8 zeigen eine zweite Ausführungsform der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung, wobei 7 eine Draufsicht auf die Verstellvorrichtung und 8 einen Querschnitt durch die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung zeigt. 7 and 8th show a second embodiment of the micromechanical electrostatic adjusting device, wherein 7 a plan view of the adjustment and 8th shows a cross section through the micromechanical electrostatic adjusting device.

Die gezeigte mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 50 unterscheidet sich von der zuvor beschriebenen mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung durch die teilweise als zweite Torsionsfeder 52 ausgebildeten Verbindungselemente. Ansonsten entsprechen die Komponenten der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung 50 den schon entsprechenden Komponenten der oben beschriebenen mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung der 2 bis 6.The micromechanical electrostatic adjustment device shown 50 differs from the previously described micromechanical electrostatic adjustment by the partially as a second torsion spring 52 trained fasteners. Otherwise, the components of the micromechanical electrostatic adjustment device correspond 50 the already corresponding components of the micromechanical electrostatic adjusting device described above 2 to 6 ,

Durch die Ausbildung der Verbindungselemente als zweite Torsionsfedern 52 ist eine resonante Ansteuerung der Spiegelplatte 18 möglich. Auf diese Weise kann die Spiegelplatte 18 um einen maximalen Verstellwinkel α2 verstellt werden, der etwa doppelt so groß ist wie der maximale Verstellwinkel α3 der beweglichen Elektroden 22. Dabei ist es vorteilhaft, wenn die Spiegelplatte 18 eine im Verhältnis zu den beweglichen Elektroden 22 relativ große Trägheitsmasse aufweist.By forming the connecting elements as second torsion springs 52 is a resonant control of the mirror plate 18 possible. That way, the mirror plate can 18 be adjusted by a maximum displacement angle α2, which is about twice as large as the maximum displacement angle α3 of the movable electrodes 22 , It is advantageous if the mirror plate 18 one in relation to the movable electrodes 22 having relatively large inertial mass.

9 und 10 zeigen einen Vergleich einer dritten Ausführungsform der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung mit der ersten Ausführungsform. 9 and 10 show a comparison of a third embodiment of the micromechanical electrostatic adjusting device with the first embodiment.

Die in 9 gezeigte mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 60 weist anstelle einer einzigen Spiegelplatte mehrere nebeneinander angeordnete Spiegelplatten 62 auf. Jede der Spiegelplatten 62 ist mit dem oben anhand der 2 bis 6 schon beschriebenen Verstellmechanismus ausgestattet, wobei die beweglichen Elektroden 22 mittels der Abdeckschicht 40 gebogen sind. Auf eine erneute Beschreibung des Verstellmechanismus wird hier verzichtet.In the 9 shown micromechanical electrostatic adjustment 60 has a plurality of juxtaposed mirror plates instead of a single mirror plate 62 on. Each of the mirror plates 62 is with the above based on the 2 to 6 already described adjusting mechanism, wherein the movable electrodes 22 by means of the cover layer 40 are bent. On a new description of the adjustment is omitted here.

Die in 10 dargestellte mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 70 entspricht dem oben schon beschriebenen Beispiel der 2 bis 6. Die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 70 weist nur eine einzige Spiegelplatte 72 auf, deren Fläche der Summe der Flächen der Spiegelplatten 62 entspricht.In the 10 illustrated micromechanical electrostatic adjustment 70 corresponds to the example already described above 2 to 6 , The micromechanical electrostatic adjustment device 70 has only a single mirror plate 72 whose area is the sum of the areas of the mirror plates 62 equivalent.

Die 9 und 10 zeigen jeweils die maximalen Auslenkwinkel α4 und α5 der Spiegelplatten 62 und 72, welche bei den mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtungen 60 und 70 möglich sind. Dabei ist zu erkennen, dass der maximale Auslenkwinkel α4 jeder der Spiegelplatten 62 der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung 60 deutlich über dem maximalen Auslenkwinkel α5 der einzigen Spiegelplatt 72 der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung 70 liegt. Die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 60 weist somit den Vorteil auf, dass bei gleicher Gesamt-Spiegelfläche ein gegenüber dem maximalen Auslenkwinkel α5 der mikromechanischen elektrostatischen Verstellvorrichtung 70 größerer maximaler Auslenkwinkel α4 einstellbar ist.The 9 and 10 each show the maximum deflection angle α4 and α5 of the mirror plates 62 and 72 , which in the micromechanical electrostatic adjustment devices 60 and 70 possible are. It can be seen that the maximum deflection angle α4 of each of the mirror plates 62 the micromechanical electrostatic adjustment device 60 clearly above the maximum deflection angle α5 of the single mirror plate 72 the micromechanical electrostatic adjustment device 70 lies. The micromechanical electrostatic adjustment device 60 thus has the advantage that at the same total mirror surface a relation to the maximum deflection angle α5 of the micromechanical electrostatic adjustment 70 larger maximum deflection angle α4 is adjustable.

Beispielsweise weist die mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung 70 bei einer Spiegelbreite von 1 mm der Spiegelplatte 72 und einer Mindestschichtdicke d1 von 30 μm der inzwischen größtenteils weggeätzten Trennschicht einen maximalen Auslenkwinkel α5 von etwa 1,72° auf. Eine (nicht skizzierte) mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung mit fünf nebeneinander angeordneten Spiegelplatten, deren Einzelspiegelbreite bei 0,2 mm liegt, gewährleistet bei gleicher Mindestschichtdicke d1 einen maximalen Auslenkwinkel von 16,7°. Durch eine Verwendung von mehreren Spiegelplatten lässt sich somit bei gleicher Mindestschichtdicke d1 der Trennschicht der maximale Auslenkwinkel steigern.For example, the micromechanical electrostatic adjustment device 70 at a mirror width of 1 mm of the mirror plate 72 and a minimum layer thickness d 1 of 30 .mu.m of the now largely weggeätzten separation layer has a maximum deflection angle α5 of about 1.72 °. A (not outlined) micromechanical electrostatic adjustment device with five mirror plates arranged side by side, whose individual mirror width is 0.2 mm, ensures at the same minimum layer thickness d 1 a maximum deflection angle of 16.7 °. By using a plurality of mirror plates, the maximum deflection angle can thus be increased for the same minimum layer thickness d 1 of the separating layer.

Die vorliegende Erfindung wurde in den oberen Abschnitten anhand eines Mikrospiegels, beispielsweise für ein Head-up-Display im Kraftfahrzeugbereich oder für Miniprojektoren im Consumer-Bereich, erläutert. Denkbar ist auch eine Verwendung des Mikrospiegels als Schalter in optischen Netzwerken (optical-cross-connect) oder als Oberflächenscanner.The present invention has been described in the above ren sections based on a micromirror, for example, for a head-up display in the automotive sector or mini-projectors in the consumer sector, explained. It is also conceivable to use the micromirror as a switch in optical networks (optical-cross-connect) or as a surface scanner.

Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf Mikrospiegel beschränkt, sondern kann für Verstellvorrichtungen verschiedener Art, beispielsweise auch für einen Sensor, genutzt werden.The however, the present invention is not limited to micromirrors can for Adjustment devices of various types, for example, for one Sensor, to be used.

Claims (10)

Herstellungsverfahren für eine mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung (10, 50, 60, 70) mit den Schritten: Aufbringen einer ersten leitfähigen Schicht (12) auf eine Unterlage (28, 30); Ätzen der ersten leitfähigen Schicht (12) zum Bilden von mindestens einer ersten Elektrode (16) aus dem Material der ersten lieitfähigen Schicht (12); Aufbringen einer Trennschicht (32a) auf die erste leitfähige Schicht (12); Aufbringen einer zweiten leitfähigen Schicht auf die Trennschicht (32a); Ätzen der zweiten leitfähigen Schicht zum Bilden von mindestens einer zweiten Elektrode (22) aus dem Material der zweiten leitfähigen Schicht; und Aufbringen einer Abdeckschicht (40) auf die zweite Elektrode (22) und Biegen der zweiten Elektrode (22) mittels einer von der Abdeckschicht (40) auf die zweite Elektrode (22) ausgeübten mechanischen Druckspannung.Manufacturing method for a micromechanical electrostatic adjusting device ( 10 . 50 . 60 . 70 comprising the steps of: applying a first conductive layer ( 12 ) on a base ( 28 . 30 ); Etching the first conductive layer ( 12 ) for forming at least a first electrode ( 16 ) from the material of the first bibulous layer ( 12 ); Applying a release layer ( 32a ) on the first conductive layer ( 12 ); Applying a second conductive layer to the release layer ( 32a ); Etching the second conductive layer to form at least one second electrode ( 22 ) of the material of the second conductive layer; and applying a cover layer ( 40 ) to the second electrode ( 22 ) and bending the second electrode ( 22 ) by means of one of the cover layer ( 40 ) to the second electrode ( 22 ) applied mechanical compressive stress. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei eine Abdeckschicht (40) mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizient, welcher kleiner als der thermische Ausdehnungskoeffizient des Materials der zweiten leitfähigen Schicht ist, auf die zweite Elektrode (22) aufgebracht wird.A manufacturing method according to claim 1, wherein a covering layer ( 40 ) having a coefficient of thermal expansion which is smaller than the thermal expansion coefficient of the material of the second conductive layer, to the second electrode ( 22 ) is applied. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Abdeckschicht (40), welche Siliziumoxid umfasst, auf der zweiten Elektrode (22) gebildet wird.A manufacturing method according to claim 1 or 2, wherein a covering layer ( 40 ), which comprises silicon oxide, on the second electrode ( 22 ) is formed. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Abdeckschicht (40) streifenförmig und/oder senkrecht zu einer Symmetrieachse der zweiten Elektrode (22) auf die zweite Elektrode (22) aufgebracht wird.Manufacturing method according to one of the preceding claims, wherein the cover layer ( 40 ) strip-shaped and / or perpendicular to an axis of symmetry of the second electrode ( 22 ) to the second electrode ( 22 ) is applied. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest die zweite Elektrode (22) und/oder das Material der Abdeckschicht (40) vor dem Aufbringen der Abdeckschicht (40) erhitzt wird.Manufacturing method according to one of the preceding claims, wherein at least the second electrode ( 22 ) and / or the material of the cover layer ( 40 ) before applying the cover layer ( 40 ) is heated. Herstellungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Siliziumgermaniumschicht zumindest als Bestandteil der Trennschicht (32a) auf die erste leitfähige Schicht (12) aufgebracht wird, und wobei die Siliziumgermaniumschicht nach einem Bilden der zweiten Elektrode (22) zumindest teilweise mit einem Ätzmaterial weggeätzt wird, welches ClF3 und/oder XeF2 umfasst.Manufacturing method according to one of the preceding claims, wherein a silicon germanium layer at least as a constituent of the separating layer ( 32a ) on the first conductive layer ( 12 ), and wherein the silicon germanium layer after forming the second electrode ( 22 ) is at least partially etched away with an etching material comprising ClF 3 and / or XeF 2 . Mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung (10, 50, 60, 70) mit einer Unterlage (28, 30); mindestens einer ersten Elektrode (16) und einer zweiten Elektrode (22) aus mindestens einem leitfähigen Material, welche über der Unterlage (28, 30) angeordnet sind; einer Trennschicht (32a), welche dazu ausgebildet ist, die erste Elektrode (16) von der zweiten Elektrode (22) elektrisch zu isolieren; und einer auf die zweite Elektrode (22) aufgebrachten Abdeckschicht (40), welche dazu ausgebildet ist, eine mechanische Spannung zum Biegen der zweiten Elektrode (22) auf die zweite Elektrode (22) auszuüben.Micromechanical electrostatic adjustment device ( 10 . 50 . 60 . 70 ) with a base ( 28 . 30 ); at least one first electrode ( 16 ) and a second electrode ( 22 ) of at least one conductive material which overlies the substrate ( 28 . 30 ) are arranged; a separating layer ( 32a ), which is adapted to the first electrode ( 16 ) from the second electrode ( 22 ) to isolate electrically; and one on the second electrode ( 22 ) applied cover layer ( 40 ), which is adapted to a mechanical tension for bending the second electrode ( 22 ) to the second electrode ( 22 ) exercise. Mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung (10, 50, 60, 70) nach Anspruch 7, wobei die zweite Elektrode (22) über eine Feder (24, 52) mit mindestens einem fest angeordneten Aufhängeelement (26) verbunden ist, und wobei die Feder (24, 52) bei einem Anlegen einer Spannung (U) zwischen der ersten Elektrode (16) und der zweiten Elektrode (22) verformt wird.Micromechanical electrostatic adjustment device ( 10 . 50 . 60 . 70 ) according to claim 7, wherein the second electrode ( 22 ) via a spring ( 24 . 52 ) with at least one fixed suspension element ( 26 ), and wherein the spring ( 24 . 52 ) upon application of a voltage (U) between the first electrode ( 16 ) and the second electrode ( 22 ) is deformed. Mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung (10, 50, 60, 70) nach Anspruch 8, wobei die Feder (24, 52) mäanderfärmig oder zickzackförmig ausgebildet ist.Micromechanical electrostatic adjustment device ( 10 . 50 . 60 . 70 ) according to claim 8, wherein the spring ( 24 . 52 ) is meandering or zigzag-shaped. Mikromechanische elektrostatische Verstellvorrichtung (10, 50, 60, 70) nach einem Anspruch 8 oder 9, wobei die zweite Elektrode (22) über ein Verbindungselement (20) mit einer verspiegelten Platte (18, 62, 72) verbunden ist, welche durch das Anlegen der Spannung (U) zwischen der ersten Elektrode (16) und der zweiten Elektrode (22) aus einer Ausgangsstellung in mindestens eine Endstellung verstellbar ist.Micromechanical electrostatic adjustment device ( 10 . 50 . 60 . 70 ) according to claim 8 or 9, wherein the second electrode ( 22 ) via a connecting element ( 20 ) with a mirrored plate ( 18 . 62 . 72 ) connected by the application of the voltage (U) between the first electrode ( 16 ) and the second electrode ( 22 ) is adjustable from a starting position in at least one end position.
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