DE102007031055A1 - Verfahren und Schaltkreis zur Regelung der Auffrischgeschwindigkeit von abgetasteten Referenzspannungen - Google Patents

Verfahren und Schaltkreis zur Regelung der Auffrischgeschwindigkeit von abgetasteten Referenzspannungen Download PDF

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein integriertes elektronisches Gerät, umfassend eine Schaltung zur Regelung der Auffrischgeschwindigkeit einer Referenzspannung auf einem Abtastkondensator, wobei die Schaltung einen Komparator (COMP), einen ersten Kondensator (C1), der mit dem Abtastkondensator (C<SUB>ABTAST</SUB>) übereinstimmt und mit einem ersten Eingang des Komparators (COMP) gekoppelt ist, einen zweiten Kondensator (C2), der mit dem Abtastkondensator (C<SUB>ABTAST</SUB>) übereinstimmt und mit einem zweiten Eingang des Komparators (C<SUB>ABTAST</SUB>) gekoppelt ist, eine erste Leckstromquelle (D1), die mit dem ersten Kondensator (C1) gekoppelt ist, um einen ersten Strom (I<SUB>a</SUB>) abzuleiten, und eine zweite Leckstromquelle (D2), die mit dem zweiten Kondensator (C2) gekoppelt ist, um einen zweiten Strom (I<SUB>b</SUB>) abzuleiten, umfasst, wobei die Leckstromquellen (D1, D2) so dimensioniert sind, dass sie unterschiedliche Mengen von Leckströmen bereitstellen, und ein Ausgang (RF) des Komparators (COMP) so geschaltet ist, dass er eine Auffrischung des Abtastkondensators (C<SUB>ABTAST</SUB>) auslöst.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Regelung der Auffrischgeschwindigkeit einer auf einem Abtastkondensator abgetasteten Referenzspannung und ein elektronisches Gerät mit einem entsprechenden Schaltkreis.
  • Ein Ansatz zur Einsparung von Leistung in integrierten elektronischen Geräten beinhaltet die Abtastung einer Referenzspannung, die normalerweise von einem Bandabstandsreferenzgenerator erzeugt wird, in einem Kondensator. Während die Referenzspannung in dem Abtastkondensator gespeichert ist, kann der Referenzgeneratorkreis ausgeschaltet oder in einen Energiesparmodus geschaltet werden, um die statische Leistungsaufnahme zu verringern. Auf diese Weise wird der Durchschnittsversorgungsstrom des Referenzgenerators verringert, und es ergibt sich eine niedrigere Gesamtleistungsaufnahme. Die Spannung in dem Abtastkondensator wird hauptsächlich durch parasitäre Leckströme beeinträchtigt und nimmt mit der Zeit ab. Als Folge dessen muss ein Auffrischmechanismus für die abgetastete Spannung existieren, der sicherstellt, dass die Referenzspannung innerhalb eines bestimmten Bereichs bleibt. In einer Lösung für die Auffrischregelung nach dem Stand der Technik wird die auf dem Abtastkondensator abgetastete Spannung mit einem bestimmten Referenzspannungspegel verglichen. Wenn die Spannung auf dem Abtastkondensator gleich der Referenzspannung ist, gibt ein Komparator ein Auslösesignal aus, um die Spannung auf dem Abtastkondensator aufzufrischen. Die zur Implementierung dieses Regelkreises benötigte Schaltung erfordert jedoch einen Komparator, einen zusätzlichen Referenzspannungsgenerator, der nicht ausgeschaltet werden kann, und weitere Vorspannungsschaltungen. Dementsprechend sind die Leistungsaufnahme und die Chipfläche, die zur Implementierung der Schaltung benötigt werden, hoch bzw. groß, was der gewünschten Leistungseinsparung entgegenwirkt. Ein weiterer Ansatz nach dem Stand der Technik basiert auf einem festen periodischen Auffrischzyklus, der in Bezug auf den ungünstigsten Fall ausgelegt sein muss. Das bedeutet, dass unabhängig von dem tatsächlichen Leckstrom des Abtastkondensators ein derartiger Auffrischzyklus durchgeführt wird, als ob der höchste Leckstrom vorliegen würde. Dementsprechend sind sowohl die Auffrischgeschwindigkeit als auch die Leistungsaufnahme unnötig hoch.
  • Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und ein elektronisches Gerät zur Regelung der Auffrischgeschwindigkeit einer auf einem Abtastkondensator abgetasteten Referenzspannung bereitzustellen, das weniger Chipfläche und weniger Energie als Lösungen nach dem Stand der Technik benötigt.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein integriertes elektronisches Gerät bereitgestellt, das eine Schaltung zur Regelung der Auffrischgeschwindigkeit einer Referenzspannung auf einem Abtastkondensator enthält. Die Schaltung umfasst einen Abtastkondensator, einen Komparator, einen ersten Kondensator, der auf den Abtastkondensator abgestimmt und mit einem ersten Eingang des Komparators gekoppelt ist, und einen zweiten Kondensator, der auf den Abtastkondensator abgestimmt und mit dem zweiten Eingang des Komparators gekoppelt ist. Des Weiteren gibt es eine erste Leckstromquelle, die mit dem ersten Kondensator gekoppelt ist, um einen ersten Strom abzuleiten, und eine zweite Leckstromquelle, die mit dem zweiten Kondensator gekoppelt ist, um einen zweiten Strom abzuleiten, wobei die Leckstromquellen so dimensioniert sind, dass sie unterschiedliche Mengen von Leckströmen bereitstellen, und ein Ausgang des Komparators so geschaltet ist, dass er eine Auffrischung des Abtastkondensators auslöst. Die Leckstromquellen sind praktisch physikalische Anordnungen, Schichten o. ä. (und keine echten Stromquellen). Sie sind (zumindest teilweise) mit den Kondensatoren gekoppelt und erzeugen die entsprechenden Leckströme auf Grund ihrer physikalischen Eigenschaften. Das integrierte elektronische Gerät mit einer Schaltung gemäß diesem Aspekt der Erfindung benötigt keine zusätzliche Referenzspannung, die immer vorhanden sein muss, um einen Vergleich der Spannung auf dem Abtastkondensator mit dem Referenzspannungspegel zu ermöglichen. Die auf dem ersten und dem zweiten Kondensator abgetasteten Spannungen werden synchron mit dem Referenzspannungspegel des Abtastkondensators abgetastet und aufgefrischt. Wie obenstehend beschrieben, ist der Spannungsabfall auf dem ersten Kondensator eine Funktion der Differenzspannung zwischen dem ersten und dem zweiten Spannungspegel auf dem ersten und dem zweiten Kondensator und des Verhältnisses der Leckströme.
  • Typischerweise ist der Spannungspegel auf dem zweiten Kondensator niedriger als die erste Spannung. Des Weiteren sind die Leckstromquellen vorzugsweise so dimensioniert, dass der erste Leckstrom N-mal der zweite Leckstrom ist. Dieser Aspekt der Erfindung gestattet eine äußerst genaue Umsetzung des Verhältnisses der beiden Leckströme, da eine vorbestimmter Leckstromanordnung wiederverwendet und mehrere Male implementiert werden kann, um einen Leckstrom bereitzustellen, der ein ganzzahliges Vielfaches eines anderen Leckstroms ist. Dementsprechend kann die Anordnung der ersten Leckstromquelle gleich einer Kopie von N-mal der Anordnung der zweiten Leckstromquelle sein. Vorzugsweise haben die beiden Kondensatoren im Grunde dieselben Kapazitätswerte, da der Abtastkondensator und zusätzlich einer der Kondensatoren im Wesentlichen denselben Leckstrom wie der Abtastkondensator haben können. Der erste und der zweite Kondensator werden auf eine erste bzw. zweite Spannung geladen. Der erste und der zweite Kondensator werden durch unterschiedliche Ströme entladen, d. h. durch einen ersten und einen zweiten Leckstrom. Die Kondensatoren entladen sich mit einer unterschiedlichen Geschwindigkeit, und nach einer bestimmten Zeitdauer sind die Spannungspegel in dem ersten und dem zweiten Kondensator gleich. Die Kondensatoren und die Leckströme der Kondensatoren können so dimensioniert sein, dass die Zeit zwischen dem Beginn des Entladens und dem Zeitpunkt, an dem die Spannungen gleich sind, lediglich von den Spannungspegeln auf dem ersten und dem zweiten Kondensator zu Beginn und von dem Verhältnis der Leckströme abhängt. Der Spannungsabfall auf dem zweiten Kondensator kann wie folgt bestimmt werden:
    Figure 00030001
    wobei Va die Spannung in dem ersten Kondensator nach der Auffrischung und Vb die Spannung auf dem zweiten Kondensator nach der Auffrischung darstellen. Der Spannungsabfall VABFALL ist unabhängig von jeglichen festen Zeitspannen und lediglich eine Funktion der Differenzspannung (Va – Vb) zwischen dem Referenzspannungspegel auf dem ersten Kondensator und dem Referenzspannungspegel auf dem zweiten Kondensator zu Beginn des Abtastverfahrens. Der maximal zulässige Spannungsabfall VABFALL wird jedoch durch die spezifischen Anforderungen des Schaltkreises, in dem die Schaltung gemäß der Erfindung verwendet wird, vorgegeben. Der Faktor N ist das Verhältnis der Größe des ersten Leckstroms geteilt durch den zweiten Leckstrom. Gleichung (1) wird untenstehend in Bezug auf 4 ausführlicher hergeleitet. Allgemein können die Spannungspegel auf dem ersten Kondensator und dem zweiten Kondensator durch Verwendung schaltbarer Widerstandsabgriffe o. ä. einfach angepasst werden. Ein weiterer großer Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt in der automatischen Einstellung bei Temperaturänderungen. Da die gesamte Schaltung im Grunde dasselbe Temperaturverhalten wie der Abtastkondensator und dessen Umgebung erfährt, nehmen der erste und der zweite Leckstrom entsprechend der Temperatur des integrierten Geräts zu bzw. ab. Es ist nicht erforderlich, auf einen festen Auffrischzyklus für den Leckstrom im ungünstigsten Fall, der bei hohen Temperaturen auftritt, zurückzugreifen. Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung passt die Auffrischzeit an und erreicht dadurch eine erhebliche Leistungseinsparung.
  • Der Faktor N kann zum Beispiel zwischen 5 und 20 liegen. Des Weiteren kann der erste Spannungspegel auf dem ersten Kondensator zu Beginn einer Abtastperiode 1,6 V betragen, und der zweite Spannungspegel auf dem zweiten Kondensator zu Beginn der Abtastperiode kann 1,2 V betragen. Die Leckstromquelle kann ein in Sperrrichtung vorgespanntes Diodenelement sein. Dies sind jedoch lediglich Beispiele. Es gibt viele andere Arten der Implementierung und Dimensionierung von Anordnungen gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ebenfalls ein Verfahren zur Regelung der Auffrischgeschwindigkeit einer auf einem Abtastkondensator abgetasteten Referenzspannung bereitgestellt, das die Abtastung einer ersten Spannung auf einem ersten Kondensator, die Abtastung einer zweiten Spannung, die niedriger als die erste Spannung ist, auf einem zweiten Kondensator, und die Entladung des ersten Kondensators durch einen ersten Leckstrom und des zweiten Kondensators durch einen zweiten Leckstrom umfasst. Des Weiteren gibt es einen Vergleichsschritt für das Vergleichen der Spannungen auf dem ersten Kondensator und dem zweiten Kondensator während der Entladung der Kondensatoren, und es wird eine Auffrischung einer Referenzspannung auf dem Abtastkondensator ausgelöst, wenn die Spannungspegel in den Kondensatoren gleich sind.
  • Weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der untenstehenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen. Es zeigen:
  • 1 ein vereinfachtes Schaltbild einer Referenzspannungsabtastanordnung gemäß dem Stand der Technik,
  • 2 ein vereinfachtes Schaltbild einer Auffrischzyklusregelung gemäß dem Stand der Technik,
  • 3 ein vereinfachtes Schaltbild einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 4 Signalverläufe von Spannungen gemäß der in 3 gezeigten Ausführungsform, und
  • 5 andere Signalverläufe, die sich auf die in 3 gezeigte Ausführungsform beziehen.
  • 1 zeigt ein vereinfachtes Schaltbild und eine Übersicht eines Systems, das abgetastete Referenzspannungen verwendet. Eine Referenzspannungsquelle Vref erzeugt eine Referenzspannung, die durch Schalter SW auf mehreren Abtastkondensatoren CABTAST abgetastet wird. Wenn die Referenzspannung auf den Abtastkondensatoren CABTAST abgetastet wird, öffnen sich die Schalter SW, und der Referenzspannungsgenerator Vref wird durch ein an den Eingang PAUS angelegtes Freigabesignal ausgeschaltet. Die Referenzspannungen auf den Abtastkondensatoren werden für mehrere verschiedene Stufen P1, P2, P3 verwendet, die elektronische Schaltungen wie zum Beispiel einen Versorgungsspannungsgenerator mit geringem Spannungsabfall (LDO, engl. "low-drop-out") oder eine anderen Schaltung enthalten können. Jegliche Leistungseinsparung wird durch Ausschalten des Referenzspannungsgenerators Vref erzielt. Die Taktung der Auffrischung muss jedoch durch einen wie in 2 gezeigten Regelkreis bestimmt werden.
  • 2 zeigt ein vereinfachtes Schaltbild eines Regelkreises für die Referenzspannung auf dem Abtastkondensator CABTAST. Entsprechend gibt es einen ersten Referenzspannungsgenerator Vref1, der durch Schalter SW auf einem Abtastkondensator CABTAST abgetastet wird. Der Abtastkondensator CABTAST ist mit einem positiven Eingang eines Komparators COMP gekoppelt. Des Weiteren ist ein zweiter Referenzspannungsgenerator Vref2 mit dem negativen Eingang des Komparators COMP gekoppelt. Wenn der Spannungspegel auf dem Abtastkondensator CABTAST den Pegel erreicht, der durch den zweiten Referenzspannungsgenerator Vref2 festgelegt wird, gibt der Komparator COMP ein Auslösesignal RF aus, das anzeigt, dass der Abtastkondensator CABTAST eine Auffrischung benötigt. Entsprechend wird der Schalter SW geschlossen, und der Abtastkondensator CABTAST wird mit der Referenzspannungsquelle Vref1 gekoppelt, und ein Spannungspegel auf dem Abtastkondensator CABTAST wird wiederum erhöht. Ein großer Nachteil der in 2 gezeigten Anordnung besteht in dem Vorhandensein des zweiten Referenzspannungsgenerators Vref2. Diese Referenzspannungsquelle Vref2 kann nicht ausgeschaltet werden, und verbraucht daher kontinuierlich Strom. Ebenso nehmen die für die zweite Referenzspannungsquelle Vref2 in dem Komparator COMP benötigten Bauelemente zusätzliche Chipfläche ein.
  • 3 zeigt ein vereinfachtes Schaltbild einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Entsprechend gibt es einen Komparator COMP, der mit einem ersten Kondensator C1 und einem zweiten Kondensator C2 gekoppelt ist. Die Kondensatoren sind ebenfalls mit in Sperrrichtung vorgespannten Dioden D1 und D2 gekoppelt, die dem Knoten 1 bzw. 2 (eingekreiste Zahlen) Leckströme Ia bzw. Ib bereitstellen. Die in Sperrrichtung vorgespannten Dioden D1 und D2 symbolisieren lediglich Leckstromquellen. Praktisch kann jede Leckstrom erzeugende Anordnung mit den Kondensatoren gekoppelt sein, um die entsprechenden Leckströme herzustellen. Es werden keine echten Dioden benötigt, und die vorliegende Erfindung darf nicht so verstanden werden, als ob sie auf Dioden als Leckstromquellen beschränkt wäre. Das Verhältnis der Leckströme beträgt typischerweise einen ganzzahligen Wert N, der die Ausführung als integrierte Schaltung vereinfacht. Entsprechend ist die Diode D1 (oder eine andere Leckstrom erzeugende Anordnung) typischerweise N-mal die Anordnung D2. Des Weiteren hat der erste Kondensator C1 im Wesentlichen denselben Kapazitätswert C wie der Abtastkondensator CABTAST, der in 3 nicht gezeigt ist. Ebenso sind C1 und C2 vorzugsweise gleich und haben dieselbe Kapazität C. Während eines Auffrischzyklus' (d. h. zu Beginn einer Abtastperiode) wird der Kondensator C1 durch einen Schalter SWa auf einen Spannungspegel Va geladen, und der zweite Kondensator C2 wird durch den Schalter SWb auf einen zweiten Spannungspegel Vb geladen. Nachdem die Knoten 1 und 2 auf die entsprechenden Spannungspegel Va bzw. Vb geladen wurden, werden beide Schalter SWa, SWb geöffnet, um die Ladung auf den Kondensatoren zu bewahren. Die Leckströme Ia und Ib entladen jedoch die Kondensatoren, und die Spannungspegel an Knoten 1 und 2 nehmen ab. Dies wird ausführlicher mit Bezugnahme auf 4 erläutert.
  • Das Diagramm in 4 zeigt die Spannungen Va und Vb an Knoten 1 bzw. 2 in 3 direkt nach dem Abtasten (tstart). Va ist größer als Vb. Der Vorgang zur Bestimmung des Verhältnisses und der Größe der beiden Spannungen Va und Vb wird untenstehend ausführlicher abgeleitet. Nachdem das Abtastverfahren für die Spannungen Va und Vb durchgeführt wurde, sorgen die Leckströme Ia und Ib dafür, dass die Spannungspegel auf dem ersten und zweiten Kondensator C1 bzw. C2 im Wesentlichen linear abfallen, wenn man annimmt, dass die Leckströme innerhalb eines Auffrischzyklus' im Wesentlichen konstant sind. Da der Leckstrom Ia an Knoten 1 größer ist als Ib (Ia ist zum Beispiel N-mal so groß wie der Leckstrom Ib an Knoten 2), fallen die Spannungspegel auf den Kondensatoren mit unterschiedlichen Steilheiten ab. Nach einer Zeit tAUFFRISCH sind die beiden Spannungen gleich, und der Komparator löst eine Auffrischung aus. Wie bereits obenstehend beschrieben und durch Gleichung (1) ausgedrückt, hängt der Spannungsabfall VABFALL an Knoten 2 lediglich von der Differenzspannung Va – Vb zu dem Zeitpunkt tstart und dem Verhältnis N der beiden Leckströme Ia und Ib ab. Bei Zeitpunkt tstop werden die Schalter SWa und SWb geschlossen, und die Spannungspegel auf dem ersten und zweiten Kondensator C1 bzw. C2 betragen wiederum Va und Vb. Wenn die Temperatur ansteigt, nehmen die Leckströme Ia und Ib zu, und die Zeit zwischen tstart und tstop (tAUFFRISCH) wird verringert. Wenn die Temperatur der Schaltung abnimmt, passt sich der Auffrischzyklus tAUFFRISCH automatisch an und wird länger. Die vorteilhaften Effekte der vorliegenden Erfindung werden durch die folgenden Gleichungen weiter erklärt:
    Das Ladungsgleichgewicht auf dem ersten Kondensator (Knoten 1) kann wie folgt bestimmt werden: IatAUFFRISCH = (Va – Vb + VABFALL)C, (2)wobei C die Kapazität des ersten und des zweiten Kondensators sowie des Abtastkondensators ist, die alle die gleiche Kapazität C aufweisen. Für den zweiten Kondensator und den entsprechenden Leckstrom Ib gilt die folgende Gleichung IbtAUFFRISCH = VABFALLC. (3)
  • Die Leckstromvorrichtungen (in Sperrrichtung vorgespannte Dioden o. ä.) sind so dimensioniert, dass Ia = N Ib. (4)
  • Die Verknüpfung der Gleichungen (3) und (4) ergibt
    Figure 00080001
  • Die Auflösung von (5) nach tAUFFRISCH ergibt, dass
    Figure 00080002
  • Das Einfügen von (6) in (2) ergibt
    Figure 00080003
  • Dementsprechend heben sich die Kapazität C und die Leckströme Ia, Ib gegenseitig auf VABFALLN = Va – Vb + VABFALL, (8) was das Endergebnis ergibt, das bereits durch obenstehende Gleichung (1) bestimmt wurde:
    Figure 00090001
  • 5 zeigt Signalverläufe, die sich auf das Ausgangssignal des Komparators COMP gemäß 3 und die Spannungen an den Knoten 1 und 2 der in 3 gezeigten Schaltung beziehen. Entsprechend wird ein Auslöseimpuls ausgegeben, der in dem oberen Diagramm gemäß 5 gezeigt ist, wenn sich die die Spannungspegel an dem ersten und dem zweiten Kondensator (Knoten 1 und Knoten 2) darstellenden Linien schneiden. Die Spannungen in den Kondensatoren (Knoten 1 und Knoten 2) werden während des eher kurzen Impulses aufgefrischt, und der Zyklus kann von vorne beginnen.

Claims (8)

  1. Integriertes elektronisches Gerät, umfassend eine Schaltung zur Regelung der Auffrischgeschwindigkeit einer Referenzspannung auf einem Abtastkondensator, wobei die Schaltung umfasst: einen Komparator (COMP), einen ersten Kondensator (C1), der mit dem Abtastkondensator (CABTAST) übereinstimmt und mit einem ersten Eingang des Komparators (COMP) gekoppelt ist, einen zweiten Kondensator (C2), der mit dem Abtastkondensator (CABTAST) übereinstimmt und mit einem zweiten Eingang des Komparators (CABTAST) gekoppelt ist, eine erste Leckstromquelle (D1), die mit dem ersten Kondensator (C1) gekoppelt ist, um einen ersten Strom (Ia) abzuleiten, und eine zweite Leckstromquelle (D2), die mit dem zweiten Kondensator (C2) gekoppelt ist, um einen zweiten Strom (Ib) abzuleiten, wobei die Leckstromquellen (D1, D2) so dimensioniert sind, dass sie unterschiedliche Mengen von Leckströmen bereitstellen, und ein Ausgang (RF) des Komparators (COMP) so geschaltet ist, dass er eine Auffrischung des Abtastkondensators (CABTAST) auslöst.
  2. Elektronisches Gerät gemäß Anspruch 1, bei dem die Schaltung so eingerichtet ist, dass sie eine erste Spannung (Va) in dem ersten Kondensator (C1) und eine zweite Spannung (Vb) in dem zweiten Kondensator (C2) abtastet, wobei die zweite Spannung (Vb) niedriger ist als die erste Spannung (Va).
  3. Elektronisches Gerät gemäß Anspruch 1, bei dem die Leckstromquellen (D1, D2) so dimensioniert sind, dass der erste Leckstrom (Ia) N-mal der zweite Leckstrom (Ib) ist.
  4. Elektronisches Gerät gemäß Anspruch 3, bei dem die Anordnung der ersten Leckstromquelle (D1) so konfiguriert ist, dass sie gleich einer Kopie von N-mal der Anordnung der zweiten Leckstromquelle (D2) ist.
  5. Elektronisches Gerät gemäß Anspruch 3 oder 4, bei dem N zwischen 5 und 20 beträgt.
  6. Elektronisches Gerät gemäß Anspruch 5, bei dem die erste Spannung 1,6 V beträgt und die zweite Spannung 1,2 V beträgt.
  7. Elektronisches Gerät gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zumindest eine der Leckstromquellen ein in Sperrrichtung vorgespanntes Diodenelement ist.
  8. Verfahren zur Regelung der Auffrischung einer auf einem Abtastkondensator (CABTAST) abgetasteten Referenzspannung, umfassend: Abtastung der Referenzspannung auf dem Abtastkondensator (CABTAST), Abtastung einer ersten Spannung (Va) auf einem ersten Kondensator (C1), Abtastung einer zweiten Spannung (Vb), die kleiner als die erste Spannung (Va) ist, auf einem zweiten Kondensator (C2), Entladung des ersten Kondensators (C1) durch einen ersten Leckstrom (Ia) und des zweiten Kondensators (C2) durch einen zweiten Leckstrom (Ib), Vergleichen der Spannungen auf dem ersten Kondensator (Va) und dem zweiten Kondensator (Vb) während des Entladungsschritts, und Auslösung einer Auffrischung der Referenzspannung auf dem Abtastkondensator (CABTAST), wenn die Spannungspegel in den Kondensatoren gleich sind.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10345348B2 (en) * 2014-11-04 2019-07-09 Stmicroelectronics S.R.L. Detection circuit for an active discharge circuit of an X-capacitor, related active discharge circuit, integrated circuit and method
TWI557529B (zh) * 2016-01-12 2016-11-11 新唐科技股份有限公司 參考電壓電路
GB201622029D0 (en) * 2016-12-22 2017-02-08 Nederlands Inst Voor Ecologie (Nioo-Knaw) See Scientia Terrae Vzw Nordic Semiconductor Asa Voltage sampling circuits
EP3361347B1 (de) * 2017-02-10 2020-12-09 Stichting IMEC Nederland Spannungsreferenzgenerator und verfahren zur steuerung der grösse einer schwankung eines ausgangsspannungsreferenzgenerators
CN113342112B (zh) * 2021-06-23 2023-05-12 江苏应能微电子有限公司 基准电压控制装置、方法及电子设备
US11860183B2 (en) 2021-08-17 2024-01-02 Texas Instruments Incorporated Temperature dependent acceleration current source circuitry

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4761170A (en) * 1985-06-20 1988-08-02 Polaroid Corporation Method for employing plasma in dehydration and consolidation of preforms
US4768170A (en) 1986-06-06 1988-08-30 Intel Corporation MOS temperature sensing circuit
US5392251A (en) 1993-07-13 1995-02-21 Micron Semiconductor, Inc. Controlling dynamic memory refresh cycle time
WO1998001505A1 (en) 1996-07-03 1998-01-15 Shell Internationale Research Maatschappij B.V. High 1,2-content thermoplastic elastomer oil polyolefin composition
EP0902294B1 (de) 1997-09-09 2005-11-30 Texas Instruments Deutschland Gmbh Schaltungsanordnung zur Spannungsüberwachung
US6278242B1 (en) 2000-03-20 2001-08-21 Eastman Kodak Company Solid state emissive display with on-demand refresh
US6963232B2 (en) * 2003-08-11 2005-11-08 Rambus, Inc. Compensator for leakage through loop filter capacitors in phase-locked loops
US7177220B2 (en) 2004-05-07 2007-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Refresh counter with dynamic tracking of process, voltage and temperature variation for semiconductor memory
US7800508B2 (en) * 2005-05-12 2010-09-21 Honeywell International Inc. Dynamic DC biasing and leakage compensation

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