DE102007016029A1 - Holding arrangement used in a CVD or a PVD installation comprises a holder having a section made from a dielectric material which is in contact with the substrate during a deposition process - Google Patents
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Abstract
Description
Gebiet der ErfindungField of the invention
Die Erfindung betrifft eine Haltevorrichtung für eine CVD oder PVD-Beschichtungsanlage sowie eine PVD und CVD-Beschichtungsanlage.The The invention relates to a holding device for a CVD or PVD coating system as well as a PVD and CVD coating line.
Hintergrund der ErfindungBackground of the invention
CVD (Chemical Vapor Deposition) und PVD (Physical Vapor Deposition) Beschichtungsanlagen sind bekannt. Insbesondere sind Rundläufer-Beschichtungsanlagen für Kunststoffflaschen bekannt, mit welchen eine Siliziumoxidschicht als Barriereschicht auf die Innenseite der Kunststoffflaschen aufgebracht wird.CVD (Chemical Vapor Deposition) and PVD (Physical Vapor Deposition) Coating plants are known. In particular, rotary coating systems are for plastic bottles known, with which a silicon oxide layer as a barrier layer is applied to the inside of the plastic bottles.
Eine derartige Barrierebeschichtung ist insbesondere für kohlensäurehaltige Getränke sowie für medizinische Produkte notwendig, um Diffusionsprozesse zu verringern.A Such barrier coating is especially for carbonated beverages as well as for medical Products necessary to reduce diffusion processes.
In derartigen Anlagen wird insbesondere mittels eines PICVD(Plasma Impulse Chemical Vapour Deposition)-Verfahren die Beschichtung aufgebracht. Dabei wird ein zu beschichtender Hohlkörper aus Kunststoff, insbesondere eine Flasche, zumindest im Innenraum evakuiert und mit einem Precursor-Gas gefüllt. Sodann wird über die Einkopplung von gepulster elektromagnetischer Strahlung, insbesondere im Hochfrequenz- oder Mikrowellenfrequenz-Bereich ein Plasma gezündet und es scheidet sich eine im Wesentlichen Siliziumoxid enthaltende Schicht am Flaschenrand ab. Das PICVD-Verfahren hat den Vorteil, dass die Substrattemperaturen gering gehalten werden können und ist daher für Kunststoffe besonders geeignet.In Such systems are in particular by means of a PICVD (plasma Impulse Chemical Vapor Deposition) method applied the coating. there becomes a hollow body to be coated made of plastic, in particular a bottle, at least in the interior evacuated and filled with a precursor gas. Then it is over the Coupling of pulsed electromagnetic radiation, in particular in High-frequency or microwave frequency range ignited a plasma and It separates a substantially silicon oxide-containing layer at the edge of the bottle. The PICVD method has the advantage that the Substrate temperatures can be kept low and is therefore for plastics particularly suitable.
Die Flaschen werden in der Beschichtungsanlage von einer Haltevorrichtung aufgenommen und zur Evakuierung auf eine Dichtung gedrückt. Bei Kunststoffflaschen muss in der Regel nicht nur der Innenraum der Flasche, sondern auch der die Flasche umgebende Raum evakuiert werden, um zu verhindern, dass sich die Flasche aufgrund des Vakuums im Innenraum verformt.The Bottles are in the coating system of a holding device picked up and pressed on a seal for evacuation. For plastic bottles usually not only needs the interior of the bottle, but also evacuate the space surrounding the bottle to prevent that the bottle deforms due to the vacuum in the interior.
In der Praxis hat sich herausgestellt, dass es nach mehrstündigem Dauerbetrieb derartiger Anlagen zu Aufschmelzungen des Behälterhalses der Flasche kommen kann.In In practice, it has been found that after several hours of continuous operation such installations to melting the container neck of the bottle come can.
Es könnte sein, dass diese Aufheizungen durch die Haltevorrichtung, welche den Flaschenhals packt, verursacht werden. Derartige aus Metall hergestellte Haltevorrichtungen könnten beispielsweise durch entstehende Wirbelströme oder Überschlägen in den Spalten der Haltevorrichtung aufgeheizt werden.It could be that these heaters by the holding device, which the bottleneck packs, caused. Such metal produced holding devices could, for example, by resulting eddy currents or rollovers in the Columns of the holding device to be heated.
Als weiterer Grund wird vermutet, dass es durch entstehende Aufladungen zu elektrischen Überschlägen zwischen den Flaschen und der Haltevorrichtung oder zwischen einzelnen Bauteilen kommt, durch welche Aufschmelzungen verursacht werden.When Another reason is suspected that it is due to resulting charges to electric flashovers between the bottles and holding device or between individual components, caused by which melting.
Hierbei könnte eine Rolle spielen, dass geerdete Bauteile durch Verschmutzungen nach längerem Betrieb keine ausreichende Verbindung zur Masse mehr haben. So könnte es zu Potentialänderungen kommen.in this connection could play a role that earthed components due to contamination after a while Operation no longer have sufficient connection to the ground. It could be like that to potential changes come.
Weiter könnte die nicht zu vermeidende Evakuierung des Außenbereiches der Flasche besonders von Nachteil sein. Aufgrund des Paschen-Gesetzes nimmt beim Evakuieren die Gefahr eines Überschlags aufgrund der steigenden mittleren freien Weglängen zunächst ab. Erst bei sehr niedrigen Drücken beginnt die Überschlagsspannung wieder zu steigen. Diese Drücke werden in derartigen Anlagen normalerweise aber nicht erreicht, vielmehr arbeiten die Anlagen im Grobvakuum, das heißt der Druck im Außenbereich des Substrats liegt bei über einem mbar.Further could the unavoidable evacuation of the outside area of the bottle especially be a disadvantage. Due to the Paschen law takes place during evacuation the danger of a rollover due to the increasing mean free path lengths initially. Only at very low To press begins the flashover voltage to rise again. These pressures are normally not reached in such plants, Rather, the plants work in a rough vacuum, that is, the pressure outside of the substrate is above an mbar.
Aufgabe der ErfindungObject of the invention
Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, die genannten Nachteile des Standes der Technik zumindest zu reduzieren.Of the Invention is in contrast the task is based, the mentioned disadvantages of the prior art at least reduce.
Insbesondere ist Aufgabe der Erfindung, durch Überhitzungen der Haltevorrichtung auftretende Schäden am Substrat zu vermeiden.Especially Object of the invention, by overheating of the holding device occurring damage to avoid on the substrate.
Weiter ist Aufgabe der Erfindung, die Wärmeübertragung zwischen Haltevorrichtung und Substrat zu verringern.Further Object of the invention, the heat transfer between holding device and substrate to reduce.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, das Auftreten von Spannungsüberschlägen beim Betrieb einer PVD- oder CVD-Anlage zu reduzieren.A Another object of the invention is the occurrence of voltage flashovers during Operation of a PVD or CVD system to reduce.
Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention
Die Aufgabe der Erfindung wird bereits durch eine Haltevorrichtung für eine CVD oder PVD-Beschichtungsanlage sowie durch eine CVD oder PVD-Beschichtungsanlage nach einem der unabhängigen Ansprüche gelöst.The The object of the invention is already achieved by a holding device for a CVD or PVD coating system and by a CVD or PVD coating system after one of the independent ones claims solved.
Bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind den jeweiligen Unteransprüchen zu entnehmen.preferred embodiments and further developments of the invention are the respective dependent claims remove.
Gemäß der Erfindung ist eine Haltevorrichtung für eine CVD oder PVD-Beschichtungsanlage vorgesehen, die eine Aufnahme zum Halten eines Substrats während der Beschichtung umfasst. Dabei ist zumindest ein während der Beschichtung mit dem Substrat in Kontakt stehender Abschnitt der Aufnahme aus einem dielektrischen Material ausgebildet.According to the invention, a holding device for a CVD or PVD coating system is provided which comprises a receptacle for holding a substrate during the coating. there At least one portion of the receptacle made of a dielectric material, which is in contact with the substrate during the coating, is formed.
Die Erfinder haben herausgefunden, dass durch die Verwendung eines dielektrischen Materials, mit welchem das Substrat gehalten wird, hitzebedingte Schäden am Substrat weitgehend vermieden werden können.The Inventors have found that by using a dielectric Material with which the substrate is held, heat-related damage can be largely avoided on the substrate.
Man vermutet, dass dieser Effekt vor allem auf die Reduzierung von Spannungsüberschlägen zurückgeht. Die meisten dielektrischen Materialien verringern aber auch die direkte Wärmeübertragung zwischen Haltevorrichtung und Substrat.you suspected that this effect is mainly due to the reduction of flashovers. But most dielectric materials also reduce that direct heat transfer between Holding device and substrate.
Weiter kann es bei der Verwendung von dielektrischen Bauteilen nicht zum Hitzeeintrag durch entstehende Wirbelströme kommen.Further it can not be used when using dielectric components Heat input by emerging eddy currents come.
Vorzugsweise wird als dielektrisches Material Polyetheretherketon (PEEK), Polycarbonat (PC), Teflon, Keramik, Aluminuimoxid und/oder Glas verwendet.Preferably is used as a dielectric material polyetheretherketone (PEEK), polycarbonate (PC), Teflon, ceramic, aluminum oxide and / or glass used.
Als besonders vorteilhaft für CVD und PVD-Beschichtungsanlagen hat sich PEEK erwiesen, welches eine hohe Schlagbeständigkeit und eine hohe Temperaturbeständigkeit aufweist.When especially advantageous for CVD and PVD coating systems PEEK has proved to be a high impact resistance and a high temperature resistance having.
Das dielektrische Material weist vorzugsweise eine Temperaturbeständigkeit von mindestens 100oC, vorzugsweise 150oC und besonders bevorzugt von mindestens 200oC auf. So kann die Haltevorrichtung auch in PVD- und CVD-Anlagen mit hohem Anlagedurchsatz und daraus resultierender hoher thermischer Belastung des Anlagenteile verwendet werden.The Dielectric material preferably has a temperature resistance of at least 100 ° C, preferably 150 ° C and more preferably of at least 200oC. Thus, the holding device can also be used in PVD and high capacity CVD systems and resulting high thermal load of the system parts are used.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist die Aufnahme in zumindest eine Richtung bewegbar ausgebildet. So kann das Substrat mittels der Aufnahme beispielsweise auf eine Dichtfläche geführt werden, um evakuiert zu werden, um das Precursor-Gas für eine CVD-Beschichtung einzuleiten.at a development of the invention is the inclusion in at least one direction formed movable. So the substrate can by means of the recording, for example, be performed on a sealing surface to evacuated to be to the precursor gas for to initiate a CVD coating.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist die Haltevorrichtung zur Aufnahme eine Hohlkörpers, insbesondere zur Aufnahme einer Kunststoffflasche ausgebildet. Dabei wird die Kunststoffflasche vorzugsweise am Flaschenhals von der Aufnahme der Haltevorrichtung festgehalten.at a development of the invention is the holding device for receiving a hollow body, in particular designed for receiving a plastic bottle. Here is the Plastic bottle preferably at the bottleneck of the recording the holding device held.
Vorzugsweise bestehen alle mit dem Substrat in Kontakt stehenden Bauteile zumindest an den Kontaktflächen aus einem dielektrischen Material.Preferably All consist of at least standing in contact with the substrate components at the contact surfaces made of a dielectric material.
Noch vorteilhafter ist es, wenn alle dem Substrat gegenüberliegenden Bauteile im wesentlichen aus einem dielektrischen Material bestehen. So werden Spannungsüberschläge, welche das Substrat erreichen könnten, weitgehend vermieden.Yet it is more advantageous if all the opposite to the substrate Components consist essentially of a dielectric material. So are flashovers, which could reach the substrate, largely avoided.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Aufnahme der Haltevorrichtung eine Zange mit zumindest zwei beweglichen Armen und einen Anlageabschnitt auf. Das Substrat wird zwischen den Armen der Zange und dem Anlageabschnitt fixiert. Arme und Anlageabschnitt sind aus dielektrischem Material ausgebildet. Das Substrat kann durch einfaches Öffnen der Zange manuell oder mittels einer mechanischen Vorrichtung entnommen werden.at a further preferred embodiment the invention, the recording of the holding device a pair of pliers with at least two movable arms and an abutment section. The substrate is placed between the arms of the forceps and the abutment section fixed. Arms and abutment section are made of dielectric material educated. The substrate can be manually or by simply opening the pliers be removed by a mechanical device.
Vorzugsweise werden die Arme der Zange über einen Federmechanismus in einer Ausgangsstellung gehalten. Das Substrat wird so durch den Federmechanismus zwischen den Armen der Zange und dem Anlageabschnitt eingeklemmt und/oder formflüssig gehalten.Preferably the arms of the pliers become over a spring mechanism held in an initial position. The substrate is done so by the spring mechanism between the arms of the pliers and clamped the plant section and / or held form liquid.
Der Federmechanismus ist dabei aus einem dielektrischen Material ausgebildet. Vorzugsweise wird als Feder ein Ring aus einem elastischen Material, insbesondere ein Gummiring verwendet. Es hat sich herausgestellt, dass überraschender Weise selbst der Austausch derartiger kleinerer Bauteile durch Bauteile aus einem dielektrischen Material erhebliche Verbesserungen mit sich bringt. Es ist zu vermuten, dass insbesondere Metallfedern im laufenden Betrieb der Anlage schnell den Kontakt zur Erde verlieren und so Spannungsüberschläge infolge elektrostatischer Aufladung verursachen.Of the Spring mechanism is formed of a dielectric material. Preferably, as a spring is a ring made of an elastic material, especially a rubber ring used. It turned out that more surprising Even the replacement of such smaller components by components From a dielectric material with significant improvements brings. It is likely that metal springs in particular quickly lose contact with the earth during operation of the system and so flashes due cause electrostatic charge.
Vorzugsweise ist die Aufnahme im Wesentlichen senkrecht zu einer Bewegungsrichtung eines Armes der Zange über einen Verschiebemechanismus verschiebbar, um das Substrat beispielsweise auf einen Dichtungsring aufzudrücken.Preferably the image is substantially perpendicular to a direction of movement an arm of pliers over a sliding mechanism displaceable to the substrate, for example to apply a sealing ring.
Bei einer besonderen Ausführungsform der Erfindung weist auch dieser Verschiebemechanismus einen Federmechanismus auf, der die Aufnahme unbelastet in einer Ausgangsstellung hält. Dieser Federmechanismus weist vorzugsweise zumindest an den dem Substrat zugewandten Flächen ein dielektrisches Material auf.at a particular embodiment According to the invention, this displacement mechanism also has a spring mechanism on, which holds the recording unloaded in a starting position. This spring mechanism preferably has at least on the surfaces facing the substrate dielectric material.
Eine besondere Ausführungsform sieht dabei eine Metallfeder vor, welche zumindest auf der dem Substrat gegenüberliegenden Seite in einer Hülse aus dielektrischem Material, insbesondere Kunststoff, angeordnet ist.A special embodiment provides a metal spring, which at least on the substrate opposite Side in a sleeve made of dielectric material, in particular plastic is.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung weist die Haltevorrichtung eine Basis auf, in der die Aufnahme, Zange oder der Federmechanismus angebracht ist. Auch dieses Basis ist vorzugsweise aus einem dielektrischen Material ausgebildet.at a development of the invention, the holding device a Base on where the pickup, pliers or the spring mechanism is appropriate. This base is preferably made of a dielectric Material formed.
Vorzugsweise besteht die Basis auf der gegenüberliegenden, also der dem Substrat abgewandten Seite, aus einem nicht dielektrischen Material, insbesondere aus einem Metall. Da diese Seite der Basis in einer Beschichtungsanlage direkten Kontakt mit den eingeleiteten Precursor-Gasen beziehungsweise mit dem gezündeten Plasma hat, wird auf dieser Seite ein Metall verwendet, da dieses eine höhere Beständigkeit hat. Die Basis wird somit aus einem Verbundmaterial mit einer dielektrischen Schicht und einer Schicht aus einem anderen Material gebildet.Preferably is the base on the opposite, that is, the side facing away from the substrate, made of a non-dielectric Material, in particular of metal. Because this side of the base in a coating plant direct contact with the initiated Precursor gases or with the ignited plasma has, is on This page uses a metal, as this has a higher resistance Has. The base is thus made of a composite material with a dielectric Layer and a layer formed from a different material.
Vorzugsweise weist das dielektrische Material in einem Frequenzbereich zwischen 10 MHz und 3 GHz einen Verlustwinkel tan δ von unter 0,05, bevorzugt unter 0,01 und besonders bevorzugt unter 0,007 auf. Gedacht ist auch an einen Wert von 0,006 gemessen bei 1 MHz.Preferably rejects the dielectric material in a frequency range 10 MHz and 3 GHz, a loss angle tan δ of less than 0.05, preferably below 0.01 and more preferably below 0.007. Thought is also on a value of 0.006 measured at 1 MHz.
Es hat sich gezeigt, dass durch die Verwendung derartiger Materialien Überschläge weiter verringert werden.It has been shown to continue rollovers through the use of such materials be reduced.
Weiter betrifft die Erfindung eine CVD oder PVD-Beschichtungsanlage mit einer erfindungsgemäßen Haltevorrichtung.Further The invention relates to a CVD or PVD coating system with a holding device according to the invention.
Die Anlage ist vorzugsweise als PICVD-Beschichtungsanlage ausgebildet. Es hat sich herausgestellt, dass das Problem von Überschlägen bei gepulster Leistung, insbesondere bei kurzen Pulsanstiegzeiten verstärkt vorkommt.The Plant is preferably designed as a PICVD coating system. It has been proven that the problem of rollovers pulsed power, especially occurs at short pulse rise times occurs.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist die Anlage als Rundläuferanlage zur Barrierebeschichtung von Kunststoffflaschen ausgebildet und weist sowohl Mittel zum Evakuieren des Innenraums eines Hohlkörpers beziehungsweise einer Flasche als auch Mittel zum Evakuieren des den Hohlkörper umgebenden Außenraums auf.at a development of the invention is the system as a rotary machine designed for barrier coating of plastic bottles and has both means for evacuating the interior of a hollow body or a bottle as well as means for evacuating the hollow body surrounding outer space on.
Die Anlage umfasst also ein Rezipienten, in welchem die zu beschichtenden Substrate, insbesondere die zu beschichtenden Flaschen eingebracht werden und bei welchem sowohl der Innenraum eines Hohlkörpers als auch der Rezipient evakuiert werden können. Eine Evakuierung des Rezipienten ist nötig, um Verformungen des Hohlkörpers zu verhindern. Es versteht sich, dass der Druck außerhalb des Hohlkörpers nicht notwendigerweise genau so niedrig sein muss wie der Druck im Hohlkörper.The Plant thus includes a recipient in which to be coated Substrates, in particular introduced the bottles to be coated be and in which both the interior of a hollow body as also the recipient can be evacuated. An evacuation of the Recipients are needed to deformations of the hollow body to prevent. It is understood that the pressure outside of the hollow body not necessarily as low as the pressure in the hollow body.
Beschreibung der ZeichnungenDescription of the drawings
Die
Erfindung soll im Folgenden anhand der Zeichnungen
Detaillierte Beschreibung anhand bevorzugter AusführungsbeispieleDetailed description based on preferred embodiments
Bezug
nehmend auf
Die
Haltevorrichtung
Die
beiden Arme
Hierzu
umfassen die Arme einen Federmechanismus
In
der linken Station, bei welcher die Haltevorrichtung demontiert
ist, erkennt man eine Dichtung
Bezugnehmend
auf die schematische Darstellung der
Es versteht sich, dass der Gegenstand der Erfindung nicht auf eine Kombination aller vorstehend beschriebenen Merkmale beschränkt ist, sondern dass der Fachmann die Merkmale beliebig, soweit technisch sinnvoll, kombinieren wird.It is understood that the subject matter of the invention is not limited to a Combination of all the features described above is limited, but that the expert features the arbitrary, as far as technical makes sense, combine.
- 11
- Haltevorrichtungholder
- 22
- Aufnahmeadmission
- 33
- Armpoor
- 44
- Anlageabschnittcontact section
- 55
- Flaschebottle
- 66
- Lagercamp
- 77
- Federmechanismusspring mechanism
- 88th
- Gummiringrubber ring
- 99
- Stiftpen
- 1010
- Grundplattebaseplate
- 1111
- Verschiebemechanismusdisplacement mechanism
- 1212
- Stiftpen
- 1313
- BasisBase
- 1414
- dem Substrat zugewandte Seitethe Substrate-facing side
- 1515
- dem Substrat abgewandte Seitethe Substrate side facing away
- 1616
- Federfeather
- 1717
- Schraubescrew
- 1818
- Dichtungpoetry
- 1919
- CVD-AnlageCVD system
- 2020
- Rezipientrecipient
- 2121
- Vakuumpumpevacuum pump
- 2222
- Vakuumpumpevacuum pump
- 2323
- Gaslanzegas lance
- 2424
- Flaschenhalsbottleneck
- 2525
- Flächearea
- 2626
- KunststoffhülsePlastic sleeve
- 2727
- Sprengringsnap ring
Claims (19)
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DE (1) | DE102007016029A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2549521A1 (en) * | 2011-07-21 | 2013-01-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method and device for producing low-particle layers on substrates |
DE102022119836A1 (en) | 2022-08-08 | 2024-02-08 | Khs Gmbh | Positioning and sealing device for holding and sealing a workpiece in a plasma chamber of a plasma coating device |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3403317A1 (en) * | 1984-01-31 | 1985-08-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Device for holding the quartz overtubes, which support the boats fitted with substrates, on horizontal lead-in devices in low-pressure phase-coating apparatuses |
DE2736536C2 (en) * | 1976-08-13 | 1986-01-30 | AO Inc., Southbridge, Mass. | Substrate holder for use in the vapor deposition of optical plastic lenses |
DE19649750A1 (en) * | 1996-11-30 | 1998-06-04 | Krupp Corpoplast Masch | Support method and apparatus |
US5855682A (en) * | 1996-10-02 | 1999-01-05 | Nippon Laser & Electronics Lab | Plasma thin-film forming apparatus |
DE10005687A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Krupp Corpoplast Maschb Gmbh | Preform support movement to a blowing station in a thermoplastic container blow molding plant involves opening a holder by a support during insertion and closure by spring force |
DE69900777T2 (en) * | 1998-02-12 | 2002-08-22 | Sidel Octeville Sur Mer | DEVICE FOR TRANSPORTING HOLLOW BODIES HAVING A NECK |
EP1363316A2 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic susceptor |
DE10224547A1 (en) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Sig Technology Ltd | Method and device for the plasma treatment of workpieces |
EP1401013A1 (en) * | 2001-06-01 | 2004-03-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
DE69815359T2 (en) * | 1997-03-14 | 2004-04-29 | The Coca-Cola Co. | PLASTIC CONTAINER WITH AN EXTERNAL GAS BARRIER COATING |
DE202005004589U1 (en) * | 2005-03-18 | 2005-07-07 | Ixmos Gmbh | Mobile electrostatic substrate holder including a dielectric and made from very high purity materials and layers, useful in electronics and semiconductor technology |
EP1404903B1 (en) * | 2001-07-12 | 2006-03-29 | Aixtron AG | Process chamber with a base with sectionally different rotational drive and layer deposition method in such a process chamber |
-
2007
- 2007-03-30 DE DE200710016029 patent/DE102007016029A1/en active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2736536C2 (en) * | 1976-08-13 | 1986-01-30 | AO Inc., Southbridge, Mass. | Substrate holder for use in the vapor deposition of optical plastic lenses |
DE3403317A1 (en) * | 1984-01-31 | 1985-08-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Device for holding the quartz overtubes, which support the boats fitted with substrates, on horizontal lead-in devices in low-pressure phase-coating apparatuses |
US5855682A (en) * | 1996-10-02 | 1999-01-05 | Nippon Laser & Electronics Lab | Plasma thin-film forming apparatus |
DE19649750A1 (en) * | 1996-11-30 | 1998-06-04 | Krupp Corpoplast Masch | Support method and apparatus |
DE69815359T2 (en) * | 1997-03-14 | 2004-04-29 | The Coca-Cola Co. | PLASTIC CONTAINER WITH AN EXTERNAL GAS BARRIER COATING |
DE69900777T2 (en) * | 1998-02-12 | 2002-08-22 | Sidel Octeville Sur Mer | DEVICE FOR TRANSPORTING HOLLOW BODIES HAVING A NECK |
DE10005687A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-16 | Krupp Corpoplast Maschb Gmbh | Preform support movement to a blowing station in a thermoplastic container blow molding plant involves opening a holder by a support during insertion and closure by spring force |
EP1401013A1 (en) * | 2001-06-01 | 2004-03-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
EP1404903B1 (en) * | 2001-07-12 | 2006-03-29 | Aixtron AG | Process chamber with a base with sectionally different rotational drive and layer deposition method in such a process chamber |
EP1363316A2 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic susceptor |
DE10224547A1 (en) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Sig Technology Ltd | Method and device for the plasma treatment of workpieces |
DE202005004589U1 (en) * | 2005-03-18 | 2005-07-07 | Ixmos Gmbh | Mobile electrostatic substrate holder including a dielectric and made from very high purity materials and layers, useful in electronics and semiconductor technology |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2549521A1 (en) * | 2011-07-21 | 2013-01-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method and device for producing low-particle layers on substrates |
WO2013011149A1 (en) * | 2011-07-21 | 2013-01-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Method and device for producing low-particle layers on substrates |
US9803276B2 (en) | 2011-07-21 | 2017-10-31 | Fraunhoer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forshung E.V. | Method and apparatus for producing low-particle layers on substrates |
DE102022119836A1 (en) | 2022-08-08 | 2024-02-08 | Khs Gmbh | Positioning and sealing device for holding and sealing a workpiece in a plasma chamber of a plasma coating device |
WO2024033045A1 (en) | 2022-08-08 | 2024-02-15 | Khs Gmbh | Positioning and sealing device for holding and sealing a workpiece in a plasma chamber of a plasma-coating apparatus |
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