DE102007012384A1 - Guided bulk acoustic wave operating component, has wave-guiding layer system including dielectric layers that exhibit material with same chemical composition, where acoustic performance of one layer is higher than that of another layer - Google Patents

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Abstract

The component has a wave-guiding layer system (10) including a piezoelectric layer (1), a dielectric layer (21), another dielectric layer (22) surrounding on the layer (21), and an electrically conductive layer enclosed between the piezoelectric layer and the layer (21). The dielectric layers containing silicon dioxide exhibit a material with a same chemical composition, and an acoustic performance of the layer (21) is higher than that of the layer (22). The system is firmly connected with a cover layer. The layer (22) is arranged between the layer (21) and the cover layer. An independent claim is also included for a method for manufacturing a guided bulk acoustic wave operating component.

Description

Es wird ein elektroakustisches Bauelement, insbesondere ein mit GBAW arbeitendes Bauelement angegeben. GBAW steht für Guided Bulk Acoustic Wave, d. h. eine geführte akustische Volumenwelle. Die geführten akustischen Volumenwellen werden auch „boundary acoustic waves" genannt. Mit geführten Volumenwellen arbeitende Bauelemente sind z. B. aus der Druckschrift US 2006/0138902 A1 bekannt.An electroacoustic component, in particular a component working with GBAW, is specified. GBAW stands for Guided Bulk Acoustic Wave, ie a guided acoustic volume wave. The guided bulk acoustic waves are also called "boundary acoustic waves." Components operating with guided bulk waves are, for example, from the document US 2006/0138902 A1 known.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein mit geführten akustischen Wellen arbeitendes Bauelement anzugeben, das kostengünstig hergestellt werden kann, sowie ein Verfahren zur Herstellung des Bauelements.A to be solved task is one with guided Specify acoustic waves working device that cost can be prepared, as well as a method for producing the Component.

Es wird ein mit geführten akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem wellenleitenden Schichtsystem angegeben. Das Schichtsystem weist eine piezoelektrische Schicht, eine erste dielektrische Schicht, eine an die erste dielektrische Schicht angrenzende zweite dielektrische Schicht sowie eine zwischen der piezoelektrischen Schicht und der ersten dielektrischen Schicht eingeschlossene elektrisch leitfähige Schicht auf. Die erste und die zweite dielektrische Schicht weisen ein Material mit der gleichen chemischen Zusammensetzung auf oder bestehen beide aus einem Material mit gleicher chemischer Zusammensetzung. Die akustische Güte der ersten dielektrischen Schicht ist höher als diejenige der zweiten dielektrischen Schicht. Die akustische Güte der ersten dielektrischen Schicht ist vorzugsweise um mindestens 20% höher als diejenige der zweiten dielektrischen Schicht.It is a working with guided acoustic waves device indicated with a waveguiding layer system. The shift system has a piezoelectric layer, a first dielectric layer, a second dielectric adjacent to the first dielectric layer Layer and one between the piezoelectric layer and the first dielectric layer included electrically conductive Shift up. The first and second dielectric layers have a material with the same chemical composition on or Both consist of a material with the same chemical composition. The acoustic quality of the first dielectric layer is higher than that of the second dielectric layer. The acoustic quality of the first dielectric layer is preferably at least 20% higher than that of the second dielectric layer.

Das Schichtsystem ist zur Anregung einer akustischen Welle und zur Leitung dieser Welle parallel zu den Schichten des Schichtsystems geeignet. Der vertikale Aufbau des Schichtsystems ist einem Wellenleiter ähnlich. Die dielektrische Schicht bildet vorzugsweise die Schicht mit der niedrigsten akustischen Geschwindigkeit. Dies bedeutet, dass die akustische Geschwindigkeit der relevanten Wellenmode in der dielektrischen Schicht kleiner ist als in den an sie angrenzenden Schichten.The Layer system is to excite an acoustic wave and conduction this wave parallel to the layers of the layer system suitable. Of the vertical structure of the layer system is similar to a waveguide. The dielectric layer preferably forms the layer with the lowest acoustic speed. This means that the acoustic Velocity of the relevant wave mode in the dielectric Layer is smaller than in the layers adjacent to it.

Die elektrisch leitfähige Schicht weist Elektroden und Kontaktflächen auf. Ineinander greifende, streifenförmige Elektroden sind Bestandteil elektroakustischer Wandler, in denen die Welle angeregt und geführt wird. Weitere streifenförmige Elektroden können akustische Reflektoren bilden. Die Kontaktflächen sind mit den Wandlern leitend verbunden.The electrically conductive layer has electrodes and contact surfaces on. Interlocking, strip-shaped electrodes are Part of electroacoustic transducer in which the wave is excited and is guided. Further strip-shaped electrodes can form acoustic reflectors. The contact surfaces are conductively connected to the transducers.

Die erste und die zweite dielektrische Schicht enthalten vorzugsweise beide Siliziumdioxid.The first and second dielectric layers preferably contain both silica.

Die erste dielektrische Schicht zeichnet sich durch eine hohe akustische Qualität aus. Um eine derart hochqualitative Schicht erzeugen zu können, ist in der Regel eine besonders geringe Abscheidungsrate notwendig, was zur Erzeugung von Schichten in einer Dicke, die mehrere Mikrometer beträgt, im Hinblick auf einen hohen Zeitaufwand ungünstig sein kann. Die zweite dielektrische Schicht wird daher mit einer höheren Rate, dafür allerdings mit einer niedrigeren Qualität aufgetragen. Die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht ist vorzugsweise größer als diejenige der ersten dielektrischen Schicht.The first dielectric layer is characterized by a high acoustic Quality out. To produce such a high quality layer It is usually a very low rate of deposition necessary, resulting in the production of layers in a thickness several Microns is, in terms of a lot of time can be unfavorable. The second dielectric layer becomes therefore with a higher rate, but with a lower quality applied. The thickness of the second Dielectric layer is preferably larger as that of the first dielectric layer.

Die Gesamtdicke der ersten und zweiten dielektrischen Schicht beträgt vorzugsweise mindestens 5 Mikrometer oder mindestens anderthalb Wellenlängen der im Schichtsystem bei einer Durchlassfrequenz des Bauelements ausbreitungsfähigen akustischen Welle.The Total thickness of the first and second dielectric layer is preferably at least 5 microns or at least one and a half Wavelengths in the layer system at a transmission frequency of the component propagatable acoustic wave.

Als piezoelektrisches Material ist z. B. LiTaO3 oder LiNbO3 geeignet.As a piezoelectric material z. B. LiTaO 3 or LiNbO 3 suitable.

Das Schichtsystem ist in einer Variante mit einer Deckschicht fest verbunden. In einer Variante ist die zweite dielektrische Schicht zwischen der ersten dielektrischen Schicht und der Deckschicht angeordnet. In einer weiteren Variante ist zwischen der ersten dielektrischen Schicht und der Deckschicht die piezoelektrische Schicht angeordnet.The Layer system is firmly connected in a variant with a cover layer. In a variant, the second dielectric layer is between the first dielectric layer and the cover layer. In a further variant is between the first dielectric Layer and the cover layer, the piezoelectric layer arranged.

Als Deckschicht ist Silizium, Glas oder ein anderes, vorzugsweise dielektrisches, in einer Variante optisch transparentes Material geeignet. Auch ein Keramiksubstrat kann als Deckschicht verwendet werden, beispielsweise falls die Deckschicht als Trägersubstrat vorgesehen ist.When Covering layer is silicon, glass or another, preferably dielectric, in a variant optically transparent material suitable. Also a Ceramic substrate can be used as a cover layer, for example if the cover layer is provided as a carrier substrate.

Ein mit geführten akustischen Wellen arbeitendes Bauelement kann beispielsweise in einem Verfahren mit den folgenden Schritten hergestellt werden. Auf einem Substrat, das zumindest eine piezoelektrische Schicht aufweist, wird eine strukturierte elektrisch leitfähige Schicht mit Elektroden und Kontaktflächen erzeugt. Auf das Substrat mit der leitfähigen Schicht wird zur Erzeugung einer ersten dielektrischen Schicht ein dielektrisches Material mit einer ersten Abscheidungsrate aufgetragen. Das gleiche dielektrische Material wird zur Erzeugung einer zweiten dielektrischen Schicht auf die erste dielektrische Schicht mit einer zweiten Abschei dungsrate aufgetragen. Die zweite Abscheidungsrate ist höher als die erste Abscheidungsrate. Die zweite Abscheidungsrate kann die erste Abscheidungsrate um mindestens einen Faktor zwei übersteigen. Das Verhältnis der Abscheidungsraten kann auch mindestens einen Faktor drei, in einer vorteilhaften Variante mindestens einen Faktor fünf betragen.One with guided acoustic waves working device For example, in a procedure with the following steps getting produced. On a substrate that has at least one piezoelectric Layer is a structured electrically conductive Layer with electrodes and contact surfaces generated. On the substrate with the conductive layer is generated a first dielectric layer a dielectric material plotted at a first deposition rate. The same dielectric Material becomes a second dielectric layer to the first dielectric layer with a second deposition rate applied. The second deposition rate is higher than the first deposition rate. The second deposition rate can be the exceed the first deposition rate by at least a factor of two. The ratio of the deposition rates can also be at least a factor of three, in an advantageous variant at least one Factor five.

Die erste dielektrische Schicht wird beispielsweise durch Physical Vapor Deposition erzeugt. Beispielsweise ist Sputtern möglich. Sputtern erfolgt vorzugsweise bei einer Temperatur zwischen 60°C und 80°C.The first dielectric layer is included For example, generated by physical vapor deposition. For example, sputtering is possible. Sputtering is preferably carried out at a temperature between 60 ° C and 80 ° C.

Die erste dielektrische Schicht kann aber auch durch Chemical Vapor Deposition (CVD) erzeugt werden. Gemäß einer Variante kann ein Plasma Enhanced CVD Verfahren verwendet werden.The but the first dielectric layer can also by Chemical Vapor Deposition (CVD) are generated. According to a variant a plasma enhanced CVD method can be used.

Die zweite dielektrische Schicht kann im Prinzip im gleichen Verfahren, allerdings mit einer höheren Rate erzeugt werden. Sie kann auch in einem anderen Verfahren erzeugt werden.The second dielectric layer can in principle be used in the same process, however, be generated at a higher rate. she can also be generated in another method.

Die in Zusammenhang mit der ersten dielektrischen Schicht genannten Verfahren kommen auch zur Erzeugung der zweiten dielektrischen Schicht in Betracht. Zusätzlich ist Aufdampfen oder Abscheidung mittels eines Spin-On Verfahrens möglich. Im Prinzip sind für die Erzeugung der zweiten dielektrischen Schicht alle Verfahren geeignet, in denen eine besonders hohe Abscheidungsrate erzielt werden kann. Die Erhöhung der Abscheidungsrate kann beispielsweise in einem CVD Verfahren durch den Einsatz von Plasma erzielt werden.The mentioned in connection with the first dielectric layer Methods also come for producing the second dielectric layer into consideration. In addition, vapor deposition or deposition possible by means of a spin-on process. In principle are for the generation of the second dielectric layer all Suitable processes in which a particularly high deposition rate can be achieved. The increase in the deposition rate For example, in a CVD process through the use of Plasma can be achieved.

Die zweite dielektrische Schicht kann in einer Variante aus einem Glasnebel erzeugt werden. Das dielektrische Material, vorzugsweise Glas oder Siliziumdioxid, wird in einer Vakuum- Kammer auf ca. 2000°C erhitzt, so dass ein Glasnebel entsteht. Der Glasnebel kühlt bis zu 120°C oder weniger ab und kondensiert auf einem Substrat, das die piezoelektrische Schicht, die elektrisch leitfähige Schicht und die erste dielektrische Schicht umfasst.The second dielectric layer may in a variant of a glass mist be generated. The dielectric material, preferably glass or Silica, in a vacuum chamber at about 2000 ° C. heated so that a glass mist is created. The glass mist cools up to 120 ° C or less and condenses on one Substrate, which is the piezoelectric layer, the electrically conductive Layer and the first dielectric layer comprises.

Die Temperatur, bei der die zweite dielektrische Schicht erzeugt wird, beträgt vorzugsweise maximal 120°C, beispielsweise damit die Mikrostruktur einer darunter liegenden Fotolackschicht nicht beschädigt wird.The Temperature at which the second dielectric layer is generated, is preferably at most 120 ° C, for example thus the microstructure of an underlying photoresist layer not damaged.

In einer Variante des Verfahrens wird auf der elektrisch leitfähigen Schicht vor dem Auftragen der ersten dielektrischen Schicht eine strukturierte Fotolackschicht oder eine andere Maske erzeugt. Durch Strukturen der Fotolackschicht werden beispielsweise als Kontaktflächen vorgesehene, später freizulegende Bereiche der elektrisch leitfähigen Schicht abgedeckt. Die Fotolackschicht kann vor oder nach dem Erzeugen der zweiten dielektrischen Schicht entfernt werden. Gleichzeitig wird dabei das auf der Fotolackschicht angeordnete Material abgehoben (Lift-Off Prozess). In einer Variante kann nach dem Erzeugen der jeweiligen dielektrischen Schicht ein Lift-Off Prozess zur Strukturierung dieser Schichten durchgeführt werden.In A variant of the method is based on the electrically conductive Layer before applying the first dielectric layer a patterned photoresist layer or another mask generated. Through structures the photoresist layer, for example, as contact surfaces provided, later exposed areas of the electric covered by conductive layer. The photoresist layer can removed before or after the generation of the second dielectric layer become. At the same time it is arranged on the photoresist layer Material lifted (lift-off process). In one variant can after generating the respective dielectric layer a lift-off Process performed to structure these layers become.

Alternativ besteht die Möglichkeit, die freizulegenden Bereiche durch Ätzen freizulegen. In einer Verfahrensvariante wird zu diesem Zweck die erste dielektrische Schicht noch vor dem Auftragen der zweiten dielektrischen Schicht geätzt. Die zweite dielektrische Schicht wird aufgetragen und dann geätzt. Möglich ist aber auch, erst nach dem Abscheiden der zweiten dielektrischen Schicht durch die beiden dielektrischen Schichten zu ätzen.alternative it is possible to etch the areas to be exposed by etching expose. In a variant of the method is for this purpose the first dielectric layer even before the application of the second dielectric Etched layer. The second dielectric layer is applied and then etched. It is also possible, only after depositing the second dielectric layer through the two etch dielectric layers.

Beim jeweiligen Ätzverfahren kann eine Maske verwendet werden, damit nur in den vorgesehenen Bereichen geätzt wird. Auf eine Maske kann auch verzichtet werden, was insbesondere bei Chemical Mechanical Polishing (CMP) Verfahren in Betracht kommt. Ein CMP Verfahren kann insbesondere nach dem Erzeugen der zweiten dielektrischen Schicht stattfinden. Dabei wird die Oberfläche der zweiten dielektrischen Schicht geglättet, um sie beispielsweise für die Verbindung mit der Deckschicht mittels eines Wafer-Bondings vorzubereiten.At the respective etching process, a mask can be used, so that it is only etched in the intended areas. On a mask can also be dispensed with, which is especially the case with Chemical Mechanical Polishing (CMP) method is considered. A CMP Method may in particular after the generation of the second dielectric layer occur. At this time, the surface of the second dielectric becomes Smoothed layer, for example, for the Prepare connection with the cover layer by means of a wafer bonding.

Im Folgenden wird das Verfahren zur Herstellung des angegebenen Bauelements anhand von schematischen und nicht maßstabgetreuen Figuren erläutert. Es zeigen:in the The following is the process for the preparation of the specified device explained with reference to schematic and not to scale figures. Show it:

1A das Schichtsystem nach der Erzeugung der ersten dielektrischen Schicht vor der Erzeugung der zweiten dielektrischen Schicht; 1A the layer system after the formation of the first dielectric layer prior to the formation of the second dielectric layer;

1B das Schichtsystem nach der Erzeugung der zweiten dielektrischen Schicht; 1B the layer system after the generation of the second dielectric layer;

1C das Schichtsystem mit Durchkontaktierungen zwischen Kontaktflächen und auf der Oberfläche des Schichtsystems angeordneten elektrischen Kontakten; 1C the layer system with plated-through holes between contact surfaces and arranged on the surface of the layer system electrical contacts;

2 das mit einer Deckschicht verbundene Schichtsystem, wobei die Deckschicht auf der dielektrischen Schicht angeordnet ist; 2 the layer system connected to a cover layer, wherein the cover layer is disposed on the dielectric layer;

3A das Schichtsystem mit freigelegten Kontaktflächen vor der Erzeugung der zweiten dielektrischen Schicht; 3A the layer system with exposed contact surfaces prior to the formation of the second dielectric layer;

3B das Schichtsystem gemäß der 3A mit der zweiten dielektrischen Schicht, die geätzt wird; 3B the layer system according to the 3A with the second dielectric layer being etched;

3C das Schichtsystem gemäß der 3B nach dem Ätzen; 3C the layer system according to the 3B after etching;

4 das mit einer Deckschicht verbundene Schichtsystem, wobei die piezoelektrische Schicht auf der Deckschicht angeordnet ist. 4 the layer system connected to a cover layer, wherein the piezoelectric layer is arranged on the cover layer.

In den 1A bis 1C ist eine erste Variante des Verfahrens erläutert.In the 1A to 1C a first variant of the method is explained.

Auf dem piezoelektrischen Substrat 1 wird eine elektrisch leitfähige Schicht erzeugt, in der Elektroden 3 und Kontaktflächen 6 ausgebildet sind. Danach wird auf dem Substrat 1 mit der leitfähigen Schicht eine erste dielektrische Schicht 21 erzeugt (1A). Die Dicke der Schicht 21 beträgt vorzugsweise maximal eine Wellenlänge.On the piezoelectric substrate 1 An electrically conductive layer is produced in the electrodes 3 and contact surfaces 6 are formed. After that, on the substrate 1 with the conductive layer, a first dielectric layer 21 generated ( 1A ). The thickness of the layer 21 is preferably at most one wavelength.

Auf der ersten dielektrischen Schicht 21 wird eine zweite dielektrische Schicht 22 erzeugt (1B). Somit wird ein zur Leitung akustischer Welle geeignetes Schichtsystem 10 bereitgestellt.On the first dielectric layer 21 becomes a second dielectric layer 22 generated ( 1B ). Thus, a suitable for conducting acoustic wave layer system 10 provided.

Zur Erzeugung von Durchkontaktierungen 73 werden in den Schichten 21, 22 Öffnungen erzeugt und mit elektrisch leitfähigem Material zumindest teilweise gefüllt.For the production of vias 73 be in the layers 21 . 22 Produces openings and at least partially filled with electrically conductive material.

Auf der Oberfläche des Schichtsystems 10, in der 1C auf der zwischen dielektrischen Schicht 22, werden elektrische Kontakte 74 erzeugt. Die elektrischen Kontakte 74 sind mit den Kontaktflächen 6 mittels Durchkontaktierungen 73 verbunden.On the surface of the layer system 10 , in the 1C on the between dielectric layer 22 , become electrical contacts 74 generated. The electrical contacts 74 are with the contact surfaces 6 by means of vias 73 connected.

In der 2 ist eine Variante des Bauelements gezeigt, bei der das Schichtsystem mit einer Deckschicht 4 verbunden ist. Die Deckschicht 4 ist hier auf der zweiten dielektrischen Schicht 22 angeordnet. Die elektrischen Kontakte 74 werden auf der Oberfläche der Deckschicht 4 erzeugt.In the 2 a variant of the device is shown in which the layer system with a cover layer 4 connected is. The cover layer 4 is here on the second dielectric layer 22 arranged. The electrical contacts 74 be on the surface of the topcoat 4 generated.

In den 3A bis 3C ist eine zweite Variante des Verfahrens erläutert.In the 3A to 3C a second variant of the method is explained.

In diesem Fall werden die Kontaktflächen 6 vor der Erzeugung der zweiten dielektrischen Schicht 22 freigelegt (3A). Zu diesem Zweck werden in der ersten dielektrischen Schicht 21 Öffnungen 71 geätzt. Nach dem Auftragen der zweiten dielektrischen Schicht 22 wird nochmals geätzt. In der in 3B vorgestellten Variante wird großflächig geätzt, d. h. eine Maske wird nicht verwendet. Vorzugsweise wird dabei u. a. ein CMP-Verfahren angewandt. Auf diese Weise werden in einem durch die dielektrischen Schichten 21, 22 gebildeten Verbund Öffnungen 72 zur Kontaktierung der Kontaktflächen 6 erzeugt.In this case, the contact surfaces 6 before the generation of the second dielectric layer 22 uncovered ( 3A ). For this purpose, in the first dielectric layer 21 openings 71 etched. After applying the second dielectric layer 22 is etched again. In the in 3B presented variant is etched over a large area, ie a mask is not used. Preferably, a CMP method is used inter alia. In this way, in one through the dielectric layers 21 . 22 formed composite openings 72 for contacting the contact surfaces 6 generated.

4 zeigt eine weitere Variante des mit GBAW arbeitenden Bauelements. In diesem Fall ist die Deckschicht unterhalb des Schichtsystems 10 angeordnet. Die piezoelektrische Schicht 1 ist auf der Deckschicht 4 angeordnet. Die piezoelektrische Schicht 1 kann auf der als Wachstumssubstrat vorgesehenen Deckschicht 4 erzeugt werden. Alternativ kann die Deckschicht 4 mit einem bereitgestellten Schichtsystem 10 fest verbunden werden. 4 shows a further variant of working with GBAW device. In this case, the cover layer is below the layer system 10 arranged. The piezoelectric layer 1 is on the topcoat 4 arranged. The piezoelectric layer 1 can on the provided as a growth substrate cover layer 4 be generated. Alternatively, the cover layer 4 with a layer system provided 10 firmly connected.

In allen Varianten kann die piezoelektrische Schicht 1 als eine dünne Schicht, deren Dicke nur wenige – z. B. maximal fünf – Wellenlängen beträgt, ausgebildet werden. Die Dicke der piezoelektrischen Schicht 1 beträgt vorzugsweise mindestens eine halbe Wellenlänge. Die piezoelektrische Schicht 1 ist dann vorzugsweise auf einem nicht piezoelektrischen Trägersubstrat angeordnet. Eine hoch strukturierte piezoelektrische Schicht 1 kann auf einem Wachstumssubstrat mit einer geeigneten Oberfläche erzeugt werden. Die piezoelektrische Schicht 1 kann aber auch einkristallin, d. h. als ein ggf. abgedünntes piezoelektrisches Substrat, ausgebildet sein.In all variants, the piezoelectric layer 1 as a thin layer whose thickness is only a few -. B. a maximum of five - wavelengths are formed. The thickness of the piezoelectric layer 1 is preferably at least one half wavelength. The piezoelectric layer 1 is then preferably arranged on a non-piezoelectric carrier substrate. A highly structured piezoelectric layer 1 can be produced on a growth substrate with a suitable surface. The piezoelectric layer 1 However, it can also be monocrystalline, ie, a possibly thinned piezoelectric substrate.

Das Verfahren ist auf die angegebenen Verfahrensschritte nicht beschränkt. Weiterbildungen des Bauelements sind vorgesehen. Beispielsweise kann die zweite dielektrische Schicht an eine akustische dämpfende Schicht angrenzen. In der in 2 gezeigten Variante weist dann die Deckschicht 4 akustisch dämpfende Eigenschaften auf. In den Varianten gemäß den 1C und 4 kann auf die Oberfläche der Schicht 22 eine akustisch dämpfende Vergussmasse aufgetragen werden. Das akustisch dämpfende Material weist stets eine geringere Steifigkeit als die zweite dielektrische Schicht 22 auf.The method is not limited to the specified method steps. Further developments of the device are provided. For example, the second dielectric layer may adjoin an acoustic damping layer. In the in 2 variant shown then has the cover layer 4 acoustically damping properties. In variants according to 1C and 4 can on the surface of the layer 22 an acoustically damping potting compound are applied. The acoustically damping material always has a lower rigidity than the second dielectric layer 22 on.

11
piezoelektrische Schichtpiezoelectric layer
1010
Schichtsystemlayer system
2121
erste dielektrische Schichtfirst dielectric layer
2222
zweite dielektrische Schichtsecond dielectric layer
33
Elektrodenelectrodes
44
Deckschichttopcoat
66
Kontaktflächecontact area
71, 7271, 72
Öffnungopening
7373
Durchkontaktierungvia
7474
elektrischer Kontaktelectrical Contact

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - US 2006/0138902 A1 [0001] US 2006/0138902 A1 [0001]

Claims (18)

Mit geführten akustischen Wellen arbeitendes Bauelement – mit einem wellenleitenden Schichtsystem (10), das eine piezoelektrische Schicht (1), eine erste dielektrische Schicht (21), eine an die erste dielektrische Schicht (21) angrenzende zweite dielektrische Schicht (22) sowie eine zwischen der piezoelektrischen Schicht und der ersten dielektrischen Schicht eingeschlossene elektrisch leitfähige Schicht (36) aufweist, – wobei die erste und die zweite dielektrische Schicht (21, 22) ein Material mit der gleichen chemischen Zusammensetzung aufweisen, – wobei die akustische Güte der ersten dielektrischen Schicht (21) höher ist als diejenige der zweiten dielektrischen Schicht (22).With guided acoustic waves component - with a waveguide layer system ( 10 ) comprising a piezoelectric layer ( 1 ), a first dielectric layer ( 21 ), one to the first dielectric layer ( 21 ) adjacent second dielectric layer ( 22 ) and an electrically conductive layer enclosed between the piezoelectric layer and the first dielectric layer ( 36 ), wherein the first and the second dielectric layer ( 21 . 22 ) have a material with the same chemical composition, - the acoustic quality of the first dielectric layer ( 21 ) is higher than that of the second dielectric layer ( 22 ). Bauelement nach Anspruch 1, – wobei die elektrisch leitfähige Schicht (36) Elektroden (3) und Kontaktflächen (6) aufweist.Component according to claim 1, - wherein the electrically conductive layer ( 36 ) Electrodes ( 3 ) and contact surfaces ( 6 ) having. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, – wobei die erste und die zweite dielektrische Schicht (21, 22) Siliziumdioxid enthalten.Component according to Claim 1 or 2, - the first and the second dielectric layer ( 21 . 22 ) Contain silica. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, – wobei die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht größer ist als diejenige der ersten dielektrischen Schicht.Component according to one of claims 1 to 3, - in which the thickness of the second dielectric layer is greater is than that of the first dielectric layer. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, – wobei die Gesamtdicke der ersten und zweiten dielektrischen Schicht mindestens 5 Mikrometer beträgt.Component according to one of claims 1 to 4, - in which the total thickness of the first and second dielectric layers at least 5 microns. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, – wobei die Gesamtdicke der ersten und zweiten dielektrischen Schicht mindestens anderthalb Wellenlängen beträgt.Component according to one of claims 1 to 4, - in which the total thickness of the first and second dielectric layers at least one and a half wavelengths. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, – wobei die akustische Güte der ersten dielektrischen Schicht (21) um mindestens 20% höher ist als diejenige der zweiten dielektrischen Schicht (22).Component according to one of Claims 1 to 6, - the acoustic quality of the first dielectric layer ( 21 ) is at least 20% higher than that of the second dielectric layer ( 22 ). Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, – wobei das Schichtsystem (10) mit einer Deckschicht (4) fest verbunden ist.Component according to one of Claims 1 to 7, - the layer system ( 10 ) with a cover layer ( 4 ) is firmly connected. Bauelement nach Anspruch 8, – wobei die zweite dielektrische Schicht (22) zwischen der ersten dielektrischen Schicht (21) und der Deckschicht (4) angeordnet ist.Component according to Claim 8, - the second dielectric layer ( 22 ) between the first dielectric layer ( 21 ) and the cover layer ( 4 ) is arranged. Bauelement nach Anspruch 8, – wobei die piezoelektrische Schicht (1) zwischen der ersten dielektrischen Schicht (21) und der Deckschicht (4) angeordnet ist.Component according to Claim 8, - the piezoelectric layer ( 1 ) between the first dielectric layer ( 21 ) and the cover layer ( 4 ) is arranged. Verfahren zur Herstellung eines mit geführten akustischen Wellen arbeitenden Bauelements, mit den Schritten: – auf einem Substrat, das eine piezoelektrische Schicht (1) umfasst, wird eine strukturierte elektrisch leitfähige Schicht mit Elektroden (3) und Kontaktflächen (6) erzeugt, – auf das Substrat mit der leitfähigen Schicht wird zur Erzeugung einer ersten dielektrischen Schicht (21) ein dielektrisches Material mit einer ersten Abscheidungsrate aufgetragen, – das dielektrische Material wird zur Erzeugung einer zweiten dielektrischen Schicht (22) auf die erste dielektrische Schicht mit einer zweiten Abscheidungsrate aufgetragen, – wobei die zweite Abscheidungsrate höher als die erste Abscheidungsrate ist.Method of manufacturing a guided acoustic wave device comprising the steps of: - on a substrate comprising a piezoelectric layer ( 1 ), a structured electrically conductive layer with electrodes ( 3 ) and contact surfaces ( 6 ) on the substrate with the conductive layer is used to produce a first dielectric layer ( 21 ) applied a dielectric material at a first deposition rate, - the dielectric material is used to produce a second dielectric layer ( 22 ) is applied to the first dielectric layer at a second deposition rate, wherein the second deposition rate is higher than the first deposition rate. Verfahren nach Anspruch 11, – wobei die erste dielektrische Schicht (21) durch Physical Vapor Deposition erzeugt wird.The method of claim 11, wherein the first dielectric layer ( 21 ) is generated by physical vapor deposition. Verfahren nach Anspruch 11, – wobei die erste dielektrische Schicht (21) durch Chemical Vapor Deposition erzeugt wird.The method of claim 11, wherein the first dielectric layer ( 21 ) is produced by chemical vapor deposition. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, – wobei die zweite dielektrische Schicht (22) durch Chemical Vapor Deposition erzeugt wird.Method according to one of claims 11 to 13, - wherein the second dielectric layer ( 22 ) is produced by chemical vapor deposition. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, – wobei die zweite dielektrische Schicht (22) durch Aufdampfen des dielektrischen Materials erzeugt wird.Method according to one of claims 11 to 13, - wherein the second dielectric layer ( 22 ) is produced by vapor deposition of the dielectric material. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, – wobei die zweite dielektrische Schicht (22) mittels eines Spin-On Verfahrens erzeugt wird.Method according to one of claims 11 to 13, - wherein the second dielectric layer ( 22 ) is generated by means of a spin-on method. Verfahren nach Anspruch 15, – wobei die Temperatur, bei der die zweite dielektrische Schicht erzeugt wird, maximal 120°C beträgt.Method according to claim 15, - in which the temperature at which the second dielectric layer is generated is maximum 120 ° C. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, – wobei die zweite Abscheidungsrate um mindestens einen Faktor zwei höher als die erste Abscheidungsrate ist.Method according to one of claims 11 to 17, - in which the second deposition rate is at least a factor of two higher as the first deposition rate.
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