DE102006061175A1 - Radiation-emitting semiconductor component has semiconductor chip and luminescence conversion element with luminescent material, which emits electromagnetic radiations - Google Patents

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Abstract

The radiation-emitting semiconductor component has a semiconductor chip (1) , and a luminescence conversion element (2) with a luminescent material emitting electromagnetic radiation (5,6). A plate shaped diffuser element (3) is permeable for the electromagnetic radiations emitted by the semiconductor chip and by the luminescent material with variable wavelength. The diffuser element is so arranged to the semiconductor chip that the electromagnetic radiations strike on the diffuser element. An independent claim is also included for a method of manufacturing radiation-emitting semiconductor component.

Description

Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen des strahlungsemittierenden Halbleiterelements.The The invention relates to a radiation-emitting semiconductor component and a method of manufacturing the radiation-emitting semiconductor element.

Insbesondere bei weiß leuchtenden strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen, bei denen der weiße Farbeindruck durch Mischung von blauem und gelbem Licht erzeugt wird, besteht das Bedürfnis, einen über einen möglichst großen Raumwinkelbereich homogenen Farbort zu erhalten. Ferner wirkt gegebenenfalls störend, dass das weiß leuchtende strahlungsemittierende Halbleiterbauelement für einen Betrachter gelb aussieht, wenn dieses nicht in Betrieb ist.Especially when white shining radiation-emitting semiconductor devices in which the white color impression is created by mixing blue and yellow light the need, one over one possible huge Solid angle range to obtain homogeneous color location. It also acts as appropriate disturbing, that the white shining radiation-emitting semiconductor device looks yellow to a viewer, if this is not in operation.

Die Aufabe der Erfindung ist, ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement zu schaffen, das ein zuverlässiges Mischen von elektromagnetischer Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge ermöglicht. Ferner ist die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements zu schaffen, das einfach und zuverlässig ist.The Aufabe of the invention is a radiation-emitting semiconductor device to create a reliable one Mixing electromagnetic radiation of different wavelengths allows. Further The object of the invention is a method for producing the radiation-emitting semiconductor device to create that simple and reliable is.

Die Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.The Task is solved by the characteristics of the independent Claims. Advantageous developments of the invention are characterized in the subclaims.

Gemäß eines ersten Aspekts zeichnet sich die Erfindung aus durch ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, das einen Halbleiterchip, ein Lumineszenzkonversionselement und ein Diffusorelement umfasst. Der Halbleiterchip emittiert e lektromagnetische Strahlung. Das Lumineszenzkonversionselement weist mindestens einen Leuchtstoff auf. Das Lumineszenzkonversionselement ist an dem Halbleiterchip in einem Strahlengang der von diesem ausgesandten elektromagnetischen Strahlung angeordnet. Der mindestens eine Leuchtstoff ist so ausgebildet, dass mindestens ein Teil der von dem Halbleiterchip emittierten und auf den mindestens einen Leuchtstoff treffenden elektromagnetischen Strahlung absorbiert und mit veränderter Wellenlänge wieder emittiert wird. Das Lumineszenzkonversionselement ist ferner mindestens für die von dem Halbleiterchip emittierte und für die von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierte elektromagnetische Strahlung durchlässig. Das Diffusorelement ist mindestens für die von dem Halbleiterchip emittierte und für die von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierte elektromagnetische Strahlung durchlässig. Das Diffusorelement ist plättchenförmig ausgebildet und ist so an dem Lumineszenzkonversionselement angeordnet, dass es streuend wirkt bezüglich der von dem Halbleiterchip emittierten und der von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierten elektromagnetischen Strahlung, die auf das Diffusorelement trifft.According to one In the first aspect, the invention is characterized by a radiation-emitting semiconductor component, the one semiconductor chip, a luminescence conversion element and a diffuser element comprises. The semiconductor chip emits electromagnetic radiation Radiation. The luminescence conversion element has at least one Fluorescent on. The luminescence conversion element is on the semiconductor chip in a beam path emitted by this electromagnetic Radiation arranged. The at least one phosphor is designed that at least a part of the emitted from the semiconductor chip and on the at least one phosphor meeting electromagnetic Radiation absorbed and altered wavelength is emitted again. The luminescence conversion element is further at least for that emitted by the semiconductor chip and that of the at least one phosphor with changed wavelength again emitted electromagnetic radiation permeable. The diffuser element is at least for that emitted by the semiconductor chip and that of the at least one Fluorescent with altered wavelength again emitted electromagnetic radiation permeable. The Diffuser element is platelet-shaped and is arranged on the luminescence conversion element such that it scattering affects the one emitted by the semiconductor chip and that of the at least a phosphor with altered wavelength re-emitted electromagnetic radiation emitted to the diffuser element meets.

Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass es vorteilhaft ist, wenn sowohl die Konversion der von dem Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung als auch die Streuung der von dem Halbleiterchip emittierten und der von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierten elektromagnetischen Strahlung chipnah erfolgen, das heißt in geringem Abstand von dem Halbleiterchip. Der Abstand beträgt dabei bevorzugt weniger als 200 Mikrometer. Der Abstand kann jedoch auch größer als 200 Mikrometer sein. Insbesondere ist das Lumineszenzkonversionselement un mittelbar an dem Halbleiterchip angeordnet und ist das Diffusorelement unmittelbar an dem Lumineszenzkonversionselement angeordnet. Auf diese Weise ist das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement besonders kompakt ausbildbar.The The invention is based on the realization that it is advantageous if both the conversion of the emitted from the semiconductor chip electromagnetic Radiation as well as the scatter of the emitted from the semiconductor chip and that of the at least one phosphor modified Wavelength again emitted electromagnetic radiation done close to the chip, the is called at a small distance from the semiconductor chip. The distance is thereby preferably less than 200 microns. However, the distance can be too greater than 200 microns. In particular, the luminescence conversion element is un mediate arranged on the semiconductor chip and the diffuser element is immediate arranged on the luminescence conversion element. In this way the radiation-emitting semiconductor component is particularly compact formable.

Der Halbleiterchip ist insbesondere ausgebildet zum Emittieren von elektromagnetischer Strahlung in einem sichtbaren blauen Spektralbereich und gegebenenfalls zusätzlich zum Emittieren von elektromagnetischer Strahlung in einem ultravioletten Spektralbereich. Der Leuchtstoff ist insbesondere ausgebildet zum Absorbieren der elektromagnetischen Strahlung in dem blauen Spektralbereich und/oder in dem ultravioletten Spektralbereich und zum wieder Emittieren von elektromagnetischer Strahlung in einem sichtbaren gelben Spektralbereich.Of the Semiconductor chip is designed in particular for emitting electromagnetic Radiation in a visible blue spectral range and optionally additionally for emitting electromagnetic radiation in an ultraviolet spectral range. The phosphor is designed in particular for absorbing the electromagnetic radiation in the blue spectral range and / or in the ultraviolet spectral region and for re-emitting of electromagnetic radiation in a visible yellow spectral range.

Der Vorteil ist, dass durch das Diffusorelement die von dem Halbleiterchip emittierte und die von dem Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierte elektromagnetische Strahlung durch die Streuung zuverlässig durchmischt wird. Dies resultiert in einem homogenen Farbort über einen großen Raumwinkelbereich. Insbesondere ist dadurch ein weißer Farbeindruck über den großen Raumwinkelbereich ohne bläuliche oder gelbliche Verfärbungen abhängig von einem jeweiligen Betrachtungswinkel möglich.Of the The advantage is that by the diffuser element of the semiconductor chip emitted and that of the phosphor with a different wavelength again emitted electromagnetic radiation reliably mixed by the scattering becomes. This results in a homogeneous color location over a huge Solid angle range. In particular, this is a white color impression over the large solid angle range without bluish or yellowish discoloration dependent possible from a particular viewing angle.

Ferner reduziert oder eliminiert das Diffusorelement eine von außen sichtbare und durch eine Farbe des Lumineszenzkonversionselements und insbesondere durch eine Farbe des Farbstoffs hervorgerufene Farbe des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements, wenn durch den Halbleiterchip keine elektromagnetische Strahlung ausgesandt wird. Eine Farbe des Diffusorelements kann sehr einfach vorgegeben werden. Beispielsweise kann bei der Herstellung des strahlungsemittierenden Halblei terbauelements ein weißes Diffusorelement gewählt werden, um einen weißen Farbeindruck des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements unabhängig von der Farbe des Lumineszenzkonversionselements auch im ausgeschalteten Zustand des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements zu ermöglichen.Furthermore, the diffuser element reduces or eliminates a color of the radiation-emitting semiconductor component which is visible from the outside and caused by a color of the luminescence conversion element and in particular by a color of the dye, if no electromagnetic radiation is emitted by the semiconductor chip. A color of the diffuser element can be specified very easily. For example, in the manufacture of the radiation-emitting semiconductor component, a white diffuser element can be selected in order to produce a white color impression of the radiation-emitting semiconductor component gig to allow the color of the luminescence conversion element even in the off state of the radiation-emitting semiconductor device.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung umfasst das Diffusorelement ein Keramikmaterial oder ein Glasmaterial. Der Vorteil ist, dass das Keramikmaterial oder das Glasmaterial eine hohe Transmission der von dem Halbleiterchip emittierten und der von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht bei gleichzeitig zuverlässiger Streuung von dieser. Ferner ist vorteilhaft, dass das Keramikmaterial und das Glasmaterial eine hohe Temperaturbeständigkeit, inbesondere bis mindestens 150 Grad Celsius, und eine hohe Beständigkeit gegenüber elektromagnetischer Strahlung in dem ultravioletten Spektralbereich aufweisen. Dadurch kann das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement dauerhaft zuverlässig betrieben werden. Ferner ist das Keramikmaterial und das Glasmaterial fest und dadurch leicht zu handhaben. Dies ist insbesondere vorteilhaft bei der Herstellung des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements. Das Diffusorelement kann einfach und zuverlässig mittels eines Pick-and-Place-Verfahrens bewegt und platziert werden. Ein weiterer Vorteil ist, dass das Diffusorelement aufgrund seiner Robustheit auch als Schutz des Halbleiterchips und des Lumineszenzkonversionselements in Bezug auf Umwelteinflusse dienen kann und dadurch gegebenenfalls auf einen zusätzlichen Verguss verzichtet werden kann.In In an advantageous embodiment, the diffuser element comprises a Ceramic material or a glass material. The advantage is that that Ceramic material or the glass material high transmission of emitted from the semiconductor chip and that of the at least one Fluorescent with a different wavelength again emitted electromagnetic radiation allows at the same time reliable scattering of this. Furthermore, it is advantageous that the ceramic material and the glass material has a high temperature resistance, in particular to at least 150 degrees Celsius, and high resistance to electromagnetic Have radiation in the ultraviolet spectral range. This can the radiation-emitting semiconductor device operated permanently reliable become. Further, the ceramic material and the glass material are solid and easy to handle. This is particularly advantageous in the production of the radiation-emitting semiconductor device. The diffuser element can be easily and reliably by means of a pick-and-place method be moved and placed. Another advantage is that that Diffuser element due to its robustness as a protection of the semiconductor chip and the luminescence conversion element with respect to environmental influences can serve and thereby optionally on an additional potting can be waived.

In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind in dem Diffusorelement Streupartikel zum Streuen der von dem Halbleiterchip emittierten und der von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierten elektromagnetischen Strahlung angeordnet. Dies hat den Vorteil, dass durch Vorsehen der Streupartikel ein zuverlässiges Streuen der von dem Halbleiterchip emittierten und der von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierten elektromagnetischen Strahlung möglich ist. Streuungs- und Transmissionseigenschaften sind sehr einfach durch Art, Größe, Anzahl und Verteilung der Streupartikel vorgebbar.In a further advantageous embodiment are in the diffuser element Scattering particles for scattering the emitted from the semiconductor chip and that of the at least one modified wavelength phosphor again emitted electromagnetic radiation arranged. This has the Advantage that by providing the scattering particles a reliable sprinkling the one emitted by the semiconductor chip and that of the at least a phosphor with altered wavelength again emitted electromagnetic radiation is possible. Scattering and transmission properties are very simple Type, size, number and distribution of the scattering particles can be specified.

In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist mindestens eine Oberfläche des Diffusorelements aufgeraut oder strukturiert zum Streuen der von dem Halbleiterchip emittierten und der von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierten elektromagnetischen Strahlung. Dies hat den Vorteil, dass durch Vorsehen der Aufrauung oder Strukturierung der mindestens einen Oberfläche des Diffusorelements ein zuverlässiges Streuen der von dem Halbleiterchip emittierten und der von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierten elektromagnetischen Strahlung möglich ist, insbesondere wenn das Diffusorelement mit seiner aufgerauten oder strukturierten Oberfläche an Luft grenzt. Streuungseigenschaften sind sehr einfach durch Art und Größe der Aufrauung oder Strukturierung vorgebbar.In a further advantageous embodiment, at least one surface of the Roughened diffuser element or structured to scatter the from emitted from the semiconductor chip and that of the at least one Fluorescent with altered Wavelength again emitted electromagnetic radiation. This has the advantage that by providing the roughening or structuring of at least a surface the diffuser element a reliable scattering the one emitted by the semiconductor chip and that of the at least a phosphor with altered wavelength re-emitted electromagnetic radiation is possible especially when the diffuser element with its roughened or textured surface in the air. Scattering properties are very simple by nature and size of the roughening or structuring can be specified.

In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist das Lumineszenzkonversionselement und das Diffusorelement in ihrer jeweiligen Ausdehnung parallel zu einer die elektromagnetische Strahlung emittierenden Oberfläche des Halbleiterchips im Wesentlichen nur in einem Bereich des Halbleiterchips ausgebildet, in dem dieser die elektromagnetische Strahlung emittiert. Der Vorteil ist, dass das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement dadurch nur eine kleine leuchtende Oberfläche aufweist. Dies gilt insbesondere im Vergleich zu einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement, bei dem ein Verguss, insbesondere ein Silikonverguss, in dem der Halbleiterchip und das Lumineszenzkonversionselement eingegossen sind, als Diffusor ausgebildet ist und dadurch der ganze Verguss leuchtet. Durch die kleine Ausbildung der leuchtenden Oberfläche ist ein besonders hoher Lichtstrom möglich. Ferner können Optiken mit kleinen Abmessungen genutzt werden, um die von dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement emittierte elektromagnetische Strahlung zu bündeln. Solche Optiken können besonders kostengünstig sein.In A further advantageous embodiment is the luminescence conversion element and the diffuser element parallel in their respective extent to a surface emitting the electromagnetic radiation of the Semiconductor chips substantially only in a region of the semiconductor chip formed in which this emits the electromagnetic radiation. The advantage is that the radiation-emitting semiconductor component characterized only a small luminous surface. This is especially true in comparison to a radiation-emitting semiconductor component, in which a casting, in particular a Silikonverguss, in which the Molded semiconductor chip and the luminescence conversion element are formed as a diffuser and thus the whole potting shines. Due to the small formation of the glowing surface is a particularly high luminous flux possible. Furthermore, optics be used with small dimensions to that of the radiation-emitting Semiconductor device emitted electromagnetic radiation bundle up. Such optics can especially inexpensive be.

Gemäß eines zweiten Aspekts zeichnet sich die Erfindung aus durch ein Verfahren zum Herstellen des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung. Eine Konversions- und Diffusoreinheit wird gebildet, indem das Lumineszenzkonversionselement auf das Diffusorelement aufgebracht oder auf diesem ausgebildet wird. Die Konversions- und Diffusoreinheit wird an dem Halbleiterchip angeordnet.According to one second aspect, the invention is characterized by a method for producing the radiation-emitting semiconductor component according to the first Aspect of the invention. A conversion and diffuser unit becomes formed by the luminescence conversion element on the diffuser element applied or formed on this. The conversion and Diffuser unit is disposed on the semiconductor chip.

Das Aufbringen eines Materials des Lumineszenzkonversionselements erfolgt beispielsweise durch Aufdrucken auf das Diffusorelement. Das Aufbringen des Materials des Lumineszenzkonversionselements oder das Ausbilden des Lumineszenzkonversionselements auf dem Diffusorelement kann jedoch auch anders erfolgen. Der Vorteil ist, dass die Konversions- und Diffusoreinheit einfach und zuverlässig mittels eines Pick-and-Place-Verfahrens auf den Halbleiterchip aufbringbar ist. Die vorzugsweise feste Konsistenz des Diffusorelements vereinfacht das Aufbringen der Konversions- und Diffusoreinheit auf den Halbleiterchip. Ferner kann die Konversions- und Diffuso reinheit gegebenenfalls einzeln geprüft und/oder abhängig von ihren individuellen Eigenschaften ausgewählt werden, bevor die Konversions- und Diffusoreinheit auf dem Halbleiterchip angeordnet wird. Dies ermöglicht eine besonders hohe Qualität des resultierenden strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements und ermöglicht ferner einen geringen Ausschuss durch Vermeiden des Aufbringens einer ungeeigneten oder minderwertigen Konversions- und Diffusoreinheit.The application of a material of the luminescence conversion element takes place, for example, by printing on the diffuser element. However, the application of the material of the luminescence conversion element or the formation of the luminescence conversion element on the diffuser element can also take place differently. The advantage is that the conversion and diffuser unit can be easily and reliably applied to the semiconductor chip by means of a pick-and-place method. The preferably solid consistency of the diffuser element simplifies the application of the conversion and diffuser unit to the semiconductor chip. Further, the conversion and diffuser purity may optionally be tested individually and / or selected depending on their individual properties before the conversion and diffuser unit is placed on the semiconductor chip. This allows a particularly high quality of the resulting radiation-emitting Semiconductor device and also allows low waste by avoiding the application of an unsuitable or inferior conversion and diffuser unit.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung des zweiten Aspekts der Erfindung umfasst das Bilden der Konversions- und Diffusoreinheit ein Zerteilen einer größeren Einheit, bei der das Material des Lumineszenzkonversionselements auf einer Scheibe verteilt für eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen aufgebracht ist und die Scheibe aus einem Material des Diffusorelements gebildet ist. Dies hat den Vorteil, dass nach dem Zerteilen einzelne Konversions- und Diffusoreinheiten beispielsweise mittels des Pick-and-Place-Verfahrens sehr einfach auf den jeweiligen Halbleiterchip aufgebracht werden können. Ferner können die Konversions- und Diffusoreinheiten zuvor einzeln geprüft und entsprechend ihrer individuellen Eigenschaften sortiert werden. Ausschuss kann aussortiert werden, bevor die betroffene Konversion- und Diffusoreinheit auf einen Halbleiterchip aufgebracht wird. Das Verfahren ist besonders geeignet für die Herstellung großer Stückzahlen des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements.In an advantageous embodiment of the second aspect of the invention For example, forming the conversion and diffuser unit involves dicing a larger unit, in which the material of the luminescence conversion element on a Slice spread for a plurality of radiation-emitting semiconductor devices is applied and the disc is formed of a material of the diffuser element is. This has the advantage that, after dicing, individual conversion and diffuser units, for example by means of the pick-and-place method very simple can be applied to the respective semiconductor chip. Further can the conversion and diffuser units previously tested individually and accordingly their individual properties are sorted. Committee can be screened before the affected conversion and diffuser unit a semiconductor chip is applied. The procedure is special suitable for the production of big ones numbers the radiation-emitting semiconductor device.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind im Folgenden anhand der schematischen Zeichnungen erläutert.embodiments The invention are explained below with reference to the schematic drawings.

Es zeigen:It demonstrate:

1 eine erste Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements, 1 A first embodiment of a radiation-emitting semiconductor component,

2 eine zweite Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements, 2 A second embodiment of the radiation-emitting semiconductor component,

3 ein Ablaufdiagramm eines ersten Verfahrens zum Herstellen des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements und 3 a flowchart of a first method for producing the radiation-emitting semiconductor device and

4 ein Ablaufdiagramm eines zweiten Verfahrens zum Herstellen des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements. 4 a flowchart of a second method for producing the radiation-emitting semiconductor device.

Elemente gleicher Konstruktion oder Funktion sind figurenübergreifend mit den gleichen Bezugszeichen versehen.elements same construction or function are cross-figurative with the same Provided with reference numerals.

Eine erste Ausführungsform eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst einen Halbleiterchip 1, ein Lumineszenzkonversionselement 2 und ein Diffusorelement 3 (1). Das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement kann zusätzlich auch einen Verguss 4 umfassen, der den Halbleiterchip 1, das Lumineszenzkonversionselement 2 und das Diffusorelement 3 umgibt oder abdeckt.A first embodiment of a radiation-emitting semiconductor component comprises a semiconductor chip 1 , a luminescence conversion element 2 and a diffuser element 3 ( 1 ). The radiation-emitting semiconductor component may additionally also have a potting 4 comprising the semiconductor chip 1 , the luminescence conversion element 2 and the diffuser element 3 surrounds or covers.

Das Lumineszenzkonversionselement 2 ist an dem Halbleiterchip 1 angeordnet und ist insbesondere unmittelbar an diesem angeordnet. Ferner ist das Diffusorelement 3 an dem Lumineszenzkonversionselement 2 angeordnet und ist insbesondere unmittelbar an diesem angeordnet. Der Halbleiterchip 1, das Lumineszenzkonversionselement 2 und das Diffusorelement 3 sind insbesondere sandwichartig übereinander angeordnet, so dass das Lumineszenzkonversionselement 2 zwischen dem Halbleiterchip 1 und dem Diffusorelement 3 angeordnet ist.The luminescence conversion element 2 is on the semiconductor chip 1 arranged and is in particular arranged directly on this. Further, the diffuser element 3 at the luminescence conversion element 2 arranged and is in particular arranged directly on this. The semiconductor chip 1 , the luminescence conversion element 2 and the diffuser element 3 are in particular sandwiched one above the other, so that the luminescence conversion element 2 between the semiconductor chip 1 and the diffuser element 3 is arranged.

Der Halbleiterchip 1 ist ausgebildet, in einem Bereich mindestens einer Oberfläche elektromagnetische Strahlung 5 zu emittieren. Die elektromagnetische Strahlung 5 umfasst bezüglich ihrer Wellenlänge beispielsweise im Wesentlichen einen sichtbaren blauen Spektralbereich und gegebenenfalls zusätzlich im Wesentlichen einen ultravioletten Spektralbereich. Die elektromagnetische Strahlung 5 kann jedoch zusätzlich oder alternativ auch einen anderen Spektralbereich umfassen. Der Halbleiterchip 1 ist insbesondere als eine Licht emittierende Diode, kurz: LED, ausgebildet.The semiconductor chip 1 is formed in an area of at least one surface electromagnetic radiation 5 to emit. The electromagnetic radiation 5 In terms of its wavelength, for example, it essentially comprises a visible blue spectral range and optionally additionally essentially an ultraviolet spectral range. The electromagnetic radiation 5 however, additionally or alternatively, it may also comprise a different spectral range. The semiconductor chip 1 is in particular designed as a light-emitting diode, in short: LED.

Das Lumineszenzkonversionselement 2 umfasst mindestens einen Leuchtstoff, beispielsweise einen Phosphor und insbesondere einen gelben Phosphor. Der mindestens eine Leuchtstoff ist ausgebildet, mindestens einen Teil der von dem Halbleiterchip 1 emittierten und auf den mindestens einen Leuchtstoff treffenden elektromagnetischen Strahlung 5 zu absorbieren und mit veränderter Wellenlänge wieder zu emittieren. Eine von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierte elektromagnetische Strahlung 6 umfasst bezüglich ihrer Wellenlänge beispielsweise einen sichtbaren gelben Spektralbereich. Die wieder emittierte elektromagnetische Strahlung 6 kann jedoch zusätzlich oder alternativ auch einen anderen Spektralbereich umfassen. Das Lumineszenzkonversionselement 2 ist so ausgebildet, dass es für die von dem Leuchtstoff wieder emittierte elektromagnetische Strahlung 6 durchlässig ist. Vorzugsweise ist das Lumineszenzkonversionselement 2 ferner so ausgebildet, dass es zusätzlich auch durchlässig ist für die von dem Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung 5.The luminescence conversion element 2 comprises at least one phosphor, for example a phosphor and in particular a yellow phosphor. The at least one phosphor is formed, at least part of the of the semiconductor chip 1 emitted and striking the at least one phosphor electromagnetic radiation 5 absorb and re-emit with changed wavelength. One of the at least one phosphor with a different wavelength re-emitted electromagnetic radiation 6 includes, for example, a visible yellow spectral range with respect to its wavelength. The re-emitted electromagnetic radiation 6 however, additionally or alternatively, it may also comprise a different spectral range. The luminescence conversion element 2 is adapted to emit electromagnetic radiation emitted by the phosphor 6 is permeable. Preferably, the luminescence conversion element 2 Furthermore, it is designed in such a way that it is additionally permeable to those of the semiconductor chip 1 emitted electromagnetic radiation 5 ,

Das Lumineszenzkonversionselement 2 weist vorzugsweise eine Dicke von weniger als 200 Mikrometern auf und weist bei spielsweise eine Ausdehnung in der Ebene parallel zu der die elektromagnetische Strahlung 5 emittierenden Oberfläche des Halbleiterchips 1 auf, die im Wesentlichen einer Ausdehnung dieser Oberfläche des Halbleiterchips 1 entspricht. Beispielsweise beträgt die Ausdehnung der die elektromagnetische Strahlung 5 emittierenden Oberfläche des Halbleiterchips 1 etwa ein Millimeter mal ein Millimeter. Entsprechend beträgt die Ausdehnung des Lumineszenzkonversionselements 2 etwa ein Millimeter mal ein Millimeter. Die Ausdehnung des Lumineszenzkonversionselements 2 kann auch größer oder kleiner sein als die Ausdehnung der Oberfläche des Halbleiterchips 1. Bevorzugt ist die Ausdehnung des Lumineszenzkonversionselements 2 jedoch nicht wesentlich größer als der Bereich der Oberfläche des Halbleiterchips 1, der die elektromagnetische Strahlung 5 emittiert. Ferner kann die die elektromagnetische Strahlung 5 emittierende Oberfläche des Halbleiterchips 1 und entsprechend das Lumineszenzkonversionselement 2 auch eine andere Ausdehnung aufweisen, insbesondere eine größere Ausdehnung, zum Beispiel etwa zwei mal zwei Millimeter oder auch fünf mal fünf Millimeter.The luminescence conversion element 2 preferably has a thickness of less than 200 microns and has, for example, an extension in the plane parallel to the electromagnetic radiation 5 emitting surface of the semiconductor chip 1 essentially the extent of this surface of the semiconductor chip 1 equivalent. For example, the extent of the electromagnetic radiation 5 emitting surface of the semiconductor chip 1 about a millimeter by a millimeter. Accordingly, the expan tion of the luminescence conversion element 2 about a millimeter by a millimeter. The extent of the luminescence conversion element 2 may also be larger or smaller than the extent of the surface of the semiconductor chip 1 , The extent of the luminescence conversion element is preferred 2 but not significantly larger than the area of the surface of the semiconductor chip 1 that the electromagnetic radiation 5 emitted. Furthermore, the electromagnetic radiation 5 emitting surface of the semiconductor chip 1 and correspondingly the luminescence conversion element 2 also have a different extent, in particular a larger extent, for example about two times two millimeters or even five times five millimeters.

Das Diffusorelement 3 ist so ausgebildet, dass es durchlässig ist für die von dem Leuchtstoff wieder emittierte elektromagnetische Strahlung 6 und dass es vorzugsweise zusätzlich auch durchlässig ist für die von dem Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung 5. Ferner ist das Diffusorelement 3 so ausgebildet, dass es streuend wirkt für die von dem mindestens einen Leuchtstoff wieder emittierte elektromagnetische Strahlung 6 und gegebenenfalls für die von dem Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung 5. Das Diffusorelement 3 weist vorzugsweise eine Dicke von weniger als einem Millimeter auf und weist vorzugsweise eine Ausdehnung in der Ebene parallel zu der die elektromagnetische Strahlung 5 emittierenden Oberfläche des Halbleiterchips 1 etwa entsprechend der Ausdehnung des Lumineszenzkonversionselements 2 auf. Die Ausdehnung des Diffusorelements 3 kann jedoch auch größer oder kleiner sein als die Ausdehnung des Lumineszenzkonversionselements 2. Bevorzugt ist die Ausdehnung des Diffusorelements 3 jedoch nicht wesentlich größer als der Bereich der Oberfläche des Halbleiterchips 1, der die elektromagnetische Strahlung 5 emittiert. Ferner kann die Dicke des Diffusorelements 3 auch größer als ein Millimeter sein. Das Diffusorelement 3 ist plättchenförmig ausgebildet.The diffuser element 3 is formed so that it is permeable to the re-emitted by the phosphor electromagnetic radiation 6 and that it is preferably also transmissive to that of the semiconductor chip 1 emitted electromagnetic radiation 5 , Further, the diffuser element 3 is formed such that it has a scattering effect for the electromagnetic radiation re-emitted by the at least one phosphor 6 and optionally for the of the semiconductor chip 1 emitted electromagnetic radiation 5 , The diffuser element 3 preferably has a thickness of less than one millimeter and preferably has an extension in the plane parallel to the electromagnetic radiation 5 emitting surface of the semiconductor chip 1 approximately according to the extent of the luminescence conversion element 2 on. The extension of the diffuser element 3 however, it may also be larger or smaller than the extent of the luminescence conversion element 2 , The expansion of the diffuser element is preferred 3 but not significantly larger than the area of the surface of the semiconductor chip 1 that the electromagnetic radiation 5 emitted. Furthermore, the thickness of the diffuser element 3 also be larger than a millimeter. The diffuser element 3 is platelet-shaped.

Falls der Verguss 4 vorgesehen ist, ist dieser bevorzugt klar ausgebildet, das heißt der Verguss 4 wirkt bevorzugt nicht oder nur unwesentlich streuend auf die von dem Leuchtstoff wieder emittierte elektromagnetische Strahlung 6 und gegebenenfalls auf die von dem Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung 5. Der Verguss 4 weist ferner bevorzugt eine hohe Durchlässigkeit für diese elektromagnetische Strahlung auf. Dadurch, dass das Diffusorelement 3 an das Lumineszenzkonversionselement 2 und an den Verguss 4 angrenzt, treten ferner keine oder nur geringe Fresnell-Verluste auf.If the potting 4 is provided, this is preferably clear, that is, the potting 4 preferably does not act or scatters only insignificantly on the electromagnetic radiation emitted by the phosphor again 6 and optionally on the of the semiconductor chip 1 emitted electromagnetic radiation 5 , The casting 4 furthermore preferably has a high permeability for this electromagnetic radiation. Due to the fact that the diffuser element 3 to the luminescence conversion element 2 and to the casting 4 Furthermore, there are little or no Fresnell losses.

Das Diffusorelement 3 umfasst bevorzugt ein Glasmaterial oder ein Keramikmaterial. Das Diffusorelement 3 kann jedoch ebenso ein geeignetes Kunststoffmaterial umfassen. Das Material des Diffusorelements 3 weist bevorzugt eine hohe Temperaturbeständigkeit auf, vorzugsweise von mindestens 150 Grad Celsius, und weist bevorzugt eine hohe Beständigkeit insbesondere gegenüber elektromagnetischer Strahlung des ultravioletten Spektralbereichs auf. Ferner weist das Material des Diffusorelements 3 bevorzugt eine hohe mechanische Festigkeit auf, um eine einfache Handhabung des Diffusorelements 3 während einer Herstellung des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements zu ermöglichen und/oder um das Diffusorelement 3 als Schutz gegenüber Umwelteinflüssen nutzen zu können, beispielsweise wenn der Verguss 4 nicht vorgesehen ist.The diffuser element 3 preferably comprises a glass material or a ceramic material. The diffuser element 3 however, it may also comprise a suitable plastic material. The material of the diffuser element 3 preferably has a high temperature resistance, preferably of at least 150 degrees Celsius, and preferably has a high resistance in particular to electromagnetic radiation of the ultraviolet spectral range. Furthermore, the material of the diffuser element 3 prefers high mechanical strength to easy handling of the diffuser element 3 during manufacture of the radiation-emitting semiconductor device and / or around the diffuser element 3 be used as protection against environmental influences, for example, if the potting 4 is not provided.

Das Keramikmaterial ist beispielsweise ein weißes Keramikmaterial. Das Keramikmaterial kann jedoch auch eine andere Farbe aufweisen. Das Keramikmaterial hat bevorzugt eine hohe Durchlässigkeit für die von dem Leuchtstoff wieder emittierte und gegebenenfalls die von dem Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung 6, 5. Die Durchlässigkeit beträgt beispielsweise etwa 80 bis 85 Prozent. Die Durchlässigkeit kann jedoch auch höher oder niedriger sein.The ceramic material is, for example, a white ceramic material. However, the ceramic material may also have a different color. The ceramic material preferably has a high permeability for those emitted by the phosphor again and possibly those of the semiconductor chip 1 emitted electromagnetic radiation 6 . 5 , The permeability is for example about 80 to 85 percent. However, the permeability may be higher or lower.

Beispielsweise umfasst das Material des Diffusorelements 3 Streupartikel. Vorzugsweise sind eine Vielzahl von Streupartikeln gleichmäßig in dem Material des Diffusorelements 3 verteilt angeordnet, um eine homogene Streuung zu ermöglichen. Streueigenschaften und die Durchlässigkeit des Diffusorelements 3 können durch geeignete Wahl von Art, Anzahl, Größe und Verteilung der Streupartikel in dem Diffusorelement 3 vorgegeben werden. Bevorzugt sind die Art, Anzahl, Größe und Verteilung der Streupartikel sowie die Dicke des Diffusorelements 3 so vorgegeben, dass die von dem mindestens einen Leuchtstoff wieder emittierte und die von dem Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung 6, 5 durch die Streuung zuverlässig gemischt wird zum Erzeugen eines homogenen, raumwinkelunabhängigen Farborts der von dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement emittierten elektromagnetischen Strahlung. So ist beispielsweise durch Mischung der von dem Halbleiterchip 1 emittierten elektromagnetischen Strahlung 5 in dem blauen Spektralbereich und der von dem mindestens einen Leuchtstoff wieder emittierten elektromagnetischen Strahlung 6 in dem gelben Spektralbereich ein homoge ner, raumwinkelunabhängiger weißer Farbeindruck erzeugbar. Ferner ist das Diffusorelement 3 bevorzugt bezüglich der genannten Parameter so ausgebildet, dass das Diffusorelement 3 das Lumineszenzkonversionselement 2 gegenüber einem Betrachter des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements optisch so abschirmt, dass dieser die Farbe des Lumineszenzkonversionselements 2 und insbesondere die Farbe von dessen mindestens einem Leuchtstoff nur abgeschwächt oder gar nicht wahrnimmt, wenn das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement nicht in Betrieb ist. Insbesondere kann dadurch verhindert werden, dass das weiß leuchtende strahlungsemittierende Halbleiterbauelement die gelbe Farbe des Lumineszenzkonversionselements 2 aufweist. Bevorzugt sind das Keramikmaterial oder sind die Streupartikel in diesem Beispiel weiß gewählt.For example, the material of the diffuser element comprises 3 Scattering particles. Preferably, a plurality of scattering particles are uniform in the material of the diffuser element 3 arranged distributed to allow a homogeneous scattering. Scattering properties and the permeability of the diffuser element 3 can by suitable choice of type, number, size and distribution of the scattering particles in the diffuser element 3 be specified. The type, number, size and distribution of the scattering particles and the thickness of the diffuser element are preferred 3 predetermined such that the again emitted from the at least one phosphor and that of the semiconductor chip 1 emitted electromagnetic radiation 6 . 5 is reliably mixed by the scattering for generating a homogeneous, space-angle-independent color locus of the electromagnetic radiation emitted by the radiation-emitting semiconductor component. For example, by mixing the semiconductor chip 1 emitted electromagnetic radiation 5 in the blue spectral region and the electromagnetic radiation re-emitted by the at least one phosphor 6 in the yellow spectral region, a homoge ner, color space independent white color impression can be generated. Further, the diffuser element 3 preferably with respect to said parameter designed so that the diffuser element 3 the luminescence conversion element 2 visually shielded from a viewer of the radiation-emitting semiconductor device, that this the color of the luminescence conversion element 2 and especially the color of which at least one phosphor is only attenuated or not perceived, when the radiation-emitting semiconductor component is not in operation. In particular, it can be prevented that the white-emitting radiation-emitting semiconductor component, the yellow color of the luminescence conversion element 2 having. Preferably, the ceramic material or the scattering particles are chosen white in this example.

2 zeigt eine zweite Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements, das sich von der ersten Ausführungsform gemäß 1 im Wesentlichen dadurch unterscheidet, dass mindestens eine Oberfläche des Diffusorelements 3 derart aufgeraut oder strukturiert ist, dass das Diffusorelement 3 dadurch streuend wirkt für die von dem Leuchtstoff wieder emittierte elektromagnetische Strahlung 6 oder die von dem Halbleiterchip 1 emittierte elektromagnetische Strahlung 5. Insbesondere weist das Diffusorelement 3 eine erste aufgeraute oder strukturierte Oberfläche 7 und/oder eine zweite aufgeraute oder strukturierte Oberfläche 8 auf. Die zweite aufgeraute oder strukturierte Oberfläche 8 ist die an das Lumineszenzkonversionselement 2 angrenzende Oberfläche des Diffusorelements 3. Die erste aufgeraute oder strukturierte Oberfläche 7 ist die dieser gegenüberliegende Oberfläche. Bevorzugt grenzt die erste aufgeraute oder strukturierte Oberfläche 7 an Luft oder an ein anderes Medium mit geeigneter Brechzahl, so dass durch die Brechung der elektromagneti schen Strahlung an der aufgerauten oder strukturierten Oberfläche eine hinreichende Streuung bewirkt wird. 2 shows a second embodiment of the radiation-emitting semiconductor device, which differs from the first embodiment according to FIG 1 essentially differs in that at least one surface of the diffuser element 3 roughened or structured such that the diffuser element 3 thereby scattering acts for the re-emitted by the phosphor electromagnetic radiation 6 or from the semiconductor chip 1 emitted electromagnetic radiation 5 , In particular, the diffuser element has 3 a first roughened or textured surface 7 and / or a second roughened or textured surface 8th on. The second roughened or textured surface 8th is the to the luminescence conversion element 2 adjacent surface of the diffuser element 3 , The first roughened or textured surface 7 is the opposite surface. Preferably, the first roughened or textured surface is adjacent 7 in air or other medium with a suitable refractive index, so that a sufficient scattering is effected by the refraction of electromagnetic radiation to the roughened or textured surface.

3 zeigt ein Ablaufdiagramm eines ersten Verfahrens zum Herstellen des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements gemäß der ersten oder der zweiten Ausführungsform. Das Verfahren beginnt in einem Schritt S1. In einem Schritt S2 wird ein Material des Lumineszenzkonversionselements 2 auf das Diffusorelement 3 aufgebracht, beispielsweise durch aufdrucken, oder wird das Lumineszenzkonversionselement 2 auf dem Diffusorelement 3 ausgebildet. Das Diffusorelement 3 und das Lumineszenzkonversionselement 2 sind dadurch als eine Konversions- und Diffusoreinheit ausgebildet, die beispielsweise unabhängig von dem Halbleiterchip 1 prüfbar ist. 3 shows a flowchart of a first method for producing the radiation-emitting semiconductor device according to the first or the second embodiment. The method starts in a step S1. In a step S2, a material of the luminescence conversion element 2 on the diffuser element 3 applied, for example by imprinting, or is the luminescence conversion element 2 on the diffuser element 3 educated. The diffuser element 3 and the luminescence conversion element 2 are thereby formed as a conversion and diffuser unit, for example, independent of the semiconductor chip 1 is testable.

Bevorzugt ist das Material des Diffusorelements in dem Schritt S2 als eine größere Scheibe ausgebildet, aus der in einem Schritt S3 eine Mehrzahl von Konversions- und Diffusoreinheiten für eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen herausgetrennt werden können. In dem Schritt S2 wird das Material des Lumineszenzkonversionselements 2 beispielsweise großflächig auf die Scheibe aufgebracht oder an vorgegebenen Positionen aufgebracht. Diese so gebildete größere Einheit wird dann in dem Schritt S3 zerteilt in die Mehrzahl von Konversions- und Diffusoreinheiten.Preferably, the material of the diffuser element is formed in step S2 as a larger disk from which a plurality of conversion and diffuser units for a plurality of radiation-emitting semiconductor components can be cut out in a step S3. In step S2, the material of the luminescence conversion element 2 For example, applied over a large area on the disc or applied to predetermined positions. This larger unit thus formed is then divided into the plurality of conversion and diffuser units in step S3.

In einem Schritt S4 wird jeweils eine Konversions- und Diffusionseinheit auf einen Halbleiterchip 1 aufgebracht, beispielsweise mittels eines Pick-and-Place-Verfahrens. Aufgrund der vorzugsweise festen Konsistenz des Diffusorelements 3 und somit auch der Konversions- und Diffusoreinheit ist das Aufbringen der Konversions- und Diffusoreinheit auf den Halbleiterchip 1 sehr einfach und zuverlässig möglich. Vor dem Auf bringen der Konversions- und Diffusoreinheit auf den Halbleiterchip 1 wird gegebenenfalls die Konversions- und Diffusoreinheit auf ihre individuellen Eigenschaften überprüft. Es kann ferner vorgesehen sein, die Mehrzahl von Konversions- und Diffusoreinheiten abhängig von ihren jeweiligen individuellen Eigenschaften in Eigenschaftsgruppen zu sortieren und in dem Schritt S4 die für den jeweiligen Halbleiterchip 1 geeignete Konversions- und Diffusoreinheit aus einer der Eigenschaftsgruppen zu wählen und auf den Halbleiterchip 1 aufzubringen.In a step S4, a conversion and diffusion unit is respectively applied to a semiconductor chip 1 applied, for example by means of a pick-and-place method. Due to the preferably solid consistency of the diffuser element 3 and thus also the conversion and diffuser unit is the application of the conversion and diffuser unit to the semiconductor chip 1 very easy and reliable possible. Before bringing on the conversion and diffuser unit on the semiconductor chip 1 If necessary, the conversion and diffuser unit is checked for their individual properties. It may further be provided to sort the plurality of conversion and diffuser units depending on their respective individual properties into property groups and in step S4 those for the respective semiconductor chip 1 to choose suitable conversion and diffuser unit from one of the property groups and on the semiconductor chip 1 applied.

Das Verfahren endet in einem Schritt S5. Der Schritt S5 kann beispielsweise eine Endkontrolle des resultierenden strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements, ein Aufbringen des Vergusses 4 oder einen Einbau in ein Gehäuse umfassen. Es können jedoch ebenso andere oder weitere Schritte vorgesehen sein für die Herstellung des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements.The process ends in a step S5. Step S5 may, for example, be a final check of the resulting radiation-emitting semiconductor component, an application of the potting compound 4 or an installation in a housing. However, other or further steps may also be provided for the production of the radiation-emitting semiconductor component.

4 zeigt ein Ablaufdiagramm eines zweiten Verfahrens zum Herstellen des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements gemäß der ersten oder der zweiten Ausführungsform. Das Verfahren beginnt in einem Schritt S6. In einem Schritt S7 wird das Material des Lumineszenzkonversionselements 2 auf den Halbleiterchip 1 aufgebracht, beispielsweise durch aufdrucken, oder wird das Lumineszenzkonversionselement 2 auf dem Halbleiterchip 1 ausgebildet. 4 FIG. 12 shows a flowchart of a second method for manufacturing the radiation-emitting semiconductor component according to the first or the second embodiment. The process starts in a step S6. In a step S7, the material of the luminescence conversion element 2 on the semiconductor chip 1 applied, for example by imprinting, or is the luminescence conversion element 2 on the semiconductor chip 1 educated.

Bevorzugt sind eine Mehrzahl der Halbleiterchips 1 auf einem Wafer ausgebildet. Das Material des Lumineszenzkonversionselements 2 wird in dem Schritt S7 bevorzugt auf jeden Halbleiterchip 1 des Wafers aufgebracht. In dem Schritt S7 wird das Material des Lumineszenzkonversionselements 2 beispielsweise großflächig auf die Scheibe aufgebracht oder an vorgegebenen Positionen unmittelbar auf den jeweiligen Halbleiterchip 1 aufgebracht. Der Wafer wird dann beispielsweise in einem Schritt S8 zerteilt in einzelne Halbleiterchips 1 mit Lumineszenzkonversionselement 2.A plurality of the semiconductor chips are preferred 1 formed on a wafer. The material of the luminescence conversion element 2 is preferably applied to each semiconductor chip in the step S7 1 of the wafer. In step S7, the material of the luminescence conversion element 2 For example, applied over a large area on the disc or at predetermined positions directly on the respective semiconductor chip 1 applied. The wafer is then divided into individual semiconductor chips, for example in a step S8 1 with luminescence conversion element 2 ,

In einem Schritt S9 wird das Diffusorelement 3 auf das Lumineszenzkonversionselement 2 aufgebracht, beispielsweise mittels des Pick-and-Place-Verfahrens. Aufgrund der vorzugsweise festen Konsistenz des Diffusorelements 3 ist das Aufbringen des Diffusorelements 3 auf das Lumineszenzkonversionselement 2 sehr einfach und zuverlässig möglich. Vor dem Aufbringen des Diffusorelements 3 auf das Lumineszenzkonversionselement 2 wird gegebenenfalls das Diffusorelement 3 auf seine individuellen Eigenschaften überprüft. Es kann ferner vorgesehen sein, eine Mehrzahl von Diffusorelementen 3 abhängig von ihren jeweiligen individuellen Eigenschaften in Eigenschaftsgruppen zu sortieren und in dem Schritt S9 die für den jeweiligen Halbleiterchip 1 und das für das jeweilige Lumineszenzkonversionselement 2 geeignete Diffusorelement 3 aus einer der Eigenschaftsgruppen zu wählen und auf das Lumineszenzkonversionselement 2 aufzubringen.In a step S9, the diffuser element becomes 3 on the luminescence conversion element 2 applied, for example by means of the pick-and-place method. Due to the preferably solid consistency of the diffuser element 3 is the application of the diffuser element 3 on the luminescence conversion element 2 very easy and too reliably possible. Before applying the diffuser element 3 on the luminescence conversion element 2 is optionally the diffuser element 3 checked for its individual characteristics. It can also be provided, a plurality of diffuser elements 3 depending on their respective individual properties in property groups to sort and in step S9 for the respective semiconductor chip 1 and that for the respective luminescence conversion element 2 suitable diffuser element 3 from one of the property groups and to the luminescence conversion element 2 applied.

Alternativ zu dem Zerteilen des Wafers in dem Schritt S8 vor dem Aufbringen des Diffusorelements 3 kann auch vorgesehen sein, jeweils ein Diffusorelement 3 auf jedes Lumineszenzkonversionselement 2 auf dem Wafer aufzubringen, zum Beispiel mittels des Pick-and-Place-Verfahrens, und den Wafer erst nach diesem Schritt in die Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen zu zerteilen. Dies entspricht im Wesentlichen einem Vertauschen des Schritts S8 und des Schritts S9.Alternatively to the dicing of the wafer in step S8 prior to the application of the diffuser element 3 can also be provided, each a diffuser element 3 to each luminescence conversion element 2 on the wafer, for example by means of the pick-and-place method, and to divide the wafer into the plurality of radiation-emitting semiconductor components only after this step. This essentially corresponds to a swapping of step S8 and step S9.

Das Verfahren endet in einem Schritt S10, der im Wesentlichen dem Schritt S5 des ersten Verfahrens zum Herstellen des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements entspricht.The The method ends in a step S10, which essentially corresponds to the step S5 of the first method for producing the radiation-emitting semiconductor component equivalent.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited. Much more For example, the invention includes every novel feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in the claims includes, even if this feature or this combination itself not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments is.

Claims (7)

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, das umfasst – einen Halbleiterchip (1), der elektromagnetische Strahlung (5) emittiert, – ein Lumineszenzkonversionselement (2), das mindestens einen Leuchtstoff aufweist und das an dem Halbleiterchip (1) in einem Strahlengang der von diesem ausgesandten elektromagnetischen Strahlung (5) angeordnet ist und der mindestens eine Leuchtstoff so ausgebildet ist, dass mindestens ein Teil der von dem Halbleiterchip (1) emittierten und auf den mindestens einen Leuchtstoff treffenden elektromagnetischen Strahlung (5) absorbiert und mit veränderter Wellenlänge wieder emittiert wird, und das mindestens für die von dem Halbleiterchip (1) emittierte und für die von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierte elektromagnetische Strahlung (5, 6) durchlässig ist und – ein Diffusorelement (3), das mindestens für die von dem Halbleiterchip (1) emittierte und für die von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierte elektromagnetische Strahlung (5, 6) durchlässig ist und das plättchenförmig ausgebildet ist und das so an dem Lumineszenzkonversionselement (2) angeordnet ist, dass es streuend wirkt bezüglich der von dem Halbleiterchip (1) emittierten und der von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierten elektromagnetischen Strahlung (5, 6), die auf das Diffusorelement (3) trifft.Radiation-emitting semiconductor device comprising - a semiconductor chip ( 1 ), the electromagnetic radiation ( 5 ), - a luminescence conversion element ( 2 ), which has at least one phosphor and which on the semiconductor chip ( 1 ) in a beam path of the emitted electromagnetic radiation ( 5 ) is arranged and the at least one phosphor is formed so that at least a portion of the of the semiconductor chip ( 1 ) emitted and striking the at least one phosphor electromagnetic radiation ( 5 ) is absorbed and re-emitted with changed wavelength, and at least for the of the semiconductor chip ( 1 ) emitted and re-emitted for the by the at least one phosphor having a different wavelength electromagnetic radiation ( 5 . 6 ) is permeable and - a diffuser element ( 3 ), at least for those of the semiconductor chip ( 1 ) emitted and re-emitted for the by the at least one phosphor having a different wavelength electromagnetic radiation ( 5 . 6 ) is permeable and which is platelet-shaped and thus at the luminescence conversion element ( 2 ) is arranged to have a scattering effect with respect to that of the semiconductor chip ( 1 ) emitted by the at least one phosphor with a different wavelength re-emitted electromagnetic radiation ( 5 . 6 ), which on the diffuser element ( 3 ) meets. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem das Diffusorelement (3) ein Keramikmaterial oder ein Glasmaterial umfasst.A radiation-emitting semiconductor component according to claim 1, in which the diffuser element ( 3 ) comprises a ceramic material or a glass material. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem in dem Diffusorelement (3) Streupartikel zum Streuen der von dem Halbleiterchip (1) emittierten und der von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierten elektromagnetischen Strahlung (5, 6) angeordnet sind.A radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims, in which in the diffuser element ( 3 ) Scattering particles for scattering of the semiconductor chip ( 1 ) emitted by the at least one phosphor with a different wavelength re-emitted electromagnetic radiation ( 5 . 6 ) are arranged. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem eine mindestens eine Oberfläche des Diffusorelements (3) aufgeraut oder strukturiert ist zum Streuen der von dem Halbleiterchip (1) emittierten und der von dem mindestens einen Leuchtstoff mit veränderter Wellenlänge wieder emittierten elektromagnetischen Strahlung (5, 6).A radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims, in which a at least one surface of the diffuser element ( 3 ) is roughened or patterned for scattering of the semiconductor chip ( 1 ) emitted by the at least one phosphor with a different wavelength re-emitted electromagnetic radiation ( 5 . 6 ). Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Lumineszenzkonversionselement (2) und das Diffusorelement (3) in ihrer jeweiligen Ausdehnung parallel zu einer die elektromagnetische Strahlung (5) emittierenden Oberfläche des Halbleiterchips (1) im Wesentlichen nur in einem Bereich des Halbleiterchips (1) ausgebildet sind, in dem dieser die elektromagnetische Strahlung (5) emittiert.A radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims, in which the luminescence conversion element ( 2 ) and the diffuser element ( 3 ) in their respective extent parallel to one of the electromagnetic radiation ( 5 ) emitting surface of the semiconductor chip ( 1 ) substantially only in a region of the semiconductor chip ( 1 ) are formed in which this the electromagnetic radiation ( 5 ) emitted. Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem – eine Konversions- und Diffusoreinheit gebildet wird, indem das Lumineszenzkonversionselement (2) auf das Diffusorelement (3) aufgebracht oder auf diesem ausgebildet wird, und – die Konversions- und Diffusoreinheit an dem Halbleiterchip (1) angeordnet wird.Method for producing a radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims, in which - a conversion and diffuser unit is formed by the luminescence conversion element ( 2 ) on the diffuser element ( 3 ) or is formed on this, and - the conversion and diffuser unit on the semiconductor chip ( 1 ) is arranged. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem das Bilden der Konversions- und Diffusoreinheit ein Zerteilen einer größeren Einheit umfasst, bei der ein Material des Lumineszenzkonversionselements (2) auf einer Scheibe verteilt für eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen aufgebracht ist und die Scheibe aus einem Material des Diffusorelements (3) gebildet ist.The method of claim 6, wherein the forming the conversion and diffuser unit comprises dividing a larger unit, wherein a material of the luminescence conversion element ( 2 ) applied to a disk distributed for a plurality of radiation-emitting semiconductor devices is and the disc of a material of the diffuser element ( 3 ) is formed.
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