DE102006060801B4 - Method for producing a chip card module and chip card module - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Chipkartenmoduls umfassend:
– Bereitstellen eines papiernen Trägers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer zweiten Seite (12),
– Aufbringen einer strukturierten Starterschicht (101) mit leitfähigen Partikeln auf zumindest eine Seite (11, 12) des Trägers (10), sodass die Partikel auf dem Träger (10) fixiert sind,
– Metallisieren der Starterschicht (101), sodass eine strukturierte Metallschicht (30, 40) ausgebildet wird, und
– Montieren eines Chips (20) auf den Träger (10) mit der Metallschicht (3, 4),
dadurch gekennzeichnet, dass beim Metallisieren eine Bronzeschicht (103) aufgebracht wird.Method for producing a chip card module comprising:
Providing a paper carrier (10) having a first side (11) and a second side (12),
- applying a structured starter layer (101) with conductive particles on at least one side (11, 12) of the carrier (10), so that the particles are fixed on the carrier (10),
- Metallisieren the starter layer (101), so that a structured metal layer (30, 40) is formed, and
Mounting a chip (20) on the carrier (10) with the metal layer (3, 4),
characterized in that during metallization, a bronze layer (103) is applied.

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft ein Chipkartenmodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Chipkartenmoduls.The The invention relates to a smart card module and a method of manufacturing a chip card module.

Chipkarten werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt. Üblicherweise besteht eine Chipkarte aus einem Kartenkörper, in den ein Chipkartenmodul eingebracht ist. Das Chipkartenmodul umfasst einen Chip mit einer integrierten Schaltung. Zugriff auf den Chip erfolgt üblicherweise über eine kontaktbehaftete Schnittstelle mit Kontaktflächen, die typischerweise auf dem Chipkartenmodul vorgesehen sind. Zugriff kann auch über eine kontaktlose Schnittstelle, beispielsweise mittels eines elektromagnetischen Feldes, erfolgen. Für den Einsatz in Chipkarten, aber auch in Ausweisen, sind flache Chipkartenmodule von Vorteil.smart cards are used in a variety of applications. Usually a chip card consists of a card body, into which a chip card module is introduced. The smart card module comprises a chip with a integrated circuit. Access to the chip is usually via a contact-type Interface with contact surfaces, which are typically provided on the smart card module. access can also over a contactless interface, for example by means of an electromagnetic Field, done. For the use in smart cards, but also in ID cards, are flat chip card modules advantageous.

Zur Herstellung von Chipkartenmodulen kann ein Chip auf einen Träger mit metallenen Leiterstrukturen montiert werden. Die Sputter-Technologie ist geeignet, um strukturierte Metallisierungen auf dem Träger auszubilden. Dabei werden durch Sputtern Metallpartikel als eine Starterschicht auf den Träger aufgebracht. Danach wird eine Fotofilmschicht auflaminiert. Durch Belichten und Entfernen von Bereichen der Fotoschicht wird diese strukturiert. Anschließend werden die frei liegenden Bereiche der Starterschicht geätzt, um eine Strukturierung der Starterschicht zu erreichen. Nach dem Entfernen der Fotofilmschicht wird eine galvanisierte Schicht auf die strukturierte Starterschicht aufgebracht. Diese Schicht umfasst typischerweise Nickel-Gold oder Gold.to Making chip card modules can use a chip on a carrier metal conductor structures are mounted. The sputtering technology is suitable for forming structured metallizations on the support. In this case, sputtering metal particles as a starter layer on the carrier applied. Thereafter, a photo film layer is laminated. By Exposing and removing areas of the photo layer becomes this structured. Subsequently The exposed areas of the starter layer are etched to to achieve a structuring of the starter layer. After removing the photo film layer is a galvanized layer on the structured Starter layer applied. This layer typically includes Nickel-gold or gold.

Das Laminieren, Belichten, Ätzen und Reinigen, um die Strukturierung der Sputter-Schicht auszubilden, ist sowohl zeit- als auch kostenintensiv.The Laminating, exposing, etching and cleaning to form the structuring of the sputtering layer, is both time-wise also costly.

In den Dokumenten DE 10145750 A1 , DE 10145749 A1 , DE 10254927 A1 und DE 10234705 A1 ist die Sputter-Technologie beschrieben. Aus der US 2005/0032267 A1 ist ein RFID-Chipmodul und ein Verfahren zu seiner Herstellung gemäß dem Oberbegriff der Ansprüche 1 und 12 bekannt. Aus der DE 197 32 645 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Kombi-Chipkarte bekannt.In the documents DE 10145750 A1 . DE 10145749 A1 . DE 10254927 A1 and DE 10234705 A1 is the sputtering technology described. From the US 2005/0032267 A1 An RFID chip module and a method for its production according to the preamble of claims 1 and 12 are known. From the DE 197 32 645 A1 a method for producing a combination smart card is known.

Erfindungsgemäß sieht ein Verfahren zur Herstellung eines Chipkartenmoduls vor, einen papiernen Träger mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite bereitzustellen. Eine strukturierte Starterschicht mit leitfähigen Partikeln wird auf zumindest eine Seite des Trägers aufgebracht, sodass die Partikel auf dem Träger fixiert sind. Die Starterschicht wird metallisiert, sodass eine strukturierte Metallschicht ausgebildet wird. Ein Chip wird auf den Träger mit der Metallschicht montiert. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Metallschicht eine Bronzeschicht umfasst. Dieses Verfahren ist unter anderem durch die Verwendung des papiernen Trägers kostengünstig. Ferner ist der papierne Träger ausreichend stabil und flexibel für eine Verwendung im Chipkartenmodul.According to the invention sees a method for producing a smart card module before, a paper carrier with a first page and a second page. A structured starter layer with conductive particles is deposited on at least one Side of the carrier applied so that the particles are fixed on the carrier. The starter layer is metallized, so that a structured metal layer is formed becomes. A chip gets on the carrier mounted with the metal layer. The method is characterized the structured metal layer comprises a bronze layer. This procedure is partly due to the use of the paper carrier inexpensive. Further, the paper carrier sufficiently stable and flexible for use in the chip card module.

Das Aufbringen einer Bronzeschicht ist kostengünstig. Solch eine Bronzeschicht kann direkt auf die Starterschicht aufgebracht werden. In einer anderen Ausbildung wird die Bronzeschicht als Abschlussschicht auf eine andere Schicht, bei spielsweise auf die Kupferschicht, aufgebracht.The Applying a bronze layer is inexpensive. Such a bronze layer can be applied directly to the starter layer. In a Other training is the bronze layer as a finishing layer another layer, for example, applied to the copper layer.

Auf einer Ausgestaltung des papiernen Träger kann eine Beschichtung aufgebracht werden, sodass das Papier während des Metallisierungsvorgangs geschützt ist. In eine weitere Ausgestaltung umfasst das Material des papiernen Trägers wasserunlöslichen Leim. Diese Ausgestaltungen machen den Träger feuchtigkeitsresistent und schützen ihn nach der Fertigung vor äußeren Einflüssen.On An embodiment of the paper carrier can be a coating be applied so that the paper during the metallization process protected is. In a further embodiment, the material includes the paper carrier water Glue. These embodiments make the wearer moisture resistant and protect him after production from external influences.

Die strukturierte Starterschicht kann beispielsweise aufgedruckt werden, was mehrere Schritte der konventionellen Prozessabfolge einspart. Wenn die strukturierte Starterschicht sowohl auf der ersten als auch auf der zweiten Seite des Trä gers aufgebracht wird, wird die Dichte der metallenen Strukturen auf dem Träger erhöht. In solch einem Fall werden vor dem Metallisieren Aussparungen in den Träger eingebracht, wobei die Aussparungen durchgängig zwischen der ersten und der zweiten Seite des Trägers sind. Diese Aussparungen dienen zur Ausbildung von Durchkontaktierungen.The structured starter layer can be printed, for example, which saves several steps in the conventional process sequence. If the structured starter layer is on both the first and is also applied to the second side of Trä gers is increases the density of the metal structures on the support. In such a case will be Before metallizing recesses introduced into the carrier, wherein the Recesses throughout between the first and second sides of the carrier. These recesses serve for the formation of vias.

Das Galvanisieren der Starterschicht, um die Metallschicht auszubilden, erfolgt beispielsweise in einem Metallisierungsbad. In einer Ausgestaltung wird eine Kupferschicht aufgebracht, die eine gute elektrische Leitfähigkeit hat.The Plating the starter layer to form the metal layer, takes place, for example, in a metallizing bath. In one embodiment a copper layer applied, which has a good electrical conductivity Has.

Die Ausbildung von Durchkontaktierungen erfolgt, indem Wandungen der Aussparungen beim Metallisieren als leitende Verbindungen zwischen der ersten und zweiten Seite ausgebildet werden. Durch die Durchkontaktierungen werden die Metallschichten auf beiden Seiten des Substrats leitend verbunden.The Formation of vias is done by walls of the Recesses during metallization as conductive connections between the first and second sides are formed. Through the vias The metal layers on both sides of the substrate become conductive connected.

Bei einer Ausgestaltung wird der Chip in Flip-Chip-Technik montiert, um ein flaches Chipkartenmodul herzustellen. Dabei wird der Chip zur Kontaktierung leitend mit der strukturierten Metallschicht verbunden.at In one embodiment, the chip is mounted in flip-chip technology, to produce a flat chip card module. This is the chip for contacting conductively connected to the structured metal layer.

Erfindungsgemäß umfasst ein derart herstellbares Chipkartenmodul einen papiernen Träger mit einer ersten und einer zweiten Seite. Eine metallisierte Metallschicht ist auf der Oberfläche zumindest einer Seite des Trägers aufgebracht. Zwi schen der Metallschicht und der Oberfläche des Trägers sind leitfähige Partikel vorgesehen, die die Oberfläche des Trägers direkt berühren. Ein Chip ist auf einer Seite des Trägers angeordnet. Das Chipkartenmodul ist dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Metallschicht eine Bronzeschicht umfasst. Zur Fixierung kann der Chip geklebt sein.According to the invention, a chip card module that can be produced in this way comprises a paper carrier with a first and a second side. A metallized metal layer is on the surface at least applied to one side of the carrier. Inter mediate the metal layer and the surface of the carrier conductive particles are provided which touch the surface of the carrier directly. A chip is arranged on one side of the carrier. The chip card module is characterized in that the structured metal layer comprises a bronze layer. For fixing the chip can be glued.

Es sei bemerkt, dass der Ausdruck „Chipkartenmodul" nicht mit einer Beschränkung des Einsatzes solcher Module in Chipkarten einhergeht. Auch anderweitiger Einsatz, insbesondere für Ausweise, ist denkbar.It It should be noted that the term "smart card module" not with a restriction the use of such modules in smart cards is associated. Also different Use, especially for Badges, is conceivable.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.Further advantageous embodiments will become apparent from the dependent claims.

Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen erklärt.following the invention with reference to the drawing based on embodiments explained.

1 zeigt in einem Ablaufdiagramm die wesentlichen Schritte zur Herstellung eines Chipkartenmoduls. 1 shows in a flowchart the essential steps for the production of a smart card module.

2a bis 2e zeigen schematisch Ausführungsbeispiele von Zwischenprodukten bei der Herstellung eines Chipkartenmoduls. 2a to 2e schematically show embodiments of intermediates in the manufacture of a smart card module.

3 zeigt schematisch ein Ausführungsbeispiel eines Chipkartenmoduls. 3 schematically shows an embodiment of a smart card module.

4 zeigt schematisch ein Ausführungsbeispiel eines Chipkartenmoduls. 4 schematically shows an embodiment of a smart card module.

In dem in 1 abgebildetem Ausführungsbeispiel sind die wesentlichen Schritte zu Herstellung eines Chipkartenmoduls anhand eines Ablaufdiagramms mit vier Blöcken 200, 210, 220, 230 dargestellt. Es ist vorgesehen, einen papiernen Träger mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite bereitzustel len, wie Block 200 zu entnehmen ist. Eine strukturierte Starterschicht mit leitfähigen Partikeln wird auf zumindest eine Seite des Trägers aufgebracht, sodass die Partikel auf dem Träger fixiert sind, wie Block 210 zu entnehmen ist. Dann wird die Starterschicht metallisiert, sodass eine strukturierte Metallschicht ausgebildet wird, wie Block 220 zu entnehmen ist. Anschließend wird ein Chip auf den Träger mit der Metallschicht montiert, wie Block 230 zu entnehmen ist.In the in 1 Exemplary embodiments are the essential steps to produce a smart card module based on a flowchart with four blocks 200 . 210 . 220 . 230 shown. It is intended to provide a paper carrier having a first side and a second side, such as block 200 can be seen. A structured starter layer with conductive particles is applied to at least one side of the carrier so that the particles are fixed on the carrier, such as block 210 can be seen. Then, the starter layer is metallized, so that a patterned metal layer is formed, such as block 220 can be seen. Subsequently, a chip is mounted on the carrier with the metal layer, like block 230 can be seen.

Die 2a bis 2e veranschaulichen ein beispielhaftes Verfahren zur Herstellung eines Chipkartenmoduls anhand von Ausführungsbeispielen der im Verfahrensverlauf ausgebildeten Zwischenprodukte.The 2a to 2e illustrate an exemplary method for producing a smart card module based on embodiments of formed in the course of the process intermediates.

2a veranschaulicht, dass vorgesehen ist, einen papiernen Träger 10 mit einer ersten Seite 11 und einer zweiten Seite 12 bereitzustellen. Ein Ausführungsbeispiel eines „papiernen" Trägers umfasst Zellulose. Ein weiteres Ausführungsbeispiel eines „papiernen" Trägers umfasst Polyaramidfasern, die bedingt durch ihren Herstellungsprozess als Papiere bezeichnet werden. 2a illustrates that there is provided a paper carrier 10 with a first page 11 and a second page 12 provide. One embodiment of a "paper" carrier comprises cellulose Another embodiment of a "paper" carrier comprises polyaramid fibers, which are referred to as papers due to their manufacturing process.

Ein Ausführungsbeispiel des Papiers als Träger 10 ist beispielsweise mit einer Polymerbeschichtung versehen. Alternativ oder zusätzlich kann das Papier mit wasserunlöslichem Leim hergestellt sein. So nimmt das Papier während der nachfolgenden Metallisierung keinen Schaden und ist auch nach der Fertigung vor Feuchtigkeit geschützt.An embodiment of the paper as a carrier 10 is for example provided with a polymer coating. Alternatively or additionally, the paper may be made with water-insoluble glue. Thus, the paper will not be damaged during the subsequent metallization and is protected from moisture even after production.

2b veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel eines Zwischenprodukts nach weiteren Verfahrensschritten. Auf beiden Seiten 11, 12 des Trägers 1 ist eine strukturierte Schicht 101 vorgesehen. Ferner sind Löcher 51 im Träger 10 vorgesehen. 2 B illustrates an embodiment of an intermediate product according to further method steps. On both sides 11 . 12 of the carrier 1 is a structured layer 101 intended. There are also holes 51 in the carrier 10 intended.

Zur Herstellung dieses Zwischenprodukts wird eine strukturierte Starterschicht 101 auf die erste und die zweite Seite 11, 12 des Trägers 10 gedruckt.For the preparation of this intermediate product is a structured starter layer 101 on the first and the second page 11 . 12 of the carrier 10 printed.

Diese Starterschicht 101 kann leitende oder nicht leitende Partikel umfassen. Im erst genannten Fall kann beispielsweise kupferhaltige Paste oder eisenhaltige Paste verwendetet werden. Auch eine Eisenpaste mit Kupferpartikeln ist geeignet. Im anderen Fall ist beispielsweise eine Paste oder Tinte mit isolierendem Eisenoxid geeignet. In einem Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, dass die Strukturierung einen Bus umfasst, über den, beispielsweise mittels Klemmen, die Stromzufuhr während des nachfolgenden Galvanisierens erfolgt. Ein anderes Ausführungsbeispiel verzichtet auf den Bus.This starter layer 101 may comprise conductive or non-conductive particles. In the former case, for example, copper-containing paste or iron-containing paste can be used. An iron paste with copper particles is also suitable. In the other case, for example, a paste or ink with insulating iron oxide is suitable. In one exemplary embodiment, it is provided that the structuring comprises a bus via which, for example by means of terminals, the power supply takes place during the subsequent electroplating. Another embodiment dispenses with the bus.

In einem weiteren Schritt werden Löcher 51 für Durchkontaktierungen 50 in den Träger 10 eingebracht. Geeignete Verfahren zum Einbringender Löcher 51 sind beispielsweise Lasern oder Stanzen. Bei einem Ausführungsbeispiel erfolgt das Einbringen der Löcher 51 nach dem Aufbringen der strukturierten Starterschicht 101. Alternativ ist das Einbringen auch vor dem Aufbringen möglich.In a further step are holes 51 for vias 50 in the carrier 10 brought in. Suitable methods for introducing the holes 51 are for example lasers or punching. In one embodiment, the introduction of the holes takes place 51 after application of the structured starter layer 101 , Alternatively, the introduction is also possible before application.

2c veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel eines Zwischenprodukts mit einer strukturierten Metallschicht 102 auf der Starterschicht 101, welches im weiteren Verfahrensverlauf ausgebildet wird. 2c illustrates an embodiment of an intermediate with a patterned metal layer 102 on the starter layer 101 which is formed in the further course of the procedure.

Es ist vorgesehen, zur Nachverstärkung eine Kupferschicht 102 galvanisch auf die Starterschicht 101 aufzubringen. Dieses erfolgt typischerweise mittels eines Metallbades.It is intended, for amplification, a copper layer 102 galvanically on the starter layer 101 applied. This is typically done by means of a metal bath.

Bei der Nachverstärkung wird eine Kupferschicht auf den Wandungen der Löcher abgelagert, die von der ersten zur zweiten Seite 11, 12 durchgehend ist, um die Durchkontaktierungen 50 auszubilden. Zur Ausbildung der Durchkontaktierungen 50 kann es in einem Ausführungsbeispiel erforderlich sein, einen Shadow-Prozess durchzuführen, bei dem vor dem Metallisieren eine leitfähige Paste in die Löcher 51 eingebracht wird.In post-amplification, a layer of copper is deposited on the walls of the holes, from the first to the second page 11 . 12 is continuous to the vias 50 train. For the formation of the vias 50 For example, in one embodiment, it may be necessary to perform a shadowing process in which a conductive paste is inserted into the holes prior to metallization 51 is introduced.

Falls für die Starterschicht 101 isolierende Partikel verwendet worden sind, findet während des Galvanisierens eine chemische Austauschreaktion statt, sodass die ausgebildete Metallschicht leitend ist. Bei beispielhafter Verwendung von Eisenoxid als Starterschicht 101 wird Eisen beim Galvanisieren abgeschieden.If for the starter layer 101 insulating particles are used, a chemical exchange reaction takes place during plating, so that the formed metal layer is conductive. In exemplary use of iron oxide as a starter layer 101 Iron is separated during galvanizing.

2d veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel eines Zwischenprodukts mit einer weiteren strukturierten Metallschicht 103, welches nach der Durchführung weiterer Verfahrensschritte ausgebildet wird. 2d illustrates an embodiment of an intermediate with another patterned metal layer 103 , which is formed after performing further process steps.

Eine Bronzeschicht 103, beispielsweise aus CuSnZn, wird als Abschlussschicht auf die Kupferschicht 102 galvanisch aufgebracht. Bronze umfasst neben Kupfer verschiedene Metalle, unter anderem meist Zinn, aber auch Zink. In einem Ausführungsbeispiel umfasst die Bronze Kupfer und Zinn. In einem weiteren Ausführungsbeispiel umfasst die Bronze Kupfer, Zinn, Zink (als Beimengung), bzw. Messing. In einem Ausführungsbeispiel wird eine Kupfer, Zinn und Zink umfassende Bronze verwendet, die bleifrei ist. Solch eine Bronzeschicht kann einen hohen Gehalt an freien Cyaniden im Galvanikbad bedingen. Von den beigefügten Metallen und ihrer Zusammensetzung hängt die Farbe der Bronze ab. Beispielsweise erscheint Bronze bei einem Zinngehalt von 18% goldfarben. Eine derartige Bronze ist nicht nur funktionell, sondern auch äußerlich ein adäquater, guter Ersatz für konventionellerweise verwendete Goldabschlussschichten. Insbesondere durch den Zinnanteil lässt sich die Farbe der Bronze beeinflussen und unter anderem ein roter, gelber oder grau-weißer Schimmer erzielen. Durch Wahl geeigneter Elektrolyte während des Galvanisierens kann auch der Glanz der Bronzeschicht beeinflusst werden.A bronze layer 103 , for example CuSnZn, is used as a final layer on the copper layer 102 applied galvanically. In addition to copper, bronze includes various metals, including mostly tin, but also zinc. In one embodiment, the bronze comprises copper and tin. In a further embodiment, the bronze comprises copper, tin, zinc (as admixture), or brass. In one embodiment, a copper, tin and zinc-containing bronze is used, which is lead-free. Such a bronze layer can cause a high content of free cyanides in the electroplating bath. Of the attached metals and their composition, the color of the bronze depends. For example, bronze appears golden at a tin content of 18%. Such a bronze is not only functional, but also an adequate substitute for conventionally used gold terminations. In particular, the tin content can influence the color of the bronze and achieve, inter alia, a red, yellow or gray-white shimmer. By choosing suitable electrolytes during plating, the gloss of the bronze layer can also be influenced.

Es sei bemerkt, dass in einem weiteren Ausführungsbeispiel auf die Nachverstärkung mit Kupfer verzichtet werden kann, um besonders dünne Metallstrukturierungen auszubilden. Dies ist auch kostengünstig.It be noted that in a further embodiment of the Nachverstärkung with Copper can be dispensed with, especially thin metal structures train. This is also inexpensive.

Mit den beschriebenen Verfahrensabläufen sind strukturierte Metallschichten, die dünner als 10 μm, insbesondere dünner als 5 μm, sind, herstellbar. So lassen sich äußerst dünne Chipkartenmodule herstellen. Da Laminieren der Fotoschicht, Belichten und Ätzen beim Herstellungsprozess nicht vorgesehen sind, werden dadurch auch Kosteneinsparungen erreicht und die Umwelt entlastet, da die sonst erforderlichen Ätzchemikalien nicht verwendet werden.With the procedures described are structured metal layers thinner than 10 microns, in particular thinner than 5 μm, are, can be produced. This makes it possible to produce extremely thin chip card modules. Because laminating the photo layer, exposing and etching during the manufacturing process are not provided, thereby cost savings are achieved and relieves the environment, since the otherwise required etching chemicals Not used.

Die oben beschriebenen Prozessschritte werden üblicherweise durchgeführt, wenn der Träger als Endlosstreifen vorliegt. Die Fertigungsschritte werden zunächst auf dem Endlosstreifen durchgeführt. Erst in einem, meist abschließenden Schritt, werden die Chipmodule, beispielsweise durch Ausstanzen, vereinzelt. Auf diese Weise kann eine Vielzahl von Chipmodulen gleichzeitig prozesseffektiv hergestellt werden. In einem Ausführungsbeispiel kann eine Arbeitsbreite von 150 bis 160 mm vorgesehen sein, was vier Spuren mit jeweils 35 mm Breite entspricht. Ein weiteres Ausführungsbeispiel sieht eine Arbeitsbreite von ungefähr 500 mm Breite vor. Ferner sind Ausführungsbeispiele der beschriebenen Prozesse für Endlosbänder bis ungefähr 1500 mm Breite denkbar. Für das Aufbringen der Bronze ist auf Grund des neuen Materials eine Anpassung der Fertigungsanlagen vorzunehmen.The Process steps described above are usually performed when the carrier as Endless strip is present. The production steps are initially on performed the endless strip. Only in one, usually final Step, the chip modules, for example by punching, sporadically. In this way, a plurality of chip modules simultaneously be made processively effective. In one embodiment may a working width of 150 to 160 mm may be provided, which is four Tracks with each 35 mm width corresponds. Another embodiment provides a working width of about 500 mm width. Further are exemplary embodiments the described processes for endless belts until about 1500 mm width conceivable. For the application of the bronze is due to the new material one Adaptation of the production facilities.

2e illustriert ein Ausführungsbeispiel eines fertigen Chipkartenmoduls nach erfolgter Chipmontage. Für die Montage des Chips 20 wird Flip-Chip-Technologie verwendet, um ein sehr dünnes Chipkartenmodul herzustellen. Bumps 60 werden auf Chipkontakte 21 aufgebracht und dabei in die strukturierte Metallschicht 30 auf der ersten Seite 11 des Trägers gedrückt, sodass eine elektrisch leitfähige Kontaktverbindung zwischen den leitfähigen Bumps 60 und der leitfähigen Metallstruktur 30 entsteht. Ein Chipkleber 70 zur Fixierung des Chips 20 kann vor dem Zusammenpressen von den Bumps 60 und den Metallstrukturen 30 auf den Träger 10 aufgebracht werden. In diesem Fall wird der Chipkleber 70 durch die Bumps 60 verdrängt. Alternativ kann der Chipkleber 70 auch nach der Kontaktierung von den Seiten her eingebracht werden. Das erst genannte Verfahren ist kostengünstiger. 2e illustrates an embodiment of a finished smart card module after chip assembly. For the assembly of the chip 20 Flip-chip technology is used to make a very thin smart card module. bumps 60 be on chip contacts 21 Applied and in the structured metal layer 30 on the first page 11 pressed against the carrier, so that an electrically conductive contact connection between the conductive bumps 60 and the conductive metal structure 30 arises. A chip glue 70 for fixing the chip 20 May be before the crushing of the bumps 60 and the metal structures 30 on the carrier 10 be applied. In this case, the chip adhesive 70 through the bumps 60 repressed. Alternatively, the chip adhesive 70 be introduced after contacting from the sides. The former method is cheaper.

Wegen der dünnen galvanischen Schicht hat die Flip-Chip-Kontaktierung Vorteile gegenüber der Wire-Bonding-Kontaktierung. Diese erfolgt üblicherweise über eine monometallische Gold-Gold-Verbindung. Die zu dem Zweck üblicherweise verwendete Schichtdicke von 0,3 μm Gold wäre zudem entsprechend kostenintensiv.Because of the thin one galvanic layer, the flip-chip bonding has advantages over the wire-bonding bonding. These usually takes place via a monometallic gold-gold compound. Which for the purpose usually used layer thickness of 0.3 microns Gold would be also correspondingly costly.

3 zeigt schematisch ein Ausführungsbeispiel eines Chipkartenmoduls. 3 schematically shows an embodiment of a smart card module.

Das Chipkartenmodul umfasst einen Träger 10 mit einer ersten Seite 11 und einer zweiten Seite 12. Auf der ersten Seite 11 ist eine strukturierte Metallschicht 30 aufgebracht. Auf der zweiten Seite 12 des Trägers 10 ist eine weitere strukturierte Metallschicht aufgebracht. Diese weitere Metallschicht bildet. Kontaktflächen 40 einer kontaktbasierten Schnittstelle aus, mittels derer ein Zugriff auf das Chipkartenmodul ermöglicht wird.The smart card module comprises a carrier 10 with a first page 11 and a second page 12 , On the first page 11 is a structured metal layer 30 applied. On the second page 12 of the carrier 10 is applied another structured metal layer. This further metal layer forms. contact surfaces 40 a contact-based interface, by means of which access to the Chip card module is enabled.

Ferner ist ein Chip 30 mit Chipkontakten 21 vorgesehen, der auf der ersten Seite 11 des Trägers 10 angeordnet ist. Der Chip 20 ist derart orientiert, dass die Chipkontakte 21 dem Träger 10 zugewandt sind. Zwischen den Chipkontakten 21 und der strukturierten Metallschicht 30 sind Kontaktierungselemente 60 vorgesehen, um eine leitende Verbindung zwischen dem Chip 20 und der strukturierten Metallschicht 30 auszubilden. Diese Kontaktierungselemente 60 werden auch als "Bumps" bezeichnet. Der Chip 20 ist mit Chipkleber 70 auf dem Träger 20 beziehungsweise der strukturierten Metallschicht 30 fixiert. Dieser Chipkleber 70 befindet sich sowohl zwischen dem Chip 20 und dem Träger 10 als auch an Seitenrandbereichen des Chips 20.Further, a chip 30 with chip contacts 21 provided on the first page 11 of the carrier 10 is arranged. The chip 20 is oriented so that the chip contacts 21 the carrier 10 are facing. Between the chip contacts 21 and the structured metal layer 30 are contacting elements 60 provided a conductive connection between the chip 20 and the structured metal layer 30 train. These contacting elements 60 are also called "bumps". The chip 20 is with chip glue 70 on the carrier 20 or the structured metal layer 30 fixed. This chip glue 70 is located both between the chip 20 and the carrier 10 as well as on marginal areas of the chip 20 ,

4 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines kontaktlosen Chipkartenmoduls. Zu Vermeidung von Wiederholungen wird lediglich auf die Unterschiede zum vorhergehenden Ausführungsbeispiel eingegangen. Gleiche Bezugszeichen kennzeichnen gleiche Ausführungsmerkmale. 4 shows an embodiment of a contactless smart card module. To avoid repetition, only the differences from the previous embodiment will be discussed. Like reference numerals denote like features.

Beim Ausführungsbeispiel in 4 ist lediglich auf der ersten Seite 11 des Trägers 10 eine Metallisierung vorgesehen. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist direkt auf die Startschicht 101 eine Bronzeschicht 103 aufgebracht worden, was hinsichtlich des Zeit- und Kostenaspekts von Vorteil ist.In the embodiment in 4 is just on the first page 11 of the carrier 10 a metallization provided. In this embodiment is directly on the starting layer 101 a bronze layer 103 has been applied, which is in terms of time and cost advantage.

Die Metallisierung 30 umfasst zentrale Bereiche, in denen der Chip 20 kontaktiert wird, sowie Bereiche 31 die zum Kontaktieren einer Spule dienen. In alternativen Ausführungsbeispielen ist die Metallisierung als Spule ausgebildet. Diese Bereiche beziehungsweise die Spule sind einem Ausführungsbeispiel auf derselben Seite wie der Chip vorgesehen. In einem anderen Ausführungsbeispiel sind sie auf der anderen Seite des Trägers vorgesehen.The metallization 30 includes central areas where the chip 20 contacted, as well as areas 31 which serve to contact a coil. In alternative embodiments, the metallization is formed as a coil. These regions or the coil are provided on an embodiment on the same side as the chip. In another embodiment, they are provided on the other side of the carrier.

Weitere Ausführungsbeispiele des Chipkartenmoduls können als Dual-Mode-Chipkartenmodul ausgestaltet sein. In solch einem Fall sind zusätzlich zu den Kontaktflächen Bereiche vorgesehen, die zum Kontaktieren einer Spule dienen.Further embodiments of the smart card module can be configured as a dual-mode smart card module. In such a Case are in addition to the contact surfaces Provided areas that are used to contact a coil.

Es sei bemerkt, dass die Merkmale der beschriebenen Ausführungsbeispiele selbstverständlich kombinierbar sind.It It should be noted that the features of the described embodiments Of course can be combined.

Claims (22)

Verfahren zur Herstellung eines Chipkartenmoduls umfassend: – Bereitstellen eines papiernen Trägers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer zweiten Seite (12), – Aufbringen einer strukturierten Starterschicht (101) mit leitfähigen Partikeln auf zumindest eine Seite (11, 12) des Trägers (10), sodass die Partikel auf dem Träger (10) fixiert sind, – Metallisieren der Starterschicht (101), sodass eine strukturierte Metallschicht (30, 40) ausgebildet wird, und – Montieren eines Chips (20) auf den Träger (10) mit der Metallschicht (3, 4), dadurch gekennzeichnet, dass beim Metallisieren eine Bronzeschicht (103) aufgebracht wird.Method for producing a chip card module, comprising: providing a paper carrier ( 10 ) with a first page ( 11 ) and a second page ( 12 ), - applying a structured starter layer ( 101 ) with conductive particles on at least one side ( 11 . 12 ) of the carrier ( 10 ) so that the particles on the carrier ( 10 ), - metallizing the starter layer ( 101 ), so that a structured metal layer ( 30 . 40 ), and - mounting a chip ( 20 ) on the carrier ( 10 ) with the metal layer ( 3 . 4 ), characterized in that when metallizing a bronze layer ( 103 ) is applied. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf den bereitgestellten papiernen Träger (10) eine Beschichtung aufgebracht worden ist.Method according to claim 1, characterized in that the paper carrier provided ( 10 ) a coating has been applied. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch Aufdrucken der strukturierten Starterschicht (101).Process according to Claim 1 or 2, characterized by printing on the structured starter layer ( 101 ). Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Starterschicht (101) auf der ersten und auf der zweiten Seite (11, 12) des Trägers (10) aufgebracht wird.Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that the structured starter layer ( 101 ) on the first and on the second page ( 11 . 12 ) of the carrier ( 10 ) is applied. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch Einbringen von Aussparungen in den Träger (10) vor dem Metallisieren, wobei die Aussparungen durchgängig zwischen der ersten und der zweiten Seite (11, 12) des Trägers (10) sind.Method according to one of claims 1 to 4, characterized by introducing recesses into the carrier ( 10 ) before metallizing, the recesses being continuous between the first and second sides ( 11 . 12 ) of the carrier ( 10 ) are. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch ein Galvanisieren der Starterschicht (101) in einem Metallisierungsbad.Method according to one of claims 1 to 5, characterized by a plating of the starter layer ( 101 ) in a metallizing bath. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass beim Metallisieren eine Kupferschicht (102) aufgebracht wird.Method according to one of claims 1 to 6, characterized in that during metallization a copper layer ( 102 ) is applied. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Bronzeschicht (103) als Abschlussschicht auf eine andere Schicht aufgebracht wird.Method according to one of claims 1 to 7, characterized in that the bronze layer ( 103 ) is applied as a finishing layer on another layer. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass beim Metallisieren an Wandungen der Aussparungen eine leitende Verbindung (50) zwischen der ersten und der zweiten Seite (11, 12) ausgebildet wird.Method according to one of claims 5 to 8, characterized in that when metallizing on walls of the recesses a conductive connection ( 50 ) between the first and second pages ( 11 . 12 ) is formed. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip (20) in Flip-Chip-Technik auf dem Träger (10) montiert wird.Method according to one of claims 1 to 9, characterized in that the chip ( 20 ) in flip-chip technology on the carrier ( 10 ) is mounted. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip (20) leitend mit der strukturierten Metallschicht (30, 40) verbunden wird.Method according to one of claims 1 to 10, characterized in that the chip ( 20 ) conductive with the structured metal layer ( 30 . 40 ) is connected. Chipkartenmodul mit – einem papiernen Träger (10) mit einer ersten Seite (11) und einer zweiten Seite (12), – einer strukturierten Metallschicht (30, 40), die auf der Oberfläche zumindest einer Seite (11, 12) des Trägers (10) aufgebracht ist, wobei zwischen der Metallschicht (30, 40) und der Oberfläche des Trägers (10) leitfähige Partikel vorgesehen sind, die die Oberfläche des Trägers (10) direkt berühren, und – einem Chip (20), der auf einer Seite (11, 12) des Trägers (10) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Metallschicht (30, 40) eine Bronzeschicht (103) umfasst.Chip card module with - a paper carrier ( 10 ) with a first page ( 11 ) and a second page ( 12 ), - a structured metal layer ( 30 . 40 ) on the surface of at least one side ( 11 . 12 ) of the carrier ( 10 ) is applied, wherein between the metal layer ( 30 . 40 ) and the surface of the carrier ( 10 ) conductive particles are provided, which cover the surface of the carrier ( 10 ), and - a chip ( 20 ), on one side ( 11 . 12 ) of the carrier ( 10 ), characterized in that the structured metal layer ( 30 . 40 ) a bronze layer ( 103 ). Chipkartenmodul nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der papierne Träger (10) eine Beschichtung umfasst.Chip card module according to claim 12, characterized in that the paper carrier ( 10 ) comprises a coating. Chipkartenmodul nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Material des papiernen Trägers (10) wasserunlöslichen Leim umfasst.Chip card module according to claim 12 or 13, characterized in that the material of the paper carrier ( 10 ) water-insoluble glue. Chipkartenmodul nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Material des papiernen Trägers (10) Polyaramidfasern umfasst.Chip card module according to one of claims 12 to 14, characterized in that the material of the paper carrier ( 10 ) Comprises polyaramid fibers. Chipkartenmodul nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Metallschicht (30, 40) auf der ersten und auf der zweiten Seite (11, 12) des Trägers (10) aufgebracht ist.Chip card module according to one of claims 12 to 15, characterized in that the structured metal layer ( 30 . 40 ) on the first and on the second page ( 11 . 12 ) of the carrier ( 10 ) is applied. Chipkartenmodul nach einem der Ansprüche 12 bis 16, gekennzeichnet durch durchgängige Aussparungen zwischen der ersten und der zweiten Seite (11, 12) des Trägers (10).Chip card module according to one of claims 12 to 16, characterized by continuous recesses between the first and the second side ( 11 . 12 ) of the carrier ( 10 ). Chipkartenmodul nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass leitendes Material an Wandungen der Aussparungen vorgesehen ist, sodass die strukturierte Metallschichten (30, 40) auf der ersten und auf der zweiten Seite (11, 12) leitend verbunden sind.Chip card module according to claim 17, characterized in that conductive material is provided on walls of the recesses, so that the structured metal layers ( 30 . 40 ) on the first and on the second page ( 11 . 12 ) are conductively connected. Chipkartenmodul nach einem der Ansprüche 12 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Metallschicht (30, 40) eine Kupferschicht (102) umfasst.Chip card module according to one of claims 12 to 18, characterized in that the structured metal layer ( 30 . 40 ) a copper layer ( 102 ). Chipkartenmodul nach einem der Ansprüche 12 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Bronzeschicht (103) als Abschlussschicht auf eine andere Schicht aufgebracht ist.Chip card module according to one of claims 12 to 19, characterized in that the bronze layer ( 103 ) is applied as a finishing layer on another layer. Chipkartenmodul nach einem der Ansprüche 12 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip (20) in Flip-Chip-Technik auf dem Träger (10) aufgebracht ist.Chip card module according to one of claims 12 to 20, characterized in that the chip ( 20 ) in flip-chip technology on the carrier ( 10 ) is applied. Chipkartenmodul nach einem der Ansprüche 12 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip (20) leitend mit der strukturierten Metallschicht (30, 40) verbunden ist.Chip card module according to one of claims 12 to 21, characterized in that the chip ( 20 ) conductive with the structured metal layer ( 30 . 40 ) connected is.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR3005391B1 (en) * 2013-05-03 2016-12-09 Linxens Holding METHOD FOR MANUFACTURING A FLEXIBLE CIRCUIT FOR A CHIP CARD MODULE, FLEXIBLE CHIP CARD CIRCUIT HELD BY THIS METHOD, AND A CHIP CARD MODULE HAVING SUCH A FLEXIBLE CIRCUIT

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19732645A1 (en) * 1997-07-29 1998-09-10 Siemens Ag Combination chip card manufacturing method
DE10145749A1 (en) * 2001-09-17 2003-04-24 Infineon Technologies Ag Process for producing a structured metal layer on a carrier body and carrier body with a structured metal layer
DE10145750A1 (en) * 2001-09-17 2003-04-24 Infineon Technologies Ag Process for producing a metal layer on a carrier body and carrier body with a metal layer
DE10234705A1 (en) * 2001-10-25 2003-05-28 Infineon Technologies Ag Electroplating device used in the production of antenna coils, circuit boards and chip card modules comprises an electrolyte bath containing an anode unit and contact units each having electrically conducting regions
DE10254927A1 (en) * 2002-11-25 2004-06-17 Infineon Technologies Ag Process for the production of conductive structures on a carrier
US20050032267A1 (en) * 2003-08-05 2005-02-10 Peikang Liu RFID device and method of making

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19732645A1 (en) * 1997-07-29 1998-09-10 Siemens Ag Combination chip card manufacturing method
DE10145749A1 (en) * 2001-09-17 2003-04-24 Infineon Technologies Ag Process for producing a structured metal layer on a carrier body and carrier body with a structured metal layer
DE10145750A1 (en) * 2001-09-17 2003-04-24 Infineon Technologies Ag Process for producing a metal layer on a carrier body and carrier body with a metal layer
DE10234705A1 (en) * 2001-10-25 2003-05-28 Infineon Technologies Ag Electroplating device used in the production of antenna coils, circuit boards and chip card modules comprises an electrolyte bath containing an anode unit and contact units each having electrically conducting regions
DE10254927A1 (en) * 2002-11-25 2004-06-17 Infineon Technologies Ag Process for the production of conductive structures on a carrier
US20050032267A1 (en) * 2003-08-05 2005-02-10 Peikang Liu RFID device and method of making

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