DE102006047698B4 - Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator - Google Patents
Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006047698B4 DE102006047698B4 DE102006047698A DE102006047698A DE102006047698B4 DE 102006047698 B4 DE102006047698 B4 DE 102006047698B4 DE 102006047698 A DE102006047698 A DE 102006047698A DE 102006047698 A DE102006047698 A DE 102006047698A DE 102006047698 B4 DE102006047698 B4 DE 102006047698B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- groove
- piezoelectric layer
- resonator
- resonator according
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/175—Acoustic mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
– mit einem Resonatorbereich (1), der zwei Elektroden (11, 13) und eine zwischen diesen angeordnete piezoelektrische Schicht (12) umfasst,
– wobei in der piezoelektrischen Schicht (12) eine Nut (4) ausgebildet ist, die einen elektroakustisch aktiven Bereich der piezoelektrischen Schicht (12) zumindest abschnittsweise umgibt und deren Tiefe mindestens 50% der Dicke der piezoelektrischen Sicht (12) beträgt.
Description
- Ein mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator ist beispielsweise aus der Druckschrift
WO 01/06647 A1 - Ein mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator, der Bereiche unterschiedlicher Dicke einer piezoelektrischen Schicht umfasst, wodurch er abstimmbar ist oder in ihm akustische Wellen unterschiedlicher Frequenzen ausbreitungsfähig sind, ist aus der Druckschrift
EP 1 489 740 A2 bekannt. - Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen verlustarmen akustischen Volumenwellen arbeitenden Resonator anzugeben.
- Es wird ein mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator mit einem Resonatorbereich angegeben, der zwei Elektroden und eine zwischen diesen angeordnete piezoelektrische Schicht umfasst. In der piezoelektrischen Schicht ist eine Nut ausgebildet, die einen elektroakustisch aktiven Bereich der piezoelektrischen Schicht zumindest teilweise umgibt.
- Die piezoelektrische Schicht erstreckt sich in einer Lateralebene vorzugsweise über die Grundfläche der Elektroden hinaus. Unter einem aktiven Bereich versteht man einen zwischen den Elektroden angeordneten Bereich der piezoelektrischen Schicht, in dem eine akustische Welle durch ein elektrisches Signal angeregt wird.
- Die Polarisationsrichtung der piezoelektrischen Schicht ist durch die Ausrichtung ihrer piezoelektrischen Achse charakterisiert, die vorzugsweise im Wesentlichen vertikal ausgerich tet ist. Bereits durch eine leichte Verkippung der Piezoachse um nur wenige Grade können in der Piezoschicht Lateralmoden (Schermoden) angeregt werden, die sich in einer Lateralebene ausbreiten und damit aus dem aktiven Resonatorbereich nach außen laufen, was zu Energieverlusten und folglich zu einer höheren Signaldämpfung im Resonator führen kann.
- Eine im aktiven Bereich angeregte Wellenmode ist in der Nut nicht mehr ausbreitungsfähig. Eine laterale Wellenmode, die auf eine Grenzfläche der piezoelektrischen Schicht und der Nut trifft, wird daher im Wesentlichen vollständig zurück reflektiert und bleibt somit innerhalb des aktiven Bereichs.
- Durch die Nut kann die Ausbreitung lateraler Wellenmoden weitestgehend unterbunden werden. Dadurch gelingt es, eine hohe Resonatorgüte zu erzielen. Außerdem gelingt es, den angegebenen Resonator durch die Nut von benachbarten Resonatoren akustisch zu entkoppeln.
- Dadurch gelingt es, in einem HF-Filter, das mit akustischen Volumenwellen arbeitende Resonatoren umfasst, im Passband eine Welligkeit der Übertragungsfunktion zu reduzieren und besonders steile Flanken am Rande des Passbands zu erzielen. Insbesondere gelingt es, eine Nahselektion des Filters zu verbessern.
- Die Nut schneidet in einer Variante die piezoelektrische Schicht nur bis zu einer bestimmten Tiefe an. Die Tiefe der Nut beträgt vorzugsweise mindestens 50% der Dicke der piezoelektrischen Schicht. In einem unterhalb der Nut angeordneten Bereich der piezoelektrischen Schicht ist die Grenzfrequenz für eine akustische Mode aufgrund einer kleineren Materialbelastung höher als im aktiven Bereich der piezoelektrischen Schicht. Daher ist eine im aktiven Bereich angeregte Wellenmode unterhalb der Nut nicht ausbreitungsfähig und wird dort exponentiell gedämpft.
- In einer weiteren Variante wird die piezoelektrische Schicht durch die Nut durchgeschnitten, wobei die Tiefe der Nut min destens so groß ist wie die Dicke der piezoelektrischen Schicht.
- Der Resonator umfasst in einer vorteilhaften Variante einen akustischen Spiegel, der mit dem Resonatorbereich fest verbunden ist. Der Spiegel ist vorzugsweise zwischen dem Resonatorbereich und einem Trägersubstrat angeordnet.
- Der akustische Spiegel umfasst mindestens zwei Spiegelschichten mit voneinander unterschiedlichen akustischen Impedanzen. Der Spiegel kann auch mehr als zwei Schichten umfassen, wobei die Schichten mit einer relativ hohen und relativ niedrigen akustischen Impedanz abwechselnd angeordnet sind.
- Die Dicke der Spiegelschichten beträgt vorzugsweise im Wesentlichen eine Viertelwellenlänge (oder ein ganzzahliges Vielfaches davon) bei der Resonanzfrequenz des Resonators.
- Die Nut kann so tief ausgebildet sein, dass sie zumindest die oberste Spiegelschicht anschneidet oder durchschneidet. Möglich ist aber auch, dass mindestens zwei Spiegelschichten durch die Nut betroffen sind.
- Die Nut ist vorzugsweise in einem Ätzverfahren erzeugt. Dabei kommt ein Trockenätzen oder ein Nassätzen in Betracht. Die Nut kann im Prinzip mithilfe eines Lasers erzeugt werden. Die Form der Nut, insbesondere die Schräge deren Wände, hängt vom zur Erzeugung der Nut angewandten Verfahren ab. Die Nut kann einen V-förmigen Querschnitt aufweisen. Als besonders vorteilhaft wird eine Nut mit relativ steilen Seitenwänden betrachtet. Die Nut kenn beispielsweise einen rechteckigen Querschnitt oder einen Querschnitt in Form einer Trapez auf weisen. Die Breite der Nut, ihre Tiefe und/oder ihre Form kann im Prinzip beliebig sein.
- Die piezoelektrische Schicht umfasst vorzugsweise AlN.
- Die Nut ist in einer Variante zumindest teilweise mit einem Füllmaterial gefüllt, das dielektrisch, aber nicht piezoelektrisch ist, so dass im Bereich der Nut keine akustische Welle angeregt werden kann. Das Füllmaterial ist vorzugsweise elastisch. Damit wird eine herauslaufende Welle gedämpft.
- Die Nut bleibt in einer weiteren Variante ungefüllt bzw. mit Luft gefüllt.
- Innerhalb eines von der Nut zumindest teilweise umgrenzten Bereichs der piezoelektrischen Schicht beträgt ein Verkippungswinkel der piezoelektrischen Achse vorzugsweise nicht mehr als 2°. Außerhalb des von der Nut begrenzten Bereichs der Piezoschicht ist der Verkippungswinkel vorzugsweise größer als 2°. Je größer der Verkippungswinkel in einem bestimmten Bereich der Piezoschicht ist, desto stärker werden dort laterale akustische Moden angeregt. Durch die Nut wird ein elektroakustisch aktiver Bereich der Piezoschicht, der bezüglich der Ausrichtung der Piezoachse relativ homogen ist, von einem außen liegenden Bereich dieser Schicht abgegrenzt, in dem relativ starke Lateralwellenmoden anregbar sind.
- Der Resonator mit einer Nut ist anhand einer schematischen und nicht maßstabgetreuen Figur erläutert. Diese zeigt einen Resonatorbereich
1 , einen akustischen Spiegel2 und ein Trägersubstrat3 . - Der Resonatorbereich
1 umfasst Elektroden11 ,12 und eine zwischen diesen angeordnete piezoelektrische Schicht12 beispielsweise aus AlN. Die Ausrichtung der Piezoachse der Piezoschicht12 ist mit Pfeilen angedeutet. - Der Spiegel
2 ist zwischen dem Resonatorbereich1 und dem Trägersubstrat3 angeordnet. Der Spiegel umfasst zwei Spiegelschichten21 ,22 mit voneinander unterschiedlichen akustischen Impedanzen. - Es ist eine V-förmige Nut
4 vorgesehen, die die piezoelektrische Schicht12 und die untere Elektrode11 durchschneidet und die oberste Spiegelschicht anschneidet. Die Nut trennt einen aktiven Bereich der piezoelektrischen Schicht, innerhalb dessen die Piezoachse vertikal ausgerichtet ist, von einem außen liegenden Bereich der Piezoschicht, in dem die Piezoachse gekippt ist. - Die Nut ist vorzugsweise umlaufend, d. h. rahmenförmig, ausgebildet. Die Nut kann aber auch mehrere Gräben umfassen, die hintereinander entlang einer Umlaufrichtung um den aktiven Bereich angeordnet sind. Zur Entkopplung von zwei nebeneinander angeordneten Resonatoren ist die Anordnung der Nut in einem zwischen diesen Resonatoren angeordneten Bereich der Piezoschicht im Prinzip ausreichend.
- Der angegebene Resonator ist auf das in der Figur gezeigte Ausführungsbeispiel nicht beschränkt. Der Spiegel kann eine beliebige Anzahl von Spiegelschichten aufweisen. Das Material sowie die Zusammensetzung des Trägersubstrats und der Elektroden kann beliebig gewählt sein.
-
- 1
- Resonatorbereich
- 11, 13
- Elektroden
- 12
- piezoelektrische Schicht
- 2
- akustischer Spiegel
- 21, 22
- Spiegelschichten
- 3
- Trägersubstrat
- 4
- Nut
Claims (9)
- Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator – mit einem Resonatorbereich (
1 ), der zwei Elektroden (11 ,13 ) und eine zwischen diesen angeordnete piezoelektrische Schicht (12 ) umfasst, – wobei in der piezoelektrischen Schicht (12 ) eine Nut (4 ) ausgebildet ist, die einen elektroakustisch aktiven Bereich der piezoelektrischen Schicht (12 ) zumindest abschnittsweise umgibt und deren Tiefe mindestens 50% der Dicke der piezoelektrischen Sicht (12 ) beträgt. - Resonator nach Anspruch 1, – mit einem akustischen Spiegel (
2 ), der mit dem Resonatorbereich (1 ) fest verbunden ist, – wobei der akustische Spiegel (2 ) mindestens zwei Spiegelschichten (21 ,22 ) mit voneinander unterschiedlichen akustischen Impedanzen aufweist. - Resonator nach Anspruch 2, – wobei die Tiefe der Nut (
4 ) zumindest so groß ist wie Dicke der piezoelektrischen Schicht (12 ). - Resonator nach Anspruch 2, – wobei die Nut (
4 ) zumindest in die oberste Spiegelschicht (22 ) eindringt. - Resonator nach einem der Ansprüche 1 bis 4, – wobei die Nut (
4 ) in einem Ätzverfahren erzeugt ist. - Resonator nach einem der Ansprüche 1 bis 5, – wobei die Nut (
4 ) einen V-förmigen Querschnitt aufweist. - Resonator nach einem der Ansprüche 1 bis 6, – wobei die piezoelektrische Schicht (
12 ) AlN umfasst. - Resonator nach einem der Ansprüche 1 bis 7, – wobei die Nut (
4 ) mit einem elastischen Material gefüllt ist. - Resonator nach einem der Ansprüche 1 bis 8, – wobei innerhalb eines von der Nut (
4 ) zumindest teilweise umgrenzten Bereichs der piezoelektrischen Schicht (12 ) ein Verkippungswinkel der piezoelektrischen Achse 2° nicht übersteigt.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006047698A DE102006047698B4 (de) | 2006-10-09 | 2006-10-09 | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator |
US11/868,006 US7541717B2 (en) | 2006-10-09 | 2007-10-05 | Bulk acoustic wave resonator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006047698A DE102006047698B4 (de) | 2006-10-09 | 2006-10-09 | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006047698A1 DE102006047698A1 (de) | 2008-04-10 |
DE102006047698B4 true DE102006047698B4 (de) | 2009-04-09 |
Family
ID=39154675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006047698A Expired - Fee Related DE102006047698B4 (de) | 2006-10-09 | 2006-10-09 | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7541717B2 (de) |
DE (1) | DE102006047698B4 (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004031397A1 (de) * | 2004-06-29 | 2006-01-26 | Epcos Ag | Duplexer |
DE102004035812A1 (de) * | 2004-07-23 | 2006-03-16 | Epcos Ag | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator |
DE102006035874B3 (de) * | 2006-08-01 | 2008-02-07 | Epcos Ag | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Filter |
JP5161698B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2013-03-13 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタあるいは分波器 |
US10461719B2 (en) * | 2009-06-24 | 2019-10-29 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
US8384497B2 (en) * | 2009-12-18 | 2013-02-26 | Hao Zhang | Piezoelectric resonator structure having an interference structure |
US9991871B2 (en) * | 2011-02-28 | 2018-06-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising a ring |
US9571064B2 (en) * | 2011-02-28 | 2017-02-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator device with at least one air-ring and frame |
KR102029503B1 (ko) * | 2014-12-08 | 2019-11-08 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 및 필터 |
US10778180B2 (en) * | 2015-12-10 | 2020-09-15 | Qorvo Us, Inc. | Bulk acoustic wave resonator with a modified outside stack portion |
US11146241B2 (en) | 2019-02-08 | 2021-10-12 | Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd | Low loss acoustic device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4511202A (en) * | 1981-12-29 | 1985-04-16 | Fujitsu Limited | Ceramic resonator and a ceramic filter using the same |
WO2001006647A1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Nokia Corporation | Resonator structure and a filter comprising such a resonator structure |
EP1489740A2 (de) * | 2003-06-18 | 2004-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3356850A (en) * | 1960-02-05 | 1967-12-05 | Sylvania Thorn Colour Television Laboratories Ltd | Frequency-sensitive and photo-sensitive device |
US4320365A (en) * | 1980-11-03 | 1982-03-16 | United Technologies Corporation | Fundamental, longitudinal, thickness mode bulk wave resonator |
US4463336A (en) * | 1981-12-28 | 1984-07-31 | United Technologies Corporation | Ultra-thin microelectronic pressure sensors |
JPS59132216A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型圧電共振子 |
JPH07297661A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及び圧電共振子の共振周波数調整方法 |
US5855049A (en) * | 1996-10-28 | 1999-01-05 | Microsound Systems, Inc. | Method of producing an ultrasound transducer |
JP2000252786A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動素子 |
GB0016861D0 (en) * | 2000-07-11 | 2000-08-30 | Univ Cranfield | Improvements in or relating to filters |
CN1245768C (zh) * | 2001-09-07 | 2006-03-15 | 松下电器产业株式会社 | 薄膜压电体元件及其制造方法并致动器 |
DE10147075A1 (de) * | 2001-09-25 | 2003-04-30 | Infineon Technologies Ag | Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102004054895B4 (de) * | 2004-11-12 | 2007-04-19 | Infineon Technologies Ag | Dünnschicht-BAW-Filter sowie Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-BAW-Filters |
JP4016983B2 (ja) * | 2004-12-07 | 2007-12-05 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
EP2445107B1 (de) * | 2004-12-09 | 2019-02-20 | Wispry, Inc. | Pol-nullstellen-elemente und zugehörige Systeme und Verfahren |
US20060125577A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-15 | International Semiconductor Techonology Ltd. | Acoustic resonator device and method for manufacturing the same |
US20060125084A1 (en) * | 2004-12-15 | 2006-06-15 | Fazzio Ronald S | Integration of micro-electro mechanical systems and active circuitry |
-
2006
- 2006-10-09 DE DE102006047698A patent/DE102006047698B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-10-05 US US11/868,006 patent/US7541717B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4511202A (en) * | 1981-12-29 | 1985-04-16 | Fujitsu Limited | Ceramic resonator and a ceramic filter using the same |
WO2001006647A1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Nokia Corporation | Resonator structure and a filter comprising such a resonator structure |
EP1489740A2 (de) * | 2003-06-18 | 2004-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
HIRAMA,K. u.a.: Trapped-energy AT-cut quartz cryst al units with grooves. In Proceedings of the 1997 IEEE International Frequency Control Symposium, 19 97, 28.-30.05.1997, S. 750-757 |
HIRAMA,K. u.a.: Trapped-energy AT-cut quartz crystal units with … grooves. In Proceedings of the 1997 IEEE International Frequency … Control Symposium, 1997, 28.-30.05.1997, S. 750-757 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102006047698A1 (de) | 2008-04-10 |
US20080084136A1 (en) | 2008-04-10 |
US7541717B2 (en) | 2009-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102006047698B4 (de) | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator | |
DE102005004435B4 (de) | Baw-resonator | |
DE102012213892B4 (de) | Bulk Acoustic Wave Resonator aufweisend eine innerhalb einer piezoelektrischen Schicht gebildeten Brücke | |
DE102004050507B4 (de) | Piezoelektrischer Dünnfilmresonator und diesen nutzendes Filter | |
DE102013221449B4 (de) | Ein akustischer Resonator mit einem Schutzring | |
DE10262056B4 (de) | BAW-Resonator mit akustischem Reflektor und Filterschaltung | |
DE102015108508B4 (de) | Akustischer Resonator mit vertikal erweiterter akustischer Kavität | |
DE112015005349B4 (de) | Vorrichtung für elastische Wellen | |
DE19849782B4 (de) | Oberflächenwellenanordnung mit zumindest zwei Oberflächenwellen-Strukturen | |
DE102004041178B4 (de) | Akustischer Filmresonator und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE112017005984T5 (de) | Akustische Wellenvorrichtungen | |
DE102012219838A1 (de) | Planarisierte Elektrode für verbesserte Performanz in Bulk-akustischen Resonatoren | |
DE102005061344A1 (de) | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator | |
DE102018117248B4 (de) | BAW-Resonator mit einem hohen Q-Wert und Störmodenunterdrückung | |
DE102012224460A1 (de) | Stabile-Befestigung-Volumen-Akustikwellenresonatoranordnung mit einer Brücke | |
EP3186887B1 (de) | Filterchip und verfahren zur herstellung eines filterchips | |
DE102006023165A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz | |
WO2006010399A1 (de) | Mit akustischen volumenwellen arbeitender resonator | |
DE102006020992A1 (de) | Piezoelektrischer Dünnfilmresonator und Filter | |
EP1407546B1 (de) | Reaktanzfilter mit verbesserter flankensteilheit | |
DE69934765T2 (de) | Akustisches Oberflächenwellenfilter | |
DE102004037819A1 (de) | Elektroakustisches Bauelement mit geringen Verlusten | |
DE10241425B4 (de) | Mit akustischen Wellen arbeitender Resonator mit Unterdrückung störender Nebenmoden | |
DE10241981B4 (de) | Oberflächenwellenbauelement vom Kantenreflexionstyp und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE2713672C2 (de) | Frequenzselektive Anordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SNAPTRACK INC., SAN DIEGO, US Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US Free format text: FORMER OWNER: SNAPTRACK INC., SAN DIEGO, CALIF., US |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |