DE102006045702A1

DE102006045702A1 - Opto-electronic component comprises radiation-emitting layer sequence which emits radiation with spectrum, and wavelength conversion area is provided in path of rays of radiation-emitting layer sequence

Info

Publication number: DE102006045702A1
Application number: DE102006045702A
Authority: DE
Inventors: Karsten Dr. Heuser; Ute Dr. Liepold; Wolfgang Dr. Rossner; Berit Dr. Wessler
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2006-09-27
Filing date: 2006-09-27
Publication date: 2008-04-03

Abstract

The opto-electronic component (100) comprises a radiation-emitting layer sequence (101) which emits a radiation (111) with a spectrum .The wavelength conversion area (102) in the path of rays of the radiation-emitting layer sequence converts a part of the one radiation into another radiation (112) with another spectrum. The spectrums are different and a filter element (103) is provided in the path of rays of the radiation-emitting layer sequence with photonic crystals (131) and with a variable adjustable transmission for a part of the one spectrum. The opto-electronic component has a transparent material made from metal, metal oxide or an organic electric conducting material. The organic radiation-emitting layer sequence comprises an active light emitting layer which has an organic polymer, an organic Oligomer, an organic monomer, organic small molecules or their combination.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein farbveränderliches optoelektronisches Bauteil.The The present invention relates to a color variable optoelectronic Component.

Ein lichtemittierendes Bauteil, das ein festes Emissionsspektrum mit einem oder mehreren Wellenlängen oder Wellenlängenbereichen aufweist, ist in dem Farbeindruck, den es bei einem Betrachter weckt, festgelegt und nicht veränderbar.One light-emitting component having a fixed emission spectrum with one or more wavelengths or wavelength ranges is in the color impression it awakens in a viewer, fixed and not changeable.

Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement mit einer veränderlichen Abstrahlung anzugeben.At least a task of certain embodiments The present invention is an optoelectronic device with a changeable Indicate radiation.

Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauteil gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.These The object is achieved by an optoelectronic component according to the features of claim 1.

Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des optoelektronischen Bauteils sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.advantageous embodiments and further developments of the optoelectronic component are in the dependent claims specified.

Ein optoelektronisches Bauelement gemäß zumindest einer Ausführungsform der Erfindung umfasst insbesondere

– eine strahlungsemittierende Schichtenfolge, die eine erste Strahlung mit einem ersten Spektrum emittiert,
– zumindest einen Wellenlängenkonversionsbereich im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge, der zumindest einen Teil der ersten Strahlung in eine zweite Strahlung mit einem zweiten Spektrum umwandelt, das zumindest teilweise vom ersten Spektrum verschieden ist, und
– zumindest ein Filterelement im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge mit einem photonischen Kristall mit einer variabel einstellbaren Transmission für zumindest einen Teil des ersten Spektrums.

An optoelectronic component according to at least one embodiment of the invention comprises in particular

A radiation-emitting layer sequence which emits a first radiation having a first spectrum,
At least one wavelength conversion region in the beam path of the radiation-emitting layer sequence, which converts at least part of the first radiation into a second radiation having a second spectrum which is at least partially different from the first spectrum, and
- At least one filter element in the beam path of the radiation-emitting layer sequence with a photonic crystal with a variably adjustable transmission for at least a portion of the first spectrum.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist jeweils das erste Spektrum und das zweite Spektrum eine spektrale Verteilung von elektromagnetischer Strahlung, insbesondere von Licht, mit mindestens einer spektralen Komponente mit einer Wellenlänge oder einer Mehrzahl von spektralen Komponenten mit mehreren Wellenlängen und/oder Bereichen von Wellenlängen. Ein erstes Spektrum und ein zweites Spektrum sind im folgenden gleich, wenn die spektralen Komponenten und deren relativen Intensitäten gleich im Falle des ersten und des zweiten Spektrums sind, wobei die absolute Intensität des ersten Spektrums von der absoluten Intensität des zweiten Spektrums abweichen kann.at a preferred embodiment is the first spectrum and the second spectrum is a spectral one Distribution of electromagnetic radiation, in particular of light, with at least one spectral component with one wavelength or a plurality of spectral components having a plurality of wavelengths and / or Ranges of wavelengths. A first spectrum and a second spectrum are the same in the following, when the spectral components and their relative intensities are the same in the case of the first and the second spectrum, where the absolute intensity of the first spectrum deviate from the absolute intensity of the second spectrum can.

Bei einer Ausführungsform ist Licht vorzugsweise elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlängen oder einem Bereich von Wellenlängen, wobei die Wellenlänge oder der Bereich von Wellenlängen vorzugsweise in einem Bereich liegen kann, der ultraviolette, sichtbare und infrarote Strahlung umfasst.at an embodiment For example, light is preferably electromagnetic radiation having a wavelength or a range of wavelengths, where the wavelength or the range of wavelengths preferably in a range, the ultraviolet, visible and infrared radiation.

Da das Filterelement eine variabel einstellbare Transmission für zumindest einen Teil des ersten Spektrums aufweisen kann, kann die von dem optoelektronischen Bauelement emittierte Strahlung insbesondere einen Teil der ersten Strahlung und die zweite Strahlung umfassen. Die von Betrachter wahrgenommene Strahlung des optoelektronischen Bauteils, also der Farbeindruck des optoelektronischen Bauelements, kann damit eine Mischung der variabel einstellbar transmittierten ersten Strahlung und der zweiten Strahlung sein. Vorzugsweise kann das Verhältnis zwischen erster Strahlung und zweiter Strahlung durch Ansteuerung des Filterelements mit dem photonischen Kristall verlustfrei variiert werden, wodurch eine Farbvariation und Farbsteuerung der vom optoelektronischen Bauteil emittierten Strahlung ermöglicht werden kann.There the filter element has a variably adjustable transmission for at least may have a portion of the first spectrum, that of the optoelectronic Component emitted radiation in particular a part of the first Radiation and the second radiation include. The viewer perceived radiation of the optoelectronic component, ie the Color impression of the optoelectronic device, so can a Mixture of variably adjustable transmitted first radiation and the second radiation. Preferably, the ratio between first radiation and second radiation by driving the filter element be varied lossless with the photonic crystal, which a color variation and color control of the optoelectronic Component emitted radiation can be made possible.

Ein solches optoelektronisches Bauelement kann beispielsweise vorteilhaft sein hinsichtlich einer Verhinderung oder zumindest Verminderung einer Degradation des Farbeindrucks aufgrund von Alterungseffekten. Insbesondere zur Realisierung eines lichtemittierenden Bauteils beispielsweise mit einem weißen Farbeindruck ist ein Emissionsspektrum erforderlich, dass mindestens zwei geeignete Wellenlängen aufweist. Ein lichtemittierendes Bauteil mit variablem Farbeindruck kann beispielsweise durch die variable Überlagerung geeigneter Kombinationen von Emissionsspektren im blauen, grünen und roten Wellenlängenbereich einzelner lichtemittierender Bauelemente wie etwa verschiedener Leuchtdioden erreicht werden. Durch eine individuelle Ansteuerung der einzelnen lichtemittierenden Bauelemente kann ein variabler Farbeindruck erzeugt werden. Bei einer solchen aufwändigen Anordnung kann jedoch mit der Zeit durch unterschiedliche Alterung der einzelnen lichtemittierenden Bauelemente in Form einer Leuchtstärkeverminderung eine Degradation des Farbeindrucks entstehen.One such optoelectronic component may be advantageous, for example be in terms of prevention or at least reduction a degradation of the color impression due to aging effects. In particular for the realization of a light-emitting component for example with a white one Color impression is an emission spectrum required that at least two suitable wavelengths having. A light-emitting component with a variable color impression can, for example, by the variable superimposition of suitable combinations of Emission spectra in blue, green and red wavelength range individual light-emitting components such as various LEDs are achieved. Through an individual control of the individual light-emitting components can have a variable color impression be generated. However, in such a complex arrangement over time due to differential aging of the individual light-emitting Components in the form of a luminosity reduction a degradation the color impression arise.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform kann bei dem optoelektronischen Bauelement der Einsatz von absorptiven Filtern oder variablen absorptiven Filtern auf vorteilhafte Weise vermieden werden. Dadurch kann es möglich sein, eine Lichtausbeute des optoelektronischen Bauelements zu erhöhen.at a particularly preferred embodiment can in the optoelectronic device, the use of absorptive Filter or variable absorptive filters in an advantageous manner be avoided. This may make it possible to have a luminous efficacy of the optoelectronic component to increase.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform umfasst der photonische Kristall eine Mehrzahl von ersten Bereichen mit einer ersten Dielektrizitätskonstanten beziehungsweise einem ersten Brechungsindex und eine Mehrzahl von zweiten Bereichen mit einer zweiten Dielektrizitätskonstanten beziehungsweise einem zweiten Brechungsindex. Besonders bevorzugt können die Bereiche regelmäßig angeordnet sein, so dass die regelmäßige Anordnung der Bereiche eine Periodizität in eine oder mehrere Raumrichtungen aufweisen kann. Dabei kann „eine Periodizität aufweisen" bedeuten, dass in einer oder mehreren Raumrichtungen eine regelmäßige, vorzugsweise gleichmäßig beabstandete Aufeinanderfolge der ersten Bereiche und zweiten Bereiche vorzufinden ist. Dabei kann der photonische Kristall beispielsweise ein eindimensionaler photonischer Kristall oder ein zweidimensionaler photonischer Kristall sein kann, das heißt, dass der photonische Kristall die Struktur eines eindimensionalen oder eines zweidimensionalen Gitters aufweist. Bevorzugt kann der photonische Kristall auch ein dreidimensionaler photonischer Kristall sein, das heißt, es handelt sich um einen photonischen Kristall mit der Struktur eines dreidimensionalen Gitters.In a preferred embodiment, the photonic crystal comprises a plurality of first regions having a first dielectric constant or a first refractive index and a plurality of second regions having a first refractive index second dielectric constant or a second refractive index. Particularly preferably, the regions can be arranged regularly, so that the regular arrangement of the regions can have a periodicity in one or more spatial directions. In this case, "having a periodicity" may mean that a regular, preferably uniformly spaced succession of the first regions and second regions is to be found in one or more spatial directions, wherein the photonic crystal may be, for example, a one-dimensional photonic crystal or a two-dimensional photonic crystal means that the photonic crystal has the structure of a one-dimensional or a two-dimensional lattice Preferably, the photonic crystal can also be a three-dimensional photonic crystal, that is, it is a photonic crystal having the structure of a three-dimensional lattice.

Ein eindimensionaler photonischer Kristall kann eine Periodizität der ersten Bereiche mit einem ersten Brechungsindex und der zweiten Bereiche mit einem zweiten Brechungsindex in eine erste Richtung aufweisen. In einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung und in einer dritten Richtung jeweils senkrecht zu der ersten Richtung und der zweiten Richtung weist der photonische Kristall dann keine Periodizität von Bereichen mit verschiedenen Brechungsindizes auf. Weiterhin kann ein zweidimensionaler photonischer Kristall eine erste Periodizität der ersten Bereiche und der zweiten Bereiche in eine erste Richtung und eine zweite Periodizität der ersten Bereiche und der zweiten Bereiche in eine zweite Richtung aufweisen, wobei die erste Richtung und die zweite Richtung nicht parallel sind und vorzugsweise senkrecht aufeinander stehen können. Die erste Periodizität und die zweite Periodizität können dabei gleich oder unterschiedlich sein. In einer dritten Richtung, die senkrecht auf der ersten Richtung und der zweiten Richtung steht, weist der zweidimensionale photonische Kristall dann keine Periodizität der Bereiche mit verschiedenen Brechungsindizes auf. Weiterhin kann ein photonischer Kristall mit der Struktur eines dreidimensionalen Gitters eine erste Periodizität der ersten Bereiche und der zweiten Bereiche in eine erste Richtung, eine zweite Periodizität der ersten Bereiche und der zweiten Bereiche in eine zweite Richtung und eine dritte Periodizität der ersten Bereiche und der zweiten Bereiche in eine dritte Richtung aufweisen, wobei die erste, die zweite und die dritte Richtung nicht parallel sind und vorzugsweise jeweils senkrecht aufeinander stehen können.One one-dimensional photonic crystal can have a periodicity of the first Areas having a first refractive index and the second areas having a second refractive index in a first direction. In a second direction perpendicular to the first direction and in a third direction respectively perpendicular to the first direction and the second direction, the photonic crystal then has no periodicity of areas with different refractive indices. Farther For example, a two-dimensional photonic crystal may have a first periodicity of the first Areas and the second areas in a first direction and one second periodicity the first areas and the second areas in a second direction not having the first direction and the second direction are parallel and preferably can be perpendicular to each other. The first periodicity and the second periodicity can be the same or different. In a third direction, which is perpendicular to the first direction and the second direction, The two-dimensional photonic crystal then has no periodicity of the areas with different refractive indices. Furthermore, a photonic Crystal with the structure of a three-dimensional lattice a first one periodicity the first areas and the second areas in a first direction, a second periodicity the first areas and the second areas in a second direction and a third periodicity of first areas and the second areas in a third direction not having the first, the second and the third direction are parallel and preferably each can be perpendicular to each other.

Die erste, die zweite und die dritte Periodizität können weiterhin jeweils eine erste, eine zweite und eine dritte Gitterkonstante definieren. Dabei entspricht der Abstand zwischen zwei benachbarten ersten Bereichen beziehungsweise zwei benachbarten zweiten Bereichen in die erste, die zweite und die dritte Richtung jeweils der ersten, der zweiten und der dritten Gitterkonstanten, wobei die erste, die zweite und die dritte Gitterkonstante an die erste Wellenlänge der ersten Strahlung angepasst sein können. Vorzugsweise können die erste, die zweite und die dritte Gitterkonstante in der Größenordnung der ersten Wellenlänge der ersten Strahlung liegen.The The first, the second and the third periodicity can each continue to be one define first, second and third lattice constants. there corresponds to the distance between two adjacent first areas or two adjacent second areas in the first, the second and the third direction respectively of the first, the second and the third lattice constant, wherein the first, the second and the third lattice constant is adapted to the first wavelength of the first radiation could be. Preferably the first, second and third lattice constants on the order of magnitude the first wavelength the first radiation lie.

Weiterhin kann eine Periodizität neben einer Gitterkonstanten durch den Unterschied des ersten Brechungsindex und des zweiten Brechungsindex charakterisiert werden.Farther can be a periodicity next to a lattice constant by the difference of the first refractive index and the second refractive index.

Als vorteilhafte Struktur für einen dreidimensionalen photonischen Kristall kann sich beispielsweise eine so genannte inverse Opalstruktur erweisen. Bei einer solchen Struktur können Hohlräume in einem ersten Material mit einem ersten Brechungsindex strukturell so angeordnet sein, dass die Anordnung der Hohlräume eine regelmäßige dreidimensionale kristallähnliche Struktur aufweist. Die Hohlräume können beispielsweise zumindest teilweise mit einem zweiten Material mit einem bestimmten Brechungsindex gefüllt oder beschichtet sein. Der erste Brechungsindex und der zweite Brechungsindex können vorzugsweise verschieden sein. Das erste Material kann bei einer solchen Struktur erste Bereiche bilden, während die Hohlräume und/oder das zweite Material zweite Bereiche bilden können. Die ersten Bereiche befinden sich dabei vorzugsweise in einem festen Aggregatszustand. Zweite Bereiche können zumindest teilweise in einem festen, einem flüssigen oder einem gasförmigen Aggregatszustand vorliegen. Photonische Kristalle können beispielsweise durch elektrophoretische oder nasschemische Verfahren, insbesondere auch in Verbindung mit selbstorganisierenden Prozessen herstellbar sein. Weiterhin können auch holographische Verfahren möglich sein.When advantageous structure for For example, a three-dimensional photonic crystal can be a so-called inverse opal structure. In such a Structure can cavities structurally in a first material having a first refractive index be arranged so that the arrangement of the cavities is a regular three-dimensional crystal-like Structure has. The cavities can For example, at least partially with a second material with be filled or coated at a certain refractive index. The first refractive index and the second refractive index may preferably to be different. The first material may be in such a structure form first areas while the cavities and / or the second material may form second regions. The first Areas are preferably in a fixed state of aggregation. Second areas can at least partially in a solid, liquid or gaseous state. Photonic crystals can for example, by electrophoretic or wet-chemical methods, especially in connection with self-organizing processes be produced. Furthermore you can also holographic method possible be.

Die periodische räumliche Variation der ersten Bereiche und der zweiten Bereiche mit verschiedenen Brechungsindices in einem photonischen Kristall kann zur Folge haben, dass, in Analogie zur Ausbreitung von Elektronen in Festkörpern mit periodischer Kristallstruktur und deren Beschreibung, die Ausbreitung der Wellenfunktionen von Photonen mit bestimmten Energien und bestimmten Ausbreitungsrichtungen vermindert oder sogar unterdrückt ist. Diese bestimmten Energien definieren entlang einer bestimmten Ausbreitungsrichtung im photonischen Kristall, die mit der Richtung übereinstimmen kann, entlang derer die Periodizität aufzufinden ist, eine so genannte photonische Bandlücke. Das bedeutet insbesondere, dass sich Strahlung, deren Photonenenergie im Bereich einer solchen photonischen Bandlücke liegt, nicht in dem photonischen Kristall in der entsprechenden Richtung ausbreiten kann. Dadurch wird gerade Strahlung, deren Photonenenergie im Bereich der photonischen Bandlücke liegt, nicht durch den photonischen Kristall transmittiert. Ein photonischer Kristall kann demnach als wellenlängenselektives Filter wirken. Weiterhin kann eine solche Strahlung, deren Photonenenergie im Bereich einer photonischen Bandlücke liegt und deren Ausbreitungsrichtung im Wesentlichen mit einer Richtung übereinstimmt, entlang derer eine Periodizität aufzufinden ist, von dem photonischen Kristall reflektiert werden. Ein photonischer Kristall kann demnach auch als wellenlängenselektiver Spiegel wirken. Die Eigenschaften einer photonischen Bandlücke können dabei von der Differenz des ersten Brechungsindex und des zweiten Brechungsindex abhängen. Es kann dabei vorteilhaft sein, wenn der photonische Kristall einen möglichst großen Unterschied zwischen dem ersten Brechungsindex und dem zweiten Brechungsindex aufweist.The periodic spatial variation of the first regions and of the second regions with different refractive indices in a photonic crystal can, in analogy to the propagation of electrons in periodic crystal structures and their description, propagate the wave functions of photons of particular energies and certain propagation directions is reduced or even suppressed. These particular energies define a so-called photonic bandgap along a particular propagation direction in the photonic crystal that may coincide with the direction along which the periodicity is found. This means in particular that radiation whose photon energy is in the range of such a photonic band gap can not propagate in the corresponding direction in the photonic crystal. Thereby is just radiation whose photon energy is in the range of the photonic band gap, not transmitted through the photonic crystal. A photonic crystal can therefore act as a wavelength-selective filter. Furthermore, such a radiation, whose photon energy is in the range of a photonic band gap and whose propagation direction substantially coincides with a direction along which a periodicity is to be found, are reflected by the photonic crystal. Accordingly, a photonic crystal can also act as a wavelength-selective mirror. The properties of a photonic band gap may depend on the difference between the first refractive index and the second refractive index. It may be advantageous if the photonic crystal has the largest possible difference between the first refractive index and the second refractive index.

Entsprechend der Dimension des photonischen Kristalls kann die photonische Bandlücke von der Ausbreitungsrichtung der Strahlung abhängen oder nicht. Insbesondere kann ein photonischer Kristall, der die Struktur eines dreidimensionalen Gitters aufweist, eine photonische Bandlücke aufweisen, die unabhängig von der Richtung der ersten Strahlung ist und die als so genannte vollständige photonische Bandlücke bezeichnet wird. Das kann bedeuten, dass ein solcher photonischer Kristall eine erste Strahlung mit einer ersten Wellenlänge, die im Bereich der vollständigen photonischen Bandlücke liegt, unabhängig von der Richtung der ersten Strahlung nicht transmittieren sondern reflektieren kann. Bei der Verwendung eines Filterelements, das einen photonischen Kristall mit einer vollständigen Bandlücke aufweist, kann vorteilhafterweise Strahlung, die nicht transmittiert wird, nicht verloren gehen, wie beispielsweise im Gegensatz dazu bei der Verwendung absorbierender Stoffe zur Filterung. Dadurch kann die Strahlungsausbeute des optoelektronischen Bauteils auf vorteilhafte Weise erhöht werden.Corresponding the dimension of the photonic crystal, the photonic band gap of the Depend on the propagation direction of the radiation or not. Especially can be a photonic crystal that has the structure of a three-dimensional Lattice has a photonic band gap, regardless of the direction of the first radiation is what is referred to as the so-called complete photonic bandgap becomes. That may mean that such a photonic crystal a first radiation having a first wavelength which is in the range of the complete photonic bandgap lies, independent from the direction of the first radiation does not transmit but can reflect. When using a filter element, the has a photonic crystal with a complete bandgap, can advantageously radiation that is not transmitted, not lost, as opposed to the case of Use of absorbing substances for filtering. This allows the Radiation yield of the optoelectronic device to advantageous Way increased become.

Durch Defekte der Gitterstruktur, beispielsweise in einer Richtung im photonischen Kristall oder isotrop im Kristall verteilt, kann ein photonischer Kristall, ähnlich einem mit Fremdatomen oder Fehlstellen dotierten Festkörper hinsichtlich seiner Wechselwirkung mit sich ausbreitenden Elektronen und deren Beschreibung, erlaubte Photonenzustände innerhalb der photonischen Bandlücke aufweisen. Die erlaubten Photonenzustände können dabei diskret oder kontinuierlich verteilt sein und insbesondere kann es vorteilhaft sein, wenn sich innerhalb der photonischen Bandlücke ein Band mit erlaubten Photonenzuständen befindet. Solche diskreten oder kontinuierlich verteilten erlaubten Photonenzustände innerhalb einer photonischen Bandlücke können auch als Resonanzen bezeichnet werden. Eine Resonanz in einer photonischen Bandlücke kann insbesondere zur Folge haben, dass sich Photonen, die einen durch die Resonanz erlaubten Photonenzustand aufweisen, trotz ihrer Wellenlänge, die im Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke liegt, im photonischen Kristall ausbreiten können. Durch eine geeignete Einbringung von Defekten in den photonischen Kristall, was auch als Dotierung bezeichnet werden kann, kann ein wellenlängenselektives Filter mit einer Transmissionabhängigkeit vorzugsweise in einem sehr schmalbandigen spektralen Bereich erreicht werden.By Defects of the lattice structure, for example in one direction in the photonic crystal or isotropic distributed in the crystal, one can photonic crystal, similar a doped with impurities or defects solid with respect to its interaction with propagating electrons and their description, allowed photon states within the photonic band gap exhibit. The allowed photon states can be discrete or continuous be distributed and in particular it may be beneficial if within the photonic band gap a band with allowed photon states is located. Such discreet or continuously distributed allowed photon states within a photonic band gap can also called resonances. A resonance in a photonic bandgap may in particular have the consequence that photons, a through the resonance allowed photon state, despite their wavelength, the in the wavelength range the photonic band gap lies in the photonic crystal can spread. By a suitable Incorporation of defects in the photonic crystal, so what can be referred to as doping, a wavelength-selective Filter with a transmission dependence preferably achieved in a very narrow band spectral range become.

Bei einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist das Filterelement so über dem strahlungsemittierenden Bauelement angeordnet, dass sich der photonische Kristall im Strahlengang zumindest eines Teils der ersten Strahlung befindet. Es kann dabei vorteilhaft sein, wenn das Filterelement so über dem strahlungsemittierenden Bauelement angeordnet ist, dass sich der photonische Kristall im Strahlengang der gesamten von der strahlungsemittierenden Schichtenfolge emittierten ersten Strahlung befindet.at an embodiment of the optoelectronic component, the filter element is above the radiation-emitting Component arranged that the photonic crystal in the beam path at least a portion of the first radiation is located. It can be advantageous be when the filter element so over the radiation-emitting component is arranged that the photonic crystal in the beam path of the entire of the radiation-emitting Layer sequence emitted first radiation is located.

Bei einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der photonische Kristall Eigenschaften eines dreidimensionalen photonischen Kristalls auf und zumindest ein Teil des ersten Wellenlängenbereichs liegt im Bereich der vollständigen photonischen Bandlücke. Das kann bedeuten, dass zumindest ein Teil der ersten Strahlung nicht durch den photonischen Kristall transmittert wird sondern reflektiert wird. Weiterhin kann auch der gesamte erste Wellenlängenbereich im Wellenlängenbereich der vollständigen photonischen Bandlücke liegen. Das kann insbesondere bedeuten, dass unabhängig von der Ausbreitungsrichtung der ersten Strahlung die erste Strahlung vollständig von dem photonischen Kristall reflektiert werden kann.at a further embodiment of the optoelectronic component, the photonic crystal has properties of a three-dimensional photonic crystal and at least a part of the first wavelength range lies within the range of the complete photonic band gap. That may mean that at least part of the first radiation is not transmitted by the photonic crystal but is reflected. Furthermore, the entire first wavelength range can also be used in the wavelength range the complete photonic band gap lie. This may mean, in particular, that regardless of the propagation direction of the first radiation, the first radiation Completely can be reflected from the photonic crystal.

Bei einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist der Wellenlängenbereich, den die photonische Bandlücke überdeckt, variabel einstellbar, das heißt insbesondere durch eine äußere Einwirkung einstellbar. Eine solche äußere Einwirkung, die eine Variation der photonischen Bandlücke bewirken kann, kann mittelbar oder unmittelbar auf den photo nischen Kristall wirken. Eine Variation der photonischen Bandlücke kann insbesondere bedeuten, dass der Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke verringert wird, so dass die photonische Bandlücke einen kleineren Wellenlängenbereich überdeckt. Weiterhin kann der Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke vergrößert werden, so dass die photonische Bandlücke einen breiteren Wellenlängenbereich überdeckt. Weiterhin kann der Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke zu höheren oder niedrigeren Wellenlängen verschoben werden. Darüber hinaus kann eine Variation der photonischen Bandlücke durch einen variabel einstellbaren Wellenlängenbereich eine Änderung der Transparenz des photonischen Kristalls für Strahlung in dem variabel einstellbaren Wellenlängenbereich bedeuten. Darüber hinaus kann die Variation der photonischen Bandlücke eine Kombination von vorher genannten Variationen bedeuten. Dabei kann eine Variation der photonischen Bandlücke eine Variation einer oder mehrerer photonischer Bandlücken bedeuten, die in verschiedenen Richtungen des photonischen Kristalls definiert sein können, auf die gleiche oder auf verschiedene Weisen. Insbesondere kann es sich dabei auch um die Änderung einer vollständigen photonischen Bandlücke durch eine oder mehrere der beschriebenen Variationen handeln. Durch die variabel einstellbare photonische Bandlücke können sich insbesondere auch die Transmissions- und Reflektionseigenschaften des photonischen Kristalls für eine oder mehrere Wellenlängen ändern. So kann etwa die Transmission der ersten Strahlung durch den photonischen Kristall durch eine Variation der variabel einstellbaren Bandlücke zu- oder abnehmen.In one embodiment of the optoelectronic component, the wavelength range which the photonic band gap covers can be variably adjusted, that is to say can be adjusted in particular by an external action. Such an external action, which can cause a variation of the photonic band gap, can act directly or indirectly on the photonic crystal. A variation of the photonic band gap may in particular mean that the wavelength range of the photonic band gap is reduced, so that the photonic band gap covers a smaller wavelength range. Furthermore, the wavelength range of the photonic band gap can be increased, so that the photonic band gap covers a wider wavelength range. Furthermore, the wavelength range of the photonic band gap can be shifted to higher or lower wavelengths. In addition, a variation of the photonic band gap by a variably adjustable The wavelength range means a change in the transparency of the photonic crystal for radiation in the variably adjustable wavelength range. In addition, the variation of the photonic band gap may mean a combination of the aforementioned variations. In this case, a variation of the photonic bandgap may mean a variation of one or more photonic bandgaps, which may be defined in different directions of the photonic crystal, in the same or different ways. In particular, it may also be the change of a complete photonic band gap by one or more of the variations described. As a result of the variably adjustable photonic band gap, the transmission and reflection properties of the photonic crystal, in particular, can change for one or more wavelengths. For example, the transmission of the first radiation through the photonic crystal can increase or decrease by a variation of the variably adjustable band gap.

Eine äußere Einwirkung kann insbesondere eine Änderung der optischen Weglänge der ersten Strahlung in ersten Bereichen, in zweiten Bereichen oder in ersten und zweiten Bereichen bedeuten. Die optische Weglänge eines Bereichs für erste Strahlung wird dabei als das Produkt aus dem Brechungsindex des Bereichs und der geometrischen Weglänge der Strahlung in dem Bereich definiert. Beispielsweise kann eine äußere Einwirkung eine Änderung der Periodizität in einer oder mehreren Richtungen durch Ausdehnung oder Kontraktion zumindest von Teilen der ersten und/oder der zweiten Bereiche des photonischen Kristalls bewirken. Das kann bedeuten, dass sich durch die äußere Einwirkung die geometrische Weglänge der ersten Strahlung in ersten und/oder zweiten Bereichen ändert. Weiterhin kann eine äußere Einwirkung eine Änderung der Struktur, der räumlichen Orientierung, der magnetischen Orientierung und/oder der elektrischen Polarität zumindest von Teilen der ersten und/oder der zweiten Bereiche des photonischen Kristalls bewirken. Durch derartige Änderungen kann beispielsweise der Brechungsindex zumindest von Teilen der ersten und/oder der zweiten Bereiche geändert werden. Dabei kann es vorteilhaft sein, wenn erste Bereiche und/oder zweite Bereiche Material enthalten, das eine Abhängigkeit seiner optischen Eigenschaften von einer äußeren Einwirkung aufweist. Beispielsweise sind hier Materialien zu nennen, die etwa einen Brechungsindex aufweisen, der von einem elektrischen Feld, einem magnetischen Feld, einem elektromagnetischen Feld, einem Strom, einer Temperaturänderung oder einer mechanischen Einwirkung abhängen. Lediglich beispielhaft seien in diesem Zusammenhang Materialien wie Ferroelektrika, Ferromagnetika, Ferrimagnetika und insbesondere auch Flüssigkristalle genannt.An external influence In particular, a change the optical path length the first radiation in first areas, in second areas or in first and second areas. The optical path length of a Area for first radiation is considered as the product of the refractive index the area and the geometric path length of the radiation in the area Are defined. For example, an external effect may be a change of periodicity in one or more directions by expansion or contraction at least parts of the first and / or the second regions of the photonic Crystal effect. That may mean that through the external influence the geometric path length the first radiation in first and / or second areas changes. Farther can be an external influence a change the structure, the spatial Orientation, magnetic orientation and / or electrical polarity at least parts of the first and / or second areas of the photonic crystal effect. By such changes For example, the refractive index of at least parts of the first and / or second areas are changed. It can be advantageous if first areas and / or second areas material contain a dependency its optical properties from an external impact. For example, here are materials to call that about a refractive index characterized by an electric field, a magnetic field, an electromagnetic field, a current, a temperature change or a mechanical action. Merely as an example be in this context materials such as ferroelectrics, ferromagnetics, Ferrimagnetics and in particular also called liquid crystals.

Bei einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils wird die Variation der photonischen Bandlücke hervorgerufen durch das Anlegen eines elektrischen oder eines magnetischen Feldes an den photonischen Kristall. Das elektrische oder magnetische Feld kann dabei senkrecht oder parallel oder unter einem bestimmten Winkel zur Ausbreitungsrichtung der ersten Strahlung angelegt werden und zeitlich konstant oder veränderlich sein. Weiterhin kann das elektrische oder das magnetische Feld verschiedene Richtungen in verschiedenen Teilbereichen des photonischen Kristalls aufweisen. Weiterhin kann die Variation durch ein elektromagnetisches Feld oder einen Strom hervorgerufen werden, wobei die Richtung des elektromagnetischen Feldes oder des Stroms eine Richtung senkrecht oder parallel oder unter einem bestimmten Winkel zur Ausbreitungsrichtung der ersten Strahlung aufweisen kann und zeitlich konstant oder veränderlich sein kann. Auch kann das elektromagnetische Feld oder der Strom zeitlich konstant oder variabel sein.at a further embodiment of the optoelectronic component is the variation of the photonic bandgap caused by the application of an electrical or a magnetic Field to the photonic crystal. The electric or magnetic Field can be vertical or parallel or under a certain Angle to the propagation direction of the first radiation can be applied and temporally constant or changeable be. Furthermore, the electric or the magnetic field may be different Directions in different parts of the photonic crystal exhibit. Furthermore, the variation by an electromagnetic Field or a current, the direction of the electromagnetic field or current a direction perpendicular or parallel or at a certain angle to the propagation direction may have the first radiation and temporally constant or variable can be. Also, the electromagnetic field or the current be constant in time or variable.

Bei einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils kann die Variation der photonischen Bandlücke durch eine Temperaturänderung zumindest in Teilen der ersten und/oder zweiten Bereiche des photonischen Kristalls hervorgerufen werden. Das bedeutet insbesondere eine Erhöhung oder eine Erniedrigung der Temperatur des photonischen Kristalls oder von Teilen des photonischen Kristalls. Die Temperaturänderung kann dabei beispielsweise eine Ausdehnung oder eine Kontraktion zumindest von Teilen der ersten und/oder zweiten Bereiche bewirken. Dabei kann es vorteilhaft sein, wenn die ersten und zweiten Bereiche unterschiedliche Temperaturausdehnungskoeffizienten aufweisen. Weiterhin kann die Temperaturänderung eine Änderung der Struktur wie etwa eine Änderung der chemischen Struktur oder eine Umorientierung von Materialbestandteilen oder Materialien zumindest von Teilen der ersten und/oder zweiten Bereiche bewirken.at a further embodiment of the optoelectronic component, the variation of the photonic bandgap by a temperature change at least in part of the first and / or second regions of the photonic Crystals are evoked. This means in particular an increase or a lowering of the temperature of the photonic crystal or of parts of the photonic crystal. The temperature change may, for example, an expansion or contraction at least cause of parts of the first and / or second areas. there it may be advantageous if the first and second areas are different Have thermal expansion coefficient. Furthermore, the temperature change a change the structure such as a change the chemical structure or a reorientation of material components or materials of at least portions of the first and / or second Effect areas.

Weiterhin kann die Variation der photonischen Bandlücke durch eine mechanische Einwirkung hervorgerufen werden, wobei die mechanische Einwirkung beispielsweise ein Druck, ein Zug, eine Scherkraft oder eine Kombination daraus sein kann. Insbesondere können mehrere mechanische Einwirkungen in verschiedenen Richtungen die Variation der photonischen Bandlücke hervorrufen. Eine mechanische Einwirkung kann dabei auch eine Änderung der Struktur wie etwa eine Umorientierung von Materialbestandteilen oder Materialien zumindest von Teilen der ersten und/oder zweiten Bereiche bewirken.Farther can the variation of the photonic band gap by a mechanical Action to be caused, the mechanical action For example, a pressure, a train, a shear or a combination can be from it. In particular, you can several mechanical actions in different directions the Variation of the photonic band gap cause. A mechanical action can also be a change the structure such as a reorientation of material components or materials of at least portions of the first and / or second Effect areas.

Bei einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils wird die Variation der photonischen Bandlücke durch die Kombination von mehreren äußeren Einwirkungen hervorgerufen.In a further embodiment of the optoelectronic component, the variation of the pho tonic band gap caused by the combination of multiple external agents.

Bei einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils wird ein elektrisches Feld an dem photonischen Kristall mittels zweier Elektroden angelegt. Es kann dabei vorteilhaft sein, wenn die Elektroden an zwei gegenüberliegenden Seiten des photonischen Kristalls angeordnet sind, so dass der photonische Kristall zwischen den Elektroden angeordnet ist. Insbesondere können die Elektroden im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge angeordnet sein. Dabei können die Elektroden mindestens ein transparentes Material umfassen, wobei das transparente Material ein Metall, vorzugsweise von ausreichend geringer Dicke, ein transparentes leitendes Oxid oder ein organisches elektrisch leitendes Material umfassen kann. Darüber hinaus können die Elektroden eine Kombination dieser und anderer Materialien umfassen, wobei die beiden Elektroden aus gleiche oder unterschiedliche Materialien umfassen können. Transparente leitende Oxide (transparent conductive Oxides, kurz „TCO") sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder vorzugsweise Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO₂ oder In₂O₃ gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn₂SnO₄, CdSnO₃, ZnSnO₃, MgIn₂O₄, GaInO₃, Zn₂In₂O₅ oder In₄Sn₃O₁₂ oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs. Beispielsweise kann die Herstellung eines Filterelements mit einem photonischen Kristall mit variabler Transmission für die erste Strahlung folgende Schritte umfassen: Auf eine erste Elektrode bildende, transparente, leitende Schicht, beispielsweise ITO, kann ein photonischer Kristall mit einer variablen photonischen Bandlücke, beispielsweise durch Elektrophorese oder nasschemische Verfahren, aufgebracht werden. Weiterhin kann der photonische Kristall mit einer weiteren ITO-Schicht bedeckt werden, die eine zweite Elektrode bildet. Dabei kann das Filterelement auf einem Substrat hergestellt werden. Das Filterelement kann damit das Substrat umfassen und zusammen mit dem Substrat auf das optoelektronische Bauteil im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge aufgebracht werden oder von dem Substrat auf das optoelektronische Bauteil übertragen werden.In a further embodiment of the optoelectronic component, an electric field is applied to the photonic crystal by means of two electrodes. It may be advantageous if the electrodes are arranged on two opposite sides of the photonic crystal, so that the photonic crystal is arranged between the electrodes. In particular, the electrodes can be arranged in the beam path of the radiation-emitting layer sequence. In this case, the electrodes may comprise at least one transparent material, wherein the transparent material may comprise a metal, preferably of a sufficiently small thickness, a transparent conductive oxide or an organic electrically conductive material. In addition, the electrodes may comprise a combination of these and other materials, where the two electrodes may comprise the same or different materials. Transparent conductive oxides ("TCOs" for short) are transparent, conductive materials, generally metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or preferably indium tin oxide (ITO) in addition to binary metal oxygen compounds, such as ZnO, for example. SnO ₂ or In ₂ O _{3 also} include ternary metal oxygen compounds such as Zn ₂ SnO ₄ , CdSnO ₃ , ZnSnO ₃ , MgIn ₂ O ₄ , GaInO ₃ , Zn ₂ In ₂ O ₅ or In ₄ Sn ₃ O ₁₂ or mixtures of different transparent ones For example, the fabrication of a variable transmission photonic crystal filter element for the first radiation may include the steps of: forming a first electrode-forming, transparent, conductive layer, such as ITO, a photonic crystal having a variable crystal photonic band gap, for example, by electrophoresis or wet-chemical methods, aufgebra be. Furthermore, the photonic crystal may be covered with another ITO layer forming a second electrode. In this case, the filter element can be produced on a substrate. The filter element may thus comprise the substrate and be applied together with the substrate to the optoelectronic component in the beam path of the radiation-emitting layer sequence or be transferred from the substrate to the optoelectronic component.

Bei einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil eine strahlungsemittierende Schichtenfolge, die aufgrund von Elektrolumineszenz in wenigstens einem aktiven Bereich eine erste Strahlung in einem ersten Wellenlängenbereich aussendet.at an embodiment the optoelectronic component comprises a radiation-emitting layer sequence, due to electroluminescence in at least one active Range a first radiation in a first wavelength range sending out.

Bei einer Ausführungsform ist die strahlungsemittierende Schichtenfolge eine anorganische strahlungsemittierende Halbleiterschichtenfolge, die geeignet ist, elektromagnetische Strahlung mit Wellenlängen vom ultravioletten Spektralbereich bis zum blauen Spektralbereich zu emittieren. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge als Epitaxieschichtenfolge, also als epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge ausgeführt sein. Insbesondere kann die Halbleiterschichtenfolge beispielsweise auf der Basis eines anorganischen Materials, etwa InGaAlN, wie etwa als GaN-Dünnfilm-Halbleiterschichtenfolge, ausgeführt sein. Unter InGaAlN-basierte Halbleiterschichtenfolgen fallen insbesondere solche, bei denen die epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtenfolge, die in der Regel eine Schichtenfolge aus unterschiedlichen Einzelschichten aufweist, mindestens eine Einzelschicht enthält, die ein Material aus dem III-V-Verbindungshalbleitermaterialsystem Iu_xAl_yGa_1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist.In one embodiment, the radiation-emitting layer sequence is an inorganic radiation-emitting semiconductor layer sequence that is suitable for emitting electromagnetic radiation with wavelengths from the ultraviolet spectral range to the blue spectral range. In this case, the semiconductor layer sequence can be embodied as an epitaxial layer sequence, that is to say as an epitaxially grown semiconductor layer sequence. In particular, the semiconductor layer sequence may, for example, be based on an inorganic material, such as InGaAlN, such as a GaN thin-film semiconductor layer sequence. InGaAlN-based semiconductor layer sequences are in particular those in which the epitaxially produced semiconductor layer sequence, which as a rule has a layer sequence of different individual layers, contains at least one single layer comprising a material of the III-V compound semiconductor material system Iu _x Al _y Ga _1-xy N with 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 and x + y ≤ 1.

Alternativ oder zusätzlich kann die Halbleiterschichtenfolge auch auf InGaAlP basieren, das heißt, dass die Halbleiterschichtenfolge unterschiedliche Einzelschichten aufweist, wovon mindestens eine Einzelschicht ein Material aus dem III-V-Verbindungshalbleitermaterialsystem In_xAl_yGa_1-x-yP mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist. Alternativ oder zusätzlich kann die Halbleiterschichtenfolge auch andere III-V-Verbindungshalbleitermaterialsysteme, beispielsweise ein AlGaAs-basiertes Material, oder II-VI-Verbindungshalbleitermaterialsysteme aufweisen.Alternatively or additionally, the semiconductor layer sequence can also be based on InGaAlP, that is to say that the semiconductor layer sequence has different individual layers, of which at least one individual layer is a material composed of the III-V compound semiconductor material system In _x Al _y Ga _1-xy P where 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≤ y ≤ 1 and x + y ≤ 1. Alternatively or additionally, the semiconductor layer sequence can also comprise other III-V compound semiconductor material systems, for example an AlGaAs-based material, or II-VI compound semiconductor material systems.

Bei einer weiteren Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge eine strahlungsemittierende Dünnfilm-Halbleiterschichtenfolge verwendet werden. Weiterhin kann die strahlungsemittierende Halbleiterschichtenfolge oder die strahlungsemittierende Dünnfilm-Halbleiterschichtenfolge als Halbleiterleuchtdiode oder Dünnfilm-Halbleiterleuchtdiode ausgeführt sein. Eine strahlungsemittierende Dünnfilmschichtenfolge oder eine Dünnfilm-Halbleiterleuchtdiode zeichnen sich insbesondere durch folgende charakteristische Merkmale aus:

– an einer zu einem Trägerelement hin gewandten ersten Hauptfläche einer strahlungserzeugenden Epitaxieschichtenfolge ist eine reflektierende Schicht aufgebracht oder ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert;
– die Epitaxieschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich von 10 μm auf; und
– die Epitaxieschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichtes in der epitaktischen Epitaxieschichtenfolge führt, d.h. sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf. Ein Grundprinzip einer Dünnschicht-Halbleiterleuchtdiode ist beispielsweise in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

In a further embodiment, the semiconductor layer sequence may be a radiation-emitting thin-film semiconductor layer sequence. Furthermore, the radiation-emitting semiconductor layer sequence or the radiation-emitting thin-film semiconductor layer sequence can be embodied as a semiconductor light-emitting diode or thin-film semiconductor light-emitting diode. A radiation-emitting thin-film layer sequence or a thin-film semiconductor light-emitting diode are characterized in particular by the following characteristic features:

On a first main surface of a radiation-generating epitaxial layer sequence which faces toward a carrier element, a reflective layer is applied or formed which reflects back at least part of the electromagnetic radiation generated in the epitaxial layer sequence;
- The epitaxial layer sequence has a thickness in the range of 20 microns or less, in particular in the range of 10 microns; and
The epitaxial layer sequence contains at least one semiconductor layer with at least one surface which has a mixing structure which, in the ideal case, leads to an approximately ergodic distribution of the light in the epitaxial epitaxial layer sequence, ie it has a possible the most ergodic stochastic scattering behavior. A basic principle of a thin-film semiconductor light-emitting diode is, for example, in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18 October 1993, 2174-2176 described, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.

Bei einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils ist die strahlungsemittierende Schichtenfolge eine organische strahlungsemittierende Schichtenfolge, insbesondere eine organische, strahlungsemittierende Diode (OLED). Eine organische strahlungsemittierende Schichtenfolge beziehungsweise eine OLED kann beispielsweise eine erste Elektrode auf einem Substrat aufweisen. Über der ersten Elektrode kann ein funktionaler Bereich mit einer oder mehreren funktionalen Schichten aus organischen Materialien aufgebracht sein. Die funktionalen Schichten können dabei beispielsweise Elektronentransportschichten, elektrolumineszierende Schichten und/oder Lochtransportschichten aufweisen. Über den funktionalen Schichten kann eine zweite Elektrode aufgebracht sein.at an embodiment of the optoelectronic component is the radiation-emitting layer sequence an organic radiation-emitting layer sequence, in particular an organic, radiation-emitting diode (OLED). An organic radiation-emitting layer sequence or an OLED For example, it may have a first electrode on a substrate. Above the first electrode may be a functional area with one or more be applied to functional layers of organic materials. The functional layers can in this case, for example, electron transport layers, electroluminescent layers and / or hole transport layers. Over the functional layers a second electrode may be applied.

Beispielsweise kann das Substrat Glas, Quarz, Kunststofffolien, Metall, Metallfolien, Siliziumwafer oder ein beliebiges anderes geeignetes Substratmaterial umfassen. Alternativ kann das Substrat andere und/oder weitere Schichten, Elemente und/oder Bereiche des optoelektronischen Bauteils aufweisen. Ist die OLED als so genannter „Bottom-Emitter" ausgeführt, das heißt, das die in den funktionellen Schichten erzeugte Strahlung durch das Substrat abgestrahlt wird, so kann das Substrat vorteilhafterweise eine Transparenz für zumindest einen Teil der ersten Strahlung aufweisen.For example the substrate glass, quartz, plastic films, metal, metal foils, Silicon wafers or any other suitable substrate material include. Alternatively, the substrate can be other and / or further layers, Have elements and / or regions of the optoelectronic device. Is the OLED designed as a so-called "bottom emitter", the is called, that the radiation generated in the functional layers through the Substrate is radiated, the substrate may advantageously a transparency for have at least a portion of the first radiation.

In der Bottom-Emitter-Konfiguration kann vorteilhafterweise auch die erste Elektrode eine Transparenz für zumindest einen Teil der ersten Strahlung aufweisen. Eine transparente erste Elektrode, die als Anode ausgeführt sein kann und somit als Löcher-induzierendes Material dient, kann beispielsweise ein transparentes leitendes Oxid aufweisen oder aus einem transparenten leitenden Oxid bestehen. Transparente leitende Oxide (transparent conductive Oxides, kurz „TCO") sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO₂ oder In₂O₃ gehören auch ternäre Metallsauerstoff verbindungen, wie beispielsweise Zn₂SnO₄, CdSnO₃, ZnSnO₃, MgIn₂O₄, GaInO₃, Zn₂In₂O₅ oder In₄Sn₃O₁₂ oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n-dotiert sein.In the bottom emitter configuration, advantageously, the first electrode may also have transparency for at least a portion of the first radiation. A transparent first electrode, which may be embodied as an anode and thus serves as a hole-inducing material, may for example comprise a transparent conductive oxide or consist of a transparent conductive oxide. Transparent conductive oxides ("TCOs" for short) are transparent, conductive materials, typically metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO) In addition to binary metal oxygen compounds, such as ZnO, SnO ₂ or In ₂ O _{3 also} include ternary metal oxygen compounds, such as Zn ₂ SnO ₄ , CdSnO ₃ , ZnSnO ₃ , MgIn ₂ O ₄ , GaInO ₃ , Zn ₂ In ₂ O ₅ or In ₄ Sn ₃ O ₁₂ or mixtures of different transparent In addition, the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.

Die funktionalen Schichten können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules") oder Kombinationen daraus aufweisen. Insbesondere kann es vorteilhaft sein, wenn eine funktionale Schicht als Lochtransportschicht ausgeführt ist um eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich zu ermöglichen. Als Materialien für eine Lochtransportschicht können sich beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen als vorteilhaft erweisen. Weiterhin kann es vorteilhaft sein, wenn eine funktionelle Schicht als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt ist. Als Materialien hierzu eignen sich Materialien, die eine Strahlungsemission aufgrund von Fluoreszenz oder Phosphoreszenz aufweisen, beispielsweise Polyfluoren, Polythiophen oder Polyphenylen oder Derivate, Verbindungen, Mischungen oder Copolymere davon. Abhängig von den Materialien in den funktionellen Schichten kann die erzeugte erste Strahlung einzelne Wellenlängen oder Bereiche oder Kombinationen daraus aus dem ultravioletten bis rotem Spektralbereich aufweisen.The functional layers can organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or combinations have it. In particular, it may be advantageous if a functional layer is designed as a hole transport layer for an effective hole injection in an electroluminescent layer or an electroluminescent To allow area. As materials for a hole transport layer can become for example, tertiary Amines, carbazole derivatives, conductive polyaniline or Polyethylendioxythiophen as prove beneficial. Furthermore, it may be advantageous if a functional layer is designed as an electroluminescent layer. Suitable materials for this are materials that emit radiation due to fluorescence or phosphorescence, for example Polyfluorene, polythiophene or polyphenylene or derivatives, compounds, Mixtures or copolymers thereof. Depending on the materials in In the functional layers, the generated first radiation can be single wavelength or areas or combinations thereof from the ultraviolet to have red spectral range.

Die zweite Elektrode kann als Kathode ausgeführt sein und somit als Elektronen-induzierendes Material dienen. Als Kathodenmaterial können sich unter anderem insbesondere Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Kalzium oder Lithium sowie Verbindungen, Kombinationen und Legierungen davon als vorteilhaft erweisen. Zusätzlich oder alternativ kann die zweite Elektrode auch transparent ausgeführt sein und/oder die erste Elektrode kann als Kathode und die zweite Elektrode als Anode ausgeführt sein. Das bedeutet insbesondere, dass die OLED auch als „Top-Emitter" ausgeführt sein kann.The second electrode may be designed as a cathode and thus as an electron-inducing material serve. As cathode material can especially aluminum, barium, indium, silver, Gold, magnesium, calcium or lithium as well as compounds, combinations and alloys thereof prove beneficial. Additionally or alternatively the second electrode can also be made transparent and / or the first electrode may serve as the cathode and the second electrode designed as an anode be. This means, in particular, that the OLEDs are also designed as "top emitters" can.

Weiterhin kann die OLED eine Verkapselung aufweisen, um für die Elektroden und den funktionalen Bereich einen Schutz vor Feuchtigkeit und/oder oxidierenden Substanzen wie etwa Sauerstoff zu erreichen. Dabei kann die Verkapselung die gesamte OLED einschließlich des Substrats umgeben. Alternativ kann das Substrat einen Teil der Verkapselung bilden. Die Verkapselung kann dabei eine oder mehrere Schichten umfassen, wobei die Schichten der Verkapselung beispielsweise Planarisierungsschichten, Barriereschichten, Wasser und/oder Sauerstoff absorbierende Schichten, Verbindungsschichten oder Kombinationen daraus sein können.Farther For example, the OLED may have an encapsulation for the electrodes and the functional ones Range protection from moisture and / or oxidizing substances how to achieve oxygen. The encapsulation can be the including entire OLED surrounded by the substrate. Alternatively, the substrate may be a part of Form encapsulation. The encapsulation can be one or more Layers include, for example, the layers of encapsulation Planarization layers, barrier layers, water and / or oxygen absorbing Layers, tie layers or combinations thereof may be.

Bei einer Ausführungsform ist die strahlungsemittierende Schichtenfolge als strahlungsemittierendes Bauelement ausgeführt. Dies bedeutet insbesondere, dass das strahlungsemittierende Bauelement aus einer strahlungsemittierenden Schichtenfolge als separates Bauelement herstellbar ist. Weiterhin kann dies bedeuten, dass zur Herstellung des optoelektronischen Bauteils ein strahlungsemittierendes Bauelement bereitgestellt wird und mit den weiteren Elementen des optoelektronischen Bauteils wie etwa einem Wellenlängenkonversionselement und einem Filterelement zusammengefügt wird.In one embodiment, the radiation-emitting layer sequence is designed as a radiation-emitting component. This means, in particular, that the radiation-emitting component can be produced from a radiation-emitting layer sequence as a separate component. Furthermore, this may mean that for the production of the Optoelectronic component, a radiation-emitting device is provided and is joined together with the other elements of the optoelectronic device, such as a wavelength conversion element and a filter element.

Bei einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils weist der Wellenlängenkonversionsbereich Wellenlängenkonversionsstoffe auf, die geeignet sind, vorzugsweise Strahlung in einem ersten Wellenlängenbereich zu absorbieren und in einem zweiten Wellenlängenbereich zu emittieren, der vom ersten Wellenlängenbereich verschieden ist. Besonders vorteilhaft kann es sein, wenn die erste Strahlung, die von der strahlungsemittierenden Schichtenfolge emittiert wird, ein erstes Spektrum aufweist, das in einem ultravioletten bis blauen Wellenlängenbereich liegt und das zumindest teilweise von den Wellenlängenkonversionsstoffen absorbiert werden kann. Dies bedeutet, dass die strahlungsemittierende Schichtenfolge vorteilhafterweise beispielsweise ultraviolettes oder blaues Licht emittieren kann. Weiterhin kann es vorteilhaft sein, wenn das zweite Spektrum, das von den Wellenlängenkonversionsstoffen emittiert wird, in einem blauen bis roten Wellenlängenbereich liegt. Dabei kann das erste Spektrum und/oder das zweite Spektrum schmalbandig sein, das heißt, dass das erste Spektrum und/oder das zweite Spektrum nur einen einfarbigen oder annähernd einfarbigen Wellenlängenbereich aufweisen kann. Das erste Spektrum und/oder das zweite Spektrum kann alternativ auch breitbandig sein, das heißt, dass das erste Spektrum und/oder das zweite Spektrum einen mischfarbigen Wellenlängenbereich aufweisen kann, wobei der mischfarbige Wellenlängenbereich ein kontinuierliches Spektrum oder mehrere diskrete spektrale Komponenten mit verschiedenen Wellenlängen aufweisen kann.at an embodiment of the optoelectronic component has the wavelength conversion range Wavelength conversion substances which are suitable, preferably radiation in a first wavelength range absorb and emit in a second wavelength range, that of the first wavelength range is different. It may be particularly advantageous if the first radiation, which is emitted by the radiation-emitting layer sequence, has a first spectrum that is in an ultraviolet to blue Wavelength range lies and that at least partially of the wavelength conversion materials can be absorbed. This means that the radiation-emitting Layer sequence advantageously, for example, ultraviolet or emit blue light. Furthermore, it may be advantageous be if the second spectrum, that of the wavelength conversion materials is emitted in a blue to red wavelength range lies. In this case, the first spectrum and / or the second spectrum be narrowband, that is, that the first spectrum and / or the second spectrum only one monochrome or nearly have monochrome wavelength range can. The first spectrum and / or the second spectrum may alternatively also be broadband, that is, that the first spectrum and / or the second spectrum is a mixed-color Wavelength range may have, wherein the mixed-color wavelength range is a continuous Spectrum or multiple discrete spectral components with different wavelength can have.

Als vorteilhafte Wellenlängenkonversionsstoffe sind beispielhaft anzuführen:

– Granate der Seltenen Erden und der Erdalkalimetalle, wie beispielsweise in US 2004062699 A1 und dem dort beschriebenen Stand der Technik offenbart, deren Offenbarungsgehalt diesbezüglich durch Rückbezug aufgenommen wird;
– Nitride, Sione und Sialone, wie beispielsweise in DE 10147040 A1 und dem dort beschriebenen Stand der Technik offenbart, deren Offenbarungsgehalt diesbezüglich durch Rückbezug aufgenommen wird;
– Aluminate, Oxide, Halophosphate, wie beispielsweise in US 6,616,862 B2 und dem dort beschriebenen Stand der Technik offenbart, deren Offenbarungsgehalt diesbezüglich durch Rückbezug aufgenommen wird;
– Orthosilikate, Sulfide, und Vanadate wie beispielsweise in WO 00/33390 A1 und dem dort beschriebenen Stand der Technik offenbart, deren Offenbarungsgehalt diesbezüglich durch Rückbezug aufgenommen wird;
– Chlorosilikate, wie beispielsweise in DE 10036940 A1 und dem dort beschriebenen Stand der Technik offenbart, deren Offenbarungsgehalt diesbezüglich durch Rückbezug aufgenommen wird.

As advantageous wavelength conversion substances are exemplified:

- Grenades of rare earths and alkaline earth metals, such as in US 2004062699 A1 and the prior art described therein, the disclosure of which is hereby incorporated by reference;
- nitrides, sions and sialons, such as in DE 10147040 A1 and the prior art described therein, the disclosure of which is hereby incorporated by reference;
Aluminates, oxides, halophosphates, such as in US 6,616,862 B2 and the prior art described therein, the disclosure of which is hereby incorporated by reference;
- Orthosilicates, sulfides, and vanadates such as in WO 00/33390 A1 and the prior art described therein, the disclosure of which is hereby incorporated by reference;
- Chlorosilicates, such as in DE 10036940 A1 and the prior art described therein, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.

Weiterhin kann der Wellenlängenkonversionsbereich auch geeignete Mischungen umfassen, die beispielsweise oben genannte Wellenlängenkonversionsstoffe aufweisen. Dadurch kann es beispielsweise bevorzugt möglich sein, dass der Wellenlängenkonversionsbereich in einem blauen ersten Wellenlängenbereich absorbiert und in einem zweiten Wellenlängenbereich emittiert, der grüne und rote Wellenlängen und/oder Wellenlängenbereiche aufweist.Farther can the wavelength conversion range also suitable mixtures include, for example, the above Wavelength conversion substances exhibit. This may, for example, preferably be possible that the wavelength conversion range in a blue first wavelength range absorbed and emitted in a second wavelength range, the green and red wavelengths and / or wavelength ranges having.

Weiterhin kann der Wellenlängenkonversionsbereich transparentes Matrixmaterial umfassen, das die Wellenlängenkonversionsstoffe umgibt oder enthält oder an die Wellenlängenkonversionsstoffe chemisch gebunden ist. Das transparente Matrixmaterial kann beispielsweise Silikone, Epoxide, Acrylate, Imide, Carbonate, Olefine oder Derivate davon in Form von Monomeren, Oligomeren oder Polymeren als Mischungen, Copolymere oder Verbindungen damit aufweisen. Beispielsweise kann der Wellenlängenkonversionsbereich als Wellenlängenkonversionselement ausgeführt sein. Das bedeutet insbesondere, dass der Wellenlängenkonversionsbereich beispielsweise in einem separaten Herstellungsschritt als formstabiles Wellenlängenkonversionselement herstellbar ist, und beispielsweise als ein in einem Formprozess wie etwa einem Gieß-, Press-, oder Spritzpressverfahren herstellbarer Formkörper. Die Wellenlängenkonversionsstoffe können dem Matrixmaterial vorteilhafterweise vor dem Formprozess beigemischt sein. Weiterhin kann der Wellenlängenkonversionsbereich in flüssiger Form mit einem Polymer oder Polymeren als Matrixmaterial als Schicht oder Schichtenfolge während des Herstellungsprozesses des optoelektronischen Bauteils auftragbar sein.Farther can the wavelength conversion range transparent matrix material comprising the wavelength conversion materials surrounds or contains or to the wavelength conversion substances chemically is bound. For example, the transparent matrix material Silicones, epoxies, acrylates, imides, carbonates, olefins or derivatives of which in the form of monomers, oligomers or polymers as mixtures, Have copolymers or compounds therewith. For example, can the wavelength conversion range as a wavelength conversion element accomplished be. This means in particular that the wavelength conversion range for example, in a separate manufacturing step as dimensionally stable Wavelength conversion element produced is, for example, as one in a molding process such as a casting, Pressing or transfer molding processable moldings. The wavelength conversion substances can the matrix material advantageously added before the molding process be. Furthermore, the wavelength conversion range in liquid Form with a polymer or polymers as matrix material as a layer or layer sequence during the production process of the optoelectronic device can be applied be.

Bei einer Ausführungsform ist das Filterelement dem Wellenlängenkonversionsbereich im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge nachgeordnet. Alternativ kann der Wellenlängenkonversionsbereich dem Filterelement im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge nachgeordnet sein.at an embodiment the filter element is the wavelength conversion area in the beam path downstream of the radiation-emitting layer sequence. alternative can the wavelength conversion range the filter element in the beam path of the radiation-emitting layer sequence be subordinate.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge wenigstens zwei Wellenlängenkonversionsbereiche lateral, das heißt nebeneinander in Bezug auf den Strahlengang angeordnet und jedem Wellenlängenkonversionsbereich ist jeweils ein Filterelement im Strahlengang nachgeordnet. Alternativ kann es auch bevorzugt sein, wenn jeder der wenigstens zwei Wellenlängenkonversionsbereiche jeweils einem Filterelement im Strahlengang nachgeordnet ist. Insbesondere kann es besonders bevorzugt sein, wenn wenigstens zwei Wellenlängenkonversionselemente lateral im Strahlengang angeordnet sind und die von einem der wenigstens zwei Wellenlängenkonversionselementen emittierte zweite Strahlung ein zweites Spektrum aufweist, das verschieden zum zweiten Spektrum des anderen Wellenlängenkonversionselements ist. Diesbezüglich kann beispielsweise ein Wellenlängenkonversionselement ein rotes zweites Spektrum aufweisen und ein lateral dazu benachbart angeordnetes Wellenlängenkonversionselement ein grünes Spektrum aufweisen.In a preferred embodiment, at least two wavelength conversion regions are arranged laterally in the beam path of the radiation-emitting layer sequence, that is to say side by side with respect to the beam path, and one filter element in the beam path is arranged downstream of each wavelength conversion region. Alternatively, it may also be preferred if each of the little ones at least two wavelength conversion regions each downstream of a filter element in the beam path. In particular, it may be particularly preferred if at least two wavelength conversion elements are arranged laterally in the beam path and the second radiation emitted by one of the at least two wavelength conversion elements has a second spectrum which is different from the second spectrum of the other wavelength conversion element. In this regard, for example, a wavelength conversion element can have a red second spectrum and a wavelength conversion element arranged laterally adjacent thereto can have a green spectrum.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform weist das optoelektronische Bauteil genau eine strahlungsemittierende Schichtenfolge oder genau ein strahlungsemittierendes Bauelement auf. Ein derartiges optoelektronisches Bauteil kann insbesondere den Vorteil aufweisen, dass mehrere nebeneinander angeordnete Bereiche über der strahlungsemittierenden Schichtenfolge oder dem strahlungsemittierenden Bauelement, die jeweils einen Wellenlängenkonversionsbereich und ein Filterelement aufweisen, wobei die zweiten Spektren der Wellenlängenkonversionsbereiche unterschiedlich zueinander sein können, eine gleiche Charakteristik bezüglich der Abstrahlintensität und/oder der Alterung aufweisen können.at a particularly preferred embodiment the optoelectronic component has exactly one radiation-emitting component Layer sequence or exactly one radiation-emitting component on. Such an optoelectronic component can in particular have the advantage that several juxtaposed areas above the radiation-emitting layer sequence or the radiation-emitting Component, each having a wavelength conversion range and a filter element, wherein the second spectra of the wavelength conversion regions may be different from each other, a same characteristic regarding the emission intensity and / or aging.

Zwischen der strahlungsemittierenden Schichtenfolge und dem Wellenlängenkonversionsbereich und/oder zwischen dem Wellenlängenkonversionsbereich und dem Filterelement können, falls zweckmäßig, zusätzliche Schichten wie zum Beispiel Verbindungsschichten, Klebeschichten oder weitere funktionelle Schichten angeordnet sein.Between the radiation-emitting layer sequence and the wavelength conversion region and / or between the wavelength conversion range and the filter element, if appropriate, additional Layers such as tie layers, adhesive layers or further functional layers may be arranged.

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.Further Advantages and advantageous embodiments and further developments of the invention will become apparent from the following in conjunction with the figures described embodiments.

Es zeigen:It demonstrate:

1A und 1B schematische Schnittdarstellungen eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauteils, 1A and 1B schematic sectional views of an optoelectronic device according to the invention,

2 eine schematische Schnittdarstellung eines weiteren erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauteils, 2 a schematic sectional view of another optoelectronic device according to the invention,

3A und 3B schematische Schnittdarstellungen weiterer erfindungsgemäßer optoelektronischer Bauteile, und 3A and 3B schematic sectional views of further inventive optoelectronic components, and

4A und 4B schematische Schnittdarstellungen weiterer erfindungsgemäßer optoelektronischer Bauteile. 4A and 4B schematic sectional views of further inventive optoelectronic components.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie z.B. Schichten, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick dargestellt sein.In the embodiments and figures can same or equivalent components, each with the same Be provided with reference numerals. The illustrated elements and their proportions with each other are basically not as true to scale to look at, rather individual elements, e.g. Layers, for better presentation and / or exaggerated for better understanding be shown thick.

In dem Ausführungsbeispiel in 1A ist ein farbveränderliches optoelektronisches Bauelement 100 mit einem strahlungsemittierenden Bauelement 101 gezeigt. Auf dem strahlungsemittierenden Bauelement 101 ist im Strahlengang der emittierten ersten Strahlung 111 ein Wellenlängenkonversionsbereich 102 angebracht. Der Wellenlängenkonversionsbereich weist vorzugsweise ein transparentes Matrixmaterial 121 auf, in das Wellenlängenkonversionsstoffe 122 eingebettet sind, die im Bereich des ersten Spektrums der ersten Strahlung 111 absorbieren und eine zweite Strahlung 112 mit einem zweiten Spektrum emittieren. Bei dem transparenten Matrixmaterial 121 kann es sich beispielsweise um ein Material handeln, das Silikon, ein Harz auf Epoxid-, Acryl- oder Imidbasis, Polycarbonat, Polymethacrylat oder eine Kombination daraus aufweist. Insbesondere kann der Wellenlängenkonversionsbereich ein Wellenlängenkonversionselement sein. Die Wellenlängenkonversionsstoffe 122 können Materialien aufweisen, die beispielsweise im blauen oder ultravioletten Spektralbereich absorbieren und im grünen bis roten Spektralbereich emittieren. Insbesondere können die Wellenlängenkonversionsstoffe 122 auch Mischungen verschiedener Materialien mit verschiedenen Emissionsspektren aufweisen.In the embodiment in 1A is a color-variable optoelectronic component 100 with a radiation-emitting component 101 shown. On the radiation-emitting component 101 is in the beam path of the emitted first radiation 111 a wavelength conversion range 102 appropriate. The wavelength conversion region preferably has a transparent matrix material 121 into which wavelength conversion substances 122 embedded in the region of the first spectrum of the first radiation 111 absorb and a second radiation 112 emit with a second spectrum. In the transparent matrix material 121 For example, it may be a material comprising silicone, an epoxy, acrylic, or imide based resin, polycarbonate, polymethacrylate, or a combination thereof. In particular, the wavelength conversion range may be a wavelength conversion element. The wavelength conversion substances 122 may include materials that absorb, for example, in the blue or ultraviolet spectral range and emit in the green to red spectral range. In particular, the wavelength conversion substances 122 also have mixtures of different materials with different emission spectra.

Über dem Wellenlängenkonversionselement 102 ist im Strahlengang der emittierten ersten Strahlung 111 ein Filterelement 103 angebracht, das einen photonischen Kristall 131 und transparente Elektroden 132 aufweist. Die transparenten Elektroden 132 sind im Strahlengang der ersten Strahlung 111 angeordnet und weisen beispielsweise ITO auf. Dabei ist das Filterelement 103 so aufgebaut, dass sich der photonische Kristall 131 zwischen den transparenten Elektroden 132 befindet. An den transparenten Elektroden 132 kann eine variable Spannung angelegt werden, wodurch ein elektrisches Feld im photonischen Kristall 131 erzeugt werden kann.Above the wavelength conversion element 102 is in the beam path of the emitted first radiation 111 a filter element 103 attached, which is a photonic crystal 131 and transparent electrodes 132 having. The transparent electrodes 132 are in the beam path of the first radiation 111 arranged and have, for example, ITO. Here is the filter element 103 designed so that the photonic crystal 131 between the transparent electrodes 132 located. At the transparent electrodes 132 a variable voltage can be applied, creating an electric field in the photonic crystal 131 can be generated.

Bei dem photonischen Kristall 131 kann es sich um einen dreidimensionalen photonischen Kristall mit vollständiger Bandlücke handeln, wobei es sich bei der vollständigen Bandlücke um eine variabel einstellbare Bandlücke im Bereich des ersten Spektrums der ersten Strahlung 111 handelt. Dabei können der variabel einstellbare Wellenlängenbereich und/oder die Transparenz des photonischen Kristalls für Strahlung in dem variabel einstellbaren Wellenlängenbereich, den die Bandlücke überdeckt, durch das angelegte elektrische Feld verändert werden. Das bedeutet insbesondere, dass Anteile der ersten Strahlung 111, dessen spektrale Komponenten im Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke liegen, von dem photonischen Kristall 131 nicht transmittiert sondern reflektiert werden, und dieser Anteile durch Variation des Wellenlängenbereichs der photonischen Bandlücke und/oder der Transparenz des photonischen Kristalls für Strahlung in dem variabel einstellbaren Wellenlängenbereich in Abhängigkeit vom angelegten elektrischen Feld verändert werden können. Dies kann insbesondere möglich sein, wenn das erste Spektrum der ersten Strahlung 111 mehr als eine spektrale Komponente bei einer Wellenlänge und insbesondere einen kontinuierlichen Wellenlängenbereich umfasst und/oder der photonische Kristall eine von der Wellenlänge abhängige, sich kontinuierlich ändernde Transmission über den Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke aufweist.In the photonic crystal 131 it may be a full-band three-dimensional photonic crystal, where the full bandgap is a variably adjustable bandgap in the region of the first spectrum of the first radiation 111 is. In this case, the variably adjustable Wellenlängenbe rich and / or the transparency of the photonic crystal for radiation in the variably adjustable wavelength range, which covers the band gap, are changed by the applied electric field. This means in particular that portions of the first radiation 111 whose spectral components are in the wavelength range of the photonic band gap of the photonic crystal 131 are not transmitted but reflected, and these proportions can be varied by varying the wavelength range of the photonic band gap and / or the transparency of the photonic crystal for radiation in the variably adjustable wavelength range depending on the applied electric field. This may be possible in particular if the first spectrum of the first radiation 111 comprises more than one spectral component at one wavelength and in particular a continuous wavelength range and / or the photonic crystal has a wavelength-dependent, continuously changing transmission over the wavelength range of the photonic band gap.

1A zeigt den Fall eines ersten Schaltzustands des optoelektronischen Bauteils 100, in dem der Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke das erste Spektrum der ersten Strahlung 111 umfasst. Das bedeutet, dass der photonische Kristall 131 für die erste Strahlung 111 nicht transparent ist und die erste Strahlung 111 vom photonischen Kristall 131 vollständig reflektiert wird. Da es sich um einen dreidimensionalen photonischen Kristall handeln kann, kann die erste Strahlung 111 unabhängig von ihrer Ausbreitungsrichtung vollständig reflektiert werden. 1A shows the case of a first switching state of the optoelectronic device 100 in which the wavelength range of the photonic band gap is the first spectrum of the first radiation 111 includes. That means the photonic crystal 131 for the first radiation 111 is not transparent and the first radiation 111 from the photonic crystal 131 is completely reflected. Since it can be a three-dimensional photonic crystal, the first radiation 111 be completely reflected regardless of their direction of propagation.

Trifft die erste Strahlung 111 auf Wellenlängenkonversionsstoffe 122, so kann die erste Strahlung 111 von diesen absorbiert werden und es kann weiterhin zweite Strahlung 112 emittiert werden. Die Emission kann dabei weitestgehend isotrop erfolgen. Da der Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke nicht das zweite Spektrum der zweiten Strahlung 112 umfasst, erscheint der photonische Kristall 131 für die zweite Strahlung 112 transparent. Die zweite Strahlung kann damit aus dem optoelektronischen Bauteil 100 austreten und zum Lichteindruck des optoelektronischen Bauteils 100 beitragen.Meets the first radiation 111 on wavelength conversion materials 122 so the first radiation 111 can be absorbed by these and it can continue to receive second radiation 112 be emitted. The emission can be largely isotropic. Since the wavelength range of the photonic band gap is not the second spectrum of the second radiation 112 includes, the photonic crystal appears 131 for the second radiation 112 transparent. The second radiation can thus from the optoelectronic component 100 emerge and the light impression of the optoelectronic device 100 contribute.

Da die erste Strahlung 111 von dem photonischen Kristall 131 zurück in das Wellenlängenkonversionselement 102 reflektiert werden kann und dann nicht etwa im Filterelement 103 absorbiert wird, vergrößert sich die effektive Weglänge für die erste Strahlung 111 im Wellenlängenkonversionselement 102. Das bedeutet insbesondere, dass die erste Strahlung 111 auch nach der Reflektion am photonischen Kristall 131 im Wellenlängenkonversionselement 102 mit Wellenlängenkonversionsstoffen 122 in Wechselwirkung treten kann und in zweite Strahlung 112 umgewandelt werden kann. Durch den photonischen Kristall kann sich damit die effektive Weglänge der ersten Strahlung 111 im Wellenlängenkonversionselement 102 erhöhen und damit auch die Effizienz der Umwandlung von erster Strahlung 111 in zweite Strahlung 112 vergrößern. Damit kann sich gleichzeitig die aus dem optoelektronischen Bauteil 100 austretende Strahlungsleistung der zweiten Strahlung 112 erhöhen und damit ein hellerer Leuchteindruck des optoelektronischen Bauteils 100 erreicht werden, als dies bei einem absorptiven Filterelement möglich wäre.Because the first radiation 111 from the photonic crystal 131 back into the wavelength conversion element 102 can be reflected and then not in the filter element 103 is absorbed, the effective path length for the first radiation increases 111 in the wavelength conversion element 102 , This means in particular that the first radiation 111 even after reflection on the photonic crystal 131 in the wavelength conversion element 102 with wavelength conversion materials 122 can interact and into second radiation 112 can be converted. Due to the photonic crystal, this can be the effective path length of the first radiation 111 in the wavelength conversion element 102 increase and therefore the efficiency of the conversion of first radiation 111 in second radiation 112 enlarge. This can simultaneously from the optoelectronic component 100 emerging radiation power of the second radiation 112 increase and thus a brighter light impression of the optoelectronic device 100 be achieved, as would be possible with an absorptive filter element.

Der in dem Ausführungsbeispiel in 1A gezeigte Fall des ersten Schaltzustandes des optoelektronischen Bauteils 100 kann dabei bei einer zwischen den Elektroden 132 angelegten minimalen Spannung oder beispielsweise bei einer Spannung von 0 Volt auftreten. Das bedeutet insbesondere, dass der photonische Kristall 131 nicht für die erste Strahlung 111 transparent ist, wenn ein minimales elektrisches Feld beziehungsweise kein elektrisches Feld im photonischen Kristall appliziert ist.The in the embodiment in 1A shown case of the first switching state of the optoelectronic device 100 can be at one between the electrodes 132 applied minimum voltage or, for example, occur at a voltage of 0 volts. This means in particular that the photonic crystal 131 not for the first radiation 111 is transparent when a minimal electric field or no electric field is applied in the photonic crystal.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß 1B ist der Fall eines zweiten Schalzustandes des optoelektronischen Bauteils 100 gezeigt, bei dem der Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke nicht das erste Spektrum der ersten Strahlung 111 umfasst. Dieser Fall kann auftreten, wenn zwischen den Elektroden 132 eine Spannung ungleich 0 Volt angelegt ist und damit ein elektrisches Feld im photonischen Kristall 131 appliziert wird. Da der Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke in diesem Schaltzustand nicht das erste Spektrum der ersten Strahlung 111 umfasst, erscheint der photonische Kristall 131 für die erste Strahlung 111 transparent und die erste Strahlung 111 kann aus dem optoelektronischen Bauteil 100 austreten und zum Leuchteindruck des optoelektronischen Bauteils 100 beitragen. Insbesondere ist die effektive Weglänge der ersten Strahlung 111 in dem in diesem Ausführungsbeispiel gezeigten Fall kleiner als in dem im Ausführungsbeispiel in 1A gezeigten Fall. Das bedeutet insbesondere, dass der Anteil der zweiten Strahlung 112, der aus dem optoelektronischen Bauteil 100 austritt, im Falle des Ausführungsbeispiels in 1B geringer ist als der Anteil der zweiten Strahlung im Falle des Ausführungsbeispiels des ersten Schaltzustands in 1A. Weiterhin kann es auch wenig diffuse Streuung der ersten Strahlung durch geringe Schichtdicken des Wellenlängenkonversionselements 102 und des Filterelements 103 geben.In the embodiment according to 1B is the case of a second switching state of the optoelectronic device 100 shown in which the wavelength range of the photonic band gap is not the first spectrum of the first radiation 111 includes. This case can occur when between the electrodes 132 a voltage not equal to 0 volts is applied and thus an electric field in the photonic crystal 131 is applied. Since the wavelength range of the photonic band gap in this switching state is not the first spectrum of the first radiation 111 includes, the photonic crystal appears 131 for the first radiation 111 transparent and the first radiation 111 can from the optoelectronic component 100 emerge and the light impression of the optoelectronic device 100 contribute. In particular, the effective path length of the first radiation 111 in the case shown in this embodiment, smaller than in the embodiment shown in FIG 1A shown case. This means in particular that the proportion of the second radiation 112 from the optoelectronic component 100 exit, in the case of the embodiment in 1B is less than the proportion of the second radiation in the case of the embodiment of the first switching state in 1A , Furthermore, there may also be little diffuse scattering of the first radiation due to small layer thicknesses of the wavelength conversion element 102 and the filter element 103 give.

Abhängig von der Konzentration der Wellenlängenkonversionsstoffe 122 und der Dicke des Wellenlängenkonversionselements 102 kann der Anteil der ersten Strahlung 111, der in zweite Strahlung 112 umgewandelt wird, festgelegt werden und damit der Leuchteindruck des optoelektronischen Bauteils 100 in dem in 1B gezeigten Ausführungsbeispiel bei einem für die erste Strahlung 111 vollständig transparenten photonischen Kristall 131 definiert werden. Für das in den 1A und 1B gezeigte Ausführungsbeispiel ist ein mit Wellenlängenkonversionsstoffen ungesättigtes Wellenlängenkonversionselement 102 vorteilhaft, das heißt, das die Konzentration der Wellenlängenkonversionsstoffe 122 und die Dicke des Wellenlängenkonversionselements 102 so gewählt sind, dass im zweiten Schaltzustand gemäß dem Ausführungsbeispiel in 1B nur ein Teil der ersten Strahlung in zweite Strahlung umgewandelt wird.Depending on the concentration of the wavelength conversion substances 122 and the thickness of the wavelength conversion element 102 can the proportion of the first radiation 111 who is in second radiation 112 is converted, and thus the Luminous impression of the optoelectronic device 100 in the 1B shown embodiment at one for the first radiation 111 completely transparent photonic crystal 131 To be defined. For that in the 1A and 1B The embodiment shown is a wavelength conversion element unsaturated with wavelength conversion substances 102 advantageous, that is, the concentration of the wavelength conversion substances 122 and the thickness of the wavelength conversion element 102 are selected so that in the second switching state according to the embodiment in 1B only part of the first radiation is converted into second radiation.

Alternativ kann der im Ausführungsbeispiel in 1A gezeigte Fall des ersten Schaltzustands bei einer Spannung zwischen den Elektroden 132 auftreten, die ungleich von 0 Volt ist. Das bedeutet insbesondere, dass der photonische Kristall 131 nicht für die erste Strahlung 111 transparent ist, wenn ein elektrisches Feld im photonischen Kristall appliziert wird. Der in dem Ausführungsbeispiel in 1B gezeigte Fall des zweiten Schaltzustands kann dementsprechend bei einer minimalen Spannung, beispielsweise bei einer Spannung von 0 Volt, zwischen den Elektroden 132 auftreten, also dann, wenn ein minimales elektrisches Feld, beispielsweise also kein elektrisches Feld, im photonischen Kristall 131 appliziert wird.Alternatively, in the embodiment in 1A shown case of the first switching state at a voltage between the electrodes 132 occur, which is unequal to 0 volts. This means in particular that the photonic crystal 131 not for the first radiation 111 is transparent when an electric field is applied in the photonic crystal. The in the embodiment in 1B Accordingly, the second switching state case shown may accordingly be at a minimum voltage, for example at a voltage of 0 volts, between the electrodes 132 occur, so if a minimum electric field, for example, no electric field, in the photonic crystal 131 is applied.

Durch Variation der zwischen den Elektroden 132 angelegten Spannung zwischen der minimalen Spannung und der maximalen Spannung kann der variabel einstellbare Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke zwischen dem Wellenlängenbereich der photonischen Bandlücke beim ersten Schaltzustand und beim zweiten Schaltzustand des optoelektronischen Bauteils 100 variiert werden. Es können also durch Variation der Spannung zwischen den Elektroden 132 Zwischenzustände aus dem ersten und dem zweiten Schaltzustand erreicht werden, das heißt, dass beispielsweise nur ein Teil der ersten Strahlung 111 vom photonischen Kristall reflektiert wird und der andere Teil der ersten Strahlung 111 durch den photonischen Kristall transmittiert wird. Das bedeutet insbesondere, dass durch die spannungsabhängige Variation des Wellenlängenbereichs der photonischen Bandlücke der Anteil der ersten Strahlung 111, der in das Wellenlängenkonversionselement 102 zurückreflektiert wird, verändert werden kann. Dadurch kann der Anteil der ersten Strahlung 111 und der Anteil der zweiten Strahlung 112, der jeweils aus dem optoelektronischen Bauteil 100 austritt, variiert werden und durch die Mischung der ersten Strahlung 111 und der zweiten Strahlung 112 damit der von einem Betrachter gewonnene Leuchteindruck des optoelektronischen Bauteils 100 angepasst werden.By varying the between the electrodes 132 applied voltage between the minimum voltage and the maximum voltage, the variably adjustable wavelength range of the photonic band gap between the wavelength range of the photonic band gap in the first switching state and the second switching state of the optoelectronic device 100 be varied. It can therefore by varying the voltage between the electrodes 132 Intermediate states can be achieved from the first and the second switching state, that is, for example, only a part of the first radiation 111 is reflected by the photonic crystal and the other part of the first radiation 111 is transmitted through the photonic crystal. This means, in particular, that the proportion of the first radiation due to the voltage-dependent variation of the wavelength range of the photonic band gap 111 which is in the wavelength conversion element 102 is reflected back, can be changed. This allows the proportion of the first radiation 111 and the proportion of the second radiation 112 , each of the optoelectronic component 100 leaking, be varied and by the mixture of the first radiation 111 and the second radiation 112 so that the light impression of the optoelectronic component gained by a viewer 100 be adjusted.

Weiterhin kann durch das Anlegen einer Spannung zwischen einer minimalen und einer maximalen Spannung beispielsweise nur in einem Bereich von Zwischenzuständen zwischen dem gezeigten ersten Schaltzustand und dem gezeigten zweiten Schaltzustand variiert werden.Farther can by applying a voltage between a minimum and a maximum voltage, for example, only in a range of between states between the shown first switching state and the shown second switching state be varied.

Bei dem strahlungsemittierenden Bauelement 101 in den in 1A und 1B gezeigten Ausführungsbeispielen kann es sich vorzugsweise um eine OLED handeln, die erste Strahlung 111 mit einem ersten Spektrum im blauen Wellenlängenbereich emittiert. Der Wellenlängenbereich kann dabei vorzugsweise eine Wellenlänge von etwa 470 nm umfassen. Weiterhin können die Wellenlängenkonversionsstoffe 122 Materialien sein, die erste Strahlung 111 im blauen Spektralbereich absorbieren und zweite Strahlung 112 im gelben Spektralbereich emittieren. Damit kann ein erster Schaltzustand realisiert werden, in dem das optoelektronische Bauteil 100 nur gelbes Licht abstrahlt, und ein zweiter Schaltzustand, in dem das optoelektronische Bauteil 100 weitestgehend nur blaues Licht abstrahlt. Der Anteil des vom optoelektronischen Bauteil 100 abgestrahlten gelben Lichts im zweiten Schaltzustand kann durch die Dicke des Wellenlängenkonversionselements 102 und die Konzentration der Wellenlängenkonversionsstoffe 122 eingestellt werden. Insbesondere kann bei einer geeigneten Spannung ein weißer Farbeindruck des vom optoelektronischen Bauteil 100 abgestrahlten Lichts erzeugt werden. Weiterhin kann die photonische Bandlücke so gewählt sein, dass eine Variation der Spannung zwischen der minimalen und der maximalen Spannung eine Variation des Leuchteindrucks zwischen „bläulich weiß" und „gelblich weiß" erreicht werden kann.In the radiation-emitting component 101 in the in 1A and 1B The embodiments shown may preferably be an OLED, the first radiation 111 emitted with a first spectrum in the blue wavelength range. The wavelength range may preferably comprise a wavelength of about 470 nm. Furthermore, the wavelength conversion substances 122 Be materials, the first radiation 111 absorb in the blue spectral range and second radiation 112 emit in the yellow spectral range. Thus, a first switching state can be realized, in which the optoelectronic component 100 only yellow light emits, and a second switching state in which the optoelectronic component 100 largely only blue light emits. The proportion of the optoelectronic component 100 emitted yellow light in the second switching state can by the thickness of the wavelength conversion element 102 and the concentration of wavelength conversion substances 122 be set. In particular, at a suitable voltage, a white color impression of the optoelectronic component 100 emitted light can be generated. Furthermore, the photonic band gap can be chosen so that a variation of the voltage between the minimum and the maximum voltage, a variation of the luminous impression between "bluish white" and "yellowish white" can be achieved.

Die laterale Ausdehnung des optoelektronischen Bauteils 100 kann dabei von Pixelgröße bis zur Größe von Beleuchtungseinrichtungen gewählt werden.The lateral extent of the optoelectronic device 100 can be chosen from pixel size to the size of lighting equipment.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß 2 ist ein optoelektronisches Bauteil 200 mit einem strahlungsemittierenden Bauelement 101, beispielsweise einer OLED, gezeigt. Das strahlungsemittierende Bauelement 101 emittiert eine erste Strahlung mit einem ersten Spektrum beispielsweise in einem blauen Wellenlängenbereich.In the embodiment according to 2 is an opto-electronic component 200 with a radiation-emitting component 101 , for example an OLED. The radiation-emitting component 101 emits a first radiation having a first spectrum, for example in a blue wavelength range.

Über dem strahlungsemittierenden Bauelement 101 sind lateral angeordnet zwei Wellenlängenkonversionselemente 102 und 202 aufgebracht. Das Wellenlängenkonversionselement 102 weist ein transparentes Matrixmaterial 121 und Wellenlängenkonversionsstoffe 122 auf, das Wellenlängenkonversionselement 202 weist ein transparentes Matrixmaterial 221 und Wellenlängenkonversionsstoffe 222 auf. Dabei absorbieren die Wellenlängenkonversionsstoffe 122 und 222 vorzugsweise im Bereich des ersten Spektrums der ersten Strahlung, emittieren aber Strahlung mit unterschiedlichen Spektren. Beispielsweise emittieren die Wellenlängenkonversionsstoffe 122 eine zweite Strahlung mit einem Spektrum im roten Wellenlängenbereich und die Wellenlängenkonversionsstoffe 222 eine zweite Strahlung mit einem Spektrum im grünen Wellenlängenbereich.Above the radiation-emitting component 101 are laterally arranged two wavelength conversion elements 102 and 202 applied. The wavelength conversion element 102 has a transparent matrix material 121 and wavelength conversion materials 122 on, the wavelength conversion element 202 has a transparent matrix material 221 and wavelength conversion materials 222 on. The wavelength conversion substances absorb 122 and 222 preferably in the area of first spectrum of the first radiation, but emit radiation with different spectra. For example, the wavelength conversion materials emit 122 a second radiation with a spectrum in the red wavelength range and the wavelength conversion substances 222 a second radiation with a spectrum in the green wavelength range.

Weiterhin kann es vorteilhaft sein, wenn die Wellenlängenkonversionselemente 102 und 202 ein übergeordnetes Wellenlängenkonversionselement mit zwei Bereichen 102 und 202 bilden. Das bedeutet, dass das transparente Matrixmaterial 121 des Wellenlängenkonversionselements 102 und das transparente Matrixmaterial 222 des Wellenlängenkonversionselements 202 mittelbar oder unmittelbar in Verbindung stehen oder zwei Bereiche eines übergeordneten transparenten Matrixmaterials bilden. „In Verbindung stehen" kann dabei insbesondere heißen, dass Strahlung von einem Wellenlängenkonversionselement in das andere Wellenlängenkonversionselement gelangen kann.Furthermore, it may be advantageous if the wavelength conversion elements 102 and 202 a parent wavelength conversion element with two regions 102 and 202 form. This means that the transparent matrix material 121 the wavelength conversion element 102 and the transparent matrix material 222 the wavelength conversion element 202 indirectly or directly in connection or form two areas of a parent transparent matrix material. In particular, "to be in communication" can mean that radiation can pass from one wavelength conversion element into the other wavelength conversion element.

Über dem Wellenlängenkonversionselement 102 ist ein Filterelement 103 angebracht, das zwei Elektroden 132 aufweist, zwischen denen sich ein dreidimensionalen photonischen Kristall 131 mit vollständiger Bandlücke befindet. Die Bandlücke des photonischen Kristalls kann durch ein elektrisches Feld, das über eine zwischen den Elektroden 132 angelegte Spannung erzeugt wird, variiert werden. Weiterhin ist über dem Wellenlängenkonversionselement 202 ein Filterelement 203 angebracht, dass zwei Elektroden 232 aufweist, zwischen denen ein dreidimensionaler photonischer Kristall 231 mit vollständiger Bandlücke angeordnet ist. Die photonische Bandlücke des photonischen Kristalls 231 kann durch ein elektrisches Feld, das über eine zwischen den Elektroden 232 angelegte Spannung erzeugt wird, variiert werden. Vorzugsweise weisen die photonischen Kristalle 131 und 231 gleiche oder ähnliche Bandlücken und Anhängigkeiten der Bandlücken von der angelegten Spannung auf. Insbesondere können die photonischen Kristalle 131 und 231 Bereiche eines übergeordneten photonischen Kristalls sein und daher in mittelbarem oder unmittelbarem Kontakt stehen. Das bedeutet beispielsweise, dass ein photonischer Kristall über den Wellenlängenkonversionselementen 102 und 202 angeordnet ist, der Bereiche 131 und 231 aufweist, die sich jeweils nur über dem Wellenlängenkonversionselement 102 beziehungsweise 202 befinden.Above the wavelength conversion element 102 is a filter element 103 attached, the two electrodes 132 between which there is a three-dimensional photonic crystal 131 with complete band gap. The bandgap of the photonic crystal may be due to an electric field passing across one between the electrodes 132 applied voltage is generated can be varied. Furthermore, above the wavelength conversion element 202 a filter element 203 attached that two electrodes 232 between which a three-dimensional photonic crystal 231 is arranged with complete bandgap. The photonic band gap of the photonic crystal 231 can be due to an electric field that is across one between the electrodes 232 applied voltage is generated can be varied. Preferably, the photonic crystals 131 and 231 same or similar bandgaps and pendencies of the bandgaps on the applied voltage. In particular, the photonic crystals can 131 and 231 Be areas of a parent photonic crystal and therefore are in direct or indirect contact. This means, for example, that a photonic crystal over the wavelength conversion elements 102 and 202 is arranged, the areas 131 and 231 each having only the wavelength conversion element 102 respectively 202 are located.

Das Wellenlängenkonversionselement 102 und das Filterelement 103 definieren dabei einen Bereich 251 des optoelektronischen Bauteils 200 und das Wellenlängenkonversionselement 202 und das Filterelement 203 definieren einen Bereich 252 des optoelektronischen Bauteils 200.The wavelength conversion element 102 and the filter element 103 define an area 251 of the optoelectronic component 200 and the wavelength conversion element 202 and the filter element 203 define an area 252 of the optoelectronic component 200 ,

Wie bei den Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den 1A und 1B gezeigt, kann durch eine Variation der Spannungen zwischen den Elektroden 132 oder 232 der Anteil der unkonvertierten ersten Strahlung mit dem ersten Spektrum, also beispielsweise der Anteil des unkonvertierten blauen Lichts, der jeweils durch die photonischen Kristalle 131 und 231 der Filterelemente 103 und 203 transmittiert wird, variiert werden. Weiterhin kann auch der Anteil des konvertierten Lichts verändert werden. Der Anteil der ersten Strahlung, also beispielsweise des blauen Lichts, der reflektiert wird, kann wieder in die Wellenlängenkonversionselemente 102 und 202 eintreten, wobei die effektive Weglänge des reflektierten Anteils der ersten Strahlung erhöht wird und damit auch die Konversionswahrscheinlichkeit und -effizienz. Stehen die Wellenlängenkonversionselemente 102 und 202 vorteilhafterweise optisch in Verbindung, so dass Strahlung aus dem einen Wellenlängenkonversionselement in das andere Wellenlängenkonversionselement übertreten kann, kann auch ein Teil der ersten Strahlung, der am photonischen Kristall 131 reflektiert wird, im Wellenlängenkonversionselement 202 konvertiert werden und auch ein Teil der ersten Strahlung, der am photonischen Kristall 231 reflektiert wird, im Wellenlängenkonversionselement 102 konvertiert werden.As in the embodiments in connection with the 1A and 1B can be shown by a variation of the voltages between the electrodes 132 or 232 the proportion of unconverted first radiation with the first spectrum, so for example, the proportion of unconverted blue light, each by the photonic crystals 131 and 231 the filter elements 103 and 203 is transmitted, be varied. Furthermore, the proportion of the converted light can be changed. The proportion of the first radiation, that is, for example, of the blue light which is reflected, can again be converted into the wavelength conversion elements 102 and 202 occur, whereby the effective path length of the reflected portion of the first radiation is increased and thus the conversion probability and efficiency. Stand the wavelength conversion elements 102 and 202 advantageously optically in conjunction, so that radiation from one wavelength conversion element can pass into the other wavelength conversion element, also a part of the first radiation, the photonic crystal 131 is reflected in the wavelength conversion element 202 be converted and also part of the first radiation, the photonic crystal 231 is reflected in the wavelength conversion element 102 be converted.

Durch eine Regelung der Spannungen zwischen den Elektroden 132 und 232 kann somit der blaue, rote und grüne Lichtanteil, der von den Bereichen 251 und 252 des optoelektronischen Bauteils 200 emittiert wird, variiert werden und somit ein variabler Leuchteindruck in einem weiten Spektralbereich erzeugt werden. Der blaue Lichtanteil, der nicht durch ein Filterelement 103 oder 203 transmittiert wird, steht weiterhin in den Wellenlängenkonversionselementen 102 und 202 zur Verfügung und kann als konvertierte zweite Strahlung emittiert werden, wodurch die Abstrahlungsleistung des optoelektronischen Bauteils 200 im Vergleich zu einem optoelektronischen Bauteil mit absorptiven Filtern erhöht werden kann. Da die Bereiche 251 und 252 über demselben strahlungs emittierenden Bauelement 101 angebracht sind, bewirkt eine Veränderung der Abstrahlungsleitung der ersten Strahlung des strahlungsemittierenden Bauelements 101 keine Veränderung im Farbeindruck sondern lediglich in der Helligkeit des optoelektronischen Bauteils 200.By regulating the voltages between the electrodes 132 and 232 Thus, the blue, red and green light that comes from the areas 251 and 252 of the optoelectronic component 200 is emitted, are varied, and thus a variable luminous impression in a wide spectral range can be generated. The blue light that does not pass through a filter element 103 or 203 is still in the wavelength conversion elements 102 and 202 available and can be emitted as a converted second radiation, reducing the emission power of the optoelectronic device 200 can be increased compared to an optoelectronic device with absorptive filters. Because the areas 251 and 252 over the same radiation-emitting component 101 attached, causes a change in the radiation line of the first radiation of the radiation-emitting device 101 no change in the color impression but only in the brightness of the optoelectronic component 200 ,

Weiterhin kann ein als Beleuchtungseinrichtung verwendbares optoelektronisches Bauteil 200 über einem strahlungsemittierenden Bauelement 101 wie beispielsweise einer OLED eine Vielzahl von Bereichen 251 und 252 aufweisen, die in einem beliebigen Muster, beispielsweise regelmäßig wie etwa streifenförmig oder schachbrettartig, oder unregelmäßig, angeordnet sein können und jeweils gleich angesteuert werden können. Dadurch lässt sich eine großflächige Beleuchtungseinrichtung mit beispielsweise einem variablen weißen Leuchteindruck („kaltweiß"-„warmweiß") realisieren oder eine großflächige Beleuchtungseinrichtung, die beispielsweise einen variablen Leuchteindruck in einem RGB-Farbraum oder einem Teil eines RGB-Farbraums bietet.Furthermore, an optoelectronic component that can be used as a lighting device can be used 200 over a radiation-emitting component 101 such as an OLED a variety of areas 251 and 252 have, which can be arranged in any pattern, for example regularly such as strip-shaped or checkered, or irregular, and each can be controlled the same. This allows a large-scale lighting device with example as a variable white light impression ("cool white" - "warm white") realize or a large-scale lighting device that offers, for example, a variable luminous impression in an RGB color space or part of an RGB color space.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß 3A ist ein optoelektronisches Bauteil 300 mit einem strahlungsemittierenden Bauelement 101 gezeigt, das vorzugsweise eine erste Strahlung mit einem ersten Spektrum im blauen Wellenlängenbereich emittiert. Auf dem strahlungsemittierenden Bauteil 101 sind drei Bereiche 351, 352 und 353 angeordnet.In the embodiment according to 3A is an opto-electronic component 300 with a radiation-emitting component 101 which preferably emits a first radiation having a first spectrum in the blue wavelength range. On the radiation-emitting component 101 are three areas 351 . 352 and 353 arranged.

Der Bereich 351 weist ein über dem strahlungsemittierenden Bauelement 101 angeordnetes Filterelement 103 mit einem dreidimensionalen photonischen Kristall mit variabler vollständiger Bandlücke und Elektroden auf. Vorteilhafterweise lässt sich über eine an den Elektroden angelegte Spannung und das damit im photonischen Kristall erzeugte elektrische Feld ein erster Schaltzustand des Filterelements 103 realisieren, so dass das Filterelement 103 für die erste Strahlung undurchlässig ist. Weiterhin kann durch Variation der an den Elektroden angelegten Spannung die photonische Bandlücke so variiert werden, dass sich weitere Schaltzustände des Filterelements 103 mit variabler Transmission für die erste Strahlung realisieren lassen. Über dem Filterelement 103 ist ein Wellenlängenkonversionselement 102 mit Wellenlängenkonversionsstoffen 122 angeordnet, die ein Absorptionsspektrum aufweisen, das das erste Spektrum umfasst. Dabei ist es vorteilhaft, wenn das Wellenlängenkonversionselement 102 mit den Wellenlängenkonversionsstoffen gesättigt ist, das heißt, dass im Wesentlichen die gesamte erste Strahlung, die in das Wellenlängenkonversionselement 102 eintritt, von den Wellenlängenkonversionsstoffen 122 absorbiert wird. Die Wellenlängenkonversionsstoffe 122 weisen beispielsweise ein Emissionsspektrum im grünen Wellenlängenbereich auf. Durch die Nachordnung des Wellenlängenkonversionselements 102 nach dem Filterelement 103 kann damit eine variable Emissionsintensität einer zweiten Strahlung im grünen Wellenlängenbereich im Bereich 351 erreicht werden.The area 351 has one above the radiation-emitting device 101 arranged filter element 103 with a three-dimensional photonic crystal with variable full bandgap and electrodes. Advantageously, a first switching state of the filter element can be achieved via a voltage applied to the electrodes and the electric field thus generated in the photonic crystal 103 Realize so that the filter element 103 is impermeable to the first radiation. Furthermore, by varying the voltage applied to the electrodes, the photonic band gap can be varied so that further switching states of the filter element 103 can be realized with variable transmission for the first radiation. Above the filter element 103 is a wavelength conversion element 102 with wavelength conversion materials 122 having an absorption spectrum comprising the first spectrum. It is advantageous if the wavelength conversion element 102 is saturated with the wavelength conversion materials, that is, substantially all of the first radiation entering the wavelength conversion element 102 occurs, from the wavelength conversion materials 122 is absorbed. The wavelength conversion substances 122 For example, have an emission spectrum in the green wavelength range. By the Nachorder the wavelength conversion element 102 after the filter element 103 Thus, a variable emission intensity of a second radiation in the green wavelength range in the range 351 be achieved.

Der Bereich 352 weist ein über dem strahlungsemittierenden Bauelement 101 angeordnetes Filterelement 203 auf, das in seinem Aufbau und seiner Funktionsweise dem Filterelement 103 entspricht. Über dem Filterelement 203 ist ein Wellenlängenkonversionselement 202 angeordnet, das in seiner Funktionsweise dem Wellenlängenkonversionselement 102 entspricht, jedoch eine zweite Strahlung in einem roten Wellenlängenbereich aufweist.The area 352 has one above the radiation-emitting device 101 arranged filter element 203 on, in its construction and its functioning the filter element 103 equivalent. Above the filter element 203 is a wavelength conversion element 202 arranged, in its operation, the wavelength conversion element 102 but has a second radiation in a red wavelength range.

Der Bereich 353 weist ein über dem strahlungsemittierenden Bauelement 101 angeordnetes Filterelement 303 auf, das in seinem Aufbau und seiner Funktionsweise den Filterelement 103 und 203 entspricht. Dadurch kann eine variable Transmission der ersten, beispielsweise blauen Strahlung durch das Filterelement 303 und damit eine variable Emission von beispielsweise blauer Strahlung im Bereich 353 erreicht werden.The area 353 has one above the radiation-emitting device 101 arranged filter element 303 on, the filter element in its construction and its functioning 103 and 203 equivalent. As a result, a variable transmission of the first, for example, blue radiation through the filter element 303 and thus a variable emission of, for example, blue radiation in the range 353 be achieved.

Durch die Variation der Emissionsintensitäten in den Bereichen 351, 352 und 353 weist das optoelektronische Bauteil 300 somit einen vom jeweiligen Schaltzustand der einzelnen photonischen Kristalle in den verschiedenen Filterschichten abhängigen variablen Leuchteindruck, insbesondere in einem RGB-Farbraum oder einem Teil davon, auf.By varying the emission intensities in the areas 351 . 352 and 353 has the optoelectronic component 300 Thus, depending on the respective switching state of the individual photonic crystals in the different filter layers variable luminous impression, in particular in an RGB color space or a part thereof on.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß 3B ist eine Modifikation des Ausführungsbeispiels gemäß 3A gezeigt. Das strahlungsemittierende Bauelement 101, beispielsweise eine OLED, weist eine erste Strahlung mit einem Spektrum im ultravioletten Wellenlängenbereich auf. Die Wellenlängenkonversionsstoffe in den Wellenlängenkonversionselementen 102, 202 und 302 weisen daher ein Absorptionsspektrum im ultravioletten Spektralbereich auf. Das Wellenlängenkonversionselement 102 weist insbesondere ein grünes Emissionsspektrum auf, das Wellenlängenkonversionselement 202 ein rotes Emissionsspektrum und das Wellenlängenkonversionselement 302 ein blaues Emissionsspektrum. Das die Wellenlängenkonversionselemente 102, 202 und 302 vorteilhafterweise gesättigt sind, wird die erste, ultraviolette Strahlung in sichtbares Licht umgewandelt und durch Regelung der Tranmittivitäten der Filterelemente 103, 203, und 303 kann der Farbeindruck des optoelektronischen Bauteils 300 eingestellt werden.In the embodiment according to 3B is a modification of the embodiment according to 3A shown. The radiation-emitting component 101 For example, an OLED has a first radiation with a spectrum in the ultraviolet wavelength range. The wavelength conversion substances in the wavelength conversion elements 102 . 202 and 302 therefore have an absorption spectrum in the ultraviolet spectral range. The wavelength conversion element 102 has in particular a green emission spectrum, the wavelength conversion element 202 a red emission spectrum and the wavelength conversion element 302 a blue emission spectrum. That the wavelength conversion elements 102 . 202 and 302 are advantageously saturated, the first, ultraviolet radiation is converted to visible light and by controlling the Tranmittivitäten the filter elements 103 . 203 , and 303 can the color impression of the optoelectronic device 300 be set.

Das strahlungsemittierende Bauelement 101 in den Ausführungsbeispielen gemäß der 3A und 3B kann von Pixelgröße bis zur Größe von Beleuchtungseinrichtungen reichen. Dabei kann eine Vielzahl von Bereichen 351, 352 und 352 über dem strahlungsemittierenden Bauelement 101 angeordnet sein, die jeweils gleich oder unterschiedlich angesteuert werden können, um einen gleichmäßigen oder einen abstrahlungsortsabhängigen Leuchteindruck des optoelektronischen Bauteils 300 zu erreichen. Die Bereiche 351, 352 und 352 können dabei regelmäßig, beispielsweise streifenförmig, oder unregelmäßig angeordnet sein. Die Dimensionen der Bereich 351, 352 und 353 können dabei gleich oder unterschiedlich sein. Die photonischen Kristalle der Filterelemente 103, 203 und 303 können dabei photonische Bandlücken aufweisen, die bei einer minimalen Spannung oder bei einer Spannung von 0 Volt an den jeweiligen Elektroden nicht das erste Spektrum umfassen, so dass in diesem Schaltzustand, sozusagen einem ausgeschaltetem Zustand, die Bereiche 351, 352 und 353 maximale Emission zeigen. Alternativ können die jeweiligen photonischen Kristalle unterschiedliche photonische Bandlücken aufweisen, so dass in ausgeschaltetem Zustand nur einzelne Bereiche emittieren oder die verschieden stark emittieren. Insbesondere können die zweiten Spektren der Wellenlängenkonversionsbereiche 351, 352 und 353 von den hier genannten Spektren abweichen, um alternative Farbmischungen zu erreichen.The radiation-emitting component 101 in the embodiments according to the 3A and 3B can range from pixel size to the size of lighting fixtures. It can be a variety of areas 351 . 352 and 352 over the radiation-emitting device 101 be arranged, which can be controlled in each case the same or different, to a uniform or a Abstrahlungsortsabhängigen luminous impression of the optoelectronic device 300 to reach. The areas 351 . 352 and 352 can be arranged regularly, for example, strip-shaped, or irregular. The dimensions of the area 351 . 352 and 353 can be the same or different. The photonic crystals of the filter elements 103 . 203 and 303 may have photonic band gaps which do not include the first spectrum at a minimum voltage or at a voltage of 0 volts at the respective electrodes, so that in this switching state, so to speak a switched-off state, the areas 351 . 352 and 353 show maximum emission. Alternatively, the respective photonic crystals under have different photonic band gaps, so that emit only single areas when switched off or emit different levels. In particular, the second spectra of the wavelength conversion regions 351 . 352 and 353 differ from the spectra mentioned here to achieve alternative color mixtures.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß 4A ist ein optoelektronisches Bauteil 400 gezeigt, das ein Substrat 401 aufweist. Auf dem Substrat sind ein Filterelement 103 und darüber ein Wellenlängenkonversionsbereich 102 aufgebracht. Weiterhin ist auf dem Wellenlängenkonversionsbereich 102 eine organische strahlungsemittierende Schichtenfolge 402 angeordnet, die eine transparente erste Elektrode 461, funktionale Schichten 462 und 463 und eine zweite Elektrode 464 umfasst. Die funktionalen Schichten 462 und 463 können beispielsweise als Lochtransportschicht und als aktive lichtemittierende Schicht ausgeführt sein. Weiterhin kann die strahlungsemittierende Schichtenfolge gegebenenfalls weitere Schichten wie etwa eine Elektronentransportschicht (nicht gezeigt) aufweisen. Die Funktionsweise des optoelektronischen Bauteils 400 entspricht der Funktionsweise des optoelektronischen Bauteils 100 gemäß der in den 1A und 1B gezeigten Ausführungsbeispiele.In the embodiment according to 4A is an opto-electronic component 400 shown that a substrate 401 having. On the substrate are a filter element 103 and above that a wavelength conversion range 102 applied. Furthermore, it is on the wavelength conversion range 102 an organic radiation-emitting layer sequence 402 arranged, which is a transparent first electrode 461 , functional layers 462 and 463 and a second electrode 464 includes. The functional layers 462 and 463 For example, they can be embodied as a hole transport layer and as an active light-emitting layer. Furthermore, the radiation-emitting layer sequence may optionally have further layers, such as an electron-transport layer (not shown). The mode of operation of the optoelectronic device 400 corresponds to the mode of operation of the optoelectronic device 100 according to the in 1A and 1B shown embodiments.

Um die strahlungsemittierende Schichtenfolge 402 vor leistungsmindernden Einflüssen und Degradation beispielsweise durch Feuchtigkeit oder Sauerstoff zu schützen, kann das optoelektronische Bauteil 400 eine Verkapselung um die strahlungsemittierende Schichtenfolge 402 aufweisen (nicht gezeigt). Die Verkapselung kann dabei auch zusätzlich den Wellenlängenkonversionsbereich 102 oder den Wellenlängenkonversionsbereich 102 und das Filterelement 103 umgeben. Das Substrat kann dabei auch einen Teil der Verkapselung bilden.To the radiation-emitting layer sequence 402 To protect against performance-reducing influences and degradation, for example, by moisture or oxygen, the optoelectronic component 400 an encapsulation around the radiation-emitting layer sequence 402 have (not shown). The encapsulation can also additionally the wavelength conversion range 102 or the wavelength conversion range 102 and the filter element 103 surround. The substrate may also form part of the encapsulation.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß 4B ist eine Variante des optoelektronischen Bauteils 400 aus 4A gezeigt, bei dem auf dem Substrat 401 ein Wellenlängenkonversionsbereich 102 aufgebracht ist und über dem Wellenlängenkonversionsbereich 102 ein Filterelement 103. Darüber ist eine organische strahlungsemittierende Schichtenfolge angeordnet. Die Funktionsweise des optoelektronischen Bauteils 400 entspricht der Funktionsweise der im Zusammenhang mit den 3A und 3B gezeigten Ausführungsbeispiele.In the embodiment according to 4B is a variant of the optoelectronic device 400 out 4A shown in which on the substrate 401 a wavelength conversion range 102 is applied and over the wavelength conversion range 102 a filter element 103 , In addition, an organic radiation-emitting layer sequence is arranged. The mode of operation of the optoelectronic device 400 corresponds to the functioning of related to the 3A and 3B shown embodiments.

In allen gezeigten Ausführungsbeispielen kann der Wellenlängenkonversionsbereich oder das Wellenlängenkonversionselement auch alternativ zwischen den Elektroden, die das elektrische Feld im photonischen Kristall erzeugen, angebracht sein.In all shown embodiments can the wavelength conversion range or the wavelength conversion element also alternatively between the electrodes, the electric field be generated in the photonic crystal, be appropriate.

Weiterhin können alternativ in den verschiedenen Ausführungsbeispielen auch strahlungsemittierende Bauelemente oder strahlungsemittierende Schichtenfolgen verwendet werden, die beispielsweise eine erste Strahlung mit einem ersten Spektrum in einem grünen oder gelben oder einem anderen Wellenlängenbereich aufweisen. Weiterhin können Wellenlängenkonversionsstoffe verwendet werden, die in einem grünen oder gelben oder einem anderen Wellenlängenbereich absorbiert und einem anderen, langwelligerem Wellenlängenbereich emittiert. Darüber hinaus können ein mischfarbiges strahlungsemittierendes Bauelement oder eine mischfarbige strahlungsemittierende Schichtenfolge verwendet werden und/oder Mischungen aus Wellenlängenkonversionsstoffen mit verschiedenen Absorptions- und/oder Emissionsspektren.Farther can Alternatively, in the various embodiments, radiation-emitting Components or radiation-emitting layer sequences used for example, a first radiation with a first Spectrum in a green or yellow or other wavelength range. Farther can Wavelength conversion substances be used in a green or yellow or a other wavelength range absorbed and another, longer wave wavelength range emitted. About that can out a mixed-color radiation-emitting component or a mixed-color component radiation-emitting layer sequence can be used and / or Mixtures of wavelength conversion materials with different absorption and / or emission spectra.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited to these. Rather, the invention encompasses every new feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in the claims includes, even if this feature or this combination itself not explicitly in the patent claims or embodiments is specified.

Claims

Optoelektronisches Bauteil, umfassend: – eine strahlungsemittierende Schichtenfolge (101), die eine erste Strahlung (111) mit einem ersten Spektrum emittiert, – zumindest einen Wellenlängenkonversionsbereich (102) im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (101), der zumindest einen Teil der ersten Strahlung (111) in eine zweite Strahlung (112) mit einem zweiten Spektrum umwandelt, das zumindest teilweise vom ersten Spektrum verschieden ist, und – zumindest ein Filterelement (103) im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (101) mit einem photonischen Kristall (131) mit einer variabel einstellbaren Transmission für zumindest einen Teil des ersten Spektrums.Optoelectronic component, comprising: a radiation-emitting layer sequence ( 101 ), which is a first radiation ( 111 ) emitted with a first spectrum, - at least one wavelength conversion range ( 102 ) in the beam path of the radiation-emitting layer sequence ( 101 ), which comprises at least part of the first radiation ( 111 ) into a second radiation ( 112 ) is converted with a second spectrum which is at least partially different from the first spectrum, and - at least one filter element ( 103 ) in the beam path of the radiation-emitting layer sequence ( 101 ) with a photonic crystal ( 131 ) with a variably adjustable transmission for at least a portion of the first spectrum.

Bauteil nach dem vorherigen Anspruch, wobei der photonische Kristall (131) eine photonische Bandlücke mit einem variabel einstellbaren Wellenlängenbereich aufweist.Component according to the preceding claim, wherein the photonic crystal ( 131 ) has a photonic bandgap with a variably adjustable wavelength range.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der photonische Kristall (131) ein dreidimensionaler photonischer Kristall ist, der eine vollständige photonische Bandlücke mit einem variabel einstellbaren Wellenlängenbereich aufweist.Component according to one of the preceding claims, wherein the photonic crystal ( 131 ) is a three-dimensional photonic crystal having a complete photonic band gap with a variably adjustable wavelength range.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der photonische Kristall (131) so beschaffen ist, dass die Transmission variabel einstellbar ist durch zumindest eine äußere Einwirkung aus einer Gruppe, wobei die Gruppe gebildet wird durch: – ein elektrisches Feld, – ein magnetisches Feld, – ein elektromagnetisches Feld, – einen Strom, – eine Temperaturänderung, und – eine mechanische Einwirkung.Component according to one of the preceding claims, wherein the photonic crystal ( 131 ) is such that the transmission is variably adjustable by at least one external action from a group, the group being formed by: an electric field, a magnetic field, an electromagnetic field, a current, a temperature change, and a mechanical action.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der photonische Kristall (131) zumindest erste und zweite Bereiche umfasst und zumindest in den ersten oder zweiten Bereichen die optische Weglänge für die erste Strahlung variabel einstellbar ist.Component according to one of the preceding claims, wherein the photonic crystal ( 131 ) comprises at least first and second regions and at least in the first or second regions, the optical path length for the first radiation is variably adjustable.

Bauteil nach dem vorherigen Anspruch, wobei die Bereiche, in denen die optische Weglänge für die erste Strahlung variabel einstellbar ist, Flüssigkristalle mit variabel einstellbarem Brechungsindex aufweisen.Component according to the preceding claim, wherein the regions, in which the optical path length for the first Radiation is variably adjustable, liquid crystals with variable have adjustable refractive index.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Transmission des photonischen Kristalls (131) mittels eines elektrischen Feldes variabel einstellbar ist und das Filterelement weiterhin zwei Elektroden (132) umfasst, zwischen denen der photonische Kristall (131) angeordnet ist.Component according to one of the preceding claims, wherein the transmission of the photonic crystal ( 131 ) is variably adjustable by means of an electric field and the filter element further comprises two electrodes ( 132 ) between which the photonic crystal ( 131 ) is arranged.

Bauteil nach dem vorherigen Anspruch, wobei die Elektroden (132) im Strahlengang der ersten Strahlung (111) angeordnet sind.Component according to the preceding claim, wherein the electrodes ( 132 ) in the beam path of the first radiation ( 111 ) are arranged.

Bauteil nach einem der Ansprüche 7 oder 8, wobei die Elektroden (132) mindestens ein transparentes Material aus einer Gruppe umfassen und die Gruppe gebildet wird durch – ein Metall, – ein Metalloxid, und – ein organisches elektrisch leitendes Material.Component according to one of claims 7 or 8, wherein the electrodes ( 132 ) comprise at least one transparent material from a group and the group is formed by - a metal, - a metal oxide, and - an organic electrically conductive material.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das optoelektronische Bauteil genau eine strahlungsemittierende Schichtenfolge (101) umfasst.Component according to one of the preceding claims, wherein the optoelectronic component exactly one radiation-emitting layer sequence ( 101 ).

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Filterelement (103) dem Wellenlängenkonversionsbereich (102) im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (101) nachgeordnet ist.Component according to one of the preceding claims, wherein the filter element ( 103 ) the wavelength conversion range ( 102 ) in the beam path of the radiation-emitting layer sequence ( 101 ) is subordinate.

Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der Wellenlängenkonversionsbereich (102) dem Filterelement (103) im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (101) nachgeordnet ist.Component according to one of claims 1 to 10, wherein the wavelength conversion range ( 102 ) the filter element ( 103 ) in the beam path of the radiation-emitting layer sequence ( 101 ) is subordinate.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die strahlungsemittierende Schichtenfolge (101) eine anorganische strahlungsemittierende Halbleiterschichtenfolge oder eine organische strahlungsemittierende Schichtenfolge ist.Component according to one of the preceding claims, wherein the radiation-emitting layer sequence ( 101 ) is an inorganic radiation-emitting semiconductor layer sequence or an organic radiation-emitting layer sequence.

Bauteil nach Anspruch 13, wobei die organische strahlungsemittierende Schichtenfolge zumindest eine aktive lichtemittierende Schicht umfasst, die mindestens ein organisches Polymer, ein organisches Oligomer, ein organisches Monomer, organische kleine Moleküle oder eine Kombination daraus aufweist.Component according to claim 13, wherein the organic radiation-emitting Layer sequence comprises at least one active light-emitting layer, the at least one organic polymer, an organic oligomer organic monomer, organic small molecules or a combination thereof.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die strahlungsemittierende Schichtenfolge (101) ein strahlungsemittierendes Bauelement ist.Component according to one of the preceding claims, wherein the radiation-emitting layer sequence ( 101 ) is a radiation-emitting component.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der Wellenlängenkonversionsbereich (102) ein Wellenlängenkonversionselement ist.Component according to one of the preceding claims, wherein the wavelength conversion range ( 102 ) is a wavelength conversion element.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das erste Spektrum einen Wellenlängenbereich aus einem ultravioletten bis blauen Wellenlängenbereich aufweist.Component according to one of the preceding claims, wherein the first spectrum a wavelength range from an ultraviolet to blue wavelength range.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das zweite Spektrum einen Wellenlängenbereich aus einem blauen bis roten Wellenlängenbereich aufweist.Component according to one of the preceding claims, wherein the second spectrum is a wavelength range from a blue one to red wavelength range having.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (101) wenigstens zwei Wellenlängenkonversionsbereiche (102, 202) lateral angeordnet sind und jedem der wenigstens zwei Wellenlängenkonversionsbereichen (102, 202) jeweils ein Filterelement (103, 203) im Strahlengang nachgeordnet ist.Component according to one of the preceding claims, wherein in the beam path of the radiation-emitting layer sequence ( 101 ) at least two wavelength conversion regions ( 102 . 202 ) are arranged laterally and each of the at least two wavelength conversion regions ( 102 . 202 ) each have a filter element ( 103 . 203 ) is arranged downstream in the beam path.

Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 18, wobei im Strahlengang der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (101) wenigstens zwei Wellenlängenkonversionsbereiche (102, 202) lateral angeordnet sind und jeder der wenigstens zwei Wellenlängenkonversionsbereiche (102, 202) jeweils einem Filterelement (103, 203) im Strahlengang nachgeordnet ist.Component according to one of claims 1 to 18, wherein in the beam path of the radiation-emitting layer sequence ( 101 ) at least two wavelength conversion regions ( 102 . 202 ) are arranged laterally and each of the at least two wavelength conversion regions ( 102 . 202 ) each a filter element ( 103 . 203 ) is arranged downstream in the beam path.

Bauteil nach einem der Ansprüche 19 oder 20, wobei die jeweils von den wenigstens zwei Wellenlängenkonversionsbereichen (102, 202) emittierte zweite Strahlung (112) unterschiedliche Spektren aufweisen.A device according to any one of claims 19 or 20, wherein each of the at least two wavelength conversion regions ( 102 . 202 ) emitted second radiation ( 112 ) have different spectra.

Bauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das optoelektronische Bauteil durch eine Mischung der ersten Strahlung und der zweiten Strahlung eine variable Einstellbarkeit der von einem Betrachter wahrgenommenen Strahlung aufweist.Component according to one of the preceding claims, wherein the optoelectronic component by a mixture of the first radiation and the second radiation has a variable adjustability of Having a viewer perceived radiation.