DE102006023046A1 - Verfahren, Vorrichtung und Ausgangsmaterial zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors - Google Patents

Verfahren, Vorrichtung und Ausgangsmaterial zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors Download PDF

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors für ein Beschichtungsverfahren. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines ein pulverförmiges Precursormaterial (21) aufweisenden Ausgangsmaterials (20), ein Erwärmen des Ausgangsmaterials (20), um ein Verdampfen des pulverförmigen Precursormaterials (21) hervorzurufen, sowie ein Vorbeiführen eines Trägergases an dem Ausgangsmaterial (20) in einem eine konvektive Gasströmung verhindernden Abstand, um den gasförmigen Precursor für das Beschichtungsverfahren bereitzustellen. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung (10), bei der ein solches Verfahren zur Anwendung kommt, sowie ein Ausgangsmaterial (20) zur Verwendung bei einem solchen Verfahren, welches ein Mischung aus einem pulverförmigen Precursormaterial (21) und einem pulverförmigen inerten Festkörpermaterial (22) aufweist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors für ein Beschichtungsverfahren. Die Erfindung betrifft ferner ein Ausgangsmaterial zur Verwendung bei einem solchen Verfahren.
  • Zur Herstellung dünner Schichten auf Halbleiterscheiben werden unterschiedliche Beschichtungsverfahren eingesetzt. Von großer Bedeutung ist insbesondere die sogenannte "Chemical Vapor Deposition" (Chemische Gasphasenabscheidung), welche auch als CVD bezeichnet wird. Bei diesem Verfahren wird eine zu beschichtende Halbleiterscheibe in eine Prozesskammer eines sogenannten CVD-Reaktors eingebracht, um in einer chemisch reaktiven Gasumgebung aus der Gasphase die gewünschte Schicht auf einer Oberfläche der Halbleiterscheibe abzuscheiden. Die Ausgangssubstanzen, welche auch als Precursoren bezeichnet werden und welche die Elemente der abzuscheidenden Schicht enhalten, werden dabei gasförmig in die Prozesskammer geleitet. In der Regel erfolgt eine Aktivierung der Precursoren durch thermische Erwärmung, um die für das Schichtwachstum geeigneten Vorläufermoleküle an der Oberfläche der Halbleiterscheibe zu erzeugen.
  • Ein weiteres wichtiges Schichterzeugungsverfahren stellt insbesondere die sogenannte "Atomic Layer Deposition", kurz ALD, dar. Beim ALD-Verfahren wird anders als beim CVD-Verfahren im Wesentlichen die chemische Affinität der zu beschichtenden Oberfläche einer Halbleiterscheibe zu den einzelnen Precursormolekülen oder Radikalen ausgenutzt. Diese lagern sich aus der Gasphase an der Oberfläche der Halbleiterscheibe an, bis alle freien Valenzen gesättigt sind. Dadurch ist die Abscheidung selbstlimitierend und abgeschlossen.
  • Das Bereitstellen eines gasförmigen Precurors im Rahmen von ALD-Abscheideverfahren sowie CVD-Abscheideverfahren wie beispielsweise der MOCVD (Metal Organic CVD) für die Herstellung von Schichten, welche aus von der Halbleiterindustrie derzeit favorisierten "neuen Materialien" wie beispielsweise high-k-Dielektrika bestehen, erfordert die Verwendung von in der Feststoffphase vorliegenden Ausgangsmaterialien. Derartige Ausgangsmaterialien werden durch Verdampfen bzw. Sublimieren in einer einer Prozesskammer eines ALD- bzw. CVD-Reaktors vorgeschalteten Verdampfungsvorrichtung in den gasförmigen Aggregatzustand übergeführt. Von Nachteil ist jedoch, dass diese Materialien naturgemäß einen niedrigen Dampfdruck und eine geringe Verdampfungsrate aufweisen.
  • Um dennoch die für einen Beschichtungsprozess erforderliche Menge an gasförmigem Precursor bereitzustellen, wird das Ausgangsmaterial in der Regel pulverisiert, um die für die Verdampfung zur Verfügung stehende Festkörperoberfläche zu vergrößern. Auch wird eine Verdampfung bei einer relativ hohen Temperatur durchgeführt, welche durch eine Grenztemperatur limitiert wird, bei welcher thermische Zersetzungsreaktionen des Ausgangsmaterials auftreten. Des weiteren wird zum Bereitstellen des gasförmigen Precursors ein inertes Trägergas durch das pulverförmige Ausgangsmaterial geleitet.
  • Beispielsweise ist aus der US 6,280,793 B1 ein Verfahren zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors für einen Beschichtungsprozess bekannt, bei welchem ein pulverförmiges Precursormaterial zunächst elektrisch aufgeladen und nachfolgend in eine Verdampfungskammer einer Verdampfungsvorrichtung mit einem eine entgegengesetzte Ladung aufweisenden Heizelement eingesprüht wird. Dabei kann das pulverförmige Precursormaterial mit einem weiteren als Trägermaterial dienenden pulverförmigen Festkörpermaterial versetzt sein. Aufgrund der entgegengesetzten Ladungen lagern sich Partikel bzw. Pulverkörner des pulverförmigen Precursormaterials an dem Heizelement an und werden verdampft. Gleichzeitig wird ein Trägergas durch die Verdampfungskammer geleitet, um den auf diese Weise hergestellten gasförmigen Precursor einer Prozesskammer für einen Beschichtungsprozess zuzuführen.
  • Aufgrund des vor dem Verdampfen durchgeführten elektrischen Aufladens des pulverförmigen Precursormaterials ist dieses Verfahren jedoch mit einem relativ hohen Aufwand verbunden. Darüber hinaus besteht die Gefahr, dass das durch das Pulver geleitete Trägergas neben den gasförmigen Precursoren auch in der Feststoffphase vorliegende Pulverkörner in die Prozesskammer für den Beschichtungsprozess transportiert. Auf diese Weise kann es zu einer störenden Partikelbildung auf einer zu beschichtenden Halbleiterscheibe kommen.
  • Dieses Problem tritt auch bei dem in US 2005/0019026 A1 offenbarten Verdampfungsverfahren auf, bei welchem ein pulverförmiges Ausgangsmaterial einem Verdampfungsbehälter einer Verdampfungsvorrichtung zugeführt und für eine Verdampfung aufgeheizt wird. In entsprechender Weise wird ein inertes Trägergas in den Verdampfungsbehälter eingeleitet, welches sich mit den gasförmigen Precursoren vermischt und diese in eine Prozeskammer für eine Beschichtung transportiert. Auch bei diesem Verfahren besteht die Gefahr einer konvektiven, d.h. einer Pulverkörner mitführenden Gasströmung im Bereich des Ausgangsmaterials.
  • Darüber hinaus tritt die bei manchen pulverförmigen Precursormaterialien das Problem auf, dass sich Pulverkörner bei Vorliegen der Verdampfungstemperatur zu größeren Klumpen vereinigen. Dieser als Koaleszenz bezeichnete Vorgang ist mit einer Verringerung der für die Verdampfung zur Verfügung stehenden Oberfläche verbunden, wodurch die Verdampfungsrate reduziert wird.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren, eine Vorrichtung sowie ein Ausgangsmaterial zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors anzugeben, mit de ren Hilfe die bei herkömmlichen Verfahren auftretenden Probleme, insbesondere eine konvektive Gasströmung und eine Koaleszenz von Partikeln eines Precursormaterials, vermieden werden.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1, ein Ausgangsmaterial gemäß Anspruch 3 sowie durch eine Vorrichtung gemäß Anspruch 11 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors für ein Beschichtungsverfahren vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Ausgangsmaterials, welches ein pulverförmiges Precursormaterial aufweist, ein Erwärmen des Ausgangsmaterials, um ein Verdampfen des pulverförmigen Precursormaterials hervorzurufen, und ein Vorbeiführen eines Trägergases an dem Ausgangsmaterial in einem eine konvektive Gasströmung verhindernden Abstand, um den gasförmigen Precursor für das Beschichtungsverfahren bereitzustellen.
  • Da bei dem erfindungsgemäßen Verfahren das Trägergas in einem solchen Abstand an dem Ausgangsmaterial vorbeigeführt wird, dass eine konvektive Gasströmung, d.h, eine Partikel des pulverförmigen Ausgangsmaterials mitführende Gasströmung im Bereich des Ausgangsmaterials vermieden wird, weist der bereitgestellte Precursor keine in der Feststoffphase vorliegenden Partikel auf. Infolgedessen wird bei einem nachfolgend durchgeführten Beschichtungsverfahren eine beeinträchtigende Partikelbildung auf einer zu beschichtenden Oberfläche einer Halbleiterscheibe vermieden.
  • Dabei ist es bevorzugt, das Trägergas derart an dem Ausgangsmaterial vorbeizuführen, dass in einem vorgegebenen Abstand zu dem Ausgangsmaterial eine im Wesentlichen eindimensionale laminare Strömung des Trägergases erzeugt wird. Auf diese Weise werden Turbulenzen bzw. Verwirbelungen des Trägergases in der Nähe des Ausgangsmaterials und ein damit einhergehender Transport von Precursorpartikeln durch das Trägergas mit einer hohen Zuverlässigkeit verhindert.
  • Erfindungsgemäß wird des weiteren ein Ausgangsmaterial zur Verwendung bei einem vorstehend beschriebenen Verfahren zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors für ein Beschichtungsverfahren vorgeschlagen, welches eine Mischung aus einem pulverförmigen Precursormaterial und einem pulverförmigen inerten Festkörpermaterial aufweist. Mit einem solchen Ausgangsmaterial kann eine bei der Verdampfung des pulverförmigen Precursormaterials auftretende Koaleszenz von Partikeln bzw. Pulverkörnern zu Klumpen, welche mit einer Verringerung der für die Verdampfung zur Verfügung stehenden Festkörperoberfläche und damit einer Reduzierung der Verdampfungsrate verbunden ist, vermieden werden.
  • Das Unterdrücken eines Verklumpens von Partikeln des pulverförmigen Precursormaterials wird gemäß einer bevorzugten Ausführungsform mit einer hohen Zuverlässigkeit dadurch erzielt, dass in dem Ausgangsmaterial Partikel des pulverförmigen Precursormaterials im Wesentlichen von Partikeln des pulverförmigen inerten Festkörpermaterials umgeben sind.
  • Zu diesem Zweck weist das Ausgangsmaterial vorzugsweise ein Mischungsverhältnis zwischen dem pulverförmigen Precursormaterial und dem pulverförmigen inerten Festkörpermaterial in einem Bereich von 1:2 bis 1:10 auf.
  • Weiter weisen die Partikel des pulverförmigen Precursormaterials vorzugsweise im Wesentlichen die gleiche Größe auf wie Partikel des pulverförmigen inerten Festkörpermaterials.
  • Erfindungsgemäß wird ferner eine Vorrichtung zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors für ein Beschichtungsverfahren vorgeschlagen. Die Vorrichtung umfasst einen Behälter zum Aufnehmen eines ein pulverförmiges Precursormaterial aufwei senden Ausgangsmaterials, eine Heizeinrichtung zum Erwärmen des Ausgangsmaterials, um ein Verdampfen des pulverförmigen Precursormaterials hervorzurufen, und eine an dem Behälter ausgebildete Einlassöffnung sowie eine an dem Behälter ausgebildete Auslassöffnung zum Vorbeiführen eines Trägergases an dem Ausgangsmaterial in einem eine konvektive Gasströmung verhindernden Abstand, um den gasförmigen Precursor für das Beschichtungsverfahren bereitzustellen.
  • In entsprechender Weise wird mit einer solchen Vorrichtung ein Mitführen von Partikeln des Ausgangsmaterials durch das Trägergas verhindert. Bei einem im Anschluss an das Verdampfen des pulverförmigen Precursormaterials durchgeführten Beschichtungsverfahren tritt folglich keine störende Partikelbildung auf einer zu beschichtenden Halbleiterscheibe auf.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Verdampfungsvorrichtung;
  • 2 ein Ablaufdiagramm einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors; und
  • 3 eine vergrößerte schematische Darstellung eines Behälters der Verdampfungsvorrichtung von 1 mit einem Ausgangsmaterial.
  • 1 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Verdampfungsvorrichtung 10, bei welcher die in 2 dargestellte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors für ein Beschichtungsverfahren zur Anwendung kommt. Bei dem Beschichtungsverfahren handelt es sich beispielsweise um ein CVD- oder ein ALD-Abscheideverfahren, mit dessen Hilfe ein Träger, beispielsweise eine Halbleiterscheibe, beschichtet wird.
  • Bei dem in 2 dargestellten Verfahren wird zunächst in einem ersten Verfahrensschritt 31 ein Ausgangsmaterial 20 bereitgestellt, welches zumindest teilweise aus einem pulverförmigen Precursormaterial 21 besteht. Ein derartig bereitgestelltes Ausgangsmaterial 20 wird bei der Verdampfungsvorrichtung 10 von 1 in einem Behälter 11 aufgenommen. Der Behälter 11 weist vorzugsweise einen im Wesentlichen rechteckförmigen Querschnitt mit einem Behälterboden 12 sowie Seitenwänden 13 auf, wobei die horizontalen Abmessungen des Behälters 11 insbesondere kleiner sind als die vertikalen Abmessungen. Das Ausgangsmaterial 20 wird hierbei im Bereich des Behälterbodens 12 aufgenommen.
  • In einem nachfolgenden Verfahrensschritt 32 des in 2 dargestellten Verfahrens wird das Ausgangsmaterial 20 erwärmt, um ein Verdampfen des pulverförmigen Precursormaterials 21 hervorzurufen. Zu diesem Zweck weist die in 1 abgebildete Verdampfungsvorrichtung 10 um die Seitenwände 13 des Behälters 11 angeordnete Heizelemente 16 auf, welche beispielsweise als Heizwiderstände ausgebildet sind. Wahlweise können die Heizelemente 16 auf andere Art und Weise, beispielsweise als induktive Heizspulen, ausgeführt sein.
  • Mithilfe der Heizelemente 16 wird das Ausgangsmaterial 20 auf eine vorgegebene Verdampfungstemperatur aufgeheizt, bei der eine ausreichende Verdampfung des pulverförmigen Precursormaterials 21 erzielt wird. Die Verdampfungstemperatur liegt unterhalb einer Zersetzungs- bzw. einer Verflüssigungstemperatur des Precursormaterials 21, um eine Zersetzung bzw. Verflüssigung des Precursormaterials 21 zu vermeiden.
  • Gemäß eines weiteren Verfahrensschrittes 33 des in 2 dargestellten Verfahrens wird an dem Ausgangsmaterial 20 ein inertes Trägergas vorbeigeführt, um den aus der Verdampfung des Precursormaterials 21 hervorgehenden gasförmigen Precursor für ein in einer Prozesskammer 19 eines Reaktors durchgeführtes Beschichtungsverfahren bereitzustellen. Das Vorbeiführen des Trägergases erfolgt dabei in einem solchen Abstand zu dem Ausgangsmaterial 20, dass eine konvektive Gasströmung, d.h. eine Festkörperpartikel des pulverförmigen Ausgangsmaterials 20 mitführende Gasströmung in der Nähe des Ausgangsmaterials 20 vermieden wird.
  • Zu diesem Zweck weist der Behälter 11 der in 1 dargestellten Verdampfungsvorrichtung 10 eine Einlassöffnung 14 sowie eine Auslassöffnung 15 auf, welche in den Seitenwänden 13 des Behälters 11 zu dem Behälterboden 12 beabstandet ausgebildet sind. Die Einlassöffnung 14 ist über eine entsprechende Gasleitung mit einem Gasreservoir bzw. Gasbehälter 18 verbunden, in welchem das Trägergas unter Druck gespeichert ist. Die Auslassöffnung 15 ist über eine weitere Gasleitung mit der Prozesskammer 19 zum Durchführen des Beschichtungsverfahrens verbunden. Über in den Gasleitungen angeordnete Ventile 17 wird der Zustrom des Trägergases in den Behälter 11 sowie der Abstrom des mit dem dampfförmigen Precursor gesättigten Trägergases aus dem Behälter 11 eingestellt. Zur Steuerung des Zu- und Abstroms des Trägergases kann darüber hinaus eine in 1 nicht dargestellte Pumpeinrichtung vorgesehen sein.
  • Die Einlassöffnung 14 und die Auslassöffnung 15 sind vorzugsweise im Wesentlichen gegenüberliegend in den Seitenwänden 13 des Behälters 11 ausgebildet, wie anhand von 1 erkennbar wird. Auf diese Weise ist es möglich, das Trägergas derart an dem Ausgangsmaterial 20 vorbeizuführen, dass in einem vorgegebenen Abstand zu dem Ausgangsmaterial 20 eine im Wesentlichen eindimensionale laminare Strömung des Trägergases erzeugt wird. Eine derartige Gasströmung, welche in 1 durch den zwischen der Einlassöffnung 14 und der Auslassöffnung 15 dargestellten Pfeil angedeutet ist, hat zur Folge, dass Turbulenzen bzw. Verwirbelungen des Trägergases in der Nähe des Ausgangsmaterials 20 vermieden werden. Auf diese Weise wird ein Transport von Precursorpartikeln aus dem Behälter 11 in die Prozesskammer 19 durch das Trägergas, welches zur Partikelbildung auf einer zu beschichtenden Oberfläche eines in die Prozesskammer 19 eingebrachten Trägers bzw. einer Halbleiterscheibe führt, mit einer hohen Zuverlässigkeit verhindert.
  • Anstelle die Einlassöffnung 14 und die Auslassöffnung 15 wie in 1 dargestellt am oberen Ende der Seitenwände 13 des Behälters 11 auszubilden, können die Einlassöffnung 14 und die Auslassöffnung 15 auch an einer anderen Stelle in den Seitenwänden 13 ausgebildet sein. Auch in derartigen Ausführungsformen eines Behälters 11 sind die Einlassöffnung 14 und die Auslassöffnung 15 vorzugsweise im Wesentlichen gegenüberliegend angeordnet, um eine im Wesentlichen eindimensionale laminare Strömung des Trägergases hervorzurufen.
  • Das pulverförmige Precursormaterial 21 weist vorzugsweise ein Metall, insbesondere aus der Gruppe Hf, Zr, Ru, La, Pr auf, um einen die genannten Metalle enthaltenden sogenannten Metallprecursor für die Herstellung entsprechender metallischer Schichten bereitzustellen. Dabei liegen die entsprechenden Metallverbindungen in dem Precursormaterial 21 beispielsweise in Form von Tetrachloridverbindungen vor, d.h. im Falle von beispielsweise Hf als HfCl4. Für derartige Metallprecursoren wird als inertes Trägergas beispielsweise Argon oder Stickstoff eingesetzt.
  • Neben der in 1 dargestellten, den Behälter 11 mit der Prozesskammer 19 verbindenden Gasleitung können weitere an die Prozesskammer 19 angeschlossene Gasleitungen vorgesehen sein, um der Prozesskammer 19 weitere gasförmige Precursoren aus weiteren Verdampfungsvorrichtungen für einen Beschichtungsprozess zuzuführen. Mit einer zusätzlichen Gasleitung könnte beispielsweise neben dem vorstehend genannten Metallprecursor auch ein Sauerstoff enthaltender sogenannter Oxidprecursor wie beispielsweise Wasserdampf in die Prozesskammer 19 eingeleitet werden.
  • Anstelle ein ausschließlich aus einem pulverförmigen Precursormaterial 21 bestehendes Ausgangsmaterial 20 einzusetzen, weist das Ausgangsmaterial 20 vorzugsweise eine Mischung aus einem pulverförmigen Precursormaterial 21 und einem pulverförmigen inerten Festkörpermaterial 22 auf, wie anhand der in 3 abgebildeten vergrößerten Darstellung des Behälters 11 der Verdampfungsvorrichtung 10 erkennbar wird. Dabei weist das pulverförmige inerte Festkörpermaterial 22 vorzugsweise Partikel aus Quarzsand bzw. SiO2, Si und/oder Siliziumnitrid auf.
  • Mit einem derartigen Ausgangsmaterial 20 kann eine bei der Verdampfung des pulverförmigen Precursormaterials 21 auftretende, als Koaleszenz bezeichnete Verklumpung von Partikeln bzw. Kristalliten des pulverförmigen Precursormaterials 21, welche mit einer Verkleinerung der für die Verdampfung zur Verfügung stehenden Festkörperoberfläche und infolgedessen einer Verringerung der Verdampfungsrate verbunden ist, vermieden werden. Zur effektiven Verhinderung eines Verklumpens von Partikeln des Precursormaterials 21 sind die Partikel des Precursormaterials 21 dabei im Wesentlichen von Partikeln des inerten Festkörpermaterials 22 umgeben, d.h. dass jeder Kristallit des Precursormaterials 21 im Mittel nur von Kristalliten des Festkörpermaterials 22 umgeben ist.
  • Zu diesem Zweck weist das Ausgangsmaterial 20 ein Mischungsverhältnis zwischen dem pulverförmigen Precursormaterial 21 und dem pulverförmigen inerten Festkörpermaterial 22 in einem Bereich von 1:2 bis 1:10 auf. Des weiteren besitzen die Partikel des pulverförmigen Precursormaterials 21 im Wesentlichen die gleiche Größe wie Partikel des pulverförmigen inerten Festkörpermaterials 22, um einen möglichst ungehinderten diffusiven Transport von gasförmigen Precursormolekülen in dem porösen Ausgangsmaterial 20 zu ermöglichen.
  • Bei einer eingesetzten Menge an Ausgangsmaterial 20 in einem Bereich von beispielsweise 5 g bis 10 g weisen sowohl die Partikel des Precursormaterials 21 als auch die Partikel des inerten Festkörpermaterials 22 vorzugsweise eine Größe in einem Bereich von 30 μm bis 500 μm auf. Hierdurch wird sowohl eine für die Verdampfung ausreichende Gesamtoberfläche zur Verfügung gestellt als auch eine gute Durchmischung von Partikeln des Precursormaterials 21 und Partikeln des Festkörpermaterials 22 ermöglicht.
  • Vorzugsweise ist der Schmelzpunkt des pulverförmigen inerten Festkörpermaterials 22 wesentlich höher als der Schmelzpunkt des pulverförmigen Precursormaterials 21. Für ein beispielsweise HfCl4 aufweisendes Precursormaterial 21 mit einer Schmelztemperatur von 319°C ist diese Voraussetzung bei einem inerten Festkörpermaterial 22 aus beispielsweise SiO2 mit einer Schmelztemperatur von 1723°C oder Si mit einer Schmelztemperatur von 1410°C erfüllt. Auf diese Weise wird eine die Verdampfung des Precursormaterials 21 beeinträchtigende Verflüssigung des Festkörpermaterials 22 vermieden.
    • 10
    Verdampfungsvorrichtung
    11
    Behälter
    12
    Behälterboden
    13
    Seitenwand
    14
    Einlassöffnung
    15
    Auslassöffnung
    16
    Heizelement
    17
    Ventil
    18
    Gasbehälter
    19
    Prozesskammer
    20
    Ausgangsmaterial
    21
    Pulverförmiges Precursormaterial
    22
    Pulverförmiges inertes Festkörpermaterial
    31, 32, 33
    Verfahrensschritt

Claims (13)

  1. Verfahren zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors für ein Beschichtungsverfahren, umfassend die Verfahrensschritte: – Bereitstellen eines Ausgangsmaterials (20), welches ein pulverförmiges Precursormaterial (21) aufweist; – Erwärmen des Ausgangsmaterials (20), um ein Verdampfen des pulverförmigen Precursormaterials (21) hervorzurufen; und – Vorbeiführen eines Trägergases an dem Ausgangsmaterial (20) in einem eine konvektive Gasströmung verhindernden Abstand, um den gasförmigen Precursor für das Beschichtungsverfahren bereitzustellen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Trägergas derart an dem Ausgangsmaterial (20) vorbeigeführt wird, dass in einem vorgegebenen Abstand zu dem Ausgangsmaterial (20) eine im Wesentlichen eindimensionale laminare Strömung des Trägergases erzeugt wird.
  3. Ausgangsmaterial zur Verwendung bei einem Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors für ein Beschichtungsverfahren, aufweisend eine Mischung aus einem pulverförmigen Precursormaterial (21) und einem pulverförmigen inerten Festkörpermaterial (22).
  4. Ausgangsmaterial nach Anspruch 3, wobei Partikel des pulverförmigen Precursormaterials (21) im Wesentlichen von Partikeln des pulverförmigen inerten Festkörpermaterials (22) umgeben sind.
  5. Ausgangsmaterial nach einem der Ansprüche 3 oder 4 mit einem Mischungsverhältnis zwischen dem pulverförmigen Precursormaterial (21) und dem pulverförmigen inerten Festkörpermaterial (22) in einem Bereich von 1:2 bis 1:10.
  6. Ausgangsmaterial nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei Partikel des pulverförmigen Precursormaterials (21) im Wesentlichen die gleiche Größe aufweisen wie Partikel des pulverförmigen inerten Festkörpermaterials (22).
  7. Ausgangsmaterial nach einem der Ansprüche 3 bis 6, wobei Partikel des pulverförmigen Precursormaterials (21) und Partikel des pulverförmigen inerten Festkörpermaterials (22) eine Größe in einem Bereich von 30 μm bis 500 μm aufweisen.
  8. Ausgangsmaterial nach einem der Ansprüche 3 bis 7, wobei der Schmelzpunkt des pulverförmigen inerten Festkörpermaterials (22) wesentlich höher ist als der Schmelzpunkt des pulverförmigen Precursormaterials (21).
  9. Ausgangsmaterial nach einem der Ansprüche 3 bis 8, wobei das pulverförmige Precursormaterial (21) ein Metall, insbesondere aus der Gruppe Hf, Zr, Ru, La, Pr aufweist.
  10. Ausgangsmaterial nach einem der Ansprüche 3 bis 9, wobei das pulverförmige inerte Festkörpermaterial (22) SiO2, Si und/oder Siliziumnitrid aufweist.
  11. Vorrichtung zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors für ein Beschichtungsverfahren, aufweisend: – einen Behälter (11) zum Aufnehmen eines Ausgangsmate rials (20), welches ein pulverförmiges Precursormaterial (21) aufweist; – eine Heizeinrichtung (16) zum Erwärmen des Ausgangsmaterials (20), um ein Verdampfen des pulverförmigen Precursormaterials (21) hervorzurufen; und – eine an dem Behälter (11) ausgebildete Einlassöffnung (14) sowie eine an dem Behälter (11) ausgebildete Auslassöffnung (15) zum Vorbeiführen eines Trägergases an dem Ausgangsmaterial (20) in einem eine konvektive Gasströmung verhindernden Abstand, um den gasförmigen Precursor für das Beschichtungsverfahren bereitzustellen.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei der Behälter (11) einen im Wesentlichen rechteckförmigen Querschnitt mit einem Behälterboden (12) sowie Seitenwänden (13) aufweist, wobei das Ausgangsmaterial (20) im Bereich des Behälterbodens (12) aufgenommen wird und die Einlassöffnung (14) und die Auslassöffnung (15) in den Seitenwänden (13) des Behälters (11) zu dem Behälterboden (12) beabstandet ausgebildet sind.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei die Einlassöffnung (14) und die Auslassöffnung (15) im Wesentlichen gegenüberliegend in den Seitenwänden (13) des Behälters (11) ausgebildet sind, um das Trägergas derart an dem Ausgangsmaterial (20) vorbeizuführen, dass in einem vorgegebenen Abstand zu dem Ausgangsmaterial (20) eine im Wesentlichen eindimensionale laminare Strömung des Trägergases erzeugt wird.
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