DE102006013362A1 - Method for producing an electrical component with a nanoneedle structure - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Komponente mit einer Nanonadelstruktur. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass eine Vielzahl an Nanonadeln (100) auf einem Substrat (40) unter Verwendung eines Elektrolyten (20) elektrochemisch aufgewachsen wird.The invention relates to a method for producing an electrical component with a nanoneedle structure. According to the invention, it is provided that a large number of nanoneeds (100) are grown electrochemically on a substrate (40) using an electrolyte (20).
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The The invention relates to a method with the features according to the preamble of claim 1.
Ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Komponente mit einer Nanonadelstruktur ist beispielsweise aus der US-Patentschrift 6,741,019 bekannt. Bei diesem vorbekannten Verfahren werden vorgefertigte Nanonadeln mit einem magnetischen Material beschichtet und in einer Trägerflüssigkeit schwimmend mit einem Substrat in Kontakt gebracht. An das Substrat wird von außen ein Magnetfeld angelegt, so dass sich die magnetischen Nanonadeln in der Trägerflüssigkeit ausrichten können. Sie nehmen dabei eine Position vertikal zur Oberfläche des Substrats ein. Nach einem Ausheizen der Trägerflüssigkeit und weiteren Bearbeitungsschritten bildet sich eine Struktur, bei der die Nanonadeln im Wesentlichen senkrecht zum Substrat ausgerichtet sind und aus einer die Nadeln auf dem Substrat haltenden Trägerschicht herausragen.One Method for producing an electrical component with a Nanoneedle structure is known for example from US Pat. No. 6,741,019. at This previously known method includes prefabricated nanopipes coated with a magnetic material and floating in a carrier liquid brought into contact with a substrate. To the substrate is from Outside a magnetic field is applied so that the magnetic nanowires in the carrier liquid can align. They take a position vertical to the surface of the Substrate. After a heating of the carrier liquid and further processing steps Forms a structure in which the nanopipes essentially are aligned perpendicular to the substrate and one of the needles on the substrate holding carrier layer protrude.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen einer Nanonadelstruktur anzugeben, das möglichst einfach durchführbar ist und das Herstellen großflächiger Nanonadelstrukturen mit hoher Ausbeute und geringen Kosten ermöglicht.Of the Invention is based on the object, a method for manufacturing To specify a Nanonadelstruktur that is as simple to carry out and producing large-area nanoneedle structures with high yield and low cost.
Diese Aufgabe wird ausgehend von einem Verfahren der eingangs angegebenen Art erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in Unteransprüchen angegeben.These The object is based on a method of the beginning Art according to the invention the characterizing features of claim 1 solved. Advantageous embodiments The invention are in subclaims specified.
Danach ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass eine Vielzahl an Nanonadel auf dem Substrat unter Verwendung eines die Oberfläche des Substrats benetzenden Elektrolyten elektrochemisch aufgewachsen wird.After that is inventively provided that a variety of nanoneedles on the substrate using a the surface the substrate wetting electrolyte grown electrochemically becomes.
Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin zu sehen, dass es keiner aufwändigen Anlage zum Herstellen der Nanonadelstruktur bedarf. Selbst großflächige Nanonadelstrukturen, beispielsweise für Displays oder dergleichen, lassen sich beispielsweise mit einem relativ einfachen galvanischen Bad herstellen.One An essential advantage of the method according to the invention is to see that there is no elaborate Plant for producing the nanoneedle structure required. Even large-scale nanoneedle structures, for example Displays or the like, can be, for example, with a produce relatively simple galvanic bath.
Ein weiterer wesentlicher Vorteil, insbesondere im Vergleich zu dem eingangs beschriebenen Stand der Technik, ist darin zu sehen, dass die Nanonadeln nicht vorab und separat hergestellt werden müssen; die Nanonadeln werden bei dem erfindungsgemäßen Verfahren vielmehr in einem einzigen Bearbeitungsschritt sowohl hergestellt als auch gleichzeitig richtig ausgerichtet auf dem Substrat aufgebracht.One Another significant advantage, especially in comparison to the The prior art described above, it can be seen that the needles need not be pre-fabricated and separately; the Nanone needles are in the inventive method rather in a single machining step both manufactured and simultaneously applied properly aligned on the substrate.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens wird mit der Nanonadelstruktur eine Elektronenemitterstruktur oder ein Feldemitterarray hergestellt. Mit einer Elektronenemitterstruktur bzw. mit einem Feldemitterarray lassen sich beispielsweise Bildschirme bzw. Displays herstellen, indem die Elektronenemitterstruktur bzw. das Feldemitterarray in Arraysegmente mit einer Vielzahl an Nanonadeln unterteilt wird und indem mit jedem der Arraysegmente jeweils ein Pixel des Bildschirms bzw. Displays gebildet wird. Da – wie erläutert – die Kosten für die Herstellung der Nanonadelstruktur relativ gering sind, wird auch eine kostengünstige Herstellung großflächiger Displays möglich.According to one advantageous embodiment of the method is with the nanoneedle structure an electron emitter structure or field emitter array. With an electron emitter structure or with a field emitter array For example, you can make screens or displays by the electron emitter structure or the field emitter array in Array segments with a large number of nanowires is divided and by using each of the array segments one pixel each of the screen or displays is formed. Because - as explained - the cost of production the nanoneedle structure are relatively low, is also a cost-effective production of large-scale displays possible.
Bei einer besonders bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens wird die Materialkonzentration, insbesondere die Metallionenkonzentration, des Nanonadelmaterials im Elektrolyten derart klein eingestellt, dass das Wachstum der Nanonadeln diffusionsstrombegrenzt ist und bereits mit Nanonadeln versehene oberflächenabschnitte des Substrats während ihres Nanonadel-Wachstums anderen noch keine Nanonadeln aufweisenden Oberflächenabschnitten das für ein Nanonadel-Wachstum erforderliche Material entziehen. Bei dieser vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens wird ausgenutzt, dass sich in dem Elektrolyten eine inhomogene Verteilung der elektrischen Stromdichte ausbildet, sobald die ersten Nanonadeln wachsen. Die inhomogene Stromverteilung führt zu einer höheren Stromdichte im Bereich der Nanonadelspitzen und damit dort zu einem schnelleren weiteren Wachstum bzw. zu einer schnelleren weiteren Materialabscheidung als im Bereich außerhalb der Nadelspitzen. Um eine Nadelbildung über diesen Effekt hinaus noch weiter zu verbessern, wird die abscheidungsfähige Metallionenkonzentration des Nadelmaterials im Elektrolyten so klein gewählt, dass das Wachstum im Nadelspitzenbereich den übrigen Substratbereichen das zum Materialabscheiden erforderliche Material wegnimmt, so dass ein Wachstum dort nicht mehr möglich ist, zumindest aber sehr stark gebremst wird. Im Ergebnis bilden sich aufgrund einer solchen Diffusionsstrombegrenzung besonders steile Säulen bzw. Nadeln aus, weil die übrigen Substratbereiche wegen Metallionenmangels nicht mitwachsen können.at a particularly preferred embodiment of the method is the Material concentration, in particular the metal ion concentration, of the nanoneedle material in the electrolyte set so small that the growth of the nanotubes is diffusion-limited and already provided with nanopipes surface portions of the substrate during their Nanoneedle growth other surface sections that do not have any nanotubes that for extract material required for nanoneedle growth. At this advantageous embodiment of the method is utilized that in the electrolyte an inhomogeneous distribution of the electric Current density forms as soon as the first nanotubes grow. The inhomogeneous current distribution leads to a higher one Current density in the area of the nanoneedle tips and thus there to a faster further growth or faster material separation as in the area outside the needle tips. In addition to a needle formation beyond this effect Further, the precipitated metal ion concentration becomes of the needle material in the electrolyte chosen so small that the growth in the needle tip area the rest Substrate areas the material required for material deposition takes away, so that a growth is no longer possible there, but at least very much is strongly braked. The result is due to such Diffusion current limiting particularly steep columns or needles, because the remaining Substrate areas can not grow due to metal ion deficiency.
Um eine homogene Materialabscheidung während der Startphase des Abscheidungsvorgangs zu verhindern und um ein Nadelwachstum überhaupt erst auszulösen, wird bevorzugt eine Inhomogenität erzeugt, die ein lokal ungleiches Materialwachstum hervorruft.Around a homogeneous material deposition during the start phase of the deposition process to and in order to trigger a needle growth in the first place, will preferably generates an inhomogeneity, which causes a locally uneven material growth.
Beispielsweise wird ein Substrat mit einer unebenen, Hügel aufweisenden Oberfläche verwendet. Eine hügelige Oberfläche kann beispielsweise durch einen vorherigen Ätzschritt oder dergleichen erzeugt werden. In einer ersten Abscheidungsphase wird eine derartige Spannung an das Substrat angelegt und ein derartiger Stromfluss durch den Elektrolyten hervorgerufen, dass die durch die Spannung und den Stromfluss hervorgerufene Energiedichte die zum Wachstum der Nanonadeln erforderliche Aktivierungsenergie ausschließlich im Bereich der Hügel erreicht oder überschreitet und das Abscheiden der Nanonadeln ausschließlich dort beginnt. Sobald es zu einem Wachstum im Hügelbereich kommt, erfolgt eine Wachstumsbeschleunigung in den Hügelbereichen und ein Nadelwachstum – wie bereits erläutert – durch die sich im Nadelspitzenbereich bildende Stromdichtenerhöhung und vorzugsweise auch durch den Materialmangel in den übrigen Bereichen aufgrund einer Diffusionsstrombegrenzung.For example, a substrate having an uneven, hilly surface is used. A hilly surface can, for example by a previous etching step or the like. In a first deposition phase, such a voltage is applied to the substrate and such a current flow caused by the electrolyte that caused by the voltage and current flow energy density reaches or exceeds the required for the growth of the nanoclip activation energy exclusively in the hills and the deposition of the Nano Needles starts exclusively there. As soon as there is growth in the hilly area, an acceleration of growth in the hilly areas and needle growth - as already explained - is achieved by the current density increase forming in the needle tip area and preferably also by the lack of material in the remaining areas due to a diffusion current limitation.
Anstelle eines hügeligen Substrats kann beispielsweise auch ein polykristallines Substrat verwendet werden. In einer ersten Abscheidungsphase wird in diesem Fall eine derartige Spannung an das Substrat angelegt und ein derartiger Stromfluss durch den Elektrolyten hervorgerufen, dass die durch die Spannung und den Stromfluss hervorgerufene Energiedichte die zum Wachstum der Nanonadeln erforderliche Aktivierungsenergie ausschließlich im Bereich derjenigen Oberflächenabschnitte des polykristallinen Substrats erreicht oder überschreitet, die eine gegenüber anderen Oberflächenabschnitten des Substrates kleinere Aktivierungsenergie zum Wachstum der Nanonadeln aufweisen. Sobald das Nadelwachstum begonnen hat, kommt es zu der beschriebenen Beschleunigung des Nadelwachstums aufgrund der inhomogenen Stromverteilung im Nadelspitzenbereich.Instead of a hilly For example, a substrate may also be a polycrystalline substrate be used. In a first deposition phase is in this If such a voltage is applied to the substrate and such Current flow caused by the electrolyte, that by the Voltage and the current flow induced energy density to the Growth of nanoclays required activation energy exclusively in the area those surface sections reaches or exceeds the polycrystalline substrate, one over the other Surface sections of the Substrate smaller activation energy for the growth of nanotubes exhibit. Once the needle growth has started, it comes to the described acceleration of needle growth due to the inhomogeneous Power distribution in the needle tip area.
In einer sich an die erste Abscheidungsphase anschließenden zweiten Abscheidungsphase wird die Energiedichte vorzugsweise erhöht, um das Nadelwachstum zu beschleunigen. Dabei kann die Energiedichte beispielsweise derart eingestellt werden, dass die zum Wachstum der Nanonadeln erforderliche Aktivierungsenergie ausschließlich im oberen Bereich der aufwachsenden Nanonadeln überschritten wird.In a second subsequent to the first deposition phase Deposition phase, the energy density is preferably increased to the Accelerate needle growth. In this case, the energy density, for example be adjusted so that the growth of the nanowires required activation energy only at the top of the exceeded growing nano needles becomes.
Alternativ wird in der sich an die erste Abscheidungsphase anschließenden zweiten Abscheidungsphase die Energiedichte noch weiter erhöht, und zwar derart, dass auf allen Oberflächenbereichen des Substrats ein Materialwachstum erfolgen könnte, sofern in dem Elektrolyten das für ein Wachstum erforderliche Material in ausreichendem Maße vorhanden wäre. Das Nadelwachstum wird in diesem Falle durch die Diffusionsstrombegrenzung und den Materialmangel außerhalb des Nadelspitzenbereichs sowie durch die hohe Strom- und Energiedichte innerhalb des Nadelspitzenbereichs getragen.alternative becomes in the following to the first deposition phase second Deposition phase, the energy density further increased, and Although such that on all surface areas of the substrate a material growth could occur provided in the electrolyte for a growth required material sufficiently available would. The Needle growth in this case is due to the diffusion current limitation and the lack of material outside of the needle tip area as well as the high current and energy density worn within the needle point area.
Im Hinblick auf eine Herstellung von Elektronenemittern oder Feldemitterarrays für Displays oder andere Anwendungen wird es als vorteilhaft angesehen, wenn als Substratmaterial und/oder als Material für die Nanonadeln ein Metall oder eine Metalllegierung verwendet wird. Geeignete Materialien sind beispielsweise Silber, Kupfer oder Nickel oder Metalllegierungen, die diese Metalle enthalten.in the With regard to the production of electron emitters or field emitter arrays for displays or other applications, it is considered advantageous if as substrate material and / or as material for the nanotubes a metal or a metal alloy is used. Suitable materials are for example silver, copper or nickel or metal alloys, containing these metals.
Bevorzugt werden Nanonadeln mit Durchmessern zwischen 5 und 50 nm und Nadelhöhen zwischen 500 und 1000 nm hergestellt.Prefers are nanone needles with diameters between 5 and 50 nm and needle heights between 500 and 1000 nm produced.
Vorzugsweise
wird durch den Elektrolyten ein Wechselstrom oder ein gepulster
Strom geleitet; dies ermöglicht
eine höhere
Stromdichte und führt
zu einer besseren Säulenbildung
als bei Gleichstrom. Höhere
Stromdichten sind bei einem Wechselstrom abscheiden deshalb erreichbar,
weil es Abscheidungspausen gibt, in denen kein Strom oder nur sehr wenig
Strom fließt.
In den Abscheidungspausen erfolgt durch Diffusionsprozesse ein Materialausgleich innerhalb
des Elektrolyten derart, dass Metallionen in den Nadelbereich nachgeliefert
wird. Durch die Abscheidungspausen lässt sich somit vermeiden, dass es
an abscheidungsfähigen
Metallionen im Bereich der wachsenden Nadelspitzen fehlt und sich
andere unerwünschte
Stoffe wie beispielsweise Hydroxide (OH–)
durch Spaltung von Wasser
Vorzugweise wird ein gepulster Strom mit Einschaltpulsen erzeugt, deren Dauer jeweils maximal 50 ms–100 ms beträgt. Zwischen den Einschaltpulsen liegen vorzugsweise Abscheidungspausen von zumindest 50 ms–100 ms.preferably, a pulsed current is generated with turn-on pulses whose duration in each case a maximum of 50 ms-100 ms is. Between the turn-on pulses are preferably deposition breaks of at least 50 ms-100 ms.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert; dabei zeigen beispielhaft:The Invention will be explained in more detail with reference to embodiments; there show by way of example:
In
der
Die
Aufgrund
des geringeren Abstandes der Hügelspitzen
zu der Anode
Das
Prinzip des Nadelwachstums basiert nun darauf, dass im Bereich der
Hügelspitzen
Um zu gewährleisten, dass es zu einem signifikanten Materialabscheiden ausschließlich im Hügelbereich kommt, wird während der ersten Abscheidungsphase der Stromfluss vorzugsweise so klein eingestellt, dass die Stromdichte und damit die Energiedichte ausschließlich im Hügelbereich groß genug ist und nur dort eine Materialabscheidung aktiviert wird. Im Talbereich wird die nötige Aktivierungsenergie dann nicht erreicht, so dass es dort zu keinem Abscheiden von Material kommen kann.Around to ensure, that there is a significant material deposition exclusively in the hill area is coming, while the first deposition phase the current flow is preferably set so small that the current density and thus the energy density exclusively in the hill area is big enough and only there a material separation is activated. In the valley area will the necessary Activation energy then not reached, so that there is none Depositing material can come.
Wie
bereits erläutert,
wird es nach dem Auslösen
des Wachstumsvorganges im Hügelbereich
zu einer Beschleunigung des Säulenwachstums
im Bereich der sich ausbildenden Nadelspitzen kommen, weil die Stromdichte
dort am größten ist.
Nach dem Wachstumsbeginn kann deshalb in eine zweite Abscheidungsphase
geschaltet werden, bei der der Stromdichte und damit die Energiedichte
deutlich erhöht
wird. Eine solche Erhöhung
der Strom- und Energiedichte führt
zu einem noch schnelleren Na delwachstum und damit zu einem größeren Durchsatz. Das
Abscheiden während
der zweiten Abscheidungsphase ist schematisch in der
Sofern
die Konzentration des Nadelmaterials im Elektrolyten klein genug
gewählt
ist, kann die Stromdichte auch soweit erhöht werden, dass auch in den
Talbereichen des Substrats die erforderliche Aktivierungsenergie
für ein
Materialabscheiden überschritten
wird. Zu einer störenden
Materialabscheidung kann es dort nämlich trotzdem nicht kommen, weil
aufgrund des starken Nadelwachstums im Bereich der Nadelspitzen
das zur Verfügung
stehende Nadelmaterial bereits verbraucht ist. Dieser Sachverhalt
ist deutlicher in der
Man
erkennt in der
Bei
der Prozessführung
beachtet werden sollte, dass kein zu großer Stromfluss und damit keine
zu große
Energiedichte im Elektrolyten hervorgerufen wird und die Wachstumsgeschwindigkeit
der Nanonadeln
Man
erkennt in der
Bei mittleren Spannungen (U1 < U < U2) liegt die beschriebene Diffusionsbegrenzung vor, die den bevorzugten Bereich für das Nadelwachstum bildet. In diesem Bereich kann eine Erhöhung der Spannung keine Erhöhung des Stromflusses bewirken, weil nicht genug Metallionen im Elektrolyten zu Verfügung stehen.at mean voltages (U1 <U <U2) is the described Diffusion limiting, which is the preferred area for needle growth forms. In this area, increasing the voltage can not increase the Flow cause, because not enough metal ions in the electrolyte available stand.
Wird die Spannung weiter über die Spannung U2, die als Maximalspannung des Elektrolyten anzusehen ist, erhöht, so kommt es zu einem Spalten von Wassermolekülen und zu einer Bildung von Wasserstoff-Ionen und OH–-Ionen, die zu einem Stromfluss beitragen. Tritt eine solche Spaltung der Wassermoleküle auf, wird das Nadelwachstum erheblich gestört. So können sich beispielsweise auf den Säulenspitzen statt des gewünschten Nadelmaterials andere Abscheidungsprodukte aus dem Elektrolyten abscheiden, beispielsweise Metallhydroxide, klassisch als „Brennung" bekannt. Diese können das weitere Nadelwachstum hemmen und beispielsweise dazu führen, dass die Nadeln spröde werden und später abbrechen. Im Falle eines Brennens des Elektrolyten ist die sich ergebende Nadelstruktur meist nicht mehr zu gebrauchen.If the voltage is further increased above the voltage U2, which is to be regarded as the maximum voltage of the electrolyte, then there is a splitting of water molecules and the formation of hydrogen ions and OH - ions, which contribute to a flow of current. If such a split of the water molecules, the needle growth is significantly disturbed. For example, instead of the desired needle material, other deposition products may be deposited on the column tips, such as metal hydroxides, classically known as "burners." These may inhibit further needle growth and, for example, cause the needles to become brittle and later break off a burning of the electrolyte, the resulting needle structure is usually no longer useful.
Geeignete Stromdichten während der zweiten Phase des Nadelwachstums liegen bei Verwendung von Gleichstrom vorzugsweise in einem Bereich zwischen 5 bis 8 A/dm2 für die Abscheidung von Nickelnadeln und in einem Bereich zwischen 5 und 10 A/dm2 (bis maximal 15 A/cm2) für Kupfernadeln. Diese beispielhaften Zahlenangaben beziehen sich auf die Verwendung eines Cu-Elektrolyten auf Cyanid-Basis.Suitable current densities during the second phase of the needle growth when using direct current are preferably in a range between 5 to 8 A / dm 2 for the deposition of nickel needles and in a range between 5 and 10 A / dm 2 (up to 15 A / cm 2 ) for copper needles. These exemplary figures relate to the use of a cyanide-based Cu electrolyte.
Aufgrund der lokal sehr unterschiedlichen Stromverteilung innerhalb des galvanischen Bades können im Bereich der aufwachsenden Nadeln an der Nadelspitze – wie bereits erläutert – deutlich größere Stromdichten auftreten, die bis zu 100 A/dm2 betragen können. Aufgrund dieser lokal sehr großen Stromdichten kann es zu dem bereits beschriebenen Problem des „Brennens" des abgeschiedenen Materials kommen, bei dem das elektrochemische Gleichgewicht innerhalb des Elektrolyten zumindest lokal gestört wird und es zumindest lokal zu einer Aufspaltung von Wasser kommt. Ein Brennen der Nanonadeln sollte vermieden werden, indem die Leistungsdichte bzw. die Stromdichte von außen entsprechend begrenzt wird.Due to the locally very different current distribution within the galvanic bath significantly larger current densities can occur in the field of growing needles on the needle tip - as already explained - which can be up to 100 A / dm 2 . Due to these locally very high current densities, the already described problem of "burning" of the deposited material can occur, in which the electrochemical equilibrium within the electrolyte is at least locally disturbed and at least locally a splitting of water occurs can be avoided by the power density or the current density is limited accordingly from the outside.
Besser
als mit Gleichstrom funktioniert das Nadelwachstum im Übrigen mit
Wechselstrom oder gepulstem Strom (vgl.
Anstelle von Oberflächen mit bereits vorhandenen Hügeln können auch Substrate mit einer polykristallinen Oberfläche verwendet werden. Polykristalline Oberflächen weisen Korngrenzen auf, die unterschiedliche Kristalloberflächen voneinander abgrenzen. Da unterschiedliche Kristalloberflächen unterschied liche Aktivierungsenergien für das Ablagern von Nadelmaterial aufweisen, kann durch das gezielte Einstellen sehr kleiner Energiedichten im Elektrolyten ein Wachstum auf bevorzugte Kristallabschnitte begrenzt werden, nämlich auf solche, die die geringste Aktivierungsenergie aufweisen. Es kommt dann selbsttätig zu einer Art Hügelbildung, die im nachfolgenden Prozess zu der sich exponentiell beschleunigenden Säulenbildung führt. Das Einstellen der für diesen Effekt erforderlichen geringen Energiedichte in der Anfangsphase erfolgt dabei vorzugsweise durch ein sehr langsames Erhöhen des Stromflusses. Ist der Anstiegsgradient des Stromes nämlich ausreichend klein, wird die Hügelbildung abgeschlossen sein, bevor auch die Kristallabschnitte mit größerer Aktivierungsenergie mit dem Wachstum beginnen können.Instead of of surfaces with already existing hills can also substrates with a polycrystalline surface can be used. polycrystalline surfaces have grain boundaries that have different crystal surfaces from each other delimit. Since different crystal surfaces different Liche activation energies for the Deposit of needle material may, by the targeted setting Very low energy densities in the electrolyte growth on preferred Be limited crystal segments, namely those that have the least Have activation energy. It then comes automatically to one Kind of hill formation, in the subsequent process to the exponentially accelerating pillaring leads. Setting the for this Effect required low energy density in the initial phase takes place preferably by a very slow increase in the Current flow. That is, the rise gradient of the current is sufficient small, the hill is forming be completed before the crystal sections with greater activation energy can start growing.
Der Elektrolyt weist zum Herstellen einer Nanonadelstruktur aus Kupfer vorzugsweise folgende Bestandteile auf: 50 bis 100 g/l CuCn, 100 bis 150 g/l KCn und 1 bis 10 g/l KOH.Of the Electrolyte has to manufacture a nanoneedle structure of copper preferably the following constituents: 50 to 100 g / l CuCn, 100 to 150 g / l KCn and 1 to 10 g / l KOH.
Bei zyanidischen Elektrolyten hat Zyanid die Wirkung eines Komplexbildners und puffert die Konzentration der freien Kupferionen im Elektrolyten. Im Elektrolyten ist somit insgesamt sehr viel mehr Kupfer vorhanden, als der tatsächlichen Ionendichte des Kupfers entspricht. Werden Kupferionen aufgrund des Materialabscheidens verbraucht, so stellt der Komplexbildner selbsttätig freie Kupferionen zur Verfügung, so dass die Konzentration der freien Kupferionen während des Abscheidens einigermaßen konstant bleibt. Der Komplexbildner führt also dazu, dass sich trotz eines Materialverbrauchs eine sehr konstante Wachstumsgeschwindigkeit ergibt.at cyanide, cyanide has the effect of a complexing agent and buffers the concentration of free copper ions in the electrolyte. In total there is a lot more copper in the electrolyte than the actual one Ion density of the copper corresponds. Be copper ions due to the Material Abscheidens consumed, so the complexing agent automatically free Copper ions available, so that the concentration of free copper ions during the Separating reasonably constant remains. The complexing agent leads So that in spite of a material consumption a very constant Growth rate results.
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---|---|
DE (1) | DE102006013362A1 (en) |
WO (1) | WO2007104778A1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6383923B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-05-07 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
US20020055239A1 (en) * | 2000-03-22 | 2002-05-09 | Mark Tuominen | Nanocylinder arrays |
US20050009224A1 (en) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | The Regents Of The University Of California | Nanowire array and nanowire solar cells and methods for forming the same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10015931A1 (en) * | 2000-03-30 | 2001-10-04 | Schimmel Thomas | Process for electrochemical nanostructuring |
SE523309E (en) * | 2001-06-15 | 2009-10-26 | Replisaurus Technologies Ab | Method, electrode and apparatus for creating micro- and nanostructures in conductive materials by patterning with master electrode and electrolyte |
US7233101B2 (en) * | 2002-12-31 | 2007-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate-supported array having steerable nanowires elements use in electron emitting devices |
US20060249391A1 (en) * | 2003-04-09 | 2006-11-09 | Sungho Jin | High resolution electrolytic lithography, apparatus therefor and resulting products |
-
2006
- 2006-03-16 DE DE200610013362 patent/DE102006013362A1/en not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-03-15 WO PCT/EP2007/052422 patent/WO2007104778A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6383923B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-05-07 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
US20020055239A1 (en) * | 2000-03-22 | 2002-05-09 | Mark Tuominen | Nanocylinder arrays |
US20050009224A1 (en) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | The Regents Of The University Of California | Nanowire array and nanowire solar cells and methods for forming the same |
Non-Patent Citations (10)
Title |
---|
H. Hasegawa, T. Kubota, S. Mashiko: "Fabrication of molecular nanowire using an electrochemical me- thod". Thin Solid Films 438-439, pp. 352-355(2003) |
H. Hasegawa, T. Kubota, S. Mashiko: "Fabrication of molecular nanowire using an electrochemical method". Thin Solid Films 438-439, pp. 352-355(2003) * |
H. Hasegawa, T. Kubota, S. Mashiko: "Site- selective fabrication of conducting molecular nanowires based on electrocrystallization". Electrochimica Acta 50, pp. 3029-3032 (2005) |
H. Hasegawa, T. Kubota, S. Mashiko: "Siteselective fabrication of conducting molecular nanowires based on electrocrystallization". Electrochimica Acta 50, pp. 3029-3032 (2005) * |
Kiran Jain et al.: "CdSe thin films and nanowires synthesis using pulse electrodeposition technique" Conference Record of the Thirty-first IEEE Photo- voltaic Specialists Conference, 2005, pp. 472-475 (2005) |
Kiran Jain et al.: "CdSe thin films and nanowires synthesis using pulse electrodeposition technique" Conference Record of the Thirty-first IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2005, pp. 472-475 (2005) * |
M.Z. Atashbar et al.: "Deposition and manipulation of nickel nanoparticles". Proceedings of Inter- national Conference on Intelligent Sensing and Information Processing, ICISIP 2004, pp. 258-261 (2004) |
M.Z. Atashbar et al.: "Deposition and manipulation of nickel nanoparticles". Proceedings of International Conference on Intelligent Sensing and Information Processing, ICISIP 2004, pp. 258-261 (2004) * |
Yaokun Xiao et al.: "Fabrication of Pd-Ni alloy nanowire arrays on HOPG surface by electrodeposi- tion". Electrochimica Acta 51, 4218-4227(2006) |
Yaokun Xiao et al.: "Fabrication of Pd-Ni alloy nanowire arrays on HOPG surface by electrodeposition". Electrochimica Acta 51, 4218-4227(2006) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007104778A1 (en) | 2007-09-20 |
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