DE102005051812A1

DE102005051812A1 - Device for etching layers on semiconductor wafers, uses spectrometer for measurement of etching medium concentration

Info

Publication number: DE102005051812A1
Application number: DE200510051812
Authority: DE
Inventors: Markus Dipl.-Ing. Harfmann; Alexander Dipl.-Ing. Binter; Günter Dipl.-Ing. Schagerl; Francisco Javier Dr. sc. techn. Santos Rodriguez; Emil Dipl.-Ing. Prax; Ahmad Dr. Fathulla
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2005-10-27
Filing date: 2005-10-27
Publication date: 2007-02-01

Abstract

A device with etching equipment for etching complete layers or parts of layers to be removed from semiconductor wafers (5) with a liquid etching medium comprises a spectrometer (13) for measuring the concentration of the etching medium. Independent claims are also included for the following. (1) etching complete layers or parts of layers to be removed from semiconductor wafers; and (2) the application of a spectrometer in an etching device.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Ätzen von ganz oder teilweise abzutragenden Schichten auf Halbleiterwafern mit einem flüssigen Ätzmittel. Sie betrifft weiter ein Verfahren zum Ätzen solcher Schichten sowie die Verwendung eines Spektrometers.The The invention relates to a device for etching all or part ablated layers on semiconductor wafers with a liquid etchant. It further relates to a method for etching such layers as well the use of a spectrometer.

Bei der Herstellung von Halbleiterchips ist typischerweise eine Vielzahl von Ätzvorgängen notwendig, bei denen zuvor auf den Halbleiterwafer aufgebrachte Schichten oder Teile des Halbleiterwafers ganz oder teilweise abgetragen werden. Ein Ätzvorgang kann dabei beispielsweise in einem mit einem Ätzmittel gefüllten Ätzbad durchgeführt werden, in das der Halbleiterwafer getaucht wird. Als Ätzmittel kann zum Beispiel Flusssäure zum Einsatz kommen. Es sind jedoch auch andere anorganische und organische Ätzmittel bekannt.at The production of semiconductor chips is typically a variety necessary for etching, in which previously applied to the semiconductor wafer layers or Parts of the semiconductor wafer can be completely or partially removed. An etching process can be carried out, for example, in an etching bath filled with an etchant, in which the semiconductor wafer is dipped. As an etchant, for example hydrofluoric acid be used. However, there are other inorganic and organic etchants known.

Werden viele Halbleiterwafer nacheinander geätzt, so nimmt die Ätzmittelkonzentration im Ätzbad und damit die Ätzrate mit der Zeit ab. Damit ist auch die Ätzwirkung nach einer gewissen Zeit nicht mehr zufriedenstellend. Das auf diese Weise verbrauchte Ätzmittel muss somit ausgetauscht, durch Zugabe bestimmter Komponenten „aufgefrischt" oder es müssen zumindest Prozessparameter wie die Verweildauer des Halbleiterwafers im Ätzbad den veränderten Bedingungen angepasst werden.Become etched semiconductor wafers successively decreases the etchant concentration in the etching bath and therefore the etching rate over time. This is also the corrosive effect after a certain Time not satisfactory anymore. The etchant used in this way must therefore replaced, by adding certain components "refreshed" or it must be at least Process parameters such as the residence time of the semiconductor wafer in the etching bath the changed Conditions are adjusted.

Aus der US 6,843,880 B2 ist eine Vorrichtung zum Überwachen des Ätzvorgangs beim Ätzen von Schichten auf Halbleiterwafern bekannt, bei der je eine Elektrode jeweils in der Nähe der Vor- und der Rückseite eines zu ätzenden Halbleiterwafers in das flüssige Ätzmittel getaucht wird. Der Durchbruch auf eine tiefer liegende Schicht wird durch eine Änderung der Impedanz in einem angeschlossenen Wechselstromkreis detektiert.From the US 6,843,880 B2 a device for monitoring the etching process in the etching of layers on semiconductor wafers is known in which each one electrode is immersed in the vicinity of the front and the back of a semiconductor wafer to be etched in the liquid etchant. The breakdown to a deeper layer is detected by a change in the impedance in a connected AC circuit.

Diese Lösung ermöglicht eine Überwachung des Ätzvorganges insofern, als sie die Bestimmung des Zeitpunktes erlaubt, zu dem der vollständige Abtrag einer Schicht und der Durchbruch auf die darunter liegende Schicht erfolgt ist. Auf diese Weise erlaubt sie auch eine Anpassung der Verweildauer des Halbleiterwafers im Ätzbad an die Prozessbedingungen. Sie weist allerdings verschiedene Nachteile auf.These solution allows a monitoring of the etching process insofar as it allows the determination of the time to which the complete Removal of a layer and the breakthrough on the underlying Layer is done. In this way, it also allows customization the residence time of the semiconductor wafer in the etching bath to the process conditions. However, it has several disadvantages.

So kann mit der bekannten Vorrichtung nur ein vollständiger Abtrag einer Schicht überwacht werden, ein nur teilweiser Abtrag jedoch nicht. Dies ist aber beispielsweise bei der Substratätzung, bei der im Zuge der Waferdünnung eine Siliziumschicht lediglich bis zu einer gewünschten, fest determinierten Dicke abgetragen werden soll, notwendig.So can only complete removal with the known device a layer monitored but only partial removal is not. But this is for example in the substrate etching, in the course of the wafer thinning a silicon layer only to a desired, fixed thickness to be removed, necessary.

Darüberhinaus kann das Eintauchen von Elektroden in das Ätzbad dazu führen, dass Bereiche auf der Waferoberfläche durch die Elektroden gegen die Strömung des Ätzmittels abgeschattet werden und somit der Ätzvorgang an den betroffenen Stellen auf der Waferoberfläche unerwünscht beeinflusst wird.Furthermore Immersion of electrodes in the etching bath can cause Areas on the wafer surface be shadowed by the electrodes against the flow of the etchant and thus the etching process is undesirably affected at the affected locations on the wafer surface.

Da die Elektroden für eine präzise Überwachung möglichst nah an der Waferoberfläche platziert werden, diese aber nicht berühren sollen, müssen beim Beladen des Beckens geeignete Sicherheitsmaßnahmen getroffen werden, damit eine Beschädigung des Wafers durch die Elektroden ausgeschlossen ist. Besonders beim Beladen eines Beckens mit vielen Wafern gleichzeitig ist der Einsatz von Elektroden und Messfühlern deshalb sehr aufwendig und mit Schwierigkeiten verbunden.There the electrodes for a precise monitoring preferably close to the wafer surface must be placed, but they should not touch, when Loading the pool appropriate safety measures are taken so that a damage of the wafer is excluded by the electrodes. Especially when Loading a basin with many wafers at the same time is the use of electrodes and probes therefore very complicated and associated with difficulties.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine möglichst einfache Vorrichtung anzugeben, mit der sich der Ätzvorgang ohne unerwünschte Beeinflussung des Ätzergebnisses möglichst präzise überwachen lässt.task It is therefore the object of the present invention to provide the simplest possible apparatus specify with which the etching process without unwanted influence the etching result preferably monitor precisely leaves.

Darüberhinaus ist es eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Überwachung des Ätzvorganges anzugeben.Furthermore It is another object of the present invention to provide a method for monitoring the etching process specify.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.According to the invention this Problem solved with the subject of the independent claims. advantageous Further developments of the invention are the subject of the dependent claims.

Nach der vorliegenden Erfindung umfasst die Vorrichtung zum Ätzen von ganz oder teilweise abzutragenden Schichten oder Bereichen auf Halbleiterwafern mit einem flüssigen Ätzmittel neben der eigentlichen Ätzapparatur ein Spektrometer zur Messung der Ätzmittelkonzentration.To The present invention includes the apparatus for etching wholly or partially ablated layers or areas on semiconductor wafers with a liquid etchant in addition to the actual etching apparatus a spectrometer for measuring the etchant concentration.

Die Erfindung geht dabei von der Überlegung aus, dass zum möglichst präzisen Überwachen des Ätzvorganges die aktuelle Ätzrate beobachtet werden sollte. Ein geeigneter Parameter zur Bestimmung der Ätzrate ist dabei die Ätzmittelkonzentration. Der Ausdruck „Ätzmittelkonzentration" meint dabei die Konzentration der ätzenden Spezies, die nicht in jedem Fall mit der Ausgangssubstanz identisch ist; es kann sich dabei auch beispielsweise um das Ion der Ausgangssubstanz handeln.The Invention is based on the consideration, that as possible precise monitoring the etching process the current etching rate should be observed. A suitable parameter for determination the etching rate is the etchant concentration. The term "etchant concentration" means the Concentration of the corrosive Species that are not identical in each case with the starting substance is; It may also be, for example, the ion of the starting substance act.

Die Ätzmittelkonzentration kann durch eine spektroskopische Analyse besonders einfach, schnell und sogar „berührungslos" bestimmt und während des gesamten Ätzvorganges überwacht werden.The etchant concentration can be particularly easy, fast, through a spectroscopic analysis and even "non-contact" and determined during the monitored throughout the etching process.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung weist den Vorteil auf, dass keine Elektroden oder Messfühler in die Nähe des Wafers gebracht werden müssen. Ein Abschatten von Teilen der Waferoberfläche gegen die Strömung des Ätzmittels, die zu ungleichmäßigen Ätzergebnissen führt, tritt daher nicht auf. Eine unerwünschte Beeinflussung des Ätzvorganges durch die Überwachungsvorrichtung kann somit sicher vermieden werden. Zudem kann die Vorrichtung bei einer Vielzahl nasschemischer, teilweise sehr aggressiver Ätzmittel zum Einsatz kommen.The inventive device has the advantage that no electrodes or probes in the roundabouts of the wafer. One Shadowing of parts of the wafer surface against the flow of the etchant, which leads to uneven etching results leads, therefore does not occur. An undesirable influence of the etching process the monitoring device can thus be safely avoided. In addition, the device at a variety of wet-chemical, sometimes very aggressive etchant be used.

Zur Bestimmung der Ätzmittelkonzentration können die Spektren des Ätzmittels herangezogen werden. Insbesondere eignen sich dafür die Infrarotspektren der eingesetzten Ätzmittel. Als Spektrometer ist daher vorteilhafterweise ein Infrarotspektrometer vorgesehen.to Determination of the etchant concentration can be Spectra of the etchant be used. In particular, the infrared spectra are suitable for this purpose the etchant used. As a spectrometer is therefore advantageously an infrared spectrometer intended.

In einer Ausführungsform der Erfindung wird die Ätzmittelkonzentration mit einem Messkopf gemessen, der im Randbereich eines mit dem Ätzmittel gefüllten Beckens platziert werden kann. Durch die Platzierung im Randbereich ist eine unerwünschte Beeinflussung des Ätzvorganges ausgeschlossen. Gleichzeitig kann jedoch sehr präzise die Ätzmittelkonzentration überwacht und Spektren im mittleren Infrarot beispielsweise im Wellenzahlbereich zwischen 800 und 4000 1/cm aufgenommen werden. In diesem Wellenzahlbereich lassen sich die Spektren einzelner ätzender Spezies besonders gut trennen und ohne großen Korrekturaufwand auswerten.In an embodiment The invention is the etchant concentration measured with a measuring head in the edge region of a tank filled with the etchant can be placed. Due to the placement in the edge area is an undesirable influence the etching process locked out. At the same time, however, the etchant concentration can be monitored very precisely and mid-infrared spectra, for example, in the wavenumber range between 800 and 4000 1 / cm. In this wave number range The spectra of individual corrosive species are particularly good separate and without big Evaluate correction effort.

In einer alternativen Ausführungsform der Erfindung weist die Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiterwafern ein Rezirkulationsrohrsystem auf, durch das das Ätzmittel aus dem Ätzbad in einen Vorratsbehälter zurückgeführt und von dort wieder dem Ätzbad zugeführt wird. Dabei ist das Spektrometer zur Messung der Ätzmittelkonzentration im Bereich des Rezirkulationsrohrsystems angeordnet, so dass die Konzentration des Ätzmittels beispielsweise in der Nähe des Ausflusses des Ätzbades überwacht werden kann. Die gemessene Konzentration ist damit ein zuverlässiges Maß für die Ätzmittelkonzentration und somit in der Nähe des Halbleiterwafers.In an alternative embodiment The invention includes the apparatus for etching semiconductor wafers Rezirkulationsrohrsystem through which the etchant from the etching in a reservoir returned and is fed back from there to the etching bath. The spectrometer for measuring the etchant concentration is in the range arranged the recirculation pipe system, so that the concentration of the etchant for example, nearby the effluent of the etching bath monitored can be. The measured concentration is thus a reliable measure of the etchant concentration and thus close of the semiconductor wafer.

Bei dieser Anordnung werden bevorzugt Spektren im nahen Infrarot, beispielsweise bei Wellenzahlen zwischen 7000 und 14000 1/cm gemessen. In diesem Bereich überlappen die Spektren verschiedener Ätzmittelkomponenten einander, so dass ein größerer Analyseaufwand zur Bestimmung der Ätzmittelkonzentration notwendig ist. Jedoch ist der Aufwand bei der Montage dieser Anordnung geringer.at In this arrangement, spectra in the near infrared are preferred, for example measured at wave numbers between 7000 and 14000 1 / cm. In this Overlap area the spectra of different etchant components each other, so a greater analysis effort for determining the etchant concentration necessary is. However, the effort in the assembly of this arrangement lower.

Die Anordnung des Spektrometers im Bereich des Rezirkulationsrohrsystems hat auch weitere Vorteile. So kann das Spektrometer verhältnismäßig einfach in die Rohrleitung geschaltet werden, ohne dass Umbauten an der Ätzvorrichtung selbst notwendig wären. Zudem ist es bei dieser Ausführungsform der Erfindung im Gegensatz zum Einsatz von Elektroden oder Messfühlern möglich, sie auch mit Ätzvorrichtungen einzusetzen, bei denen kein Becken vorgesehen ist.The Arrangement of the spectrometer in the area of the recirculation piping system also has other benefits. So the spectrometer can be relatively simple be switched into the pipeline, without any modifications to the etching device even necessary. In addition, it is in this embodiment the invention in contrast to the use of electrodes or probes possible, they also with etching devices to use in which no pool is provided.

Anstelle eines Beckens mit einem Ätzbad sind nämlich auch verschiedene andere Ätzvorrichtungen wie beispielsweise Ätztrommeln, Sprühätzer oder Spinätzer denkbar. Auch diese Vorrichtungen weisen typischerweise ein Rezirkulationsrohrsystem auf, über das das Ätzmittel während des Ätzvorganges ständig in einen Vorratsbehälter zurückgeführt und von dort der Ätzvorrichtung wieder zugeführt wird. Die Anordnung des Spektrometers im Bereich des Rezirkulationsrohrsystems ist auch für diese alternativen Ausführungsformen geeignet.Instead of a basin with an etching bath are namely also various other etching devices such as etching drums, Spray etcher or Spinätzer conceivable. These devices also typically include a recirculation tubing system over which the etchant while the etching process constantly in a storage container returned and from there the etching device is fed again. The arrangement of the spectrometer in the area of the recirculation piping system is also for these alternative embodiments suitable.

Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Ätzen von Schichten oder Bereichen von Halbleiterwafern, das folgende Schritte umfasst: Zunächst wird ein Halbleiterwafer mit einer zu ätzenden Schicht bereitgestellt, wobei der Begriff „Schicht" auch das Substrat selbst einschließt. Dabei kann die Schicht vollständig oder auch nur teilweise bis zu einer gewünschten Dicke abzutragen sein. Ferner kann die Schicht vor dem Ätzen mit einer Maske versehen worden sein, die den Schichtabtrag nur in bestimmten Bereichen auf dem Halbleiterwafer zulässt.Farther The invention relates to a method for etching layers or regions of semiconductor wafers, which includes the following steps: First a semiconductor wafer provided with a layer to be etched, where the term "layer" is also the substrate itself includes. The layer can be completely or only partially be removed to a desired thickness. Furthermore, the layer may be before etching have been provided with a mask, the layer removal only in certain areas on the semiconductor wafer.

Außerdem wird eine Ätzvorrichtung mit einem flüssigen Ätzmittel bereitgestellt und der Halbleiterwafer mit dem Ätzmittel in Kontakt gebracht. Die Ätzmittelkonzentration während des Ätzvorganges wird durch eine spektroskopische Analyse bestimmt und daraus die Ätzrate berechnet. Der Ätzvorgang wird beendet, wenn der gewünschte Schichtabtrag erreicht ist.In addition, will an etching device with a liquid etchant and the semiconductor wafer is brought into contact with the etchant. The etchant concentration while of the etching process determined by a spectroscopic analysis and calculates the etch rate. The etching process is finished when the desired Layer removal is achieved.

Dieses Verfahren weist gegenüber herkömmlichen Überwachungen des Ätzvorganges zahlreiche Vorteile auf. So muss beim erfindungsgemäßen Verfahren zur Bestimmung der Ätzmittelkonzentration nicht in die Ätzvorrichtung eingegriffen werden; das Verfahren arbeitet somit „berührungslos". Weil es kein Eintauchen von Messfühlern oder Elektroden in das Ätzmittel erfordert, ist es für eine Vielzahl nasschemischer, teilweise sehr aggressiver Ätzmittel einsetzbar.This Procedure contrasts conventional surveillance the etching numerous Advantages. Thus, in the method according to the invention for the determination the etchant concentration not in the etching device to be intervened; The process thus works "contactlessly" because it is not immersion from sensors or electrodes in the etchant it is necessary for a variety of wet chemical, sometimes very aggressive etchant used.

Es vermeidet auch weitere Schwierigkeiten, die bei der Überwachung des Ätzvorganges mit Messfühlern oder Elektroden auftreten. Ein ungleichmäßiges Ätzergebnis beispielsweise, wie es durch das Abschatten von Bereichen des Halbleiterwafers durch Messfühler auftreten kann, wird sicher vermieden. Auch ist eine Beschädigung des Wafers beim Beladen des Beckens durch nahe an der Waferoberfläche platzierte Elektroden ausgeschlossen.It also avoids further difficulties encountered in monitoring the etch process with probes or electrodes. For example, an uneven etching result, such as may occur due to shadowing of areas of the semiconductor wafer by sensors, is certainly avoided. Also, damage to the wafer during loading of the basin is due to proximity to the wafer top surface placed electrodes excluded.

Weil das erfindungsgemäße Verfahren über die Messung der Ätzmittelkonzentration die Ätzrate selbst – und zwar mit vergleichsweise hoher Zeitauflösung – bestimmt, ist eine besonders empfindliche Steuerung des Ätzvorganges möglich. Insbesondere muss der Abtrag einer Schicht nicht vollständig erfolgen, sondern kann auch nur teilweise bis zu einer gewünschten Dicke durchgeführt werden.Because the inventive method over the Measurement of the etchant concentration the etching rate itself - and indeed with comparatively high time resolution - determined, is one particular sensitive control of the etching process possible. In particular, the removal of a layer does not have to be complete, but can only be partially performed to a desired thickness.

Die spektroskopische Messung der Ätzmittelkonzentration wird vorteilhafterweise in situ am in der Ätzapparatur befindlichen Ätzmittel vorgenommen. In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird die Ätzmittelkonzentration in einem Rezirkulationsrohr gemessen, das das Ätzmittel von der Ätzvorrichtung in einen Vorratsbehälter zurück und von dort aus der Ätzvorrichtung wieder zuführt. Eine spektroskopische Messung der Ätzmittelkonzentration im Rezirkulationsrohr, beispielsweise unmittelbar am Austritt aus der Ätzvorrichtung, liefert sehr genau die Ätzmittelkonzentration in der Nähe des Halbleiterwafers.The spectroscopic measurement of the etchant concentration is advantageously in situ on located in the etching apparatus etchant performed. In a particularly advantageous embodiment of the Invention becomes the etchant concentration measured in a recirculation tube containing the etchant from the etching device in a storage container back and from there the etching device feeds again. A spectroscopic measurement of the etchant concentration in the recirculation tube, for example, directly at the exit from the etching device, provides very exactly the etchant concentration in the vicinity of the Semiconductor wafer.

Es kann jedoch auch vorteilhaft sein, die Ätzmittelkonzentration nicht in situ, also nicht innerhalb der Ätzvorrichtung, zu messen. Wenn beispielsweise keine hohe Zeitauflösung der Messung erforderlich ist, sondern lediglich wenige Stichpro ben genommen werden sollen, oder wenn während eines verhältnismäßig großen Zeitraumes nur wenige Halbleiterwafer prozessiert werden, kann die Ätzmittelkonzentration mit geringem apparativem Aufwand an einer an der Ätzvorrichtung genommenen Probe gemessen werden.It however, may also be advantageous, the etchant concentration not in situ, not within the etching device. If For example, no high time resolution of the measurement is required. but only a few samples should be taken, or if during a relatively long period of time Only a few semiconductor wafers can be processed, the etchant concentration with little expenditure on equipment at one of the etching device taken sample.

Die spektroskopische Messung wird vorteilhafterweise im Infrarotbereich durchgeführt, beispielsweise im nahen Infrarot bei Wellenzahlen zwischen 7000–14000 1/cm oder im mittleren Infrarot bei Wellenzahlen zwischen 800 und 4000 1/cm.The Spectroscopic measurement is advantageously in the infrared range carried out, For example, in the near infrared at wave numbers between 7000-14000 1 / cm or mid-infrared at wavenumbers between 800 and 4000 1 cm.

Die spektroskopische Messung erlaubt eine hohe Zeitauflösung. Sie kann daher kontinuierlich während des Ätzvorganges erfolgen und erlaubt somit eine empfindliche Steuerung des Ätzvorganges. Je nach Anzahl der in einem Zeitraum prozessierten Halbleiterwafer und damit je nach Verbrauchsrate des Ätzmittels kann jedoch auch eine diskontinuierliche Messung der Ätzmittelkonzentration vorteilhaft sein. Die Berechnung der Ätzrate aus der gemessenen Ätzmittelkonzentration kann ebenfalls je nach den vorliegenden Anforderungen an die Empfindlichkeit der Steuerung des Ätzvorganges kontinuierlich oder diskontinuierlich erfolgen.The Spectroscopic measurement allows a high time resolution. she can therefore be continuous during the etching process take place and thus allows a sensitive control of the etching process. ever according to the number of semiconductor wafers processed in a period of time and so depending on the consumption rate of the etchant may, however a discontinuous measurement of the etchant concentration may be advantageous. The calculation of the etching rate from the measured etchant concentration may also vary depending on the sensitivity requirements the control of the etching process carried out continuously or discontinuously.

Der Ätzvorgang kann mit verschiedenen Ätzverfahren durchgeführt werden. Das Ätzmittel und der Halbleiterwafer können beispielsweise in einem mit dem Ätzmittel gefüllten Ätzbad miteinander in Kontakt gebracht werden. Das Ätzmittel kann aber auch in einer Ätztrommel, durch einen Sprüh- oder Spinätzer aufgetragen werden.The etching process can with different etching methods carried out become. The etchant and the semiconductor wafer can for example, in one with the etchant filled etching bath with each other be brought into contact. The etchant but also in an etching drum, through a spray or spin etchers be applied.

Bei diesen Ätzverfahren wird das Ätzmittel nämlich stets einem Vorratsbehälter entnommen, der Ätzvorrichtung zugeführt und anschließend über das Rezirkulationsrohrsystem in den Vorratsbehälter zurückgeführt. Bei einer Messung der Ätzmittelkonzentration beispielsweise im Rezirkulationsrohr, vor Eintritt des rezirkulierten Ätzmittels in den Vorratsbehälter, oder bei der spektroskopischen Messung außerhalb der Ätzapparatur an einer zuvor genommenen Probe ist das erfindungsgemäße Verfahren nicht auf den Einsatz in Ätzverfahren beschränkt, bei denen der Ätzvorgang in einem Becken durchgeführt wird. Das Verfahren ist somit für verschiedene Anwendungserfordernisse besonders flexibel einsetzbar.at this etching process Namely, the etchant is always a storage container taken from the etching device supplied and then via the recirculation tube system in the reservoir recycled. at a measurement of the etchant concentration for example, in the recirculation tube, before the recirculated etchant enters in the storage container, or in the spectroscopic measurement outside the etching apparatus on a previously taken sample is the inventive method not to use in etching limited, where the etching process performed in a basin becomes. The method is thus for various application requirements particularly flexible.

Als Ätzmittel können verschiedene anorganische oder organische Ätzlösungen zum Einsatz kommen, insbesondere oxidierende Säuren wie Flusssäure, Salpetersäure, Schwefelsäure und Phosphorsäure oder auch Ammoniumfluorid oder Mischungen aus diesen Stoffen. Beispielsweise kann das Ätzmittel eine Mischung aus Flusssäure, Ammoniumfluorid und Wasser und/oder einem Netzmittel oder auch, beispielsweise für die Substratätzung, Salpetersäure enthalten.As an etchant can various inorganic or organic etching solutions are used, especially oxidizing acids like hydrofluoric acid, Nitric acid, sulfuric acid and phosphoric acid or ammonium fluoride or mixtures of these substances. For example can the etchant a mixture of hydrofluoric acid, Ammonium fluoride and water and / or a wetting agent or also, for example for the substrate etching, Contain nitric acid.

Die abzutragenden Schichten des Halbleiterwafers können beispielsweise amorphes oder kristallines Silizium, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumcarbid oder Polyimid aufweisen. Sie können aber auch aus Verbindungshalbleitern bestehen. Auch metallische Schichten wie Aluminium, Wolfram, Kupfer, Tantal, Titan, Platin und Gold beziehungsweise deren Oxide und/oder Nitride sind denkbar.The can be removed layers of the semiconductor wafer, for example, amorphous or crystalline silicon, silicon oxide, silicon nitride, silicon carbide or polyimide. You can but also consist of compound semiconductors. Also metallic Layers such as aluminum, tungsten, copper, tantalum, titanium, platinum and gold or their oxides and / or nitrides are conceivable.

Die unterschiedlichen zu ätzenden Materialien erfordern oft komplexe, nasschemische Ätzlösungen. Ferner kann es erwünscht sein, diese Schichten ganz oder auch nur teilweise, beispielsweise beim Ätzen von Gräben oder bei der Waferdünnung, abzutragen.The different to be etched Materials often require complex, wet-chemical etching solutions. It may also be desirable be, these layers completely or only partially, for example during etching of trenches or in the wafer thinning, ablate.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung und das Verfahren erfüllen durch die berührungslose in-situ-Messung der Ätzmittelkonzentration diese unterschiedlichen Anforderungen und erlauben somit bei unterschiedlichsten Prozessbedingungen eine empfindliche Überwachung des Ätzvorganges und damit die Erzielung eines optimalen Ätzergebnisses.The inventive device and fulfill the procedure through the non-contact in-situ measurement of the etchant concentration These different requirements and thus allow for a variety of Process conditions a sensitive monitoring of the etching process and thus the achievement of an optimal etching result.

Daraus ergibt sich ein weiterer attraktiver Einsatzbereich für Spektrometer.from that This results in another attractive application for spectrometers.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.The The invention will be explained in more detail below with reference to the attached figures.

1 zeigt schematisch eine Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiterwafern nach dem Stand der Technik; 1 schematically shows an apparatus for etching semiconductor wafers according to the prior art;

2 zeigt schematisch einen Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiterwafern gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung; 2 schematically shows an apparatus for etching semiconductor wafers according to a first embodiment of the invention;

3 zeigt schematisch einen Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiterwafern gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. 3 schematically shows an apparatus for etching semiconductor wafers according to a second embodiment of the invention.

Gleiche Teile sind in allen Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.Same Parts are provided in all figures with the same reference numerals.

1 zeigt schematisch eine Vorrichtung 1 zur Überwachung des Ätzvorganges bei Halbleiterwafern mit einem flüssigen Ätzmittel nach dem Stand der Technik. Die Vorrichtung 1 umfasst ein mit einem Ätzmittel gefülltes Becken 3, in das eine Haltevorrichtung 4 für einen Halbleiterwafer 5 getaucht werden kann. 1 schematically shows a device 1 for monitoring the etching process in semiconductor wafers with a liquid etchant according to the prior art. The device 1 includes a basin filled with an etchant 3 into which a holding device 4 for a semiconductor wafer 5 can be dipped.

Ferner umfasst die Vorrichtung 1 einen elektrischen Stromkreis 6 mit einer Wechselstromquelle 7, sowie mindestens zwei Elektroden 8, die in das mit dem Ätzmittel 2 gefüllte Becken 3 eingetaucht werden können. Dabei befinden sich die Elektroden 8 in der Nähe des Halbleiterwafers 5.Furthermore, the device comprises 1 an electrical circuit 6 with an AC power source 7 , as well as at least two electrodes 8th that in with the caustic 2 filled pelvis 3 can be dipped. There are the electrodes 8th near the semiconductor wafer 5 ,

Der Stromkreis 6 umfasst weiter einen Kondensator 9 mit variabler Kapazität, der mit den Elektroden 8 parallel geschaltet ist. Während des Ätzvorganges werden elektrische Kenngrößen, insbesondere die Impedanz, als Funktion der Zeit zwischen den beiden Elektroden 8 gemessen. Der Durchbruch auf eine tiefer gelegene Schicht des Halbleiterwafers 5 zeigt sich in einer Änderung dieser gemessenen elektrischen Kenngrößen und kann auf diese Weise detektiert werden.The circuit 6 further includes a capacitor 9 with variable capacity, with the electrodes 8th is connected in parallel. During the etching process, electrical parameters, in particular the impedance, as a function of time between the two electrodes 8th measured. The breakthrough to a deeper layer of the semiconductor wafer 5 shows up in a change of these measured electrical parameters and can be detected in this way.

Da bei dieser Vorrichtung 1 nach dem Stand der Technik die Elektroden 8 in das mit dem Ätzmittel 2 gefüllte Becken 3 getaucht werden und in der Nähe des Halbleiterwafers 5 positioniert werden müssen, können Teile der Oberfläche des Halbleiterwafers 5 gegen die Strömung des Ätzmittels 2 abgeschirmt werden, wodurch der Ätzvorgang auf unerwünschte Weise beeinflusst wird.As with this device 1 According to the prior art, the electrodes 8th in that with the etchant 2 filled pelvis 3 be dipped and near the semiconductor wafer 5 can be positioned, parts of the surface of the semiconductor wafer 5 against the flow of the etchant 2 be shielded, whereby the etching process is influenced in an undesirable manner.

2 zeigt schematisch eine Vorrichtung 1 zum Ätzen eines Halbleiterwafers 5 gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Die Vorrichtung 1 umfasst dabei einen mit einem Ätzmittel 2 gefüllten Behälter 3, in den ein oder mehrere beispielsweise in einer Haltevorrichtung 4 fixierte Halbleiterwafer 5 getaucht werden können. Des Weiteren umfasst sie einen Messkopf mit einem Spektrometer 13, das beispielsweise im Randbereich des Beckens 3 in das Ätzmittel 2 getaucht wird. 2 schematically shows a device 1 for etching a semiconductor wafer 5 according to a first embodiment of the invention. The device 1 includes one with an etchant 2 filled containers 3 , in the one or more, for example, in a holding device 4 fixed semiconductor wafers 5 can be dipped. Furthermore, it includes a measuring head with a spectrometer 13 , for example, in the edge area of the basin 3 in the etchant 2 is dipped.

Dabei kann es sich beispielsweise um ein Infrarot-Spektrometer handeln.there it may, for example, be an infrared spectrometer.

Während des Ätzvorganges wird spektrometrisch die Ätzmittelkonzentration im Becken 3 bestimmt und daraus die Ätzrate berechnet. Die Anordnung des Spektrometers 13 im Randbereich des Beckens 3 und damit in ausreichendem Abstand zu dem oder den Halbleiterwafern stellt sicher, dass der Ätzvorgang nicht gestört oder Halbleiterwafer beschädigt werden. Die Platzierung eines mit einem Spektrometer 13 ausgerüsteten Messkopfes im Becken 3 erlaubt jedoch eine Messung im Bereich des mittleren Infrarots, die wegen der guten Trennung der gemessenen Peaks in diesem Bereich sehr präzise und ohne erheblichen analytischen Aufwand durchgeführt werden kann.During the etching process, the etchant concentration in the pool is determined spectrometrically 3 determines and calculates the etch rate. The arrangement of the spectrometer 13 in the edge area of the basin 3 and thus sufficiently far away from the semiconductor wafer (s) ensures that the etching process is not disturbed or semiconductor wafers are damaged. The placement of one with a spectrometer 13 equipped measuring head in the basin 3 However, it allows a measurement in the range of the mid-infrared, which can be performed very precisely and without considerable analytical effort because of the good separation of the measured peaks in this area.

Eine Vorrichtung 1 gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung ist in 3 dargestellt. Sie umfasst ein Rezirkulationsschlauch- oder Rezirkulationsrohrsystem 10, das das Becken 3 mit einem Ätzmittelbehälter 11 verbindet.A device 1 according to a second embodiment of the invention is in 3 shown. It includes a recirculation tubing or recirculation tubing system 10 that the pelvis 3 with an etchant container 11 combines.

Durch das Rezirkulationsrohrsystem 10 wird während des Ätzvorganges ständig Ätzmittel 2 aus dem Becken 3 in den Ätzmittelbehälter 11 und von dort wieder zurückgeführt. Ein Spektrometer 13 zur Messung der Ätzmittelkonzentration ist zwischen das Becken 3 und den Ätzmittelbehälter 11 geschaltet. Dabei kann das Spektrometer entweder direkt in die Leitung eingebaut oder auf die Leitung gesetzt werden. Im letzteren Fall wird die Messung z.B. durch die Wand des Rezirkulationsrohres oder -schlauches durchgeführt, was den Montageaufwand erheblich reduziert und den flexiblen Umbau der Apparatur ermöglicht. Auf diese Weise kann während des gesamten Ätzvorganges ständig die Ätzmittelkonzentration im Rezirkula tionsrohrsystem 10 und damit auch im Becken 3 gemessen und daraus die aktuelle Ätzrate berechnet werden.Through the recirculation pipe system 10 becomes etchant constantly during the etching process 2 from the basin 3 in the etchant tank 11 and returned from there. A spectrometer 13 for measuring the etchant concentration is between the basin 3 and the etchant container 11 connected. The spectrometer can either be installed directly in the line or placed on the line. In the latter case, the measurement is carried out, for example, through the wall of the recirculation tube or hose, which considerably reduces the assembly effort and enables the flexible conversion of the apparatus. In this way, during the entire etching process, the etchant concentration in Rezirkula tion tube system constantly 10 and therefore also in the pelvis 3 measured and calculated from the current Ätzrate.

Da das Spektrometer 13 die Ätzmittelkonzentration im Rezirkulationsrohrsystem 10 misst, muss der Ätzvorgang nicht wie in 3 gezeigt in einem mit einem Ätzmittel 2 gefüllten Becken 3 stattfinden. Vielmehr ist auch eine spektrometrische Überwachung der Ätzmittelkonzentration beim Einsatz von Trommelätzern, Sprühätzern oder Spinnätzern denkbar. In allen diesen Fällen wird das Ätzmittel 2 ständig über ein Rezirkulationsrohrsystem 10 einem Ätzmittelbehälter 11 zugeführt.Because the spectrometer 13 the etchant concentration in the recirculation piping system 10 does not need etching as in 3 shown in one with an etchant 2 filled pelvis 3 occur. Rather, a spectrometric monitoring of the etchant concentration when using drum etcher, spray etcher or spin etchers is conceivable. In all these cases, the etchant 2 constantly via a recirculation piping system 10 an etchant container 11 fed.

Als Ätzmittel 2 ist beispielsweise eine Mischung aus Flusssäure, Ammoniumfluorid und Wasser vorgesehen. Je nach Anwendungsbereich kommen aber auch weitere Ätzmittel, beispielsweise Salpetersäure, Schwefelsäure und/oder Phosphorsäure in Betracht.As an etchant 2 is for example a Mi from hydrofluoric acid, ammonium fluoride and water. Depending on the field of application, however, other etchants, for example nitric acid, sulfuric acid and / or phosphoric acid are also suitable.

Die in 3 dargestellte Vorrichtung 1 erlaubt eine besonders einfache Überwachung der Ätzmittelkonzentration und damit der Ätzrate, die zudem noch eine hohe Zeitauflösung aufweisen kann. An der Ätzvorrichtung selbst sind keine technisch aufwendigen Einbauten nötig.In the 3 illustrated device 1 allows a particularly simple monitoring of the etchant concentration and thus the etch rate, which also can still have a high time resolution. At the etching device itself no technically complicated internals are needed.

Das Spektrometer 13 kann verhältnismäßig einfach in das Rezirkulationsrohrsystem 10 eingefügt und bei einem eventuellen Umbau der Ätzvorrichtung auch wieder anders positioniert werden. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist somit besonders flexibel einsetzbar und erlaubt auf einfache, berührungslose Weise eine Messung der Ätzmittelkonzentration mit hoher Zeitauflösung.The spectrometer 13 can be relatively easy in the recirculation pipe system 10 inserted and also be positioned differently in a possible conversion of the etching. The device according to the invention is thus particularly flexible and allows a simple, non-contact manner, a measurement of the etchant concentration with high time resolution.

11: Vorrichtungcontraption
22: Ätzmitteletchant
33: Beckenpool
44: Haltevorrichtungholder
55: HalbleiterwaferSemiconductor wafer
66: Stromkreiscircuit
77: WechselspannungsquelleAC voltage source
88th: Elektrodenelectrodes
99: Kondensatorcapacitor
1010: RezirkulationsrohrsystemRezirkulationsrohrsystem
1111: ÄtzmittelbehälterÄtzmittelbehälter
1212: Rohrpipe
1313: Spektrometerspectrometer

Claims

Vorrichtung mit einer Ätzapparatur zum Ätzen von ganz oder teilweise abzutragenden Schichten oder Bereichen von Halbleiterwafern (5) mit einem flüssigen Ätzmittel (2), dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung ein Spektrometer (13) zur Messung der Ätzmittelkonzentration umfasst.Device having an etching apparatus for etching completely or partially ablated layers or regions of semiconductor wafers ( 5 ) with a liquid etchant ( 2 ), characterized in that the device is a spectrometer ( 13 ) for measuring the etchant concentration.

Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Spektrometer (13) ein Infrarot-Spektrometer vorgesehen ist.Device according to claim 1, characterized in that as a spectrometer ( 13 ) an infrared spectrometer is provided.

Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass sie ein Rezirkulationsrohrsystem (10) aufweist, mit dem das Ätzmittel (2) den zu ätzenden Halbleiterwafern (5) ständig zuführbar und/oder von den Halbleiterwafern abführbar ist, wobei das Spektrometer (13) zur Messung der Ätzmittelkonzentration im Bereich des Rezirkulationsrohrsystems (10) angeordnet ist.Device according to claim 1 or 2, characterized in that it comprises a recirculation tube system ( 10 ), with which the etchant ( 2 ) the semiconductor wafers to be etched ( 5 ) is continuously supplied and / or dischargeable from the semiconductor wafers, wherein the spectrometer ( 13 ) for measuring the etchant concentration in the region of the recirculation pipe system ( 10 ) is arranged.

Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzapparatur ein Becken (3) mit einem Ätzbad oder einen Trommelätzer oder einen Sprühätzer oder einen Spinätzer aufweist.Device according to one of claims 1 to 3, characterized in that the etching apparatus is a basin ( 3 ) with an etching bath or drum etcher or a spray etcher or a spin etcher.

Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2 mit einem als Ätzapparatur vorgesehenen Becken 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Spektrometer 13 in einem Messkopf in einem Randbereich des Beckens 3 angeordnet ist.Apparatus according to claim 1 or 2 with a provided as Ätzapparatur basin 3 , characterized in that the spectrometer 13 in a measuring head in a peripheral area of the basin 3 is arranged.

Verfahren zum Ätzen von ganz oder teilweise abzutragenden Schichten oder Bereichen von Halbleiterwafern (5) mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines oder mehrerer Halbleiterwafer (5) mit einer abzutragenden Schicht; – Bereitstellen einer Ätzapparatur mit einem flüssigen Ätzmittel (2); – in Kontakt bringen des oder der Halbleiterwafer (5) mit dem Ätzmittel (2); – spektroskopische Messung der Ätzmittelkonzentration; – Berechnung der Ätzrate anhand der Ätzmittelkonzentration und – Ätzen der Schicht, bis ein gewünschter Schichtabtrag erreicht ist.Process for etching completely or partially removed layers or regions of semiconductor wafers ( 5 ) comprising the following steps: - providing one or more semiconductor wafers ( 5 ) with a layer to be removed; Providing an etching apparatus with a liquid etchant ( 2 ); Contacting the semiconductor wafer (s) ( 5 ) with the etchant ( 2 ); Spectroscopic measurement of the etchant concentration; - Calculation of the etching rate based on the Ätzmittelkonzentration and - etching of the layer until a desired Schichtabtrag is achieved.

Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die spektroskopische Messung der Ätzmittelkonzentration in situ am in der Ätzapparatur befindlichen Ätzmittel (2) durchgeführt wird.A method according to claim 6, characterized in that the spectroscopic measurement of the etchant concentration in situ on the etchant located in the etching apparatus ( 2 ) is carried out.

Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzmittel (2) durch ein Rezirkulationsrohrsystem (10) den Halbleiterwafern (5) ständig zugeführt und/oder von den Halbleiterwafern abgeführt und die Ätzmittelkonzentration in einem Rezirkulationsrohr gemessen wird.Method according to claim 6, characterized in that the etchant ( 2 ) by a recirculation pipe system ( 10 ) the semiconductor wafers ( 5 ) are constantly supplied and / or discharged from the semiconductor wafers and the etchant concentration is measured in a recirculation tube.

Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die spektroskopische Messung außerhalb der Ätzapparatur an einer an der Ätzapparatur genommenen Probe des Ätzmittels (2) durchgeführt wird.Method according to Claim 6, characterized in that the spectroscopic measurement outside the etching apparatus is carried out on a sample of the etching medium (15) taken at the etching apparatus. 2 ) is carried out.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die spektroskopische Messung bei Wellenlängen im Infrarotbereich durchgeführt wird.Method according to one of claims 6 to 9, characterized the spectroscopic measurement is carried out at wavelengths in the infrared range.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die spektroskopische Messung in einem Wellenzahlbereich zwischen 7000 und 14000 1/cm durchgeführt wird.Method according to one of claims 6 to 10, characterized that the spectroscopic measurement in a wavenumber range between 7000 and 14000 1 / cm performed becomes.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die spektroskopische Messung in einem Wellenzahlbereich zwischen 800 und 4000 1/cm durchgeführt wird.Method according to one of claims 6 to 10, characterized that the spectroscopic measurement in a wavenumber range between 800 and 4000 1 / cm performed becomes.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die spektroskopische Messung der Ätzmittelkonzentration kontinuierlich während des Ätzvorganges erfolgt.Method according to one of claims 6 to 12, characterized that the spectroscopic measurement of etchant concentration continuously while the etching process he follows.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die spektroskopische Messung der Ätzmittelkonzentration diskontinuierlich für ausgewählte Zeitpunkte während des Ätzvorganges erfolgt.Method according to one of claims 6 to 12, characterized that the spectroscopic measurement of etchant concentration discontinuous for selected times while the etching process he follows.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Berechnung der Ätzrate kontinuierlich während des Ätzvorganges erfolgt.Method according to one of claims 6 to 13, characterized that the calculation of the etching rate continuously during the etching process takes place.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Berechnung der Ätzrate diskontinuierlich für ausgewählte Zeitpunkte während des Ätzvorganges erfolgt.Method according to one of claims 6 to 14, characterized that the calculation of the etching rate discontinuous for selected Times during the etching process he follows.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die zu ätzende Schicht und das Ätzmittel (2) in einem mit einem Ätzbad gefüllten Becken (3) oder in einem Trommelätzer oder in einem Sprühätzer oder in einem Spinätzer miteinander in Kontakt gebracht werden.Method according to one of claims 6 to 16, characterized in that the layer to be etched and the etchant ( 2 ) in a tank filled with an etching bath ( 3 ) or in a drum etcher or in a spray etcher or in a spin etcher.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass als Ätzmittel eine oxidierende Säure verwendet wird.Method according to one of claims 6 to 17, characterized that as an etchant an oxidizing acid is used.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass als Ätzmittel Ammoniumfluorid verwendet wird.Method according to one of claims 6 to 17, characterized that as an etchant Ammonium fluoride is used.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass als Ätzmittel Flusssäure verwendet wird.Method according to one of claims 6 to 18, characterized that used as an etchant hydrofluoric acid becomes.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass als Ätzmittel Salpetersäure verwendet wird.Method according to one of claims 6 to 18, characterized that as an etchant nitric acid is used.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass als Ätzmittel Schwefelsäure verwendet wird.Method according to one of claims 6 to 18, characterized that used as an etchant sulfuric acid becomes.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass als Ätzmittel Phosphorsäure verwendet wird.Method according to one of claims 6 to 18, characterized that used as an etchant phosphoric acid becomes.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzmittel Wasser und/oder eine oder mehrere der Stoffe gemäß der Ansprüche 18 bis 23 enthält.Method according to one of claims 6 to 23, characterized that the etchant is water and / or one or more of the substances according to claims 18 to 23.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzmittel ein Netzmittel enthält.Method according to one of claims 6 to 24, characterized that the etchant contains a wetting agent.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die abzutragende Schicht aus einem der Stoffe Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumcarbid, Polyimid oder aus amorphem oder kristallinem Silizium besteht.Method according to one of claims 6 to 25, characterized that the layer to be removed consists of one of the substances silicon oxide, Silicon nitride, silicon carbide, polyimide or amorphous or crystalline silicon.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die abzutragende Schicht aus einem Verbindungshalbleiter besteht.Method according to one of claims 6 to 25, characterized the layer to be removed consists of a compound semiconductor.

Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die abzutragende Schicht Gold, Platin, Aluminium, Wolfram oder Kupfer enthält.Method according to one of claims 6 to 25, characterized that the layer to be removed is gold, platinum, aluminum, tungsten or Contains copper.

Verwendung eines Spektrometers (13) in einer Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiterwafern (5) zur Überwachung der Ätzmittelkonzentration beim Ätzen von Halbleiterwafern (5).Use of a spectrometer ( 13 ) in an apparatus for etching semiconductor wafers ( 5 ) for monitoring the etchant concentration in the etching of semiconductor wafers ( 5 ).