DE102005030324B4 - Light Emitting Diode Assembly Assembly, Cold Cathode Fluorescent Lamp and Photoluminescent Material Thereof - Google Patents

Light Emitting Diode Assembly Assembly, Cold Cathode Fluorescent Lamp and Photoluminescent Material Thereof Download PDF

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Abstract

Eine lichtemittierende Dioden-(LED)-Baugruppenanordnung, die folgendes umfasst: einen Träger; einen LED-Chip, der auf dem Träger angeordnet und zum Emittieren von Licht geeignet ist; eine Umhüllung zum Umhüllen des LED-Chips auf dem Träger, und ein photolumineszentes Material, das in der Umhüllung verteilt ist, worin das photolumineszente Material derart ausgestaltet ist, dass es durch das von dem LED-Chip emittierte Licht angeregt wird und dass es das Licht streut, und das photolumineszente Material die Summenformel WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3+t+u(Al, Ga, Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+, Tb3+ hat, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist, und die vorgenannten Elemente enthält und eine Mischung oder ein Sintergut ist.A light emitting diode (LED) assembly assembly comprising: a support; an LED chip disposed on the carrier and adapted to emit light; a cladding for wrapping the LED chip on the carrier, and a photoluminescent material dispersed in the cladding, wherein the photoluminescent material is configured to be excited by the light emitted from the LED chip and to be the light and the photoluminescent material has the molecular formula WmMon (Y, Ce, Tb, Gd, Sc) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12+ 2t + 3u + 3v + 3m + 3n: Ce3 +, Tb3 +, wherein 0 <t <5 and 0 <m, n, u, v <15, and contains the aforementioned elements and is a mixture or a sintered material.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine LED-Baugruppenanordnung (lichtemittierende Diode). Genauer bezieht sie sich auf eine LED-Baugruppenanordnung, die ein photolumineszentes Material umfasst.The present invention relates to an LED package assembly (light emitting diode). More particularly, it relates to an LED assembly assembly comprising a photoluminescent material.

Beschreibung der zugehörigen TechnikDescription of the associated technique

Durch die andauernde Verbesserung der LED-Lichtausbeute in den letzten Jahren haben die LEDs schrittweise die Leuchtröhren und Glühlampen in manchen Anwendungen ersetzt, wie schnell ansprechende Scanner-Lichtquellen, LCD-(Flüssigkristallanzeige)-Hintergrundbeleuchtungsquellen, Fahrzeugarmaturenbrettbeleuchtung, Verkehrsampeln und allgemeine Beleuchtungsgeräte. Im Vergleich zu herkömmlichen Glühbirnen besitzen LEDs eine absolute Überlegenheit aufgrund von Merkmalen, wie kompakte Größe, Strapazierfähigkeit, niedriger Spannungs-/Strom-Betrieb, Bruchwiderstand, keine Wärmestrahlung während der Beleuchtung, kein Quecksilber (und daher keine Umweltverschmutzung) und eine hohe Lichtausbeute (Energie sparend). In Bezug auf heutige Herstellungstechnologien und Anwendungen zieht das weiße LED die größte Aufmerksamkeit unter den verschiedenen Beleuchtungsfarben von LEDs auf sich.With the continuing improvement in LED light output in recent years, LEDs have progressively replaced fluorescent tubes and incandescent bulbs in some applications, such as fast-response scanner light sources, LCD (Liquid Crystal Display) backlight sources, vehicle dashboard lighting, traffic lights, and general lighting equipment. Compared to conventional light bulbs, LEDs have absolute superiority due to features such as compact size, durability, low voltage / current, break resistance, no heat radiation during illumination, no mercury (and therefore no pollution) and high light output (energy saving). In terms of today's manufacturing technologies and applications, the white LED attracts the most attention among the various illumination colors of LEDs.

Weißes Licht ist ein Lichttyp, der aus einer Vielzahl von Lichtfarben gemischt wird. Das mit dem menschlichen Auge sichtbare weiße Licht umfasst wenigstens zwei Lichtfarben in verschiedenen Wellenlängen. Zum Beispiel werden blaues Licht und gelbes Licht gemischt, um ein weißes Licht mit zwei Wellenlängen zu bilden; oder rotes Licht, grünes Licht und blaues Licht werden gemischt, um ein weißes Licht mit drei Wellenlängen zu bilden. Gegenwärtig werden weiße LEDs in drei Verfahren hergestellt. Erstens gibt es ein sogenanntes Drei-Wellenlängen-Verfahren, worin ein LED-Chipsatz aus einem roten LED-Chip, einem grünen LED-Chip und einem blauen LED-Chip besteht. Einheitliches weißes Licht wird durch Einstellung der jeweiligen Ströme gebildet, die durch die drei Chips laufen. Dieser Modus weist eine hohe Lichtausbeute zusammen mit höheren Herstellungskosten auf. Zweitens gibt es ein sogenanntes Zwei-Wellenlängen-Verfahren, worin ein LED-Chipsatz aus einem blauen LED-Chip und einem gelben LED-Chip besteht. Durch die Einstellung der jeweiligen Ströme der zwei Chips wird ein einheitliches weißes Licht gebildet. Dieses Verfahren ist durch eine gute Lichtausbeute und niedrigere Herstellungskosten gekennzeichnet. Zusätzlich gibt es ein drittes Verfahren, worin weißes Licht gebildet wird, indem blaues Licht, das von einem blauen LED gebildet wird, und gelbes Licht gemischt werden, das aus gelbem Phosphor durch Anregung mit blauem Licht gebildet wird. Der dritte Modus weist einen einfacheren Herstellungsprozess, geringere Lichtausbeute und niedrigere Kosten auf. Deshalb basieren gegenwärtig die meisten weißen LEDs auf dem dritten Verfahren. Und zwar wird das weiße Licht mittels des blauen Lichts und des gelben Phosphors gebildet, der durch das blaue Licht angeregt wird.White light is a type of light that is mixed from a variety of light colors. The visible to the human eye white light comprises at least two light colors in different wavelengths. For example, blue light and yellow light are mixed to form a white light having two wavelengths; or red light, green light, and blue light are mixed to form a white light of three wavelengths. Currently, white LEDs are manufactured in three processes. First, there is a so-called three-wavelength method wherein an LED chip set consists of a red LED chip, a green LED chip, and a blue LED chip. Uniform white light is formed by adjusting the respective currents passing through the three chips. This mode has a high luminous efficacy along with higher manufacturing costs. Second, there is a so-called two-wavelength method wherein an LED chipset consists of a blue LED chip and a yellow LED chip. By adjusting the respective currents of the two chips, a uniform white light is formed. This process is characterized by a good luminous efficacy and lower manufacturing costs. In addition, there is a third method wherein white light is formed by mixing blue light formed by a blue LED and yellow light formed from yellow phosphor by excitation with blue light. The third mode has a simpler manufacturing process, lower light output and lower costs. Therefore, most white LEDs are currently based on the third method. Namely, the white light is formed by the blue light and the yellow phosphor excited by the blue light.

Die 1 ist eine schematische Zeichnung einer herkömmlichen weißen LED-Baugruppenanordnung. In der 1 umfasst die herkömmliche weiße LED-Baugruppenanordnung hauptsächlich die Baugruppen-Leitungsanschlüsse 100, einen blauen LED-Chip 102, eine innere Umhüllung 104 und eine äußere Umhüllung 106, worin der blaue LED-Chip 102 auf den Baugruppen-Leitungsanschlüssen 100 angeordnet ist und mit den Baugruppen-Leitungsanschlüssen 100 über zwei Lötdrähte 108 elektrisch verbunden ist; die innere Umhüllung 104 umfasst gelben Phosphor, der den blauen LED-Chip 102 abdeckt; eine äußere Umhüllung 106 wird verwendet, um einen Teil der Baugruppen-Leitungsanschlüsse 100, den blauen LED-Chip 102 und die innere Umhüllung 104 abzudecken. Das zuvor genannte weiße LED verwendet das von dem blauen LED-Chip 102 emittierte blaue Licht, um die innere Umhüllung 104 anzuregen, damit ein weißes Licht mit zwei Wellenlängen gebildet wird, das aus dem blauen Licht und dem gelben Licht gemischt wird.The 1 is a schematic drawing of a conventional white LED assembly assembly. In the 1 For example, the conventional white LED package assembly mainly includes the package lead terminals 100 , a blue LED chip 102 , an inner serving 104 and an outer cladding 106 where the blue LED chip 102 on the assembly line connections 100 is arranged and with the assembly line connections 100 over two solder wires 108 electrically connected; the inner cladding 104 includes yellow phosphor, which is the blue LED chip 102 covers; an outer cladding 106 is used to part of the assembly line connections 100 , the blue LED chip 102 and the inner cladding 104 cover. The aforementioned white LED uses that of the blue LED chip 102 emitted blue light around the inner cladding 104 to excite a white light with two wavelengths mixed from the blue light and the yellow light.

Die 2 ist eine schematische Zeichnung einer anderen herkömmlichen weißen LED-Baugruppenanordnung. Im Vergleich zu der 1 besteht die hauptsächliche Verbesserung des weißen LED in einer zusätzlichen aufgebrachten Streuungs-Schicht 110, um die innere Umhüllung 104 abzudecken. Die Streuungs-Schicht 110 umfasst einen durchsichtigen Klebstoff, in dem durchsichtige Teilchen oder Luftbläschen verteilt sind. Die durchsichtigen Teilchen oder Luftbläschen in der Streuungs-Schicht 110 brechen die Lichtstrahlen mehrmals, wodurch ermöglicht wird, dass der Farbton des gemischten Lichtes einheitlicher ist.The 2 Fig. 12 is a schematic drawing of another conventional white LED package assembly. Compared to the 1 the main improvement of the white LED is in an additional applied scattering layer 110 to the inner cladding 104 cover. The scattering layer 110 comprises a transparent adhesive in which transparent particles or air bubbles are distributed. The transparent particles or air bubbles in the scattering layer 110 the beams of light refract several times, allowing the hue of the mixed light to be more uniform.

Um einen besseren Lichtmischungseffekt zu erzielen, müssen jedoch das Fluoreszenz-Pulver an der oben beschriebenen inneren Umhüllung 104 und die Größe und Verteilungsdichte von durchsichtigen Teilchen oder Luftbläschen in der Streuungs-Schicht 110 gut abgestimmt werden. Weil zu viele Faktoren den Lichtmischungseffekt beeinflussen können, ist es bis zu einem gewissen Ausmaß praktisch schwer, den Lichtmischungseffekt zu erzeugen und zu steuern.However, in order to achieve a better light mixing effect, the fluorescent powder must be attached to the inner cladding described above 104 and the size and distribution density of transparent particles or air bubbles in the scattering layer 110 be well matched. Because too many factors can affect the light mixing effect, to some extent it is practically difficult to generate and control the light mixing effect.

Um ein detailliertes Verständnis der oben beschriebenen LED-Baugruppenanordnung zu erhalten, können das US-Patent VN 5,998,925 und das ROC-Patent VN 383508 als Referenz verwendet werden.To gain a detailed understanding of the LED package assembly described above can get that U.S. Patent No. 5,998,925 and ROC patent VN 383508 may be used as a reference.

Ferner offenbart DE 196 38 667 A1 diverse anorganische Leuchtstoffe, welche ein, zwei oder drei Kationen enthalten. Insbesondere werden Oxide von Yttrium und Aluminium, von Yttrium und Gallium sowie von Yttrium, Aluminium und Gallium beschrieben.Further disclosed DE 196 38 667 A1 various inorganic phosphors containing one, two or three cations. In particular, oxides of yttrium and aluminum, of yttrium and gallium as well as of yttrium, aluminum and gallium are described.

Zusätzlich werden Wolframate, Molybdate, Titanate, Borate und weitere anorganische Leuchtstoffe in US 5,998,047 erwähnt.In addition, tungstates, molybdate, titanates, borates and other inorganic phosphors in US 5,998,047 mentioned.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Dementsprechend ist die vorliegende Erfindung darauf gerichtet, eine LED-Baugruppenanordnung bereitzustellen, um den Lichtmischungseffekt davon weiter zu verbessern.Accordingly, the present invention is directed to providing an LED package assembly for further improving the light mixing effect thereof.

Dementsprechend soll die vorliegende Erfindung eine Kaltkathoden-Fluoreszenzlampe bereitstellen, worin ein photolumineszentes Material (PL-Material) verwendet wird, um die herkömmliche Fluoreszenz-Schicht und Streuungs-Schicht zu ersetzen, damit der Lichtmischungseffekt davon verbessert wird.Accordingly, the present invention is intended to provide a cold cathode fluorescent lamp in which a photoluminescent material (PL material) is used to replace the conventional fluorescent layer and scattering layer to improve the light mixing effect thereof.

Dementsprechend soll die vorliegende Erfindung ein PL-Material bereitstellen, das sich von herkömmlichem Fluoreszenz-Pulver unterscheidet, aber für die LED-Baugruppenanordnung und die Kaltkathoden-Fluoreszenzlampen geeignet ist, um einen besseren Lichtmischungseffekt zu erzeugen.Accordingly, the present invention is intended to provide a PL material that differs from conventional fluorescent powder, but is suitable for the LED package assembly and the cold cathode fluorescent lamps to produce a better light mixing effect.

Die vorliegende Erfindung stellt eine LED-Baugruppenanordnung bereit, die hauptsächlich einen Träger, einen LED-Chip, eine Umhüllung und ein PL-Material umfasst, worin der LED-Chip auf dem Träger angeordnet ist, um Lichtstrahlen zu emittieren; die Umhüllung wird dazu verwendet, um den LED-Chip auf dem Träger zu umhüllen; und das PL-Material ist in der Umhüllung verteilt, worin das photolumineszente Material derart ausgestaltet ist, dass es durch das Licht angeregt wird, das aus dem LED-Chip emittiert wird, und dass es das Licht streut.The present invention provides an LED package assembly comprising mainly a carrier, an LED chip, a cladding, and a PL material, wherein the LED chip is disposed on the carrier to emit light beams; the wrapper is used to wrap the LED chip on the carrier; and the PL material is distributed in the cladding, wherein the photoluminescent material is configured to be excited by the light emitted from the LED chip and to scatter the light.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Träger zum Beispiel eine bedruckte Leiterplatte (PCB), die eine Chip-haltende Zelle zum Anordnen des LED-Chip umfasst. Der LED-Chip ist mit dem PCB elektrisch verbunden.According to an embodiment of the present invention, the carrier is, for example, a printed circuit board (PCB) comprising a chip-holding cell for arranging the LED chip. The LED chip is electrically connected to the PCB.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Träger zum Beispiel ein Baugruppenrahmen. Der LED-Chip ist mit dem Baugruppenrahmen über zwei Lötdrähte elektrisch verbunden. Ansonsten ist der LED-Chip zum Beispiel ein blauer LED-Chip.For example, according to one embodiment of the present invention, the carrier is an assembly frame. The LED chip is electrically connected to the module frame via two solder wires. Otherwise, the LED chip is a blue LED chip, for example.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst die Umhüllung eine innere Umhüllung und eine äußere Umhüllung, worin die innere Umhüllung den LED-Chip umhüllt und das PL-Material in der inneren Umhüllung verteilt ist und die äußere Umhüllung die innere Umhüllung und einen Teil des Trägers umhüllt.According to one embodiment of the present invention, the wrapper comprises an inner wrapper and an outer wrapper, wherein the inner wrapper wraps around the LED die and the PL material is dispersed in the inner wrapper and the outer wrapper wraps around the inner wrapper and a portion of the carrier ,

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Summenformel des PL-Materials durch folgendes angegeben:
WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3+t+u(Al, Ga, Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+, Tb3+, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist, und das PL-Material die vorgenannten Elemente enthält. Das oben genannte PL-Material mit der Summenformel:
WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3+t+u(Al, Ga, Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+, Tb3+, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist, ist eine Mischung oder ein Sintergut. Zusätzlich ist der größte Teilchendurchmesser kleiner als 30 Mikron und der durchschnittliche Teilchendurchmesser ist kleiner als 10 Mikron.According to one embodiment of the present invention, the molecular formula of the PL material is given by:
W m Mo n (Y, Ce, Tb, Gd, Sc) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12 + 2t + 3u + 3v + 3m + 3n : Ce 3+ , Tb 3+ , wherein 0 <t <5 and 0 <m, n, u, v <15, and the PL material contains the aforementioned elements. The above PL material with the molecular formula:
W m Mo n (Y, Ce, Tb, Gd, Sc) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12 + 2t + 3u + 3v + 3m + 3n : Ce 3+ , Tb 3+ , wherein 0 <t <5 and 0 <m, n, u, v <15, is a mixture or a sinter. In addition, the largest particle diameter is smaller than 30 microns and the average particle diameter is smaller than 10 microns.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst das PL-Material ein Fluoreszenz-Material und ein Streuungs-Material. Der Teilchendurchmesser des Fluoreszenz-Materials ist kleiner als 25 Mikron.According to one embodiment, the PL material comprises a fluorescence material and a scattering material. The particle diameter of the fluorescent material is less than 25 microns.

Die vorliegende Erfindung stellt ferner eine alternative Kaltkathoden-Fluoreszenzlampe bereit, die eine Fluoreszenzlampe, ein Entladungsgas, ein PL-Material und einen Elektrodensatz umfasst, worin das Entladungsgas in die Fluoreszenzlampe gefüllt ist, das PL-Material an der Innenwand der Lampe angeordnet ist und der Elektrodensatz eine Anode und eine Kathode umfasst, wobei die Anode an einem Ende der Lichtröhre und die Kathode an dem anderen Ende angeordnet ist.The present invention further provides an alternative cold cathode fluorescent lamp comprising a fluorescent lamp, a discharge gas, a PL material, and an electrode set, wherein the discharge gas is filled in the fluorescent lamp, the PL material is disposed on the inner wall of the lamp, and Electrode set comprises an anode and a cathode, wherein the anode is disposed at one end of the light tube and the cathode at the other end.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Summenformel des PL-Materials durch folgendes angegeben:
WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3+t+u(Al, Ga, Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+, Tb3+, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist. Das PL-Material mit der Summenformel:
WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3+t+u(Al, Ga, Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+, Tb3+, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist, ist eine Mischung oder ein Sintergut. Zusätzlich umfasst das PL-Material ein Fluoreszenz-Material und ein Streuungs-Material, das dem Fluoreszenz-Material anhaftet.According to one embodiment of the present invention, the molecular formula of the PL material is given by:
W m Mo n (Y, Ce, Tb, Gd, Sc) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12 + 2t + 3u + 3v + 3m + 3n : Ce 3+ , Tb 3+ , wherein 0 <t <5 and 0 <m, n, u, v <15. The PL material with the molecular formula:
W m Mo n (Y, Ce, Tb, Gd, Sc) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12 + 2t + 3u + 3v + 3m + 3n : Ce 3+ , Tb 3+ , wherein 0 <t <5 and 0 <m, n, u, v <15, is a mixture or a sinter. In addition, the PL material includes a fluorescent material and a scattering material that adheres to the fluorescent material.

Die vorliegende Erfindung stellt ferner ein alternatives PL-Material bereit. Die Summenformel des PL-Materials wird durch folgendes angegeben:
WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3+t+u(Al, Ga, Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+, Tb3+, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist, und worin das PL-Material eine Mischung oder ein Sintergut sein.The present invention further provides an alternative PL material. The molecular formula of the PL material is given by:
W m Mo n (Y, Ce, Tb, Gd, Sc) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12 + 2t + 3u + 3v + 3m + 3n : Ce 3+ , Tb 3+ , wherein 0 <t <5 and 0 <m, n, u, v <15, and wherein the PL material is a mixture or a sintered material.

Die vorliegende Erfindung verwendet ein PL-Material dazu, um die herkömmliche Fluoreszenz-Schicht und Streuungs-Schicht für die Lichtumwandlung und den Lichtmischungseffekt zu ersetzen. Somit gibt es keine Abstimmungsprobleme mehr unter den Varianten in dem Stand der Technik, wie die Materialien der Fluoreszenz-Schicht und Streuungs-Schicht, der Teilchengröße und der Verteilungsdichte der Teilchen und desgleichen. Ansonsten wird die Gesamtprozedur für die Herstellung der LED-Baugruppen effektiv zusammen mit geringeren Herstellungskosten und einem besseren Lichtmischungseffekt vereinfacht.The present invention uses a PL material to replace the conventional fluorescent layer and scattering layer for light conversion and light mixing effect. Thus, there are no more problems of matching among the variants in the prior art, such as the materials of the fluorescent layer and scattering layer, the particle size and the distribution density of the particles, and the like. Otherwise, the overall procedure for manufacturing the LED packages is effectively simplified along with lower manufacturing costs and a better light mixing effect.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

Die begleitenden Zeichnungen sind beinhaltet, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu liefern, und sind in diese Spezifikation inkorporiert und bilden einen Teil davon. Die Zeichnungen stellen Ausführungsformen der Erfindung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erläutern.The accompanying drawings are included to provide a further understanding of the invention, and are incorporated in and constitute a part of this specification. The drawings illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.

1 ist eine schematische Zeichnung einer herkömmlichen weißen LED-Baugruppenanordnung. 1 is a schematic drawing of a conventional white LED assembly assembly.

2 ist eine schematische Zeichnung einer weiteren herkömmlichen weißen LED-Baugruppenanordnung. 2 is a schematic drawing of another conventional white LED assembly assembly.

3 ist eine schematische Zeichnung einer weißen LED-Baugruppenanordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 3 Fig. 10 is a schematic drawing of a white LED package assembly according to a first embodiment of the present invention.

4A und 4B sind schematische Diagramme, die ein PL-Material zeigen. 4A and 4B are schematic diagrams showing a PL material.

5A und 5B sind schematische Diagramme, die ein alternatives PL-Material zeigen. 5A and 5B are schematic diagrams showing an alternative PL material.

6 und 7 sind schematische Zeichnungen von weißen LED-Baugruppenanordnungen gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 6 and 7 FIG. 13 are schematic drawings of white LED package assemblies according to a second embodiment of the present invention. FIG.

8 ist eine schematische Zeichnung einer Kaltkathoden-Fluoreszenzlampe gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 8th Fig. 12 is a schematic drawing of a cold cathode fluorescent lamp according to a third embodiment of the present invention.

BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMENDESCRIPTION OF THE EMBODIMENTS

Die erste AusführungsformThe first embodiment

Die 3 ist eine schematische Zeichnung einer LED-Baugruppenanordnung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In der 3 umfasst die LED-Baugruppenanordnung in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hauptsächlich einen Träger 200, einen LED-Chip 210, eine Umhüllung 220 und ein PL-Material 230, worin der LED-Chip 210 auf dem Träger 200 für die Lichtemission angeordnet ist; die Umhüllung 220 umhüllt das Meiste von dem Träger 200 und dem LED-Chip 210 darauf; und das PL-Material 230 ist gleichmäßig in der Umhüllung 220 verteilt. Die PL-Material-Schicht 230 ist dazu geeignet, um durch das aus dem LED-Chip 210 emittierte Licht angeregt zu werden und das Licht zu streuen.The 3 FIG. 12 is a schematic drawing of an LED package assembly according to the first embodiment of the present invention. FIG. In the 3 For example, the LED package assembly in the first embodiment of the present invention mainly includes a carrier 200 , an LED chip 210 , a serving 220 and a PL material 230 in which the LED chip 210 on the carrier 200 arranged for the light emission; the serving 220 envelops most of the wearer 200 and the LED chip 210 thereon; and the PL material 230 is even in the serving 220 distributed. The PL material layer 230 is capable of passing through the LED chip 210 emitted light to be excited and to scatter the light.

In der ersten Ausführungsform ist der Träger 200 zum Beispiel die Baugruppen-Leitungsanschlüsse 200', wie in der 3 gezeigt ist. Die Baugruppen-Leitungsanschlüsse 200' umfassen einen ersten Leitungsanschluss 202 und einen zweiten Leitungsanschluss 204. Auf dem Oberteil des ersten Leitungsanschlusses 202 ist ein Trägerblock 206, der eine Chip-haltende Zelle 208 umfasst. Die Chip-haltende Zelle 208 besteht aus einer konkaven Gestalt, die zum Halten des LED-Chip 210 geeignet ist.In the first embodiment, the carrier 200 for example, the assembly line connections 200 ' , like in the 3 is shown. The assembly line connections 200 ' comprise a first conduit connection 202 and a second conduit connection 204 , On the top of the first pipe connection 202 is a carrier block 206 holding a chip-holding cell 208 includes. The chip-holding cell 208 consists of a concave shape, which is used to hold the LED chip 210 suitable is.

Der LED-Chip 210 ist in der Chip-haltenden Zelle 208 des Trägerblocks 206 für die Lichtemission angeordnet. In der ersten Ausführungsform ist der LED-Chip 210 zum Beispiel ein blauer LED-Chip. Die Oberfläche des LED-Chip 210 besitzt die Elektroden 212, die eine Kathode und eine Anode umfassen, worin die Kathode mit dem ersten Leitungsanschluss 202 beziehungsweise die Anode mit dem zweiten Leitungsanschluss 204 elektrisch über die Lötdrähte 209a und 209b verbunden ist.The LED chip 210 is in the chip-holding cell 208 of the support block 206 arranged for light emission. In the first embodiment, the LED chip 210 for example, a blue LED chip. The surface of the LED chip 210 owns the electrodes 212 comprising a cathode and an anode, wherein the cathode is connected to the first conduit port 202 or the anode with the second line connection 204 electrically over the solder wires 209a and 209b connected is.

Die Umhüllung 220 wird verwendet, um einen Abschnitt der Baugruppen-Leitungsanschlüsse 200', den LED-Chip 210, das PL-Material 230 und die Lötdrähte 209a und 209b zu umhüllen. Der erste Leitungsanschluss 202 und der zweite Leitungsanschluss 204 ragen aus dem Unterteil der Umhüllung 220 heraus. Die Umhüllung 220 umfasst eine innere Umhüllung 222 und eine äußere Umhüllung 224, worin die innere Umhüllung 222 den LED-Chip 210 umhüllt und die äußere Umhüllung 224 die innere Umhüllung 222 und einen Abschnitt des Trägres 200 umhüllt.The serving 220 is used to make a section of the assembly line connections 200 ' , the LED chip 210 , the PL material 230 and the solder wires 209a and 209b to envelop. The first line connection 202 and the second line connection 204 protrude from the bottom of the enclosure 220 out. The serving 220 includes an inner wrapper 222 and an outer cladding 224 wherein the inner cladding 222 the LED chip 210 wrapped and the outer cladding 224 the inner cladding 222 and a section of the carrier 200 envelops.

Man beachte, dass das PL-Material 230 in der vorliegenden Erfindung einheitlich in der inneren Umhüllung 222 verteilt ist. Das PL-Material 230 dient sowohl als eine Fluoreszenz-Schicht als auch eine Streuungs-Schicht des Standes der Technik. Das bedeutet, dass das PL-Material nicht nur durch das aus dem LED-Chip 210 emittierte Licht angeregt wird, sondern dass es ferner in der Lage ist, das Licht zu streuen. Als eine Folge werden das aus dem LED-Chip 210 emittierte Licht und das durch das angeregte PL-Material 230 gebildete Licht einheitlicher gemischt, um einen besseren Lichtmischungseffekt weiter zu erreichen. Das PL-Material 230 ist auf die Anwendung der inneren Umhüllung 222 in der ersten Ausführungsform nicht beschränkt. Das PL-Material 230 ist ferner auf andere Baugruppenanordnungen oder Beleuchtungen anwendbar, die auf dem angeregten Phosphor für die Lichterzeugung basieren. In sämtlichen dieser Anwendungen kann ein guter Lichtmischungseffekt erzielt werden.Note that the PL material 230 uniform in the inner envelope in the present invention 222 is distributed. The PL material 230 serves as both a fluorescent layer and a scattering layer of the prior art. The means that the PL material not only by the out of the LED chip 210 emitted light is excited, but that it is also able to scatter the light. As a result, that will be out of the LED chip 210 emitted light and that by the excited PL material 230 uniformly mixed light formed in order to achieve a better light mixing effect on. The PL material 230 is due to the application of the inner cladding 222 not limited in the first embodiment. The PL material 230 is also applicable to other assembly arrangements or illuminations based on the excited phosphor for light generation. In all of these applications, a good light mixing effect can be achieved.

Die 4A und 4B sind schematische Diagramme, die ein Korn des PL-Materials zeigen. In den 4A und 4B umfasst das Korn des PL-Materials 230 ein Fluoreszenz-Material 230a und ein Streuungs-Material 230b, das dem Fluoreszenz-Material 230a anhaftet, welches in dem Streuungs-Material 230b verteilt ist. Während das einfallende Licht, das von dem LED-Chip 210 emittiert wurde, das PL-Material 230 betritt, wird das Fluoreszenz-Material 230a in dem PL-Material 230 angeregt und erzeugt ein Licht mit anderer Wellenlänge. Außerdem streut das Streuungs-Material 230b das Licht auf weitere Körner des PL-Materials 230, wobei es der LED-Baugruppenanordnung ermöglicht, einen besseren Lichtmischungseffekt zu erzeugen. In der 4B gibt es eine Übergangsphase 230c, die das Fluoreszenz-Material 230a umgibt. Die Übergangsphase 230c kann unter bestimmten Bedingungen bei der Herstellung der PL-Materials 230 erzeugt werden.The 4A and 4B Fig. 10 are schematic diagrams showing a grain of the PL material. In the 4A and 4B includes the grain of the PL material 230 a fluorescent material 230a and a scattering material 230b that is the fluorescent material 230a which is in the scattering material 230b is distributed. While the incoming light coming from the LED chip 210 was emitted, the PL material 230 enters, becomes the fluorescent material 230a in the PL material 230 stimulates and generates a light with a different wavelength. In addition, the scattering material scatters 230b the light on more grains of PL material 230 wherein the LED package arrangement enables a better light mixing effect to be produced. In the 4B there is a transitional phase 230c containing the fluorescent material 230a surrounds. The transition phase 230c can under certain conditions in the production of PL material 230 be generated.

In der ersten Ausführungsform wird die Summenformel des PL-Materials 230 durch folgendes angegeben:
WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3+t+u(Al, Ga, Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+, Tb3+, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist und worin die vorgenannten Elemente enthalten sind und das PL-Material eine Mischung oder ein Sintergut ist. In der 4A, um einen besseren Lichtmischungseffekt zu erreichen, ist der größte Teilchendurchmesser des PL-Materials Dmax kleiner als 30 Mikron, der durchschnittliche Teilchendurchmesser davon ist kleiner als 10 Mikron und der Teilchendurchmesser des Fluoreszenz-Materials Di ist kleiner als 25 Mikron.In the first embodiment, the molecular formula of the PL material becomes 230 indicated by the following:
W m Mo n (Y, Ce, Tb, Gd, Sc) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12 + 2t + 3u + 3v + 3m + 3n : Ce 3+ , Tb 3+ , wherein 0 <t <5 and 0 <m, n, u, v <15 and wherein the aforementioned elements are contained and the PL material is a mixture or a sintered material , In the 4A In order to achieve a better light mixing effect, the largest particle diameter of the PL material D max is smaller than 30 microns, the average particle diameter thereof is smaller than 10 microns and the particle diameter of the fluorescent material D i is smaller than 25 microns.

Die 5A und 5B sind schematische Diagramme, die ein Korn eines alternativen PL-Materials 230 zeigen. In den 5A und 5B umfasst das Korn des PL-Materials 230 ein Fluoreszenz-Material 230a und ein Streuungs-Material 230b. Der Unterschied zwischen der 5A und der 5B besteht darin, dass das Streuungs-Material 230b des PL-Materials 230 in dem Fluoreszenz-Material 230a verteilt ist. Das alternative PL-Material 230 kann ebenfalls den gleichen Lichtmischungseffekt erzielen.The 5A and 5B are schematic diagrams showing a grain of an alternative PL material 230 demonstrate. In the 5A and 5B includes the grain of the PL material 230 a fluorescent material 230a and a scattering material 230b , The difference between the 5A and the 5B is that the scattering material 230b of the PL material 230 in the fluorescent material 230a is distributed. The alternative PL material 230 can also achieve the same light mixing effect.

Es ist dem Fachmann bekannt, dass das offenbarte PL-Material 230 nicht auf die oben genannte Baugruppenanordnung beschränkt ist. Tatsächlich ist das offenbarte PL-Material 230 ferner auf eine beliebige Baugruppenanordnung anwendbar, die auf dem Modus des angeregten Phosphors zur Lichterzeugung basiert. Um das Ziel zu erreichen, ist es erforderlich, dass die ursprüngliche Fluoreszenz-Schicht durch eine innere Umhüllung 222 und ein darin verteiltes PL-Material 230 ersetzt wird.It is known to those skilled in the art that the disclosed PL material 230 is not limited to the above assembly arrangement. In fact, the disclosed PL material is 230 further applicable to any assembly arrangement based on the mode of the excited phosphor for light generation. To achieve the goal, it is necessary that the original fluorescent layer through an inner cladding 222 and a PL material distributed therein 230 is replaced.

Die zweite AusführungsformThe second embodiment

Die 6 und 7 sind schematische Zeichnungen von weißen LED-Baugruppenanordnungen gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In der 6 ist die Struktur in der zweiten Ausführungsform zu der Struktur der ersten Ausführungsform ähnlich. Der Unterschied in der zweiten Ausführungsform besteht darin, dass der Träger 300 darin eine bedruckte Leiterplatte (PCB) 300' ist, auf der die Baugruppe angeordnet ist.The 6 and 7 FIG. 13 are schematic drawings of white LED package assemblies according to the second embodiment of the present invention. FIG. In the 6 For example, the structure in the second embodiment is similar to the structure of the first embodiment. The difference in the second embodiment is that the carrier 300 inside a printed circuit board (PCB) 300 ' is, on which the assembly is arranged.

Die LED-Baugruppenanordnung in der zweiten Ausführungsform umfasst hauptsächlich ein PCB 300', einen LED-Chip 310, eine Umhüllung 320 und ein PL-Material 330. Die Umhüllung 320 umfasst ähnlich eine innere Umhüllung 322 und eine äußere Umhüllung 324, worin die innere Umhüllung 322 den LED-Chip 310 umhüllt und die äußere Umhüllung 324 einen Abschnitt des PCB 300', den LED-Chip 310, die innere Umhüllung 322, das PL-Material 330 und die Lötdrähte 314 umhüllt. Wenn die Umhüllung 320 nur eine äußere Umhüllung 324 ohne die innere Umhüllung 322 umfasst, dann kann die äußere Umhüllung 324 nur das PL-Material 330 umfassen.The LED package assembly in the second embodiment mainly includes a PCB 300 ' , an LED chip 310 , a serving 320 and a PL material 330 , The serving 320 similarly includes an inner wrapper 322 and an outer cladding 324 wherein the inner cladding 322 the LED chip 310 wrapped and the outer cladding 324 a section of the PCB 300 ' , the LED chip 310 , the inner cladding 322 , the PL material 330 and the solder wires 314 envelops. If the serving 320 only an outer cover 324 without the inner cladding 322 covers, then the outer covering 324 only the PL material 330 include.

Der LED-Chip 310 ist auf dem PCB 300' angeordnet. Die Leitungsanschlüsse 302 und Elektroden 312 sind auf dem PCB 300' beziehungsweise dem LED-Chip 310 angeordnet. Die Elektroden 312 sind mit den Leitungsanschlüssen 302 auf dem PCB 300' über zwei Lötdrähte 314 verbunden, so dass das PCB 300' mit dem LED-Chip 310 elektrisch verbunden ist.The LED chip 310 is on the PCB 300 ' arranged. The pipe connections 302 and electrodes 312 are on the PCB 300 ' or the LED chip 310 arranged. The electrodes 312 are with the wire connections 302 on the PCB 300 ' over two solder wires 314 connected so that the PCB 300 ' with the LED chip 310 electrically connected.

Die innere Umhüllung 322 ist auf dem PCB 300' angeordnet und bedeckt den zuvor genannten LED-Chip 310. Das PL-Material 330 ist in der inneren Umhüllung 322 einheitlich verteilt und umfasst ein Fluoreszenz-Material und ein Streuungs-Material, das dem Fluoreszenz-Material anhaftet. Wenn das einfallende Licht aus dem LED-Chip 310 das PL-Material 330 betritt, dann wird das Fluoreszenz-Material darin angeregt und erzeugt ein Licht mit einer verschiedenen Wellenlänge. Das Streuungs-Material streut das Licht auf weitere Teilchen des PL-Materials, um einen besseren Lichtmischungseffekt zu erzeugen. In der zweiten Ausführungsform kann die Summenformel des PL-Materials 330 durch folgendes angegeben werden:
WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, SC)3+t+u(Al, Ga, Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+,Tb3+, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist und worin die vorgenannten Elemente enthalten sind und das PL-Material eine Mischung oder ein Sintergut ist. Um einen besseren Lichtmischungseffekt zu erzielen, ist der größte Teilchendurchmesser des PL-Materials 330 Dmax gleichermaßen kleiner als 30 Mikron, der durchschnittliche Teilchendurchmesser davon ist kleiner als 10 Mikron und der Teilchendurchmesser des Fluoreszenz-Materials Di ist kleiner als 25 Mikron.The inner cladding 322 is on the PCB 300 ' arranged and covers the aforementioned LED chip 310 , The PL material 330 is in the inner cladding 322 uniformly distributed and includes a fluorescent material and a scattering material that adheres to the fluorescent material. When the incident light from the LED chip 310 the PL material 330 enters, then the fluorescence material is excited therein and produces a light with a different wavelength. The scattering material scatters the light onto other particles of the PL material to produce a better light mixing effect. In the second embodiment, the molecular formula of the PL material 330 be specified by the following:
W m Mo n (Y, Ce, Tb, Gd, SC) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12 + 2t + 3u + 3v + 3m + 3n : Ce 3+ , Tb 3+ , wherein 0 <t <5 and 0 <m, n, u, v <15 and wherein the aforementioned elements are contained and the PL material is a mixture or a sintered material , To achieve a better light mixing effect, the largest particle diameter of the PL material 330 D max is equally less than 30 microns, the average particle diameter thereof is less than 10 microns, and the particle diameter of the fluorescent material D i is less than 25 microns.

In der 7, um den Lichtverdichtungseffekt der LED-Baugruppenanordnung zu verbessern, ist eine Chip-haltende Zelle 304 in dem PCB 300' angeordnet. Die Chip-haltende Zelle 304 besitzt die Gestalt einer konkaven Kappe, die zum Halten des LED-Chip 310 geeignet ist. Außerdem kann eine Reflexions-Filmschicht auf die Seitenwand der Chip-haltenden Zelle 304 als eine Option zur Steigerung des Lichtreflexionseffekts plattiert werden.In the 7 In order to improve the light condensing effect of the LED package assembly is a chip-holding cell 304 in the PCB 300 ' arranged. The chip-holding cell 304 has the shape of a concave cap, which is used to hold the LED chip 310 suitable is. In addition, a reflective film layer may be applied to the sidewall of the chip-holding cell 304 as an option to increase the light reflection effect.

Die dritte AusführungsformThe third embodiment

In der ersten und zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird das PL-Material in der LED-Baugruppenanordnung verwendet. Zusätzlich kann das PL-Material ferner in allgemeinen Kaltkathoden-Fluoreszenzlampen verwendet werden, um einen besseren Lichtmischungseffekt zu erzielen.In the first and second embodiments of the present invention, the PL material is used in the LED package assembly. In addition, the PL material can be further used in general cold cathode fluorescent lamps to obtain a better light mixing effect.

Die 8 ist eine schematische Zeichnung einer Kaltkathoden-Fluoreszenzlampe gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In der 8 umfasst die Kaltkathoden-Fluoreszenzlampe 400 eine Lichtröhre 410, ein Entladungsgas (in der Fig. Nicht gezeigt), ein PL-Material 420 und einen Elektrodensatz 430, worin die Lichtröhre 410 mit dem Entladungsgas, wie Quecksilberdampf und Inertgas, passend gefüllt ist. Das PL-Material 420 ist auf die Innenwand der Lichtröhre 410 aufgetragen.The 8th Fig. 12 is a schematic drawing of a cold cathode fluorescent lamp according to the third embodiment of the present invention. In the 8th includes the cold cathode fluorescent lamp 400 a light tube 410 , a discharge gas (not shown in the figure), a PL material 420 and an electrode set 430 in which the light tube 410 is properly filled with the discharge gas such as mercury vapor and inert gas. The PL material 420 is on the inner wall of the light pipe 410 applied.

Zusätzlich umfasst der Elektrodensatz 430 sowohl eine Anode als auch eine Kathode, die jeweils individuell an zwei Enden der Lichtröhre 410 angeordnet sind. Der Elektrodensatz 430 ist mit einer Stromquelle (in der Fig. Nicht gezeigt) elektrisch verbunden.In addition, the electrode set includes 430 both an anode and a cathode, each individually at two ends of the light pipe 410 are arranged. The electrode set 430 is electrically connected to a power source (not shown in the figure).

Wenn eine Vorspannung auf den Elektrodensatz 430 angelegt wird, dann wird das Entladungsgas, wie der Quecksilberdampf und das Inertgas, in der Lichtröhre zu einem angeregten Zustand angeregt und kehrt dann in einen stationären Zustand zurück. Während das Entladungsgas in den stationären Zustand zurückkehrt, gibt das Gas durch Emission eines ultravioletten Lichts Energie ab. Bei dem zuvor genannten Mechanismus, wenn das von dem Entladungsgas abgegebene ultraviolette Licht das PL-Material 420 an der Wand der Lichtröhre 410 erreicht, emittiert das PL-Material, welches das Fluoreszenz-Material und das dem Fluoreszenz-Material anhaftende Streuungs-Material umfasst, ein sichtbares Licht, um den Beleuchtungseffekt zu erzielen. Während dessen streut das dem Fluoreszenz-Material anhaftende Streuungs-Material das Licht, um einen besseren Lichtmischungseffekt zu erzeugen. Die Beschränkungen der Summenformel des PL-Materials und der Teilchengröße sind die gleichen wie in der ersten und zweiten Ausführungsform beschrieben sind, so dass sie nicht wiederholt werden.If a bias on the electrode set 430 is applied, then the discharge gas, such as the mercury vapor and the inert gas is excited in the light tube to an excited state and then returns to a steady state. As the discharge gas returns to the steady state, the gas releases energy by emitting ultraviolet light. In the aforementioned mechanism, when the ultraviolet light emitted from the discharge gas is the PL material 420 on the wall of the light tube 410 reaches, the PL material, which comprises the fluorescent material and the fluorescent material adhering scattering material, a visible light to achieve the lighting effect. Meanwhile, the scattering material adhered to the fluorescent material scatters the light to produce a better light mixing effect. The limitations of the molecular formula of the PL material and the particle size are the same as described in the first and second embodiments, so that they are not repeated.

Zusammenfassend wird in der LED-Baugruppenanordnung der vorliegenden Erfindung das zuvor genannte PL-Material dazu verwendet, um die Fluoreszenz-Schicht und die Streuungs-Schicht des Standes der Technik zu ersetzen. Die Summenformel des PL-Materials 330 wird durch folgendes angegeben:
WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3+t+u(Al, Ga, Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+, Tb3+, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist und worin die vorgenannten Elemente enthalten sind und das PL-Material eine Mischung oder ein Sintergut ist. Das PL-Material wird nicht nur durch das von dem zuvor genannten LED-Chip emittierte Licht angeregt, sondern streut ferner das Licht. Somit werden das aus dem LED-Chip emittierte Licht und das durch das PL-Material angeregte Licht einheitlicher gemischt, um einen besseren Lichtmischungseffekt zu erzielen.In summary, in the LED package assembly of the present invention, the aforementioned PL material is used to replace the fluorescent layer and the scattering layer of the prior art. The sum formula of the PL material 330 is indicated by the following:
W m Mo n (Y, Ce, Tb, Gd, Sc) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12 + 2t + 3u + 3v + 3m + 3n : Ce 3+ , Tb 3+ , wherein 0 <t <5 and 0 <m, n, u, v <15 and wherein the aforementioned elements are contained and the PL material is a mixture or a sintered material , The PL material is not only excited by the light emitted from the aforementioned LED chip, but also scatters the light. Thus, the light emitted from the LED chip and the light excited by the PL material are mixed more uniformly to obtain a better light mixing effect.

Es wird dem Fachmann ersichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Veränderungen an der Struktur der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang oder dem Geist der Erfindung abzuweichen. Mit Blick auf das Vorangegangene ist es beabsichtigt, dass die Spezifikation und die Beschreibungen ausschließlich als beispielhaft betrachtet werden, während der wahre Schutzumfang und Geist der Erfindung durch die folgenden Ansprüche und ihre Äquivalente angegeben werden.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and changes may be made to the structure of the present invention without departing from the scope or spirit of the invention. In view of the foregoing, it is intended that the specification and descriptions be considered as exemplary only, while the true scope and spirit of the invention will be indicated by the following claims and their equivalents.

Claims (10)

Eine lichtemittierende Dioden-(LED)-Baugruppenanordnung, die folgendes umfasst: einen Träger; einen LED-Chip, der auf dem Träger angeordnet und zum Emittieren von Licht geeignet ist; eine Umhüllung zum Umhüllen des LED-Chips auf dem Träger, und ein photolumineszentes Material, das in der Umhüllung verteilt ist, worin das photolumineszente Material derart ausgestaltet ist, dass es durch das von dem LED-Chip emittierte Licht angeregt wird und dass es das Licht streut, und das photolumineszente Material die Summenformel WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3+t+u(Al, Ga, Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+, Tb3+ hat, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist, und die vorgenannten Elemente enthält und eine Mischung oder ein Sintergut ist.A light emitting diode (LED) assembly assembly comprising: a support; an LED chip disposed on the carrier and adapted to emit light; a cladding for wrapping the LED chip on the carrier, and a photoluminescent material dispersed in the cladding, wherein the photoluminescent Material is designed such that it is excited by the light emitted by the LED chip and that it scatters the light, and the photoluminescent material, the empirical formula W m Mo n (Y, Ce, Tb, Gd, Sc) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12 + 2t + 3u + 3v + 3m + 3n : Ce 3+ , Tb 3+ , where 0 <t < 5 and 0 <m, n, u, v <15, and contains the aforementioned elements and is a mixture or a sintered material. Die LED-Baugruppenanordnung gemäß Anspruch 1, worin der Träger eine bedruckte Leiterplatte (PCB) ist und der LED-Chip mit dem PCB elektrisch verbunden ist.The LED package assembly of claim 1, wherein the carrier is a printed circuit board (PCB) and the LED chip is electrically connected to the PCB. Die LED-Baugruppenanordnung gemäß Anspruch 2, worin eine Chip-haltende Zelle auf dem PCB vorhanden ist, die zum Halten des LED-Chip geeignet ist.The LED package assembly of claim 2, wherein a chip-holding cell is provided on the PCB suitable for holding the LED chip. Die LED-Baugruppenanordnung gemäß Anspruch 1, worin der Träger ein Baugruppenrahmen ist, der mit dem LED-Chip elektrisch verbunden ist.The LED package assembly of claim 1, wherein the carrier is a package frame electrically connected to the LED chip. Die LED-Baugruppenanordnung gemäß Anspruch 4, die ferner zwei Lötdrähte umfasst, die zwischen dem LED-Chip und dem Baugruppenrahmen elektrisch angeschlossen sind.The LED package assembly of claim 4, further comprising two solder wires electrically connected between the LED chip and the package frame. Die LED-Baugruppenanordnung gemäß Anspruch 1, worin der LED-Chip blaues Licht emittiert.The LED package assembly of claim 1, wherein the LED chip emits blue light. Die LED-Baugruppenanordnung gemäß Anspruch 1, worin die Umhüllung folgendes umfasst: eine innere Umhüllung zum Umhüllen des LED-Chip, worin das photolumineszente Material verteilt ist; und eine äußere Umhüllung zum Umhüllen der inneren Umhüllung und eines Teils des Trägers.The LED package assembly of claim 1, wherein the enclosure comprises: an inner cladding for encasing the LED chip, wherein the photoluminescent material is dispersed; and an outer wrapper for wrapping the inner wrapper and a portion of the carrier. Die LED-Baugruppenanordnung gemäß Anspruch 1, worin der größte Teilchendurchmesser des photolumineszenten Materials kleiner als 30 μm ist und der durchschnittliche Teilchendurchmesser davon kleiner als 10 μm ist.The LED package assembly according to claim 1, wherein the largest particle diameter of the photoluminescent material is smaller than 30 μm and the average particle diameter thereof is smaller than 10 μm. Eine Kaltkathoden-Fluoreszenzlampe, die folgendes umfasst: eine Lichtröhre; ein Entladungsgas, das in die Lichtröhre gefüllt ist; ein photolumineszentes Material, das auf die Innenwand der Lichtröhre aufgetragen ist und das die Summenformel WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3+t+u(Al, Ga, Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+, Tb3+ hat, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist; und die vorgenannten Elemente enthält und eine Mischung oder ein Sintergut ist, und einen Elektrodensatz, der eine Anode und eine Kathode umfasst, wobei die Anode an einem Ende der Lichtröhre und die Kathode an dem anderen Ende angeordnet ist.A cold cathode fluorescent lamp comprising: a light pipe; a discharge gas filled in the light pipe; a photoluminescent material which is applied to the inner wall of the light pipe and has the empirical formula W m Mo n (Y, Ce, Tb, Gd, Sc) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12 + 2t + 3u + 3v + 3m + 3n : Ce 3+ , Tb 3+ , wherein 0 <t <5 and 0 <m, n, u, v <15; and the aforementioned elements and is a mixture or a sintered material, and an electrode set comprising an anode and a cathode, wherein the anode is disposed at one end of the light tube and the cathode at the other end. Ein photolumineszentes Material der Summenformel WmMon(Y, Ce, Tb, Gd, Sc)3+t+u(Al, Ga‚ Tl, In, B)5+u+2v(O, S, Se)12+2t+3u+3v+3m+3n:Ce3+, Tb3+, worin 0 < t < 5 und 0 < m, n, u, v < 15 ist, das die vorgenannten Elemente enthält und eine Mischung oder ein Sintergut ist.A photoluminescent material of the molecular formula W m Mo n (Y, Ce, Tb, Gd, Sc) 3 + t + u (Al, Ga, Tl, In, B) 5 + u + 2v (O, S, Se) 12+ 2t + 3u + 3v + 3m + 3n : Ce 3+ , Tb 3+ , wherein 0 <t <5 and 0 <m, n, u, v <15, which contains the aforementioned elements and is a mixture or a sintered material ,
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