DE102005008056A1

DE102005008056A1 - Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips

Info

Publication number: DE102005008056A1
Application number: DE102005008056A
Authority: DE
Inventors: Ralph Dr. Wirth
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2004-12-30
Filing date: 2005-02-22
Publication date: 2006-07-13

Abstract

Es wird ein Halbleiterchip beschrieben, der geeignet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung durch eine Vorderseite zu emittieren, und folgende Merkmale umfasst: DOLLAR A - eine Halbleiterschichtenfolge (2), die mindestens eine aktive Schicht (9) umfasst, die vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, DOLLAR A - eine TCO-Kontaktschicht (3) mit einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO) zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Vorderseite und DOLLAR A - eine Helligkeitseinstellschicht (4) zwischen der aktiven Schicht (9) und der Vorderseite des Halbleiterchips, die vorgesehen ist, einen definierten Teil der von der aktiven Schicht (9) erzeugten elektromagnetischen Strahlung gezielt zu absorbieren. DOLLAR A Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips offenbart.

Description

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterchip, der vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips.

Die Halbleiterschichten von Halbleiterchips, beispielsweise die strahlungserzeugenden Schichtstrukturen von strahlungsemittierenden Halbleiterchips, können durch eine Vielzahl von unterschiedlichen Epitaxie-Verfahren, wie beispielsweise metallorganische Dampfphasenepitaxie (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, kurz MOVPE), Molekularstrahlepitaxie (Molecular Beam Epitaxy, kurz MBE) und Flüssigphasenepitaxie (Liquid Phase Epitaxy, kurz LPE) definiert hergestellt werden. Alternativ oder ergänzend können solche Schichtstrukturen zumindest teilweise durch Eindiffundieren von Dotierstoffen definiert verändert werden.

Sowohl Epitaxieprozesse als auch Dotierprozesse unterliegen jedoch gewissen Schwankungen. Bei lichtemittierenden Halbleiterchips führen Fertigungsschwankungen häufig zu Schwankungen der im Betrieb erzeugten Helligkeit von nominal gleichartigen Halbleiterchips. Sowohl die in unterschiedlichen Epitaxieprozessläufen hergestellten Wafer, als auch die gleichzeitig in einem Prozesslauf hergestellten verschiedenen Wafer unterliegen Fertigungsschwankungen, wobei die Schwankungen der innerhalb eines Prozesslaufes hergestellten Wafer in der Regel geringer sind.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Halbleiterchip anzugeben, dessen Strahlungsemission während dessen Herstellung auf einen vorgegebenen Helligkeitsbereich einstellbar ist. Eine weitere Aufgabe ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips anzugeben.

Diese Aufgaben werden durch einen Halbleiterchip mit den Merkmalen des Anspruches 1 und durch ein Verfahren mit den Schritten des Anspruches 23 gelöst.

Vorteilhafte Weiterbildungen des Halbleiterchips bzw. des Verfahrens sind in den jeweils untergeordneten Ansprüchen angegeben.

Der Offenbarungsgehalt der Ansprüche wird hiermit ausdrücklich in die Beschreibung aufgenommen.

Ein Halbleiterchip mit einer Vorderseite und einer Rückseite gemäß der Erfindung, der geeignet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlungen durch die Vorderseite zu emittieren, umfasst insbesondere:

– eine Halbleiterschichtenfolge, die mindestens eine aktive Schicht umfasst, die vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen,
– eine TCO-Kontaktschicht mit einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO) zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Vorderseite, und
– eine Helligkeitseinstellschicht zwischen der aktiven Schicht und der Vorderseite, die geeignet ist, einen definierten Teil der von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung gezielt zu absorbieren.

Transparente leitfähige Oxide (Englisch: Transparent Conductive Oxide TCO) sind beispielsweise Zink- und Zinnoxide, wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) und ZnO. Die TCO-Kontaktschicht dient insbesondere dazu, den Stromfluss im Betrieb des Halbleiterchips möglichst gleichmäßig verteilt in die Halbleiterschichtenfolge zu leiten. Die TCO-Kontaktschicht kann weiterhin Dotierstoffe, wie beispielsweise Al umfassen.

Bei dem Halbleiterchip kann vorteilhafterweise nach der epitaktischen Herstellung der Halbleiterschichtenfolge die Strahlungsemission der Halbleiterschichtenfolge getestet und die Abweichung der tatsächlichen im Betrieb erzeugten Helligkeit von einem vorgegebenen Soll-Wert ermittelt werden. In einem weiteren Schritt wird eine Helligkeitseinstellschicht auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht, die beim Betrieb des späteren Chips gezielt einen Teil der emittierten Strahlung absorbiert und so die Helligkeit des Halbleiterchips an den vorgegebenen Soll-Wert anpasst. Es kann beispielsweise die Helligkeit von Testwafern aus verschiedenen Prozessläufen oder aus gleichen Prozessläufen exemplarisch gemessen und die Helligkeit der späteren Halbleiterchips durch eine entsprechende Helligkeitseinstellschicht angepasst werden. In der Regel wird die Dicke der Helligkeitseinstellschicht variiert, um den von ihr absorbierten Anteil an der von der Halbleiterschichtenfolge emittierten Strahlung zu verändern.

Der erfindungsgemäße Halbleiterchip bietet daher den Vorteil, dass die epitaktischen Prozesse zur Herstellung seiner Halbleiterschichtenfolge nicht verändert werden müssen, um die Helligkeit der Halbleiterchips zu regulieren. Da es in der Regel schwierig ist, epitaktische Prozesse robust einzustellen, bietet die Erfindung wesentliche Zeit- und Kostenersparnis bei der Herstellung von Halbleiterchips.

Bevorzugt werden Halbleiterschichtfolgen hergestellt, die im Betrieb eine möglichst große Helligkeit ermöglichen und die Helligkeit der Chips nachfolgend mit Hilfe der Helligkeitseinstellschicht so angepasst, dass diese innerhalb eines vorgegebenen Bereiches liegt.

Durch Variation der Dicke der Helligkeitseinstellschicht kann der Anteil der absorbierten Strahlung je nach Absorptionskoeffizient des verwendeten Materials geändert werden. So wird beispielsweise auf Wafer eines ersten Prozesslaufes, die eine höhere Helligkeit aufweisen als Wafer eines zweiten Prozesslaufes, eine dickere Helligkeitseinstellschicht aufgebracht als auf die Wafer des zweiten Prozesslaufes. Es ist jedoch auch denkbar, dass auf die Wafer des ersten Prozesslaufes eine Helligkeitseinstellschicht mit einem stärker absorbierenden Material aufgebracht wird als auf die Wafer des zweiten Prozesslaufes. Umfasst die Helligkeitseinstellschicht auf den Wafern des ersten Prozesslaufes ein Material mit einem höheren Absorptionskoeffizienten als die Helligkeitseinstellschicht auf den Wafern des zweiten Prozesslaufes, ist es möglich, dass die Dicke der Helligkeitseinstellschicht auf den Wafern des ersten Prozesslaufes dünner ist als auf den Wafern des zweiten Prozesslaufes.

Bevorzugt umfasst die Helligkeitseinstellschicht ein Metall. Metalle sind gut geeignet, definiert als semi-transparente Schichten auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht zu werden, die einen definierten Anteil der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten Strahlung absorbieren und den übrigen Teil transmittieren. Metallische Schichten können beispielsweise durch Sputtern oder Aufdampfen auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht werden.

In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Helligkeitseinstellschicht zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der TCO-Kontaktschicht angeordnet. Diese Ausführungsform bietet den Vorteil, dass die Kombination zwischen metallischer Helligkeitseinstellschicht und TCO-Kontaktschicht eine im wesentlichen homogene Stromeinprägung in den Chip ermöglicht und die Verteilung der Stromdichte im Chip durch die Helligkeitseinstellschicht nicht beeinflusst wird.

Befindet sich die Helligkeitseinstellschicht zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der TCO-Kontaktschicht, umfasst die Helligkeitseinstellschicht bevorzugt ein Material, das einen elektrischen Kontakt mit im wesentlichen ohmscher Charakteristik sowohl zur TCO-Kontaktschicht als auch zur Halbleiterschichtenfolge herstellt. Abhängig von dem Halbleitermaterial der Halbleiterschichtenfolge wird bevorzugt mindestens ein Material aus der Gruppe bestehend aus Al, Au, Zn und Ge für die Helligkeitseinstellschicht verwendet.

Handelt sich es bei dem Teil der Halbleiterschichtenfolge, die an die Helligkeitseinstellschicht angrenzt, um ein Material, das auf p-dotiertem GaAs basiert, ist beispielsweise Al oder Au als Material für die Helligkeitseinstellschicht geeignet, wohingegen bei einer Helligkeitseinstellschicht auf einer Halbleiterschichtenfolge, deren angrenzender Bereich auf pdotiertem AlGaAs oder InGaAlP basiert, eine Legierung aus Au und Zn mit den Anteilen 97 (Au) und 3 (Zn) bevorzugt verwendet wird. Eine Helligkeitseinstellschicht auf einer Halbleiterschichtenfolge, deren angrenzender Bereich auf ndotiertem AlGaInP basiert, umfasst bevorzugt eine Legierung aus Au und Ge, beispielsweise in den Verhältnissen 99:1 (Au:Ge) oder 88:12 (Au:Ge).

Die Dicke der Helligkeitseinstellschicht hängt im Einzelnen von dem Absorptionskoeffizienten des jeweiligen Materials der Helligkeitseinstellschicht ab. Bevorzugt weist die Helligkeitseinstellschicht jedoch eine Dicke zwischen 1 nm und 50 nm auf.

Bei einer weiteren Ausführungsform des Halbleiterchips ist die Helligkeitseinstellschicht auf der TCO-Kontaktschicht angeordnet. Diese Ausführungsform bietet den Vorteil, dass die Helligkeitseinstellschicht keinen elektrischen Kontakt mit im wesentlichen ohmscher Charakteristik zu der TCO-Kontaktschicht bzw. der Halbleiterschichtenfolge herstellen muss. Daher kann die Helligkeitseinstellschicht beispielsweise auch ein Material umfassen, das schlecht oder gar nicht elektrisch leitfähig ist, wie Si oder SiN_x. Bevorzugt umfasst die Helligkeitseinstellschicht bei dieser Ausführungsform ein Material aus der Gruppe Au, Ag, Al, Ti, TiW(N), Pt, Si oder SiN_x. Diese Materialien bieten in der Regel den Vorteil, dass sie eine gute Haftung auf der darunter liegenden TCO-Kontaktschicht aufweisen.

Bei einer weiteren Ausführungsform umfasst der Halbleiterchip auf der Helligkeitseinstellschicht eine weitere Schicht mit TCO. Insbesondere, wenn die Helligkeitseinstellschicht nachfolgend auf die TCO-Kontaktschicht aufgebracht ist, bietet dies den Vorteil, dass auf TCO in der Regel typische Chipvergussmaterialien wie Epoxymaterialien oder Silikone gute Haftungseigenschaften aufweisen. Weiterhin ist TCO vorteilhafterweise durchlässig für die von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung.

Weiterhin kann auf der Helligkeitseinstellschicht eine haftvermittelnde Schicht angeordnet sein, die vorgesehen ist, die Haftung zu einem nachfolgend angeordneten Vergussmaterial zu verbessern. Eine solche Schicht umfasst bevorzugt ein Material, das für die von Halbleiterchip emittierte Strahlung sehr gut durchlässig ist, wie z.B. SiN_x.

Bei einer weiteren Ausführungsform umfasst der Halbleiterchip auf der Helligkeitseinstellschicht mindestens einen elektrischen Anschlussbereich, der vorgesehen ist, den Halbleiterchip elektrisch zu kontaktieren. Die Helligkeitseinstellschicht kann beispielsweise ganzflächig unter dem Anschlussbereich ausgebildet sein.

Befindet sich ein elektrischer Anschlussbereich, wie beispielsweise ein Bondpad, auf der Helligkeitseinstellschicht, sind bevorzugt Maßnahmen vorgesehen, die die Strominjektion in Bereiche der Halbleiterschichtenfolge unterhalb des Anschlussbereiches einschränken oder verhindern. Ansonsten erfolgt der Stromfluss zu einem Großteil durch Bereiche der Halbleiterschichtenfolge, die unter dem Anschlussbereich liegen. Dies führt dann zu einer erhöhten Strahlungserzeugung in Bereichen der aktiven Schichtenfolge, die unter dem Anschlussbereich liegen und zu einer geringeren Strahlungserzeugung in Bereichen der aktiven Schichtenfolge seitlich des Anschlussbereiches. Strahlung, die unterhalb des Anschlussbereiches erzeugt wird, wird aber zu einem wesentlichen Teil vom Anschlussbereich absorbiert und geht verloren. Daher wird die tatsächlich vom Halbleiterchip ausgesandte Strahlung größtenteils in Bereichen der aktiven Schicht erzeugt, die sich seitlich des Anschlussbereiches befinden. Somit erlauben Maßnahmen, die eine Strominjektion unterhalb des Anschlussbereiches verhindern, den strahlungsemittierenden Halbleiterchip vorteilhafterweise mit geringerem elektrischen Strom zu betreiben, um die gewünschte Helligkeit zu erreichen, als einen Halbleiterchip ohne solche Maßnahmen.

Da der Halbleiterchip in der Regel durch den Anschlussbereich gar keine oder nur sehr wenig Strahlung emittiert, ist die Helligkeitseinstellschicht bevorzugt nur seitlich des Anschlussbereiches ausgebildet. Befindet sich die Helligkeitseinstellschicht über der TCO-Kontaktschicht, kann insbesondere ein elektrisch isolierendes oder schlecht leitfähiges Material für die Helligkeitseinstellschicht verwendet werden.

Maßnahmen, die bevorzugt eingesetzt werden, um eine Strominjektion in Bereiche unterhalb des Anschlussbereiches zu verhindern, sind:

– Eine elektrisch isolierende Schicht, die zumindest teilweise zwischen dem Anschlussbereich und der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet ist.
– Eine metallische Schicht zwischen Anschlussbereich und Halbleiterschichtenfolge, die einen elektrischen Kontakt mit im Wesentlichen Schottky-Charakteristik (Schottky-Barriere) zwischen Anschlussbereich und Halbleiterschichtenfolge erzeugt, die bei Betrieb des Halbleiterchips sperrend in Richtung der Halbleiterschichtenfolge wirkt.
– Ionen-implantierte Bereiche in der Halbleiterschichtenfolge unterhalb des Anschlussbereiches, bevorzugt Protonen-implantierte Bereiche. Anstelle von Protonen ist es auch denkbar, Sauerstoff oder Helium zu implantieren.

Es können auch mehrere Maßnahmen bei dem Halbleiterchip vorgesehen werden, um die Strominjektion auf Bereiche der Halbleiterschichtenfolge zu beschränken, die seitlich des Anschlussbereiches angeordnet sind. So kann die Halbleiterschichtenfolge beispielsweise Ionen-implantierte Bereiche aufweisen und eine Schottky-Barriere zwischen Anschlussbereich und Halbleiterschichtenfolge angeordnet sein.

Wird die Strominjektion vom Anschlussbereich in die Halbleiterschichtenfolge in Bereiche unterhalb des Anschlussbereiches eingeschränkt oder verhindert, findet die Strominjektion über die Anschlussstelle seitlich über die TCO-Kontaktschicht statt.

Die oben beschriebenen Maßnahmen zur Verhinderung der Strominjektion in Bereiche der Halbleiterschichtenfolge, die unterhalb des Anschlussbereiches liegen, können auch eingesetzt werden, um den Stromfluss anderweitig zu steuern, wenn sie innerhalb des Halbleiterchips anders angeordnet werden. Werden sie beispielsweise seitlich des Anschlussbereiches angeordnet, verhindern sie die Strominjektion in die seitlich des Anschlussbereiches angeordneten Bereiche der Halbleiterschichtenfolge und verringern so gezielt die von dem Halbleiterchip erzeugte Helligkeit. Sie können daher, in anderen geometrischen Anordnungen, zusammen mit der Helligkeitseinstellschicht eingesetzt werden, um die Helligkeit der Halbleiterchip gezielt zu verringern.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist mindestens die TCO-Kontaktschicht oder die Helligkeitseinstellschicht des Halbleiterchips derart ausgebildet, dass diese den Anschlussbereich zumindest teilweise überlappen. Hierdurch kann der elektrische Kontakt zwischen Anschlussbereich und TCO-Kontaktschicht verbessert werden.

In einer zweckmäßigen Ausgestaltung weist das Aufwachssubstrat ein Material auf, das die vom Halbleiterchip im Betrieb ausgesandte Strahlung absorbiert. Außerdem wird die Halbleiterschichtenfolge insgesamt bevorzugt möglichst dünn gehalten. Insbesondere wird auf eine in der Regel dicke Strahlungsauskoppelschicht innerhalb der Halbleiterschichtenfolge bevorzugt verzichtet, die üblicherweise zur Erhöhung der Strahlungsauskopplung über die den Halbleiterchip seitlich begrenzenden Flanken verwendet wird. Diese Maßnahmen führen dazu, dass vorteilhafterweise der Anteil der seitlich emittierten Strahlung möglichst gering gehalten wird. So kann verhindert werden, dass über die Chipflanken Strahlung austreten kann, die nicht durch die Helligkeitseinstellschicht gezielt beeinflusst wird.

Es sei darauf hingewiesen, dass sich "Helligkeit" vorliegend nicht ausschließlich auf sichtbares Licht emittierende Halbleiterschichtenfolgen bezieht, sondern auch auf Halbleiterchips mit Halbleiterschichtenfolgen, die IR-Strahlung und/oder UV-Strahlung aussenden. Folglich ist die Erfindung nicht auf sichtbares Licht emittierende Halbleiterchips eingeschränkt, sondern bezieht sich auch auf IR-emittierende Halbleiterchips sowie auf UV-emittierende Halbleiterchips.

Bevorzugt basieren die Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise auf III/V-Verbindungshalbleitermaterialien, wie beispielsweise auf Nitrid-, Phosphid- oder Arsenid-Verbindungshalbleitermaterialien.

„Auf Nitrid-Verbindungshalbleitermaterialien basierend" bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon ein Nitrid-III/V-Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise Al_nGa_mIn_1-n-mN umfasst, wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften eines des Al_nGa_mIn_1-n-mN-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.

„Auf Phosphid-Verbindungshalbleitermaterialien basierend" bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon ein Phosphid-III/V-Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise Al_nGa_mIn_1-n-mp umfasst, wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften eines des Al_nGa_mIn_1-n-mp-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, P), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.

„Auf Arsenid-Verbindungshalbleitermaterialien basierend" bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon ein Arsenid-III/V-Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise Al_nGa_mIn_1-n-mAs umfasst, wobei 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften eines des Al_nGa_mIn_1-n-mAs-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, As), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform handelt es sich bei der Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterchips um epiktaktische Schichten, die auf einem der Materialsysteme AlGaInP oder AlGaAs basieren. Solche Halbleiterschichtenfolgen werden in der Regel auf Aufwachssubstraten epitaktisch gewachsen, die GaAs oder Ge umfassen.

Die Halbleiterschichtenfolge kann beispielsweise einen herkömmlichen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopfstruktur (SQW-Struktur) oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW-Strukur) aufweisen. Solche Strukturen sind dem Fachmann bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht näher erläutert.

Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass die Helligkeitseinstellschicht im Rahmen der Erfindung nicht nur eine Schicht umfasst, sondern es auch denkbar ist, dass die Helligkeitseinstellschicht eine Schichtenabfolge verschiedener Schichten aufweist. Aus prozesstechnischen Gründen ist es jedoch in der Regel vorteilhaft, nur eine einzige Schicht als Helligkeitseinstellschicht einzusetzen.

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips, der geeignet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung durch eine Vorderseite zu emittieren, umfasst bevorzugt die folgenden Schritte:

– Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge, die mindestens eine aktive Schicht umfasst, die vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen,
– Anordnen einer TCO-Kontaktschicht mit einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO) zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Vorderseite, und
– Anordnen einer Helligkeitseinstellschicht zwischen der aktiven Schicht und der Vorderseite des Halbleiterchips, die vorgesehen ist, einen definierten Teil der von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung gezielt zu absorbieren.

Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1A bis 1C, 2A bis 2E und 3 bis 8 näher erläuterten Ausführungsbeispielen.

Es zeigen:
1A bis 1C, schematische Schnittansichten verschiedener Ausführungsbeispiele für eine TCO-Kontaktschicht und eine Helligkeitseinstellschicht,
2A bis 2D, ein Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Verfahren anhand schematischer Schnittansichten von Halbleiterchips in verschiedenen Verfahrensstadien, und
2E und 3 bis 8, schematische Schnittansichten verschiedener Ausführungsbeispiele von Halbleiterchips.
In den verschiedenen Ausführungsbeispielen sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Schichtdicken sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Sie können vielmehr zum besseren Verständnis übertrieben dick und nicht mit den tatsächlichen Dickenverhältnissen zueinander dargestellt sein.
Die in den 1A bis 1C gezeigten verschiedene Ausführungsbeispiele einer Kontaktschichtenfolge 1 auf einer Halbleiterschichtenfolge 2 umfasst jeweils mindestens eine elektrisch leitfähigen TCO-Kontaktschicht 3, die beispielsweise ITO oder ZnO dotiert mit 2% Al aufweist, und eine Helligkeitseinstellschicht 4. Die Kontaktschichtenfolge 1 kann, wie beispielsweise anhand der 1C gezeigt, auch weitere Schichten beinhalten.
Bei dem Ausführungsbeispiel der Kontaktschichtenfolge 1 gemäß 1A ist die Helligkeitseinstellschicht 4 zwischen der Halbleiterschichtenfolge 2 und der TCO-Kontaktschicht 3 angeordnet, wobei die Helligkeitseinstellschicht 4 ein Metall umfasst, das geeignet ist, einen ohmschen Kontakt zur angrenzenden Halbleiterschichtenfolge 2 herzustellen. Die Halbleiterschichtenfolge 2 umfasst in dem an die Helligkeitseinstellschicht 4 angrenzenden Bereich ein Material, das auf AlGaInP oder AlGaAs basiert und in der Regel n- oder p-dotiert ist. Handelt es sich bei dem Teil der Halbleiterschichtenfolge 2, der an die Helligkeitseinstellschicht 4 angrenzt, um ein Material das auf p-dotiertem GaAs basiert, ist beispielsweise Al oder Au als Material für die Helligkeitseinstellschicht 4 geeignet. Für eine Helligkeitseinstellschicht 4 auf einer Halbleiterschichtenfolge 2 deren angrenzender Bereich auf pdotierten AlGaAs basiert, ist beispielsweise eine Legierung aus Au und Zn mit den Anteilen 97 (Au) und 3 (Zn) geeignet ist. Eine Helligkeitseinstellschicht 4 auf einer Halbleiterschichtenfolge 2, deren angrenzender Bereich auf ndotiertem AlGaInP basiert, umfasst weiterhin bevorzugt eine Legierung aus Au und Ge, beispielsweise in den Verhältnissen 99:1 (Au:Ge) oder 88:12 (Au:Ge). Die Dicke der Helligkeitseinstellschicht 4 liegt zwischen 1 nm und 50 nm.
1B zeigt ein Ausführungsbeispiel der Kontaktschichtenfolge 1, bei der sich die TCO-Kontaktschicht 3 auf der Halbleiterschichtenfolge 2 befindet und die Helligkeitseinstellschicht 4 der elektrisch leitfähigen TCO-Kontaktschicht 3 von der Halbleiterschichtenfolge 2 aus gesehen nachgeordnet ist. In diesem Fall kann die Helligkeitseinstellschicht 4 neben dem oben in Zusammenhang mit 1A genannten Materialien auch andere Metalle enthalten, die beispielsweise keinen ohmschen Kontakt zu einer darunterliegenden Halbleiterschichtenfolge 2 herstellen würden oder sogar ein schlecht leitfähiges bis elektrisch isolierendes Material beinhalten. Die elektrische Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge 2 findet bei Verwendung schlecht leitender oder isolierender Materialien für die Helligkeitseinstellschicht 4 beispielsweise über Bereiche statt, in denen die Helligkeitseinstellschicht 4 nicht ausgebildet ist.
Bei dem Ausführungsbeispiel der Kontaktschichtenfolge 1 gemäß 1B umfasst die Helligkeitseinstellschicht 4 ein Material, das auf der darunter liegenden TCO-Kontaktschicht 3 gute Haftungseigenschaften aufweist. Solche Materialien sind beispielsweise Au, Ag, Al, Ti, TiW(N), Pt, Si und SiN_x. Bevorzugt wird hinreichend leitfähiges SiN_x, also Si reiches-SiN_x verwendet.
Weiterhin sollte die Helligkeitseinstellschicht 4 ein Material aufweisen, das gute Haftungseigenschaften zu einem eventuell nachfolgend aufgebrachten Chipvergussmaterial 5 aufweist, wie beispielsweise Epoxymaterialien oder Silikon. Für den Fall, dass die Helligkeitseinstellschicht 4 keine ausreichend guten Haftungseigenschaften zu dem Chipvergussmaterial 5 aufweist, wird, wie in 1C dargestellt, beispielsweise eine weitere Haftvermittlungsschicht 6 aufgebracht. Die Haftvermittlungsschicht 6 ist ausreichend durchlässig für die von dem Halbleiterchip ausgesandte Strahlung. Geeignete Materialien für die Haftvermittlungsschicht 6 sind beispielsweise ein TCO oder SiN_x.
In 2D ist ein Halbleiterchip gemäß eines ersten Ausführungsbeispieles schematisch dargestellt. Zur Herstellung eines Halbleiterchips gemäß des Ausführungsbeispiels von 2D werden, wie in 1A zu sehen, auf ein n-dotiertes Aufwachssubstrat 7 nacheinander eine erste n-dotierte Mantelschicht 8, eine aktive Schicht 9, eine zweite p-dotierte Mantelschicht 10 und eine p-dotierte Kontaktschicht 11 epitaktisch aufgewachsen. Die Halbleiterschichtenfolge 2, die die epitaktisch gewachsenen Schichten umfasst, basiert im Wesentlichen auf AlGaInP oder AlGaAs. Das Aufwachssubstrat 7 auf dem das epitaktische Wachstum der Halbleiterschichtenfolge 2 erfolgt, muss eine möglichst ähnliche Gitterkonstante aufweisen, wie die auf ihm gewachsene Halbleiterschichtenfolge 2. Für eine Halbleiterschichtenfolge 2, die auf AlGaInP oder AlGaAs basiert, sind beispielsweise GaAs oder Ge geeignete Materialien für das Aufwachssubstrat 7.
Auf der p-dotierten epitaktischen Kontaktschicht 11 wird in einem nachfolgenden Prozessschritt die metallische Helligkeitseinstellschicht 4, beispielsweise durch Sputtern oder Aufdampfen, aufgebracht (vergleiche 2B). Umfasst die p-dotierte epitaktische Kontaktschicht 11 GaAs, wird beispielsweise Al oder Au aufgebracht, wohingegen auf pdotiertes AlGaAs beispielsweise eine Legierung aus Au und Zn mit einem Verhältnis 97:3 (Au:Zn) verwendet wird. Anschließend wird, wie in 1C gezeigt, eine ITO-Schicht als TCO-Kontaktschicht 3 mittels Sputtern auf die Helligkeitseinstellschicht 4 aufgebracht. Wie in 2D dargestellt, wird auf die TCO-Kontaktschicht 3 ein Bondpad 12 als Anschlussbereich angeordnet, über die der Halbleiterchip elektrisch kontaktiert werden kann.
Wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 2E gezeigt, kann auf der p-dotierten epitaktischen Kontaktschicht 11 auch eine andere Kontaktschichtenfolge 1, wie in den Ausführungsbeispielen anhand der 1A bis 1C beschrieben, aufgebracht werden. Die Kontaktschichtenfolge 1 ist durchgehen unterhalb des Bondpads 12 und in Bereichen seitlich des Bondpads 12 auf der Halbleiterschichtenfolge 2 aufgebracht. Daher wird in diesem Fall bei Anlegen einer Spannung an das Bondpad 12 Strom auch unterhalb des Bondpads 12 in die epitaktische Halbleiterschichtenfolge 2 injizierte.
Bei den Ausführungsbeispielen gemäß den 3 bis 8 sind die Halbleiterschichtenfolge 2 und das Aufwachssubstrat 7, wie in dem Ausführungsbeispiel von 2A angeordnet. Weiterhin befindet sich ebenfalls eine Kontaktschichtenfolge 1 auf der Halbleiterschichtenfolge 2 und der Halbleiterchip umfasst ein Bondpad 12 zur elektrischen Kontaktierung. Die Ausführungsbeispiele gemäß der 3 bis 8 zeigen unterschiedliche Maßnahmen, um eine Strominjektion in Bereiche unterhalb des Bondpads 12 zu verhindern oder zumindest zu verringern.
Der Halbleiterchip, dargestellt in 3, gemäß eines weiteres Ausführungsbeispiels unterscheidet sich von dem Halbleiterchip der 2E insbesondere durch die geometrischen Ausformungen der Kontaktschichtenfolge 1 und der Anordnung des Bondpads 12. Die Kontaktschichtenfolge 1 ist zwischen Bondpad 12 und Halbleiterschichtenfolge 2 nicht ausgebildet und das Bondpad 12 überlappt die Kontaktschichtenfolge 1. Weiterhin ist zwischen dem Bondpad 12 und der obersten p-dotierten epitaktischen Kontaktschicht 11 eine metallische Schicht aufgebracht, die eine Schottky-Barriere 13 zwischen Bondpad 12 und p-dotierter epitaktischer Kontaktschicht 11 erzeugt, die in Richtung der Halbleiterschichtenfolge 2 sperrend wirkt. Hierdurch wird unter Betriebsbedingungen die Strominjektion in Bereiche der Halbleiterschichtenfolge 2 unterhalb des Bondpads 12 gemindert. Strom wird seitlich über das Bondpad 12 in die Kontaktschichtenfolge 1 eingespeist, was durch den Überlapp des Bondpad 12 und der Kontaktschichtenfolge 1 gefördert wird. Es werden vor allem Bereiche der Halbleiterschichtenfolge 2 mit Strom versorgt, die unterhalb der Kontaktschichtenfolge 1 liegen. Daher wird überwiegend innerhalb dieser Bereiche der aktiven Schicht 9 elektromagnetische Strahlung erzeugt. Weiterhin ist es möglich, eine strahlungsabsorbierende metallische Schicht auch zwischen Bondpad 12 und Schottky-Barriere 13 anzubringen.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 4 befindet sich unterhalb des Bondpads 12 ein mit Protonen implantierter Bereich 14 innerhalb der Halbleiterschichtenfolge 2 und zwar im Wesentlichen im n-dotierten Bereich des Halbleiterchips, das heißt der ersten Mantelschicht 8 bis hin zum Aufwachssubstrat 7. Die Implantation von Protonen innerhalb der n-dotierten Bereiche verringert dort die Querleitfähigkeit. Da die Querleitfähigkeit der n-dotierten Bereichen in der Regel wesentlich größer ist, als in den pdotierten Bereichen, wie der zweiten Mantelschicht 10 und der epitaktischen Kontaktschicht 11, vereinheitlicht der Protonen-implantierte Bereich 14 die Querleitfähigkeit innerhalb der Halbleiterschichtenfolge 2 und trägt so dazu bei, dass der Strom gleichmäßig durch die seitlich des Bondpads 12 angeordneten Bereiche der Halbleiterschichtenfolge 2 fließt.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 5 ist wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 3 eine Schottky-Barriere 13 zwischen Bondpad 12 und epitaktischer p-dotierter Kontaktschicht 11 angeordnet. Diese Schottky-Barriere 13 vermindert eine Strominjektion vom Bondpad 12 unmittelbar in die Halbleiterschichtenfolge 2. Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß 3 überlappt die Kontaktschichtenfolge 1 das Bondpad 12. Hierdurch wird der Stromfluss vom Bondpad 12 in die Kontaktschichtenfolge 1 verbessert.
Bei den Ausführungsbeispielen gemäß den 6, 7 und 8 ist in Unterschied zu den Ausführungsbeispielen gemäß der 2E, 3, 4 und 5 eine elektrisch isolierende Schicht 15 zwischen Bondpad 12 und Halbleiterschichtenfolge 2 aufgebracht. Die elektrisch isolierende Schicht 15 kann beispielsweise ein undotiertes Halbleitermaterial umfassen.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 6 ist die Kontaktschichtenfolge 1 außerhalb des Bondpads 12 ausgebildet und überlappt das Bondpad 12 seitlich. Wie in 7 dargestellt, ist es auch möglich, dass die elektrisch isolierende Schicht 15 im Bereich des Bondpads 12 auf den epitaktischen Halbleiterschichten 2 aufgebracht wird und darüber durchgehend die Kontaktschichtenfolge 1 angeordnet wird. Entsprechend der isolierenden Schicht 15 wird nun angrenzend an die Kontaktschichtenfolge 1 das Bondpad 12 aufgebracht.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 8 ist im Unterschied zum Ausführungsbeispiel gemäß 7 die Kontaktschichtenfolge 1 nicht durchgehend zwischen Bondpad 12 und isolierender Schicht 15 ausgebildet, sondern nur teilweise überlappend über der isolierenden Schicht 15 auf der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 2.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal, sowie jede Kombination von Merkmalen, insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Halbleiterchip mit einer Vorderseite und einer Rückseite, der geeignet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung durch die Vorderseite zu emittieren mit: – einer Halbleiterschichtenfolge (2), die mindestens eine aktive Schicht (9) umfasst, die vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, – einer TCO-Kontaktschicht (3) mit einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO) zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Vorderseite, und – einer Helligkeitseinstellschicht (4) zwischen der aktiven Schicht (9) und der Vorderseite, die geeignet ist, einen definierten Teil der von der aktiven Schicht (9) erzeugten elektromagnetischen Strahlung gezielt zu absorbieren.
Halbleiterchip nach Anspruch 1, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) ein Metall umfasst.
Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der TCO-Kontaktschicht (3) angeordnet ist und sowohl zur Halbleiterschichtenfolge (2) als auch zur TCO-Kontaktschicht (3) einen elektrischen Kontakt mit ohmscher Charakteristik ausbildet.
Halbleiterchip nach Anspruch 3, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) p-dotiertes GaAs und die Helligkeitseinstellschicht (4) Al oder Au umfasst.
Halbleiterchip nach Anspruch 3, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) p-dotiertes AlGaAs und die Helligkeitseinstellschicht (4) AuZn in einem Mischungsverhältnis 97:3 (Au:Zn) umfasst.
Halbleiterchip nach Anspruch 3, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) n-dotiertes AlGaInP und die Helligkeitseinstellschicht (4) AuGe in einem Mischungsverhältnis 99:1 (Au:Ge) umfasst.
Halbleiterchip nach Anspruch 3, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) n-dotiertes AlGaInP und die Helligkeitseinstellschicht (4) AuGe in einem Mischungsverhältnis 88:12 (Au:Ge) umfasst.
Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) der TCO-Kontaktschicht (3) von der Halbleiterschichtenfolge aus gesehen nachgeordnet ist.
Halbleiterchip nach Anspruch 8, bei dem auf der Helligkeitseinstellschicht (4) eine weitere Schicht (6) angeordnet ist, die TCO umfasst.
Halbleiterchip nach Anspruch 8, bei dem auf der Helligkeitseinstellschicht eine haftvermittelnde Schicht (6) angeordnet ist, die vorgesehen ist, die Haftung zu einem Vergussmaterial (5) zu verbessern.
Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 1 bis 3 und 8 bis 10, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) mindestens ein Material aus der Gruppe bestehend aus Au, Ag, Al, Ti, TiW(N), Pt, Zn, Ge, Si und SiN_x umfasst.
Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) eine Dicke zwischen 1 nm und 50 nm aufweist.
Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem auf der Helligkeitseinstellschicht (4) mindestens ein Anschlussbereich (12) angeordnet ist, der vorgesehen ist, den Halbleiterchip elektrisch zu kontaktieren.
Halbleiterchip nach Anspruch 13, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) ganzflächig auch unter dem Anschlussbereich (12) ausgebildet ist.
Halbleiterchip nach Anspruch 13, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) nur seitlich des Anschlussbereiches (12) ausgebildet ist.
Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 13 bis 15 , bei dem zumindest zwischen dem Anschlussbereich (12) und der Halbleiterschichtenfolge (2) eine metallische Schicht (13) angeordnet ist, die einen elektrischen Kontakt zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Anschlussbereich (12) herstellt, der im Wesentlichen Schottky-Charakteristik aufweist und vorgesehen ist, die Strominjektion in die Halbleiterschichtenfolge (2) unterhalb des Anschlussbereiches (12) zu verhindern.
Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 13 bis 16, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) von der Vorderseite gesehen unterhalb des Anschlussbereiches (12) einen Ionenimplantierten Bereich (14) aufweist.
Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 13 bis 17, bei dem entweder die TCO-Kontaktschicht (3) oder die Helligkeitseinstellschicht (4) oder beide derart ausgebildet sind, dass sie den Anschlussbereich (12) zumindest teilweise überlappen.
Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 13 bis 18, bei dem zumindest teilweise von der Vorderseite gesehen unterhalb des Anschlussbereiches (12) eine elektrisch isolierende Schicht (15) angeordnet ist.
Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, – der ein Substrat (7) aufweist, das von der Vorderseite gesehen unterhalb der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist, und – das Substrat (7) ein Material aufweist, das die von dem Halbleiterchip im Betrieb ausgesandte Strahlung absorbiert.
Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, der durch Flanken seitlich begrenzt wird und dessen Halbleiterschichtenfolge (2) keine Strahlungsauskoppelschicht aufweist, die vorgesehen ist, die Auskopplung der in der aktiven Schicht (9) im Betrieb erzeugte Strahlung über die Flanken zu erhöhen.
Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) mindestens eine Schicht aufweist, die AlGaInP oder AlGaAs umfasst.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips, der geeignet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung durch eine Vorderseite zu emittieren mit den Schritten: – Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2), die mindestens eine aktive Schicht (9) umfasst, die vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, – Anordnen einer TCO-Kontaktschicht (3) mit einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO) zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Vorderseite, und – Anordnen einer Helligkeitseinstellschicht (4) zwischen der aktiven Schicht (9) und der Vorderseite des Halbleiterchips, die vorgesehen ist, einen definierten Teil der von der aktiven Schicht (9) erzeugten elektromagnetischen Strahlung gezielt zu absorbieren.
Verfahren nach Anspruch 23, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) ein Metall umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 24, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der TCO-Kontaktschicht (3) angeordnet wird und sowohl zur Halbleiterschichtenfolge (2) als auch zur TCO-Kontaktschicht (3) einen elektrischen Kontakt mit ohmscher Charakteristik ausbildet.
Verfahren nach Anspruch 25, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) p-dotiertes GaAs und die Helligkeitseinstellschicht (4) Al oder Au umfasst.
Verfahren nach Anspruch 25, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) p-dotiertes AlGaAs und die Helligkeitseinstellschicht (4) AuZn in einem Mischungsverhältnis 97:3 (Au:Zn) umfasst.
Verfahren nach Anspruch 25, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) n-dotiertes AlGaInP und die Helligkeitseinstellschicht (4) AuGe in einem Mischungsverhältnis 99:1 (Au:Ge) umfasst.
Verfahren nach Anspruch 25, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) n-dotiertes AlGaInP und die Helligkeitseinstellschicht (4) AuGe in einem Mischungsverhältnis 88:12 (Au:Ge) umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 24, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) der TCO-Kontaktschicht von der Halbleiterschichtenfolge (3) aus gesehen nachgeordnet wird.
Verfahren nach Anspruch 30, bei dem auf der Helligkeitseinstellschicht (4) eine weitere Schicht (6) angeordnet wird, die TCO umfasst.
Verfahren nach Anspruch 30, bei dem auf der Helligkeitseinstellschicht (4) eine haftvermittelnde Schicht (6) angeordnet wird, die vorgesehen ist, die Haftung zu einem Vergussmaterial (5) zu verbessern.
Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 25 und 30 bis 32, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) mindestens ein Material aus der Gruppe bestehend aus Au, Ag, Al, Ti, TiW(N), Pt, Zn, Ge, Si und SiN_x umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 33, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) eine Dicke zwischen 1 nm und 50 nm aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 34, bei dem auf der Helligkeitseinstellschicht (4) mindestens ein Anschlussbereich (12) angeordnet wird, der vorgesehen ist, den Halbleiterchip elektrisch zu kontaktieren.
Verfahren nach Anspruch 35, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) auch ganzflächig unter dem Anschlussbereich (12) ausgebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 35, bei dem die Helligkeitseinstellschicht (4) nur seitlich des Anschlussbereiches (12) ausgebildet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 37, bei dem zumindest zwischen dem Anschlussbereich (12) und der Halbleiterschichtenfolge (2) eine metallische Schicht (13) angeordnet wird, die einen elektrischen Kontakt zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Anschlussbereich (12) herstellt, der im Wesentlichen Schottky-Charakteristik aufweist und vorgesehen ist, die Strominjektion in die Halbleiterschichtenfolge (2) unterhalb des Anschlussbereiches (12) zu verhindern.
Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 38, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) von der Vorderseite gesehen unterhalb des Anschlussbereiches (12) einen Ionnenimplantierten Bereich (14) aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 39, bei dem entweder die TCO-Kontaktschicht (3) oder die Helligkeitseinstellschicht (4) oder beide derart ausgebildet werden, dass sie den Anschlussbereich (12) zumindest teilweise überlappen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 40, bei dem zumindest teilweise von der Vorderseite gesehen unterhalb des Anschlussbereiches (12) eine elektrisch isolierende Schicht (15) angeordnet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 41, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Substrat (7) angeordnet wird, das ein Material aufweist, das die von dem Halbleiterchip im Betrieb ausgesandte Strahlung absorbiert.
Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 42, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) keine Strahlungsauskoppelschicht aufweist, die vorgesehen ist, die Auskopplung der in der aktiven Schicht (9) im Betrieb erzeugte Strahlung über die den Halbleiterchip seitlich begrenzenden Flanken zu erhöhen.
Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (2) mindestens eine Schicht aufweist, die AlGaInP oder AlGaAs umfasst.