DE102005001554A1 - Verfahren zum Erhöhen des Kontaktwinkels für Wasser bei einem optischen Schichtsystem sowie ein optisches Schichtsystem - Google Patents

Verfahren zum Erhöhen des Kontaktwinkels für Wasser bei einem optischen Schichtsystem sowie ein optisches Schichtsystem Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches Schichtsystem sowie ein Verfahren zum Erhöhen des Kontaktwinkels für Wasser auf der Oberfläche eines optischen Schichtsystems, wobei auf dem optischen Schichtsystem eine transparente Deckschicht aus einem Metalloxid mittels eines Magnetron-Sputter-Verfahrens abgeschieden wird, wobei die Schichtdicke der Deckschicht in einem Bereich von 2 nm bis 500 nm derart eingestellt wird, dass auf der Oberfläche der Deckschicht nach einem Schichtalter von maximal 10 Tagen ein Kontaktwinkel für Wasser von mindestens 80 DEG erreicht wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erhöhen des Kontaktwinkels für Wasser bei einem optischen Schichtsystem sowie ein optisches Schichtsystem.
  • Auf transparenten Oberflächen, wie beispielsweise Bildschirmen und Anzeigeelementen, werden oftmals transparente Dünnschichtsysteme zum Entspiegeln aufgebracht. Diese sollen die Ablesbarkeit bei Anzeigeelementen unabhängig vom Lichteinfall erhöhen. Es handelt sich hierbei um so genannte antireflektierende Schichtsysteme (AR) oder antireflektierende-antistatische Schichtsysteme (ARAS), die beide eine geminderte Reflexion der optischen Strahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich (VIS) von 380 nm bis 780 nm bewirken. Ein ARAS-Schichtsystem verfügt neben der reflexionsmindernden Wirkung über einen antistatischen Effekt, das bedeutet, dieses Schichtsystem besitzt eine bestimmte elektrische Leitfähigkeit, welche zum Ableiten von elektrostatischen Aufladungen führt. Derartige Dünnschichtsysteme werden beispielsweise durch das Aufbringen von abwechselnd optisch hoch- und niedrigbrechenden Schichten erzeugt.
  • Eine Eigenschaft von AR- und ARAS-Schichtsystemen besteht darin, dass auf der dem Anwender zugewandten Seite des Anzeigeelementes durch Berühren der Oberfläche rückbleibende Fingerabdrücke besonders störend wirken. Durch eine geeignete Beschichtung kann das Hinterlassen von Fingerabdrücken gemindert bzw. verhindert werden, ohne dass damit die reflexionsmindernde Wirkung des Schichtsystems beeinträchtigt wird.
  • 98 % der Rückstände durch Fingerabdrücke auf Oberflächen bestehen aus Wasser. Es wird daher angestrebt, Objektoberflächen mit einer transparenten Deckschicht derart auszubilden, dass diese zum einen wasserabweisende (hydrophobe) Eigenschaften aufweist und zum anderen optisch gering wirksam ist. Hydrophobe Eigenschaften einer Oberfläche lassen sich durch den Kontaktwinkel für Wasser charakterisieren. Dabei zeichnen sich gute hydrophobe Eigenschaften von Oberflächen durch einen hohen Kontaktwinkel aus.
  • Es sind eine Vielzahl von Verfahren zum Herstellen von Schichten mit hohem Kontaktwinkel mittels verschiedener CVD und PVD Verfahren bekannt, die jedoch nur in begrenztem Umfang in Verbindung mit optischen Schichtsystemen anwendbar sind, weil derartige Schichten oftmals die optischen Eigenschaften des Schichtsystems negativ beeinflussen. Ein weiterer Nachteil bekannter Verfahren besteht darin, dass hohe Kontaktwinkel für Wasser erst nach einer zu langen Lebensdauer des Schichtsystems ausgebildet werden bzw. hohe Kontaktwinkel für Wasser nur für eine begrenzte Lebensdauer aufrechterhalten werden können.
  • Am weitesten verbreitet sind Tauchverfahren, Plasmapolymerisation und Aufdampfen im Hochvakuum. Ein Großteil dieser Verfahren verwendet für das Herstellen von Schichten mit hohem Kontaktwinkel Stoffgemische aus organischen Materialien. Schichten mit hohem Kontaktwinkel weisen eine niedrige Oberflächenenergie auf.
  • In US 6,478,932 B1 ist ein Verfahren zum Beschichten von Bildschirmen mit einem Dünnschichtsystem beschrieben, dessen Eigenschaften hohe Leitfähigkeit, hoher Kontrast, reduzierte Reflexion und niedrige Oberflächenenergie sind. Zum Herstellen dieser Schichten wird ein kombiniertes Verfahren aus Sputtern und Nassbeschichten angewendet. Die Deckschicht mit der niedrigen Oberflächenenergie wird durch das Nassbeschichten abgeschieden. Hierbei wird eine entsprechende siliziumoxidhaltige TEOS-Lösung durch ein Schleuderverfahren, dem sogenannten Spin Coating, bei 33 °C auf die Substratoberfläche aufgebracht. Die entstehende Dünnschicht wird einer Behandlung von 180 °C bis 200 °C für 30 min unterzogen. Die so entstehende Siliziumoxidschicht besitzt ein niedrige Oberflächenenergie und derartige optische Eigenschaften, dass die reflexionsmindernde Wirkung des gesamten Dünnschichtsystems nicht beeinträchtigt wird. Nachteil des Verfahrens ist das Anwenden von verschiedenen Verfahren zum Realisieren des Dünnschichtsystems, was einen hohen technischen Aufwand erfordert und sehr kostenintensiv ist. Desweiteren sind zum Ausbilden von Schichten mit hohem Kontaktwinkel hohe Temperaturen erforderlich. Deshalb ist dieses Verfahren zum Beschichten von Kunststoffen nicht geeignet.
  • Eine für die Anwendung solcher Schichten entscheidende Eigenschaft ist ein möglichst hoher Kontaktwinkel für Wasser. Das Beeinflussen des Kontaktwinkels kann in einem gewissen Umfang durch das Ändern der chemischen Zusammensetzung einer Oberflächenschicht und damit der Topografie erfolgen. Es ist ein Verfahren zum Beeinflussen von Oberflächeneigenschaften durch die chemische Zusammensetzung von organischen Schichten und der Oberflächentopografie bekannt („Ultrahydrophobic polymeric surfaces prepared using plasma chemistry"; M.C. Hsieh, J.P. Youngblood, W. Chen an T.J. McCarthy; Polymer Surface Modification: Relevance to Adhesion, Vol. 2, pp. 77–89).
  • Hierbei wird eine Schicht mit unterschiedlichen Oberflächeneigenschaften durch Plasmapolymerisation von Fluoromonomeren mit verschiedenen Strukturen erzeugt. Perfluorohexane bildet für Monomerdrücke zwischen 0,3 Torr bis 0,5 Torr keine Pulverschicht aus, bis das Monomer gesättigt ist. Es ist deshalb schwierig aus der Gasphase zu polymerisieren. Die Beschichtungen zeigen einen Kontaktwinkel für Wasser von 115° bis 118°. Werden Schichten aus dem ungesättigten Perfluoro-2-Methyl-2-Pentene durch Plasmapolymerisation hergestellt, werden Kontaktwinkel für Wasser von 110° bis 116° erreicht. Eine Beeinflussung der Oberflächentopografie erfolgt, indem das zu beschichtende Substrat bei der Plasmapolymerisation direkt dem Plasma oder außerhalb des Plasmas angeordnet wird. Beschichtungen, polymerisiert aus 2,2,3,3,3-Pentafluoropropyl (PFPA) auf Substraten, die sich außerhalb des Plasmas befinden, zeigen einen Kontaktwinkel für Wasser von 93°. Beschichtungen, polymerisiert aus 2,2,3,3,3-Pentafluoropropyl (PFPA) auf Substraten, die sich im Plasma befinden, zeigen im Vergleich dazu einen Kontaktwinkel für Wasser von 169°. Der Mechanismus der Plasmapolymerisation wird durch die Tatsache erschwert, dass die wachsenden Moleküle durch das Plasma selbst wieder zerteilt werden. Es werden beispielsweise ionische und radikale Stellen in den wachsenden Ketten erzeugt, die zu einer Änderung der chemischen Zusammensetzung und damit der Eigenschaften der sich ausbildenden Schicht führen.
  • Weiterhin ist ein Verfahren zum Herstellen von Schichten mit hohem Kontaktwinkel mittels Verdampfen aus dem Vakuum bekannt (Patinal® Produktinformation, Patinal-Center Merck KGaA, 64579 Gernsheim, Tel.: 06258-12580/-83, Fax: 06258-12567). Das Aufdampfmaterial Patinal® besteht aus einem Oxidgemisch, das mit einem perfluorierten Alkylsilan dotiert ist. Patinal® wird in einem widerstandsbeheizten Schiffchen einer Verdampfungsanlage auf eine Temperatur erhitzt, bei dem das Silan verdampft. Bei der Verdampfung bildet das Silan auf dem Substrat eine transparente haftfeste Siloxanschicht. Der Kontaktwinkel für Wasser beträgt für diese abgeschiedenen Schichten 120°.
  • Ein Nachteil derartiger Verfahren besteht darin, dass mittels Verdampfen die für optische Schichtsysteme benötigten geringen Schichtdicken nicht mit einer hierfür erforderlichen Schichtdickengenauigkeit hergestellt werden können. Außerdem wird mit derartigen Bedampfungsverfahren eine zusätzliche Prozesstechnologie bei der Herstellung von optischen Schichtsystemen benötigt, die üblicherweise mit Sputtertechnologie hergestellt werden, wodurch ein erhöhter Aufwand entsteht.
  • Zusammenfassend kann festgehalten werden, dass bekannte Verfahren zum Erhöhen des Kontaktwinkels für Wasser auf der Oberfläche von optischen Schichtsystemen nur begrenzt einsetzbar sind, weil diese die optischen Eigenschaften des Schichtsystems in unerwünschtem Ausmaß beeinflussen können, nur bei bestimmten Materialien eines Substrates, auf dem sich das optische Schichtsystem befindet, verwendbar sind, einen hohen Kontaktwinkel für Wasser erst nach einer bestimmten Lebensdauer des Schichtsystems in erwünschten Größenordnungen ausbilden und/oder einen hohen Kontaktwinkel für Wasser nur für eine begrenzte Lebensdauer des Schichtsystems aufrechterhalten.
    •
  • Der Erfindung liegt daher das technische Problem zugrunde, ein Verfahren zum Erhöhen des Kontaktwinkels für Wasser bei einem transparenten optischen Schichtsystem sowie ein transparentes optisches Schichtsystem mit hohem Kontaktwinkel für Wasser zu schaffen. Das Schichtsystem soll auf seiner Oberfläche bereits nach einem Schichtalter von maximal 10 Tagen einen Kontaktwinkel für Wasser von mindestens 80° aufweisen und sich bezüglich des hohen Kontaktwinkels durch eine hohe Langzeitstabilität auszeichnen. Die Anwendung des Verfahrens soll sich einfach in den Produktionsablauf zum Herstellen von optisch wirksamen Dünnschichtsystemen einbinden lassen und die optischen Eigenschaften des Gesamtschichtsystems nicht wesentlich beeinflussen.
  • Die Lösung des technischen Problems ergibt sich durch die Gegenstände mit den Merkmalen der Patentansprüche 1 und 15. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen.
  • Da hydrophobe Effekte einer Schicht auf der Oberfläche der Schicht ausgelöst werden bzw. hydrophobe Eigenschaften der Schicht die Oberfläche dieser Schicht charakterisieren, ist eigentlich die Annahme nahe liegend, dass die Dicke der Schicht keinen Einfluss auf die hydrophoben Effekte/Eigenschaften der Oberfläche hat. Es hat sich jedoch gezeigt, dass neben anderen Parametern auch die Dicke einer mittels eines Vakuumzerstäubungsverfahrens abgeschiedenen Metalloxidschicht den Kontaktwinkel für Wasser auf der Oberfläche dieser Schicht beeinflusst.
  • Des Weiteren stellte sich heraus, dass eine derartige Metalloxidschicht in einem bestimmten Schichtdickenbereich auf einem optischen Schichtsystem abgeschieden werden kann, ohne die optischen Eigenschaften des daraus resultierenden Gesamtschichtsystems entscheidend negativ zu beeinträchtigen, wobei das Schichtsystem mit Metalloxidschicht gleichzeitig einen entscheidend höheren Kontaktwinkel für Wasser auf der Oberfläche aufweist als ohne Metalloxidschicht.
  • Erfindungsgemäß wird daher der Kontaktwinkel für Wasser auf der Oberfläche eines optischen Schichtsystems erhöht, indem auf dem optischen Schichtsystem eine transparente Deckschicht aus einem Metalloxid mittels eines Magnetron-Sputter-Verfahrens abgeschieden wird, wobei die Schichtdicke der Deckschicht in einem Bereich von 2 nm bis 500 nm derart eingestellt wird, dass auf der Oberfläche der Deckschicht nach einem Schichtalter von maximal 10 Tagen ein Kontaktwinkel für Wasser von mindestens 80° erreicht wird.
  • Durch ein derartiges Verfahren wird auf der Oberfläche überraschenderweise ein so hoher Kontaktwinkel für Wasser erreicht, wie dieser nur bei der Anwendung von organischen Schichten bekannt ist. Das erfindungsgemäße Verfahren kann mit üblichen Sputteranlagen, mit denen gängige optische Schichtsysteme wie beispielsweise AR- oder ARAS-Schichtsysteme abgeschieden werden, ohne nennenswerte Erweiterung der technischen Ausstattung ausgeführt werden, woraus ein ökonomischer Vorteil gegenüber bekannten Verfahren resultiert. Für viele Anwendungsfälle werden ausreichend gute hydrophobe Eigenschaften bei einem Kontaktwinkel in einem Bereich von 90° bis 120° erzielt.
  • Ein hinreichendes Variationsspektrum bezüglich des Kontaktwinkels für Wasser bei einer Metalloxiddeckschicht lässt sich bereits in einem Schichtdickenbereich von 5 nm bis 50 nm realisieren. Geeignet zum Erhöhen des Kontaktwinkels bei einem optischen Schichtsystem sind beispielsweise gesputterte Deckschichten aus Aluminiumoxid oder Magnesiumoxid.
  • Bei einer Ausführungsform der Erfindung wird die Schichtdicke der gesputterten Metalloxiddeckschicht eines erfindungsgemäßen AR- oder ARAS-Schichtsystems derart eingestellt, dass die Metalloxidschicht den Wert für die Reflexion des Gesamtschichtsystems nicht mehr als bis auf 4 % erhöht. Eine Variation des Wertes für die Reflexion in einem Bereich von 4 ist durch ein menschliches Auge nicht wahrnehmbar. Eine derartige Sputterdeckschicht führt somit nicht zu einer wesentlichen negativen Beeinträchtigung des Gesamtschichtsystems bezüglich des Reflexionsvermögens.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren lässt sich mit Einzelmagnetrons und Doppelanordnungen von Magnetrons betreiben. Dabei kann die Energieeinspeisung gleichermaßen durch Gleichstrom bzw. unipolar oder bipolar gepulst erfolgen. Im Falle gepulster Energieeinspeisung hat sich eine Pulsfrequenz von 10 bis 100 kHz als vorteilhaft erwiesen. Für das Abscheiden von Aluminiumoxid oder Magnesiumoxid hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn diese Schichten durch Sputtern metallischer Targets aus Aluminium bzw. Magnesium mit bipolar gepulst gespeisten Doppelmagnetrons in einem Gasgemisch aus Argon und Sauerstoff bei einem Totaldruck dieses Arbeitsgases von 0,1 bis 2 Pa abgeschieden werden. Auf diese Weise lassen sich Kontaktwinkel für Wasser von über 80°, oft sogar über 100°, bereits wenige Tage nach Schichtabscheidung erzielen.
  • Auf organischen Substraten, beispielsweise aus Polycarbonat oder Polyethylen oder Polymethylmethacrylat, lassen sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ebenfalls Kontaktwinkel von über 100° auf der Oberfläche erzielen. Derart abgeschiedene Schichten lassen sich mit Vorteil in Mehr- oder Doppelschichtsysteme integrieren. Sehr gute optische Eigenschaften der abgeschiedenen Dünnschichtsysteme werden erzielt, wenn die Dicken der Einzelschichten entsprechend optimiert werden.
  • Ein erfindungsgemäßes optisches Schichtsystem zeichnet sich dadurch aus, dass dieses zusätzlich zu der Schicht bzw. den Schichten, mittels welcher/welchen mindestens eine optischen Eigenschaft/Funktion realisiert werden soll, eine Deckschicht aus einem Metalloxid aufweist, welche mittels eines Magnetron-Sputter-Verfahrens abscheidbar ist, wobei die Dicke der Deckschicht in einem Bereich von 2 nm bis 500 nm derart eingestellt ist, dass die Oberfläche der Deckschicht nach einem Schichtlalter von maximal 10 Tagen einen Kontaktwinkel für Wasser von mindestens 80° aufweist.
    •
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Die Fig. zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung einer geeigneten Vorrichtung zum Durchführen des erfindungsgemäßen Verfahrens,
  • 2 eine graphische Darstellung für die Abhängigkeit der Reflexion von der Wellenlänge des Lichtes bei einem erfindungsgemäßen optischen Schichtsystem,
  • 3 eine graphische Darstellung des Einflusses der Alterung auf den Kontaktwinkel für Wasser bei einem erfindungsgemäßen optischen Schichtsystem.
  • In 1 ist eine Vorrichtung schematisch dargestellt, welche geeignet ist, das erfindungsgemäße Verfahren durchzuführen. Die Vorrichtung umfasst eine Vakuumkammer 1, in welcher mindestens drei Beschichtungsstationen 2; 3; 4 angeordnet sind und welche mittels einer Pumpeinrichtung 5 evakuiert werden kann. Das Erzeugen von Plasmen 6, welche das Abscheiden einer Schicht unterstützen, erfolgt bei einem Druck von 0,1 bis 2 Pa. Der Arbeitsdruck wird durch einen Regelkreis mit Drosselventilen 7 konstant gehalten. Ein Substrat 8 aus Glas oder Kunststoff befindet sich gegenüber Doppel-Magnetrons 9, welche aus je zwei Trägerkühlplatten 10, zwei Magnetronanordnungen 11 der Länge 750 mm und je zwei Targets 12 bestehen. Die Targets der Beschichtungsstation 2 bestehen aus Titan, die Targets der Beschichtungsstation 3 aus Silizium und die Targets der Beschichtungsstation 4 aus Aluminium oder Magnesium. Mit elektrischer Energie gespeist werden die Beschichtungsstationen 2; 3; 4 aus einer Stromversorgungseinrichtung 13.
  • Das zum Ausbilden der Plasmen 6 benötigte Prozessgas Argon wird durch einen Gasflussregler 14 in die Vakuumkammer 1 eingelassen. Das Reaktivgas Sauerstoff wird durch einen weiteren Gasflussregler 15 dem Prozessgas zugeführt. Das Substrat 8 wird während der Beschichtung relativ zum Magnetron linear mit gleichförmiger Geschwindigkeit bewegt, wodurch Schichten von Titanoxid und Siliziumoxid in Wechselfolge und eine Deckschicht aus Aluminiumoxid oder Magnesiumoxid ohne Unterbrechung des Vakuums abgeschieden werden können. Der Abstand des Substrats 8 von der Anordnung der Targets ist veränderbar.
  • Bei einer ersten Versuchsanordnung wurde mittels der in 1 schematisch dargestellten Vorrichtung ein erfindungsgemäßes optisches Schichtsystem beidseitig auf einem Kunststoffsubstrat aus Polycarbonat mit der Dicke von 1,5 mm abgeschieden. Aufgabe des Schichtsystems ist es, einerseits die Reflexion von Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich maximal zu verhindern und andererseits einen hohen Kontaktwinkel für Wasser auf der Oberfläche des Schichtsystems zu realisieren. Die dafür optimierte Schichtreihenfolge und Schichtzusammensetzung des Schichtsystems ist Tab. 1 zu entnehmen, wobei Schicht Nr. 1 zuerst auf dem Kunststoffsubstrat abgeschieden wird.
  • Figure 00080001
    Tab. 1
  • Die Prozessparameter, unter welchen Schicht Nr. 5 abgeschieden wurde, sind in Tab. 2 dargestellt, und das Reflexionsverhalten des Gesamtschichtsystems in Abhängigkeit von der Licht-Wellenlänge ist in 2 graphisch veranschaulicht.
  • Figure 00080002
    Tab. 2
  • Für die Reflexion im sichtbaren Wellenlängenbereich von 380 nm bis 780 nm bezogen auf eine tageslichtähnliche Beleuchtung (D 65) und einen Normalbetrachter (2°) wurde ein Wert von 1,23 % und als Kontaktwinkel für Wasser auf der Oberfläche des Schichtsystems ein Wert von 102° nach 3 Tagen ermittelt, wobei eine Langzeitstabilität dieses hohen Kontaktwinkels nachgewiesen werden konnte.
  • Zu Vergleichszwecken wurde ein Schichtsystem ohne Schicht 5, so wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist, abgeschieden. Hierbei wurde für die Reflexion ein Wert von 1,0 und für den Kontaktwinkel ein Wert von 60° ermittelt.
  • Mit dem erfindungsgemäßen optischen Schichtsystem konnte somit gegenüber einem herkömmlichen Schichtsystem der Kontaktwinkel für Wasser entscheidend erhöht werden, ohne dabei das Reflexionsvermögen wesentlich zu beeinträchtigen.
  • Bei einer zweiten Versuchsanordnung wurde erfindungsgemäß auf einem Kunststoffsubstrat aus Polycarbonat mit einer Dicke von 1,5 mm einseitig eine erste, 50 nm dicke Schicht aus SiO2 und eine zweite, 10 nm dicke Schicht aus Al2O3 abgeschieden, um das Langzeitverhalten des Parameters Kontaktwinkel für Wasser auf der Oberfläche der Al2O3-Schicht zu untersuchen. Der Abstand zwischen den hierbei verwendeten Targets und dem Substrat betrug 120 mm, der Arbeitsdruck 0,8 Pa. Die Änderung des Kontaktwinkels für Wasser in Abhängigkeit vom Schichtalter der Aluminiumoxidschicht ist in 3 graphisch dargestellt. Hieraus ist ersichtlich, dass der hohe Kontaktwinkel von über 90°, der bereits nach 3 Tagen erzielt wurde, nachweislich über 70 Tage aufrechterhalten werden konnte.
  • Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich somit optische Schichtsysteme realisieren, die sich durch langzeitstabile, gute hydrophobe Eigenschaften auf der Oberfläche auszeichnen. Dabei lässt sich das erfindungsgemäße Verfahren ohne größeren technologischen Aufwand in den Herstellungsprozess von optischen Schichtsystemen integrieren.

Claims (21)

  1. Verfahren zum Erhöhen des Kontaktwinkels für Wasser auf der Oberfläche eines optischen Schichtsystems, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem optischen Schichtsystem eine transparente Deckschicht aus einem Metalloxid mittels eines Magnetron-Sputter-Verfahrens abgeschieden wird, wobei die Schichtdicke der Deckschicht in einem Bereich von 2 nm bis 500 nm derart eingestellt wird, dass auf der Oberfläche der Deckschicht nach einem Schichtalter von maximal 10 Tagen ein Kontaktwinkel für Wasser von mindestens 80° erreicht wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Deckschicht derart eingestellt wird, dass ein Kontaktwinkel für Wasser in einem Bereich von 90° bis 120° erreicht wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus Aluminiumoxid abgeschieden wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus Magnesiumoxid abgeschieden wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als optisches Schichtsystem ein AR- oder ARAS-Schichtsystem verwendet wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Deckschicht derart eingestellt wird, dass durch die optische Wirkung der Deckschicht die Gesamtreflexion des optischen Schichtsystems maximal auf 4 % erhöht wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Deckschicht in einem Bereich von 5 nm bis 50 nm eingestellt wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass beim Abscheiden der Deckschicht Argon als Arbeitsgas verwendet wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass beim Abscheiden der Deckschicht ein Argon-Sauerstoff-Gemisch als Arbeitsgas verwendet wird.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Totaldruck des Arbeitsgases in einem Bereich von 0,1 bis 2 Pa eingestellt wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Abscheiden der Deckschicht mittels eines Paares von Magnetrons erfolgt, welche mit Gleichstrom gespeist werden.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Abscheiden der Deckschicht mittels eines Paares von Magnetrons erfolgt, welches bipolar in einem Frequenzbereich von 10 kHz bis 100 kHz gepulster Energieeinspeisung betrieben wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Abscheiden der Deckschicht mittels eines einzelnen Magnetrons erfolgt, welches unipolar in einem Frequenzbereich von 10 kHz bis 100 kHz gepulster Energieeinspeisung betrieben wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Abscheiden der Deckschicht mittels eines einzelnen Magnetrons erfolgt, welches mit Gleichstrom gespeist wird.
  15. Optisches Schichtsystem, dadurch gekennzeichnet, dass dieses eine transparente Deckschicht aus einem Metalloxid aufweist, welche mittels eines Magnetron-Sputter-Verfahrens abscheidbar ist, wobei die Dicke der Deckschicht in einem Bereich von 2 nm bis 500 nm derart eingestellt ist, dass die Oberfläche der Deckschicht nach einem Schichtalter von maximal 10 Tagen einen Kontaktwinkel für Wasser von mindestens 80° aufweist.
  16. Optisches Schichtsystem nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass dieses als AR- oder ARAS-Schichtsystem ausgebildet ist.
  17. Optisches Schichtsystem nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Deckschicht derart eingestellt ist, dass die Oberfläche einen Kontaktwinkel für Wasser in einem Bereich von 90° bis 120° aufweist.
  18. Optisches Schichtsystem nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus Aluminiumoxid besteht.
  19. Optisches Schichtsystem nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht aus Magnesiumoxid besteht.
  20. Optisches Schichtsystem nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Deckschicht derart eingestellt ist, dass die Erhöhung der Gesamtreflexion des Schichtsystems durch die Deckschicht nicht höher als 4 % ist.
  21. Optisches Schichtsystem nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Deckschicht in einem Bereich von 5 nm bis 50 nm eingestellt ist.
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