DE102005001280B4 - radiation detector - Google Patents

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Abstract

Strahlungsdetektor mit einer Mehrzahl von Detektorelementen (1,2,3), die jeweils einen zum Strahlungsempfang und zur Signalerzeugung vorgesehenen aktiven Bereich (14,24,34) aufweisen, wobei- die Detektorelemente monolithisch in einen Halbleiterkörper (5) des Strahlungsdetektors integriert sind und- der Halbleiterkörper (5) eine Strahlungseintrittsseite (6) aufweist, wobei- ein in einem ersten Detektorelement erzeugtes Signal getrennt von einem in einem zweiten Detektorelement erzeugten Signal abgreifbar ist,- das erste Detektorelement für sichtbare Strahlung teilweise durchlässig ist,- sichtbare Strahlung, die durch das erste Detektorelement hindurchtritt, in dem zweiten Detektorelement ein Signal erzeugt,- die aktiven Bereiche auf dem Materialsystem InxGayAl1-x-yP mit 0≤x≤1, 0≤x≤1 und x+y≤1 basieren,- wenigstens einem Detektorelement (1,2,3) in Richtung der Strahlungseintrittsseite des Halbleiterkörpers eine Filterschichtstruktur mit mindestens einer Filterschicht (18) nachgeordnet ist, und- die Filterschichtstruktur ein Material aus dem Untermaterialsystem AlxGa1-xAs enthält und für die auf dem Materialsystem InxGayAl1-x-yP basierenden Schichten Materialien aus dem Untermaterialsystem In0,5(Ga1-xAlx)0,5P gewählt sind.Radiation detector with a plurality of detector elements (1,2,3), each having an active region (14,24,34) provided for radiation reception and signal generation, the detector elements being monolithically integrated into a semiconductor body (5) of the radiation detector and - the semiconductor body (5) has a radiation entry side (6), wherein - a signal generated in a first detector element can be picked up separately from a signal generated in a second detector element, - the first detector element is partially transparent to visible radiation, - visible radiation which passes through the first detector element, generates a signal in the second detector element,- the active areas are based on the material system InxGayAl1-x-yP with 0≤x≤1, 0≤x≤1 and x+y≤1,- at least one detector element (1,2,3) a filter layer structure with at least one filter layer (18) is arranged downstream in the direction of the radiation entry side of the semiconductor body t, and the filter layer structure contains a material from the sub-material system AlxGa1-xAs and materials from the sub-material system In0.5(Ga1-xAlx)0.5P are selected for the layers based on the material system InxGayAl1-x-yP.

Description

Die Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor mit einer Mehrzahl von Detektorelementen.The invention relates to a radiation detector with a plurality of detector elements.

Zur Strahlungsdetektion in verschiedenen Wellenlängenbereichen wird oftmals ein Strahlungsdetektor mit einer Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Si-Photodiodenchips eingesetzt. Über den einzelnen Si-Photodiodenchips zugeordnete externe Filter wird die spektrale Empfindlichkeitsverteilung des jeweiligen Si-Photodiodenchips an den gewünschten Wellenlängenbereich angepasst. Aufgrund der Mehrzahl von Photodiodenchips weisen derartige Strahlungsdetektoren in der Regel einen hohen Platzbedarf auf. Ein derartiger Strahlungsdetektor mit einer Mehrzahl beabstandet nebeneinander angeordneter Si-Photodiodenelemente, deren jeweilige Empfindlichkeit über dielektrische Filter an verschiedene Wellenlängenbereiche angepasst ist, ist aus dem vorläufigen Datenblatt zum Bauteil „MTCSiCT“ der Firma Laser Components bekannt. Das Bauteil ist jedoch aufgrund der aufwendigen dielektrischen Filterung vergleichsweise kostenintensiv.A radiation detector with a plurality of Si photodiode chips arranged next to one another is often used for radiation detection in different wavelength ranges. The spectral sensitivity distribution of the respective Si photodiode chip is adapted to the desired wavelength range via external filters assigned to the individual Si photodiode chips. Due to the large number of photodiode chips, such radiation detectors generally require a lot of space. Such a radiation detector with a plurality of Si photodiode elements arranged at a distance next to one another, whose respective sensitivity is adapted to different wavelength ranges via dielectric filters, is known from the preliminary data sheet for the “MTCSiCT” component from Laser Components. However, the component is comparatively expensive due to the complex dielectric filtering.

Ein gattungsgemäßer Strahlungsdetektor, der auf dem III-V-Halbleitermaterialsystem AlxGa1-xAs basiert, mit drei übereinander angeordneten Detektorelementen für drei getrennte Wellenlängenbereiche, von 7 µm bis 8 µm, von 10,5 µm bis 11,5 µm und von 14 µm bis 15 µm, im fernen Infrarot ist aus „Electronics Review, Volume 16, No. 3, pp. 18 - 19“ bekannt.A generic radiation detector based on the III-V semiconductor material system Al x Ga 1-x As, with three stacked detector elements for three separate wavelength ranges, from 7 µm to 8 µm, from 10.5 µm to 11.5 µm and from 14 µm to 15 µm, in the far infrared is from "Electronics Review, Volume 16, No. 3, pp. 18 - 19".

Die Druckschrift GB 22 28 824 A betrifft einen Infrarot-Detektor zur Detektion von Strahlung verschiedener Wellenlängen.The pamphlet GB 22 28 824 A relates to an infrared detector for detecting radiation of different wavelengths.

Die Druckschrift US 64 07 439 B1 beschreibt eine Detektormatrix mit mehreren Photodetektoren, die für verschiedene Wellenlängen sensitiv sind.The pamphlet U.S. 64 07 439 B1 describes a detector array with multiple photodetectors sensitive to different wavelengths.

In der Druckschrift US 46 77 289 ist ein Farbsensor mit mehreren photovoltaischen Zellen angegeben.In the pamphlet U.S. 46 77 289 a color sensor with several photovoltaic cells is specified.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen effizienten, kompakten Strahlungsdetektor zur Detektion im sichtbaren Spektralbereich anzugeben, der einen geringen Platzbedarf aufweist sowie vereinfacht und kostengünstig herstellbar ist.One object of the present invention is to specify an efficient, compact radiation detector for detection in the visible spectral range, which has a small space requirement and can be simplified and cost-effectively manufactured.

Diese Aufgabe wird durch einen Strahlungsdetektor mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.This object is achieved by a radiation detector having the features of claim 1. Advantageous developments and refinements of the invention are the subject matter of the dependent claims.

Ein erfindungsgemäßer Strahlungsdetektor umfasst eine Mehrzahl von Detektorelementen, die jeweils einen zum Strahlungsempfang und zur Signalerzeugung vorgesehenen aktiven Bereich aufweisen, wobei die Detektorelemente monolithisch in einen Halbleiterkörper des Strahlungsdetektors integriert sind, ein in einem ersten Detektorelement erzeugtes Signal getrennt von einem in einem zweiten Detektorelement erzeugten Signal abgreifbar ist, der Halbleiterkörper eine Strahlungseintrittsseite aufweist und das erste Detektorelement für sichtbare Strahlung teilweise durchlässig ist und sichtbare Strahlung, die durch das erste Detektorelement hindurchtritt, in dem zweiten Detektorelement ein Signal erzeugt.A radiation detector according to the invention comprises a plurality of detector elements, each of which has an active region intended for radiation reception and signal generation, the detector elements being monolithically integrated into a semiconductor body of the radiation detector, a signal generated in a first detector element separated from a signal generated in a second detector element can be tapped, the semiconductor body has a radiation entry side and the first detector element is partially transparent to visible radiation and visible radiation which passes through the first detector element generates a signal in the second detector element.

Monolithische Integration einer Mehrzahl von Detektorelementen in einen Halbleiterkörper erleichtert eine vorteilhaft kostengünstige Herstellung bei zugleich platzsparender Ausbildung des Strahlungsdetektors. Bevorzugt ist der Halbleiterkörper epitaktisch auf einem Epitaxiesubstrat gewachsen. Die Detektorelemente sind weiterhin bevorzugt vertikal zu einer lateralen Haupterstreckungsrichtung des Halbleiterkörpers übereinander im Halbleiterkörper angeordnet.Monolithic integration of a plurality of detector elements in a semiconductor body facilitates an advantageously cost-effective production with a space-saving design of the radiation detector at the same time. The semiconductor body is preferably grown epitaxially on an epitaxial substrate. The detector elements are furthermore preferably arranged one above the other in the semiconductor body, vertically with respect to a lateral main extension direction of the semiconductor body.

Ferner ist der Strahlungsdetektor aufgrund der Mehrzahl monolithisch im Halbleiterkörper integrierter Detektorelemente, deren Signale unabhängig voneinander abgegriffen werden können, mit Vorteil zur Strahlungsdetektion in verschiedenen Wellenlängenbereichen, insbesondere im sichtbaren Spektralbereich, geeignet. Auf eine Mehrzahl von Si-Photodiodenchips, wie bei herkömmlichen Strahlungsdetektoren, kann zu diesem Zwecke verzichtet werden. Ein Detektorelement kann insbesondere auch als Einzeldetektor betrieben werden.Furthermore, the radiation detector is advantageously suitable for detecting radiation in different wavelength ranges, in particular in the visible spectral range, due to the plurality of detector elements monolithically integrated in the semiconductor body, whose signals can be tapped off independently of one another. A plurality of Si photodiode chips, as in conventional radiation detectors, can be dispensed with for this purpose. A detector element can in particular also be operated as an individual detector.

Weiterhin ist einem Detektorelement, bevorzugt ist den Detektorelementen jeweils, ein, insbesondere zusammenhängender, Wellenlängenbereich zugeordnet, in dem dieses Detektorelement empfindlich ist, d.h. ein signifikantes Signal erzeugt. Besonders bevorzugt sind verschiedenen Detektorelementen verschiedene Wellenlängenbereiche zugeordnet.Furthermore, a detector element, preferably each detector element, is assigned an, in particular contiguous, wavelength range in which this detector element is sensitive, ie generates a significant signal. Different wavelength ranges are particularly preferably assigned to different detector elements.

In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung weist wenigstens ein Detektorelement eine, insbesondere zusammenhängende, spektrale Empfindlichkeitsverteilung mit einem Maximum - einem lokalen oder globalen Maximum - bei einer vorgegebenen Maximalwellenlänge auf, die zweckmäßigerweise im dem Detektorelement zugeordneten Wellenlängenbereich liegt. Bevorzugt sind die Maximalwellenlängen der spektralen Empfindlichkeitsverteilungen mindestens zweier, besonders bevorzugt aller Detektorelemente, verschieden.In a preferred embodiment of the invention, at least one detector element has a particularly continuous spectral sensitivity distribution with a maximum—a local or global maximum—at a predetermined maximum wavelength, which is expediently in the wavelength range assigned to the detector element. The maximum wavelengths of the spectral sensitivity distributions of at least two, particularly preferably all, detector elements are preferably different.

Für die spektrale Empfindlichkeitsverteilung eines Detektorelements ist hierbei die Abhängigkeit des im aktiven Bereich dieses Detektorelements erzeugten Signals (des Photostroms oder davon abgeleiteten Größen) von der Wellenlänge der auf das Detektorelement einfallenden Strahlung maßgeblich.The dependency of the signal generated in the active region of this detector element (the photocurrent or quantities derived therefrom) on the wavelength of the radiation incident on the detector element is decisive for the spectral sensitivity distribution of a detector element.

Von der Strahlungseintrittsseite in den Halbleiterkörper eintretende Strahlung trifft auf ein Detektorelement. Enthält die einfallende Strahlung einen spektralen Anteil, insbesondere im sichtbaren Spektralbereich, für den das Detektorelement empfindlich ist, so wird ein entsprechender Anteil der Strahlungsleistung im aktiven Bereich des Detektorelements absorbiert. Die in der Folge im aktiven Bereich erzeugten Elektron-Loch-Paare tragen zum Signal des Detektorelements bei. Der Anteil an im aktiven Bereich absorbierter Strahlungsleistung kann durch die Dicke, und der Empfindlichkeitsbereich des Detektorelements durch die Bandlücke einer im aktiven Bereich angeordneten Funktionsschicht gezielt beeinflusst werden. Zweckmäßigerweise entspricht die Bandlücke der Funktionsschicht der vorgegebenen Maximalwellenlänge der spektralen Empfindlichkeitsverteilung des Detektorelements. Eine Vergrößerung der Dicke der Funktionsschicht resultiert in der Regel in einer Erhöhung der in ihr absorbierten Strahlungsleistung, was wiederum in der Regel höhere Signale liefert.Radiation entering the semiconductor body from the radiation entry side impinges on a detector element. If the incident radiation contains a spectral component, in particular in the visible spectral range, to which the detector element is sensitive, then a corresponding component of the radiation power is absorbed in the active region of the detector element. The electron-hole pairs subsequently generated in the active region contribute to the signal of the detector element. The proportion of radiation power absorbed in the active area can be influenced in a targeted manner by the thickness and the sensitivity range of the detector element by the band gap of a functional layer arranged in the active area. The band gap of the functional layer expediently corresponds to the predetermined maximum wavelength of the spectral sensitivity distribution of the detector element. An increase in the thickness of the functional layer usually results in an increase in the radiation power absorbed in it, which in turn usually delivers higher signals.

Der durch das Detektorelement transmittierte Anteil der einfallenden Strahlung kann in einem oder mehreren weiteren, obigem Detektorelement von der Strahlungseintrittsseite aus gesehen nachgeordneten Detektorelement(en) ein Signal erzeugen. Über eine gezielte Abstimmung der Dicken der aktiven Bereiche bzw. der Funktionsschichten der Detektorelemente aufeinander können die Werte der Maxima, insbesondere der globalen Maxima, der spektralen Empfindlichkeitsverteilungen verschiedener Detektorelemente aneinander angepasst werden. Der Vergleich der in den verschiedenen Detektorelementen erzeugten Signale wird so erleichtert.The portion of the incident radiation transmitted through the detector element can generate a signal in one or more of the above detector element(s) arranged downstream, viewed from the radiation entry side. The values of the maxima, in particular the global maxima, of the spectral sensitivity distributions of different detector elements can be adapted to one another by specifically matching the thicknesses of the active regions or the functional layers of the detector elements to one another. This makes it easier to compare the signals generated in the various detector elements.

Sind verschiedene Detektorelemente verschiedenen Wellenlängenbereichen bzw. Maximalwellenlängen zugeordnet, so kann über die im jeweiligen Detektorelement erzeugten und getrennt messbaren Signale auf vorteilhaft einfache Weise Aufschluss über spektrale Anteile, insbesondere im sichtbaren Spektralbereich, in einer auf den Strahlungsdetektor einfallenden Strahlung erhalten werden.If different detector elements are assigned to different wavelength ranges or maximum wavelengths, information about spectral components, particularly in the visible spectral range, in radiation incident on the radiation detector can be obtained in an advantageously simple manner via the separately measurable signals generated in the respective detector element.

Um eine Zuordnung der Signale zu dem aktiven Bereich des jeweiligen Detektorelements, in dem sie erzeugt wurden, zu erleichtern, sind die aktiven Bereiche im Halbleiterkörper benachbart angeordneter Detektorelemente bevorzugt voneinander beabstandet. Besonders bevorzugt ist zwischen zwei benachbarten aktiven Bereichen ein signalarmer Bereich ausgebildet, in dem eventuell durch Strahlungsabsorption erzeugte Elektron-Loch-Paare im wesentlichen sofort rekombinieren und nicht oder nur in sehr geringem Maße zu dem zu messenden Signal beitragen. Zum Signal eines Detektorelements tragen mit Vorzug im wesentlichen nur im aktiven Bereich dieses Detektorelements erzeugte Elektron-Loch-Paare bei.In order to facilitate assignment of the signals to the active area of the respective detector element in which they were generated, the active areas in the semiconductor body of detector elements arranged adjacent to one another are preferably spaced apart from one another. Particularly preferably, a low-signal area is formed between two adjacent active areas, in which any electron-hole pairs produced by radiation absorption recombine essentially immediately and contribute only to a very small extent, if at all, to the signal to be measured. Preferably, essentially only electron-hole pairs generated in the active region of this detector element contribute to the signal of a detector element.

Ein für den ferninfraroten Spektralbereich ausgebildeter Detektor der eingangs erwähnten Art ist für den sichtbaren Spektralbereich, selbst abgesehen von der geringen Empfindlichkeit, ungeeignet, da auf diesen einfallende sichtbare spektrale Anteile im strahlungseintrittseitig angeordneten infraroten Detektorelement im wesentlichen vollständig absorbiert werden und dementsprechend in diesem Detektorelement nachgeordneten, weiteren Detektorelementen kein nennenswertes Signal erzeugt würde.A detector of the type mentioned at the outset designed for the far-infrared spectral range is unsuitable for the visible spectral range, even apart from the low sensitivity, since visible spectral components incident on this are essentially completely absorbed in the infrared detector element arranged on the radiation entry side and accordingly in this detector element arranged downstream, further detector elements no significant signal would be generated.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist der Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung in einem vorgegebenen, vorzugsweise zusammenhängenden, Wellenlängenbereich ausgebildet. Besonders bevorzugt liegen die Maximalwellenlängen der Detektorelemente des Strahlungsdetektors in diesem vorgegebenen Wellenlängenbereich, wobei insbesondere auch bei einer beliebigen Wellenlänge im Bereich zwischen zwei benachbarten Maximalwellenlängen ein signifikantes Signal erzeugt wird.In a further preferred embodiment of the invention, the radiation detector is designed to detect radiation in a predetermined, preferably continuous, wavelength range. The maximum wavelengths of the detector elements of the radiation detector are particularly preferably in this predetermined wavelength range, with a significant signal being generated in particular even at any wavelength in the range between two adjacent maximum wavelengths.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung überlappen die spektralen Empfindlichkeitsverteilungen mindestens zweier Detektorelemente. Die Überdeckung eines breiten, zusammenhängenden Wellenlängenbereichs mittels einer Mehrzahl von Detektorelementen wird so erleichtert. Als breiter Wellenlängenbereich kann hierbei ein Wellenlängenbereich angesehen werden, der zumindest eine Breite aufweist, die größer ist als die Summe der spektralen Breiten (FWHM: Full Width at Half Maximum) der Empfindlichkeitsverteilungen der zur Überdeckung des Wellenlängenbereichs vorgesehenen Detektorelemente.In a further preferred embodiment of the invention, the spectral sensitivity distributions of at least two detector elements overlap. This makes it easier to cover a broad, coherent wavelength range by means of a plurality of detector elements. A wavelength range can be regarded as a broad wavelength range that has at least a width that is greater than the sum of the spectral widths (FWHM: Full Width at Half Maximum) of the sensitivity distributions of the detector elements provided to cover the wavelength range.

Es sei angemerkt, dass unter Überlapp ein Überlapp verstanden wird, der sich von einem eventuellen Untergrundrauschen abhebt. Ein Überlapp zweier Empfindlichkeitsverteilungen aufgrund asymptotisch auslaufender Flanken wird insbesondere nicht als Überlapp in obigem Sinne angesehen.It should be noted that overlap means an overlap that stands out from any background noise. An overlap of two sensitivity distributions due to flanks running out asymptotically is in particular not regarded as an overlap in the above sense.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung überlappen Empfindlichkeitsverteilungen mit benachbarten Maximalwellenlängen, vorzugsweise nur mit den beidseitig nächstgelegenen Maximalwellenlängen, paarweise. Der vom Strahlungsdetektor abgedeckte Wellenlängenbereich kann so vorteilhaft vergrößert werden. Insbesondere kann ein unnötiger gemeinsamer Überlapp dreier Empfindlichkeitsverteilungen vermieden werden.In an advantageous development of the invention, sensitivity distributions with adjacent maximum wavelengths overlap in pairs, preferably only with the maximum wavelengths that are closest on both sides. The wavelength range covered by the radiation detector can thus advantageously be enlarged. In particular, an unnecessary joint overlap of three sensitivity distributions can be avoided.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung nehmen die Maximalwellenlängen der spektralen Empfindlichkeitsverteilungen der Detektorelemente mit wachsender Entfernung der Detektorelemente von der Strahlungseintrittsseite zu. Ein seitens der Strahlungseintrittsseite angeordnetes Detektorelement weist somit mit Vorzug eine kurzwelligere Maximalwellenlänge auf, wohingegen ein diesem Detektorelement nachgeordnetes Detektorelement eine längerwellige Maximalwellenlänge aufweist. Energiereichere kurzwellige Strahlung wird somit eher näher an der Strahlungseintrittsseite absorbiert und erzeugt ein Signal in einem nahe der Strahlungseintrittsseite angeordneten Detektorelement. Der eventuell unerwünschte Einfluss von Absorption kurzwelliger Strahlungsanteile auf die Signale von Detektorelementen, die für längerwellige Strahlung ausgebildet und dem für kurzwelligere Strahlung ausgebildeten Detektorelement von der Strahlungseintrittsseite aus gesehen nachgeordnet sind, kann so verringert werden.In a further preferred embodiment of the invention, the maximum wavelengths of the spectral sensitivity distributions of the detector elements increase as the distance between the detector elements and the radiation entry side increases. A detector element arranged on the radiation entry side thus preferably has a shorter-wave maximum wavelength, whereas a detector element arranged downstream of this detector element has a longer-wave maximum wavelength. High-energy, short-wave radiation is thus absorbed closer to the radiation entry side and generates a signal in a detector element arranged near the radiation entry side. The possibly undesired influence of absorption of short-wave radiation components on the signals of detector elements, which are designed for longer-wave radiation and are arranged downstream of the detector element designed for shorter-wave radiation, seen from the radiation entry side, can be reduced in this way.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung weist wenigstens ein aktiver Bereich, vorzugsweise weisen alle aktiven Bereiche, eine Einfach-Quantentopfstruktur oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur oder eine Heterostruktur, insbesondere eine Doppelheterostruktur, auf. Vorzugsweise sind alle aktiven Bereiche mittels einer gleichartigen Struktur gebildet. Derartige Strukturen zeichnen sich durch vorteilhaft hohe interne Quanteneffizienzen aus.In a further preferred configuration of the invention, at least one active region, preferably all active regions, have a single quantum well structure or a multiple quantum well structure or a heterostructure, in particular a double heterostructure. All active areas are preferably formed by means of a similar structure. Structures of this type are distinguished by advantageously high internal quantum efficiencies.

Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss („confinement“) eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit u.a. Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.In the context of the application, the term quantum well structure includes any structure in which charge carriers experience a quantization of their energy states by confinement. In particular, the term quantum well structure does not contain any information about the dimensionality of the quantization. It thus includes, among other things, quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung sind den Detektorelementen jeweils eine Kontaktschicht und eine Gegenkontaktschicht zugeordnet, über die ein im aktiven Bereich des Detektorelements erzeugtes Signal erfasst werden kann. Hierbei kann eine Mehrzahl von Kontakt- und/oder Gegenkontaktschichten monolithisch im Halbleiterkörper integriert sein.In a further preferred embodiment of the invention, the detector elements are each assigned a contact layer and a counter-contact layer, via which a signal generated in the active area of the detector element can be detected. In this case, a plurality of contact and/or counter-contact layers can be monolithically integrated in the semiconductor body.

Weiterhin kann die Kontaktschicht und/oder die Gegenkontaktschicht wenigstens eines Detektorelements zwischen dem Detektorelement und einem diesem benachbarten Detektorelement angeordnet sein. Eine Kontakt- und eine Gegenkontaktschicht weisen, falls ein Halbleitermaterial enthaltend, weiterhin bevorzugt unterschiedliche Leitungstypen (n- oder p-leitend) auf.Furthermore, the contact layer and/or the counter-contact layer of at least one detector element can be arranged between the detector element and a detector element adjacent to it. A contact layer and a counter-contact layer, if containing a semiconductor material, also preferably have different conductivity types (n-type or p-type).

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung weisen, vorzugsweise jeweils, zwei benachbarte Detektorelemente eine gemeinsame Kontaktschicht bzw. eine gemeinsame Gegenkontaktschicht auf, so dass auf das Ausbilden separater Kontaktschichten bzw. Gegenkontaktschichten für diese Detektorelemente mit Vorteil verzichtet werden kann. Weiterhin reduziert sich aufgrund der verringerten Schichtanzahl mit Vorteil der Platzbedarf eines derartigen Detektors.In a further preferred embodiment of the invention, two adjacent detector elements preferably each have a common contact layer or a common counter-contact layer, so that the formation of separate contact layers or counter-contact layers for these detector elements can advantageously be dispensed with. Furthermore, due to the reduced number of layers, the space required for such a detector is advantageously reduced.

In einer alternativen Ausgestaltung der Erfindung ist ein Kontaktschichtpaar - gebildet durch Kontaktschicht und Gegenkontaktschicht - eines Detektorelements von dem eines, insbesondere beliebigen, weiteren Detektorelements verschieden. Die Kontakt- bzw. Gegenkontaktschicht kann so für das jeweilige Detektorelement geeignet, je nach vorteilhaften Kontakteigenschaften, ausgebildet werden. Insbesondere können separate Kontaktschichtpaare für verschiedene Detektorelemente vorgesehen sein.In an alternative embodiment of the invention, a contact layer pair—formed by contact layer and counter-contact layer—of a detector element is different from that of one, in particular any, further detector element. The contact or counter-contact layer can be used for the respective detector gate element suitable, depending on the advantageous contact properties are formed. In particular, separate pairs of contact layers can be provided for different detector elements.

Einem Detektorelement ist in Richtung der Strahlungseintrittseite des Halbleiterkörpers eine Filterschichtstruktur mit mindestens einer Filterschicht nachgeordnet. Vorzugsweise ist die Filterschichtstruktur monolithisch in den Halbleiterkörper integriert.A filter layer structure with at least one filter layer is arranged downstream of a detector element in the direction of the radiation entry side of the semiconductor body. The filter layer structure is preferably integrated monolithically into the semiconductor body.

Die Filterschichtstruktur ist weiterhin bevorzugt zur Absorption von Wellenlängen in einem Wellenlängenbereich ausgebildet, der Wellenlängen kleiner der Maximalwellenlänge der spektralen Empfindlichkeitsverteilung des Detektorelements umfasst. Die in der Filterschichtstruktur absorbierte Strahlungsleistung wird durch eine Dicke, und der entsprechende Wellenlängenbereich der Absorption durch eine - direkte oder indirekte - Bandlücke der Filterschicht bestimmt. Die Bandlücke der Filterschicht ist bevorzugt größer als die Bandlücke der Funktionsschicht des aktiven Bereichs des Detektorelements. Gegebenenfalls kann die Filterschichtstruktur eine Mehrzahl von Filterschichten unterschiedlicher Bandlücken und/oder Dicken umfassen. Über die Filterschichtstruktur kann die kurzwellige Seite der spektralen Empfindlichkeitsverteilung, mit Wellenlängen kleiner der Maximalwellenlänge, gezielt geformt werden, da in der Filterschicht Strahlungsanteile absorbiert werden und im aktiven Bereich des Detektorelements für Wellenlängen im Absorptionsbereich der Filterschichtstruktur nur ein dementsprechend vermindertes Signal erzeugt wird.The filter layer structure is also preferably designed to absorb wavelengths in a wavelength range that includes wavelengths smaller than the maximum wavelength of the spectral sensitivity distribution of the detector element. The radiation power absorbed in the filter layer structure is determined by a thickness, and the corresponding wavelength range of the absorption by a—direct or indirect—band gap of the filter layer. The band gap of the filter layer is preferably larger than the band gap of the functional layer of the active area of the detector element. If necessary, the filter layer structure can comprise a plurality of filter layers of different band gaps and/or thicknesses. The short-wave side of the spectral sensitivity distribution, with wavelengths shorter than the maximum wavelength, can be specifically shaped via the filter layer structure, since radiation components are absorbed in the filter layer and only a correspondingly reduced signal is generated in the active area of the detector element for wavelengths in the absorption range of the filter layer structure.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist einer Mehrzahl von Detektorelementen, vorzugsweise allen, jeweils eine, insbesondere separate, Filterschichtstruktur der oben genannten Art zugeordnet. Filterschichtstrukturen für die jeweiligen Detektorelemente sind gegebenenfalls voneinander verschieden. Hierdurch können die kurzwelligen Seiten der Empfindlichkeitsverteilungen der Detektorelemente hinsichtlich ihres spektralen Verlaufs aneinander angepasst werden, wodurch der Vergleich in verschiedenen Detektorelementen erzeugter Signale erleichtert wird. Die einem Detektorelement zugeordnete Filterschichtstruktur ist weiterhin bevorzugt zwischen dem Detektorelement und einem weiteren, diesem strahlungseintrittsseitig nachgeordneten, insbesondere benachbarten, Detektorelement angeordnet.In an advantageous development of the invention, a plurality of detector elements, preferably all of them, is assigned one, in particular separate, filter layer structure of the type mentioned above. Filter layer structures for the respective detector elements may differ from one another. As a result, the short-wave sides of the sensitivity distributions of the detector elements can be matched to one another with regard to their spectral profile, which makes it easier to compare signals generated in different detector elements. The filter layer structure assigned to a detector element is furthermore preferably arranged between the detector element and a further detector element which is arranged downstream, in particular adjacent, on the radiation entry side.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist die Kontaktschicht bzw. die Gegenkontaktschicht wenigstens eines Detektorelements zugleich als Filterschicht, insbesondere einer diesem Detektorelement zugeordneten Filterschichtstruktur, ausgebildet.In an advantageous development of the invention, the contact layer or the counter-contact layer of at least one detector element is designed at the same time as a filter layer, in particular a filter layer structure assigned to this detector element.

In einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung absorbiert die einem Detektorelement zugeordnete Filterschichtstruktur in einem Wellenlängenbereich, der Wellenlängen größer der Maximalwellenlänge eines weiteren Detektorelements umfasst. Das weitere Detektorelement ist dem Detektorelement vorzugsweise strahlungseintrittsseitig im Halbleiterkörper nachgeordnet und/oder weist eine verglichen mit der Maximalwellenlänge des Detektorelements kurzwelligere Maximalwellenlänge auf. Ein übergroßer Überlapp spektraler Empfindlichkeitsverteilungen der beiden Detektorelemente kann so gegebenenfalls auf einfache Weise verringert werden.In a further advantageous development of the invention, the filter layer structure assigned to a detector element absorbs in a wavelength range that includes wavelengths longer than the maximum wavelength of a further detector element. The further detector element is preferably arranged downstream of the detector element on the radiation entry side in the semiconductor body and/or has a shorter maximum wavelength than the maximum wavelength of the detector element. An overly large overlap of spectral sensitivity distributions of the two detector elements can thus be reduced in a simple manner, if necessary.

Insbesondere kann mit Vorteil auf raumgreifende und aufwendige externe Filter, Filter, die außerhalb des Halbleiterkörpers angeordnet sind, zur Anpassung der Empfindlichkeit des Strahlungsdetektors verzichtet werden. Die einzelnen Detektorelemente können vielmehr mit einer monolithisch integrierten Filterschichtstruktur gemäß einer vorgegebenen Empfindlichkeitsverteilung gefertigt werden.In particular, space-consuming and expensive external filters, filters that are arranged outside of the semiconductor body, for adapting the sensitivity of the radiation detector can advantageously be dispensed with. Rather, the individual detector elements can be manufactured with a monolithically integrated filter layer structure according to a predetermined sensitivity distribution.

Der Halbleiterkörper, insbesondere der aktive Bereich und/oder die Filterschichtstruktur wenigstens eines Detektorelements, enthält mindestens ein III-V Halbleitermaterial, insbesondere ein Halbleitermaterial aus den Materialsystemen InxGayAl1-x-yP, InxGayAl1-x-yAs oder InxGayAl1-x-yN, jeweils mit 0≤x≤1, 0≤y≤1 und x+y≤1, enthält. The semiconductor body, in particular the active region and/or the filter layer structure of at least one detector element, contains at least one III-V semiconductor material, in particular a semiconductor material from the material systems In x Ga y Al 1-xy P, In x Ga y Al 1-xy As or In x Ga y Al 1-xy N, each with 0≤x≤1, 0≤y≤1 and x+y≤1.

Mit besonderem Vorzug basiert der gesamte Halbleiterkörper auf III-V-Halbleitermaterialien. Derartige Materialien zeichnen sich durch hohe interne Quanteneffizienzen aus.The entire semiconductor body is particularly preferably based on III-V semiconductor materials. Such materials are characterized by high internal quantum efficiencies.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist der Strahlungsdetektor für den sichtbaren Spektralbereich ausgebildet. Bevorzugt ist hierbei eine Mehrzahl, besonders bevorzugt sind alle, der aktiven Bereiche zum Strahlungsempfang im sichtbaren Spektralbereich vorgesehen. Es hat sich gezeigt, dass ein Strahlungsdetektor für den sichtbaren Spektralbereich mittels dreier Detektorelemente besonders effizient realisiert werden kann. Die aktiven Bereiche basieren auf dem Materialsystem InxGayAl1-x-yP, das sich durch hohe interne Quanteneffizienzen im sichtbaren Spektralbereich auszeichnet. Filterschichtstrukturen der jeweiligen Detektorelemente können auf dem Materialsystem InxGayAl1-x-yP oder InxGayAl1-x-yAs basieren. Eine Filterschichtstruktur enthält ein Material aus dem Untermaterialsystem AlxGa1-xAs, so dass es aus Gründen der Gitteranpassung für die Herstellung des Halbleiterkörpers vorteilhaft ist, dass für die auf dem Materialsystem InxGayAl1-x-yP basierenden Schichten Materialien aus dem Untermaterialsystem In0,5 (Ga1-xAlx) 0,5P gewählt sind. Die Bandlücke kann hierbei über den Al-Gehalt eingestellt werden.In a further preferred embodiment of the invention, the radiation detector is designed for the visible spectral range. A plurality, particularly preferably all, of the active regions for receiving radiation in the visible spectral range is preferably provided in this case. It has been shown that a radiation detector for the visible spectral range can be implemented particularly efficiently using three detector elements. The active areas are based on the material system In x Ga y Al 1-xy P, which is characterized by high internal quantum efficiencies in the visible spectral range. Filter layer structures of the respective detector elements can be based on the material system In x Ga y Al 1-xy P or In x Ga y Al 1-xy As. A filter layer structure contains a material from the sub-material system Al x Ga 1-x As, so that it is advantageous for reasons of lattice matching for the production of the semiconductor body that the layers based on the material system In x Ga y Al 1-xy P materials from the sub-material system In 0.5 (Ga 1-x Al x ) 0.5 P are selected. The band gap can be adjusted via the Al content.

Insgesamt kann ein Strahlungsdetektor realisiert werden, der einen zusammenhängenden Wellenlängenbereich der Länge 280 nm, etwa von 400 nm bis 680 nm, überdeckt. Besonders bevorzugt überdeckt der Strahlungsdetektor einen zusammenhängenden Wellenlängenbereich von 430 bis 650 nm.Overall, a radiation detector can be implemented that covers a continuous wavelength range with a length of 280 nm, for example from 400 nm to 680 nm. The radiation detector particularly preferably covers a continuous wavelength range from 430 to 650 nm.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung sind die Detektorelemente, insbesondere jeweils, zur Detektion verschiedenfarbiger Strahlungen ausgebildet. Beispielsweise umfasst der Strahlungsdetektor drei Detektorelemente, die zur Detektion von Strahlung im blauen, grünen beziehungsweise roten Spektralbereich ausgebildet sind.In a further preferred embodiment of the invention, the detector elements are designed, in particular in each case, for the detection of radiation of different colors. For example, the radiation detector includes three detector elements that are designed to detect radiation in the blue, green, or red spectral range.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist der Strahlungsdetektor zur Bestimmung von spektralen Farbanteilen in der vom Strahlungsdetektor zu empfangenden Strahlung ausgebildet. Durch Abgreifen der Signale an den verschiedenen Detektorelementen, die mit Vorzug verschiedenen Farben zugeordnet sind, kann Aufschluss über die spektralen Farbanteile in der auf den Strahlungsdetektor einfallenden Strahlung gewonnen werden.In an advantageous development of the invention, the radiation detector is designed to determine spectral color components in the radiation to be received by the radiation detector. By tapping the signals at the various detector elements, which are preferably assigned to different colors, information about the spectral color components in the radiation incident on the radiation detector can be obtained.

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist der Strahlungsdetektor zur Bestimmung des Farbeindrucks, etwa des Farborts und/oder der Farbtemperatur, der einfallenden Strahlung ausgebildet. Der Farbort wird üblicherweise durch die Farbkoordinaten (x und y) im CIE-Diagramm angegeben. Enthält die einfallende Strahlung beispielsweise in erhöhtem Maße blaue Anteile, so wird im zugeordneten Detektorelement ein dementsprechend hohes Signal erzeugt, während in den Detektorelementen für den roten und grünen Spektralbereich entsprechend geringe Signale erzeugt werden. Durch Vergleich der drei unabhängigen Signale kann demgemäß Aufschluss über den Farbort der einfallenden Strahlung gewonnen werden.In a further preferred embodiment of the invention, the radiation detector is designed to determine the color impression, for example the color locus and/or the color temperature, of the incident radiation. The color location is usually given by the color coordinates (x and y) in the CIE diagram. If the incident radiation contains, for example, an increased amount of blue components, a correspondingly high signal is generated in the associated detector element, while correspondingly low signals are generated in the detector elements for the red and green spectral range. Accordingly, by comparing the three independent signals, information about the color locus of the incident radiation can be obtained.

Weitere bevorzugte Ausgestaltungen, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung der folgenden Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.Further preferred configurations, advantages and expediencies of the invention result from the description of the following exemplary embodiments in conjunction with the figures.

Es zeigen:

  • 1 ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors anhand einer schematischen Schnittansicht,
  • 2 eine qualitative Darstellung der spektralen Empfindlichkeitsverteilung eines erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel,
  • 3 ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors anhand einer schematischen Schnittansicht und
  • 4 eine Simulation der spektralen Empfindlichkeitsverteilung des Strahlungsdetektors gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel.
Show it:
  • 1 a first exemplary embodiment of a radiation detector according to the invention based on a schematic sectional view,
  • 2 a qualitative representation of the spectral sensitivity distribution of a radiation detector according to the invention according to the first embodiment,
  • 3 a second embodiment of a radiation detector according to the invention based on a schematic sectional view and
  • 4 a simulation of the spectral sensitivity distribution of the radiation detector according to the second embodiment.

Gleiche, gleichartige und gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen.Identical, similar and equivalent elements are provided with the same reference symbols in the figures.

In 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors anhand einer Schnittansicht schematisch dargestellt.In 1 an exemplary embodiment of a radiation detector according to the invention is shown schematically using a sectional view.

Der Strahlungsdetektor weist in diesem Ausführungsbeispiel ein erstes Detektorelement 1 mit einem ersten aktiven Bereich 14, ein zweites Detektorelement 2 mit einem zweiten aktiven Bereich 24 und ein drittes Detektorelement 3 mit einem dritten aktiven Bereich 34 auf, die jeweils zum Strahlungsempfang und zur Signalerzeugung vorgesehen und monolithisch in einen gemeinsamen Halbleiterkörper 5 integriert sind. Beispielsweise ist der Halbleiterkörper hierfür epitaktisch auf einem geeigneten Epitaxiesubstrat gewachsen. Die Detektorelemente sind vertikal zu einer lateralen Haupterstreckungsrichtung der aktiven Bereiche übereinander angeordnet. Das erste Detektorelement 1 ist für sichtbare Strahlung teilweise durchlässig, so dass sichtbare Strahlung, die durch das erste Detektorelement hindurchtritt, im zweiten oder dritten Detektorelement ein Signal erzeugt.In this exemplary embodiment, the radiation detector has a first detector element 1 with a first active region 14, a second detector element 2 with a second active region 24 and a third detector element 3 with a third active region 34, each of which is provided for receiving radiation and generating signals and is monolithic are integrated in a common semiconductor body 5. For example, the semiconductor body is grown epitaxially on a suitable epitaxial substrate for this purpose. The detector elements are arranged one above the other vertically to a lateral main extension direction of the active regions. The first detector element 1 is partially transparent to visible radiation, so that visible radiation which passes through the first detector element generates a signal in the second or third detector element.

Von einer Strahlungseintrittsseite 6 her auf den Halbleiterkörper 5 auftreffende Strahlung 7 wird im aktiven Bereich 14 des ersten Detektorelements 1 entsprechend einer Bandlücke einer Funktionsschicht des aktiven Bereichs teilweise absorbiert, falls die einfallende Strahlung spektrale Anteile im Bereich der Bandlücke der Funktionsschicht aufweist. Entsprechend werden im zweiten 2 und/oder dritten 3 Detektorelement Anteile aus der durch das erste Detektorelement transmittierten Strahlung absorbiert.Radiation 7 impinging on the semiconductor body 5 from a radiation entry side 6 is partially absorbed in the active region 14 of the first detector element 1 according to a band gap of a functional layer of the active region if the incident radiation has spectral components in the region of the band gap of the functional layer. Correspondingly, portions of the radiation transmitted through the first detector element are absorbed in the second 2 and/or third 3 detector element.

Die durch die Absorption in den voneinander beabstandeten aktiven Bereichen erzeugten Elektron-Loch-Paare liefern Signale, die an verschiedenen Detektorelementen gleichzeitig und getrennt voneinander abgegriffen werden können.The electron-hole pairs generated by the absorption in the active areas spaced apart from one another deliver signals which can be picked up simultaneously and separately from one another at different detector elements.

Die aktiven Bereiche 14, 24 bzw. 34 der Detektorelemente sind bevorzugt jeweils zwischen einer Barriereschicht 15, 25 bzw. 35 und einer Gegenbarriereschicht 16, 26 bzw. 36, die für verschiedene Detektorelemente bevorzugt gleiche Zusammensetzungen aufweisen, angeordnet. Barriere- und Gegenbarriereschicht eines Detektorelements weisen weiterhin bevorzugt unterschiedliche Leitungstypen (n-leitend oder p-leitend) auf und rufen jeweils eine Raumladungszone des Detektorelements hervor, in der der aktive Bereich des Detektorelements angeordnet ist. Mit Vorzug tragen im wesentlichen nur in der Raumladungszone eines Detektorelements generierte Elektron-Loch-Paare zum Signal dieses Detektorelements bei.The active areas 14, 24 or 34 of the detector elements are preferably arranged between a barrier layer 15, 25 or 35 and a counter-barrier layer 16, 26 or 36, which preferably have the same compositions for different detector elements. Barrier and counter-barrier layers of a detector element also preferably have different conductivity types (n-conducting or p-conducting) and each produce a space charge zone of the detector element in which the active region of the detector element is arranged. Preferably, essentially only electron-hole pairs generated in the space charge zone of a detector element contribute to the signal of this detector element.

Der Halbleiterkörper 5 ist auf einem Träger 8 angeordnet, der den Halbleiterkörper mechanisch stabilisiert. Der Träger kann das Epitaxiesubstrat des Halbleiterkörpers 5 umfassen oder von diesem verschieden sein. Ist der Träger vom Epitaxiesubstrat verschieden, wird der Halbleiterkörper zweckmäßigerweise nach beendeter Epitaxie auf der dem Epitaxiesubstrat abgewandten Seite auf dem Träger befestigt. Nachfolgend kann das Epitaxiesubstrat entfernt werden. Gegebenenfalls kann auf die dem Epitaxiesubstrat abgewandten Seite des Halbleiterkörpers vor der Anordnung auf dem Träger noch eine, beispielsweise metallhaltige, Spiegelschicht auf den Träger aufgebracht werden. Ein derartiger Träger kann im Gegensatz zu einem Epitaxiesubstrat, das hohen Anforderungen, etwa bezüglich der Kristallstruktur genügen muss, vergleichsweise frei gewählt werden.The semiconductor body 5 is arranged on a carrier 8 which mechanically stabilizes the semiconductor body. The carrier can comprise the epitaxial substrate of the semiconductor body 5 or be different from it. If the carrier differs from the epitaxial substrate, the semiconductor body is expediently fastened to the carrier on the side facing away from the epitaxial substrate after the epitaxy has ended. Subsequently, the epitaxial substrate can be removed. If appropriate, another mirror layer, for example one containing metal, can be applied to the side of the semiconductor body facing away from the epitaxial substrate before it is arranged on the carrier. In contrast to an epitaxial substrate, which has to meet high requirements, for example with regard to the crystal structure, such a carrier can be chosen comparatively freely.

Ein derartiger Strahlungsdetektor kann kostengünstig, auf einfache Weise hergestellt werden und weist einen vorteilhaft geringen Platzbedarf auf.Such a radiation detector can be produced inexpensively, in a simple manner and advantageously requires little space.

Die Detektorelemente sind insbesondere als voneinander unabhängige Einzeldetektoren betreibbar, die zweckmäßigerweise zur Detektion von Strahlung in verschiedenen Wellenlängenbereichen ausgebildet sind. Die Detektorelemente sind übereinander in einem Halbleiterchip (Halbleiterkörper auf dem Träger) integriert.The detector elements can be operated in particular as individual detectors that are independent of one another and are expediently designed to detect radiation in different wavelength ranges. The detector elements are integrated one above the other in a semiconductor chip (semiconductor body on the carrier).

Zur elektrischen Kontaktierung des Strahlungsdetektors ist jedem der Detektorelemente eine Kontaktschicht und eine Gegenkontaktschicht zugeordnet, über die das im Detektorelement erzeugte Signal getrennt von den übrigen Detektorelementen erfasst werden kann. Die Kontakt- und/oder die Gegenkontaktschicht ist(sind) vorzugsweise im Halbleiterkörper monolithisch integriert. Weiterhin weisen Kontakt- und Gegenkontaktschicht bevorzugt unterschiedliche Leitungstypen auf.For electrical contacting of the radiation detector, each of the detector elements is assigned a contact layer and a counter-contact layer, via which the signal generated in the detector element can be detected separately from the other detector elements. The contact and/or counter-contact layer is (are) preferably monolithically integrated in the semiconductor body. Furthermore, the contact and counter-contact layers preferably have different conductivity types.

Im Ausführungsbeispiel gemäß 1 sind dem ersten Detektorelement 1 eine erste Kontaktschicht 11 und eine erste Gegenkontaktschicht 212 zugeordnet, die im Halbleiterkörper monolithisch integriert sind und zwischen denen das Detektorelement 1 angeordnet ist.In the embodiment according to 1 A first contact layer 11 and a first counter-contact layer 212 are assigned to the first detector element 1, which are monolithically integrated in the semiconductor body and between which the detector element 1 is arranged.

Die erste Gegenkontaktschicht 212 ist mit Vorteil zugleich als Gegenkontaktschicht für das zweite Detektorelement 2 ausgebildet, das zwischen der ersten Gegenkontaktschicht 212 und der zweiten Kontaktschicht 123, welche ebenfalls monolithisch im Halbleiterkörper integriert ist, angeordnet ist. Das dritte Detektorelement 3 ist zwischen der zweiten Kontaktschicht 123 und einer zweiten Gegenkontaktschicht 23 angeordnet. Die zweite Gegenkontaktschicht 23 ist zweckmäßigerweise durch den Träger 8 gegeben. Die benachbarten Detektorelemente 1 und 2 bzw. zwei und drei weisen demnach eine gemeinsame Gegenkontaktschicht 212 bzw. eine gemeinsame Kontaktschicht 123 auf.The first counter-contact layer 212 is advantageously designed at the same time as a counter-contact layer for the second detector element 2, which is arranged between the first counter-contact layer 212 and the second contact layer 123, which is also monolithically integrated in the semiconductor body. The third detector element 3 is arranged between the second contact layer 123 and a second counter-contact layer 23 . The second mating contact layer 23 is expediently given by the carrier 8 . Accordingly, the adjacent detector elements 1 and 2 or two and three have a common counter-contact layer 212 or a common contact layer 123 .

Zum Ausbilden gemeinsamer (Gegen)Kontaktschichten ist es zweckmäßig, dass die Leitungstypen im Halbleiterkörper in vertikaler Richtung an einem aktiven Bereich wechseln und/oder zwischen zwei benachbarten aktiven Bereichen gleich sind. Vorzugsweise sind Halbleiterbereiche 41 vom ersten Leitungstyp und Halbleiterbereiche 42 vom zweiten Leitungstyp. Dient der Träger 8 der Kontaktierung des Strahlungsdetektors und enthält ein Halbleitermaterial, so ist er zweckmäßigerweise entsprechend dem Leitungstyp des angrenzenden Halbleiterbereichs dotiert.In order to form common (opposite) contact layers, it is expedient for the line types in the semiconductor body to change in the vertical direction at an active area and/or to be the same between two adjacent active areas. Preferably, semiconductor regions 41 are of the first conductivity type and semiconductor regions 42 are of the second conductivity type. If the carrier 8 is used for contacting the radiation detector and contains a semiconductor material, then it is expediently doped in accordance with the conductivity type of the adjoining semiconductor region.

Über mit den jeweiligen Kontakt- beziehungsweise Gegenkontaktschichten verbundene Anschlüsse 31, 312, 323 und 33, beispielsweise jeweils ein Metall oder eine Legierung enthaltend, die mit den entsprechenden aktiven Bereichen über die Kontaktschichten beziehungsweise Gegenkontaktschichten elektrisch leitend verbunden sind, kann das in den aktiven Bereichen erzeugte Signal erfasst und weiter verarbeitet werden.Via terminals 31, 312, 323 and 33 connected to the respective contact or counter-contact layers, for example each containing a metal or an alloy, which are electrically conductively connected to the corresponding active areas via the contact layers or counter-contact layers, the generated in the active areas Signal can be recorded and further processed.

Ein im ersten aktiven Bereich 14 erzeugte Signal I1 wird über die Anschlüsse 31 und 312, ein im zweiten aktiven Bereich 24 erzeugte Signal I2 über die Anschlüsse 312 und 323 und ein im dritten aktiven Bereich 34 erzeugte Signal I3 über die Anschlüsse 323 und 33 erfasst.A signal I 1 generated in the first active area 14 is applied via the terminals 31 and 312, a signal I 2 generated in the second active area 24 via the terminals 312 and 323 and a signal I 3 generated in the third active area 34 via the terminals 323 and 323 33 recorded.

Die laterale Ausdehnung der Detektorelemente, insbesondere der aktiven Bereiche, nimmt bevorzugt in vertikaler Richtung von der Strahlungseintrittseite 6 aus gesehen zu. Die Anordnung der Anschlüsse auf den entsprechenden Kontaktbeziehungsweise Gegenkontaktschichten wird so erleichtert. Beispielsweise kann ein derartiger Verlauf durch eine treppenartige Struktur, wie in 1 schematisch gezeigt, realisiert werden. Derartige Strukturen können aus einem unstrukturierten Halbleitergrundkörper beispielsweise mittels naßchemischem Ätzen oder selektivem Ätzen erzeugt werden.The lateral extent of the detector elements, in particular of the active regions, preferably increases in the vertical direction as viewed from the radiation entry side 6 . This facilitates the arrangement of the connections on the corresponding contact or counter-contact layers. For example, such a course can be created by a stair-like structure, as in 1 shown schematically, can be realized. Structures of this type can be produced from an unstructured semiconductor base body, for example by means of wet-chemical etching or selective etching.

Die Detektorelemente können gegebenenfalls auch mit separaten Kontakt- und Gegenkontaktschichten versehen werden, wobei die Höhe des Strahlungsdetektors dementsprechend vergrößert würde.If necessary, the detector elements can also be provided with separate contact and counter-contact layers, in which case the height of the radiation detector would be increased accordingly.

Die Detektorelemente 1, 2 und 3 des Strahlungsdetektors sind mit Vorzug zur Detektion von Strahlung in verschiedenen Wellenlängenbereichen ausgebildet. Das erste Detektorelement 1 ist etwa zur Detektion von Strahlung 71 in einem ersten Wellenlängenbereich, das zweite Detektorelement 2 zur Detektion von Strahlung 72 in einem zweiten Wellenlängenbereich und das dritte Detektorelement zur Detektion von Strahlung 73 in einem dritten Wellenlängenbereich ausgebildet.The detector elements 1, 2 and 3 of the radiation detector are preferably designed to detect radiation in different wavelength ranges. The first detector element 1 is designed to detect radiation 71 in a first wavelength range, the second detector element 2 to detect radiation 72 in a second wavelength range and the third detector element to detect radiation 73 in a third wavelength range.

Die Detektorelemente 1, 2 bzw. 3 weisen jeweils eine spektrale Empfindlichkeitsverteilung mit einem Maximum bei einer Maximalwellenlänge λ1, λ2 bzw. λ3 auf. Die Detektorelemente sind bevorzugt derart angeordnet , dass die Maximalwellenlängen in vertikaler Richtung von der Strahlungseintrittseite 6 aus gesehen mit wachsender Entfernung der Detektorelemente von der Strahlungseintrittsseite zunehmen, d.h. λ1 < λ2 < λ3 ist. Das strahlungseintrittsseitige erste Detektorelement 1 ist somit für kurzwelligere Strahlung besonders empfindlich, während das von der Strahlungseintrittseite am weitesten entfernte dritte Detektorelement 3 für längerwellige Strahlung besonders empfindlich ist. Das mittlere zweite Detektorelement 2 ist für Wellenlängen zwischen λ1 und λ3 besonders empfindlich.The detector elements 1, 2 and 3 each have a spectral sensitivity distribution with a maximum at a maximum wavelength λ 1 , λ 2 and λ 3 . The detector elements are preferably arranged in such a way that the maximum wavelengths increase in the vertical direction from the radiation entry side 6 as the distance between the detector elements and the radiation entry side increases, ie λ 1 <λ 2 <λ 3 . The first detector element 1 on the radiation entry side is thus particularly sensitive to shorter-wave radiation, while the third detector element 3, which is furthest away from the radiation entry side, is particularly sensitive to longer-wave radiation. The central second detector element 2 is particularly sensitive to wavelengths between λ 1 and λ 3 .

Aus den einzelnen spektralen Empfindlichkeitsverteilungen der Detektorelemente 1, 2 und 3 ergibt sich die in 2 qualitativ dargestellte Empfindlichkeitsverteilung des Strahlungsdetektors. In 2 ist qualitativ die Responsivität R (der im Detektorelement erzeugte Photostrom bezogen auf die auf den Strahlungsdetektor einfallende Strahlungsleistung) der Detektorelemente 1, 2 und 3 in Abhängigkeit von der Wellenlänge A der einfallenden Strahlung dargestellt. Die spektralen Empfindlichkeitsverteilungen 100 des ersten Detektorelements 1, 200 des zweiten Detektorelements 2 und 300 des dritten Detektorelements 3 überlappen hierbei paarweise, so dass der Strahlungsdetektor über einen breiten zusammenhängenden Wellenlängenbereich empfindlich ist, wobei eine Empfindlichkeitsverteilung vorzugsweise nur mit Empfindlichkeitsverteilung(en) mit der (den) nächstliegenden Maximalwellenlänge(n) überlappt. Die Verteilungen 100 und 300 sind mit Vorzug überlappfrei.The individual spectral sensitivity distributions of the detector elements 1, 2 and 3 result in 2 Qualitatively presented sensitivity distribution of the radiation detector. In 2 The responsiveness R (the photocurrent generated in the detector element in relation to the radiation power incident on the radiation detector) of the detector elements 1, 2 and 3 is shown qualitatively as a function of the wavelength A of the incident radiation. The spectral sensitivity distributions 100 of the first detector element 1, 200 of the second detector element 2 and 300 of the third detector element 3 overlap here in pairs, so that the radiation detector is sensitive over a broad continuous wavelength range, with a sensitivity distribution preferably only having sensitivity distribution(s) with the (the ) nearest maximum wavelength(s). The distributions 100 and 300 are preferably non-overlapping.

Die einzelnen Empfindlichkeitsverteilungen weisen jeweils eine kurzwellige Grenzwellenlänge λK,i und eine langwellige Grenzwellenlänge λG,i (i = 1, 2 bzw. 3) auf, die den zusammenhängenden Empfindlichkeitsbereich des entsprechenden Detektorelements begrenzen. Um den vom Strahlungsdetektor überdeckten zusammenhängenden breiten Wellenlängenbereich, der von λK,1 bis λG,3 reicht, nicht unnötig zu schmälern sind die Detektorelemente zweckmäßigerweise so aufeinander abgestimmt, dass der Überlapp zwischen zwei Empfindlichkeitsverteilungen vergleichsweise gering ist.The individual sensitivity distributions each have a short-wave limit wavelength λ K,i and a long-wave limit wavelength λ G,i (i=1, 2 or 3), which delimit the coherent sensitivity range of the corresponding detector element. In order not to unnecessarily narrow the coherent broad wavelength range covered by the radiation detector, which ranges from λ K,1 to λ G,3 , the detector elements are expediently matched to one another in such a way that the overlap between two sensitivity distributions is comparatively small.

Beispielsweise sind die Detektorelemente derart aufeinander abgestimmt, dass sich zwei überlappende Empfindlichkeitsverteilungen bei einem Empfindlichkeitswert schneiden, der kleiner als der halbe Wert des Maximums bei der Maximalwellenlänge, vorzugsweise kleiner als beide halben Maximalwerte, der sich überlappenden Empfindlichkeitsverteilungen ist.For example, the detector elements are matched to one another in such a way that two overlapping sensitivity distributions intersect at a sensitivity value that is less than half the value of the maximum at the maximum wavelength, preferably less than both half maximum values, of the overlapping sensitivity distributions.

Weiterhin sind die Detektorelemente vorzugsweise derart aufeinander abgestimmt, dass sie, wie in 2 gezeigt, im wesentlichen gleiche Maximalwerte RM und/oder im wesentlichen gleiche spektrale Breiten (volle Breite auf halber Höhe) 103, 203 bzw. 303 aufweisen. Ferner sind die Differenzen von Maximalwellenlängen verschiedener benachbarter Empfindlichkeitsverteilungen vorzugsweise im wesentlichen gleich. Hierdurch kann insgesamt eine gleichförmige Überdeckung des Empfindlichkeitsbereichs des Strahlungsdetektors mittels der Verteilungen der einzelnen Detektorelemente erzielt werden. Außerdem wird der Vergleich in verschiedenen Detektorelementen erzeugter Signale, etwa zur Bestimmung spektraler Anteile in der Strahlung 7, vorteilhaft erleichtert.Furthermore, the detector elements are preferably matched to one another in such a way that, as in 2 shown, essentially the same maximum values R M and/or essentially the same spectral widths (full width half height) 103, 203 and 303 respectively. Furthermore, the differences in maximum wavelengths of different adjacent sensitivity distributions are preferably essentially the same. As a result, an overall uniform coverage of the sensitivity range of the radiation detector can be achieved by means of the distributions of the individual detector elements. In addition, the comparison of signals generated in different detector elements, for example for determining spectral components in the radiation 7, is advantageously simplified.

Die Maximalwerte der spektralen Empfindlichkeitsverteilungen der Detektorelemente können relativ zueinander über geeignete Wahl der Dicken der aktiven Bereiche bzw. der Funktionsschichten im aktiven Bereich variiert werden. Je dicker der aktive Bereich ist, desto höher ist in der Regel der in diesem absorbierte Strahlungsanteil der einfallenden Strahlung und desto höher ist in der Regel die resultierende Responsivität.The maximum values of the spectral sensitivity distributions of the detector elements can be varied relative to one another by suitably selecting the thicknesses of the active areas or the functional layers in the active area. The thicker the active area, the higher the radiation component of the incident radiation that is absorbed in this area, and the higher the resulting responsiveness.

Wenigstens einem Detektorelement ist, bevorzugt ist den Detektorelementen jeweils strahlungseintrittsseitig eine Filterschichtstruktur nachgeordnet, die wenigstens eine Filterschicht umfasst und Strahlung in einem zusammenhängenden Wellenlängenbereich absorbiert, der Wellenlängen kleiner der Maximalwellenlänge des Detektorelements umfasst. Auf diese Weise kann die kurzwellige Seite der spektralen Empfindlichkeitsverteilungen der Detektorelemente, in 2 mit den Bezugszeichen 101, 201 bzw. 301 versehen, gezielt geformt werden. Insbesondere können die spektralen Breiten der Empfindlichkeitsverteilungen der Detektorelemente und/oder die Verläufe der kurzwelligen Seiten einander angeglichen werden, sodass der Vergleich in verschiedenen Detektorelementen erzeugter Signale miteinander erleichtert wird. Mit besonderem Vorteil können die Filterschichtstrukturen für die jeweiligen Detektorelemente im Halbleiterkörper monolithisch integriert sein.At least one detector element is preferably a filter layer structure downstream of the detector elements on the radiation entry side, which includes at least one filter layer and absorbs radiation in a coherent wavelength range that includes wavelengths smaller than the maximum wavelength of the detector element. In this way, the short-wavelength side of the spectral sensitivity distributions of the detector elements, in 2 provided with the reference numerals 101, 201 and 301, respectively, can be selectively formed. In particular, the spectral widths of the sensitivity distributions of the detector elements and/or the curves of the short-wave sides can be matched to one another, so that it is easier to compare signals generated in different detector elements with one another. The filter layer structures for the respective detector elements can be monolithically integrated in the semiconductor body with particular advantage.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist die strahlungseintrittsseitig angeordnete Kontakt- bzw. Gegenkontaktschicht des jeweiligen Detektorelements als Filterschicht ausgebildet. Eine einem Detektorelement zugeordnete Filterschicht ist weiterhin bevorzugt zwischen dem aktiven Bereich dieses Detektorelements und einem weiteren dem Detektorelement strahlungseintrittsseitig nachgeordneten Detektorelement angeordnet.In an advantageous development of the invention, the contact or counter-contact layer of the respective detector element arranged on the radiation entry side is designed as a filter layer. A filter layer assigned to a detector element is also preferably arranged between the active region of this detector element and a further detector element arranged downstream of the detector element on the radiation entry side.

Die erste Kontaktschicht 11 absorbiert als Filterschicht für das erste Detektorelement 1 demnach vorzugsweise im Wellenlängenbereich kleiner λ1, die erste Gegenkontaktschicht 212 als Filterschicht für das zweite Detektorelement 2 im Wellenlängenbereich kleiner λ2, vorzugsweise zwischen λ1 und λ2, und die zweite Kontaktschicht 123 als Filterschicht für das dritte Detektorelement 3 im Wellenlängenbereich kleiner λ3, vorzugsweise zwischen λ2 und λ3.The first contact layer 11 as a filter layer for the first detector element 1 therefore preferably absorbs in the wavelength range smaller than λ 1 , the first counter-contact layer 212 as a filter layer for the second detector element 2 in the wavelength range smaller than λ 2 , preferably between λ 1 and λ 2 , and the second contact layer 123 as a filter layer for the third detector element 3 in the wavelength range smaller than λ 3 , preferably between λ 2 and λ 3 .

In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung umfasst der aktive Bereich wenigstens eines Detektorelements, vorzugsweise aller Detektorelemente, einen Funktionsbereich mit einer Mehrzahl von Funktionsschichten unterschiedlicher Bandlücken und/oder Dicken zur Signalerzeugung.In a further preferred embodiment of the invention, the active area comprises at least one detector element, preferably all detector elements, a functional area with a plurality of functional layers of different band gaps and/or thicknesses for signal generation.

Über die Ausgestaltung der Funktionsschichten kann die langwellige Seite der spektralen Empfindlichkeitsverteilung des Detektorelements für Wellenlängen größer der Maximalwellenlänge gezielt geformt werden. Hierzu absorbieren die Funktionsschichten bevorzugt Strahlung in einem, insbesondere zusammenhängenden, Wellenlängenbereich, der Wellenlängen größer der Maximalwellenlänge des Detektorelements umfasst. Die Bandlücke der jeweiligen Funktionsschicht bestimmt hierbei die Wellenlänge der absorbierten Strahlung und die Dicke die absorbierte Strahlungsleistung. Die Funktionsschichten können mit Vorteil derart ausgebildet werden, dass sich das in ihnen erzeugte Signal gemäß einer vorgegebenen spektralen Empfindlichkeitsverteilung verhält. Für Wellenlängenbereiche, in denen die spektrale Empfindlichkeitsverteilung des Detektorelements gemäß der Vorgabe vergleichsweise hohe Werte annehmen soll, ist eine Funktionsschicht vergleichsweise dick ausgebildet und es wird in ihr entsprechend der absorbierten Strahlungsleistung ein vergleichsweise hohes Signal erzeugt. Eine weitere Funktionsschicht für gemäß der Vorgabe geringe Werte der spektralen Empfindlichkeitsverteilung ist vergleichsweise dünn ausgebildet und es wird in ihr nur ein dementsprechend geringeres Signal erzeugt.The long-wavelength side of the spectral sensitivity distribution of the detector element for wavelengths greater than the maximum wavelength can be specifically shaped via the configuration of the functional layers. For this purpose, the functional layers preferably absorb radiation in one, in particular continuous, wavelength range that includes wavelengths longer than the maximum wavelength of the detector element. The band gap of the respective functional layer determines the wavelength of the absorbed radiation and the thickness determines the absorbed radiation power. The functional layers can advantageously be formed in such a way that the signal generated in them behaves according to a predetermined spectral sensitivity distribution. For wavelength ranges in which the spectral sensitivity distribution of the detector element is to assume comparatively high values according to the specification, a functional layer is made comparatively thick and a comparatively high signal is generated in it in accordance with the absorbed radiant power. A further functional layer for, according to the specification, low values of the spectral sensitivity distribution is made comparatively thin and only a correspondingly lower signal is generated in it.

Über derartige Filterschichtstrukturen und/oder Funktionsbereiche können die Empfindlichkeitsverteilungen der Detektorelemente aneinander angepasst werden. Der Vergleich von in verschiedenen Detektorelementen erzeugten Signalen kann so erleichtert werden. Über geeignete Ausbildung des Funktionsbereichs und/oder der Filterschichtstruktur kann auch gegebenenfalls eine vorteilhafte Anpassung der spektralen Breiten der einzelnen Empfindlichkeitsverteilungen aneinander erzielt werden.The sensitivity distributions of the detector elements can be matched to one another via such filter layer structures and/or functional areas. The comparison of signals generated in different detector elements can be simplified in this way. A suitable configuration of the functional area and/or the filter layer structure can also optionally result in an advantageous matching of the spectral widths of the individual sensitivity distributions to one another.

In 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Strahlungsdetektors anhand einer Schnittansicht schematisch dargestellt. Im wesentlichen entspricht der Strahlungsdetektor in 3 dem in 1 gezeigten. Im Unterschied zu 1 ist auf der dem ersten Detektorelement 1 zugewandten Seite der ersten Gegenkontaktschicht 212 eine Ätzstoppschicht 17 angeordnet und eine Filterschicht 18 auf dem dritten Detektorelement angeordnet.In 3 a further exemplary embodiment of a radiation detector according to the invention is shown schematically using a sectional view. The radiation detector in 3 the in 1 shown. In contrast to 1 an etch stop layer 17 is arranged on the side of the first counter-contact layer 212 facing the first detector element 1 and a filter layer 18 is arranged on the third detector element.

Die Ätzstoppschicht dient bevorzugt als Barriere oder Marker bei einem, etwa nasschemischen, Ätzprozess, über den der Halbleiterkörper von der dem Träger 8 gegenüberliegenden Seite her strukturiert werden kann. Wird der Halbleiterkörper mittels trockenchemischem Ätzen strukturiert, kann auf eine derartige Ätzstoppschicht gegebenenfalls verzichtet werden. Weiterhin kann auch auf der zweiten Kontaktschicht 123 eine Ätzstoppschicht angeordnet sein bzw. die zweite Kontaktschicht als Ätzstoppschicht ausgebildet sein, die als Barriere für ein verglichen mit obigem Ätzmittel gleichartiges oder vom obigen verschiedenes Ätzmittel dient.The etch stop layer preferably serves as a barrier or marker in an etching process, for example a wet-chemical one, via which the semiconductor body can be structured from the side opposite the carrier 8 . If the semiconductor body is structured by means of dry-chemical etching, such an etching stop layer can be dispensed with, if appropriate. Furthermore, an etch stop layer can also be arranged on the second contact layer 123 or the second contact layer can be formed as an etch stop layer that serves as a barrier for an etchant that is the same as or different from the above etchant.

Die Filterschicht 18 ist vorzugsweise auf der der zweiten Kontaktschicht 123 zugewandten Seite, zwischen der zweiten Kontaktschicht und dem dritten Detektorelement 3, angeordnet, und absorbiert zusätzlich zur als Filterschicht ausgebildeten zweiten Kontaktschicht 123 Wellenlängen aus der durch das zweite Detektorelement und die zweite Kontaktschicht transmittierten Strahlung. Die weiteren, im Halbleiterkörper integrierten Kontaktschichten 31 und/oder die Gegenkontaktschicht 212 sind weiterhin mit Vorzug ebenfalls als Filterschicht ausgebildet. Die zweite Kontaktschicht zeichnet sich mit Vorzug verglichen mit der Filterschicht durch besonders vorteilhafte Kontakteigenschaften zum Anschluss 323 aus.The filter layer 18 is preferably arranged on the side facing the second contact layer 123, between the second contact layer and the third detector element 3, and, in addition to the second contact layer 123 configured as a filter layer, absorbs wavelengths from the radiation transmitted through the second detector element and the second contact layer. The further contact layers 31 integrated in the semiconductor body and/or the counter-contact layer 212 are also preferably designed as a filter layer. Compared to the filter layer, the second contact layer is distinguished by particularly advantageous contact properties with respect to the connection 323 .

In 4 ist eine Simulationsrechnung der Wellenlängenabhängigkeit der Responsivität für einen Strahlungsdetektor gemäß 3, der für den sichtbaren Spektralbereich und insbesondere für verschiedenfarbige Strahlung ausgebildet ist, quantitativ gezeigt.In 4 is a simulation calculation of the wavelength dependence of the responsiveness for a radiation detector according to 3 , which is designed for the visible spectral range and in particular for radiation of different colors, shown quantitatively.

Der Halbleiterkörper 5 eines derartigen Strahlungsdetektors im sichtbaren Spektralbereich basiert auf den Materialsystemen InxGayAl1-x-yP und InxGayAl1-x-yAs, die sich durch gute Epitaxieeigenschaften und vereinfacht erreichbare hohe Quanteneffizienzen im sichtbaren Spektralbereich auszeichnen. Besonders bevorzugt basiert der Halbleiterkörper auf den Materialsystemen In0,5 (Ga1-xAlx) 0,5P und AlxGa1-xAs, die sich durch gute Gitteranpassung auszeichnen. Dementsprechend können qualitativ hochwertige Schichten aus diesen Materialsystemen vereinfacht epitaktisch aufeinander gewachsen werden. Die Bandlücken von Funktionsschichten im aktiven Bereich, die auf dem Materialsystem In0,5 (Ga1-xAlx) 0,5P basieren, können über den Al-Gehalt eingestellt werden.The semiconductor body 5 of such a radiation detector in the visible spectral range is based on the material systems InxGayAl1 -xyP and InxGayAl1- xyAs , which are characterized by good epitaxial properties and high quantum efficiencies that can be achieved in a simplified manner in the visible spectral range. The semiconductor body is particularly preferably based on the material systems In 0.5 (Ga 1-x Al x ) 0.5 P and Al x Ga 1-x As, which are characterized by good lattice matching. Accordingly, high-quality layers of these material systems can be grown epitaxially on top of one another in a simplified manner. The band gaps of functional layers in the active area, which are based on the In 0.5 (Ga 1-x Al x ) 0.5 P material system, can be adjusted via the Al content.

Hierbei wurden der Simulation Daten zugrunde gelegt, die den folgenden, nacheinander, in der der Tabelle entsprechenden Reihenfolge, auf einem n-leitenden GaAs Träger 8, der das Epitaxiesubstrat bildet, epitaktisch gewachsenen Elemente des Halbleiterkörpers entsprechen. Es bezeichnet D die Dicke, EG die für die Absorption maßgebliche Bandlücke und λG die dieser Bandlücke entsprechende Wellenlänge. Material D [nm] ≈ EG [eV] ≈ λG [nm] ≈ Leitungstyp/Dotierung Geaenbarriereschicht 36 In0,5Al0,5P 500 2,52 492 n-leitend dritter aktiver Bereich 34 In0,5(Ga0,8Al0,2)0,5P 1000 2,02 614 intrinsisch Barriereschicht 35 In0,5Al0,5P 300 2,52 492 p-leitend Filterschicht 18 In0,5(Ga0,6Al0,4)0,5P 200 2,15 577 p-leitend zweite Kontaktschicht 123 Al0,5Ga0,5As 200 2,00 620 p-leitend/ z.B. Al0,5Ga0,5As: C Barriereschicht 25 In0,5Al0,5P 300 2,52 492 p-leitend zweiter aktiver Bereich 24 In0,5(Ga0,5Al0,5)0,5P 1400 2,22 559 intrinsisch Geaenbarriereschicht 26 In0,5Al0,5P 300 2,52 492 n-leitend erste Gegenkontaktschicht 212 In0,5 (Ga0,35Al0,65)0,5P 150 2,31 538 n-leitend/ z.B. In0,5(Ga0,35Al0,65)0,5P:Te Ätzstoppschicht 17 Al0,7Ga0,3As 50 2,05 605 n-leitend Geaenbarriereschicht 16 In0,5Al0,5P 300 2,52 492 n-leitend erster aktiver Bereich 14 In0,5(Ga0,2Al0,8)0,5P 600 2,40 517 Intrinsisch Barriereschicht 15 In0,5Al0,5P 300 2,52 492 p-leitend erste Kontaktschicht 11 GaP 100 2,73 454 p-leitend/ z.B. GaP:Mg In this case, the simulation was based on data which correspond to the following elements of the semiconductor body which were grown epitaxially one after the other in the order corresponding to the table on an n-conducting GaAs carrier 8 which forms the epitaxial substrate. D denotes the thickness, E G the band gap decisive for the absorption and λ G the wavelength corresponding to this band gap. material D [nm] ≈ E G [eV] ≈ λ G [nm] ≈ line type/doping Geaen barrier layer 36 In 0.5 Al 0.5 P 500 2.52 492 n-type third active area 34 In 0.5 (Ga 0.8 Al 0.2 ) 0.5 P 1000 2.02 614 intrinsic barrier layer 35 In 0.5 Al 0.5 P 300 2.52 492 p-type Filter layer 18 In 0.5 (Ga 0.6 Al 0.4 ) 0.5 P 200 2:15 577 p-type second contact layer 123 Al 0.5 Ga 0.5 As 200 2.00 620 p-conducting/ e.g. Al 0.5 Ga 0.5 As: C barrier layer 25 In 0.5 Al 0.5 P 300 2.52 492 p-type second active area 24 In 0.5 (Ga 0.5 Al 0.5 ) 0.5 P 1400 2.22 559 intrinsic Geaen barrier layer 26 In 0.5 Al 0.5 P 300 2.52 492 n-type first mating contact layer 212 In 0.5 (Ga 0.35 Al 0.65 ) 0.5 P 150 2:31 538 n-conducting/ e.g. In 0.5 (Ga 0.35 Al 0.65 ) 0.5 P:Te Etch stop layer 17 Al 0.7 Ga 0.3 As 50 2.05 605 n-type Geaen barrier layer 16 In 0.5 Al 0.5 P 300 2.52 492 n-type first active area 14 In 0.5 (Ga 0.2 Al 0.8 ) 0.5 P 600 2.40 517 intrinsic barrier layer 15 In 0.5 Al 0.5 P 300 2.52 492 p-type first contact layer 11 GaP 100 2.73 454 p-conducting/ e.g. GaP:Mg

Die aktiven Bereiche 14, 24 und 34 sind zur Detektion verschiedenfarbiger Strahlungen ausgebildet. Der erste aktive Bereich 14 ist für blaue, der zweite aktive Bereich 24 für grüne und der dritte aktive Bereich 34 für rote Strahlung ausgebildet. Die Maximalwellenlängen λ1 ≈ 490 nm, λ2 ≈ 553 nm bzw. λ3 ≈ 615 nm der aus einer derartigen Struktur resultierenden Empfindlichkeitsverteilungen 100, 200 bzw. 300 der Detektorelemente liegen in den entsprechenden Spektralbereichen. Aufgrund der getrennten Abgreifbarkeit der Signale an verschiedenen Detektorelementen können spektrale Farbanteile, und gegebenenfalls der Farbort oder die Farbtemperatur, der auf den Strahlungsdetektor einfallenden Strahlung 7, ermittelt werden.The active regions 14, 24 and 34 are designed to detect radiation of different colors. The first active area 14 is designed for blue radiation, the second active area 24 for green radiation and the third active area 34 for red radiation. The maximum wavelengths λ 1 ≈490 nm, λ 2 ≈553 nm and λ 3 ≈615 nm of the sensitivity distributions 100, 200 and 300 of the detector elements resulting from such a structure lie in the corresponding spectral ranges. Due to the fact that the signals can be picked up separately at different detector elements, spectral color components and, if necessary, the color locus or the color temperature of the radiation 7 incident on the radiation detector can be determined.

Die Filterschichtstruktur zur Formung der kurzwelligen Seite der Empfindlichkeitsverteilung des ersten Detektorelements umfasst hierbei die erste Kontaktschicht 11 und die Barriereschicht 15, die als Filterschichten mit geeigneten Bandlücken und Dicken ausgeführt sind. Die Filterschichtstruktur des zweiten Detektorelements umfasst die erste Gegenkontaktschicht 212 und die Filterschichtstruktur für das dritte Detektorelement im wesentlichen die Filterschicht 18. Die zweite Kontaktschicht 123 ist zur effizienten elektrischen Kontaktbildung zum zweiten und dritten Detektorelement und zugleich als Ätzstoppschicht ausgebildet. Die aktiven Bereiche 14, 24 und 34 umfassen jeweils eine einzelne Funktionsschicht.The filter layer structure for shaping the short-wave side of the sensitivity distribution of the first detector element includes the first contact layer 11 and the barrier layer 15, which are designed as filter layers with suitable band gaps and thicknesses. The filter layer structure of the second detector element comprises the first mating contact layer 212 and the filter layer structure for the third detector element essentially the filter layer 18. The second contact layer 123 is designed for efficient electrical contact to the second and third detector element and at the same time as an etch stop layer. The active regions 14, 24 and 34 each comprise a single functional layer.

Es sei angemerkt, dass die kurwellige Seite der Empfindlichkeitsverteilung eines beliebigen Detektorelements gegebenenfalls auch durch diesem Detektorelement strahlungseintrittsseitig nachgeordnete Strukturen, die Wellenlängen kleiner der Maximalwellenlängen des Detektorelements absorbieren, etwa einem weiteren Detektorelement und/oder der diesem zugeordneten Filterschichtstruktur beeinflusst und dementsprechend geformt wird. Eine dem beliebigen Detektorelement strahlungseintrittsseitig direkt nachgeordnete Filterschichtstruktur übernimmt jedoch mit Vorzug den Großteil der Formung der kurzwelligen Seite der Empfindlichkeitsverteilung dieses Detektorelements.It should be noted that the short-wavelength side of the sensitivity distribution of any detector element may also be influenced by structures downstream of this detector element on the radiation entry side, which absorb wavelengths smaller than the maximum wavelengths of the detector element, such as another detector element and/or the filter layer structure assigned to it, and is shaped accordingly. However, a filter layer structure which is arranged directly downstream of any detector element on the radiation entry side preferably assumes the majority of the shaping of the short-wave side of the sensitivity distribution of this detector element.

Der Strahlungsdetektor ist für Wellenlängen von ungefähr 400 nm bis ungefähr 680 nm empfindlich und überdeckt somit im wesentlichen den gesamten sichtbaren Spektralbereich, wenn man von den fernen Rotanteilen mit Wellenlängen zwischen etwa 680 nm und 700 nm absieht. Die spektralen Breiten 103, 203 bzw. 303 der Empfindlichkeitsverteilungen liegen zwischen ungefähr 40 und ungefähr 50 nm.The radiation detector is sensitive to wavelengths from approximately 400 nm to approximately 680 nm and thus essentially covers the entire visible spectral range, apart from the far red components with wavelengths between approximately 680 nm and 700 nm. The spectral widths 103, 203 and 303 of the sensitivity distributions are between about 40 and about 50 nm.

Der gemäß der Simulation auftretende gemeinsame Überlapp der drei Empfindlichkeitsverteilungen 100, 200 und 300 zwischen ca. 550 und 600 nm kann gegebenenfalls durch Anpassung des aktiven Bereichs der Detektorelemente und/oder der jeweiligen Filterschichtstruktur(en) noch verringert oder derart beseitigt werden, dass eine beliebige vorgegebene Empfindlichkeitsverteilung nur mit der (den) Empfindlichkeitsverteilung(en), deren Maximalwellenlänge(n) derjenigen der vorgegebenen Empfindlichkeitsverteilung unmittelbar benachbart ist (sind), überlappt.The common overlap of the three sensitivity distributions 100, 200 and 300 between approx. 550 and 600 nm occurring according to the simulation can be reduced or eliminated in such a way that any predetermined sensitivity distribution overlaps only with the sensitivity distribution(s) whose maximum wavelength(s) is (are) immediately adjacent to that of the predetermined sensitivity distribution.

Claims (16)

Strahlungsdetektor mit einer Mehrzahl von Detektorelementen (1,2,3), die jeweils einen zum Strahlungsempfang und zur Signalerzeugung vorgesehenen aktiven Bereich (14,24,34) aufweisen, wobei - die Detektorelemente monolithisch in einen Halbleiterkörper (5) des Strahlungsdetektors integriert sind und - der Halbleiterkörper (5) eine Strahlungseintrittsseite (6) aufweist, wobei - ein in einem ersten Detektorelement erzeugtes Signal getrennt von einem in einem zweiten Detektorelement erzeugten Signal abgreifbar ist, - das erste Detektorelement für sichtbare Strahlung teilweise durchlässig ist, - sichtbare Strahlung, die durch das erste Detektorelement hindurchtritt, in dem zweiten Detektorelement ein Signal erzeugt, - die aktiven Bereiche auf dem Materialsystem InxGayAl1-x-yP mit 0≤x≤1, 0≤x≤1 und x+y≤1 basieren, - wenigstens einem Detektorelement (1,2,3) in Richtung der Strahlungseintrittsseite des Halbleiterkörpers eine Filterschichtstruktur mit mindestens einer Filterschicht (18) nachgeordnet ist, und - die Filterschichtstruktur ein Material aus dem Untermaterialsystem AlxGa1-xAs enthält und für die auf dem Materialsystem InxGayAl1-x-yP basierenden Schichten Materialien aus dem Untermaterialsystem In0,5 (Ga1-xAlx)0,5P gewählt sind.Radiation detector with a plurality of detector elements (1,2,3), each having an active area (14,24,34) provided for radiation reception and signal generation, wherein - the detector elements are monolithically integrated in a semiconductor body (5) of the radiation detector and - the semiconductor body (5) has a radiation entry side (6), wherein - a signal generated in a first detector element can be picked off separately from a signal generated in a second detector element, - the first detector element is partially transparent to visible radiation, - visible radiation which passes through the first detector element, generates a signal in the second detector element, - the active regions are based on the material system In x Ga y Al 1-xy P with 0≤x≤1, 0≤x≤1 and x+y≤1, - at least one detector element (1,2,3) in the direction of the radiation entry side of the semiconductor body, a filter layer structure with at least one filter layer (18) nac hordered, and - the filter layer structure contains a material from the sub-material system Al x Ga 1-x As and for the layers based on the material system In x Ga y Al 1-xy P materials from the sub-material system In 0.5 (Ga 1-x Al x ) 0.5 P are chosen. Strahlungsdetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die aktiven Bereiche im Halbleiterkörper (5) benachbarter Detektorelemente voneinander beabstandet sind.radiation detector claim 1 , characterized in that the active areas in the semiconductor body (5) of adjacent detector elements are spaced apart. Strahlungsdetektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Detektorelement (1,2,3) eine spektrale Empfindlichkeitsverteilung (100,200,300) mit einem Maximum bei einer vorgegebenen Maximalwellenlänge aufweist.radiation detector claim 1 or 2 , characterized in that at least one detector element (1,2,3) has a spectral sensitivity distribution (100,200,300) with a maximum at a predetermined maximum wavelength. Strahlungsdetektor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die spektralen Empfindlichkeitsverteilungen (100,200,300) mindestens zweier Detektorelemente (1,2,3) verschiedene Maximalwellenlängen aufweisen.radiation detector claim 3 , characterized in that the spectral sensitivity distributions (100,200,300) of at least two detector elements (1,2,3) have different maximum wavelengths. Strahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung (7) in einem vorgegebenen zusammenhängenden Wellenlängenbereich ausgebildet ist.Radiation detector according to one of the preceding claims, characterized in that the radiation detector is designed to detect radiation (7) in a predetermined coherent wavelength range. Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die spektralen Empfindlichkeitsverteilungen (100,200,300) mindestens zweier Detektorelemente (1,2,3) überlappen.Radiation detector according to one of claims 3 until 5 , characterized in that the spectral sensitivity distributions (100,200,300) of at least two detector elements (1,2,3) overlap. Strahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einer der aktiven Bereiche (14,24,34) eine Einfach-Quantentopfstruktur oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur oder eine Heterostruktur, oder eine Doppelheterostruktur aufweist.Radiation detector according to one of the preceding claims, characterized in that at least one of the active regions (14,24,34) has a single quantum well structure or a multiple quantum well structure or a heterostructure or a double heterostructure. Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Maximalwellenlängen der spektralen Empfindlichkeitsverteilungen (100,200,300) der Detektorelemente mit wachsender Entfernung der Detektorelemente (1,2,3) von der Strahlungseintrittsseite (6) der vom Strahlungsdetektor zu empfangenden Strahlung in den Halbleiterkörper (5) zunehmen.Radiation detector according to one of claims 3 until 7 , characterized in that the maximum wavelengths of the spectral sensitivity distributions (100,200,300) of the detector elements increase with increasing distance of the detector elements (1,2,3) from the radiation entry side (6) of the radiation to be received by the radiation detector in the semiconductor body (5). Strahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Filterschichtstruktur zur Absorption von Wellenlängen in einem Wellenlängenbereich ausgebildet ist, der Wellenlängen kleiner der Maximalwellenlänge der spektralen Empfindlichkeitsverteilung des Detektorelements umfasst.Radiation detector according to one of the preceding claims, characterized in that the filter layer structure is designed to absorb wavelengths in a wavelength range which includes wavelengths smaller than the maximum wavelength of the spectral sensitivity distribution of the detector element. Strahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass den Detektorelementen (1,2,3) jeweils eine Kontaktschicht (11,123) und eine Gegenkontaktschicht (212,23) zugeordnet sind und die Kontaktschicht und/oder die Gegenkontaktschicht zwischen einem Detektorelement und einem diesem benachbarten Detektorelement angeordnet ist.Radiation detector according to one of the preceding claims, characterized in that the detector elements (1,2,3) are each assigned a contact layer (11,123) and a counter-contact layer (212,23) and the contact layer and/or the counter-contact layer between a detector element and a detector element adjacent detector element is arranged. Strahlungsdetektor nach den Ansprüchen 8 und 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktschicht oder die Gegenkontaktschicht (11,123,212) wenigstens eines Detektorelements (1,2,3) zugleich als Filterschicht oder als Filterschicht einer diesem Detektorelement zugeordneten Filterschichtstruktur, ausgebildet ist.Radiation detector according to claims 8 and 10 , characterized in that the contact layer or the counter-contact layer (11,123,212) of at least one detector element (1,2,3) is designed at the same time as a filter layer or as a filter layer of a filter layer structure assigned to this detector element. Strahlungsdetektor nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass zwei benachbarte Detektorelemente (1,2,3) eine gemeinsame Kontaktschicht (123) oder eine gemeinsame Gegenkontaktschicht (212) aufweisen.radiation detector claim 10 or 11 , characterized in that two adjacent detector elements (1,2,3) have a common contact layer (123) or a common counter-contact layer (212). Strahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektorelemente (1,2,3) zur Detektion verschiedenfarbiger Strahlungen ausgebildet sind.Radiation detector according to one of the preceding claims, characterized in that the detector elements (1, 2, 3) are designed to detect radiation of different colors. Strahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahlungsdetektor drei Detektorelemente (1,2,3) umfasst, die zur Detektion von Strahlung im blauen, grünen oder roten Spektralbereich ausgebildet sind.Radiation detector according to one of the preceding claims, characterized in that the radiation detector comprises three detector elements (1,2,3) which are designed to detect radiation in the blue, green or red spectral range. Strahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahlungsdetektor zur Bestimmung von spektralen Farbanteilen in der vom Strahlungsdetektor zu empfangenden Strahlung (7) ausgebildet ist.Radiation detector according to one of the preceding claims, characterized in that the radiation detector is designed to determine spectral color components in the radiation (7) to be received by the radiation detector. Strahlungsdetektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahlungsdetektor zur Bestimmung des Farbeindrucks von auf den Detektor einfallender Strahlung (7) ausgebildet ist.Radiation detector according to one of the preceding claims, characterized in that the radiation detector is designed to determine the color impression of radiation (7) incident on the detector.
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