DE102004044741B4 - Circuit arrangement for switchable amplification of variable electrical signals - Google Patents

Abstract

Schaltungsanordnung zur schaltbaren Verstärkung von veränderlichen elektrischen Signalen mit mindestens:
– einem Signaleingang (1) und einem Signalausgang (2),
– einem zwischen Signaleingang (1) und Signalausgang (2) vorhandenen, mit einem Eingang (3), mit einem Ausgang (4) und mit einem mindestens einen Widerstand (5) aufweisenden Gegenkopplungspfad (6) zwischen Eingang (3) und Ausgang (4) versehenen schaltbaren Verstärker (7) und
– einer mittels eines Schaltgliedes (8) umpolbaren Spannungsquelle (9),
wobei
– der Gegenkopplungspfad (6) ein zum mindestens einen Widerstand (5) parallel geschalteten schaltbaren Bypass (10) aufweist und
– die am Verstärkereingang (3) eingespeisten Signale je nach Polarität der Spannungsquelle (9) über einen ersten Signalpfad (11) verstärkt oder über einen zweiten Signalpfad (12) unverstärkt dem Verstärkerausgang (4) zuzuführen sind.Circuit arrangement for the switchable amplification of variable electrical signals with at least:
A signal input (1) and a signal output (2),
A feedback path (6) between input (3) and output (4) present between an input signal (1) and a signal output (2), having an input (3), an output (4) and at least one resistor (5) ) provided switchable amplifier (7) and
A voltage source (9) which can be reversed by means of a switching element (8),
in which
- The negative feedback path (6) to at least one resistor (5) connected in parallel switchable bypass (10) and
- The signals input to the amplifier input (3) amplified depending on the polarity of the voltage source (9) via a first signal path (11) or supplied via a second signal path (12) unamplified the amplifier output (4).

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur schaltbaren Verstärkung von veränderlichen elektrischen Signalen.The The invention relates to a circuit arrangement for switchable reinforcement of changeable electrical signals.

Bei einem Ensemble von veränderlichen elektrischen Signalen, insbesondere von HF(Hochfrequenz)-Signalen, mit unterschiedlich hohen Pegeln ist es vorteilhaft, diese zumindest stufenweise auf etwa gleiche maximale Pegelhöhe anzupassen. So kann beispielsweise ein nachfolgender AD-Wandler stets optimal ausgesteuert und das Signal/Rauschverhältnis, im Folgenden S/N-Verhältnis genannt, maximiert werden. Hierfür wird in der Regel ein Verstärker benötigt, der nur im Bedarfsfall, und zwar bei entsprechend kleinen Pegeln, in den Signalfluss eingeschleift wird. Bei entsprechend hohen Signalpegeln hingegen wird das Signal möglichst dämpfungsfrei durchgeschleust, wobei das original S/N-Verhältnis erhalten bleibt.at an ensemble of variable electric Signals, in particular of HF (high frequency) signals, with different high levels, it is advantageous to at least gradually about the same maximum level height adapt. For example, a subsequent AD converter always optimally controlled and the signal / noise ratio, in Called the following S / N ratio, be maximized. Therefor will usually be an amplifier needed only in case of need, and with correspondingly small levels, is looped into the signal flow. At correspondingly high signal levels however, the signal is as possible lossless passed through, whereby the original S / N ratio is maintained.

Es ist denkbar, einen sehr rauscharmen Verstärker permanent eingeschleift zu lassen und in dessen Ausgangspfad ein schaltbares Dämpfungsglied einzufügen, das im Falle hoher Pegel die vorhergehende Verstärkung wieder dämpft. In diesem Fall verschlechtert sich aber das S/N-Verhältnis um die Rauschzahl des Verstärkers, die allerdings mit 1 dB sehr klein sein kann. Das Problem hierbei ist aber, dass der Verstärker derart ausgestaltet sein muss, dass er einen Ausgangspegel an das Dämpfungsglied liefern kann, der um seine Verstärkung höher liegt als der maximal mögliche Eingangspegel. Um das Signal genau so verzerrungsarm zu erhalten, erfordert dies für den Verstärker einen sehr großen schaltungstechnischen Aufwand was gleichzeitig eine hohe Gleichstromleistung benötigt. Eine hohe Gleichstromleistung führt folg lich zu einer hohen Erwärmung des Verstärkers, so dass dabei zusätzlich ein Abwärmeproblem auftritt.It is conceivable, permanently looped in a very low-noise amplifier to leave and insert in its output path a switchable attenuator, the in the case of high levels, the previous gain attenuates again. In In this case, however, the S / N ratio deteriorates the noise figure of the amplifier, which, however, can be very small with 1 dB. The problem here but that is the amplifier must be designed such that it has an output level to the attenuator can deliver that to his reinforcement higher as the maximum possible Input level. To get the signal just as low in distortion, this requires for the amplifier a very big circuit Effort which at the same time requires a high DC power. A high DC power leads consequently a high level of warming the amplifier, so that in addition one waste heat problem occurs.

Die umgekehrte Anordnung, indem das schaltbare Dämpfungsglied vor den Verstärker geschaltet wird, scheidet aus Gründen der drastischen Verschlechterung des S/N-Verhältnisses von vornherein aus.The reverse arrangement by the switchable attenuator connected in front of the amplifier will be, divorces for reasons the dramatic deterioration of the S / N ratio from the outset.

In der US 2003/0124999 A1 ist eine Schaltung angegeben, mit welcher der Dynamikbereich eines Hochfrequenzempfängers mittels unterschiedlicher Parameter gesteuert werden kann. Es sind dabei mehrere Verstärkerschaltungen angegeben, die ein oder mehrere Schaltelemente mit einem oder mehreren Verstärkerelementen kombinieren. So sind beispielsweise Schaltungen dargestellt, die im Rückkopplungspfad des Verstärkerelements zumindest ein Schaltelement aufweisen.In US 2003/0124999 A1 discloses a circuit with which the dynamic range of a high frequency receiver by means of different Parameter can be controlled. There are several amplifier circuits specified, the one or more switching elements with one or more amplifier elements combine. For example, circuits are shown that in the feedback path of the amplifier element have at least one switching element.

In der US 5,486,791 sind Verstärkerschaltungen angegeben, deren Verstärkungsfaktor mittels eines Impedanzwählschalters programmierbar sind. Im Rückkopplungspfad zumindest eines Verstärkerelementes sind hierfür mehrere Schaltelemente vorgesehen.In the US 5,486,791 amplifier circuits are specified whose gain factor can be programmed by means of an impedance selection switch. In the feedback path of at least one amplifier element several switching elements are provided for this purpose.

In der EP 0 797 873 B1 ist ein Kommunikationsempfänger mit verbesserter Empfangsimmunität gegenüber Störsignalen angegeben. Die offenbarten Schaltungen weisen dabei Verstärkerelemente mit schaltbaren Rückkopplungspfaden, die bei geeigneter Schalterstellung als Bypasspfad dienen, auf.In the EP 0 797 873 B1 a communication receiver is specified with improved reception immunity to interfering signals. In this case, the disclosed circuits have amplifier elements with switchable feedback paths, which serve as a bypass path when the switch position is suitable.

Eine bekannte Standardkonfiguration zur Lösung des Problems ist ein Verstärker 28 mit außerhalb des Verstärkers 28 angeordnetem schaltbaren Bypass 10 gemäß 1. Der gezeigte Verstärker 28 ist dabei über zwei Versorgungsanschlüsse 15 und 16 mit der Spannungsquelle 9 verbunden. Getreu der abgebildeten Schalterstellung des Schaltgliedes 8 liegt somit am Verstärker 28 eine Versorgungsspannung an. Liefert beispielsweise die Spannungsquelle eine Gleichspannung von 5 V, so wird der erste Versorgungsanschluss 15 mit +5 V beaufschlagt, während der zweite Versorgungsanschluss 16 mit 0 V beaufschlagt wird. Der Verstärker 28 ist folglich aktiviert. Weiter ist zwischen Signaleingang 1 und Verstärkereingang 3 sowie zwischen Verstärkerausgang 4 und Signalausgang 2 jeweils ein Schaltungsglied S1 und S2 angeordnet. Beide Schaltungsglieder S1 und S2 sind dabei miteinander elektrisch gekoppelt. Gemäß der abgebildeten Schalterstellung des Schaltungsglied 8 sind die Steuereingänge 25 ebenfalls mit beispielsweise +5 V beaufschlagt, so dass die beiden Schaltelemente S1 und S2 miteinander gekoppelt in den abgebildeten Schalterpositionen vorliegen. Ein am Signaleingang 1 eingespeistes Signal gelangt somit über den Verstärker 28 zum Signalausgang 2. Bei der zweiten, nicht abgebildeten Schalterposition des Schaltgliedes 8 liegt an den beiden Steuereingängen 24 keine Spannung an. Das am Signaleingang 1 eingespeiste Signal gelangt folglich unverstärkt über den schaltbaren Bypass 10 zu Signalausgang 2. Da am Verstärker 28 bei dieser Schalterposition auch keine Versorgungsspannung anliegt, ist dieser deaktiviert.One known standard configuration for solving the problem is an amplifier 28 with outside of the amplifier 28 arranged switchable bypass 10 according to 1 , The amplifier shown 28 is via two supply connections 15 and 16 with the voltage source 9 connected. True to the illustrated switch position of the switching element 8th is thus on the amplifier 28 a supply voltage. If, for example, the voltage source supplies a DC voltage of 5 V, then the first supply connection becomes 15 +5 V applied during the second supply connection 16 with 0 V is applied. The amplifier 28 is therefore activated. Next is between signal input 1 and amplifier input 3 as well as between amplifier output 4 and signal output 2 each a circuit member S1 and S2 arranged. Both circuit elements S1 and S2 are electrically coupled to each other. According to the illustrated switch position of the circuit element 8th are the control inputs 25 also with +5 V, for example, so that the two switching elements S1 and S2 are coupled to each other in the illustrated switch positions. On at the signal input 1 fed signal thus passes through the amplifier 28 to the signal output 2 , At the second, not shown switch position of the switching element 8th is located at the two control inputs 24 no voltage. The at the signal input 1 fed signal thus passes unamplified via the switchable bypass 10 to signal output 2 , Because on the amplifier 28 If no supply voltage is present at this switch position, this is deactivated.

Ein Problem dieser Anordnung bei aktiviertem Verstärker ist die endliche Sperrdämpfung der Schalter, die bedingt ist durch die kapazitive Restkopplung. Sie sollte mindestens so hoch sein wie die Verstärkung. Ansonsten besteht je nach Verstärkertyp und Phasendrehung im Bypass-Zweig die Gefahr der Selbsterregung. Wegen der kapazitiven Natur der Restkopplung verschärft sich das Problem zu hohen Frequenzen hin und macht gegebenenfalls sehr aufwändige Schalterstrukturen erforderlich. Doch selbst wenn die Sperrdämpfung nicht ausreichend höher als die Verstärkung ist, ruft die von Frequenz bzw. Phasenlage abhängige, endliche Gegen- bzw. Rückkopplung eine frequenzabhängige Änderung der Verstärkung hervor.A problem with this arrangement with activated amplifier is the finite stop attenuation of the switches, which is due to the residual capacitive coupling. It should be at least as high as the reinforcement. Otherwise there is a risk of self-excitation depending on the amplifier type and phase rotation in the bypass branch. Due to the capacitive nature of the residual coupling, the problem is exacerbated to high frequencies and possibly requires very complex switch structures. But even if the stopband attenuation is not sufficiently higher than the gain, the calls of frequency or Phase-dependent, finite counter or feedback a frequency-dependent change in gain out.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung zur schaltbaren Verstärkung von veränderlichen elektrischen Signalen anzugeben, mit der das vorstehend angesprochene Problem weitestgehend überwunden werden kann.task The present invention is a circuit arrangement for switchable gain of changeable indicate electrical signals, with the above-mentioned Problem largely overcome can be.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den in Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.These Task is according to the invention with the specified in claim 1 measures solved.

Dementsprechend soll die Schaltungsanordnung zur schaltbaren Verstärkung von veränderlichen elektrischen Signalen mit mindestens

• – einem Signaleingang und einem Signalausgang,
• – einem zwischen Signaleingang und Signalausgang vorhandenen, mit einem Eingang, mit einem Ausgang und mit einem mindestens einen Widerstand aufweisenden Gegenkopplungspfad zwischen Eingang und Ausgang versehenen schaltbaren Verstärker und
• – einer mittels eines Schaltgliedes umpolbaren Spannungsquelle dahingehend ausgestaltet sein, dass
• – der Gegenkopplungspfad ein zum mindestens einen Widerstand parallel geschalteten schaltbaren Bypass aufweist und
• – die am Verstärkereungang eingespeisten Signale je nach Polarität der Spannungsquelle über einen ersten Signalpfad verstärkt oder über einen zweiten Signalpfad unverstärkt dem Verstärkerausgang zuzuführen sind.

Accordingly, the circuit arrangement for switchable amplification of variable electrical signals with at least

• A signal input and a signal output,
• - An existing between the signal input and signal output, with an input, with an output and with at least one resistor having negative feedback path between input and output provided switchable amplifier and
• A voltage source which can be reversibly polarized by means of a switching element be designed such that
• - The negative feedback path has a switched at least one resistor in parallel switchable bypass and
• - The signals input to the amplifier input are amplified via a first signal path, depending on the polarity of the voltage source, or amplified via a second signal path to the amplifier output.

Indem in den Gegenkopplungspfad des Verstärkers der schaltbare Bypass gesetzt wird und der Verstärker so ausgestaltet wird, dass er in Abhängigkeit von seiner Versorgungsspannung einen Teil der Schaltfunktion übernimmt, sind die damit verbundenen Vorteile insbesondere in einer Entlastung des Signalweges zwischen Signaleingang und Signalausgang von unerwünschten Bypässen nach Masse hin zu sehen.By doing in the negative feedback path of the amplifier of the switchable bypass is set and the amplifier is designed so that it depends on its supply voltage take over part of the switching function, are the associated benefits in particular in a discharge the signal path between signal input and signal output of unwanted bypasses to look for mass.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung gehen aus den Ansprüchen hervor.advantageous Embodiments of the circuit arrangement according to the invention will be apparent from the claims out.

So kann in Abhängigkeit von der Polarität der Spannungsquelle der schaltbare Verstärker zu aktivieren und der schaltbare Bypass zu deaktivieren bzw. der schaltbare Verstärker zu deaktivieren und der schaltbare Bypass zu aktivieren sein. Damit erreicht man zum einen, dass in der Schaltungsanordnung das synchrone Zusammenspiel des schaltbaren Verstärkers und des schaltbaren Bypasses gewährleistet ist und zum anderen eine Vereinfachung der Schaltungsanordnung, indem beide an dieselbe Spannungsversorgung angeschlossen sein können.So can depend on from the polarity the power source of the switchable amplifier to activate and the switchable bypass to disable or the switchable amplifier to disable and activate the switchable bypass. In order to one reaches, on the one hand, that in the circuit arrangement the synchronous Interplay of the switchable amplifier and the switchable bypass guaranteed and on the other hand a simplification of the circuit arrangement, by both can be connected to the same power supply.

Vorzugsweise kann der schaltbare Verstärker einen ersten und einen zweiten Transistor umfassen und jeder der beiden Transistoren mit einem Kollektor, einem Emitter und einer Basis ausgeführt sein. Die beiden Kollektoren sind dabei mit dem Verstärkerausgang verbunden. Weiter sind der Emitter des ersten Transistors über einen ersten Versorgungsanschluss und der Emitter des zweiten Transistors über einen zweiten Versorgungsanschluss mit der Spannungsquelle verbunden. Eine derartige Verschaltung zweier Transistoren liefert einen einfach zu realisierende und für diesen Einsatzzweck ausreichend schnell und effektiv arbeitende Verstärkeranordnung.Preferably can the switchable amplifier a first and a second transistor and each of the two transistors with a collector, an emitter and a Base executed be. The two collectors are with the amplifier output connected. Next, the emitter of the first transistor via a first supply terminal and the emitter of the second transistor via a second supply terminal connected to the voltage source. Such an interconnection of two transistors provides a simple to be realized and for this purpose sufficiently fast and effective working Amplifier arrangement.

Dabei ist es von Vorteil, dass der erste Transistor ein pnp-Transistor und der zweite Transistor ein npn-Transistor ist. Durch diese komplementäre Ausführungsform weist der Verstärker einen hohen Aussteuerbereich auf.there it is advantageous that the first transistor is a pnp transistor and the second transistor is an npn transistor. By this complementary embodiment points the amplifier a high modulation range.

Vorzugsweise sind die Basis des ersten Transistors über mindestens eine erste eine Katode und eine Anode umfassende Diode und mindestens einen Widerstand mit dem ersten Versorgungsanschluss und die Basis des zweiten Transistors über mindestens eine zweite eine Katode und eine Anode umfassende Diode und mindestens einen Widerstand mit dem zweiten Versorgungsanschluss verbunden. Dabei sind die Katode der mindestens einen ersten Diode mit der Basis des ersten Transistors und die Anode der mindestens einen zweiten Diode mit der Basis des zweiten Transistors verbunden. Die so geschalten Dioden und Widerstände dienen dazu, den Ruhestrom für die Transistoren vorteilhaft festzulegen.Preferably are the base of the first transistor over at least a first one Cathode and anode comprising a diode and at least one resistor with the first supply terminal and the base of the second transistor over at least a second diode comprising a cathode and an anode and at least a resistor connected to the second supply terminal. In this case, the cathode of the at least one first diode with the Base of the first transistor and the anode of the at least one second diode connected to the base of the second transistor. The so switched diodes and resistors serve the quiescent current for determine the transistors advantageous.

Zudem ist vorteilhaft, dass die Basis des ersten Transistors über eine erste Parallelschaltung aus mindestens einer Kapazität und mindestens einem Widerstand und die Basis des zweiten Transistors über eine zweite Parallelschaltung aus mindestens einer Kapazität und mindestens einem Widerstand mit dem Verstärkereingang verbunden sind. Dies gewährleistet, dass die am Signaleingang eingespeisten Signale über die Kondensatoren zu den Basiselektroden gelangen. Zudem erfüllen die somit zwischen den Dioden angeordneten Widerstände die Funktion eines Spannungsteilers zur Festlegung der Ruhearbeitspotentiale.moreover is advantageous that the base of the first transistor via a first parallel connection of at least one capacity and at least a resistor and the base of the second transistor via a second parallel connection of at least one capacity and at least a resistor with the amplifier input are connected. This ensures that the signals applied to the signal input via the capacitors to the Get basic electrodes. In addition, the fulfill between the Diodes arranged resistors the function of a voltage divider to determine the Ruhearbeitspotentiale.

Insbesondere sind jeweils zwischen einem Emitter und einem Versorgungsanschluss mindestens zwei Widerstände angeordnet. Dabei ist zwischen den mindestens beiden Widerständen jeweils ein Knotenpunkt vorgesehen, der jeweils über mindestens eine Kapazität mit jeweils einem Bezugspotential verbunden ist.In particular, in each case at least two resistors are arranged between an emitter and a supply connection. In each case, a node is provided between the at least two resistors, each having at least one capacitance, each with a Bezugspo tential connected.

Vorzugsweise ist der zwischen Verstärkereingang und Verstärkerausgang angeordnete erste Signalpfad in zwei symmetrische Teilpfade unterteilt. Dabei umfasst der erste Teilpfad die Kapazität der ersten Parallelschaltung und den ersten Transistor und der zweite Teilpfad die Kapazität der zweiten Parallelschaltung und den zweiten Transistor. Zudem weist der zwischen Verstärkereingang und Verstärkeraungang angeordnete zweite Signalpfad den schaltbaren Bypass auf.Preferably is the between amplifier input and amplifier output arranged first signal path divided into two symmetrical sub-paths. there the first partial path comprises the capacitance of the first parallel connection and the first transistor and the second partial path, the capacity of the second Parallel connection and the second transistor. In addition, the between points amplifier input and amplifier arrangement arranged second signal path on the switchable bypass.

Es ist von Vorteil, dass der schaltbare Bypass eine vier Dioden aufweisende Diodenbrücke ist, wobei jede Diode mit einer Anode und eine Katode versehen ist. Dabei sind ein erster Anschluss der Diodenbrücke über mindestens einen ersten Vorwiderstand mit dem ersten Versorgungsanschluss und ein zweiter Anschluss der Diodenbrücke über mindestens einen zweiten Vorwiderstand mit dem zweiten Versorgungsanschluss verbunden. Je nach Polung der anliegenden Spannung sperrt die Diodenbrücke den Signalpfad oder schleift die Signale zum Verstärkerausgang weiter. Die Vorwiderstände dienen dabei zur Begrenzung des Diodenstroms entlang der Diodenbrücke.It It is advantageous that the switchable bypass has a four-diode diode bridge is, wherein each diode is provided with an anode and a cathode. In this case, a first terminal of the diode bridge over at least a first Series resistor with the first supply connection and a second Connection of the diode bridge over at least a second series resistor to the second supply terminal connected. Depending on the polarity of the applied voltage, the diode bridge blocks the Signal path or continues to loop the signals to the amplifier output. The series resistors are used thereby limiting the diode current along the diode bridge.

Dabei sind der erste Anschluss mit zwei Katoden der Diodenbrücke und der zweite Anschluss mit zwei Anoden der Diodenbrücke vorteilhaft verbunden. In diesem Fall ist gewährleistet, dass die Diodenbrücke sperrt, wenn der Verstärker aktiviert ist und das Signal durchschleift, wenn der Verstärker deaktiviert ist.there are the first terminal with two cathodes of the diode bridge and the second connection with two anodes of the diode bridge advantageous connected. In this case, it is ensured that the diode bridge blocks, if the amplifier is activated and loopes through the signal when the amplifier is disabled is.

Weiter ist dabei vorteilhaft, dass zwischen dem ersten Anschluss der Diodenbrücke und dem mindestens einen ersten Vorwiderstand mindestens eine erste Induktivität und zwischen dem zweiten Anschluss der Diodenbrücke und dem mindestens einen zweiten Vorwiderstand mindestens eine zweite Induktivität angeordnet sind. Dabei dienen die Induktivitäten dazu, die Belastung des Signals über die die Vorwiderstände zu verhindern.Further is advantageous in that between the first terminal of the diode bridge and the at least one first series resistor at least a first inductance and between the second terminal of the diode bridge and the at least one second series resistor arranged at least a second inductance are. The inductances serve to reduce the load on the Signal over the series resistors to prevent.

Ferner ist die Diodenbrücke vorteilhafter Weise aus pin-Dioden ausgebildet. Insbesondere kann bei hochfrequenten Signalen damit eine niedrige Durchgangsdämpfung, die nur geringfügig über 0 dB liegt, mit wenig Durchlassstrom erreicht werden.Further is the diode bridge Advantageously, pin diodes educated. In particular, it can with high-frequency signals a low transmission loss, which is only slightly above 0 dB is to be achieved with little forward current.

Es ist aber auch von Vorteil, dass der schaltbare Bypass ein mit einem Steuereingang versehener CMOS-Schalter ist, wobei der Steuereingang abhängig von der Steuerpolarität des CMOS-Schalters über den ersten oder zweiten Versorgungsanschluss mit der Spannungsquelle verbunden ist. Durch die Verwendung des CMOS-Schalters wird im Durchschleifmodus bei deaktiviertem Verstärker, anders als bei der Diodenbrücke, ein Verbrauch von Gleichstromleistung vermieden.It But it is also an advantage that the switchable bypass with a Control input is provided CMOS switch, where the control input dependent from the tax polarity of the CMOS switch over the first or second supply connection to the voltage source connected is. By using the CMOS switch, in loop-through mode with the amplifier deactivated, unlike the diode bridge, Consumption of DC power avoided.

Dabei ist der CMOS-Schalter vorzugsweise auf GaAs-Basis ausgebildet ist, der sich besonders für hochfrequente Signale eignet.there the CMOS switch is preferably formed on GaAs basis, especially for high-frequency signals is suitable.

Vorteilhaft ist das Signal ein Hochfrequenzsignal. Der Frequenzbereich erstreckt sich dabei von 10 kHz bis 100 GHz.Advantageous the signal is a high frequency signal. The frequency range extends from 10 kHz to 100 GHz.

Vorteilhafterweise weist die Schaltungsanordnung mindestens eine Kapazität zwischen Signaleingang und Verstärkereingang und mindestens eine Kapazität zwischen Verstärkerausgang und Signalausgang auf. Die Kapazitäten dienen am Signaleingang und Signalausgang als Koppelkondensatoren, um mögliche Offset-Gleichspannungen von an die Schaltungsanordnung angeschlossenen Objekten fernzuhalten.advantageously, the circuit arrangement has at least one capacitance between Signal input and amplifier input and at least one capacity between amplifier output and signal output on. The capacities are at the signal input and signal output as coupling capacitors to potential offset DC voltages keep away from objects connected to the circuit.

Als besonders vorteilhaft erweist sich, wenn das Schaltglied ein Polwender ist. Damit lässt sich auf besonders einfache weise die Umpolung der Spannungsversorgung realisieren.When it proves to be particularly advantageous if the switching element is a pole turner is. Leave it In a particularly simple way, the polarity reversal of the power supply realize.

Bevorzugte, jedoch keinesfalls einschränkende Ausführungsbeispiele der Vorrichtung werden nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert. Wie vorstehend dargelegt, ist dabei die Fi gur 1 dem Stand der Technik zuzuordnen. Zur Veranschaulichung ist die Zeichnung nicht maßstäblich ausgeführt und gewisse Merkmale sind schematisiert dargestellt. Im Einzelnen zeigenpreferred but by no means restrictive embodiments the device will now be explained in more detail with reference to the drawing. As above set forth, the Fi gur 1 is assigned to the prior art. By way of illustration, the drawing is not drawn to scale and certain features are shown schematically. Show in detail

1 eine bekannte Standardkonfiguration eines bedarfsweise einschleifbaren schaltbaren Verstärkers, 1 a known standard configuration of a switchable amplifier which may be looped in as required,

2 die prinzipielle Darstellung der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung mit einem schaltbarem Verstärker und einem schaltbaren Bypass im Gegenkopplungspfad zwischen Verstärkereingang und -ausgang, 2 the schematic representation of the circuit arrangement according to the invention with a switchable amplifier and a switchable bypass in the negative feedback path between the amplifier input and output,

3 ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung mit einem schaltbaren Verstärker und einer Diodenbrücke zwischen Verstärkereingang und -ausgang und 3 An embodiment of the circuit arrangement according to the invention with a switchable amplifier and a diode bridge between the amplifier input and output and

4 ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung mit einem schaltbaren Verstärker und einem CMOS-Schalter zwischen Verstärkereingang und -ausgang. 4 a further embodiment of the circuit arrangement according to the invention with a switchable amplifier and a CMOS switch between the amplifier input and output.

Einander entsprechende Teile sind in den 1 bis 4 mit denselben Bezugszeichen versehen.Corresponding parts are in the 1 to 4 with the same reference numerals ver see.

In 2 ist eine Schaltungsanordnung mit einem zwischen einem Signaleingang 1 und einem Signalausgang 2 angeordneten schaltbaren Verstärker 7 mit nur einem einfachen Ein/Aus-Schalter in Form eines schaltbaren Bypasses 10 im Gegenkopplungspfad zwischen Verstärkereingang 3 und -ausgang 4 schematisch dargestellt. Der Verstärker 7 ist dabei über zwei Versorgungsanschlüsse 15 und 16 mit einer Spannungsquelle 9 verbunden, die in diesem Beispiel eine positive und eine negative Spannung von +5 V und –5 V liefert. Die Polarität der am Verstärker 7 anliegenden Spannung wird dabei vom Schaltglied 8 bestimmt. Das Schaltglied 8 ist, wie abgebildet, ein Polwender, der aus zwei miteinander gekoppelten Schaltern besteht. Bei der abgebildeten Schalterposition des Schaltgliedes 8 liegen am Versorgungsanschluss 15 eine positive Versorgungsspannung von beispielsweise +5 V und am Versorgungsan schluss 16 eine negative Versorgungsspannung von beispielsweise –5 V an. Der Verstärker 7 ist in diesem Beispiel somit aktiviert. Bei dieser Polarität liegt am Steuereingang 25 des schaltbaren Bypass 10 eine positive Spannung an, die in diesem Beispiel einen geöffneten Bypass 10 zur Folge hat. Bei entgegengesetzter Polarität ist der Bypass 10 geschlossen und gleichzeitig der Verstärker 7 deaktiviert, so dass möglichst keine Beeinflussung der am Signaleingang 1 eingespeisten Signale stattfindet. Da der schaltbare Bypass 10 im Gegenkoppelpfad 6 des Verstärkers 7 sitzt, bewirkt dessen Restkapazität lediglich eine kleine Verstärkungsminderung zu hohen Frequenz hin. Eine Oszillation bleibt dabei aus.In 2 is a circuit with a between a signal input 1 and a signal output 2 arranged switchable amplifier 7 with only a simple on / off switch in the form of a switchable bypass 10 in the negative feedback path between the amplifier input 3 and output 4 shown schematically. The amplifier 7 is via two supply connections 15 and 16 with a voltage source 9 which in this example provides a positive and a negative voltage of +5 V and -5V. The polarity of the amplifier 7 applied voltage is thereby from the switching element 8th certainly. The switching element 8th is, as shown, a Polwender, which consists of two switches coupled together. In the illustrated switch position of the switching element 8th are located at the supply connection 15 a positive supply voltage of, for example, +5 V and at the supply connection 16 a negative supply voltage of, for example, -5V. The amplifier 7 is thus activated in this example. This polarity is at the control input 25 the switchable bypass 10 a positive voltage, which in this example is an open bypass 10 entails. With opposite polarity is the bypass 10 closed and at the same time the amplifier 7 deactivated, so that as possible no influence on the signal input 1 fed signals takes place. Because the switchable bypass 10 in Gegenkoppelpfad 6 of the amplifier 7 sits, its residual capacity causes only a small gain reduction to high frequency out. An oscillation remains off.

3 zeigt das Schaltbild eines Ausführungsbeispiels des Verstärkers 7 mit schaltbarem Bypass 10 der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung. Es handelt sich dabei um einen resistiv gegengekoppelten zwei Transistoren 13 und 14 umfassenden Verstärker 7. Die beiden Kollektoren 13K und 14K der beiden Transistoren 13 und 14 sind dabei gemeinsam mit dem Verstärkerausgang 4 verbunden, während die beiden Emitter 13E und 14E der beiden Transistoren 13 und 14 über jeweils mindestens zwei Widerstände 13R1, 13R2 und 14R1, 14R2 mit den entsprechenden Versorgungsanschlüssen 15 und 16 verbunden sind. Dabei ist jeweils zwischen den mindestens zwei Widerständen 13R1, 13R2 bzw. 14R1, 14R2 ein Knotenpunkt 23 bzw. 24 vorgesehen, der jeweils über eine Kapazität K1 bzw. K2 mit jeweils einem Bezugspotenzial E1 bzw. E2, insbesondere dem Erdpotential, verbunden ist. Um einen hohen Aussteuerbereich zu gewährleisten, sind die beiden Transistoren 13 und 14 komplementären ausgeführt. Dabei ist der erste Transistor 13 ein pnp-Transistor und der zweite Transistor 14 ein npn-Transistor. 3 shows the circuit diagram of an embodiment of the amplifier 7 with switchable bypass 10 the circuit arrangement according to the invention. It is a resistively coupled two transistors 13 and 14 comprehensive amplifier 7 , The two collectors 13K and 14K of the two transistors 13 and 14 are together with the amplifier output 4 connected while the two emitters 13E and 14E of the two transistors 13 and 14 each with at least two resistors 13r1 . 13R2 and 14R1 . 14R2 with the corresponding supply connections 15 and 16 are connected. It is in each case between the at least two resistors 13r1 . 13R2 respectively. 14R1 . 14R2 a node 23 respectively. 24 provided in each case via a capacitor K1 or K2, each with a reference potential E1 and E2, in particular the ground potential, is connected. To ensure a high drive range, the two transistors are 13 and 14 complementary executed. Here is the first transistor 13 a pnp transistor and the second transistor 14 an npn transistor.

Die Basis 13B des ersten Transistors 13 ist über mindestens eine erste Diode 17 und mindestens einen Widerstand 19 mit dem ersten Versorgungsanschluss 15 verbunden. Analog ist die Basis 14B des zweiten Transistors 14 über mindestens eine zweite Diode 18 und mindestens einen Widerstand 20 mit dem zweiten Versorgungsanschluss 16 verbunden. Dabei ist die mindestens eine erste Diode 17 mit ihrer Katode mit der Basis 13B des ersten Transistors 13 und die mindestens eine zweite Diode 18 mit ihrer Anode mit der Basis 14B des zweiten Transistors 14 verbunden. Darüber hinaus sind die beiden Basen 13B, und 14B gemeinsam über jeweils eine Parallelschaltung 21 und 22 aus mindestens einer Kapazität 21K bzw. 22K und mindestens einem Widerstand 21R bzw. 22R mit dem Verstärkereingang 3 verbunden. Mit den Widerständen 19, 20, 21R, 22R, 13R1, 13R2, 14R1 und 14R2 und den Dioden 17 und 18 wird dabei der Ruhestrom für die Transistoren 13 und 14 festgelegt. Die Dioden 17 und 18 verbessern zudem auch die Temperaturstabilität des Verstärkers 7 im aktivierten Zustand. Der im Gegenkoppelpfad 6 angeordnete Widerstand 5 ist bei gut gepaarten pnp- und npn-Transistoren 13 und 14 gleichstromlos und das Potenzial an seinen beiden Enden 0 V. Dennoch sind zwischen Signaleingang 1 und Verstärkereingang 3 und zwischen Verstärkerausgang 4 und Signalausgang 2 jeweils mindestens eine Kapazität 1K und 2K vorgesehen, um geringe, mögliche DC-Offsetspannungen von an die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung angeschlossenen Objekten fernzuhalten.The base 13B of the first transistor 13 is over at least a first diode 17 and at least one resistor 19 with the first supply connection 15 connected. Analog is the basis 14B of the second transistor 14 via at least one second diode 18 and at least one resistor 20 with the second supply connection 16 connected. In this case, the at least one first diode 17 with her cathode with the base 13B of the first transistor 13 and the at least one second diode 18 with its anode with the base 14B of the second transistor 14 connected. In addition, the two bases 13B , and 14B together via a parallel connection 21 and 22 from at least one capacity 21K respectively. 22K and at least one resistor 21R respectively. 22R with the amplifier input 3 connected. With the resistors 19 . 20 . 21R . 22R . 13r1 . 13R2 . 14R1 and 14R2 and the diodes 17 and 18 becomes the quiescent current for the transistors 13 and 14 established. The diodes 17 and 18 also improve the temperature stability of the amplifier 7 in the activated state. The in Gegenkoppelpfad 6 arranged resistance 5 is with well paired pnp and npn transistors 13 and 14 DC-free and the potential at both its ends 0 V. Nevertheless, between signal input 1 and amplifier input 3 and between amplifier output 4 and signal output 2 at least one capacity each 1K and 2K provided to keep low, possible DC offset voltages of objects connected to the circuit arrangement according to the invention.

Für die Verstärkung sind der Gegenkoppelwiderstand 5, und die beiden Widerstände 13R1 und 14R1 maßgebend. Diese können so gewählt werden, dass eine bestimmte vorgegebene Verstärkung erreicht wird und sich zudem eine am Signalausgang 2 angeschlossene Last von beispielsweise 50 Ω auf den Signaleingang 1 in gleicher Höhe abbildet. Man spricht dabei von Wellenwiderstandsprinzip. Dies ist insbesondere für hohe Frequenzen wesentlich. Weiter ist es denkbar die Widerstände 5, 13R1 zusammen mit 13R2 und 14R1 zusammen mit 14R2 als Trimmwiderstände auszuführen, um eine Änderung der Verstärkung bei Bedarf zu ermöglichen.For the gain are the negative feedback resistance 5 , and the two resistors 13r1 and 14R1 prevail. These can be chosen so that a certain predetermined gain is achieved and also one at the signal output 2 connected load of, for example 50 Ω to the signal input 1 at the same height. This is called the characteristic impedance principle. This is essential especially for high frequencies. Further, it is conceivable the resistors 5 . 13r1 along with 13R2 and 14R1 along with 14R2 as trim resistors to allow for a change in gain as needed.

Im Falle, dass am Versorgungsanschluss 15 eine Spannung von beispielsweise +5 V und am Versorgungsanschluss 16 eine Span nung von beispielsweise –5 V anliegt, ist in diesem Ausführungsbeispiel der Verstärker 7 aktiviert. Eine parallel zum Widerstand 5 im Gegenkoppelpfad 6 geschaltete Diodenbrücke 10A, die über zwei Anschlüsse 26 und 27 ebenfalls entsprechend mit den Versorgungsanschlüssen 15 und 16 verbunden ist, ist derart angeordnet, dass sie bei der angegebenen Polung sperrt. Die Ausgestaltung der Diodenbrücke 10A entspricht dabei einer so genannten Graetz-Brücke 10A. Eine Graetz-Brücke 10A weist vier jeweils mit einer Katode und einer Anode versehene Dioden auf, wobei jeweils zwei Dioden in zwei symmetrischen Zweigen in Reihe geschaltet sind. In beiden symmetrisch aufgebauten Zweigen sind dabei jeweils zwei Dioden derart angeordnet, dass die Anode der ersten Diode mit der Katode der zweiten Diode verbunden ist. In vorliegendem Ausführungsbeispiel ist die Graetz-Brücke 10A somit derart zwischen den beiden Anschlüssen 26 und 27 angeordnet, dass der erste Anschluss 26 mit zwei Katoden und der zweite Anschluss 27 mit zwei Anoden der Gräetz-Brücke verbunden sind. Dies entspricht einem offenen Bypass-Schalter 10. Zwischen den beiden Anschlüssen 26 und 27 der Diodenbrücke 10A und den Versorgungsanschlüssen 15 und 16 ist zudem jeweils mindestens ein Vorwiderstand 10R1 bzw. 10R2 angeordnet. Im Falle, dass am Versorgungsanschluss 15 eine Spannung von beispielsweise –5 V und am Versorgungsanschluss 16 eine Spannung von beispielsweise +5 V anliegt, sind die Dioden 17 und 18 und die Basis-Emitterdioden der beiden Transistoren 13 und 14 in Sperrrichtung und die Diodenbrücke 10A in Durchlassrichtung gepolt. Durch die Polung in Sperrrichtung wird erreicht, dass die Signale nicht über die Widerstände 19 und 13R1 und die Widerstände 20 und 14R1 nach Masse hin belastet werden. Weiterhin verhindern die sperrenden Dioden 17 und 18 einen Inversbetrieb der Transistoren 13 und 14. Die durchgesteuerte Diodenbrücke 10A schleift also die am Signaleingang 1 eingespeisten Signale zum Verstärkerausgang 4 weiter. Weiter ist zwischen den Vorwiderständen 10R1 und 10R2 und den Anschlüssen 26 und 27 der Diodenbrücke 10A jeweils mindestens eine Induktivität 10L1 und 10L2 angeordnet. Die Induktivitäten 10Ll und 10L2 verhin dern dabei eine Belastung der Signale über die den Diodenstrom begrenzenden Vorwiderstände 10R1 und 10R2 nach Masse. Darüber hinaus ist für eine niedrige Durchgangsdämpfung mit Ziel 0 dB bei Hochfrequenzsignalen vorteilhaft, eine Diodenbrücke 10A aus pin-Dioden zu wählen.In case of the supply connection 15 a voltage of +5 V, for example, and at the supply connection 16 a voltage of, for example, -5 V is applied, in this embodiment, the amplifier 7 activated. One parallel to the resistor 5 in Gegenkoppelpfad 6 switched diode bridge 10A that have two connections 26 and 27 also according to the supply connections 15 and 16 is connected, is arranged so that it locks at the specified polarity. The design of the diode bridge 10A corresponds to a so-called Graetz bridge 10A , A Graetz bridge 10A has four each provided with a cathode and an anode diodes, each because two diodes are connected in series in two symmetrical branches. In both symmetrically constructed branches in each case two diodes are arranged such that the anode of the first diode is connected to the cathode of the second diode. In the present embodiment, the Graetz bridge 10A thus in such a way between the two connections 26 and 27 arranged that the first connection 26 with two cathodes and the second connection 27 are connected to two anodes of the Gräetz bridge. This corresponds to an open bypass switch 10 , Between the two connections 26 and 27 the diode bridge 10A and the supply connections 15 and 16 is also at least one series resistor 10R1 respectively. 10R2 arranged. In case of the supply connection 15 a voltage of -5 V, for example, and at the supply connection 16 a voltage of, for example, + 5V is applied, are the diodes 17 and 18 and the base emitter diodes of the two transistors 13 and 14 in the reverse direction and the diode bridge 10A poled in the forward direction. The polarity in the reverse direction ensures that the signals do not exceed the resistances 19 and 13r1 and the resistors 20 and 14R1 burdened to mass. Furthermore, the blocking diodes prevent 17 and 18 an inverse operation of the transistors 13 and 14 , The through-controlled diode bridge 10A so it drags at the signal input 1 fed signals to the amplifier output 4 further. Next is between the series resistors 10R1 and 10R2 and the connections 26 and 27 the diode bridge 10A in each case at least one inductance 10L1 and 10L2 arranged. The inductors 10LL and 10L2 In this case verhin a load on the signals on the diode current limiting series resistors 10R1 and 10R2 to mass. In addition, for a low 0 dB attenuation in high frequency signals, a diode bridge is advantageous 10A to choose from pin diodes.

Die am Signaleingang 1 eingespeisten Signale gelangen also bei aktiviertem Verstärker 7 auf einem ersten Signalpfad 11 oder bei deaktiviertem Verstärker 7 auf einem zweiten Signalpfad 12 von Verstärkereingang 3 zu Verstärkerausgang 4. Der erste Signalpfad 11 teilt sich am Verstärkereingang 3 in zwei symmetrische Teilpfade auf, die am Verstärkerausgang 4 wieder zusammenlaufen. Jeder Teilpfad umfasst dabei die Kapazität 21K bzw. 22K der entsprechenden Parallelschaltung 21 oder 22 und die entsprechenden Transistoren 13 oder 14. Der zweite Signalpfad 12 verläuft zwischen Verstärkereingang 3 und -ausgang 4 über den geschlossenen Bypass-Schalter 10, d.h. in diesem Ausführungsbeispiel über die durchgesteuerte Diodenbrücke 10A. Dabei teilt sich auch hier wegen der Ausgestaltung der Diodenbrücke 10A der Signalpfad 12 nach dem Verstärkereingang 3 auf und läuft vor dem Verstärkerausgang 4 wieder zusammen.The at the signal input 1 fed signals arrive so when activated amplifier 7 on a first signal path 11 or if the amplifier is deactivated 7 on a second signal path 12 from amplifier input 3 to amplifier output 4 , The first signal path 11 splits at the amplifier input 3 in two symmetrical subpaths on the amplifier output 4 converge again. Each subpath includes the capacity 21K respectively. 22K the corresponding parallel connection 21 or 22 and the corresponding transistors 13 or 14 , The second signal path 12 runs between amplifier input 3 and exit 4 over the closed bypass switch 10 ie, in this embodiment, via the gated diode bridge 10A , Here also shares because of the design of the diode bridge 10A the signal path 12 after the amplifier input 3 up and running in front of the amplifier output 4 together again.

Bei der Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung gemäß 3 ist davon auszugehen, dass im Durchschleifmodus bei deaktiviertem Verstärker 7 wegen der erforderlichen Bestromung der Diodenbrücke 10A Gleichstromleistung verbraucht wird. In 4 ist das Schaltbild einer weiteren Ausführungsform des Verstärkers 7 mit schaltbarem Bypass 10 der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung dargestellt, mit der dieses Problem vermieden wird. Hier wird anstelle der Diodenbrücke 10A ein gängiger CMOS-Schalter 10B parallel zum Widerstand 5 geschaltet. Denn bei CMOS-Schaltern fließen bekanntlich in beiden Schalterstellungen nur Sperrströme. In diesem Ausführungsbeispiel ist dabei der Steuereingang 25 des CMOS-Schalters 10B mit dem Versorgungsanschluss 16 verbunden. Der CMOS-Schalter 10B ist beispielsweise bei positiver Steu erspannung eingeschaltet, das heißt der Bypass-Schalter 10 geschlossenen. Bei negativer Steuerspannung aber ist der CMOS-Schalter 10B ausgeschaltet, das heißt der Bypass-Schalter 10 geöffnet. Will man einen Bypass-Schalter einer anderen Steuerpolarität verwenden, so muss dementsprechend der Steuereingang 25 nicht mit Versorgungsanschluss 16 sondern mit Versorgungsanschluss 15 verbunden werden.In the embodiment of the circuit arrangement according to the invention according to 3 It can be assumed that in loop-through mode with the amplifier deactivated 7 because of the required energization of the diode bridge 10A DC power is consumed. In 4 is the circuit diagram of another embodiment of the amplifier 7 with switchable bypass 10 illustrated the circuit arrangement according to the invention, with which this problem is avoided. Here, instead of the diode bridge 10A a common CMOS switch 10B parallel to the resistor 5 connected. Because with CMOS switches flow known only in both switch positions blocking currents. In this embodiment is the control input 25 of the CMOS switch 10B with the supply connection 16 connected. The CMOS switch 10B is switched on, for example, positive control voltage, that is, the bypass switch 10 closed. With negative control voltage but is the CMOS switch 10B switched off, that is the bypass switch 10 open. If one wants to use a bypass switch of another control polarity, the control input must accordingly 25 not with supply connection 16 but with supply connection 15 get connected.

Claims (17)

Schaltungsanordnung zur schaltbaren Verstärkung von veränderlichen elektrischen Signalen mit mindestens: – einem Signaleingang (1) und einem Signalausgang (2), – einem zwischen Signaleingang (1) und Signalausgang (2) vorhandenen, mit einem Eingang (3), mit einem Ausgang (4) und mit einem mindestens einen Widerstand (5) aufweisenden Gegenkopplungspfad (6) zwischen Eingang (3) und Ausgang (4) versehenen schaltbaren Verstärker (7) und – einer mittels eines Schaltgliedes (8) umpolbaren Spannungsquelle (9), wobei – der Gegenkopplungspfad (6) ein zum mindestens einen Widerstand (5) parallel geschalteten schaltbaren Bypass (10) aufweist und – die am Verstärkereingang (3) eingespeisten Signale je nach Polarität der Spannungsquelle (9) über einen ersten Signalpfad (11) verstärkt oder über einen zweiten Signalpfad (12) unverstärkt dem Verstärkerausgang (4) zuzuführen sind.Circuit arrangement for switchable amplification of variable electrical signals comprising at least: - a signal input ( 1 ) and a signal output ( 2 ), - one between signal input ( 1 ) and signal output ( 2 ), with one input ( 3 ), with an output ( 4 ) and with at least one resistor ( 5 ) having negative feedback path ( 6 ) between input ( 3 ) and output ( 4 ) switchable amplifier ( 7 ) and - one by means of a switching element ( 8th ) umpolbaren voltage source ( 9 ), where - the negative feedback path ( 6 ) to the at least one resistor ( 5 ) parallel switchable bypass ( 10 ) and - at the amplifier input ( 3 ) input signals depending on the polarity of the voltage source ( 9 ) via a first signal path ( 11 ) or via a second signal path ( 12 ) unreinforced the amplifier output ( 4 ) are to be supplied. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in Abhängigkeit von der Polarität der Spannungsquelle (9) der schaltbare Verstärker (7) zu aktivieren und der schaltbare Bypass (10) zu deaktivieren bzw. der schaltbare Verstärker (9) zu deaktivieren und der schaltbare Bypass (10) zu aktivieren sind.Circuit arrangement according to Claim 1, characterized in that, depending on the polarity of the voltage source ( 9 ) the switchable amplifier ( 7 ) and the switchable bypass ( 10 ) or the switchable amplifier ( 9 ) and the switchable bypass ( 10 ) are to be activated. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der schaltbare Verstärker (7) einen ersten und einen zweiten Transistor (13, 14) umfasst und jeder der beiden Transistoren (13, 14) mit einem Kollektor (13K, 14K), einem Emitter (13E, 14E) und einer Basis (13B, 14B) ausgeführt ist, wobei – die beiden Kollektoren (13K, 14K) mit dem Verstärkerausgang (4) verbunden sind und – der Emitter (13E) des ersten Transistors (13) über einen ersten Versorgungsanschluss (15) und der Emitter (14E) des zweiten Transistors (14) über einen zweiten Versorgungsanschluss (16) mit der Spannungsquelle (9) verbunden sind.Circuit arrangement according to Claim 1 or 2, characterized in that the switchable amplifier ( 7 ) a first and a second transistor ( 13 . 14 ) and each of the two transistors ( 13 . 14 ) with a collector ( 13K . 14K ), an emitter ( 13E . 14E ) and a base ( 13B . 14B ), wherein - the two collectors ( 13K . 14K ) with the amplifier output ( 4 ) and - the emitter ( 13E ) of the first transistor ( 13 ) via a first supply connection ( 15 ) and the emitter ( 14E ) of the second transistor ( 14 ) via a second supply connection ( 16 ) with the voltage source ( 9 ) are connected. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Transistor (13) ein pnp-Transistor und der zweite Transistor (14) ein npn-Transistor ist.Circuit arrangement according to Claim 3, characterized in that the first transistor ( 13 ) a pnp transistor and the second transistor ( 14 ) is an npn transistor. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis (13B) des ersten Transistors (13) über mindestens eine erste eine Katode und eine Anode umfassende Diode (17) und mindestens einen Widerstand (19) mit dem ersten Versorgungsanschluss (15) und die Basis (14B) des zweiten Transistors (14) über mindestens eine zweite eine Katode und eine Anode umfassende Diode (18) und mindestens einen Widerstand (20) mit dem zweiten Versorgungsanschluss (16) verbunden sind, wobei die Katode der mindestens einen ersten Diode (17) mit der Basis (13B) des ersten Transistors (13) und die Anode der mindestens einen zweiten Diode (18) mit der Basis (14B) des zweiten Transistors (14) verbunden sind.Circuit arrangement according to Claim 3 or 4, characterized in that the base ( 13B ) of the first transistor ( 13 ) via at least a first diode comprising a cathode and an anode ( 17 ) and at least one resistor ( 19 ) with the first supply connection ( 15 ) and the base ( 14B ) of the second transistor ( 14 ) via at least one second diode comprising a cathode and an anode ( 18 ) and at least one resistor ( 20 ) with the second supply connection ( 16 ), wherein the cathode of the at least one first diode ( 17 ) with the base ( 13B ) of the first transistor ( 13 ) and the anode of the at least one second diode ( 18 ) with the base ( 14B ) of the second transistor ( 14 ) are connected. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Basis (13B) des ersten Transistors (13) über eine erste Parallelschaltung (21) aus mindestens einer Kapazität (21K) und mindestens einem Widerstand (21R) und die Basis (14B) des zweiten Transistors (14) über eine zweite Parallelschaltung (22) aus mindestens einer Kapazität (22K) und mindestens einem Widerstand (22R) mit dem Verstärkereingang (3) verbunden sind.Circuit arrangement according to one of Claims 3 to 5, characterized in that the base ( 13B ) of the first transistor ( 13 ) via a first parallel connection ( 21 ) of at least one capacity ( 21K ) and at least one resistor ( 21R ) and the base ( 14B ) of the second transistor ( 14 ) via a second parallel connection ( 22 ) of at least one capacity ( 22K ) and at least one resistor ( 22R ) with the amplifier input ( 3 ) are connected. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils zwischen einem Emit ter (13E, 14E) und einem Versorgungsanschluss (15, 16) mindestens zwei Widerstände (13R1, 13R2, 14R1, 14R2) angeordnet sind, wobei zwischen den mindestens beiden Widerständen (13R1, 13R2, 14R1, 14R2) jeweils ein Knotenpunkt (23, 24) vorgesehen ist, der jeweils über mindestens eine Kapazität (K1, K2) mit jeweils einem Bezugspotential (E1, E2) verbunden ist.Circuit arrangement according to one of claims 3 to 6, characterized in that in each case between an Emit ter ( 13E . 14E ) and a supply connection ( 15 . 16 ) at least two resistors ( 13r1 . 13R2 . 14R1 . 14R2 ) are arranged, between the at least two resistors ( 13r1 . 13R2 . 14R1 . 14R2 ) one node each ( 23 . 24 ) is provided, which in each case via at least one capacitance (K1, K2) is connected to a respective reference potential (E1, E2). Schaltungsanordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass der zwischen Verstärkereingang (3) und Verstärkerausgang (4) angeordnete erste Signalpfad (11) in zwei symmetrische Teilpfade unterteilt ist, wobei – der erste Teilpfad die Kapazität (21K) der ersten Parallelschaltung (21) und den ersten Transistor (13) und – der zweite Teilpfad die Kapazität (22K) der zweiten Parallelschaltung (22) und den zweiten Transistor (14) umfasst, und dass der zwischen Verstärkereingang (3) und Verstärkerausgang (4) angeordnete zweite Signalpfad (12) den schaltbaren Bypass (10) aufweist.Circuit arrangement according to claim 6 or 7, characterized in that between the amplifier input ( 3 ) and amplifier output ( 4 ) arranged first signal path ( 11 ) is subdivided into two symmetrical subpaths, wherein - the first subpath is the capacity ( 21K ) of the first parallel circuit ( 21 ) and the first transistor ( 13 ) and - the second partial path the capacity ( 22K ) of the second parallel circuit ( 22 ) and the second transistor ( 14 ) and that between the amplifier input ( 3 ) and amplifier output ( 4 ) arranged second signal path ( 12 ) the switchable bypass ( 10 ) having. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der schaltbare Bypass (10) eine vier Dioden aufweisende Diodenbrücke (10A) ist, wobei jede Diode mit einer Anode und eine Katode versehen ist und ein erster Anschluss (26) der Diodenbrücke (10A) über mindestens einen ersten Vorwiderstand (10R1) mit dem ersten Versorgungsanschluss (15) und ein zweiter Anschluss (27) der Diodenbrücke (10A) über mindestens einen zweiten Vorwiderstand (10R2) mit dem zweiten Versorgungsanschluss (16) verbunden sind.Circuit arrangement according to one of claims 3 to 8, characterized in that the switchable bypass ( 10 ) a four-diode diode bridge ( 10A ), each diode being provided with an anode and a cathode and a first terminal ( 26 ) of the diode bridge ( 10A ) via at least one first series resistor ( 10R1 ) with the first supply connection ( 15 ) and a second connection ( 27 ) of the diode bridge ( 10A ) via at least one second series resistor ( 10R2 ) with the second supply connection ( 16 ) are connected. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Anschluss (26) mit zwei Katoden der Diodenbrücke (10A) und der zweite Anschluss (27) mit zwei Anoden der Diodenbrücke (10A) verbunden sind.Circuit arrangement according to Claim 9, characterized in that the first connection ( 26 ) with two cathodes of the diode bridge ( 10A ) and the second connection ( 27 ) with two anodes of the diode bridge ( 10A ) are connected. Schaltungsanordnung nach Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem ersten Anschluss (26) der Diodenbrücke (10A) und dem mindestens einen ersten Vorwiderstand (10R1) mindestens eine erste Induktivität (10L1) und zwischen dem zweiten Anschluss (27) der Diodenbrücke (10A) und dem mindestens einen zweiten Vorwiderstand (10R2) mindestens eine zweite Induktivität (10L2) angeordnet sind.Circuit arrangement according to claims 9 or 10, characterized in that between the first terminal ( 26 ) of the diode bridge ( 10A ) and the at least one first series resistor ( 10R1 ) at least one first inductance ( 10L1 ) and between the second port ( 27 ) of the diode bridge ( 10A ) and the at least one second series resistor ( 10R2 ) at least one second inductance ( 10L2 ) are arranged. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Diodenbrücke (10A) aus pin-Dioden ausgebildet ist.Circuit arrangement according to one of Claims 9 to 11, characterized in that the diode bridge ( 10A ) is formed of pin diodes. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der schaltbare Bypass (10) ein mit einem Steuereingang (25) versehener CMOS-Schalter (10B) ist, wobei der Steuereingang (25) abhängig von der Steuerpolarität des CMOS-Schalters (10B) über den ersten oder zweiten Versorgungsanschluss (15, 16) mit der Spannungsquelle (9) verbunden ist.Circuit arrangement according to one of claims 3 to 8, characterized in that the switchable bypass ( 10 ) with a control input ( 25 ) provided CMOS switch ( 10B ), the control input ( 25 ) depending on the control polarity of the CMOS switch ( 10B ) via the first or second supply connection ( 15 . 16 ) with the voltage source ( 9 ) connected is. Schaltungsanordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der CMOS-Schalter (10B) auf GaAs-Basis ausgebildet ist.Circuit arrangement according to Claim 13, characterized in that the CMOS switch ( 10B ) is formed on GaAs basis. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Signal ein Hochfrequenzsignal ist.Circuit arrangement according to one of the preceding Going claims, characterized in that the signal is a high-frequency signal. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch mindestens eine Kapazität (1K, 2K) zwischen Signaleingang (1) und Verstärkereingang (3) und zwischen Verstärkerausgang (4) und Signalausgang (2).Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized by at least one capacitor ( 1K . 2K ) between signal input ( 1 ) and amplifier input ( 3 ) and between the amplifier output ( 4 ) and signal output ( 2 ). Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Schaltglied (8) ein Polwender ist.Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the switching element ( 8th ) is a polar turner.