DE102004040513A1 - Power semiconductor module with several coupling pins of such shape that they protrude through corresponding circuit board - Google Patents

Power semiconductor module with several coupling pins of such shape that they protrude through corresponding circuit board Download PDF

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Abstract

Coupling pins (6) of power semiconductor module are so shaped as to protrude through corresponding circuit board. Module includes mechanical coder, preferably consisting of at least one pin (18,20) eccentrically fitted with respect to module centre point for correct position on circuit board of frequency converter.Alternatively, coder may be dome also eccentrically fitted to module centre point. Mechanical coder may be in shape of support plate for dome in corresponding recess of module, which may be of iGBT dual or single module type.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Leistungshalbleitermodul mit mehreren Anschlussstiften, wobei diese Anschlussstifte derart ausgebildet sind, dass diese durch eine korrespondierende Leiterplatte ragen.The The invention relates to a power semiconductor module having a plurality Terminal pins, these pins formed in such a way are that they protrude through a corresponding circuit board.

Ein gattungsgemäßes Leistungshalbleitermodul ist im Handel erhältlich und ist beispielsweise in der 1 näher dargestellt. In dieser 1 sind mit 2 ein wannenförmiger Teil, mit 4 ein Deckel und mit 6 Anschlussstifte dieses Leistungshalbleitermoduls bezeichnet. Der wannenförmige Teil 2 ist auf der dem Deckel 4 abgewandten Seite mit einer Kühlplatte 8 versehen. Damit dieses Leistungshalbleitermodul auf einen Kühlkörper lösbar, beispielsweise geschraubt, befestigt werden kann, weisen die Ecken dieser Kühlplatte 8 Bohrungen 10 auf. Außerdem ist der wannenförmige Teil 2 im Bereich dieser Bohrungen 10 um diese Bohrungen 10 herumgeführt. In diesen wannenförmigen Teil 2 ist eine Substratplatte mit verdrahteten Halbleiterchips untergebracht. Diese verdrahteten Halbleiterchips sind mit den in einer umlaufenden Seitenwand 12 des wannenförmigen Teils 2 gesteckten Anschlussstiften 6 gebondet. Zum Schutz dieser Halbleiterchips ist der wannenförmige Teil 2 mit einer Kunststoffmasse, beispielsweise Silikon, aufgefüllt. Abgeschlossen ist dieser wannenförmige Teil mit dem Deckel 4. Dieser Deckel 4 stützt sich auf die Stirnseite der umlaufenden Seitenwand 12 des wannenförmigen Teils 2 ab. Damit dieser Deckel 4 auf dem wannenförmigen Teil 2 lagefixiert ist, ist der Deckel 4 bezogen auf seinen Randbereich 14 abgesenkt. Somit weist der Deckel 4 in seinem Randbereich 14 eine umlaufende Schulter auf.A generic power semiconductor module is commercially available and is for example in the 1 shown in more detail. In this 1 are with 2 a tub-shaped part, with 4 a lid and with 6 Terminal pins of this power semiconductor module called. The tub-shaped part 2 is on the lid 4 opposite side with a cooling plate 8th Mistake. So that this power semiconductor module can be detachably fastened, for example screwed, to a heat sink, the corners of this cooling plate have 8th drilling 10 on. In addition, the trough-shaped part 2 in the area of these holes 10 around these holes 10 led around. In this trough-shaped part 2 a substrate plate is accommodated with wired semiconductor chips. These wired semiconductor chips are with those in a circumferential sidewall 12 of the trough-shaped part 2 plugged pins 6 bonded. To protect these semiconductor chips is the trough-shaped part 2 filled with a plastic material, such as silicone. Completed is this trough-shaped part with the lid 4 , This lid 4 rests on the front side of the circumferential side wall 12 of the trough-shaped part 2 from. For this cover 4 on the trough-shaped part 2 is fixed in position, is the lid 4 based on its edge area 14 lowered. Thus, the lid points 4 in its edge area 14 a circumferential shoulder on.

Im Handel sind ebenfalls Leistungshalbleitermodule erhältlich, bei denen die Anschlussstifte nicht entlang einer umlaufenden Seitenwand 12 angeordnet sind, sondern mittig auf diesem Modul. Ebenfalls braucht das Modul in einem wannenförmigen Teil 2 und einem dazu korrespondieren Deckel 4 unterteilt werden. Es ist auch möglich, dass eine Haube vorgesehen ist, die über einer Substratplatte mit den aufgebrachten Chips gestülpt wird. Letztendlich bildet das Leistungsmodul ein quaderförmiges Gebilde, das mit Anschlussstiften 6 versehen ist. Mittels diesen Anschlussstiften 6 wird das Leistungshalbleitermodul mit einer korrespondierenden Leiterplatte, insbesondere einer Ansteuerleiterplatte, elektrisch leitend verbunden. Dazu ragen diese Anschlussstifte 6 durch Bohrungen der korrespondierenden Leiterplatte. Auf der dem Leistungshalbleitermodul abgewandten Seite dieser Leiterplatte werden diese durchgesteckten Anschlussstifte 6 mit Leiterbahnen verlötet.Power semiconductors modules are also commercially available in which the pins are not along a circumferential side wall 12 are arranged, but in the middle of this module. Also, the module needs in a trough-shaped part 2 and a corresponding lid 4 be divided. It is also possible that a hood is provided, which is slipped over a substrate plate with the applied chips. Finally, the power module forms a cuboid structure, with pins 6 is provided. By means of these pins 6 the power semiconductor module is electrically conductively connected to a corresponding printed circuit board, in particular a control printed circuit board. These pins protrude 6 by drilling the corresponding circuit board. On the side facing away from the power semiconductor module side of this circuit board these plugged pins 6 soldered with conductor tracks.

Die Halbleiterchips in diesem Leistungshalbleitermodul können in einer B6-Brückenschaltung, in einer B2-Brückenschaltung, in einer Brückenzweigschaltung oder einzeln angeordnet sein. Wenn die Halbleiterchips eines Leistungshalbleitermoduls in einer B6-Brückenschaltung verdrahtet sind, so wird dieses Leistungshalbleitermodul als Sixpack bezeichnet. Die Bezeichnung für das Leistungshalbleitermodul mit einer internen B2-Brückenschaltung wird als Fourpack bezeichnet. Weist das Leistungshalbleitermodul Halbleiterchips auf, die zu einer Brückenzweigschaltung verdrahtet sind, so wird dieses Leistungshalbleitermodul als Dual-Modul bezeichnet. In Abhängigkeit der verwendeten Chips und der Spannungsklasse wird ein Sixpack beispielsweise als 1200V IGBT-Sixpack bezeichnet.The Semiconductor chips in this power semiconductor module can be used in a B6 bridge circuit, in a B2 bridge circuit, in a bridge branch circuit or arranged individually. When the semiconductor chips of a power semiconductor module in a B6 bridge circuit are wired, this power semiconductor module as a six-pack designated. The name for becomes the power semiconductor module with an internal B2 bridge circuit referred to as Fourpack. Does the power semiconductor module semiconductor chips on that to a bridge branch circuit are wired, this power semiconductor module is a dual module designated. Dependent on the chips used and the voltage class becomes a six pack example as 1200V IGBT six pack called.

Jedem IGBT-Chip ist außerdem ein Diodenchip zugeordnet, das antiparallel geschaltet ist. Die verwendeten IGBT-Chips und die verwendeten Dioden-Chips sind jeweils unterschiedlich dimensioniert, wobei die Dimensionierung von der Funktion des Leistungshalbleitermoduls abhängt. Wird das Leistungshalbleitermodul als Wechselrichtermodul verwendet, so sind diese IGBT-Chips auf eine hohe Pulsfrequenz, beispielsweise mehrere kHz, ausgelegt und die zugehörigen Dioden-Chips werden als Freilaufdioden verwendet. Wird das Leistungshalbleitermodul als Einspeisemodul verwendet, werden die IGBT-Chips mit der Netzfrequenz getaktet und die Diodenchips werden als Netzdioden eingesetzt.Each IGBT chip is as well assigned a diode chip, which is connected in anti-parallel. The used IGBT chips and the diode chips used are different dimensioned, the dimensioning of the function of the power semiconductor module depends. If the power semiconductor module is used as the inverter module, so these IGBT chips are at a high pulse rate, for example several kHz, designed and the associated diode chips are called freewheeling diodes used. Does the power semiconductor module as a feed module used, the IGBT chips are clocked at the mains frequency and The diode chips are used as mains diodes.

In handelsüblichen Frequenzumrichtern ist netzseitig und lastseitig jeweils ein Stromrichter vorgesehen, die gleichspannungsseitig mittels eines Gleichspannungs-Zwischenkreises miteinander elektrisch leitend verbunden sind. Der netzseitige Stromrichter ist wechselspannungsseitig mit einem speisenden Netz verbunden. Wenn Energie vom Zwischenkreiskondensator des Gleichspannungs-Zwischenkreises in das speisende Netz zurückgespeist werden soll, weist der netzseitige Stromrichter die gleiche Hardware-Konfiguration der Stromrichterventile auf wie der lastseitige Stromrichter. Bei einem dreiphasigen speisenden Netz und einer dreiphasigen Last sind die Stromrichterventile des netz- und lastseitigen Stromrichters jeweils in einer B6-Brückenschaltung angeordnet.In commercial Frequency inverters are each a power converter on the supply side and on the load side provided, the DC side by means of a DC intermediate circuit are electrically connected to each other. The mains side converter is connected on the AC side to a feeding network. If energy from the DC link capacitor of the DC link be fed back into the feeding network should, the network-side power converter has the same hardware configuration the converter valves as the load-side converter. at a three-phase feeding network and a three-phase load the converter valves of the mains and load side converter each in a B6 bridge circuit arranged.

Für die Realisierung des netz- und lastseitigen Stromrichters werden Leistungshalbleitermodule, insbesondere IGBT-Sixpack-Module verwendet. Als netzseitiger Stromrichter kommt ein Einspeisemodul und als lastseitiger Stromrichter ein Wechselrichtermodul zum Einsatz. Diese beiden Leistungshalbleitermodule werden an entsprechenden Stellen einer Elektronikleiterplatte eingesetzt und verlötet. Diese beiden Leistungshalbleitermodule weisen sogar dasselbe Pinlayout auf. Sie unterscheiden sich lediglich in den verwendeten Halbleiterchips. Ein Vertauschen dieser beiden Leistungshalbleitermodule bei der Fertigung eines Frequenzumrichters würde diesen beim Einschalten nach kurzer Betriebsdauer zerstören, da das Einspeisemodul, dass für eine Pulsfrequenz gleich Netzfrequenz ausgelegt ist, nun als Wechselrichtermodul mit einer viel höheren Pulsfrequenz von mehreren kHz betrieben wird. Das Wechselrichtermodul wird ebenfalls nicht seiner Dimensionierung entsprechend verwendet. D.h., die Freilaufdioden des Wechselrichtermoduls werden nun als Netzdioden eingesetzt.Power semiconductor modules, in particular IGBT six-pack modules, are used for the realization of the line-side and load-side converter. A power supply module is used as the line-side converter and an inverter module is used as the load-side converter. These two power semiconductor modules are used and soldered at corresponding points of an electronic circuit board. These two power semiconductor modules even have the same pin layout. They differ only in the semiconductor chips used. Swapping these two power semiconductor modules in the manufacture of a frequency converter would destroy this when switching after a short period of operation, since the feed module that is designed for a pulse frequency equal to mains frequency, is now operated as an inverter module with a much higher pulse frequency of several kHz. The inverter module is also not used according to its dimensions. That is, the freewheeling diodes of the inverter module are now used as line diodes.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Leistungshalbleitermodul anzugeben, wodurch ein Vertauschen nicht mehr möglich ist.Of the The invention is based on the object, a power semiconductor module specify, whereby a swapping is no longer possible.

Diese Aufgabe wird mit dem kennzeichnenden Merkmal des Anspruchs 1 erfindungsgemäß gelöst.These The object is achieved with the characterizing feature of claim 1 according to the invention.

Dadurch, dass das Leistungshalbleitermodul mit einer mechanischen Kodiervorrichtung versehen ist, kann das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul nur noch an einem korrespondierenden Platz auf der korrespondierenden Leiterplatte gesteckt und verlötet werden. Dadurch wird ein fehlerbehafteter Einbau in der Fertigung sicher verhindert, ohne dass die Fertigung sich verteuert bzw. auf eine vollautomatische Fertigung umgestellt werden muss.Thereby, that the power semiconductor module with a mechanical coding device is provided, the power semiconductor module according to the invention only at a corresponding place on the corresponding one PCB plugged and soldered become. This is a faulty installation in production safely prevented, without the production is more expensive or up a fully automated production must be converted.

Bei einer ersten vorteilhaften Ausführungsform der mechanischen Kodiervorrichtung wird wenigstens ein Stift vorgesehen, der auf dem Modul exzentrisch zum Mittelpunkt des Leistungsmoduls angeordnet ist. Dieser Stift bzw. diese Stifte werden für ein Wechselrichtermodul und ein Einspeisemodul an unterschiedlichen Stellen des Leistungshalbleitermoduls angeordnet. Dadurch wird jedem Leistungshalbleitermodul ein eindeutiger Einbauplatz auf der korrespondierenden Leiterplatte zugewiesen.at a first advantageous embodiment the mechanical coding device is provided at least one pin, the on the module eccentric to the center of the power module is arranged. This pin or pins are for an inverter module and a feed module at different locations of the power semiconductor module arranged. This will make each power semiconductor module a unique one Slot allocated on the corresponding PCB.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der mechanischen Kodiervorrichtung ist wenigstens ein Dom auf dem Deckel eines Leistungshalbleitermoduls exzentrisch zu seinem Mittelpunkt angeordnet. Dadurch wird ebenfalls ein Vertauschen verhindert.at a further advantageous embodiment of the mechanical Coding device is at least one dome on the lid of a power semiconductor module arranged eccentrically to its center. This will also prevents swapping.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der mechanischen Kodiervorrichtung ist eine beliebig geformte Tragplatte mit einem darauf angeordneten Dom vorgesehen. Diese beliebig geformte Tragplatte wird in einer korrespondierenden Ausneh mung des Deckels des Leistungshalbleitermoduls angeordnet. Durch diese vorteilhafte Kodiervorrichtung können mehrere Wechselrichtermodule und Einspeisemodule kodiert werden, indem diese beliebig geformte Tragplatte in unterschiedlichen Positionen in eine korrespondierende Ausnehmung der Leistungsmodule angeordnet werden kann. Somit werden für diese Module und der mechanischen Kodiervorrichtung jeweils ein identisches Kunststoffteil verwendet, wodurch wenigstens ein teueres Spritzgussteil eingespart werden kann.at a further advantageous embodiment of the mechanical Coding device is an arbitrarily shaped support plate with a provided thereon cathedral provided. This arbitrarily shaped support plate is in a corresponding Ausneh tion of the lid of the power semiconductor module arranged. By this advantageous coding device can several Inverter modules and power modules are encoded by any of these shaped support plate in different positions in a corresponding Recess of the power modules can be arranged. Thus be for this Modules and the mechanical coding each an identical Plastic part used, creating at least one expensive injection molded part can be saved.

Weitere vorteilhafte Ausführungsformen des Leistungshalbleitermoduls sind den abhängigen Ansprüchen 5 bis 12 zu entnehmen.Further advantageous embodiments of the power semiconductor module are the dependent claims 5 to 12 to remove.

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in der mehrere Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls schematisch veranschaulicht sind.to further explanation The invention is referred to the drawing, in which several embodiments the power semiconductor module according to the invention are illustrated schematically.

1 zeigt ein im Handel erhältliches Leistungshalbleitermodul, in der 1 shows a commercially available power semiconductor module in which

2 ist eine erste Ausführungsform eines Leistungshalbleitermoduls nach der Erfindung veranschaulicht, wobei die 2 a first embodiment of a power semiconductor module is illustrated according to the invention, wherein the

3 und 4 jeweils eine weitere Ausführungsform eines Leistungshalbleitermoduls nach der Erfindung darstellen. 3 and 4 each represent a further embodiment of a power semiconductor module according to the invention.

In der 2 ist eine erste Ausführungsform eines Leistungshalbleitermoduls nach der Erfindung dargestellt. Dabei zeigt diese 2 eine Draufsicht auf das Leistungshalbleitermodul. In dieser Darstellung ist erkennbar, dass die Anschlussstifte 6 des Moduls durch den umlaufenden Randbereich 14 des Deckels 4 ragen. Der Bereich 16 des Deckels 4, der vom umlaufenden Randbereich 14 umschlossen ist, ist gegenüber diesen umlaufenden Randbereich 14 abgesenkt. Dadurch bildet dieser umlaufende Randbereich 14 eine umlaufende Schulter, die sich auf der Stirnseite der umlaufenden Seitenwand 12 des wannenförmigen Teils 2 des Leistungshalbleitermoduls abstützt. Die mechanische Kodiervorrichtung, die das Leistungshalbleitermodul in dieser Ausführungsform aufweist, besteht aus zwei Stiften 18, 20. Diese Stifte 18 und 20 sind wie die Anschlussstifte 6 des Leistungshalbleitermoduls durch den umlaufenden Randbereich 14 des Deckels 4 in die Stirnseite der umlaufenden Seitenwand 12 des wannenförmigen Teils 2 gesteckt, werden jedoch nicht elektrisch angeschlossen. In dieser Ausführungsform sind diese beiden Stifte 18 und 20 punktsymmetrisch angeordnet. Diese Stifte 18 und 20 können auch nebeneinander angeordnet werden. Jedenfalls können alle nicht besetzten Bohrungen des Leistungshalbleitermoduls für die Stifte 18 und 20 verwendet werden. Außerdem wird die Anzahl der Stifte 18 und 20 nur durch die Anzahl der nicht besetzten Bohrungen für diese Anschlussstifte 6 begrenzt. In einer Leiterplatte, in der ein derartiges Leistungshalbleitermodul eingelötet werden soll, müssen zu den Stiften 18 und 20 korrespondierende Bohrungen vorhanden sein. Mittels dieser Stifte 18 und 20 kann jedes Leistungshalbleitermodul individuell kodiert werden. Die Stifte 18 und 20 werden bereits vom Modulhersteller integriert oder vom Bezieher solcher Leistungshalbleitermodule nachträglich eingesetzt.In the 2 a first embodiment of a power semiconductor module according to the invention is shown. It shows this 2 a plan view of the power semiconductor module. In this illustration, it can be seen that the pins 6 of the module through the peripheral edge area 14 of the lid 4 protrude. The area 16 of the lid 4 , the surrounding edge area 14 is enclosed, is opposite this peripheral edge area 14 lowered. As a result, this forms peripheral edge region 14 a circumferential shoulder, located on the front side of the circumferential side wall 12 of the trough-shaped part 2 the power semiconductor module is supported. The mechanical coding apparatus having the power semiconductor module in this embodiment is composed of two pins 18 . 20 , These pens 18 and 20 are like the pins 6 of the power semiconductor module by the peripheral edge region 14 of the lid 4 in the front of the circumferential side wall 12 of the trough-shaped part 2 plugged in, but are not connected electrically. In this embodiment, these two pins 18 and 20 arranged point-symmetrically. These pens 18 and 20 can also be arranged side by side. In any case, all unoccupied holes of the power semiconductor module for the pins 18 and 20 be used. Also, the number of pens 18 and 20 only by the number of unoccupied holes for these pins 6 limited. In a printed circuit board in which soldered such a power semiconductor module should be, to the pins 18 and 20 corresponding holes may be present. By means of these pins 18 and 20 Each power semiconductor module can be coded individually. The pencils 18 and 20 are already integrated by the module manufacturer or subsequently used by the purchaser of such power semiconductor modules.

In der 3 ist eine weitere Ausführungsform der mechanischen Kodiervorrichtung eines Leistungshalbleitermoduls schematisch veranschaulicht. Auch bei dieser Darstellung ist die Draufsicht auf das Leistungshalbleitermodul verwendet worden. Die Ausführungsform dieser mechanischen Kodiervorrichtung unterscheidet sich von der mechanischen Kodiervorrichtung gemäß 2 dadurch, dass anstelle von Stiften 18 und 20 hier ein Dom 22 verwendet wird. Dieser Dom 22 ist exzentrisch zum Mittelpunkt des Leistungshalbleitermoduls angeordnet. Vorteilhafterweise bilden der Deckel 4 und der Dom 22 eine Baueinheit. Die Höhe des Doms 22 ist derart bemessen, dass dieser beim eingebauten Leistungshalbleitermodul in eine Leiterplatte, auf der das Leistungshalbleitermodul platziert ist, diese durchdringt. Dadurch wird ein fehlerhafter Einbau eines Leistungshalbleitermoduls verhindert. Für unterschiedliche Leistungshalbleitermodule, beispielsweise Einspeisemodul oder Wechselrichtermodul, werden unterschiedliche Deckel 4 mit integrierten Domen 22 verwendet. Das Unterscheidungsmerkmal ist die Platzierung der Dome 22. Eine Anordnung des Doms 22 im Mittelpunkt des Deckels 4 des Leistungshalbleitermoduls erübrigt sich, da dadurch keine Kodierung zur Verhinderung fehlerhaften Einbaus erzielt werden kann. D.h., der Dom 22 muss immer exzentrisch zum Mittelpunkt des Deckels 4 eines Leistungshalbleitermoduls angeordnet sein. Da jedes zu kodierende Leistungshalbleitermodul einen eigenen Deckel 4 mit Dom 22 aufweist, werden entsprechend der Anzahl der zu kodierenden Leistungshalbleitermodule Spritzgussformen benötigt.In the 3 a further embodiment of the mechanical coding device of a power semiconductor module is schematically illustrated. Also in this illustration, the plan view of the power semiconductor module has been used. The embodiment of this mechanical coding device differs from the mechanical coding device according to FIG 2 in that instead of pins 18 and 20 here a dome 22 is used. This cathedral 22 is arranged eccentrically to the center of the power semiconductor module. Advantageously, the lid form 4 and the dome 22 a structural unit. The height of the cathedral 22 is dimensioned such that it penetrates the built-in power semiconductor module in a printed circuit board, on which the power semiconductor module is placed, this. As a result, a faulty installation of a power semiconductor module is prevented. For different power semiconductor modules, such as feed module or inverter module, different covers 4 with integrated domes 22 used. The distinguishing feature is the placement of the dome 22 , An arrangement of the cathedral 22 in the center of the lid 4 the power semiconductor module is unnecessary, as this coding can be achieved to prevent faulty installation. That is, the cathedral 22 must always be eccentric to the center of the lid 4 a power semiconductor module to be arranged. Since each power semiconductor module to be coded has its own cover 4 with dome 22 has, according to the number of power semiconductor modules to be encoded injection molds needed.

Dieser Aufwand an Spritzgussformen kann dadurch verhindert werden, dass als mechanische Kodiervorrichtung eine Tragplatte 24 mit einem Dom 22 verwendet wird. In der 4 ist die Draufsicht auf ein Leistungshalbleitermodul mit dieser mechanischen Kodiervorrichtung näher dargestellt. Für die Aufnahme dieser Tragplatte 24 weist der abgesenkte Bereich 16 des Deckels 4 eine zur Tragplatte 24 korrespondierende Ausnehmung 26 auf. Dabei ist diese Ausnehmung 26 derart gestaltet, dass diese korrespondierend zur Dicke der Tragplatte 24 eine Tiefe aufweist. Dadurch wird die Tragplatte 24 eben in den Deckel 4 integriert. Gegenüber einer Ausnehmung 26 kann auch eine Bohrung vorgesehen sein, die mit einer umlaufenden Schulter versehen ist. Auf dieser umlaufenden Schulter einer zur beliebig geformten Tragplatte korrespondierenden Bohrung kann sich diese Tragplatte 24 abstützten. Außerdem wird diese umlaufende Schulter zur nicht lösbaren Verbindung der Tragplatte 24 mit dem Deckel 4 verwendet. Beispielsweise wird die Tragplatte 24 mit der Ausnehmung 26 bzw. mit der umlaufenden Schulter der Bohrung verklebt.This amount of injection molds can be prevented, that as a mechanical coding a support plate 24 with a dome 22 is used. In the 4 the plan view of a power semiconductor module is shown in more detail with this mechanical coding device. For receiving this support plate 24 indicates the lowered area 16 of the lid 4 one to the support plate 24 corresponding recess 26 on. In this case, this recess 26 designed such that it corresponds to the thickness of the support plate 24 has a depth. This will make the support plate 24 just in the lid 4 integrated. Opposite a recess 26 can also be provided a bore which is provided with a circumferential shoulder. On this circumferential shoulder of a correspondingly shaped support plate corresponding hole, this support plate can 24 abstützten. In addition, this circumferential shoulder for non-detachable connection of the support plate 24 with the lid 4 used. For example, the support plate 24 with the recess 26 or glued to the circumferential shoulder of the bore.

Der Dom 22 ist wiederum exzentrisch zum Mittelpunkt der Tragplatte 24 angeordnet. Vorteilhafterweise bilden Tragplatte 24 und Dom 22 eine Bauform. Ist die Tragplatte 24 quadratisch ausgebildet, so kann diese Tragplatte 24 in vier verschiedenen Positionen zum Deckel 4 in die Ausnehmung 26 platziert werden. D.h., es können vier unterschiedliche Leistungshalbleitermodule kodiert werden. Ist die Tragplatte 24 rechteckförmig ausgebildet, so existieren nur zwei unterschiedliche Positionen dieser Tragplatte 24 in der Ausnehmung 26, wodurch nur noch zwei verschiedene Leistungshalbleitermodule kodiert werden können. Ist diese Tragplatte 24 rund ausgeführt, so können theoretisch beliebig viele Positionen im Deckel 4 eingenommen werden, wodurch beliebig viele Leistungshalbleitermodule kodiert werden können. Allerdings ist dann der Einbau der Tragplatte 24 in den Deckel 4 besonders sorgfältig auszuführen, da keine automatische Zentrierung vorhanden ist. Zwischenstufen mit vorgegebenen Einrastpositionen sind beliebig denkbar. Um mehr als vier Positionen für die Positionierung der Tragplatte 24 in der Ausnehmung 26 des Deckels 4 des Leistungshalbleitermoduls zu erhalten, die gleichzeitig eine automatische Zentrierung aufweisen, wird die Tragplatte 24 als Vieleck ausgebildet. Je mehr Ecken diese Tragplatte 24 aufweist, um so mehr kommt diese Ausführungsform der Tragplatte 24 an eine runde Ausführungsform heran.The cathedral 22 is in turn eccentric to the center of the support plate 24 arranged. Advantageously form support plate 24 and Dom 22 a design. Is the support plate 24 square formed, so this support plate 24 in four different positions to the lid 4 into the recess 26 to be placed. That is, four different power semiconductor modules can be coded. Is the support plate 24 formed rectangular, so there are only two different positions of this support plate 24 in the recess 26 , whereby only two different power semiconductor modules can be coded. Is this support plate 24 Run around so theoretically any number of positions in the lid 4 be taken, whereby any number of power semiconductor modules can be encoded. However, then the installation of the support plate 24 in the lid 4 be carried out with particular care, as there is no automatic centering. Intermediate stages with predetermined latching positions are conceivable arbitrarily. To more than four positions for the positioning of the support plate 24 in the recess 26 of the lid 4 to obtain the power semiconductor module, which at the same time have an automatic centering, is the support plate 24 formed as a polygon. The more corners this support plate 24 has, the more comes this embodiment of the support plate 24 approach to a round embodiment.

Durch dieses erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul mit einer mechanischen Kodiervorrichtung wird ein fehlerhafter Einbau dieses Leistungshalbleitermoduls in eine korrespondierende Leiterplatte eines Frequenzumrichters sicher verhindert, wodurch die Ausfallrate von Frequenzumrichtern wesentlich reduziert wird, ohne dass die Fertigung der Frequenzumrichter umgestellt werden muss.By this power semiconductor module according to the invention with a mechanical coding device is a faulty installation this power semiconductor module in a corresponding circuit board a frequency converter safely prevents, thereby reducing the failure rate of frequency converters is substantially reduced without the Manufacture of the frequency converter must be changed.

Claims (12)

Leistungshalbleitermodul mit mehreren Anschlussstiften (6), wobei diese Anschlussstifte (6) derart ausgebildet sind, dass diese durch eine korrespondierende Leiterplatte ragen, dadurch gekennzeichnet, dass das Leistungshalbleitermodul mit einer mechanischen Kodiervorrichtung versehen ist.Power semiconductor module with multiple pins ( 6 ), these pins ( 6 ) are formed such that they protrude through a corresponding circuit board, characterized in that the power semiconductor module is provided with a mechanical coding device. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als mechanische Kodiervorrichtung wenigstens ein Stift (18,20) vorgesehen ist, der auf dem Modul exzentrisch zum Mittelpunkt des Leistungsmoduls angeordnet ist.Power semiconductor module according to claim 1, characterized in that as mechanical coding device at least one pin ( 18 . 20 ) is provided, which is arranged on the module eccentric to the center of the power module. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als mechanische Kodiervorrichtung wenigstens ein Dom (22) vorgesehen ist, der auf dem Modul exzentrisch zum Mittelpunkt des Leistungshalbleitermoduls angeordnet ist.Power semiconductor module according to claim 1, characterized in that as a mechanical coding device at least one dome ( 22 ) is provided, which is arranged on the module eccentric to the center of the power semiconductor module. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als mechanische Kodiervorrichtung eine beliebig geformte Tragplatte (24) mit einem darauf angeordneten Dom (22) vorgesehen ist, und dass diese Tragplatt (24) in eine korrespondierende Ausnehmung (26) des Moduls angeordnet ist.Power semiconductor module according to claim 1, characterized in that as a mechanical coding an arbitrarily shaped support plate ( 24 ) with a dome ( 22 ), and that this support plate ( 24 ) in a corresponding recess ( 26 ) of the module is arranged. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Tragplatte (24) quadratisch ist.Power semiconductor module according to claim 4, characterized in that the support plate ( 24 ) is square. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Tragplatte (24) rechteckförmig ist.Power semiconductor module according to claim 4, characterized in that the support plate ( 24 ) is rectangular. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Tragplatte (24) vieleckförmig ausgebildet ist.Power semiconductor module according to claim 4, characterized in that the support plate ( 24 ) is formed vieleckförmig. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Dom (22) und der Deckel (4) eine Baueinheit bilden.Power semiconductor module according to claim 3, characterized in that the dome ( 22 ) and the lid ( 4 ) form a structural unit. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Dom (22) und die Tragplatte (24) eine Baueinheit bilden.Power semiconductor module according to claim 4, characterized in that the dome ( 22 ) and the support plate ( 24 ) form a structural unit. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Leistungshalbleitermodul ein IGBT-Sixpack-Modul ist.Power semiconductor module according to one of the aforementioned Claims, characterized in that the power semiconductor module is an IGBT six-pack module is. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Leistungshalbleitermodul ein IGBT-Dual-Modul ist.Power semiconductor module according to one of claims 1 to 9, characterized in that the power semiconductor module a IGBT dual module is. Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Leistungshalbleitermodul ein IGBT-Single-Modul ist.Power semiconductor module according to one of claims 1 to 9, characterized in that the power semiconductor module a IGBT single module is.
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