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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Bildwand mit reduziertem Speckle-Effekt
für Projektionsverfahren
mit schmalbandigen Lichtquellen, insbesondere für Laserlicht.
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Unter
den Visualisierungsverfahren, zum Beispiel mit Kathodenstrahlröhren (CRT),
Flüssigkristall-Display
(LCD), Plasma-Bildschirm und Projektionsgeräten kommt den Projektionsverfahren eine
besondere Bedeutung zu. Sie ermöglichen
eine großflächige Darstellung
von Bildern bei gleichzeitig hoher Auflösung.
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Für die Projektionsverfahren
werden Projektoren mit schmalbandigen Lichtquellen eingesetzt. Ein
Beispiel sind Laser, mit denen sich monochromatisches Licht erzeugen
lässt.
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Ähnlich dem
Farbfernsehen werden hierfür Laserlichtquellen
der drei Primärvalenzen
rot, grün und
blau verwendet.
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Laserprojektionssysteme
wie scannende Laserprojektionsverfahren bieten die Möglichkeit
aufgrund unbegrenzter Tiefenschärfe
auf nahezu beliebig geformten Körpern
scharfe Bilder zu projizieren. Sie weisen gegenüber konventionellen Verfahren hervorragende
Hell-Dunkel-Kontrastwerte von 1:50.000 bis 1:100.000 auf gegenüber 1:5000
bei herkömmlichen
Geräten.
Durch einen erheblich größeren Farbraum
lassen sich zudem brillantere Bilder realisieren. So können mit
Laserprojektionsverfahren aufgrund des großen Farbraumes und der hohen Kontraste
in abgedunkelten Räumen
subjektiv 3D-Effekte erzielt werden.
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Ein
generelles Problem bei der Projektion von Bildern ist der schlechte
Kontrast. Dieser wird dadurch bewirkt, dass nicht nur das Projektionslicht sondern
auch das Umgebungslicht an der Bildwand reflektiert wird. Durch
den Einsatz spektral schmalbandiger Lichtquellen kann der Kontrast
erheblich erhöht
werden, indem Bildwände
eingesetzt werden, die eine spektral selektiv reflektierende Beschichtung aufweisen.
Aufgrund der spektral selektiv reflektierenden Beschichtung wird
im Wesentlichen nur Licht des Projektors reflektiert und das Umgebungslicht ab sorbiert
oder transmittiert. Derartige spektral selektive Bildwände sind
zum Beispiel in dem Deutschen Patent
DE 199 01 970 C2 und der Deutschen Patentanmeldung
DE 197 47 597 A1 beschrieben.
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Für die Bilderzeugung
sind streuende Oberflächen
erforderlich, das heißt
Bildwände
mit einer rauen Oberflächenstruktur.
Aufgrund der rauen Oberflächenstruktur
wird das Licht in verschiedene Raumrichtungen reflektiert und kann
so von verschiedenen Beobachtungspunkten aus gesehen werden.
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Wird
Laserlicht an streuenden Flächen
reflektiert, können
sogenannte Speckle-Effekte
auftreten. Ursache für
Speckle-Effekte ist eine Reflexion des Lichtstrahls an zwei Punkten
der streuenden Fläche,
deren lateraler Abstand einerseits kleiner ist als die Auflösung des
Auges eines Betrachters, wobei die Punkte aber andererseits unterschiedlich
weit weg vom Betrachter sind. Dieser Fall kann zum Beispiel bei
streuenden Flächen
mit unregelmäßiger Oberfläche auftreten,
bei der zwei nahe benachbarte Punkte, an denen der Lichtstrahl gestreut
wird, eine unterschiedliche Höhe
aufweisen. Die an diesen Punkten reflektierten Wellenzüge weisen
aufgrund der unterschiedlichen Entfernung vom Betrachter geringe
Laufzeitunterschiede auf. Die Wellenzüge werden jedoch auf der Netzhaut
nur auf einem Punkt abgebildet und wegen der Laufzeitunterschiede
kommt es dort zu Interferenzeffekten. Subjektiv ist der Effekt als
ein statistisches Kriseln beziehungsweise eine Körnigkeit im Bild auszumachen
und sollte daher vermieden werden.
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Zur
Vermeidung des Speckle-Effekts wurden zahlreiche Lösungsansätze vorgeschlagen,
die prinzipiell in folgende Kategorien unterteilt werden können:
- – Ansätze zur
Vermeidung der Interferenz sowie
- – Ansätze basierend
auf einer Mittelung des Speckle-Effekts, auch „Verschmierung" genannt.
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Zur
Realisierung dieser Ansätze
können Maßnahmen
am Projektor, der Bildwand oder an beiden getroffen werden.
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In
DE 101 18 662 A1 ist
eine Bildwand beschrieben, bei der der Speckle-Effekt reduziert
wird, indem die Interferenz vermieden wird. Zur Auflösung der
Interferenz wird ein Bildwandmaterial vorgeschlagen, das eine Volumenstreuung
des Lichtes bewirkt. Hierbei wird der befeuchtete Gegenstand mit
einer volumenstreuenden Beschichtung beschichtet, zum Beispiel Polytetrafluorethylen.
Nachteil dieses Verfahrens ist die Notwendigkeit, die Kohärenzlänge des verwendeten
Laserlichts an die Dicke der volumenstreuenden Beschichtung anzupassen,
so dass eine Einschränkung
hinsichtlich der verwendbaren Projektoren besteht. Auch ist es generell
schwierig, eine volumenstreuende Beschichtung mit der gewünschten
spektralselektiven Reflexion zu kombinieren.
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Ein
Verfahren zum Verschmieren des Speckle-Effekts ist aus
US 5,272,473 bekannt. Dort wird vorgeschlagen,
an einer Bildwand eine Schallquelle anzuordnen. Die von der Schallquelle
erzeugten akustischen Wellen durchlaufen die Bildwand, und regen
diese zu Schwingungen an. Aufgrund der schwingenden Bildwand werden
je nach Schwingungszustand von den reflektierten Laserlichtstrahlen
verschiedene Speckle-Muster erzeugt, die während der Integrationszeit
des Detektors (Auge) gemittelt, das heißt verschmiert, werden, so
dass sich der Speckle-Kontrast verringert. Je nach Schallfrequenz und
Bildwanddimension können
jedoch Wellenbäuche
und -knoten auftreten, bei denen keine Verschmierung gegeben ist
und somit der Speckle-Effekt wieder voll auftritt.
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Alternativ
hierzu wird in JP 2000-081602 eine Bildwand mit Flüssigkristallmaterialien
beschrieben, wobei die Flüssigkristalle
durch Anlegen eines hochfrequenten Niederspannungssignals in Vibration versetzt
werden. Die vibrierenden Flüssigkristalle
bewirken wiederum schnell variierende Speckle-Muster und so ein
Mitteln (Verschmieren) des Kontrasts. Auch diese Art von Bildwänden kann
nur schlecht mit den an sich gewünschten
kontrasterhöhenden
spektralselektiv reflektierenden Beschichtungen kombiniert werden
und ist zudem hinsichtlich der realisierbaren Abmessungen beschränkt.
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Bildwand
insbesondere für
Laserprojektion zur Verfügung
zu stellen, mit reduziertem Speckle-Effekt, die die vorstehend genannten
Nachteile des Standes der Technik nicht aufweist. Insbesondere ist
es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Bildwand mit reduziertem
Speckle-Effekt zur Verfügung
zu stellen, die ohne Weiteres mit kontrastverbessernden Beschichtungen
kombiniert werden kann sowie hinsichtlich der eingesetzten schmalbandigen
Lichtquelle wie Laserquelle keinen Beschränkungen unterliegt.
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Gelöst wird
diese Aufgabe durch eine Bildwand, die die Oberflächenstruktur
einer polykristallinen Schicht hat mit glatten Kristallfacetten,
wobei die Kristallfacetten durch unterschiedliche räumliche Ausrichtung
eine strukturierte Oberflächentopographie
ausbilden.
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Die
Erfindung umfasst damit Bildwände
mit polykristallinen Schichten als auch Bildwände mit einer Oberflächenstruktur,
die der Oberflächenstruktur von
polykristallinen Schichten entspricht. Dies sind zum Beispiel Abformungen
(Replikate) von polykristallinen Oberflächen.
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Im
Sinne der Erfindung umfasst der Begriff "Bildwand" Projektionsflächen aller Art.
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Die
vorliegende Erfindung beruht auf dem Grundgedanken, eine Reflexion
des eingestrahlten Lichtes an nahe benachbarten Punkten zu vermeiden,
die auf einem Punkt der Netzhaut abgebildet werden, und die aufgrund
ihrer räumlichen
Anordnung zu Gangunterschieden des reflektierten Lichtes führen, so
dass es auf der Netzhaut zu Interferenzeffekten kommt und damit
zur Erzeugung des Speckle-Effekts.
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Erfindungsgemäß wird daher
für die
Bildwand eine Eigenschaft polykristalliner Schichten ausgenutzt,
glatte Kristallfacetten auszubilden. Aufgrund der glatten Oberfläche der
Facetten wird Licht, das auf eine Facette einfällt, gleichmäßig reflektiert,
ohne dass Gangunterschiede auftreten.
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Ein
zweites Erfordernis für
Bildwände
ist, dass das Licht in unterschiedliche Raumwinkel remittiert wird,
so dass die Abbildung für
den Betrachter von verschiedenen Standpunkten aus sichtbar ist.
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Diesem
Erfordernis wird erfindungsgemäß Rechnung
getragen, indem die Facetten der Kristallspitzen eine strukturierte
Oberflächentopographie ausbilden,
indem sie in unterschiedliche Raumrichtungen ausgerichtet sind und
unterschiedliche Neigungswinkel zur Senkrechten bezogen auf die
Bildwand haben.
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Im
Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet „Ausrichtung in unterschiedliche
Raumrichtungen" und „unterschiedliche
Neigungswinkel",
dass die Oberflächentopographie
derart ist, dass der Querschnitt oder Wirkungsquerschnitt des auftreffenden Lichtstrahls
eine Umgebung unterschiedlicher Struktur umfasst, so dass der Lichtstrahl
in verschiedene Richtungen remittiert wird.
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Die
Anordnung und/oder Größe der Facetten wird
erfindungsgemäß so gewählt, dass
innerhalb des Wirkungsquerschnitts des einfallenden Lichtstrahls
eine Remission im wesentlichen in alle Raumwinkel erfolgt. Wirkungsquerschnitt
im Sinne der Erfindung ist die Fläche pro Pixel, die vom einfallenden Lichtstrahl überstrichen
wird.
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So
können
die Facettenflächen
größer als der
Strahlquerschnitt des einfallenden Lichtes sein. In diesem Fall
sollte ihre räumliche
Anordnung innerhalb des Wirkungsquerschnitts eine Remission in die gewünschten
Raumwinkel ermöglichen.
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Vorzugsweise
sollte der Strahlquerschnitt des einfallenden Lichtes mindestens
so groß oder größer als
die Facettenfläche
sein.
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Beispielsweise
hat herkömmliches
Laserlicht einen Strahlquerschnitt, der im Allgemeinen mehrere Facetten
einer polykristallinen Schicht abdeckt, so dass es in verschiedene
Richtungen remittiert wird, wie es für die Realisierung einer Bildwand
erforderlich ist. Aufgrund der Glätte der Facetten wird dennoch
gleichzeitig vermieden, dass unterhalb des Auflösungsvermögens des Auges liegende Punkte
der Oberfläche,
die einen Gangunterschied erzeugen könnten, in die gleiche Richtung
remittiert werden.
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Erfindungsgemäß wird damit
der Speckle-Effekt reduziert durch:
- 1. die
Glätte
der Kristallfacetten der polykristallinen Schicht, so dass das einstrahlende
Licht ohne optische Verzögerung
reflektiert wird und damit keine Interferenz und kein Speckle auftreten
können,
und
- 2. indem durch die Größe und/oder
Anordnung der Facetten innerhalb des Wirkungsquerschnitts des einfallenden
Lichtstrahls das Licht in verschiedene Richtungen reflektiert wird
und damit von unterschiedlichen Standpunkten aus betrachtbar ist.
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Als
Material für
die polykristalline Schicht der erfindungsgemäßen Bildwand können prinzipiell
alle Werkstoffe eingesetzt werden, die als polykristalline Schichten
abgeschieden werden können.
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Beispiele
für Werkstoffe
für polykristalline Schichten
sind Diamant, Silizium, Indium, Indiumarsenid, Galliumarsenid, Cadmiumselenid,
Perylen-Tetracarboxyl-Dianhydrid,
Zinkoxid, Aluminiumoxid, Gallium-Gadoliniumgranat (Ga3Gd5O12, GGG), Yttrium-
Gadoliniumgranat (Y3Gd5O12, YGG) und Yttrium-Aluminiumgranat (Y3Al5O12,
YAG).
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Die
erfindungsgemäßen polykristallinen Schichten
können
mittels allgemein bekannter üblicher
Abscheidungsverfahren erhalten werden, wie der chemischen Gasphasenabscheidung
und der physikalischen Gasphasenabscheidung.
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Ein
bevorzugtes Beispiel für
die chemische Gasphasenabscheidung ist die aktivierte chemische Gasphasenabscheidung,
wobei die Aktivierung zum Beispiel mit Plasma oder mit Heißdrähten geschehen kann.
Geeignete Verfahren für
die aktivierte chemische Gasphasenabscheidung sind an sich bekannt. Geeignete
Verfahren sind unter anderem in
DE 196 29 456 C1 ,
DE 198 50 346 und
DE 195 30 161 C2 beschrieben,
auf die hier vollinhaltlich Bezug genommen wird.
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Weiter
wird in diesem Zusammenhang auf Wild, C.; Koidl, P., Müller-Sebert,
W.; Walcher, H.; Kohl, H.; Herres, N.; Locher, R.: "Chemical vapour deposition
and characterization of smooth {100}-faceted diamond films" in: Diamond and
Related Materials 2 (1993), S. 158 – 168 und Wild, C.; Herres,
N.; Koidl, P.: "Texture
formation in polycrystalline diamond films" in: Journal of Applied Physics 68 (1990) 3,
1. August, S. 973 – 978
verwiesen.
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Die
aktivierte chemische Gasphasenabscheidung eignet sich insbesondere
auch für
die Herstellung von polykristallinen Diamantschichten.
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Geeignete
Beispiele für
die physikalische Gasphasenabscheidung sind Sputtern und Aufdampfen.
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Die
Oberflächentopographie
lässt sich
durch einfache Variation der Verfahrensparameter einstellen. Beispiele
sind die Gasphasenzusammensetzung oder Temperatur. Weitere Maßnahmen
können
die Variation der Substrattemperatur durch Kühl- beziehungsweise Heiztische
sein.
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Variation
der Substrattemperatur unterstützt zum
Beispiel die Ausbildung von orientierten polykristallinen Diamantschichten.
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Die
Charakterisierung der Facettengeometrie wie Glätte, Größe und Raumwinkel kann mit
kontaktlosen optischen Verfahren erfolgen. So kann für die Messung
ein Konfokalmikroskop oder andere Verfahren unter Verwendung zum
Beispiel eines Rasterelektronenmikroskops (REM) oder eines Rasterkraftmikroskops
(AFM) eingesetzt werden.
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Die
Abscheidung polykristalliner Schichten erfolgt üblicherweise auf einem Substrat.
Für die
erfindungsgemäße Bildwand
kann die Schicht einschließlich
Substrat eingesetzt werden. Beispiele für geeignete Substrate sind
Silizium, Keramiken, wie sie unter anderem auch für Diamantschichten
eingesetzt werden, Hartmetalle, Niob, Titan, Stahl oder Graphit.
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Gemäß einer
Ausführungsform
kann die Schicht von dem Substrat gelöst werden und lediglich die
Schicht für
die Bildwand eingesetzt werden.
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Die
erfindungsgemäße Bildwand
mit reduziertem Speckle-Effekt kann prinzipiell für alle Projektionsverfahren
eingesetzt werden, bei denen es zu Speckle-Effekten kommen kann.
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Insbesondere
ist sie für
die Anwendung in Verfahren mit schmalbandigen Lichtquellen vorgesehen.
Dies sind heutzutage üblicherweise
Laserlichtquellen.
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Es
versteht sich, dass die vorliegende Erfindung jedoch nicht auf Laserlichtquellen
beschränkt ist,
sondern auch Lichtquellen umfasst, die vergleichbare Eigenschaften
aufweisen.
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Nachstehend
wird die vorliegende Erfindung unter Verweis auf die anliegenden
Figuren und bevorzugte Ausführungsformen
im Einzelnen erläutert.
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Es
zeigen:
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1a), 1b)
und 1c) schematisch das Wachstum einer polykristallinen
Schicht nach van der Drift;
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2 eine
REM-Aufnahme einer polykristallinen Diamantschicht in Schrägansicht;
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3a), 3b)
und 3c) polykristalline Diamantschichten mit unterschiedlicher
Kristallitgröße;
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4a)
und 4b) orientierte polykristalline Diamantschichten;
und
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5a)
und 5b) ein Replikat aus Polyacrylat in unterschiedlicher
Vergrößerung.
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Das
Wachstum von polykristallinen Schichten wie sie erfindungsgemäß eingesetzt
werden, ist in 1a) bis 1c) schematisch
dargestellt. Die gewünschten
polykristallinen Schichten werden gebildet, indem – wie in 1a)
gezeigt – einzelne
separate Kristallite, die zum Beispiel durch eine vorherige Bekeimung
auf dem gewünschten
Substrat aufgebracht werden, zunächst
unbehindert in alle Richtungen des freien Halbraumes wachsen. Die
Richtungen sind durch Pfeile angedeutet. Eine Vergrößerung findet
sich in dem Kreis.
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Das
Wachstum in alle freien Richtungen setzt sich fort, bis die Kristallite
seitlich aneinander stoßen.
Wachstum kann dann nur noch von der Substratoberfläche weg
erfolgen, wie in 1b) durch Pfeile angedeutet.
Im Ergebnis wird eine polykristalline, „stängelförmige" Struktur erhalten, wie sie in 1c)
dargestellt ist.
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An
der Oberseite der Schicht können
die Kristallite frei wachsen und nehmen die für das jeweilige Material charakteristische
Kristallform an.
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So
zeigt 2 eine REM-Aufnahme einer polykristallinen Diamantschicht
in Schrägansicht,
die die für
Diamantschichten typische Pyramiden- oder Tetraederform erkennen
lässt.
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Die
Wachstumsgeschwindigkeit der Kristallite ist im Allgemeinen um so
höher,
je geringer die Neigung der Wachstumsrichtung eines Kristallits
zur Senkrechten zur Substratoberfläche ist, d. h. je paralleler
der Verlauf der Wachstumsrichtung zur Senkrechten zur Oberfläche ist.
Kristallite mit einer stärkeren
Neigung zur Senkrechten, das heißt Kristallite mit stärkerer Verkippung,
wachsen dagegen langsamer. Durch das langsamere Wachstum werden
sie von den Kristalliten, die eine geringere Neigung zur Senkrechten
und damit schnelleres Wachstum aufweisen, überwachsen. Das Wachstum der
stärker
verkippten Kistallite kommt so zum Stillstand und die schneller wachsenden
Kristallite setzen sich durch. Diese Situation ist in 1c)
dargestellt, in der schematisch überwachsene
Kristallite erkennbar sind.
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Indem
langsamer wachsende Kristallite überwachsen
werden, nimmt die Größe der Kristallspitzen
der sich durchsetzenden Kristallite mit der Schichtdicke zu. Auf
diese Weise kann daher die Kristallitgröße beliebig eingestellt werden.
Sie kann weniger als 100 nm aber auch mehrere 100 μm und mehr
betragen.
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So
zeigt 3a) eine polykristalline Diamantschicht
mit einer kleinen Kristallitgröße von ca.
1 μm in
der Aufsicht, 3b) eine polykristalline Diamantschicht
mittlerer Kristallitgröße mit ca.
6 μm in der
Aufsicht, wobei der unten rechts dargestellte Strich jeweils 5 μm hat. Ein
Querschnitt durch eine polykristalline Diamantschicht mit sehr großen Kristallitgrößen von
ca. 150 μm
ist dagegen in 3c) gezeigt, wobei der dunkel
unterlegte Strich links oben in der Abbildung 100 μm darstellt.
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Wie
vorstehend bereits erwähnt,
kann die Form der Kristallspitzen durch Variation der Beschichtungsparameter
eingestellt werden. So sind in 1 bis 3 statistisch orientierte Schichten gezeigt. Ebenso
können
orientierte polykristalline Schichten eingesetzt werden. Die Schichten
können
gleichförmige
Topographien aufweisen. Diese können
zum Beispiel aus pyramiden- oder plateauförmigen Spitzen gebildet sein,
wie sie in 4a) und 4b) dargestellt
sind.
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In 4a)
und 4b) sind beispielhaft orientierte polykristalline
Diamantschichten gezeigt, die eine pyramidenförmige Topographie (4a)
beziehungsweise eine Topographie mit Plateaus (4b) aufweisen.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt umfasst die vorliegende Erfindung Bildwände, deren
Oberflächentopographie
der Oberflächentopographie
der vorstehend genannten erfindungsgemäßen polykristallinen Schichten
entspricht. Diese lassen sich durch Abformung, auch Replikation
genannt, der erfindungsgemäßen polykristallinen
Schichten erhalten. Die polykristalline Schicht wirkt als Master,
von dem eine Abformung gemacht wird.
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Das
erhaltene Replikat kann selbst für
die Bildwand eingesetzt werden, die dann eine Negativabbildung des
Masters darstellt.
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Gemäß einer
weiteren Ausführungsform kann
von dem Replikat eine weitere Replikation gemacht werden. Das hierbei
erhaltene Replikat zeigt dann die ursprüngliche positive Oberflächenstruktur der
als Master eingesetzten polykristallinen Schicht.
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Wie
die polykristalline Schicht kann das Replikat als solches oder zusammen
mit einem Substrat für
die Bildwand eingesetzt werden.
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Im
Allgemeinen wird für
die Replikation die Struktur der Masteroberfläche auf ein polymeres Material übertragen.
Geeignete Techniken sind
- a) Aufpressen von
thermoplastischem Polymer wie Polypropylen und Polyamid auf die
Masteroberfläche,
- b) Übertragung
der Masterstruktur auf ein kaltes Polymer mittels Prägung oder
Walzen,
- c) Verfüllen
der Masteroberfläche
mit einer härtbaren
Monomer-Oligomerformulierung, die härtet oder vernetzt während sie
in Kontakt mit dem Master ist, und
- d) Spritzgießen,
wobei zum Beispiel der Master in eine geeignete Form eingebracht
wird, und das Polymer gegebenenfalls unter Druck eingespritzt wird.
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Für die Replikation
wird ein Material auf die Schicht aufgetragen, dass die Topographie
in geeigneter Replikationsgüte übernimmt.
Beispiele sind Metalle, Polymere oder andere Materialien wie Glas.
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So
können
Metalle mittels galvanischer Verfahren abgeschieden werden.
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Als
Materialien für
die Replikation können Polymere
verwendet werden, wie thermoplastische oder aushärtende Polymere. Die Aushärtung kann mittels üblicher
Methoden erfolgen zum Beispiel durch Bestrahlung wie mit UV-Licht,
Bestrahlung mit Elektronen (EB) oder einer anderen geeigneten Quelle
oder durch Verwendung einer flüssigen
Härterkomponente.
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Vorzugsweise
erfolgt die Replikation nach Verfahren c). Verfahren c) ist ein
dreistufiger Prozess, wobei der Master mit einer Polymerfomulierung
ausreichend niedriger Viskosität
verfüllt,
das Polymer gehärtet
und die Abformung vom Master abgelöst wird.
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Beispiele
für besonders
geeignete Polymere sind Acrylate und Epoxide, insbesondere Acrylate niedriger
Viskosität,
die mittels UV/EB ausgehärtet werden
können.
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5a und 5b (eine
Abbildung des Leibnitz-Instituts für Oberflächenmodifizierung e. V. (IOM))
zeigt eine nach Verfahren c) erhaltene Abformung aus Polyacrylat,
wobei 5b eine Vergrößerung von 5a darstellt,
und in 5a der rechts unten dargestellte
Strich 10 μm
und in 5b 3 μm entspricht. Diese Figuren
belegen deutlich die außerordentliche
Abbildungsgenauigkeit, die mit dem vorstehend beschriebenen Replikationsverfahren
erhalten werden können.
Insbesondere mit dem letztgenannten Verfahren c) können Replikate
von Mikrostrukturen in hoher Qualität erhalten werden, die eine geometrische
Genauigkeit innerhalb der Größenordndung
von 10 nm aufweisen.
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Für die Replikation
kann die als Master eingesetzte polykristalline Schicht geeigneten
Vorbehandlungsprozessen unterzogen werden. So können die Antihafteigenschaften
mit einer Antihaftbeschichtung oder durch elektrochemische Behandlung
verbessert werden.
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Auch
können
die polykristallinen Schichten mit einer Dotierung elektrisch leitfähig abgeschieden werden,
so dass an der polykristallinen Schicht elektrochemische Prozesse
durchgeführt
werden können.
Wird beispielsweise Diamant als Schichtmaterial eingesetzt, kann
eine Dotierung mit Bor durchgeführt
werden, um die Schicht elektrisch leitfähig zu machen.
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Beide
Ausführungsformen
der erfindungsgemäßen Bildwand,
die polykristalline Schicht sowie die Abformung (Replikation) der
polykristallinen Schicht können
je nach Bedarf zusätzlich
mit weiteren, für Bildwände bekannten
Schichtsystemen versehen werden.
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Beispielsweise
können
sie mit optisch wirksamen Schichtsystemen ausgestattet werden. Ein Beispiel
für optisch
wirksame Schichtsysteme sind Schichtsysteme, die als Filter wirken.
So können
zum Beispiel Schichtsysteme verwendet werden, die die Wellenlängen des
eingesetzten Projektors, wie die drei verwendeten Wellenlängen eines
Laserprojektors, bevorzugt hindurchlassen, während sie die anderen Wellenlängen möglichst
vollständig
absorbieren. Wie eingangs erwähnt,
kann mit derartigen Schichten der Kontrast erhöht werden.
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Auch
können
Reflexionsschichten eingesetzt werden, mit denen transparente Schichten
oder transparent abgeformte Bildwände reflektierend gemacht werden
können.