DE102004034667A1 - Producing synthetic diamond particles comprises exposing hydrogen and fluidized carbon seed particles to an energy source - Google Patents
Producing synthetic diamond particles comprises exposing hydrogen and fluidized carbon seed particles to an energy source Download PDFInfo
- Publication number
- DE102004034667A1 DE102004034667A1 DE102004034667A DE102004034667A DE102004034667A1 DE 102004034667 A1 DE102004034667 A1 DE 102004034667A1 DE 102004034667 A DE102004034667 A DE 102004034667A DE 102004034667 A DE102004034667 A DE 102004034667A DE 102004034667 A1 DE102004034667 A1 DE 102004034667A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- diamond
- reaction
- particles
- diamond particles
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/08—Application of shock waves for chemical reactions or for modifying the crystal structure of substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/26—Preparation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
- B01J2203/062—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/065—Composition of the material produced
- B01J2203/0655—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0675—Structural or physico-chemical features of the materials processed
- B01J2203/068—Crystal growth
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft synthetische Diamantpartikel und ein Verfahren zur Herstellung von synthetischen Diamantpartikeln.The The invention relates to synthetic diamond particles and a method for the production of synthetic diamond particles.
Insbesondere geht es bei der Erfindung um die Synthese von Diamant-Primärpartikeln und deren Vergrößerung. An derartigen Diamant-Primärpartikeln, gibt es einen zunehmenden Bedarf. In der Diamantphase bilden die in sp3-Bindung kovalent tetragonal gebundenen Kohlenstoffatome eine kubische Gitterstruktur. Freie Elektronen sind nicht vorhanden, so dass Kohlenstoff in Diamantphase Licht nicht absorbiert und elektrisch isolierend ist. Diamant-Primärpartikel werden aufgrund ihrer physikalischen und chemischen Eigenschaften als Füllstoff bei wärmetechnischen und elektronischen Anwendungen eingesetzt oder als Ausgangsmaterial für die Herstellung von synthetischem Diamant.In particular, the invention concerns the synthesis of diamond primary particles and their enlargement. There is an increasing need for such diamond primary particles. In the diamond phase, the carbon atoms covalently bound tetragonally in sp 3 bond form a cubic lattice structure. Free electrons are not present, so carbon in diamond phase does not absorb light and is electrically insulating. Due to their physical and chemical properties, diamond primary particles are used as fillers in thermo-technical and electronic applications or as starting material for the production of synthetic diamond.
Ein
Verfahren zur Vergrößerung feiner
Diamantkörner
ist in der
In den mittels des bekannten Verfahrens erzeugten Diamantpartikeln bilden die anfänglich eingesetzten Diamantteilchen einen großen Diamant-Kern von 50 μm, der von einer verhältnismäßig dünnen Schicht aus synthetischer Diamantphase von 12,5 μm umgeben ist. Das bekannte Verfahren dient lediglich der Vergrößerung von Diamantpartikeln, erfordert jedoch die Bereitstellung von Diamantteilchen einer Anfangsgröße um 50 μm.In the diamond particles produced by the known method form the initial used diamond particles have a large diamond core of 50 microns, of a relatively thin layer surrounded by synthetic diamond phase of 12.5 microns. The known Method is only for the enlargement of diamond particles, however, requires the provision of diamond particles of an initial size of 50 μm.
Für die Primärpartikel-Synthese
von Diamant sind verschiedene Verfahren bekannt. Beispielsweise
kann Diamantpulver durch Stoßwellensynthese
erzeugt werden, bei der eine Explosionsladung dazu verwendet wird,
um eine Mischung aus Kohlenstoff und einem Lösemittel/Katalysator stoßartig unter
Druck zu setzen (Explosionssynthese). Ein derartiges Verfahren ist
in der
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren für die Synthese reiner Primärpartikel aus Diamant im Größenbereich einiger Nanometer bereitzustellen, und eine Möglichkeit für eine Vergrößerung dieser Primärpartikel anzugeben.Of the Invention is based on the object, a method for the synthesis pure primary particles out Diamond in size range a few nanometers, and a possibility for enlarging them primary particle specify.
Weiterhin liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, reine Diamantpartikel bereitzustellen, die für Hochpräzisonspolituren geeignet sind, und die die Herstellung von Füllstoffsystemen hoher Packungsdichte ermöglichen.Farther the invention is based on the object, pure diamond particles to provide that for high precision polishes and that the production of filler systems of high packing density enable.
Hinsichtlich des Verfahrens wird diese Aufgabe erfindungsgemäß gelöst, indem in einem Reaktionsraum Wasserstoff und teilchenförmige temporäre Reaktionskeime, die Kohlenstoff in sp2-Bindung enthalten in fluidisiertem Zustand der Einwirkung einer Energiequelle ausgesetzt werden, wobei atomarer Wasserstoff erzeugt wird, und die temporären Reaktionskeime durch Reaktion zwischen den Wasserstoffatomen und dem Kohlenstoff in sp2-Bindung abgeätzt werden, dabei der Kohlenstoff in die Gasphase überführt, und mindestens teilweise als Kohlenstoff in Diamantphase auf den temporären Reaktionskeimen unter Bildung und allmählicher Vergrößerung der Diamantpartikel abgeschieden wird.With regard to the method, this object is achieved according to the invention by exposing hydrogen and particulate temporary reaction nuclei containing carbon in sp 2 bond in a reaction space in the fluidized state to the action of an energy source, wherein atomic hydrogen is generated, and the temporary reaction nuclei by reaction between the hydrogen atoms and the carbon in sp 2 bond are etched, whereby the carbon is converted into the gas phase, and at least partially deposited as carbon in diamond phase on the temporary reaction nuclei to form and gradually increase the diamond particles.
Die beim erfindungsgemäßen Verfahren anfänglich eingesetzten „temporären Reaktionskeime" bestehen ganz oder mindestens zum großen Teil aus Kohlenstoffteilchen in sp2-Bindung, Es handelt sich dabei um amorphe Kohlenstoffteilchen oder kristalline Kohlenstoffteilchen in Grafitstruktur. Diesen temporäre Reaktionskeime kommen drei wesentliche Funktionen zu:
- • sie dienen einerseits als Kohlenstoffquelle, indem sie im Verlauf des Prozesses ganz oder teilweise aufgelöst werden,
- • andererseits dienen sie als temporäres Substrat für die Abscheidung von Diamantphase und die damit einhergehende Diamant-Primärpartikel-Synthese,
- • und sie wirken zugleich als Keimbildner für diese Abscheidung und Diamant-Primärpartikelbildung.
- On the one hand serve as a source of carbon by being completely or partially dissolved in the course of the process,
- On the other hand they serve as a temporary substrate for the deposition of diamond phase and the associated diamond primary particle synthesis,
- • and they also act as nucleants for this deposition and diamond primary particle formation.
Zur Erzeugung reiner Diamant-Primärpartikel ist eine Beseitigung der Kohlenstoffteilchen in sp2-Bindung erforderlich. Diese Beseitigung geschieht erfindungsgemäß durch eine Umwandlung des Kohlenstoffs in Diamantphase, also Kohlenstoff in sp3-Bindung. Hierzu dient der im Reaktionsraum unter Einwirkung der Energiequelle erzeugte atomare Wasserstoff, der eine allmähliche Auflösung der Kohlenstoffteilchen in sp2-Bindung durch Abätzen bewirkt. Dadurch kommt es zu einer Anreicherung der Gasphase mit verdampftem Kohlenstoff, der infolge von Übersättigung unter den im Reaktionsraum herrschenden Bedingungen als Kohlenstoff in sp3-Bindung in der Gasphase unter Clusterbildung zu Nanoteilchen kondensiert, oder der sich auf den Oberflächen im Reaktionsraum niederschlägt, insbesondere auf den Oberflächen der temporären Reaktionskeime selbst oder bereits gebildeter Diamantpartikel. Die Abscheidung auf den kälteren Oberflächen der Partikel wird durch eine Temperaturdifferenz zur heißeren Gasphase begünstigt.To produce pure diamond primary particles, it is necessary to remove the carbon particles in the sp 2 bond. This elimination is done according to the invention by a conversion of the carbon in diamond phase, ie carbon in sp 3 bond. The purpose of this is the atomic hydrogen generated in the reaction space under the action of the energy source, which causes a gradual dissolution of the carbon particles in sp 2 bond by etching. This results in an enrichment of the gas phase with vaporized carbon, which condenses as a result of supersaturation under the conditions prevailing in the reaction chamber as carbon in sp 3 bond in the gas phase with clustering to nanoparticles, or which is reflected on the surfaces in the reaction chamber, in particular the surfaces of the temporary reaction nuclei themselves or already formed diamond particles. The deposition on the colder surfaces of the particles is favored by a temperature difference to the hotter gas phase.
Der für die Abscheidung benötigte Kohlenstoff stammt vollständig oder teilweise aus den temporären Reaktionskeimen, wobei eine weitere Kohlenstoffquelle im Reaktionsraum enthalten sein kann, beispielsweise in Form eines kohlenstoffhaltigen Gases. Die aus den sich auflösenden Kohlenstoffteilchen in sp2-Bindung entstammenden Kohlenstoffatome befinden sich zum Zeitpunkt ihrer Ablösung aus dem Kohlenstoffteilchen in unmittelbarer Nähe der vorgesehenen Ablagerungsfläche, also der Oberfläche der temporären Reaktionskeime, so dass die Wahrscheinlichkeit für eine sofortige Abscheidung des Kohlenstoffs, diesmal infolge der Aktivierung durch die Energiequelle jedoch in sp3-Bindung, hoch ist.The carbon needed for the deposition comes wholly or partly from the temporary reaction nuclei, wherein a further carbon source may be contained in the reaction space, for example in the form of a carbon-containing gas. The carbon atoms originating from the dissolving carbon particles in the sp 2 bond are at the time of their detachment from the carbon particle in the immediate vicinity of the intended deposition surface, ie the surface of the temporary reaction nuclei, so that the probability of an immediate deposition of the carbon, this time due to the Activation by the energy source, however, in sp 3 bond, is high.
Eine große Oberfläche der temporären Reaktionskeime begünstigt den Ätzvorgang und damit die Überführung von Kohlenstoff in die Gasphase und die damit einhergehende Abscheidung von Kohlenstoff in Diamantstruktur. Sie beschleunigt außerdem den Abscheidevorgang auf den temporären Reaktionskeimen durch Bereitstellen einer großen, als Keimbildner wirkenden Oberfläche. Auch die neu gebildeten, nanoskaligen Diamant-Primärpartikel stellen eine große zusätzliche, die Abscheidung begünstigende Oberfläche bereit.A size surface the temporary Reaction germs favored the etching process and thus the transfer of Carbon in the gas phase and the associated deposition of carbon in diamond structure. It also speeds up the Separation process on the temporary Reactive nuclei by providing a large, acting as a nucleating agent Surface. Also the newly formed, nanoscale diamond primary particles make a big one additional favoring the deposition surface ready.
Eine wichtige Voraussetzung für den Erfolg des Verfahrens ist der fluidisierte Zustand der temporären Reaktionskeime in dem Reaktionsraum, ohne den weder ein gleichmäßiger Ätzabtrag des Kohlenstoffs, noch ein gleichmäßiges Wachstum einzelner Diamantpartikel ohne Agglomeration möglich ist. Der fluidisierte Zustand wird erreicht, indem die temporären Reaktionskeime wenigstens kurzzeitig im Reaktionsraum unter dem Einfluss eines Strömungsgases frei schwebend bewegt werden. Bei dem Reaktionsraum handelt es sich beispielsweise um einen Fließbettreaktor oder um ein einfaches Strömungsrohr, in dem auch strömungsleitende Einbauten vorgesehen sein können. Die Ausbildung als Strömungsrohr bietet sich insbesondere für eine zirkulierenden Betriebsweise mit laufender Rückführung der Reaktanten und der Reaktionsprodukte an.A important condition for the success of the process is the fluidized state of the temporary reaction nuclei in the reaction space, without which neither a uniform Ätzabtrag the carbon, still a steady growth individual diamond particles without agglomeration is possible. The fluidized State is achieved by the temporary reaction germs at least briefly free in the reaction space under the influence of a flow gas be moved floating. The reaction space is, for example around a fluidized bed reactor or around a simple flow tube, in which also flow-conducting Internals can be provided. The training as a flow tube especially suitable for a circulating mode of operation with continuous recycling of Reactants and the reaction products.
Abgesehen von der erwähnten Nukleation in der Gasphase bilden sich beim Abscheidevorgang auch isolierte Diamantkeime auf der Oberfläche der sich allmählich auflösenden Kohlenstoffteilchen in sp2-Bindung, bis diese vollständig aufge löst sind, so dass die resultierende Teilchen vollständig aus Kohlenstoff in sp3-Bindung bestehen. Während die aus Nukleationskeimen gebildeten Diamantpartikel wachsen, verkleinern sich die temporären Reaktionskeime durch fortwährendes Ätzen, bis sie schließlich vollständig aufgelöst sind.Apart from the mentioned nucleation in the gas phase, isolated diamond nuclei form on the surface of the gradually dissolving carbon particles in sp 2 bond until they are completely dissolved, so that the resulting particles consist entirely of carbon in sp 3 bond in the deposition process , As the diamond particles formed from nucleation nuclei grow, the temporary reaction nuclei diminish by continual etching until finally completely dissolved.
Die Energiequelle liefert im Bereich des Reaktionsraumes die zur Durchführung des Verfahrens notwendige Energie. Die Prozesstemperatur liegt oberhalb von 600 °C, da bei niedrigeren Temperaturen die Abscheidung von grafitischem Kohlenstoff in sp2-Phase verstärkt einsetzt. Es können auch mehrere auf den Reaktionsraum einwirkende Energiequellen vorgesehen sein, beispielsweise zum Einstellen eines Temperaturprofils zur Verstärkung der Thermophorese.The energy source supplies the energy necessary for carrying out the process in the region of the reaction space. The process temperature is above 600 ° C, since at lower temperatures, the deposition of graphitic carbon in the sp 2 phase is increasingly used. It is also possible to provide a plurality of energy sources acting on the reaction space, for example for setting a temperature profile for amplifying the thermophoresis.
Die Dauer der Abscheidephase bestimmt die Größe der erhaltenen Diamantpartikel. Das erfindungsgemäße Verfahren beinhaltet sowohl die Diamant-Primärpartikel-Synthese mit Primärpartikelgrößen im Nanobereich (< 100 nm) als auch – sofern gewünscht – die Vergrößerung dieser Primärpartikel bis in den Mikrometerbereich (>100 μm), wobei eine weitere Besonderheit darin besteht, dass sowohl die Primärpartikelbildung als auch das Kornwachstum in derselben Anlage durchgeführt werden können, wodurch ein einheitliches, monolithisches Diamantpartikel ohne Phasengrenze oder Schichtung entsteht.The Duration of the deposition phase determines the size of the obtained diamond particles. The inventive method includes both the diamond primary particle synthesis with primary particle sizes in the nano range (<100 nm) as also - if desired - the enlargement of this primary particle to the micrometer range (> 100 microns), where another peculiarity is that both the primary particle formation as well as the grain growth are carried out in the same plant can, whereby a uniform, monolithic diamond particles without phase boundary or stratification arises.
Die erhaltenen Diamantpartikel zeichnen sich durch eine hohe Reinheit aus; Nachreinigungsverfahren zum Entfernen eines zu hohen Grafitanteils wie im Stand der Technik erübrigen sich damit. Die synthetisierten Diamantpartikel mit einem mittlerem Durchmesser unterhalb von 100 nm (Nanodiamant) können beispielsweise unmittelbar als Rohstoff für sogenannte CMP-Slurries (chemical mechanical polishing) zum Polieren von Halbleiterwafern verwendet werden. Diamantkörnung im Mikrometerbereich ist ebenfalls als Schleif- und Poliermittel oder als wärmeleitender Füllstoff für wärmetechnische Anwendungen einsetzbar.The obtained diamond particles are characterized by a high purity out; Post-cleaning process to remove too much graphite as in the prior art spare with it. The synthesized diamond particles with a medium For example, diameters below 100 nm (nanodiamond) may be instantaneous as raw material for so-called CMP slurries (chemical mechanical polishing) for polishing be used by semiconductor wafers. Diamond grain in the micrometer range is also used as a grinding and polishing agent or as a heat-conducting filler for thermal engineering Applications can be used.
Es hat sich als günstig erwiesen, wenn die temporären Reaktionskeime eine anfängliche mittlere Teilchengröße unterhalb von 100 nm aufweisen.It has proven to be beneficial if the temporary reaction germs have an initial mean Re particle size below 100 nm.
Derartige Teilchen werden auch als „Nanoteilchen" bezeichnet. Je kleiner die Kohlenstoffteilchen in sp2-Bindung sind, umso schneller und leichter gelingt eine vollständige, rückstandsfreie Überführung des Kohlenstoffs in die Gasphase. Beim Einsatz von Nanoteilchen ist daher eine kurze Prozessdauer und ein besonders effektive Nukleations- und Abscheideprozess möglich.Such particles are also referred to as "nanoparticles." The smaller the carbon particles in the sp 2 bond, the faster and easier a complete, residue-free conversion of the carbon into the gaseous phase is, therefore, a short process time and a particularly effective use of nanoparticles Nucleation and deposition process possible.
In dem Zusammenhang hat es sich besonders bewährt, wenn die temporären Reaktionskeime eine spezifische Oberfläche nach BET von mindestens 30 m2/g aufweisen.In this context, it has proven particularly useful if the temporary reaction nuclei have a BET specific surface area of at least 30 m 2 / g.
Wie bereits weiter oben erläutert, erleichtert die große Oberfläche der temporären Reaktionskeime den Ätzvorgang und beschleunigt die Abscheidung von Kohlenstoff in Diamantphase.As already explained above, makes the big one easier surface the temporary Reaction germs the etching process and accelerates the deposition of carbon in the diamond phase.
Als besonders vorteilhaft hat es sich erwiesen, wenn die temporären Reaktionskeime einen Kohlenstoff-Ruß enthalten.When It has proven particularly advantageous if the temporary reaction nuclei contain a carbon black.
Kohlenstoff-Ruß liegt in der Regel sehr feinteilig und als sogenanntes „Aggregat" im Sinne der DIN 53 206 in Form verzweigter Nanoteilchen vor. Für deren Einsatz als temporäre Reaktionskeime im Sinne der vorliegenden Erfindung ist eine besondere Aufarbeitung nicht erforderlich. Es kommen beispielsweise Flamm-Ruße, Gas-Ruße, Furnace-Ruße oder Thermal-Ruße in Frage.Carbon soot is usually very finely divided and as a so-called "aggregate" in the sense of DIN 53,206 in the form of branched nanoparticles. For their use as temporary reaction germs For the purposes of the present invention is a special work-up not mandatory. There are, for example, flame blacks, gas blacks, furnace blacks or Thermal blacks in question.
In dem Zusammenhang hat sich der Einsatz eines Kohlenstoff-Rußes in Form eines Acetylen-Rußes als besonders günstig erwiesen.In the context has the use of a carbon black in the form an acetylene black as a particularly cheap proved.
Acetylen-Ruß fällt bei der thermischen Spaltung von Acetylen an und zeichnet sich durch eine hohe Reinheit aus. Die Primärteilchengröße liegt im Bereich von 30 nm bis 40 nm.Acetylene soot is included the thermal cleavage of acetylene and is characterized by a high purity. The primary particle size is in the range of 30 nm to 40 nm.
Eine Beschleunigung des Abscheideprozesses wird erreicht, wenn die temporären Reaktionskeime mit Diamantteilchen vermischt sind.A Acceleration of the deposition process is achieved when the temporary reaction nuclei are mixed with diamond particles.
Die Diamantteilchen kollidieren infolge der fortwährenden Fluidisierung im Reaktionsraum mit den temporären Reaktionskeimen und bilden durch Abrasion bevor zugte Nukleationsstellen. Es hat sich gezeigt, dass an den aktivierten Oberflächenbereichen, die mit den Diamantteilchen in Berührung gekommen sind die Abscheidung von Diamantkeimen bevorzugt einsetzt. Um eine hohe Wahrscheinlichkeit für eine Aktivierung der Oberfläche der temporären Reaktionskeime durch Kollision zu erreichen, werden möglichst feinteilige Diamantteilchen bevorzugt.The Diamond particles collide as a result of continuous fluidization in the reaction space with the temporary ones Reaction germs and form by abrasion before ferred nucleation sites. It has been shown that at the activated surface areas, the diamond particles have come into contact with the deposition of diamond seeds preferably used. To have a high probability of activation the surface the temporary reaction germs to achieve by collision, as finely divided diamond particles prefers.
Im Hinblick hierauf hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die Diamantteilchen eine mittlere Teilchengröße unterhalb von 100 nm aufweisen.in the In view of this, it has proved to be advantageous if the Diamond particles have an average particle size below 100 nm.
Eine große Anzahl derartiger Nanoteilchen (Nanodiamant) gewährleistet eine hohe Wahrscheinlichkeit für eine Aktivierung der Oberfläche der temporären Reaktionskeime und verbessert so die Keimbildung. Außerdem haben Diamantteilchen in diesem Größenbereich ein Gewicht, das in etwa dem anfänglichen Gewicht der temporären Reaktionskeime entspricht, so dass die Begegnungswahrscheinlichkeit im Reaktionsraum und damit einhergehend die Aktivierungswirkung für die Diamantphasenabscheidung groß ist. Die anfänglich zugesetzten Diamantteilchen wachsen mit den synthetisch durch Abätzen der temporären Reaktionskeime und Abscheiden erzeugten Diamantpartikeln mit, und sie sind im Endprodukt aufgrund ähnlicher Größe nicht störend.A size Number of such nanoparticles (nanodiamond) ensures a high probability for one Activation of the surface the temporary Reaction germs and thus improves the nucleation. Besides, have Diamond particles in this size range a weight that is about the initial Weight of the temporary Reaction germs corresponds, so that the probability of encounter in the Reaction space and, consequently, the activation effect for the diamond phase deposition is large. The initially added diamond particles grow with the synthetic by etching the temporary Reaction nuclei and deposition produced diamond particles with, and they are similar in the end product Not size disturbing.
Als besonders vorteilhaft hat sich der Einsatz eines Ausgangsprodukts für die Diamantteilchen erwiesen, bei dem diese durch Explosionssynthese erzeugte Partikel umfassen.When Particularly advantageous is the use of a starting product for the Diamond particles proved by exploding these by explosion synthesis generated particles include.
Diese Diamantteilchen liegen gewöhnlich in einer Mischung mit Grafit vor, wobei der Grafitanteil in der Regel (das heißt ohne eine nachgeschaltete Reinigung) über 80 Gew.-% betragen kann. Mit dem entsprechenden Ausgangsprodukt kann daher ein geeignetes Gewichtsverhältnis an Grafit- und Diamantteilchen in Form einer einheitlichen Substanz preiswert bereitgestellt werden.These Diamond particles are usually in a mixture with graphite, the graphite content in the Rule (that is without a downstream purification) can be over 80 wt .-%. With the appropriate starting product can therefore be a suitable weight ratio on graphite and diamond particles in the form of a uniform substance be provided inexpensively.
Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, wenn ein Kohlenwasserstoff enthaltendes Gas in den Reaktionsraum eingeleitet wird.It has proved to be advantageous when a hydrocarbon-containing Gas is introduced into the reaction space.
Das Kohlenwasserstoff enthaltende Gas dient als zusätzliche Kohlenstoffquelle für die Diamant-Abscheidung nach dem allgemein bekannten Prozess der CVD-Diamantabscheidung. Diese Maßnahme wird beispielsweise dann ergriffen, wenn gegen Prozessende sichergestellt werden soll, dass keine Kohlenstoffreste im Produkt verbleiben, oder wenn zwar keine Neubildung von Diamantpartikeln, jedoch ein weiteres Wachstum der bereits gebildeten Diamantpartikel gewünscht wird. Ein geeigneter Kohlenwasserstoff ist beispielsweise Methan.The Hydrocarbon-containing gas serves as an additional carbon source for diamond deposition according to the well-known process of CVD diamond deposition. This measure will for example, when seized against the end of the process is to be that no carbon residues remain in the product, or if no new formation of diamond particles, but a further growth of the already formed diamond particles is desired. A suitable hydrocarbon is, for example, methane.
Es sich weiterhin als günstig erwiesen, wenn zeitweise ein Sauerstoff enthaltendes Gas in den Reaktionsraum eingeleitet wird.It continues to be favorable proven when temporarily an oxygen-containing gas in the Reaction space is initiated.
Die Zugabe von Sauerstoff dient in erster Linie zur raschen Beseitigung überschüssiger Reste von Kohlenstoff in sp2-Phase und erfolgt daher bei Bedarf; in der Regel gegen Ende des Abscheideverfahrens. Die Einleitung erfolgt beispielsweise kontinuierlich oder intervallweise, etwa zeitlich gesteuert oder anhand eines Prozessparameters – wie beispielsweise der Kohlenstoffaktivität im Reaktor. Durch Einleiten von Sauerstoff können auch Wandablagerungen aufgelöst werden.The addition of oxygen serves primarily for rapid removal of excess residues of carbon in the sp 2 phase and therefore takes place as needed; usually towards the end of the separation process. The initiation takes place, for example, continuously or at intervals, for example, in terms of time or based on a process parameter - as in For example, the carbon activity in the reactor. By introducing oxygen, wall deposits can also be dissolved.
Vorzugsweise wird in dem Reaktionsraum ein Druck im Bereich von 30 mbar bis Atmosphärendruck aufrechterhalten.Preferably In the reaction space, a pressure in the range of 30 mbar to atmospheric pressure maintained.
Ein Abscheideprozess bei niedrigerem Druck bis zur angegebenen Untergrenze führt zu einer hohen Qualität der abgeschiedenen Diamantphase, wohingegen der höhere Druck eine hohe Abscheiderate für die Diamantphase bewirkt.One Separation process at lower pressure up to the specified lower limit leads to a high quality the deposited diamond phase, whereas the higher pressure a high deposition rate for the diamond phase causes.
Bei einer besonders bevorzugten Verfahrensvariante wird die notwendige Fluidisierung im Reaktionsraum dadurch erreicht, dass in den Reaktionsraum ein Fluidisierungsgas eingeleitet und dadurch oberhalb eines Anströmbodens eine fluidisierte Partikelschicht erzeugt wird, welche mindestens einen Teil der temporären Reaktionskeime enthält.at a particularly preferred variant of the method is the necessary Fluidization in the reaction space achieved by that in the reaction space introduced a fluidizing gas and thereby above a inflow base a fluidized particle layer is generated, which at least a part of the temporary Contains reaction nuclei.
Die fluidisierte Partikelschicht und die fortwährende Fluidisierung im Reaktionsraum verhindert eine Agglomeration der wachsenden Diamantpartikel und gewährleistet eine allseitige und gleichmäßige Abscheidung.The fluidized particle layer and the continuous fluidization in the reaction space prevents agglomeration of growing diamond particles and guaranteed an all-round and uniform deposition.
Dabei hat es sich als besonders vorteilhaft erwiesen hat, wenn das Fluidisierungsgas vorerhitzt wird.there It has proved to be particularly advantageous if the fluidizing gas is preheated.
Durch das Erhitzen des Fluidisierungsgases werden ausgeprägte Temperaturgradienten innerhalb des Reaktionsraumes vermieden. Die Prozesstemperatur innerhalb des Reaktionsraumes hängt auch von den Druck- und Reaktionsbedingungen ab. Ein geringer Druck führt in der Regel zu einer niedrigeren Prozesstemperatur. Insbesondere in dem Fall erweist sich ein Vorab-Erhitzen des Fluidisierungsgases als wichtig, um ein Absenken der Prozesstemperatur im Reaktionsraum unterhalb einen kritischen Wert (ca. 600 °C) zu vermeiden, bei der es zu einer vermehrten Abscheidung von atomarem Kohlenstoff in sp2-Bindung (Grafit) kommt.Heating the fluidizing gas avoids pronounced temperature gradients within the reaction space. The process temperature within the reaction space also depends on the pressure and reaction conditions. Low pressure usually results in a lower process temperature. In particular, in this case, a preliminary heating of the fluidizing gas proves to be important in order to avoid a lowering of the process temperature in the reaction space below a critical value (about 600 ° C), in which there is an increased deposition of atomic carbon in sp 2 - Bonding (graphite) comes.
Weiterhin hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn der Reaktionsraum einen Freiraum oberhalb der Partikelschicht umfasst.Farther It has proved to be advantageous if the reaction space a Free space above the particle layer comprises.
In dem Freiraum können beispielsweise Maßnahmen zur Verringerung der Strömungsgeschwindigkeit des Fluidisierungsgases vorgesehen sein, wodurch der Austrag von feinteiligem Ausgangsmaterial oder bereits gebildetere Diamantpartikel vermindert wird. Zur Reduzierung der Strömungsgeschwindigkeit des Fluidisierungsgases in diesem Bereich sind vielerlei Maßnahmen geeignet. Als Beispiel hierfür seien eine Erweiterung des Reaktionsraumes in diesem Bereich, mechanische Ablenkeinrichtungen oder die Einleitung eines Mediums, das die Strömung des Fluidisierungsgases stört und Turbulenzen erzeugt, genannt. Im Freiraum können eine oder mehrere Energiequellen vorgesehen sein.In the free space for example, measures to reduce the flow velocity be provided of the fluidizing gas, whereby the discharge of finely divided starting material or already formed diamond particles is reduced. To reduce the flow velocity of the fluidizing gas Many measures are suitable in this area. As an an example therefor be an extension of the reaction space in this area, mechanical Deflectors or the introduction of a medium that the flow of the Fluidizing gas interferes and turbulence generated, called. In the open space can be one or more sources of energy be provided.
Bei einer Durchführung des Verfahren unter Einsatz eines Fließbettreaktors werden vorzugsweise dem Fluidisierungsgas temporäre Reaktionskeime beigefügt.at an implementation of the method using a fluidized bed reactor are preferred the fluidizing gas temporary Reaction germs attached.
Dadurch wird eine laufende Neuversorgung und eine homogenen Verteilung der temporären Reaktionskeime im Reaktionsraum erreicht.Thereby will be an ongoing re-supply and a homogeneous distribution of temporary Reaction germs in the reaction chamber reached.
Aus gleichem Grunde hat es sich auch bewährt, dem Fluidisierungsgas Diamantteilchen beizufügen.Out For the same reason, it has also proven to be the fluidizing gas To attach diamond particles.
Die mit dem Fluidisierungsgas eingetragenen Diamantteilchen dienen zur Aktivierung der temporären Reaktionskeime.The used with the fluidizing gas diamond particles serve for Activation of the temporary Reaction germs.
Es hat sich außerdem als vorteilhaft erwiesen, wenn die Menge des Fluidiserungsgases zeitweise verringert oder vergrößert wird.It has also proved to be advantageous when the amount of fluidizing gas temporarily reduced or increased.
Dadurch wird die Partikelschicht angehoben oder abgesenkt und dabei dem heißesten Bereich des Reaktionsraumes näher gebracht oder davon entfernt. Dadurch können die Diamant-Abscheiderate und -Qualität beeinflusst werden. Es hat sich gezeigt, dass bei Einsatz einer Plasmaquelle als Energiequelle, die Abscheidebedingungen im Randbereich des Plasmas am günstigsten sind. Weiterhin ist ein Abkühlen der Partikelschicht unterhalb eine kritische Temperatur zu vermeiden. Durch zeitweises Anheben oder Absenken der fluidisierten Partikelschicht – intervallweise oder bei Bedarf – können beide Effekt berücksichtigt werden.Thereby the particle layer is raised or lowered while the heißesten Area of the reaction space closer brought or removed. This allows the diamond deposition rate and quality to be influenced. It has been shown that when using a Plasma source as an energy source, the deposition conditions in the edge region the plasma most favorable are. Furthermore, a cooling to avoid the particle layer below a critical temperature. By temporarily raising or lowering the fluidized particle layer - at intervals or if necessary - both can Effect taken into account become.
Bei einer bevorzugten Verfahrensvariante wird eine Energiequelle in Form einer Plasmaquelle eingesetzt.at A preferred method variant is an energy source in Form of a plasma source used.
Ein Plasma ermöglicht hohe Prozesstemperaturen auch bei geringem Prozessdruck und hohe Abscheideraten bei guter Diamantqualität.One Plasma allows high process temperatures even at low process pressure and high deposition rates with good diamond quality.
Alternativ oder ergänzend dazu umfasst die Energiequelle auf die temporären Reaktionskeime einwirkende Wolframheizdrähte.alternative or in addition In addition, the energy source includes the temporary reaction nuclei acting Wolframheizdrähte.
Der Einsatz von Wolframheizdrähten ist typisch für einen sogenannten „Hot Filament Reactor". Bei diesem Verfahren erfolgt die Abscheidung von Kohlenstoff in Diamantphase unter der katalytischen Wirkung der Wolframwendel.Of the Use of tungsten heating wires is typical of a so-called "hot Filament Reactor " This process is the deposition of carbon in the diamond phase under the catalytic action of the tungsten filament.
Infrarotstrahler oder Excimer-Lampen können als zusätzliche Energiequellen eingesetzt werden.Infrared emitters or excimer lamps can be used as additional energy sources who the.
Es hat sich als günstig erwiesen, dem Reaktionsraum kontinuierlich unverbrauchte temporäre Reaktionskeime zuzuführen.It has been considered favorable proven, the reaction room continuously unused temporary reaction nuclei supply.
Diese Verfahrensvariante ermöglicht eine kontinuierliche Betriebsweise des erfindungsgemäßen Verfahrens.These Process variant allows a continuous operation of the method according to the invention.
Im Hinblick auf eine kontinuierliche Verfahrensweise erweist es sich auch als vorteilhaft, die im Reaktionsraum synthetisierten Diamantpartikel kontinuierlich oder von Zeit zu Zeit zu entnehmen.in the It turns out to be a continuous procedure also advantageous, the diamond particles synthesized in the reaction space continuously or from time to time.
Infolge des zunehmenden Gewichtes der abgeschiedenen Diamantphase sinken die Teilchen allmählich entgegen der Strömung eines Fluidisierungsgases nach unten ab und können dort kontinuierlich oder chargenweise entnommen werden.As a result decrease the increasing weight of the deposited diamond phase the particles gradually against the flow of a fluidizing gas down and can be there continuously or be taken in batches.
Bei Einsatz eines Fließbettreaktors bietet diese Betriebsweise auch die Möglichkeit, die im Reaktor synthetisierte Diamantkörnung kontinuierlich aus dem Reaktor unter Einsatz eines in Bezug auf die Körnungsgröße klassierenden Abzugs nach oben oder unten zu entfernen. Die dabei erhaltene Diamantkörnung zeichnet sich durch eine enge Teilchengrößenverteilung aus.at Use of a fluidized bed reactor This mode of operation also offers the possibility of synthesizing in the reactor diamond grit continuously from the reactor using one in relation to classifying the grain size Remove the trigger up or down. The resulting diamond grain draws through a narrow particle size distribution out.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltenen, synthetischen Diamantpartikel sind monolithisch ohne Phasengrenzen aufgebaut und zeichnen sich durch eine einheitliche Morphologie aus. Vorzugsweise weisen die Primärpartikel einen mittleren Durchmesser unterhalb von 100 nm. Das Wachstum der daraus durch fortgesetzte Abscheidung erzeugten Diamantpartikel ist nach oben nur durch das Gewicht und ihre noch mögliche Fluidisierung begrenzt.The according to the inventive method obtained, synthetic diamond particles are monolithic without Phase boundaries are built and characterized by a uniform Morphology. Preferably, the primary particles have an average diameter below 100 nm. The growth of it by continued The deposition of diamond particles is only possible through the top Weight and its still possible Fluidization limited.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die Herstellung unterschiedlicher und exakt definierter Korngrößenfraktionen an Diamantkörnung, wie sie insbesondere für maßgeschneiderte Füllstoffsysteme hoher Schüttdichte benötigt werden.The inventive method allows the production of different and precisely defined particle size fractions on diamond grain, like she especially for customized Fillers high bulk density needed become.
Hinsichtlich der Diamantpartikel wird die oben angegebene Aufgabe erfindungsgemäß einerseits dadurch gelöst, dass um Diamant-Primärpartikel handelt, deren Durchmesser unterhalb von 100 nm, vorzugsweise unterhalb von 50 nm liegt, und die einen Anteil an Kohlenstoff in sp2-Phase von weniger als 3 Gew.-% aufweisen.With regard to the diamond particles, the object stated above is achieved, according to the invention, on the one hand by treating diamond primary particles whose diameter is below 100 nm, preferably below 50 nm, and which has a carbon content in the sp 2 phase of less than 3% by weight .-% exhibit.
Die erfindungsgemäßen Diamant-Primärpartikel liegen als kristalline, nicht agglomerierte Nanopartikel gemäß der DIN 53 206 vor. Sie können unmittelbar als Rohstoff für Hochpräzisionspolituren, wie beispielsweise für die Herstellung von CMP-Slurry zum Polieren von Halbleiterwafern verwendet werden. Aufgrund ihres geringen Grafitanteils von weniger als 3 Gew.-% wird die abrasive Wirkung durch die Schmiermittelwirkung von Grafit nicht beeinträchtigt.The Inventive diamond primary particles are as crystalline, non-agglomerated nanoparticles according to DIN 53,206 ago. You can directly as raw material for High precision polishes, such as for the production of CMP slurry for polishing semiconductor wafers be used. Due to their low graphite content of less as 3 wt .-%, the abrasive effect is due to the lubricant effect not affected by graphite.
Hinsichtlich der Diamantpartikel wird die oben angegebene Aufgabe andererseits auch dadurch gelöst, dass es sich um Diamantpartikel handelt, die durch Wachsen von Diamant-Primärpartikeln infolge Abscheidung von Kohlenstoff in sp3-Bindung erhalten werden, und die ein einheitliches, monolithisches Diamantkorngefüge ohne Phasengrenze und einen Durchmesser im Bereich zwischen 100 nm und 900 nm, vorzugsweise unterhalb von 600 nm, aufweisen.On the other hand, with respect to the diamond particles, the above object is also achieved by being diamond particles obtained by growing diamond primary particles by deposition of carbon in the sp 3 bond, and having a uniform, monolithic diamond grain structure without phase boundary and a Diameter in the range between 100 nm and 900 nm, preferably below 600 nm.
Ein derartiges Diamantkorngefüge wird mittels des erfindungsgemäßen Verfahren erreicht, indem die Diamant-Primärpartikel-Bildung und das anschließende Wachstum in dem selben Reaktionsraum erfolgt. Die Diamantpartikel sind schichtenfrei und zeichnen sich durch eine einheitliche Morphologie aus.One such diamond grain structure is by means of the method according to the invention achieved by the diamond primary particle formation and the subsequent one Growth occurs in the same reaction space. The diamond particles are layer-free and are characterized by a uniform morphology out.
Derartige Diamantkörnung mit Durchmessern im Mikrometerbereich ist ebenfalls als Schleif- und Poliermittel einsetzbar, oder als wärmeleitender Füllstoff für wärmetechnische Anwendungen. Durch Aufwachsen von Kohlenstoff in sp3-Bindung auf Diamant-Primärpartikeln sind die erfindungsgemäßen Diamantpartikel in jeder vorgegebenen Größe reproduzierbar herstellbar, so dass aus ihnen durch geeignete Auswahl maßgeschneiderter Partikelgrößen-Fraktionen Füllstoffe mit hohem Füllgrad herstellbar sind.Such diamond grit with diameters in the micrometer range can also be used as a grinding and polishing agent, or as a heat-conducting filler for thermal applications. By growing carbon in sp 3 bond on diamond primary particles, the diamond particles according to the invention can be reproducibly produced in any given size, so that fillers with a high degree of filling can be produced from them by suitably selecting tailor-made particle size fractions.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und einer Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt in schematischer Darstellung:following the invention is based on embodiments and a Drawing explained in more detail. In The drawing shows in a schematic representation:
Dem
in
Die
Reaktorhülle
Im
unteren Teil der Reaktorhülle
An
den Freiraum
Im
Bereich des Freiraums
Nachfolgend
wird ein Ausführungsbeispiel für das erfindungsgemäße Verfahren
anhand von
In
den Reaktionsraum
Diese
Nanopulver-Mischung bildet zu Prozessbeginn die Partikelschicht
Innerhalb
der Reaktorhülle
Es
wird darauf geachtet, dass die Temperatur in der Partikelschicht
Während sich die freigesetzten Kohlenstoffspezies aus der übersättigten Gasphase auf der aktivierten Oberfläche der temporären Reaktionskeime in Form von Diamantkeimen abscheidet, diese somit allmählich weiter wachsen und sich so mit zunehmender Prozessdauer die mittlere Teilchengröße der Diamantkörner vergrößert, werden die temporären Reaktionskeime aus Kohlenstoff in sp2-Bindung infolge der Ätzreaktion mit dem atomaren Wasserstoff kleiner und verschwinden schließlich.While the released carbon species precipitates from the supersaturated gas phase on the activated surface of the temporary reaction nuclei in the form of diamond nuclei, thus gradually growing further and increasing the mean particle size of the diamond grains with increasing process time, the temporary reaction nuclei of carbon in sp 2 - Binding due to the etching reaction with the atomic hydrogen smaller and eventually disappear.
Die Auflösung wird durch die Struktur der eingesetzten Ruß-Teilchen begünstigt. Die Ruß-Teilchen liegen in Form verzweigter Aggregate vor, die aus kettenförmig angeordneten Nano-Primärteilchen bestehen.The resolution is favored by the structure of the carbon black particles used. The soot particles are in the form of branched aggregates, which are arranged in a chain Nano-primary particles exist.
Nach
einer Abscheidedauer von 20 Minuten wird das erzeugte pulverförmige Produkt
dem Reaktor
Die zugesetzten Nanodiamant-Teilchen sind nicht mehr von den neu gebildeten Diamantteilchen zu unterscheiden, da sie simultan mitwachsen und sich in der Korngröße nicht mehr signifikant abweichen.The added nanodiamond particles are no longer of the newly formed Diamond particles to distinguish, since they grow simultaneously with each other and not in grain size deviate significantly more.
Behandelt man die wie oben beschrieben gebildeten Diamantpartikel weitere zwei Stunden, dann haben die Diamantteilchen eine mittlere Korngröße von ca. 8 μm erreicht.treated one further forms the diamond particles formed as described above two hours, then the diamond particles have a mean particle size of approx. 8 μm achieved.
Alternativ
dazu werden bei zirkulierender Betriebsweise des Fließbettreaktors
Durch
erneute Rückführung in
die Partikelschicht
Claims (24)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004034667A DE102004034667A1 (en) | 2004-07-18 | 2004-07-18 | Producing synthetic diamond particles comprises exposing hydrogen and fluidized carbon seed particles to an energy source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004034667A DE102004034667A1 (en) | 2004-07-18 | 2004-07-18 | Producing synthetic diamond particles comprises exposing hydrogen and fluidized carbon seed particles to an energy source |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004034667A1 true DE102004034667A1 (en) | 2006-02-09 |
Family
ID=35612895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102004034667A Ceased DE102004034667A1 (en) | 2004-07-18 | 2004-07-18 | Producing synthetic diamond particles comprises exposing hydrogen and fluidized carbon seed particles to an energy source |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102004034667A1 (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007133765A2 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Drexel University | Process of purifying nanodiamond compositions and applications thereof |
WO2010089040A1 (en) * | 2009-02-03 | 2010-08-12 | Rösler Holding Gmbh &Co. Kg | Component |
EP2431327A1 (en) * | 2009-04-28 | 2012-03-21 | Xi Chu | Method and apparatus for producing large particle diamond |
CN102744020A (en) * | 2011-04-22 | 2012-10-24 | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 | Powder material low temperature plasma surface treatment method and its apparatus |
EP2647601A1 (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-09 | Linde Aktiengesellschaft | Method for manufacturing diamond |
CN108411276A (en) * | 2018-04-08 | 2018-08-17 | 河南佰特科技有限公司 | A kind of crystal seed implantation methods of cvd diamond thick film |
EP3423402A4 (en) * | 2016-02-29 | 2019-10-30 | Kuwait Institute For Scientific Research | Method for synthesizing nanodiamonds |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4767608A (en) * | 1986-10-23 | 1988-08-30 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Method for synthesizing diamond by using plasma |
EP0286310A1 (en) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Crystallume | Fluidized bed diamond particle growth |
US4859499A (en) * | 1985-01-22 | 1989-08-22 | Saint-Gobian Vitrage | Method for coating a substrate with an electrically conductive layer |
US5628824A (en) * | 1995-03-16 | 1997-05-13 | The University Of Alabama At Birmingham Research Foundation | High growth rate homoepitaxial diamond film deposition at high temperatures by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition |
DE69424710T2 (en) * | 1993-03-23 | 2000-11-02 | At & T Corp | Improved process for the formation of continuous diamond layers |
DE69530161T2 (en) * | 1994-12-05 | 2003-12-18 | Sumitomo Electric Industries | Low defect density single crystal diamond and process for its manufacture |
-
2004
- 2004-07-18 DE DE102004034667A patent/DE102004034667A1/en not_active Ceased
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4859499A (en) * | 1985-01-22 | 1989-08-22 | Saint-Gobian Vitrage | Method for coating a substrate with an electrically conductive layer |
US4767608A (en) * | 1986-10-23 | 1988-08-30 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Method for synthesizing diamond by using plasma |
EP0286310A1 (en) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Crystallume | Fluidized bed diamond particle growth |
DE69424710T2 (en) * | 1993-03-23 | 2000-11-02 | At & T Corp | Improved process for the formation of continuous diamond layers |
DE69530161T2 (en) * | 1994-12-05 | 2003-12-18 | Sumitomo Electric Industries | Low defect density single crystal diamond and process for its manufacture |
US5628824A (en) * | 1995-03-16 | 1997-05-13 | The University Of Alabama At Birmingham Research Foundation | High growth rate homoepitaxial diamond film deposition at high temperatures by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007133765A2 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Drexel University | Process of purifying nanodiamond compositions and applications thereof |
WO2007133765A3 (en) * | 2006-05-15 | 2008-12-04 | Univ Drexel | Process of purifying nanodiamond compositions and applications thereof |
WO2010089040A1 (en) * | 2009-02-03 | 2010-08-12 | Rösler Holding Gmbh &Co. Kg | Component |
EP2431327A1 (en) * | 2009-04-28 | 2012-03-21 | Xi Chu | Method and apparatus for producing large particle diamond |
EP2431327A4 (en) * | 2009-04-28 | 2014-04-30 | Xi Chu | Method and apparatus for producing large particle diamond |
CN102744020A (en) * | 2011-04-22 | 2012-10-24 | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 | Powder material low temperature plasma surface treatment method and its apparatus |
CN102744020B (en) * | 2011-04-22 | 2016-02-17 | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 | A kind of powder material low temperature plasma surface treatment and device thereof |
EP2647601A1 (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-09 | Linde Aktiengesellschaft | Method for manufacturing diamond |
US8828486B2 (en) | 2012-04-05 | 2014-09-09 | Linde Aktiengesellschaft | Method for manufacturing diamond |
EP3423402A4 (en) * | 2016-02-29 | 2019-10-30 | Kuwait Institute For Scientific Research | Method for synthesizing nanodiamonds |
CN108411276A (en) * | 2018-04-08 | 2018-08-17 | 河南佰特科技有限公司 | A kind of crystal seed implantation methods of cvd diamond thick film |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0360305B1 (en) | Process for producing particles of a composite material, and their use | |
Heath et al. | A liquid solution synthesis of single crystal germanium quantum wires | |
DE112013000502T5 (en) | Large scale production of mono- and multi-layer graphene by chemical vapor deposition | |
CN100411979C (en) | Carbon nano pipe rpoe and preparation method thereof | |
EP0568862A1 (en) | Fine metal particles | |
EP1544167B1 (en) | Dust- and pore-free high purity polysilicon granules | |
CN100432009C (en) | Carbon nanotube/nano clay nano composite materials and method for preparing same | |
DE69628425T2 (en) | CARBIDE NANOFIBRILLES AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME | |
DE602004005137T2 (en) | Process for the preparation of nanoparticles | |
DE102018115956A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING CARBON NANOTUBES IN FLOOR BED REACTORS | |
US20110268968A1 (en) | SYNTHESIS OF Pb ALLOY AND CORE/SHELL NANOWIRES | |
DE102004034667A1 (en) | Producing synthetic diamond particles comprises exposing hydrogen and fluidized carbon seed particles to an energy source | |
Dhore et al. | Synthesis and characterization of high yield multiwalled carbon nanotubes by ternary catalyst | |
Oyewemi et al. | Controlled syntheses of multi-walled carbon nanotubes from bimetallic Fe–Co catalyst supported on kaolin by chemical vapour deposition method | |
EP0650791B1 (en) | Fine particles of metals, alloys and metal compounds | |
EP3288894B1 (en) | Fluidized bed reactor and method for producing polycrystalline silicon granulate | |
US7182812B2 (en) | Direct synthesis of oxide nanostructures of low-melting metals | |
EP0568861B1 (en) | Finely divided non-oxide ceramic powders | |
EP2321220B1 (en) | Process for removing nonmetallic impurities from metallurgical silicon | |
EP1016624A1 (en) | Gas carburising process for preparing pure WC-powder | |
US20240034630A1 (en) | Synthesis of perimorphic materials | |
EP1343722A1 (en) | Method for producing highly pure, granular silicon | |
EP0006921A1 (en) | Process for producing silicon carbide powder. | |
KR100490472B1 (en) | Carbon nanotubes synthesis method using magnetic fluids | |
EP0828013A2 (en) | Method for coating a substrate with diamond |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |