DE102004021734B4 - Method and device for the continuous coating of flat substrates with optically active layer systems - Google Patents
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Abstract
Vorrichtung zur kontinuierlichen Beschichtung flacher Substrate mit optisch aktiven Schichtsystemen bestehend aus mehreren Teilschichten, bei der eine Transportvorrichtung zum Transport der Substrate in einer Transportrichtung angeordnet ist, und die in einzelne Kompartments, welche in Transportrichtung hintereinander liegen, aufgeteilt ist, derart, dass zur Abscheidung der Teilschichten Beschichtungskompartments mit Magnetrons angeordnet sind, die ihrerseits mit Targets versehen sind, und diese Beschichtungskompartments mit Vakuumpumpen zur Evakuierung in den Beschichtungskompartments versehen und unter Vermeidung einer zwischenliegenden Gasschleuse über einen Strömungswiderstand miteinander verbunden sind, wobei
zur Abscheidung von mindestens zwei aufeinander liegenden Teilschichten (3; 4) die Targets (10; 15) auf den Magnetrons (9; 14) der entsprechenden in Transportrichtung (7) hintereinander angeordneten Beschichtungskompartments (8; 13) aus dem Material der zu erzeugenden Schicht (3; 4) bestehen und
die Beschichtungskompartments (8; 13) entweder direkt mit den Vakuumpumpen (12; 17) versehen sind und die Beschichtungskompartments (8; 13) direkt miteinander verbunden sind
oder Pumpkompartments (11; 16;...Apparatus for the continuous coating of flat substrates with optically active layer systems comprising a plurality of partial layers, in which a transport device for transporting the substrates is arranged in a transport direction, and which is divided into individual compartments, which lie one behind the other in the transport direction, such that the deposition of the Sub-layers are arranged with magnetrons coating compartments, which are in turn provided with targets, and these coating compartments are provided with vacuum pumps for evacuation in the coating compartments and connected to avoid an intermediate gas lock via a flow resistance, wherein
for the deposition of at least two sublayers (3; 4) on top of each other, the targets (10; 15) on the magnetrons (9; 14) of the corresponding coating compartments (8; 13) arranged in succession in the transport direction (7) of the material of the layer to be produced (3; 4) exist and
the coating compartments (8; 13) are either provided directly with the vacuum pumps (12; 17) and the coating compartments (8; 13) are directly connected to one another
or pumping compartments (11; 16; ...
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur kontinuierlichen Beschichtung flacher Substrate mit optisch aktiven Schichtsystemen bestehend aus mehreren Teilschichten nach dem Oberbegriff des Anspruches 1 und ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruches 10.The The invention relates to a device for continuous coating consisting of flat substrates with optically active layer systems of several partial layers according to the preamble of claim 1 and a method according to the preamble of claim 10.
Vorzugsweise flache Substrate werden mit optisch aktiven Schichtsystemen mittels Sputtertechnik versehen, z. B. mit wärmereflektierenden Schichtsystemen. Derartige Schichtsysteme sind grundsätzlich in folgender Weise aufgebaut:
- a) erste dielektrische Entspiegelungsschicht (Grundschicht)
- b) – Unterblockerschicht (optional) – Ag-Schicht – Oberblockerschicht
- c) zweite dielektrische Entspiegelungsschicht (Deckschicht)
- a) first dielectric anti-reflection layer (base layer)
- b) - Subblocker layer (optional) - Ag layer - Oberblockerschicht
- c) second dielectric anti-reflection layer (covering layer)
Die Schichtsysteme werden aus den entsprechenden Einzelschichten in Vakuumfolge in einem Durchlauf abgeschieden. Dazu werden in einer längserstreckten Vakuumanlage, die einzelne Kompartments aufweist, die in Längsrichtung hintereinanderliegend miteinander verbunden sind, flache Substrate bewegt. In einigen dieser Kompartments sind entsprechende Magnetrons angeordnet, die damit zu Beschichtungskompartments gestaltet werden.The Layer systems are made of the corresponding single layers in Vacuum sequence deposited in one pass. This will be done in a longitudinal Vacuum system, which has individual compartments, in the longitudinal direction connected one behind the other, flat substrates emotional. In some of these compartments are corresponding magnetrons arranged, which are thus designed to coating compartments.
Die Beschichtung findet in den Beschichtungskompartments in einer Prozessgasatmosphäre statt, die beispielsweise einen reaktiven Beschichtungsvorgang erlaubt. Die dazu erforderliche Prozessgasversorgung jedes einzelnen Beschichtungskompartments wird durch Gaseinlass- und Pumpeinrichtungen realisiert. Dadurch wird es möglich, für jedes einzelne Magnetron, entsprechend den zu realisierenden Schichteigenschaften Prozessgaszusammensetzungen einzustellen und zu regeln.The Coating takes place in the coating compartments in a process gas atmosphere, which allows, for example, a reactive coating process. The process gas supply required for each individual coating compartment is realized by gas inlet and pumping devices. Thereby will it be possible for each single magnetron, according to the layer properties to be realized Adjust and regulate process gas compositions.
Das Partialdruckverhältnis zweier benachbarter Beschichtungskompartments wird als Gasseparationsfaktor bezeichnet. Der Gasseparationsfaktor definiert den Entkopplungsgrad der zu trennenden Kompartments.The partial pressure two adjacent coating compartments is used as a gas separation factor designated. The gas separation factor defines the degree of decoupling the to be separated compartments.
Zwischen den Magnetrons, die aus technologischen Gründen mit stark unterschiedlichen Gaszusammensetzungen, d. h. mit einem großen Gasseparationsfaktor betrieben werden müssen, sind Gasschleusen erforderlich, die eine Entkopplung der Gaszusammensetzungen (Gasseparation) in Transportrichtung der Substrate nacheinander folgend angeordneter Magnetrons gewährleisten. Die Gasschleusen werden durch Kompartments, die anstelle von Magnetrons mit Pumpeinrichtungen bestückt sind (Pumpkompartments), realisiert.Between the magnetrons, for technological reasons with very different Gas compositions, d. H. operated with a large gas separation factor Need to become, Gas locks are required, which decouple the gas compositions (Gas separation) in the transport direction of the substrates in succession ensure following arranged magnetrons. The gas locks be through compartments, which instead of magnetrons with pumping facilities are equipped (Pumpkompartments), realized.
Bisher werden die Grundschicht oder die Deckschicht im Allgemeinen durch reaktives Sputtern von metallischen Targets in einem Ar/O2-Gemisch erzeugt. Oft besteht diese dielektrische Schicht jedoch aus mehreren Teilschichten unterschiedlicher Materialien. Um gerade beim Einsatz von beispielsweise TiO2 oder Nb2O5 eine ökonomisch sinnvolle Beschichtungsrate zu erreichen, werden bereits teilweise teilreaktive Prozesse mit sogenannten keramischen Targets eingesetzt. Gleichzeitig werden andere Teilschichten dieser Grund- oder Deckschicht vollreaktiv von metallischen Targets abgeschieden.Heretofore, the basecoat or topcoat are generally produced by reactive sputtering of metallic targets in an Ar / O 2 mixture. Often, however, this dielectric layer consists of several partial layers of different materials. In order to achieve an economically sensible coating rate, especially when using, for example, TiO 2 or Nb 2 O 5 , partly partially reactive processes with so-called ceramic targets are already being used. At the same time, other partial layers of this base layer or top layer are completely reactive with metallic targets.
Beide Prozesse unterscheiden sich stark in ihren Reaktivgaspartialdrücken. So sind die Reaktivgaspartialdrücke bei vollreaktiven Prozessen in der Größenordnung 10mal höher als bei teilreaktiven Prozessen von keramischen Targets. Sind also beide Prozesse in Transportrichtung des Substrates hintereinander angeordnet, erfordert dies einen hohen Gasseparationsfaktor in der Größenordnung von 40 bis 60 zwischen diesen Prozessen, um eine gegenseitige Beeinflussung zu vermeiden und außerdem Schichtdickenhomogenitäten über die Reaktivgasverteilung ausregeln zu können.Both Processes differ greatly in their reactive gas partial pressures. So are the reactive gas partial pressures in fully reactive processes on the order of 10 times higher than in partially reactive processes of ceramic targets. So these are both processes arranged in the transport direction of the substrate one behind the other requires this requires a high gas separation factor on the order of 40-60 these processes to avoid mutual interference and also layer thickness homogeneities over the To be able to regulate reactive gas distribution.
Nach der Abscheidung der Grundschicht folgen im Allgemeinen metallische Prozesse mit geringen Reaktivgaspartialdrücken zur Abscheidung der Ag-Schicht und den umgebenden metallischen oder substöchiometrischen Blockerschichten, wie oben dargestellt. Die Abscheidung der Ag-Schicht erfolgt möglichst rein metallisch ohne eine Zugabe von Sauerstoff. Aus diesen Gründen ist im Allgemeinen ein Gasseparationsfaktor größer als 20 erforderlich, um die Gaszusammensetzungen der metallischen Abscheidung der Ag-Schicht von der der reaktiven Abscheidung der dielektrischen Grund- und Deckschicht zu trennen. Die Deckschicht wird mit vollreaktiven Prozessen von metallischen Targets abgeschieden.To The deposition of the base layer is generally followed by metallic ones Processes with low reactive gas partial pressures for the deposition of the Ag layer and the surrounding metallic or sub-stoichiometric blocking layers, as shown above. The deposition of the Ag layer is as possible purely metallic without the addition of oxygen. For these reasons is In general, a gas separation factor greater than 20 is required to complete the Gas compositions of the metallic deposition of the Ag layer from the reactive deposition of the dielectric base and Separate topcoat. The topcoat comes with fully reactive processes deposited by metallic targets.
Wie dargestellt, erfordert jede Gasseparation bei größeren Gasseparationsfaktoren, typischer Weise in der Größe von 10, bauliche Maßnahmen, die die Baulänge von Vakuumbeschichtungsanlagen erhöhen und den Herstellungsaufwand, beispielsweise durch einen erhöhten Pumpeneinsatz, vergrößern.As requires each gas separation for larger gas separation factors, typically in the size of 10, structural measures, the length increase of vacuum coating equipment and manufacturing costs, for example by an elevated one Pump insert, enlarge.
In
der
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der
Der Erfindung liegt damit die Aufgabe zugrunde, den Aufwand für die Gasseparationen zwischen Pumpkompartments zu reduzieren, um damit sowohl den Herstelleraufwand als auch den Aufwand für den Betreiber von längserstreckten Vakuumbeschichtungsanlagen zu minimieren.Of the Invention is therefore the object of the effort for the gas separations between pumping compartments to reduce both the manufacturer's effort as well as the effort for the operator of longitudinal Minimize vacuum coating equipment.
Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe anordnungsseitig durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst. Die Ansprüche 2 bis 9 zeigen besonders günstige Ausgestaltungen.According to the invention The task is the arrangement side by a device with the Characteristics of claim 1 solved. The requirements 2 to 9 show particularly favorable Configurations.
Zur
Abscheidung von mindestens zwei aufeinander liegenden Teilschichten
eines Schichtsystems bestehen die Targets auf den Magnetrons der entsprechenden
in Transportrichtung hintereinander angeordneten Beschichtungskompartments
aus dem Material der zu erzeugenden Schicht. Das bedeutet, dass
reaktive Prozesse zur Erzeugung des Schichtmateriales – durch
ein Zusammenwirken von Reaktivgas und einem von dem abzuscheidenden Schichtmaterial
verschiedenen Targetmaterial – vermieden
werden. Damit sind Gasschleusen zwischen den Beschichtungsprozessen
der einzelnen Teilschichten nicht mehr erforderlich. Somit werden
gemäß der Erfindung
die Beschichtungskompartments in einer ersten Möglichkeit direkt mit den Vakuumpumpen
versehen und die Beschichtungskompartments direkt miteinander verbunden.
Eine zweite Möglichkeit
sieht vor, dass Pumpkompartments vorgesehen sind, die mit den Vakuumpumpen
versehen sind, wobei jeweils ein Pumpkompartment in Transportrichtung
vor einem Beschichtungskompartment, zwischen den Beschichtungskompartments
und nach einem Beschichtungskompartment angeordnet ist. In jedem
Falle sind beide Beschichtungskompartments (
Dadurch, dass die Targets der hintereinander angeordneten Beschichtungskompartments aus dem Material der zu erzeugenden Schicht bestehen, werden beide hintereinander liegenden Beschichtungsprozesse teil- oder nicht-reaktiv erfolgen können, wodurch starke Unterschiede in deren Reaktivgaspartialdrücken vermieden werden können. Dadurch kann eine Gasschleuse zwischen den Beschichtungskompartments, bei der mit einem Pumpkompartment eine zusätzliche Vakuumabsaugung zwischen den Beschichtungskompartments erfolgt, entfallen. Dies geschieht dadurch, dass die Beschichtungskompartments entweder direkt aneinander gereiht werden, wenn an ihnen die Pumpen direkt angeordnet sind, z. B. an einem auf der Oberseite des Beschichtungskompartments liegenden Deckel. Es kann aber auch ein Pumpkompartment für die Anordnung der Vakuumpumpen der beiden Beschichtungskompartments zwischen diesen vorgesehen werden. In jedem Falle wird durch die Erfindung erreicht, dass zur erforderlichen Gasseparation ein Strömungswiderstand zwischen den Beschichtungskompartments ausreichend ist und damit die Anordnung eines zusätzlichen Pumpkompartments zur Realisierung einer Gasschleuse vermieden wird. Dadurch kann die Baulänge einer längserstreckten Vakuumbeschichtungsanlage verkürzt und der Aufwand an Vakuumpumpen reduziert werden.Thereby, that the targets of the successively arranged coating compartments are made of the material of the layer to be produced, both one after the other coating processes partially or non-reactive can be done which avoids strong differences in their reactive gas partial pressures can be. This allows a gas lock between the coating compartments, in the case of a pumping compartment with an additional Vakuumabsaugung between the coating compartments takes place. this happens in that the coating compartments either directly to each other be ranked if the pumps are placed directly on them, z. B. on a lying on top of the coating compartments Cover. But it can also be a pump compartment for the arrangement of the vacuum pumps the two coating compartments are provided between them. In any case, it is achieved by the invention that the required Gas separation a flow resistance between the coating compartments is sufficient and thus the arrangement of an additional Pump compartments for the realization of a gas lock is avoided. This allows the overall length one elongated Vacuum coating system shortened and the cost of vacuum pumps can be reduced.
In einer bevorzugten Variante bestehen die Targets aus elektrisch leitfähigen stöchiometrischen oder substöchiometrischen Verbindungen. Mittels dieser Materialien wird es möglich, nicht-reaktive oder teilreaktive Sputterprozesse zu fahren. Damit werden in besonderer Weise aufeinanderfolgende Beschichtungsprozesse mit stark unterschiedlichen Partialdrücken vemieden. Vertreter von elektrische leitfähigen stöchiometrischen oder substöchiometrischen Verbindungen sind solche Materialien, die im allgemeinen als „keramische Materialen” bezeichnet werden.In In a preferred variant, the targets consist of electrically conductive stoichiometric or substoichiometric Links. By means of these materials it becomes possible, non-reactive or to drive partially reactive sputtering processes. This will be special Avoid successive coating processes with very different partial pressures. Representative of electrical conductive stoichiometric or substoichiometric Compounds are those materials commonly referred to as "ceramic Materials "are called.
Targets aus diesen Materialien bestehen beispielsweise aus TiOx, ZnOx:AlOx oder NbOx. Dabei gibt der Index „x” an, dass es sich bei diesen Materialien um stöchiometrische oder substöchiometrische Verbindungstargets handelt. Beispielsweise wird eine Schicht aus stöchiometrischen TiOx, bei dem x = 2, d. h. TiO2, aus einem substöchiometrischen Target mit TiOx bei x = 1,85 abgeschieden.Targets made of these materials consist for example of TiO x , ZnO x : AlO x or NbO x . The index "x" indicates that these materials are stoichiometric or substoichiometric compound targets. For example a layer of stoichiometric TiO x at which x = 2, ie TiO 2 , deposited from a substoichiometric target with TiO x at x = 1.85.
Ein reaktiver Prozess ist dadurch gekennzeichnet, dass von einem metallischen Target unter Zugagbe von Reaktivgas die stöchiometrische Verbindungsschicht auf dem Substrat abgeschieden wird. Dementsprechend wird unter einem teilreaktiven Sputterprozess die Abscheidung der stöchimetrischen Schicht von einem bereits substöchimetrischen oder stöchimetrischen Verbindungstarget unter der Bedingung elektrischer Leitfähigkeit des Targetmateriales unter Zugabe einer gegenüber dem reaktiven Prozess deutlich geringeren Menge von Reaktivgas verstanden. Ein nicht-reaktiver Prozess findet ohne Zugabe von Reaktivgas statt.One reactive process is characterized in that of a metallic Target under the addition of reactive gas, the stoichiometric compound layer is deposited on the substrate. Accordingly, under a partially reactive sputtering process the deposition of stoichiometric Layer of an already substoichiometric or stoichiometric Connection target under the condition of electrical conductivity of the target material with the addition of a clear over the reactive process Lower amount of reactive gas understood. A non-reactive Process takes place without addition of reactive gas.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass das zwischen zwei Beschichtungskompartments angeordnete Pumpkompartment mit einer Vakuumpumpe für das Beschichtungskompartment auf der einen Seite und einer von der ersten Vakuumpumpe vakuumtechnisch getrennten zweiten Vakuumpumpe für das Beschichtungskompartment auf der anderen Seite versehen ist. Ein solches Pumpkompartment wird eingesetzt, wenn die Vakuumpumpen für die Beschichtungskompartments nicht direkt mit diesen verbunden werden können. Damit können zwei einzelne Pumpkompartments für je ein Beschichtungskompartment vermieden und in einem Pumpkompartment integriert werden. Auch dies dient der Verringerung von Baulänge.In A further embodiment of the invention provides that the pump compartment arranged between two coating compartments with a vacuum pump for the coating compartment on one side and one of the first vacuum pump vacuum-technically separate second vacuum pump for the Coating compartment is provided on the other side. Such Pumping compartment is used when the vacuum pumps for the coating compartments can not be connected directly to them. This can be two individual pump compartments for one coating compartment each avoided and in a pumping compartment to get integrated. This also serves to reduce the overall length.
In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Gassepartionsfaktor durch den Strömungswiderstand kleiner als 20 ist.In a further embodiment is provided that the Gassepartionsfaktor by the flow resistance is less than 20.
Günstig ist dabei, wenn der Gassepartionsfaktor durch den Strömungswiderstand kleiner als 10 ist.Cheap is thereby, if the Gassepartionsfaktor by the flow resistance is less than 10.
In einer besonders günstigen Ausführung ist vorgesehen, dass der Gassepartionsfaktor durch den Strömungswiderstand 5 bis 10 beträgt.In a particularly favorable execution is provided that the Gassepartionsfaktor by the flow resistance 5 to 10.
Bevorzugte elektrisch leitfähige stöchiometrische oder substöchiometrische Verbindungen der Targets sind TiOx, ZnOx:AlOx oder NbOx.Preferred electrically conductive stoichiometric or substoichiometric compounds of the targets are TiO x , ZnO x : AlO x or NbO x .
In einer weiteren Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist vorgesehen, dass das oder die Magnetron mit einem Target aus dem Material der zu erzeugenden Schicht als Rohrmagnetron ausgebildet sind. Rohrmagnetron weisen einen hohlzylinderförmigen Targetkörper auf, der um ein Magnetsystem herum drehbar gelagert ist. Damit wird ein gleichmäßiger Abtrag des Materials und damit eine hohe Ausnutzung des Targetmaterials erreicht. Somit lassen sich insbesondere Targetmaterialien aus elektrisch leitfähigen stöchiometrischen oder substöchiometrischen Verbindungen kostengünstig einsetzen.In a further embodiment of the device according to the invention is provided that the magnetron or the with a target of the material of to be generated layer are formed as tubular magnetron. tubular magnetron have a hollow cylindrical target body on, which is rotatably mounted around a magnet system around. This will be a uniform removal of the material and thus a high utilization of the target material reached. Thus, in particular target materials can be made of electrical conductive stoichiometric or substoichiometric Connections cost-effective deploy.
Verfahrensseitig wird die Aufgabe durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruches 10 gelöst. Die Ansprüche 11 bis 16 zeigen Ausführungsvarianten dieses Verfahrens. Dabei werden mindestens zwei direkt aufeinander folgende Teilschichten nicht- oder teil-reaktiv aus dem einen Target aus dem Material der jeweiligen Teilschicht abgeschieden. Die aufeinander folgenden Beschichtungsschritte können durch dieses Verfahren mit geringeren Partialdruckunterschieden realisiert werden, da damit eine Mischung von reaktiven und nicht-reaktiven Beschichtungsprozessen vermieden werden kann, wodurch sich der anlagentechnische Aufwand sowohl in der Herstellung als auch im laufenden Betrieb verringert.the method, The object is achieved by a method having the features of the claim 10 solved. The requirements 11 to 16 show variant embodiments this procedure. At least two will be in direct contact the following partial layers non-reactive or partially reactive from the one target separated from the material of the respective sub-layer. The each other Following coating steps can be achieved by this method be realized with lower partial pressure differences, since so a mixture of reactive and non-reactive coating processes can be avoided, resulting in the plant engineering effort reduced both during production and during operation.
Insbesondere können reaktive Beschichtungsprozesse dadurch vermieden werden, dass die Teilschichten aus elektrisch leitfähigen stöchiometrischen oder substöchiometrischen Verbindungen abgeschieden werden.Especially can reactive coating processes are avoided by the fact that the sub-layers made of electrically conductive stoichiometric or substoichiometric Connections are deposited.
Eine vorteilhafte Gestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist für die Herstellung einer optisch aktiven Schicht, insbesondere einer wärmereflektierenden Schicht dadurch vorgesehen, dass ein Substrat in der Reihenfolge aus einer Grundschicht, bestehend aus dielektrischen Teilschichten, einer Reflektionsschicht mit optionalen Unter- und/oder Oberblockerchicht und einer Deckschicht bestehend aus dielektrischen Teilschichten beschichtet wird, wobei die dielektrischen Teilschichten der Grundschicht von Targets aus elektrisch leitfähigen stöchiometrischen oder substöchiometrischen Verbindungen abgeschieden werden.A advantageous embodiment of the method according to the invention is for the production an optically active layer, in particular a heat-reflecting Layer thereby provided that a substrate in the order from a base layer consisting of dielectric sublayers, a reflective layer with optional lower and / or upper blocker layer and a cover layer consisting of dielectric sublayers is coated, wherein the dielectric sub-layers of the base layer of targets of electrically conductive stoichiometric or substoichiometric Connections are deposited.
Dabei kommen die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens besonders vorteilhaft zum Tragen, wenn sowohl die dielektrischen Teilschichten der Grundschicht als auch die dielektrischen Teilschichten der Deckschicht von Targets aus elektrisch leitfähigen stöchiometrischen oder substöchiometrischen Verbindungen abgeschieden werden.there The advantages of the method according to the invention are particularly advantageous when both the dielectric sub-layers of the base layer as well as the dielectric sublayers of the overcoat of targets made of electrically conductive stoichiometric or substoichiometric Connections are deposited.
Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, dass der Gassepartionsfaktor durch den Strömungswiderstand kleiner als 20 ist.A embodiment the method according to the invention is that the Gassepartionsfaktor by the flow resistance is less than 20.
Hierbei ist es günstig, dass der Gassepartionsfaktor durch den Strömungswiderstand kleiner als 10 ist.in this connection is it cheap that the Gassepartionsfaktor by the flow resistance is less than 10 is.
In einer besonders günstigen Ausführung beträgt der Gassepartionsfaktor durch den Strömungswiderstand 5 bis 10.In a particularly favorable Execution is the Gassepartionsfaktor through the flow resistance 5 to 10.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigtThe Invention will be explained in more detail with reference to an embodiment. In the associated Drawings shows
Wie
in
In
Diese
Vorrichtung besteht aus einem in Transportrichtung
Zur
Einstellung des erforderlichen Prozessvakuums in dem ersten Beschichtungskompartment
Zur
Abscheidung der Ag-Schicht ist ein zweites Beschichtungskompartment
Zur
Einstellung des Prozessvakuums in dem zweiten Beschichtungskompartment
Die
unterschiedlichen Beschichtungsprozesse in den beiden Beschichtungskompartments
Zum
besseren Vergleich der erfindungsgemäßen Vorrichtung nach dem Stand
der Technik, wie sie in
Diese
Vorrichtung besteht aus einem in Transportrichtung
Zur
Abscheidung der Ag-Schicht ist ein zweites Beschichtungskompartment
Zur
Einstellung des erforderlichen Prozessvakuums in dem ersten Beschichtungskompartment
Da
in beiden Beschichtungskompartments
In
- 11
- Schichtsystemlayer system
- 22
- Substratsubstratum
- 33
- Grundschichtbase layer
- 44
- Ag-SchichtAg layer
- 55
- Blockerschichtblocker layer
- 66
- Deckschichttopcoat
- 77
- Transportrichtungtransport direction
- 88th
- erstes Beschichtungskompartmentfirst coating compartment
- 99
- erstes Rohrmagnetronfirst tubular magnetron
- 1010
-
erstes
Target (aus Ti in
2 und TiOx in3 )first target (made of Ti in2 and TiO x in3 ) - 1111
- erstes Pumpkompartmentfirst Pumpkompartment
- 1212
- erste Vakuumpumpefirst vacuum pump
- 1313
- zweites Beschichtungskompartmentsecond coating compartment
- 1414
- zweites Rohrmagnetronsecond tubular magnetron
- 1515
- zweites Targetsecond target
- 1616
- zweites Pumpkompartmentsecond Pumpkompartment
- 1717
- zweite Vakuumpumpesecond vacuum pump
- 1818
- drittes Pumpkompartmentthird Pumpkompartment
- 1919
- dritte Vakuumpumpethird vacuum pump
- 2020
- viertes Pumpkompartmentfourth Pumpkompartment
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