DE102004009095B4 - Method for determining the overlay accuracy of a mask structure on a semiconductor layer by means of alignment marks - Google Patents

Abstract

Zum Bestimmen der Überlagerungsgenauigkeit einer in einer Maskenschicht auf einem Halbleitersubstrat ausgebildeten Struktur mit einer auf einem Halbleitersubstrat unter der Halbleiterschicht erzeugten Struktur werden anhand von Justiermarken, die in der Maskenschicht und unter der Halbleiterschicht auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind, mithilfe zweier Abtasteinrichtungen das Halbleitersubstrat an der der Maskenschicht gegenüberliegenden Rückseite mit einer ersten elektromagnetischen Strahlung, deren Wellenlänge so gewählt ist, dass das Halbleitersubstrat für die erste elektromagnetische Strahlung transparent ist, und die Maskenschicht mit einer zweiten elektromagnetischen Strahlung abgetastet, wobei die auf das Halbleitersubstrat und die Maskenschicht abgestrahlte elektromagnetische Strahlung jeweils in Reflexion aufgenommen wird. Mithilfe einer Auswerteeinheit werden dann die in Reflexion aufgenommenen Strahlungsbilder ausgewertet, um jeweils die Position der Justiermarke auf dem Halbleitersubstrat und in der Maskenschicht zu ermitteln und daraus dann die Überlagerungsgenauigkeit der in der Maskenschicht auf dem Halbleitersubstrat ausgebildeten Strukturen mit der auf dem Halbleitersubstrat unter der Halbleiterschicht erzeugten Struktur anhand der ermittelten Justiermarkenposition zu bestimmen.In order to determine the superimposition accuracy of a structure formed in a mask layer on a semiconductor substrate with a structure produced on a semiconductor substrate under the semiconductor layer, the semiconductor substrate is located on the semiconductor substrate with the aid of alignment marks that are formed in the mask layer and under the semiconductor layer on the semiconductor substrate with the aid of two scanning devices Mask layer opposite rear side with a first electromagnetic radiation, the wavelength of which is selected so that the semiconductor substrate is transparent to the first electromagnetic radiation, and the mask layer is scanned with a second electromagnetic radiation, the electromagnetic radiation emitted onto the semiconductor substrate and the mask layer each in reflection is recorded. With the help of an evaluation unit, the radiation images recorded in reflection are then evaluated in order to determine the position of the alignment mark on the semiconductor substrate and in the mask layer, and then use this to determine the overlay accuracy of the structures formed in the mask layer on the semiconductor substrate with that produced on the semiconductor substrate under the semiconductor layer To determine structure based on the determined alignment mark position.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bestimmen der Überlagerungsgenauigkeit einer auf einer Halbleiterschicht ausgebildeten Struktur mit einer auf einem Halbleitersubstrat unter der Halbleiterschicht erzeugten Struktur anhand von Justiermarken, die in der Maskenschicht und unter der Halbleiterschicht auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind.The The invention relates to a method for determining the overlay accuracy a formed on a semiconductor layer structure with a on a structure produced under the semiconductor layer of a semiconductor substrate using alignment marks in the mask layer and under the Semiconductor layer are formed on the semiconductor substrate.

Integrierte Schaltungen auf Halbleitersubstraten werden in der Regel in Planartechnik hergestellt. Die Planartechnik beinhaltet eine Abfolge jeweils ganzflächig auf die Scheibenoberfläche wirkender Einzelprozessen, die über geeignete Maskierungsschichten gezielt zur lokalen Veränderung des Halbleitersubstrats führen. Die Strukturierung des Halbleitersubstrats erfolgt dabei fast durchwegs mithilfe von Lithographieverfahren. Bei dieser Technik wird ein dünner strahlungsempfindlicher Film, in der Regel eine organische Fotolackschicht, auf die Halbleiterscheibe aufgebracht und mithilfe einer Maske, die die gewünschte Struktur als Muster enthält, belichtet. Anschließend wird dann der Fotolack entwickelt, um die bestrahlt bzw. unbestrahlten Bereichen zu entfernen. Das so entstandene Lackmuster dient dann als Maske für einen darauffolgenden Prozessschritt, z. B. einer Ätzung, um die abgebildete Struktur in die darunter liegende Schicht auf dem Halbleitersubstrat zu übertragen, oder einer Ionenimplantation, um Dotierbereiche in der darunter liegenden Schicht auszubilden.integrated Circuits on semiconductor substrates are usually in planar technology produced. The planar technology includes a sequence over the whole area the disk surface acting individual processes that over suitable masking layers targeted for local change of the semiconductor substrate. The structuring of the semiconductor substrate takes place almost throughout using lithography techniques. This technique is a thinner radiation sensitive film, typically an organic photoresist layer, applied to the wafer and using a mask, the the desired Contains structure as a pattern, exposed. Subsequently Then the photoresist is developed to the irradiated or unirradiated Remove areas. The resulting paint pattern then serves as a mask for a subsequent process step, for. As an etching to the pictured structure in the underlying layer on the To transfer semiconductor substrate, or an ion implantation to doping areas in the underneath form layer lying.

Um integrierte Schaltungen mit minimalen Strukturgrößen ausbilden zu können, ist es entscheidend die Vielzahl der aufeinanderfolgenden Fotolackstrukturen auf der Halbleiterschei be maßstabsgetreu, lagerichtig und defektfrei zu erzeugen. Es ist deshalb erforderlich, das erzeugte Lackstrukturmuster genau zu kontrollieren, um insbesondere Lagefehler zu ermitteln und gegebenenfalls dann das defekte Lackstrukturmuster noch mal ablösen und neu und lagerichtig erzeugen zu können. Bei integrierten Schaltungen darf der relative Mittellagenfehler zwei übereinander liegende Strukturen, z. B. einer Leiterbahn über dem Kontaktloch nur etwa 1/3 der minimalen Strukturgröße betragen, weil sonst die mit der minimalen Struktur mögliche Packungsdichte nicht mehr voll genutzt werden kann und darüber hinaus die Funktionalität des Chips eingeschränkt sein könnte.Around Being able to form integrated circuits with minimal feature sizes is it crucially affects the multitude of successive photoresist structures to scale on the semiconductor wafer, to produce in the correct position and without defects. It is therefore necessary to precisely control the generated resist pattern, in particular Determine position errors and, if appropriate, then the defective pattern structure replace it again and to produce new and correct position. For integrated circuits the relative center-plane error may be two superimposed structures, z. B. a conductor over the contact hole is only about 1/3 of the minimum feature size, because otherwise the packing density possible with the minimum structure is no longer possible can be fully used and above beyond the functionality of the chip restricted could be.

Die Bestimmung der Überlagerungsgenauigkeit einer in einer Fotolackschicht ausgebildeten Struktur mit einer darunter liegenden Strukturebene erfolgt anhand von Justiermarken, die in der Regel zusammen mit der jeweiligen Strukturebene ausgebildet werden. Anhand der Position der Justiermarken zueinander kann ein evtl. Lagefehler festgestellt werden, um dann, wenn die Abweichung größer als ein tolerierbares Maß ist, die Fotolackschicht abzulösen und den Lithographieprozess nochmals zu wiederholen.The Determination of overlay accuracy a formed in a photoresist layer structure with a underlying structural level is based on alignment marks, which are usually formed together with the respective structural level become. Based on the position of the alignment marks each other can possibly position errors are detected, then, if the deviation bigger than one tolerable level, peel off the photoresist layer and repeat the lithography process again.

Zum Bestimmen der Justiermarkenposition wird ein optisches Erfassungssystem auf die aus dem Design-Layout bekannte Lage der Justiermarken auf der Halbleiterscheibe ausgerichtet und mit einem lichtoptischen Formenerkennungsverfahren die genaue Position der Justiermarken bestimmt. Die lichtoptischen Formenerkennungsverfahren basieren darauf, dass anhand des Kontrastes zwischen den Justiermarken und ihrer Umgebung die jeweilige Position der Justiermarke ermittelt werden kann. Alle lichtoptischen Justiermarken-Formenerkennungsverfahren haben jedoch das Problem, dass der Kontrast der Justiermarken stark von der Oberflächenbeschaffenheit, d. h. der Schichtdicke, der Oberflächenrauigkeit und dem Kantenprofil im Bereich der Justiermarken, abhängen. Bei einem zu geringen Kontrast der Justiermarke besteht die Gefahr einer Fehlerkennung und damit einer fehlerhaften Lagebestimmung. Dies gilt insbesondere für die Referenzjustiermarke, die die Lage der unter der zu strukturierenden Halbleiterschicht bereits vorhandenen Strukturebene anzeigt. Eine direkte Erkennung der Referenzjustiermarke, die die Position der bereits vorhandenen Struktur anzeigt, durch die darüber befindliche Halbleiterschicht hindurch ist nur dann zuverlässig möglich, wenn die Halbleiterschicht für die zur Positionserkennung eingesetzte lichtoptische Strahlung durchlässig ist. Dies trifft z. B. nicht zu, wenn die zu strukturierende Halbleiterschicht eine Metallschicht ist. Solche Metallschichten sind nicht transparent im zur Justiermarkenerkennung herkömmlicherweise verwendeten sichtbaren Wellenlängenbereich. Die Position der Referenzjustiermarke unter einer solchen Metallschicht wird deshalb bisher indirekt so erfasst, dass die sich aufgrund der vergrabenen Referenzjustiermarken ergebene Welligkeit der Oberfläche der Metallschicht lichtoptisch abgetastet und daraus die Lage der Referenzjustiermarke bestimmt wird. Für eine solche Vorgehensweise ist jedoch eine ausreichende Welligkeit der Metallschichtoberfläche notwendig, die zu gewährleisten insbesondere dann schwierig ist, wenn die Metallschicht planarisiert wird. In diesem Fall sind dann zusätzliche Prozessschritte notwendig, um eine ausreichende Welligkeit der Oberfläche über der Referenzjustiermarke zu erreichen.To the Determining the alignment mark position becomes an optical detection system on the well-known from the design layout location of the alignment marks the semiconductor wafer aligned and with a light-optical Mold detection method the exact position of the alignment marks certainly. The light-optical shape recognition methods are based on that based on the contrast between the alignment marks and their Environment the respective position of the alignment mark are determined can. All light optical alignment mark mold recognition methods However, the problem is that the contrast of the fiducials is strong from the surface condition, d. H. the layer thickness, the surface roughness and the edge profile in the range of alignment marks, depend. At one too low Contrast of the alignment mark is a risk of misrecognition and thus a faulty orientation. This is especially true for the Referenzjustiermarke, which is the location of the semiconductor layer to be structured already existing structure level. A direct detection the reference alignment mark showing the position of the already existing structure indicating through it The semiconductor layer located therethrough is reliably possible only if the semiconductor layer for the light-optical radiation used for position detection is permeable. This is true for. B. not to, if the semiconductor layer to be structured a metal layer is. Such metal layers are not transparent in the conventionally used for alignment mark detection visible Wavelength range. The position of the reference alignment mark under such a metal layer is therefore so far indirectly recorded so that due to the buried Referenzjustiermarken resulting waviness of the surface of Metal layer scanned optically and from this the position of the Referenzjustiermarke is determined. For however, such an approach is sufficient ripple the metal layer surface necessary, to ensure that especially difficult when the metal layer is planarized becomes. In this case, additional process steps are necessary sufficient ripple of the surface above the reference alignment mark to reach.

Aus der US 4 952 060 ist ein Verfahren bekannt, bei dem die Ausrichtung einer Maskenprojektionseinrichtung zur Belichtung einer Lackschicht mit einer Maske anhand einer Justiermarke erfolgt, die von der Wafer-Rückseite her abgetastet wird, um die aufgebrachte Lackmaske nicht zu beeinträchtigen.From the US 4 952 060 For example, a method is known in which the alignment of a mask projection device for exposing a lacquer layer with a mask takes place by means of an alignment mark, which is scanned from the wafer back, in order not to impair the applied lacquer mask.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren bereitzustellen, mit dem sich einfach, schnell und zuverlässig die Überlagerungsgenauigkeit von übereinander liegenden Strukturen auf einem Halbleitersubstrat anhand von Justiermarken ermitteln lässt.task The invention is to provide a method with which easy, fast and reliable the overlay accuracy from one another lying structures on a semiconductor substrate by means of alignment marks can be determined.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einem Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.These Task is according to the invention with a Method according to claim 1 solved. Preferred developments are specified in the dependent claims.

Erfindungsgemäß wird zum Bestimmen der Überlagerungsgenauigkeit einer in einer Maskenschicht auf einem Halbleitersubstrat ausgebildeten Struktur mit einer auf einem Halbleitersubstrat unter der Halbleiterschicht erzeugten Struktur anhand von Justiermarken, die in der Maskenschicht und unter der Halbleiterschicht auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind, mithilfe zweier Abtasteinrichtungen, das Halbleitersubstrat an der der Maskenschicht gegenüber liegenden Rückseite mit einer ersten elektromagnetischen Strahlung, deren Wellenlänge so gewählt ist, dass das Halbleitersubstrat für die erste elektromagnetische Strahlung transparent ist, und die Maskenschicht mit einer zweiten elektromagnetischen Strahlung abgetastet werden, wobei die auf das Halbleitersubstrat und die Maskenschicht abgestrahlte elektromagnetische Strahlung jeweils in Reflexion aufgenommen wird. Mithilfe einer Auswerteeinheit werden dann die in Reflexion aufgenommenen Strahlungsbilder ausgewertet, um jeweils die Position der Justiermarke auf dem Halbleitersubstrat und in der Maskenschicht zu ermitteln und daraus dann die Überlagerungsgenauigkeit der in der Maskenschicht auf dem Halbleitersubstrat ausgebildeten Strukturen mit der auf dem Halbleitersubstrat unter der Halbleiterschicht erzeugten Struktur anhand der ermittelten Justiermarkenposition zu bestimmen.According to the invention is for Determine Overlay Accuracy a structure formed in a mask layer on a semiconductor substrate with one on a semiconductor substrate under the semiconductor layer generated structure using alignment marks in the mask layer and formed under the semiconductor layer on the semiconductor substrate are, with the help of two scanners, the semiconductor substrate opposite to the mask layer lying back with a first electromagnetic radiation whose wavelength is chosen that the semiconductor substrate for the first electromagnetic radiation is transparent, and the Mask layer scanned with a second electromagnetic radiation being applied to the semiconductor substrate and the mask layer radiated electromagnetic radiation received in each case in reflection becomes. Using an evaluation then the reflection recorded radiation images evaluated to each position the alignment mark on the semiconductor substrate and in the mask layer to determine and then the overlay accuracy of the structures formed in the mask layer on the semiconductor substrate with the generated on the semiconductor substrate under the semiconductor layer Determine structure based on the determined alignment mark position.

Die erfindungsgemäße Vorgehensweise, die Position der Referenzjustiermarke nicht von der Vorderseite aus durchzuführen, sondern das Halbleitersubstrat zur Positionsbestimmung von der gegenüber liegenden Rückseite her abzutasten, sorgt dafür, dass insbesondere dann, wenn die über der Referenzjustiermarke ausgebildete Halbleiterschicht im sichtbaren Bereich nicht durchsichtig ist, eine zuverlässige Positionsbestimmung gewährleistet wird. Der Kontrast der Referenzjustiermarke hängt nämlich im Gegensatz zum herkömmlichen Ver fahren nur vom Profil der Justiermarke selbst ab. Die Oberflächenbeschaffenheit der Halbleiterschicht über der Referenzjustiermarke, insbesondere deren Welligkeit, die bei einer im sichtbaren Bereich nicht transparenten Halbleiterschicht zur Bestimmung der Referenzjustiermarkenposition erforderlich ist, ist erfindungsgemäß unerheblich. Weiterhin ist es mithilfe der Rückseitenabtastung möglich anhand eines einzelnen Referenzjustiermarkensatzes, der vorzugsweise direkt auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, alle später erzeugten Lackstrukturen zu kontrollieren. Zur Bestimmung der Überlagerungsgenauigkeit der in einer Maskenschicht ausgebildeten Struktur ist es dann immer nur erforderlich die Justiermarkenposition in der Maskenschicht mit den Koordinaten der Referenzjustiermarke zu vergleichen. Diese Vorgehensweise sorgt für eine vereinfachte Justiermarkenprozessierung im Vergleich zum Stand der Technik, da nur ein einziges Mal im Rahmen der Bauelementherstellung Referenzjustiermarken erzeugt werden müssen.The inventive approach, the position of the reference alignment mark not from the front to carry out but the semiconductor substrate for determining the position of the opposite back Sampling makes sure that especially if the over the Referenzjustiermarke trained semiconductor layer in the visible Area is not transparent, ensuring a reliable position determination becomes. The contrast of the Referenzjustiermarke depends namely in contrast to the conventional Ver drive only from the profile of the alignment mark itself. The surface texture the semiconductor layer over the Referenzjustiermarke, in particular their ripple, in a in the visible range non-transparent semiconductor layer for Determining the reference alignment mark position is required is insignificant according to the invention. Furthermore, it is with the help of backside scanning possible based on a single Referenzjustiermarkensatz, preferably is formed directly on the semiconductor substrate, all later generated To control paint structures. To determine the overlay accuracy the structure formed in a mask layer is then always only required the alignment mark position in the mask layer to compare with the coordinates of the reference alignment mark. These Approach ensures a simplified alignment mark processing compared to the stand the technology, since only once in the context of component manufacturing Reference alignment marks must be generated.

Erfindungsgemäß wird zur Messkalibrierung eine Referenzjustiermarke von der Halbleitersubstratrückseite her mit der ersten elektromagnetischen Strahlung und von der Halbleitersubstratoberseite her mit der zweiten elektromagnetischen Strahlung abgetastet, wobei die von der Rückseite und von der Oberseite abgestrahlte elektromagnetische Strahlung jeweils in Reflexion aufgenommen und ausgewertet wird, um jeweils die Position der Referenzjustiermarke aus den aufgenommenen Strahlungsbildern zu ermitteln. Anhand der dabei ermittelten Referenzjustiermarkenpositionen wird dann ein Positionskorrekturwert bestimmt, der zur Kalibrierung weiterer Justiermarkenpositionsbestimmungen bei Kontrolle erzeugter Lackstrukturen genutzt werden kann.According to the invention is for Measurement calibration a reference alignment mark from the semiconductor substrate back forth with the first electromagnetic radiation and from the semiconductor substrate top side ago scanned with the second electromagnetic radiation, wherein from the back and radiated from the top electromagnetic radiation each recorded in reflection and evaluated, respectively the position of the Referenzjustiermarke from the recorded radiation images to investigate. Based on the thereby determined Referenzjustiermarkenpositionen Then a position correction value is determined which is for calibration further alignment mark position determinations generated during control Paint structures can be used.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist das Halbleitersubstrat eine Siliziumscheibe und die Wellenlänge der ersten elektromagnetischen Strahlung zum Erfassen der Referenzjustiermarken von der Rückseite der Siliziumscheibe her liegt im Infrarot- oder Naheninfrarotbereich. Mit dieser Vorgehensweise lassen sich aufgrund des guten Kontrastes besonders zuverlässig Referenzjustiermarken in einem Siliziumsubstrat auffinden.According to one preferred embodiment the semiconductor substrate is a silicon wafer and the wavelength of the first electromagnetic radiation for detecting the reference alignment marks of the back the silicon wafer is located in the infrared or near-infrared region. This procedure can be due to the good contrast especially reliable Locate reference alignment marks in a silicon substrate.

Die Erfindung wird anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Die Figur zeigt schematisch ein optisches System gemäß der Erfindung.The Invention will be with reference to the accompanying drawings explained in more detail. The Figure shows schematically an optical system according to the invention.

In der Figur ist eine mögliche Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Systems zum Bestimmen der Überlagerungsgenauigkeit einer in einer Maskenschicht auf einer Halbleiterschicht ausgebildeten Struktur mit einer auf einem Halbleitersubstrat unter der Halbleiterschicht erzeugten Struktur anhand von Justiermarken dargestellt. Die Figur zeigt dabei schematisch und stark vergrößert ein Prozessstadium im Rahmen der Ausbildung einer hoch integrierten Schaltung auf einem Halbleitersubstrat.In the figure is one possible embodiment an optical according to the invention System for determining the overlay accuracy one formed in a mask layer on a semiconductor layer Structure with a on a semiconductor substrate under the semiconductor layer generated structure shown by alignment marks. The figure shows thereby schematically and strongly enlarged a process stage in Framework of training a highly integrated circuit on a Semiconductor substrate.

Hoch integrierte Schaltungen werden vorzugsweise aus Silizium aufgrund der ausgereiften Bearbeitungstechnik in Verbindung mit den günstigen Materialeigenschaften gefertigt. Um die elektrischen Funktionen einer integrierten Schaltung auf einer Siliziumscheibe zu realisieren wird in der Regel die Planartechnik eingesetzt. Diese beinhaltet eine Abfolge von jeweils ganzflächig an der Scheibenoberfläche wirkenden Einzelprozessen, die über geeignete Maskierungsschichten gezielt zu lokalen Veränderung des Siliziummaterials führen. Eine Bearbeitungsfolge zum Ausbilden einer Strukturebene auf dem Siliziumsubstrat umfasst dabei in der Regel folgende Schritte: Aufbringen eines lichtempfindlichen Fotolacks, Belichten des lichtempfindlichen Fotolacks mit einer Maske, die die Struktur einer Entwurfsebene der integrierten Schaltung enthält, Entwickeln, d. h. Entfernen des belichteten Fotolacks, Strukturieren der Siliziumscheibe mit dem Fotolack als Maskierungsschicht, um die im Fotolack erzeugte Struktur in das Siliziumsubstrat zu übertragen und anschließend Entfernen des Fotolacks.Highly integrated circuits are preferably made of silicon due to the sophisticated processing technology in conjunction with the preisi manufactured material properties. In order to realize the electrical functions of an integrated circuit on a silicon wafer, the planar technology is usually used. This includes a sequence of individual processes acting over the entire surface of the wafer surface, which specifically lead to local modification of the silicon material via suitable masking layers. A processing sequence for forming a structural plane on the silicon substrate typically comprises the following steps: applying a photosensitive photoresist, exposing the photosensitive photoresist with a mask, which contains the structure of a design plane of the integrated circuit, developing, ie removing the exposed photoresist, structuring the Silicon wafer with the photoresist as a masking layer to transfer the structure produced in the photoresist in the silicon substrate and then removing the photoresist.

Vor der Übertragung der in der Fotolackschicht erzeugten Struktur in die darunter liegende Halbleiterschicht ist insbesondere eine Kontrolle der erzeugten Struktur notwendig. Bei integrierten Schaltungen darf der relative Mittellagefehler zweier übereinander liegender Strukturebenen, z. B. einer Leiterbahn über dem Kontaktloch nur etwa 1/3 der minimalen Strukturbreite betragen, weil andernfalls die mit der minimalen Struktur mögliche Packungsdichte nicht mehr voll genutzt werden kann und die Funktionalität des Chips eingeschränkt sein könnte. Die Kontrolle der Überlagerungsgenauigkeit einer Maskenstruktur mit einer bereits auf der Halbleiterscheibe vorhandenen Struktur erfolgt dabei anhand von Justiermarken, die in der Maskenschicht und in der bereits vorhandenen Struktur mit erzeugt werden. Die Justiermarken sind in der Regel Vertiefungen, die vorzugsweise im Zwischenbereich zwischen den einzelnen integrierten Schaltungen auf der Siliziumscheibe ausgebildet werden. Der Vorgang der Strukturkontrolle erfolgt in der Regel drei Schritten. Zum Bestimmen der Justiermarkenposition in der Maskenschicht wird ein optisches Erfassungssystem auf die aus dem Design-Layout bekannte Lage der Justiermarke in der Maskensicht ausgerichtet und dann mit einem lichtoptischen Formenerkennungsverfahren die Position der Justiermarke bestimmt. Dann wird in gleicher Weise die Position einer Referenzjustiermarke in der bereits auf der Halbleiterscheibe vorhandenen Strukturebene ermittelt. Anhand der beiden Justiermarkenpositionen wird dann festgestellt, ob eine ausreichende Überlagerungsgenauigkeit der Maskenstruktur mit der darunter liegenden Struktur vorliegt. Bei zu großen Lagefehlern kann dann die Maskenschicht nochmals abgelöst und neu erzeugt werden.In front the transmission the structure produced in the photoresist layer in the underlying semiconductor layer In particular, a control of the structure produced is necessary. For integrated circuits, the relative center position error may be two on top of each other lying structural levels, z. B. a conductor over the Contact hole amount to only about 1/3 of the minimum structure width, because otherwise the packing density possible with the minimum structure will not work more fully utilized and the functionality of the chip limited could be. The control of overlay accuracy a mask structure with an already existing on the semiconductor wafer Structure takes place on the basis of alignment marks in the mask layer and be generated in the already existing structure. The alignment marks are usually depressions, which are preferably in the intermediate area between the individual integrated circuits on the silicon wafer be formed. The process of structural control takes place in usually three steps. To determine the alignment mark position in the mask layer is an optical detection system on the from the design layout known location of the alignment mark in the mask view aligned and then with a light optical mold recognition method determines the position of the alignment mark. Then in the same way the position of a Referenzjustiermarke in the already on the semiconductor wafer existing structural level. Based on the two adjustment mark positions it is then determined whether sufficient overlay accuracy of the mask structure with the underlying structure. Too large position errors then the mask layer can be peeled off again and recreated.

Zur Positionsbestimmung der Justiermarken werden vorzugsweise optische Formenerkennungsverfahren eingesetzt, bei denen anhand des Kontrastes zwischen der Justiermarke und ihrer Umgebung die jeweilige Position der Justiermarke ermittelt werden kann. Problematisch gestaltet sich die Erkennung insbesondere der Referenzjustiermarke dann, wenn diese mit einer Halbleiterschicht bedeckt ist, die gegen lichtoptische Strahlung undurchsichtig ist, wie z. B. Polysiliziumdeckschichten oder Metallschichten, in denen Leiterbahnebenen ausgebildet werden sollen. Die Position der Referenzjustiermarke unter solchen undurchsichtigen Halbleiterschichten wird im Stand der Technik bisher indirekt so erfasst, dass die sich aufgrund der vergrabenen Referenzjustiermarke ergebene Welligkeit der Oberfläche der Halbleiterschicht lichtoptisch abgetastet und daraus die Lage der Referenzjustiermarke bestimmt wird. Eine solche Vorgehensweise macht jedoch eine aufwändige Justiermarkenpräparation erforderlich, um eine ausreichende Welligkeit der Oberfläche über der Referenzjustiermarke zu gewährleisten und so ein Erkennen der Justiermarke zu ermöglichen.to Position determination of the alignment marks are preferably optical Mold detection method used in which by contrast between the alignment mark and its surroundings the respective position the alignment mark can be determined. Problematic designed in particular the detection of the Referenzjustiermarke when this is covered with a semiconductor layer which is resistant to light Radiation is opaque, such. B. polysilicon topcoats or metal layers in which conductor tracks are to be formed. The position of the reference alignment mark under such opaque Semiconductor layers in the prior art so far so indirectly detects that the result of the buried Referenzjustiermarke Waviness of the surface the semiconductor layer scanned optically and the position of the Referenzjustiermarke is determined. Such an approach makes but an elaborate one Justiermarkenpräparation required to ensure sufficient ripple of the surface over the To ensure reference alignment mark and to enable detection of the alignment mark.

Um bei der Bestimmung der Überlagerungsgenauigkeit einer in einer Maskenschicht auf einer Halbleiterschicht ausgebildeten Struktur mit einer auf einem Halbleitersubstrat unter der Halbleiterschicht erzeugten Struktur anhand von Justiermarken, insbesondere die Referenzjustiermarke einfach und zuverlässig erfassen zu können, wird erfindungsgemäß so vorgegangen, dass die Referenzjustiermarke durch Abtasten des Halbleitersubstrats von der Rückseite her mit einer elektromagnetischen Strahlung erfolgt, deren Wellenlänge so gewählt ist, dass das Halbleitersubstrat für die elektromagnetische Strahlung transparent ist, wobei durch Auswerten des in Reflexion aufgenommenen Strahlungsbildes die Position der Referenzjustiermarke auf dem Halbleitersubstrat ermittelt wird. Gleichzeitig wird auch die Maskenschicht von ihrer Oberseite her abgetastet, um aus dem Strahlungsbild die Justiermarke in der Maskenschicht zu ermitteln. Anhand der Justiermarkenposition in der Maskenschicht und der Referenzjustiermarkenposition in der unter der zu strukturierenden Halbleiterschicht bereits vorhandenen Strukturebene wird dann die Überlagerungsgenauigkeit der in der Maskenschicht auf der Halbleiterschicht ausgebildeten Struktur mit der auf dem Halbleitersubstrat unter der Halbleiterschicht vorhandenen Struktur bestimmt. Durch die direkte Erfassung der Referenzjustiermarke von der freien Halbleitersubstratrückseite her, kommt es bei der Positionserfassung auf die Eigenschaften der Halbleiterschicht, die die Referenzjustiermarke abdeckt, nicht mehr an. Die erfindungsgemäße Vorgehensweise ermöglicht somit auf einfache Weise zuverlässig die Position einer Referenzjustiermarke und damit zur Lagefehlerkontrolle zu ermitteln und einen entsprechenden Lagefehler festzustellen.Around in determining the overlay accuracy one formed in a mask layer on a semiconductor layer Structure with a generated on a semiconductor substrate under the semiconductor layer Structure based on alignment marks, in particular the Referenzjustiermarke easy and reliable to be able to capture according to the invention, in that the reference alignment mark is detected by scanning the semiconductor substrate from the back with electromagnetic radiation whose wavelength is chosen that the semiconductor substrate for the electromagnetic radiation is transparent, wherein by evaluating of the radiation image recorded in reflection, the position of the Referenzjustiermarke on the semiconductor substrate is determined. At the same time, the mask layer also becomes from its upper side sampled to from the radiation image, the alignment mark in the mask layer to investigate. Based on the alignment mark position in the mask layer and the reference alignment mark position in the semiconductor layer to be patterned already existing structural level is then the overlay accuracy of the formed in the mask layer on the semiconductor layer structure with the existing on the semiconductor substrate under the semiconductor layer Structure determined. By the direct detection of the reference alignment mark from the free semiconductor substrate back, it comes in the Position detection on the properties of the semiconductor layer, which no longer covers the reference alignment mark. The procedure according to the invention allows thus reliable in a simple manner the position of a Referenzjustiermarke and thus for positional error control to determine and determine a corresponding positional error.

In der Figur ist schematisch eine mögliche Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Systems zur Lagefehlerkontrolle gezeigt. Die Figur stellt stark vergrößert einen Ausschnitt einer Siliziumscheibe 10 in einem Prozessstadium zur Herstellung einer Metallebene im Rahmen der Ausbildung von integrierten Schaltungen dar. Auf der Siliziumscheibe 10 sind bereits in übereinander liegenden Ebenen Strukturen der integrierten Schaltungen ausgebildet. Zur Kennzeichnung der Lage der auf dem Siliziumsubstrat 10 ausgebildeten Strukturebenen ist eine Referenzjustiermarke 11 in Form einer Senke vorgesehen. Auf der Referenzjustiermarke 11 sind weitere Halbleiterschichten 12, 13 aufgebracht, wobei die obere Halbleiterschicht die zu strukturierende Metallschicht 13 darstellt. Zur Strukturierung der Metallschicht 13 ist eine Maskenschicht 14 auf der Oberfläche der Metallschicht 13 vorgesehen. In der Maskenschicht 14 ist mithilfe der Lithographietechnik die gewünschte Struktur der Metallebene erzeugt worden. Im Rahmen der Maskenstrukturierung ist eine weitere Justiermarke 15 ausgebildet worden, die die Position der in der Maskenschicht ausgebildeten Struktur wiedergibt. Zur Kontrolle der erzeugten Maskenstruktur wird die Position der Referenzjustiermarke 11, die die Lage der bereits erzeugten Strukturen auf der Siliziumscheibe 10 wiedergibt, mit der Po sition der Justiermarke 15 in der Maskenschicht 14 verglichen, um einen evtl. Mittellagefehler zu ermitteln und dann gegebenenfalls den Maskenstrukturierungsprozess nochmals wiederholen zu können.The figure schematically shows a possible embodiment of an opti according to the invention system for positional error control. The figure greatly enlarges a section of a silicon wafer 10 in a process stage for the production of a metal level in the context of the formation of integrated circuits. On the silicon wafer 10 For example, structures of the integrated circuits are already formed in superimposed planes. To identify the location of the on the silicon substrate 10 Trained Structural Layers is a reference alignment mark 11 provided in the form of a sink. On the reference alignment mark 11 are further semiconductor layers 12 . 13 applied, wherein the upper semiconductor layer to be structured metal layer 13 represents. For structuring the metal layer 13 is a mask layer 14 on the surface of the metal layer 13 intended. In the mask layer 14 the desired structure of the metal plane has been generated by means of the lithographic technique. As part of the mask structuring is another alignment mark 15 has been formed, which represents the position of the structure formed in the mask layer. To control the generated mask pattern, the position of the reference alignment mark becomes 11 showing the location of the already generated structures on the silicon wafer 10 with the position of the alignment mark 15 in the mask layer 14 in order to determine a possibly center-position error and then, if necessary, to be able to repeat the mask-structuring process again.

Zur Bestimmung der Justiermarkenpositionen werden dabei die Justiermarken 15 in der Oberfläche der Maskenschicht 14 und gleichzeitig die Referenzjustiermarke 11 von der Rückseite der Siliziumscheibe 10 her mit jeweils einer optischen Abtasteinrichtung erfasst. Zur Positionsbestimmung der Justiermarke 15 in der Maskenschicht 14 dient eine erste Abtasteinrichtung 16, die ausgelegt ist, die Maskenschicht 10 mit einer elektromagnetischen Strahlung, vorzugsweise Licht, im Bereich der aus dem Layout bekannten Justiermarkenanordnung in der Maskenschicht abzutasten und im Reflexionsstrahlungsbild aufzunehmen. Als Abtasteinrichtung 16 kann hierbei eine CCD-Kamera eingesetzt werden, die das von der Maskenschicht 14 reflektierte Licht erfasst. Grundsätzlich besteht jedoch die Möglichkeit jedes beliebige, bekannte, optische Bilderfassungssystem, das mit hoher Genauigkeit arbeitet, einzusetzen.To determine the Justiermarkenpositionen while the Justiermarken 15 in the surface of the mask layer 14 and at the same time the reference alignment mark 11 from the back of the silicon wafer 10 detected in each case with an optical scanning device. For determining the position of the alignment mark 15 in the mask layer 14 serves a first scanner 16 that is designed, the mask layer 10 with an electromagnetic radiation, preferably light, to scan in the mask layer in the region of the alignment mark arrangement known from the layout and to record it in the reflection radiation pattern. As a scanner 16 In this case, a CCD camera can be used, that of the mask layer 14 captured reflected light. In principle, however, it is possible to use any known optical image acquisition system which operates with high accuracy.

Zur Erfassung der Referenzjustiermarkenposition von der Rückseite der Siliziumscheibe 10 her wird eine zweite Abtasteinrichtung 17 eingesetzt, die die Siliziumscheibe 10 mit einer elektromagnetischen Strahlung abtastet, für die Silizium durchlässig ist. Die Figur zeigt eine mögliche Ausführungsform einer solchen Abtasteinrichtung 17. Die elektromagnetische Strahlung wird dabei von einer Breitbandlichtquelle 171 eingestrahlt, wobei im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung ein optisches Filter 172 vorgesehen ist, um nur elektromagnetische Strahlung mit einer vorgegebenen Wellenlänge bzw. einem vorgegebenen Wellenlängenbereich durchzulassen. Dieser Wellenlängenbereich ist so abgestimmt, dass das Siliziumsubstrat 10 für die Wellenlänge durchlässig ist. Da Silizium für Wellenlängen unter 1100 nm transparent ist, ist das Filter 172 vorzugsweise so ausgelegt, dass Wellenlängen im Infrarot- oder Naheninfrarotbereich durchgelassen werden. Al ternativ besteht die Möglichkeit statt einer Kombination einer Breitbandlichtquelle mit einem optischen Filter eine Lichtquelle einzusetzen, die die gewünschte Wellenlänge im Infrarot- bzw. Naheninfrarotbereich direkt erzeugt, z. B. einen Infrarotlaser.For detecting the reference alignment mark position from the back side of the silicon wafer 10 Her is a second scanner 17 used the silicon wafer 10 scanned with electromagnetic radiation for which silicon is permeable. The figure shows a possible embodiment of such a scanning device 17 , The electromagnetic radiation is thereby from a broadband light source 171 irradiated, wherein in the beam path of the electromagnetic radiation, an optical filter 172 is provided to pass only electromagnetic radiation having a predetermined wavelength or a predetermined wavelength range. This wavelength range is tuned so that the silicon substrate 10 permeable to the wavelength. Since silicon is transparent to wavelengths below 1100 nm, the filter is 172 preferably designed so that wavelengths in the infrared or near-infrared range are transmitted. Al ternatively there is the possibility instead of a combination of a broadband light source with an optical filter to use a light source that directly generates the desired wavelength in the infrared or near infrared range, z. B. an infrared laser.

Die vom Filter 172 transmittierte elektromagnetische Strahlung wird von einem Strahlenteiler 173 auf die Rückseite des Siliziumsubstrats 10 umgelenkt und dabei mit einer Fokussieroptik 174 auf die Referenzjustiermarke 11 fokussiert. Die im Bereich der Referenzjustiermarke 11 beim Übergang zwischen dem Siliziumsubstrat 10 und der Halbleiterschicht 12 reflektierte Strahlung wird dann über die Fokussieroptik 174 und den Strahlenteiler 173 auf eine Detektoreinheit geleitet, die in der gezeigten Ausführungsform ein Beugungsgitter 175 und einen Infrarotdetektor 176 aufweist. Der Infrarotdetektor 176 ist dabei vorzugsweise eine InGaAs-CCD-Kamera, die ein Strahlungsbild der rückgestrahlten Infrarotstrahlung erfasst.The filter 172 transmitted electromagnetic radiation is from a beam splitter 173 on the back of the silicon substrate 10 deflected and thereby with a focusing optics 174 on the reference alignment mark 11 focused. The in the area of the reference alignment mark 11 at the transition between the silicon substrate 10 and the semiconductor layer 12 reflected radiation is then transmitted through the focusing optics 174 and the beam splitter 173 directed to a detector unit, which in the embodiment shown a diffraction grating 175 and an infrared detector 176 having. The infrared detector 176 is preferably an InGaAs CCD camera that detects a radiation image of the reflected infrared radiation.

Das von der ersten Abtasteinrichtung 16 aufgenommene Strahlungsbild der Justiermarke 15 in der Maskenschicht 14 und das von der zweiten Abtasteinrichtung 17 von der Siliziumrückseite her aufgenommene Strahlungsbild der Referenzjustiermarke 11 werden von einer Auswerteeinheit 18 ausgewertet, um jeweils die Position der Referenzjustiermarke 11 auf dem Siliziumsubstrat 10 und der Justiermarke 15 in der Maskenschicht 14 zu ermitteln. Zum Ermitteln der Justiermarkenposition, insbesondere der Position der Referenzjustiermarke 11, können dabei die bekannten optischen Formenerkennungsverfahren, wie Kantenkontrast-, Phasenkontrast-, Beugungskontrast- und Fresnelzonenmethode eingesetzt werden. Die Phasenkontrastmethode basiert dabei auf dem Prinzip, dass sich aufgrund der unterschiedlichen optischen Dicke der Siliziumscheibe 10 im Bereich der Justiermarke 11 und im Bereich außerhalb der Referenzjustiermarke 11 unterschiedliche Intensitäten der reflektierten Strahlung ergeben.That of the first scanner 16 recorded radiation image of the alignment mark 15 in the mask layer 14 and that of the second scanner 17 radiation image of the reference alignment mark taken from the silicon rear side 11 be from an evaluation unit 18 evaluated to each position of the reference alignment mark 11 on the silicon substrate 10 and the alignment mark 15 in the mask layer 14 to investigate. For determining the alignment mark position, in particular the position of the reference alignment mark 11 , the known optical shape recognition methods, such as edge contrast, phase contrast, diffraction contrast and Fresnel zone method can be used. The phase contrast method is based on the principle that due to the different optical thickness of the silicon wafer 10 in the area of the alignment mark 11 and in the area outside the reference alignment mark 11 give different intensities of the reflected radiation.

Bei der Kantenkontrastmethode wird zwischen einer Hellfeldmethode und einer Dunkelfeldmethode unterschieden. Bei der Hellfeldmethode wird senkrecht auf die Referenzjustiermarke 11 eingestrahlt, wobei die von der Kanten der Referenzjustiermarke reflektierten Strahlung nicht in das Objektiv des Infrarotdetektors gelangen. Die Kanten erscheinen dann als dunkle Linien in einem hellen Umfeld. Bei der Dunkelfeldmethode wird die Infrarotstrahlung unter einem schrägen Winkel eingestrahlt oder die senkrecht reflektierten Strahlen werden ausgeblendet, so dass helle Linien in einem dunklen Umfeld entstehen.The edge contrast method distinguishes between a bright field method and a dark field method. The bright field method is perpendicular to the Referenzjustiermarke 11 irradiated, wherein the reflected radiation from the edges of the Referenzjustiermarke not reach the lens of the infrared detector. The edges then appear as dark lines in a bright environment. In the dark field method, the infrared radiation at an oblique angle, or the reflected rays are faded out to create bright lines in a dark environment.

Bei der Beugungskontrastmethode ist die Referenzjustiermarke gitterförmig strukturiert, so dass ein Teil der eingestrahlten Infrarotstrahlung unter einem bestimmten Winkel gebeugt wird. Es wird dann sowohl die Intensität der gebeugten Infrarotstrahlung als auch die Intensität der senkrecht reflektierten Strahlung zur Justiermarkenerkennung herangezogen.at the diffraction contrast method, the Referenzjustiermarke is structured grid-shaped, so that part of the irradiated infrared radiation under a certain angle is bent. It will then both the intensity of the bowed Infrared radiation as well as the intensity of the vertically reflected Radiation used for alignment mark detection.

Für die Fresnelzonenmethode ist eine gitterförmige Referenzjustiermarkenanordnung erforderlich, wobei der Fokuspunkt bei der Aufnahme der reflektierten Infrarotstrahlung so gewählt wird, dass der Gangunterschied der reflektierten Strahlung zwischen benachbarten Zonen im Bereich der Wellenlänge liegt. Hieraus ergeben sich dann ringförmige Fresnelzonen-Anordnung.For the Fresnel zone method is a grid-shaped Referenzjustiermarkenanordnung required, the focus point is chosen in the recording of the reflected infrared radiation so that the path difference of the reflected radiation between adjacent Zones in the range of wavelength lies. This then results in annular Fresnel zone arrangement.

Mit der erfindungsgemäßen Vorgehensweise zur Erfassung der Referenzjustiermarke einer bereits vorhandenen Struktur auf der Siliziumscheibe von der Siliziumscheibenrückfläche her ist es möglich, alle Kontrollvorgänge der im Rahmen der Herstellung der integrierten Schaltung erzeugten Maskenstrukturen anhand einer einzelnen Referenzjustiermarkenanordnung auszuführen.With the procedure according to the invention Detection of the reference alignment mark of an already existing structure on the silicon wafer from the silicon wafer rear surface is it possible, all control procedures produced in the context of the production of the integrated circuit Mask structures based on a single Referenzjustiermarkeanordnung perform.

Hierzu wird vorzugsweise beim Ausbilden dieser Referenzjustiermarke 11 auf dem Siliziumsubstrat 10 ein Messkalibrierungsvorgang durchgeführt. Zur Messkalibrierung wird die Re ferenzjustiermarke auf dem Siliziumsubstrat 10 von der dann freien Oberseite her mit der ersten Abtasteinrichtung 16 abgetastet und gleichzeitig von der Rückseite her mit der zweiten Abtasteinrichtung 17. Durch Auswerten der jeweils in Reflexion aufgenommenen Strahlungsbilder kann dann jeweils die Position der Referenzjustiermarke ermittelt werden, um einen Korrekturwert bzw. eine Korrekturkurve festzulegen, mit der die Positionen der nachfolgend in den Maskenschichten ermittelten Justiermarkenpositionen berichtigt werden kann.This is preferably done when forming this reference alignment mark 11 on the silicon substrate 10 performed a Messkalibrierungsvorgang. For measuring calibration, the reference adjustment mark is set on the silicon substrate 10 from the then free top with the first scanner 16 scanned and simultaneously from the back with the second scanner 17 , By evaluating the respective radiation images recorded in reflection, the position of the reference alignment mark can then be determined in each case in order to determine a correction value or a correction curve with which the positions of the alignment mark positions subsequently determined in the mask layers can be corrected.

Claims (2)

Verfahren zum Bestimmen der Überlagerungsgenauigkeit einer in einer Maskenschicht (14) auf einer Halbleiterschicht (13) ausgebildeten Struktur mit einer auf einem Halbleitersubstrat (10) unter der Halbleiterschicht erzeugten Struktur, wobei zur Messkalibrierung folgende Verfahrenschritte ausgeführt werden: – Abtasten einer Referenzjustiermarke (11) auf dem Halbleitersubstrat (10) von der Rückseite mit der ersten elektromagnetischen Strahlung und von der Oberseite mit einer zweiten elektromagnetischen Strahlung; – Aufnehmen der auf die Rückseite und die Oberseite des Halbleitersubstrats abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung jeweils in Reflexion; – Auswerten der in Reflexion aufgenommenen Strahlungsbilder, um jeweils die Position der Referenzjustiermarke auf dem Halbleitersubstrat zu ermitteln; und – Bestimmen eines Positionskorrekturwertes anhand der ermittelten Referenzjustiermarkenpositionen; und wobei zum Bestimmen der Überlagerungsgenauigkeit der in einer Maskenschicht (14) auf der Halbleiterschicht (13) ausgebildeten Struktur folgende Verfahrenschritte ausgeführt werden: – Abtasten des Halbleitersubstrats (10) an der der Maskenschicht gegenüber liegenden Rückseite mit einer ersten elektromagnetischen Strahlung, deren Wellenlänge so gewählt ist, dass das Halbleitersubstrat für die erste elektromagnetische Strahlung transparent ist, und der Maskenschicht (14) mit einer zweiten elektromagnetischen Strahlung; – Aufnehmen der auf das Halbleitersubstrat (10) und die Maskenschicht (14) abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung jeweils in Reflexion; – Auswerten der in Reflexion aufgenommenen Strahlungsbilder, um jeweils die Position der Referenzjustiermarke (11) auf dem Halbleitersubstrat (10) und die Position einer Justiermarke (15) in der Maskenschicht (14) zu ermitteln; und Bestimmen der Überlagerungsgenauigkeit der in einer Masken schicht (14) auf der Halbleiterschicht (13) ausgebildeten Struktur mit der auf dem Halbleitersubstrat (10) unter der Halbleiterschicht erzeugten Struktur anhand der ermittelten Justiermarkenpositionen unter Berücksichtigung des Positionskorrekturwertes aus der Messkalibrierung.Method for determining the overlay accuracy of a in a mask layer ( 14 ) on a semiconductor layer ( 13 ) formed structure with a on a semiconductor substrate ( 10 ) under the semiconductor layer, wherein the following method steps are carried out for measuring calibration: - scanning a reference alignment mark ( 11 ) on the semiconductor substrate ( 10 ) from the backside with the first electromagnetic radiation and from the topside with a second electromagnetic radiation; Picking up the electromagnetic radiation radiated onto the rear side and the upper side of the semiconductor substrate, each in reflection; - evaluating the radiation images taken in reflection to respectively determine the position of the reference alignment mark on the semiconductor substrate; and determining a position correction value based on the determined reference alignment mark positions; and wherein for determining the overlay accuracy of the in a mask layer ( 14 ) on the semiconductor layer ( 13 ) structure are performed the following method steps: - scanning the semiconductor substrate ( 10 ) on the rear side of the mask layer with a first electromagnetic radiation whose wavelength is selected such that the semiconductor substrate is transparent to the first electromagnetic radiation, and the mask layer ( 14 ) with a second electromagnetic radiation; Picking up on the semiconductor substrate ( 10 ) and the mask layer ( 14 ) radiated electromagnetic radiation in each case in reflection; Evaluating the radiation images recorded in reflection in order in each case to determine the position of the reference alignment mark ( 11 ) on the semiconductor substrate ( 10 ) and the position of an alignment mark ( 15 ) in the mask layer ( 14 ) to investigate; and determining the overlay accuracy of the layers in a mask ( 14 ) on the semiconductor layer ( 13 ) formed structure with the on the semiconductor substrate ( 10 ) structure produced under the semiconductor layer on the basis of the determined alignment mark positions taking into account the position correction value from the measurement calibration. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Halbleitersubstrat (10) eine Siliziumscheibe ist und die abgestrahlte erste elektromagnetische Strahlung im Infrarotbereich oder im nahen Infrarotbereich liegt.Method according to claim 1, wherein the semiconductor substrate ( 10 ) is a silicon wafer and the radiated first electromagnetic radiation is in the infrared or near infrared range.