DE102004002446B4 - Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 12
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78684—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising semiconductor materials of Group IV not being silicon, or alloys including an element of the group IV, e.g. Ge, SiN alloys, SiC alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung mit einem ersten Array von einzelnen Anzeigeelementen und einem zweiten Array von Ansteuertransistoren für die Anzeigeelemente. Die Erfindung betrifft ferner ein Herstellungsverfahren für eine derartige Anzeigevorrichtung.
- Für die Ansteuerung von Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD, liquid crystal display) sind zwei Verfahren bekannt; die Passiv-Matrix-Steuerung und die Aktiv-Matrix-Steuereung.
- Wie beispielsweise in der Druckschrift
DE 199 50 839 A1 beschrieben, wird vor allem bei kleineren Arrays oder geringen Anforderungen an die Anzeigequalität eine passive Matrix verwendet, bei der die Anzeigeelemente in einem Zeilen-Spalten-Multiplexmodus angesprochen werden. - Die Druckschrift
EP 1 134 811 A1 betrifft einen durchsichtigen Dünnfilmtransistor mit einer Halbleiterschicht aus ZnO. - Die Druckschrift
JP 6-67187 A - Die Druckschrift
WO 97/06 554 A2 - Die Druckschrift Hoffmann, R. L. et al: „Zno-based transparent thin-film transistors”, Appl. Phys. Lett., Vol. 82, No. 5; 3 February 2003; pp. 733–735 offenbart auf ZnO-basierende transparente Dünnfilmtransistoren.
- Die Druckschrift
EP 1 450 587 A1 betrifft Dünnfilmtransistoren und deren Herstellung. - Bei höherwertigen Anwendungen kommt die sogenannte Aktiv-Matrix-Steuerung zum Einsatz, bei der eine Dünnfilmtransistor-Elektronik (TFT, thin film transistor) unter Verwendung von amorphem oder polykristallinem Silizium auf einem Glasträger zum Einsatz kommt.
- Bei Anzeigevorrichtungen mit organischen Licht-Emittern (OLEDs, organic light emitting diode) können ebenfalls Dünnfilm-Transistoren zur direkten Ansteuerung der einzelnen, die Pixel bildenden Anzeigeelemente eingesetzt werden.
- Durch die Verwendung von Siliziumtransistoren treten in beiden Fällen bei der Erzeugung von sichtbarem Licht durch Photoabsorption Fehlströme auf, da die Photonenenergie des erzeugten Lichts größer als die Bandlücke von Silizium ist. Gegenwärtig werden die Transistoren daher nur unter den Strukturen eingesetzt oder verursachen teils erhebliche Absorptionsverluste.
- Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anzeigevorrichtung mit einer verbesserten Ansteuerelektronik bereitzustellen. Insbesondere sollen bei dieser Absorptionsverluste in der Ansteuerelektronik verringert oder möglichst vollständig vermieden sein.
- Diese Aufgabe wird durch eine Anzeigevorrichtung mit den Merkmalen des Anspruches 1 und durch ein Herstellungsverfahren mit den Merkmalen des Anspruches 13 oder des Anspruches 14 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungender Anzeigevorrichtung bzw. des Herstellungsverfahrens gehen aus den Unteransprüchen 2 bis 12 und 15 sowie 16 hervor.
- Bei einer Anzeigevorrichtung gemäß der Erfindung ist vorgesehen, daß die Ansteuertransistoren aus einem Halbleitermaterial großer Bandlücke gebildet sind und im sichtbaren Spektralbereich transparent sind.
- Die Erfindung beruht also auf dem Gedanken, transparente Halbleiterstrukturen für die Ansteuertransistor-Arrays einzusetzen, bei denen aufgrund der großen Bandlücke deutlich verringerte oder im Wesentlichen gar keine Photoabsorption im Transistorsystem stattfindet. Das Problem der Fehlströme wird damit vermieden.
- In der Anzeigevorrichtung sind die Anzeigeelemente durch organische lichtemittierende Elemente gebildet.
- Insbesondere sind die organischen lichtemittierenden Elemente mit Vorteil aus einer Schichtenfolge mit einer Kathode, einer Elektronentransportschicht, einer organischen lichtemittierenden Schicht, einer Löchertransportschicht und einer Anode gebildet.
- Die Handlücke des Halbleitermaterials der Ansteuertransistoren ist vorteilhaft großer als 3 eV.
- Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Anzeigevorrichtung ist vorgesehen, daß das Halbleitermaterial der Ansteuertransistoren BN oder Diamant umfaßt. Dabei liegen auch Heterostrukturen aus den genannten Halbleitermaterialien im Rahmen der Erfindung.
- Die Ansteuertransistoren sind bevorzugt in einer oder mehreren dünnen Schichten des Halbleitermaterials ausgebildet. Die dünne(n) Schicht(en) des Halbleitermaterials weisen dabei mit Vorteil eine Schichtdicke von etwa 0,5 μm bis etwa 20 μm auf und können nach an sich bekannten Verfahren, etwa dem ”SMART-cut”-Verfahren (vgl.
US-A-5,374,564 ) hergestellt sein. - Nach einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung enthält ein Array von Anzeigeelementen mehrere Teilarrays, deren jeweilige Anzeigeelemente für die Darstellung unterschiedlicher Farben ausgelegt und eingerichtet sind. Dadurch läßt sich ein mehrfarbiges Display realisieren. Insbesondere kann das Array von Anzeigeelementen zweckmäßig drei Teilarrays enthalten, deren Anzeigeelemente jeweils für die Darstellung von Rot, Grün und Blau ausgelegt und eingerichtet sind. Durch Kombinationen dieser drei Grundfarben sind die Farben des Farbraums in bekannter Weise weitgehend darstellbar.
- Die große Bandlücke der verwendeten Ansteuertransistoren stellt sicher, dass die Strahlung der Anzeigeelemente durch die Ansteuerelektronik nur in vernachlässigbarem Umfang oder im Wesentlichen überhaupt nicht absorbiert wird, Photoabsorption und Fehlströme somit im Wesentlichen nicht auftreten.
- Nach einer ersten bevorzugten Ausgestaltung der Anzeigevorrichtung sind dabei die mehreren Teilarrays in derselben Ebene auf einem Trägersubstrat angeordnet.
- Alternativ sind nach einer zweiten bevorzugten Ausgestaltung die mehreren Teilarrays in mehreren Ebenen übereinander geschichtet angeordnet. Dabei können die mehreren Teilarrays jeweils auf einem eigenen Trägersubstrat, vorzugsweise eine Glasplatte, angeordnet sein, oder die Anzeigeelemente der Teilarrays sind direkt vertikal übereinander auf dem transparenten Träger angeordnet.
- Bei einem Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anzeigevorrichtung wird eine dünne Schicht eines Halbleitermaterial großer Bandlücke hergestellt und die dünne Schicht auf einen transparenten Träger wie einen Glasträger gebracht. Dann werden in der dünnen Schicht auf dem transparenten Träger die Strukturen für die Ansteuertransistoren prozessiert, und ein amorphes lichtemittierendes Material, insbesondere ein organisches Material für OLEDs, wird auf den Transistoren aufgebracht, um die Anzeigeelemente zu bilden.
- Bei einem anderen Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anzeigevorrichtung wird zunächst eine dünne Schicht eines Halbleitermaterials großer Bandlücke hergestellt und in der dünnen Schicht werden die Strukturen für die Ansteuertransistoren prozessiert. Die prozessierte dünne Schicht wird dann auf einen transparenten Träger wie einen Glasträger gebracht, und ein amorphes lichtemittierendes Material, insbesondere ein organisches Material für OLEDs, wird auf den Transistoren aufgebracht, um die Anzeigeelemente zu bilden.
- Bei beiden Herstellungsvarianten können zur Herstellung einer Farbanzeigevorrichtung die Anzeigeelemente für verschiedene Farben, insbesondere für Rot, Grün und Blau mit zugehörigen Ansteuertransistoren jeweils auf einem transparenten Träger, wie einem Glasträger, erzeugt werden, und die transparenten Träger mit den Anzeigeelementen dann übereinander justiert werden.
- Alternativ können zur Herstellung einer Farbanzeigevorrichtung bei beiden Varianten die Anzeigeelemente für verschiedene Farben, insbesondere für Rot, Grün und Blau mit zugehörigen Ansteuertransistoren mittels einer Planarisierungstechnik direkt vertikal übereinander auf einem gemeinsamen transparenten Träger, wie einem Glasträger erzeugt werden.
- Bei der erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung besteht bevorzugt eine eineindeutige Zuordnung zwischen den einzelnen Anzeigeelementen und den Ansteuertransistoren. In einer anderen Ausgestaltung steuert ein Ansteuertransistor jeweils mehrere der einzelnen Anzeigeelemente an.
- Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen, Merkmale und Details der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung der Ausführungsbeispiele und den Zeichnungen.
- Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Es sind jeweils nur die für das Verständnis der Erfindung wesentlichen Elemente dargestellt. Dabei zeigt
-
1 einen Ausschnitt eines monochromen Displays nach eifern Ausführungsbeispiel der Erfindung in schematischer Darstellung; -
2 einen Ausschnitt eines Farbdisplays nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung in schematischer Darstellung; und -
3 einen Ausschnitt eines Farbdisplays nach einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung in schematischer Darstellung. - In den Ausführungsbeispielen sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
- Das monochrome Display
10 gemäß1 enthält ein zweidimensionales Array von OLED-Pixeln12 , von denen jedes durch einen TFT-Transistor14 angesteuert wird. Die OLED-Pixel12 und die TFT-Transistoren14 sind auf einem Glasträger16 angeordnet. Von der Vielzahl der OLED-Pixel12 und der TFT-Transistoren14 sind in der1 , wie auch in den folgenden Figuren, der Übersichtlichkeit halber nur drei Pixel dargestellt. - Die TFT-Transistoren
14 sind im Ausführungsbeispiel auf Basis von Ga(In, Al)N gebildet und für Strahlung im sichtbaren Spektralbereich transparent, so daß Absorptionsverluste durch Photoabsorption der von den OLED-Pixeln12 emittierten Strahlung minimiert sind. - Die Anordnung der
1 kann auch für die Farbdarstellung eingesetzt werden. In diesem Fall sind verschiedene OLED-Pixel12 für die Emission verschiedener Wellenlängen eingerichtet. Beispielsweise können die drei in der1 gezeigten OLED-Pixel12 für die Emission von Rot, Grün und Blau eingerichtet sein. über die Ausdehnung der Anzeigevorrichtung sind eine Vielzahl von Gruppen aus eweils drei verschiedenfarbigen OLED-Pixeln12 nebeneinander angeordnet. - Das Farbdisplay
20 gemäß2 umfaßt drei übereinander gestapelte Farbgruppen20R ,20G und20B , die rotes, grünes und blaues Licht emittieren. Entsprechend sind die OLEDs22R der ersten Farbgruppe20R auf die Emission roten Lichts, die OLEDs22G der zweiten Farbgruppe20G auf die Emission grünen Lichts, und die OLEDs22B der dritten Farbgruppe20B auf die Emission blauen Lichts ausgelegt. Die OLEDs22R ,22G und22B sind jeweils auf TFT-Transistoren24R ,24G und24B aufgebracht, die ihrerseits auf Glasplättchen26R ,26G und26B montiert sind. - Die TFT-Transistoren
24R ,24G und24B sind im Ausführungsbeispiel auf Basis von SiC gebildet und weisen somit eine Bandlücke oberhalb des sichtbaren Spektralbereichs auf. Die Strahlung der OLEDs22R ,22G und22B wird somit durch die Transistoren der Ansteuerelektronik wenn überhaupt dann nur in vernachlässigbarem Umfang absorbiert. - Zur Herstellung des Farbdisplays
20 gemäß2 werden dünne SiC-Schichten hergestellt und auf Glasträger26R ,26G und26B aufgebracht. Dann werden in den dünnen SiC-Schichten die Strukturen für die Ansteuertransistoren24R ,24G und24B prozessiert. Anschließend wird für die jeweilige Emissionswellenlänge (Rot, Grün, Blau) geeignetes amorphes lichtemittierendes organisches Material auf die Transistoren24R ,24G und24B aufgebracht, um die Anzeigeelemente22R ,22G und22B zu bilden. - Eine andere Variante eines Farbdisplays ist in der
3 dargestellt. Bei dem Farbdisplay30 gemäß3 sind die Paare aus OLED-Pixels32R ,32G ,32B und zugehörigen Ansteuertransistoren34R ,34G ,34B für die verschiedenen Farben (Rot, Grün, Blau) ebenfalls in verschiedenen Ebenen übereinander gestapelt. Im Gegensatz zur Ausführungsform der2 sind alle OLED-Pixel und Ansteuertransistoren auf einem gemeinsamen Glassubstrat36 aufgebracht. Dies kann beispielsweise mit Hilfe von an sich bekannten Planarisierungstechnologien wie etwa der SiO2 Planarisierung erreicht werden. Die TFT-Transistoren34R ,34G ,34B sind in diesem Ausführungsbeispiel auf Basis des XI-VI-Halbleitermaterials ZnS gebildet, dessen große Bandlücke auch in diesem Ausführungsbeispiel sicherstellt, daß die sichtbare Strahlung der OLED-Pixel32R ,32G ,32B wenn überhaupt dann nur in vernachlässigbarem Umfang absorbiert wird. - Die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele ist selbstverständlich nicht als Beschränkung der Erfindung auf diese zu verstehen. Es versteht sich, daß die in der Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung sowohl einzeln als auch in jeder möglichen Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein können.
Claims (16)
- Anzeigevorrichtung mit – einem ersten Array von einzelnen Anzeigeelementen (
12 ), und – einem zweiten Array von Ansteuertransistoren (14 ) für die Anzeigeelemente (12 ), wobei – die Ansteuertransistoren (14 ) aus einem Halbleitermaterial mit einer derart großen Bandlücke gebildet sind, dass sie im sichtbaren Spektralbereich transparent sind, und – das Halbleitermaterial der Ansteuertransistoren BN oder Diamant umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzeigeelemente (12 ) durch organische lichtemittierende Elemente (OLEDs) gebildet sind. - Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die organischen lichtemittierende Elemente (
12 ) aus einer Schichtenfolge mit einer Kathode, einer Elektronentransportschicht, einer organischen lichtemittierenden Schicht, einer Löchertransportschicht und einer Anode gebildet sind. - Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Bandlücke des Halbleitermaterials der Ansteuertransistoren (14) größer als 3 eV ist.
- Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansteuertransistoren (
14 ) in einer oder mehreren dünnen Schichten des Halbleitermaterials ausgebildet sind. - Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne(n) Schicht(en) des Halbleitermaterials eine Schichtdicke von etwa 0,5 μm bis etwa 20 μm aufweisen.
- Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Array von Anzeigeelementen drei Teilarrays (
20R ,20G ,20B ;30R ,30G ,30B ) enthält, deren jeweilige Anzeigeelemente (22R ,22G ,22B ;32R ,32G ,32B ) für die Darstellung unterschiedlicher Farben ausgelegt und eingerichtet sind. - Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Array von Anzeigeelementen drei Teilarrays (
20R ,20G ,20B ;30R ,30G ,30B ) enthält, deren Anzeigeelemente (22R ,22G ,22B ;32R ,32G ,32B ) jeweils für die Darstellung von Rot (22R ;32R ) Grün (22G ;32G ) und Blau (22B ;32B ) ausgelegt und eingerichtet sind. - Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die mehreren Teilarrays in selben Ebene auf einem Trägersubstrat angeordnet sind.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die mehreren Teilarrays (
20R ,20G ,20B ;30R ,30G ,30B ) in mehreren Ebenen übereinander geschichtet angeordnet sind. - Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die mehreren Teilarrays (
20R ,20G ,20B ) jeweils auf einem eigenen Trägersubstrat (26R ,26G ,26B ) vorzugsweise einer Glasplatte angeordnet sind. - Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine eineindeutige Zuordnung zwischen den einzelnen Anzeigeelementen (
12 ) und den Ansteuertransistoren (14 ) besteht. - Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ansteuertransistor (
14 ) jeweils mehrere der einzelnen Anzeigeelemente (12 ) ansteuert. - Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem – eine dünne Schicht eines Halbleitermaterials mit einer derart großen Bandlücke hergestellt wird, dass sie im sichtbaren Spektralbereich transparent ist, – die dünne Schicht auf einen transparenten Träger, wie auf einen Glasträger gebracht wird, – in der dünnen Schicht auf dem transparenten Träger die Strukturen für die Ansteuertransistoren prozessiert werden, und – ein amorphes lichtemittierendes organisches Material für OLEDs, auf den Transistoren aufgebracht wird, um die Anzeigeelemente zu bilden, wobei – das Halbleitermaterial der Ansteuertransistoren BN oder Diamant umfasst.
- Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem – eine dünne Schicht eines Halbleitermaterials mit einer derart großen Bandlücke hergestellt wird, dass sie im sichtbaren Spektralbereich transparent ist, – in der dünnen Schicht die Strukturen für die Ansteuertransistoren prozessiert werden, – die prozessierte dünne Schicht auf einen transparenten Träger, wie einen Glasträger, gebracht wird, und – ein amorphes lichtemittierendes organisches Material für OLEDs, auf den Transistoren aufgebracht wird, um die Anzeigeelemente zu bilden, wobei – das Halbleitermaterial der Ansteuertransistoren BN oder Diamant umfasst.
- Herstellungsverfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer Farbanzeigevorrichtung die Anzeigeelemente für verschiedene Farben, insbesondere für Rot, Grün und Blau mit zugehörigen Ansteuertransistoren jeweils auf einem transparenten Träger, wie einem Glasträger, erzeugt werden, und die transparenten Träger mit den Anzeigeelementen dann übereinander justiert werden.
- Herstellungsverfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer Farbanzeigevorrichtung die Anzeigeelemente für verschiedene Farben, insbesondere für Rot, Grün und Blau mit zugehörigen Ansteuertransistoren mittels einer Planarisierungstechnik direkt vertikal übereinander auf einem gemeinsamen transparenten Träger, wie einem Glasträger erzeugt werden.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US45006803P | 2003-02-24 | 2003-02-24 | |
US60/450068 | 2003-02-24 | ||
US10/670,917 US7235920B2 (en) | 2003-02-24 | 2003-09-24 | Display device and method of its manufacture |
US10/670917 | 2003-09-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004002446A1 DE102004002446A1 (de) | 2004-09-09 |
DE102004002446B4 true DE102004002446B4 (de) | 2012-12-13 |
Family
ID=32853612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102004002446A Expired - Fee Related DE102004002446B4 (de) | 2003-02-24 | 2004-01-16 | Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7235920B2 (de) |
JP (1) | JP2004258656A (de) |
DE (1) | DE102004002446B4 (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007080604A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | 発光装置、および、それを用いた画像形成装置 |
US7692610B2 (en) * | 2005-11-30 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP5522991B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2014-06-18 | キヤノン株式会社 | 有機el表示装置 |
DE102012112302A1 (de) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0667187A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
WO1997006554A2 (en) * | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
EP1134811A1 (de) * | 1998-11-17 | 2001-09-19 | Japan Science and Technology Corporation | Transistor und halbleitervorrichtung |
EP1450587A1 (de) * | 2001-12-18 | 2004-08-25 | Seiko Epson Corporation | Lichtemittierendes bauelement, verfahren zu seiner herstellung, elektrooptisches bauelement und elektronisches bauelement |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
US6548956B2 (en) * | 1994-12-13 | 2003-04-15 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
US5989752A (en) * | 1996-05-29 | 1999-11-23 | Chiu; Tzu-Yin | Reconfigurable mask |
US5886368A (en) * | 1997-07-29 | 1999-03-23 | Micron Technology, Inc. | Transistor with silicon oxycarbide gate and methods of fabrication and use |
TW439387B (en) * | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
TW527735B (en) * | 1999-06-04 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
JP4472073B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
DE19950839A1 (de) | 1999-10-21 | 2001-05-23 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Ansteuerung der Anzeigeelemente eines Anzeigeelementenarrays und Verfahren zur Herstellung derselben |
JP4727029B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2011-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置、電気器具及びel表示装置用の半導体素子基板 |
TW493282B (en) * | 2000-04-17 | 2002-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-luminous device and electric machine using the same |
WO2002016679A1 (fr) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Matiere semi-conductrice polycristalline |
JP4553470B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2010-09-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | p形ZnO系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法 |
JP4090716B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
US6975067B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
-
2003
- 2003-09-24 US US10/670,917 patent/US7235920B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-01-16 DE DE102004002446A patent/DE102004002446B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-24 JP JP2004047879A patent/JP2004258656A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0667187A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
WO1997006554A2 (en) * | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
EP1134811A1 (de) * | 1998-11-17 | 2001-09-19 | Japan Science and Technology Corporation | Transistor und halbleitervorrichtung |
EP1450587A1 (de) * | 2001-12-18 | 2004-08-25 | Seiko Epson Corporation | Lichtemittierendes bauelement, verfahren zu seiner herstellung, elektrooptisches bauelement und elektronisches bauelement |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Hoffmann, R.L. et al.: "ZnO-based transparent thin-film transistors". In: Appl. Phys. Lett., Vol. 82, No. 5, 3. Feb. 2003, pp. 733-735 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050073248A1 (en) | 2005-04-07 |
JP2004258656A (ja) | 2004-09-16 |
US7235920B2 (en) | 2007-06-26 |
DE102004002446A1 (de) | 2004-09-09 |
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Legal Events
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
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|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: OSRAM OLED GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GESELLSCHAFT MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG, 93055 REGENSBURG, DE Owner name: PICTIVA DISPLAYS INTERNATIONAL LIMITED, IE Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GESELLSCHAFT MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG, 93055 REGENSBURG, DE |
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|
R081 | Change of applicant/patentee |
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R082 | Change of representative |
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R079 | Amendment of ipc main class |
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