DE10163429A1 - HF-Schaltungschip, HF-Schaltungsvorrichtung mit HF-Schaltungschip und Herstellungsverfahren davon - Google Patents
HF-Schaltungschip, HF-Schaltungsvorrichtung mit HF-Schaltungschip und Herstellungsverfahren davonInfo
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Abstract
Um Variationen bei der Messung der Chipcharakteristik infolge einer erhöhten Bondkontaktstellenfläche aufzuheben, ist ein MMIC-Chip wie folgt strukturiert. Ein Kontaktstellenhauptabschnitt, welcher dieselbe Breite wie eine Hauptleitung aufweist, ist an einem Ende der Hauptleitung vorgesehen, welche auf einem GaAs-Substrat vorgesehen ist. Eine Mehrzahl von Kontaktstellenhilfsabschnitten ist inselförmig dem Kontaktstellenhauptabschnitt auf einer oder beiden Seiten davon benachbart. Eine Erdungsverdrahtungsschicht ist auf wenigstens einer Seite des Kontaktstellenhauptabschnitts vorgesehen, wobei der Kontaktschwellenhilfsabschnitt dazwischen angeordnet ist. Der Kontaktstellenhauptabschnitt und die Kontaktstellenhilfsabschnitte stellen eine hinreichende Bondfläche sicher. Die elektrische Charakteristik wird dadurch gemessen, dass Sonden in Kontakt mit dem Kontaktstellenhauptabschnitt und der bzw. den Erdungsverdrahtungsschichten gebracht werden. Die elektrische Charakteristik des MMIC-Chips kann ohne Ansteigen der Bondkontaktstellenkapazität abgeschätzt werden.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen HF-
Schaltungschip (RF circuit chip), eine HF-Schaltungsvor
richtung (RF circuit device), welches den Chip aufweist,
und auf deren Herstellungsverfahren. Insbesondere bezieht
sich die Erfindung auf eine Form von Kontaktstellen, mit
welchen Drähte zu verbinden sind.
Mit dem Ausbreiten der Ausrüstung bzw. Ausstattung
für tragbare Endgeräte stieg der Bedarf an Ausrüstung für
tragbare Endgeräte an, welche kostengünstig ist und eine
überragende HF-Charakteristik (RF characteristics) be
sitzt.
Um die Größe und das Gewicht der Ausrüstung für trag
bare Endgeräte zu verringern, wurden im großen Umfang
MMIC's (Monolithic Microwave IC's) als HF-Halbleiterchips
(RF semiconductor chips) für die Ausrüstung für tragbare
Endgeräte verwendet. MMIC's werden als Teil einer HF-
Halbleitervorrichtung (RF semiconductor device) wie einem
Modul oder Baustein verwendet.
Wenn ein MMIC in einem Modul, einem Baustein oder
dergleichen verwendet wird, wird der MMIC auf ein Anbrin
gungssubstrat des Moduls, des Bausteins oder dergleichen
chipgebondet, und die Kontaktstellen, welche auf Verdrah
tungsschichten auf dem MMIC gebildet sind, werden mit
Verdrahtungsschichten des Moduls, des Bausteins oder der
gleichen unter Verwendung von Drähten verbunden.
Was die mit den Kontaktstellen (HF-Kontaktstellen (RF
pads)) zu verbindenden Drähten anbelangt, durch welche
ein HF-Signal (RF signal) sich bewegt, werden insbeson
dere in vielen Fällen in einer Mehrzahl vorkommende Dräh
te mit jeder Kontaktstelle verbunden, um parallel zuein
ander angeordnet zu sein, wodurch der Einfluss der Induk
tivität der Drähte auf die HF-Charakteristik in dem HF-
Bereich (RF range) verringert wird.
Um hinreichende Drahtbondflächen zu sichern, die me
chanische Festigkeit und die elektrische Charakteristik
des Bondens beizubehalten und die Bondzuverlässigkeit zu
halten, ist es daher nötig, dass die Breite von HF-Kon
taktstellen auf dem MMIC größer als diejenige der Haupt
leitungen für ein Signal ist.
Fig. 14 zeigt eine Draufsicht auf ein Teil eines her
kömmlichen MMIC-Chips.
Entsprechend Fig. 14 bezeichnet Bezugszeichen 100 ei
nen MMIC-Chip; Bezugszeichen 102 bezeichnet ein
GaAs-Substrat; Bezugszeichen 104 bezeichnet eine Hauptleitung;
Bezugszeichen 106 bezeichnet eine HF-Kontaktstelle; und
Bezugszeichen 108 bezeichnet Kontaktlöcher, welche mit
einem Erdungsleiter an der Rückseitenoberfläche verbunden
sind. Bezugszeichen 110 bezeichnet Erdungskontaktstellen,
welche über die jeweiligen Kontaktlöcher 108 geerdet
sind.
Wenn beispielsweise die Dicke des GaAs-Substrats 102
100 µm beträgt, ist es notwendig, dass die Breite der
Hauptleitung 104, welche eine charakteristische Impedanz
von 50 Ω besitzt, auf etwa 70 µm festgelegt wird und die
Breite der HF-Kontaktstelle 106 größer als die Breite der
Hauptleitung 104 ist und beispielsweise auf etwa 150 µm
festgelegt wird. Obwohl die charakteristische Impedanz
von 50 Ω der Hauptleitung 104 auf diese Weise sicherge
stellt ist, ist insbesondere in einem hohen Frequenzbe
reich, beispielsweise dem Millimeterwellenband, bei wel
chem die Frequenz 60 GHz überschreitet, die parallele pa
rasitäre Kapazität der HF-Kontaktstelle 106, welche brei
ter als die Hauptleitung 104 ist, nicht mehr vernachläs
sigbar, und die Impedanz wird kleiner als 50 Ω, und als
Ergebnis verschlechtert sich HF-Charakteristik.
Fig. 15 zeigt ein schematisches Diagramm, welches
darstellt, wie die HF-Charakteristik des herkömmlichen
MMIC-Chips 100 gemessen wird.
Entsprechend Fig. 15 bezeichnet Bezugszeichen 112 ei
nen Sondenkopf, und Bezugszeichen 114 bezeichnet Sonden,
welche an dem Sondenkopf 112 befestigt sind.
Wie in Fig. 15 dargestellt, wird die HF-Charakteri
stik des herkömmlichen MMIC-Chips 100 in einem Zustand
gemessen und abgeschätzt, bei welchem keine Drähte damit
verbunden sind. Wenn die HF-Charakteristik in der Ent
wurfsstufe unter einer Annahme erkannt wird, dass die HF-
Kontaktstelle 106 dieselbe Breite wie die Hauptleitung
104 besitzt, sollten sich die Messergebnisse, welche beim
Herstellen des MMIC-Chips 100 erzielt werden, von der in
der Entwurfstufe erkannten HF-Charakteristik unterschied
lich sein, und der MMIC-Chip 100 kann als defekt beur
teilt werden.
Fig. 16 zeigt eine Draufsicht auf ein Teil eines Mo
duls, in welchem der herkömmliche MMIC-Chip 100 ange
bracht ist.
Entsprechend Fig. 16 bezeichnet Bezugszeichen 116 ein
Modul; Bezugszeichen 118 bezeichnet ein Aluminiumoxid
substrat; Bezugszeichen 20 bezeichnet eine auf dem Alumi
niumoxidsubstrat 118 gebildete Verdrahtungsschicht; Be
zugszeichen 122 bezeichnet eine Kontaktstelle; und Be
zugszeichen 124 bezeichnet Bonddrähte, welche die HF-Kon
taktstelle 106 des MMIC-Chips 100 mit der Kontaktstelle
122 auf dem Aluminiumoxidsubstrat 118 des Moduls 116 ver
binden.
Wie in Fig. 16 dargestellt, heben sich in einem Zu
stand, bei welchem die Kontaktstelle 122 mit der HF-Kon
taktstelle 106 durch die Bonddrähte 124 verbunden ist,
die Induktivität der Bonddrähte 124 in dem angebrachten
Zustand und eine Kapazitätserhöhung infolge der erhöhten
Kontaktstellenbreite des Chips 100 teilweise gegenseitig
auf, und daher würde die HF-Charakteristik des angebrach
ten MMIC-Chips 100 näher an jene des MMIC's 100 in der
Entwurfsstufe kommen als an jene, die beim Herstellen des
MMIC-Chips 100 erzielt wird. Jedoch erfolgt eine Unter
scheidung zwischen guten Produkten und defekten Produkten
auf der Grundlage von Abschätzungsergebnissen, die beim
Herstellen des MMIC-Chips 100 erzielt werden, wobei sich
die Schwierigkeit ergibt, dass eine übermäßig große An
zahl von defekten Produkten auftritt.
Wenn die HF-Charakteristik in der Entwurfsstufe unter
der Annahme abgeschätzt wird, dass die Kontaktstellen
breite größer als die Leitungsbreite ist, sollten die
Messergebnisse der beim Herstellen des Chips 100 erziel
ten HF-Charakteristik mit der HF-Charakteristik in der
Entwurfsstufe übereinstimmen. Jedoch beeinflusst die In
duktivität der Bonddrähte 124 direkt die HF-Charakteri
stik in dem Chipanbringungszustand, bei welchem die Bond
drähte 124 mit der Kontaktstelle 122 und der HF-Kontakt
stelle 106 verbunden sind, und daher ergibt sich die
Schwierigkeit, dass die in dem Chipanbringungszustand er
zielte HF-Charakteristik nicht länger mit jener in der
Entwurfsstufe übereinstimmt.
Wenn die Abschätzung in der Entwurfsstufe in einem
Zustand durchgeführt wird, bei welchem die Bonddrähte 124
mit der Kontaktstelle 122 und der HF-Kontaktstelle 106
verbunden sind, ist es schwierig, die HF-Charakteristik
in der Entwurfsstufe zu bestimmen, da die Induktivität
der Bonddrähte 124 in Abhängigkeit von ihren Anbringungs
zuständen variiert. Daher dürfen die Messergebnisse der
beim Herstellen des Chips 100 erzielten HF-Charakteristik
(die Bonddrähte 124 sind nicht mit der Kontaktstelle 122
und der HF-Kontaktstelle 106 verbunden) mit der HF-Cha
rakteristik in der Entwurfsstufe übereinstimmen. Und es
kann eine übermäßig hohe Anzahl von defekten Produkten
auftreten.
Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf die
obigen bei dem Stand der Technik auftretenden Schwierig
keiten gemacht, und es ist Aufgabe der Erfindung einen
HF-Schaltungschip bereitzustellen, bei welchem Änderungen
der elektrischen Charakteristik aufgrund von kleinen Un
terschieden in der elektrischen Chipcharakteristik wie
der HF-Charakteristik in der Entwurfsstufe, in der Chip
abschätzungsstufe und der Chipanbringungsstufe klein
sind, während hinreichende Drahtbondbereiche sicherge
stellt sind. Des weiteren ist es Aufgabe der Erfindung
eine HF-Schaltungsvorrichtung bereitzustellen, welche mit
einem hohen Ertrag hergestellt werden kann, kostengünstig
und sehr zuverlässig ist. Ferner ist es Aufgabe der vor
liegenden Erfindung ein Herstellungsverfahren bereitzu
stellen, welches zum geeigneten Unterscheiden zwischen
guten Produkten und defekten Produkten durch Abschätzen
der HF-Charakteristik des Chips entsprechend derselben
Spezifizierung wie in der Entwurfsstufe im Stande ist.
Schließlich ist es Aufgabe der Erfindung ein Herstel
lungsverfahren bereitzustellen, welches geeignet ist,
durch einen einfachen Prozess eine HF-Schaltungsvorrich
tung herzustellen, welche mit einem hohen Ertrag herge
stellt werden kann, kostengünstig und sehr zuverlässig
ist.
Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der
unabhängigen Ansprüche.
Entsprechend einem Gesichtspunkt der vorliegenden Er
findung wird ein HF-Schaltungschip bereitgestellt mit:
einer ersten Verdrahtungsschicht, welche auf einem
Substrat vorgesehen ist und einen Endabschnitt aufweist;
ersten und zweiten Leiterschichten, welche inselförmig
benachbart zu dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungs
schicht auf einer oder beiden Seiten davon vorgesehen
sind; und einer Erdungsleiterschicht, welche auf wenig
stens einer Seite des Endabschnitts vorgesehen ist, wobei
wenigstens eine der ersten und zweiten Leiterschichten
dazwischen angeordnet ist.
Entsprechend einem anderen Gesichtspunkt der vorlie
genden Erfindung wird ein HF-Schaltungschip bereitge
stellt mit ersten Verdrahtungsschichten, welche derart
auf einem Substrat vorgesehen sind, dass sie sich paral
lel zueinander mit einem vorgeschriebenen dazwischen ge
bildeten Abstand erstrecken und jeweils Endabschnitte
aufweisen, welche mit einem dazwischen gebildeten Abstand
zueinander benachbart sind.
Entsprechend einem anderen Gesichtspunkt der vorlie
genden Erfindung wird eine HF-Schaltungsvorrichtung be
reitgestellt mit einem dielektrischen Substrat; einem HF-
Schaltungschip, welcher auf dem dielektrischen Substrat
vorgesehen ist, wobei der HF-Schaltungschip aufweist: ei
ne erste Verdrahtungsschicht, welche auf einem Substrat
vorgesehen ist und einen Endabschnitt aufweist; erste und
zweite Leiterschichten, welche inselförmig benachbart zu
dem Endababschnitt der ersten Verdrahtungsschicht auf ei
ner oder beiden Seiten davon vorgesehen sind; und eine
Erdungsleiterschicht, welche auf wenigstens einer Seite
des Endabschnitts vorgesehen ist, wobei wenigstens eine
der ersten und zweiten Leiterschichten dazwischen ange
ordnet ist. Die HF-Schaltungsvorrichtung ist des weiteren
versehen mit einer zweiten Verdrahtungsschicht, welche
auf dem dielektrischen Substrat vorgesehen ist; einem er
sten Verbindungsleiter, welcher ein erstes Ende und ein
zweites Ende aufweist, wobei das erste Ende mit dem End
abschnitt der ersten Verdrahtungsschicht des HF-Schal
tungschips und der ersten Leiterschicht verbunden ist, um
jene zu überbrücken, wobei das zweite Ende mit der zwei
ten Verdrahtungsschicht verbunden ist; und einem zweiten
Verbindungsleiter, welcher ein erstes Ende und ein zwei
tes Ende aufweist, wobei das erste Ende mit dem Endab
schnitt der ersten Verdrahtungsschicht des HF-Schaltungs
chips und der zweiten Leiterschicht verbunden ist, um je
ne zu überbrücken, wobei das zweite Ende mit der zweiten
Verdrahtungsschicht verbunden ist.
Entsprechend einem anderen Gesichtspunkt der vorlie
genden Erfindung wird eine HF-Schaltungsvorrichtung be
reitgestellt mit: einem dielektrischen Substrat; einem
HF-Schaltungschip, welcher auf dem dielektrischen
Substrat angeordnet ist und erste Verdrahtungsschichten
aufweist, welche auf einem Substrat vorgesehen sind, um
sich parallel zueinander mit einem vorgeschriebenen da
zwischen gebildeten Abstand zu erstrecken, und jeweils
Endabschnitte aufweisen, die zueinander mit einem dazwi
schen gebildeten Abstand benachbart sind; einer zweiten
Verdrahtungsschicht, welche auf dem dielektrischen
Substrat vorgesehen ist und mit einer DC-Vorspannung ver
sorgt wird; und einem dritten Verbindungsleiter, welcher
ein erstes Ende und ein zweites Ende aufweist, wobei das
erste Ende mit den Endabschnitten der ersten Verdrah
tungsschichten des HF-Schaltungschips verbunden ist, um
jene zu überbrücken, und das zweite Ende mit der zweiten
Verdrahtungsschicht verbunden ist.
Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden
Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläu
tert.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines
MMIC's einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Er
findung.
Fig. 2 zeigt einen schematisches Diagramm, welches
ein Verfahren zum Messen der Chipcharakteristik des
MMIC's 10 der ersten Ausführungsform darstellt.
Fig. 3 zeigt einen Graph, welcher die Abhängigkeit
der HF-Charakteristik der Kontaktstelle der Ausführungs
form von der Schlitz- bzw. Spaltbreite darstellt.
Fig. 4 zeigt eine Draufsicht auf Kontaktstellen, wel
che eine herkömmliche Struktur besitzen und für die Ana
lyse von Fig. 3 verwendet wurden.
Fig. 5 zeigt eine Draufsicht auf Kontaktstellen der
ersten Ausführungsform der Erfindung, welche für die Ana
lyse von Fig. 3 verwendet wurden.
Fig. 6 zeigt eine Draufsicht auf Kontaktstellen, wel
che eine ideale Struktur besitzen und für die Analyse von
Fig. 3 verwendet wurden.
Fig. 7 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines Mo
duls der ersten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 8 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines Mo
duls einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 9 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines
MMIC's (Microwave Integrated Circuit) einer dritten Aus
führungsform der Erfindung.
Fig. 10 zeigt eine Draufsicht auf ein Modul der drit
ten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 11 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines
MMIC-Chips einer vierten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 12 zeigt ein schematisches Diagramm, welches
darstellt, wie die Chipcharakteristik des MMIC-Chips der
vierten Ausführungsform der Erfindung gemessen wird.
Fig. 13 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines
Moduls der vierten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 14 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines
herkömmlichen MMIC-Chips.
Fig. 15 zeigt ein schematisches Diagramm, welches
darstellt, wie die HF-Charakteristik des herkömmlichen
MMIC-Chips gemessen wird.
Fig. 16 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines
Moduls, in welchem der herkömmliche MMIC-Chip angebracht
ist.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines
MMIC's einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Er
findung.
Entsprechend Fig. 1 bezeichnet Bezugszeichen 10 einen
MMIC als HF-Schaltungschip (RF circuit chip). Bezugszei
chen 12 bezeichnet ein GaAs-Substrat als Substrat des
MMIC's 10. Das GaAs-Substrat 12 besitzt eine Dicke von
etwa von 100 µm, und es ist eine (nicht dargestellte) Er
dungsmetallschicht auf seiner Rückseite gebildet. Bezugs
zeichen 14 bezeichnet eine Hauptleitung als erste Ver
drahtungsschicht, die auf dem GaAs-Substrat 12 gebildet
ist. Die Hauptleitung 14 ist durch Metallaufdampfung ge
bildet oder besitzt eine Struktur, bei welcher eine obere
plattierte Au-Schicht auf einer aufgedampften Teilschicht
gebildet ist.
Wenn das GaAs-Substrat 12 eine Dicke von etwa 100 µm
besitzt und die charakteristische Impedanz gleich 50 Ω
sein sollte, wird die Breite der Hauptleitung 14 auf etwa
70 µm festgelegt, und eine Mikrostreifenleitung wird
durch die Hauptleitung 14 und die auf der Rückseite des
GaAs-Substrats 12 gebildete Erdungsmetallschicht gebil
det.
Bezugszeichen 16a bezeichnet einen Kontaktstellen
hauptabschnitt der HF-Kontaktstelle (RF pad) 16, welcher
an dem Ende der Hauptleitung 14 angeordnet ist. Der Kon
taktstellenhauptabschnitt 16a besitzt dieselbe Breite wie
die Hauptleitung 14. Bezugszeichen 16b bezeichnet Kon
taktstellenhilfsabschnitte als erste und zweite Leiter
schichten, welche unabhängig entlang dem Kontaktstellen
hauptabschnitt 16a auf beiden Seiten davon mit dazwischen
gebildeten Schlitzen bzw. Spalten 16c angeordnet und
Teile der HF-Kontaktstelle 16 sind. Obwohl bei diesem
MMIC 10 die Kontaktstellenhilfsabschnitte 16b auf beiden
Seiten des Kontaktstellenhauptabschnitts 16 angeordnet
sind, können sie benachbart zu dem Kontaktstellenhauptab
schnitt 16a auf einer Seite davon angeordnet sein. Die
zwei Arten von Strukturen besitzen dieselbe Funktion, da
die Kontaktstellenhilfsabschnitte 16b elektrisch mit dem
Kontaktstellenhauptabschnitt 16a nach dem Drahtbonden
verbunden werden.
Wenn die Hauptleitung 14 durch Metallaufdampfung ge
bildet wird, werden der Kontaktstellenhauptabschnitt 16a
und die Kontaktstellenhilfsabschnitte 16b durch Plattie
ren nach der Bildung der Hauptleitung 14 gebildet. Wenn
die Hauptleitung 14 eine Struktur besitzt, bei welcher
eine obere plattierte Au-Schicht auf einer aufgedampften
Teilschicht gebildet ist, ist der Kontaktstellenhauptab
schnitt 16a gerade ein Endabschnitt der Hauptleitung 14,
und die Kontaktstellenhilfsabschnitte 16b werden gleich
zeitig mit der Hauptleitung 14 in demselben Herstellungs
schritt gebildet.
Bezugszeichen 18 bezeichnet Kontaktlöcher, die mit
einer (nicht dargestellten) Rückseitenoberflächenerdungs
metallschicht verbunden sind. Bezugszeichen 20 bezeichnet
Erdungsverdrahtungsschichten als Erdungsleiterschichten,
welche mit den jeweiligen Kontaktlöchern 18 verbunden
sind. Die Erdungsverdrahtungsschichten 20 sind auf beiden
Seiten des Kontaktstellenhauptabschnitts 16a mit den da
zwischen angeordneten jeweiligen Kontaktstellenhilfsab
schnitten 16b angeordnet.
Obwohl bei diesem MMIC 10 die Erdungsverdrahtungs
schichten 20 auf beiden Seiten des Kontaktstellenhauptab
schnitts 16a angeordnet sind, kann lediglich eine Er
dungsverdrahtungsschicht 20 auf einer Seite des Kon
taktstellenhauptabschnitts 16a in Abhängigkeit von der
Sonde zur Messung der Hochfrequenzcharakteristik (RF
characteristics) angeordnet sein.
Fig. 1 stellt lediglich einen Teil des MMIC's 10 dar,
das heißt einen Endabschnitt der Hauptleitung 14, der HF-
Kontaktstelle 16 und der Erdungsverdrahtungsschicht 18.
Obwohl in Fig. 1 nicht dargestellt ist bei dem MMIC 10
die Hauptleitung 14 mit Schaltungselementen wie Transi
storen (aktive Bauelemente) und passiven Bauelementen
verbunden.
Fig. 2 zeigt ein schematisches Diagramm, welches ein
Verfahren zum Messen der Chipcharakteristik des MMIC's 10
dieser Ausführungsform darstellt.
Entsprechend Fig. 2 bezeichnet Bezugszeichen 22 einen
Sondenkopf, und Bezugszeichen 24 bezeichnet Sonden wie
Kontaktanschlüsse, welche an dem Sondenkopf 23 befestigt
sind.
Unüblicherweise wird die Chipcharakteristik wie die
HF-Charakteristik gemessen, wenn der MMIC 10 auf einem
Wafer gebildet worden ist. Ein Satz von drei Sonden 24
wird verwendet, welche an dem Probenkopf 22 befestigt
sind. Es wird eine Reflexionscharakteristik S11 und S22,
eine Durchgangscharakteristik S21, usw. in einem Zustand
gemessen, bei welchem sich die mittlere Sonde 24 in Kon
takt mit dem Kontaktstellenhauptabschnitt 16a befindet,
welcher mit der Hauptleitung 14 verbunden ist, und sich
die zwei seitlichen Sonden 24 in Kontakt mit den jeweili
gen Erdungsverdrahtungsschichten 18 befinden.
Da der Kontaktstellenhauptabschnitt 16a dieselbe
Breite wie die Hauptleitung 14 besitzt, das heißt nicht
von den Seitenlinien der Hauptleitung 14 vorspringt, gibt
es kein Ansteigen der Impedanz infolge der parallelen pa
rasitären Kapazität. Die HF-Charakteristik des MMIC's 10
wird entsprechend derselben Schaltungsspezifizierung wie
in der Entwurfsstufe gemessen.
Sogar in einem bestimmten Hochfrequenzbereich, bei
spielsweise in dem Millimeterwellenband, bei welchem die
Frequenz 60 GHz überschreitet, kann daher eine Unter
scheidung zwischen guten Produkten und defekten Produkten
auf der Grundlage der Chipcharakteristik des MMIC-Chips
10 richtig durchgeführt werden, wodurch es ermöglicht
wird MMIC-Chips bereitzustellen, welche lediglich kleine
Änderungen in der elektrischen Chipcharakteristik wie der
HF-Charakteristik besitzen.
Fig. 3 zeigt einen Graphen, welcher die Abhängigkeit
der HF-Charakteristik der Kontaktstelle dieser Ausfüh
rungsform bezüglich der Schlitz- bzw. Spaltbreite dar
stellt.
Entsprechend Fig. 3 stellt die vertikale Achse den
Reflexionsverlust und den Durchgangsverlust dar, und die
horizontale Achse stellt das Schlitzintervall dar. Die
polygonale Linie mit ausgefüllten Kreisen zeigt eine Re
flexionsverlustkurve, und die polygonale Linie mit den
leeren Kreisen zeigt eine Kurve eines Durchgangsverlust
S21. Berechnungen wurden bei 80 GHz durchgeführt.
Fig. 4 zeigt eine Draufsicht auf Kontaktstellen, wel
che eine herkömmliche Struktur besitzen und für die Ana
lyse von Fig. 3 verwendet wurden. Fig. 5 zeigt eine
Draufsicht auf Kontaktstellen der ersten Ausführungsform
der Erfindung, welche für die Analyse von Fig. 3 verwen
det wurden. Fig. 6 zeigt eine Draufsicht auf Kontaktstel
len, welche eine ideale Struktur besitzen und für die
Analyse von Fig. 3 verwendet wurden.
Fig. 4 simuliert die herkömmliche Kontaktstellen
struktur. Entsprechend Fig. 4 beträgt die Kontaktstellen
breite W1 150 µm, und die Breite W2 der Hauptladung 14
beträgt 70 µm.
Fig. 5 simuliert die Kontaktstellenform dieser Aus
führungsform. Entsprechend Fig. 5 beträgt die Kon
taktstellenbreite W1 150 µm, und das Schlitzintervall g
zwischen dem Kontaktstellenhauptabschnitt 16a und den
Kontaktstellenhilfsabschnitten 16b wird entsprechend den
Werten 5 µm, 10 µm, 15 µm und 20 µm variiert.
Fig. 6 simuliert die Kontaktstellenform in der Ent
wurfsstufe, wobei die Breite W1 des Kontaktstellen
hauptabschnitts 16a gleich der Breite W2 der Hauptleitung
14 ist.
Mit anderen Worten, die herkömmliche Kontaktstellen
form von Fig. 4 entspricht einem Pfeil, bei welchem ent
sprechend Fig. 5 die Kontaktstellenbreite W1 auf 150 µm
und das Schlitzintervall g auf 0 µm festgelegt ist. Die
Kontaktstellform von Fig. 6, bei welcher die Breite des
Kontaktstellenhauptabschnitt 16a gleich derjenigen der
Hauptlinie 14 ist, entspricht einem Fall, bei welchem
entsprechend Fig. 5 die Kontaktstellenbreite W1 auf 150 µm,
die Breite W2 der Hauptleitung 14 auf 70 µm und das
Schlitzintervall g auf 40 µm festgelegt ist.
Daher sind entsprechend Fig. 3 die Werte des Reflexi
onsverlusts und des Durchgangsverlusts mit g = 0 µm Werte
der herkömmlichen Kontaktstellenform, und die Werte des
Reflexionsverlusts und des Durchgangsverlusts mit g = 40 µm
sind Werte der Kontaktstellenform in der Entwurfs
stufe, bei welcher die Breite des Kontaktstellenhauptab
schnitts 16a gleich derjenigen der Hauptleitung 14 ist.
Aus Fig. 3 ist ersichtlich, dass dann, wenn g größer
als oder gleich 5 µm ist, der Durchgangsverlust einen
Wert aufweist, der in etwa gleich dem Wert der idealen
Charakteristik ist, welcher mit der Kontaktstellenform
von Fig. 6 erzielt wird, bei welcher die Breite des Kon
taktstellenhauptabschnitts 16a gleich derjenigen der
Hauptleitung 14 ist.
Ebenfalls ist zu sehen, dass der Durchgangsverlust um
etwa 19 dB verbessert wird, wenn g = 5 µm gilt und der
Wert der Kontaktstellenform erreicht wird, bei welcher
die Breite des Kontaktstellenhauptabschnitts 16a gleich
derjenigen der Hauptleitung 14 ist, wenn g ansteigt.
Zusammenfassend dargestellt, es verbessert sich die
HF-Charakteristik, wenn das Schlitzintervall g ansteigt.
Der obere Grenzwert von g wird durch die Drahtbondstärke,
usw. bestimmt.
Wie oben beschrieben sichern bei dem HF-Schaltungs
chip dieser Ausführungsform durch geeignetes Festlegen
des Schlitzintervalls g zwischen dem Kontaktstellen
hauptabschnitt 16a und den Kontaktstellenhilfsabschnitten
16b nicht nur der Kontaktstellenhauptabschnitt 16a und
die Kontaktstellenhilfsabschnitte 16b eine hinreichende
Drahtbondenfläche, sondern es kann die elektrische Cha
rakteristik des MMIC-Chips 10 ohne ein Erhöhen der Bond
kontaktstellenkapazität dadurch gemessen und abgeschätzt
werden, dass Sonden in Kontakt mit dem Kontaktstellen
hauptabschnitt 16a und den Erdungsverdrahtungsschichten
20 gebracht werden.
Daher kann eine Unterscheidung zwischen guten Produk
ten und defekten Produkten auf der Grundlage der Chipcha
rakteristik des HF-Schaltungschips richtig erfolgen, wo
durch es ermöglicht wird HF-Schaltungschips bereitzustel
len, welche lediglich kleine Änderungen in der elektri
schen Chipcharakteristik wie der HF-Charakteristik besit
zen.
Fig. 7 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines Mo
duls der ersten Ausführungsform der Erfindung.
Entsprechend Fig. 7 bezeichnet Bezugszeichen 30 ein
Modul, und Bezugszeichen 32 bezeichnet ein Aluminiumoxid
substrat als dielektrisches Substrat des Moduls 30. Es
kann ein Glasepoxidsubstrat anstelle des Aluminiumoxid
substrats 32 verwendet werden.
Bezugszeichen 34 bezeichnet eine Hauptleitung als
zweite Verdrahtungsleitung, welche auf der Oberfläche des
Aluminiumoxidsubstrats 32 vorgesehen ist. Die Hauptlei
tung 34 besitzt eine Struktur, bei welcher eine obere
plattierte Au-Schicht auf einer aufgedampften Metall
schicht gebildet ist. Bezugszeichen 36 bezeichnet einen
Kontaktstellenabschnitt der Hauptleitung 34. Bezugszei
chen 38 bezeichnet Bonddrähte als erste und zweite Ver
bindungsleiter, welche die HF-Kontaktstelle 16 des MMIC-
Chips 10 mit dem Kontaktstellenabschnitt 36 der Hauptlei
tung 34 auf dem Aluminiumoxidsubstrat 32 verbinden.
Um die Induktivität zu verringern sind die zwei Bond
drähte 38 parallel zueinander angeordnet. Jeder Draht 38
ist derart gebondet, dass er den Kontaktstellenhauptab
schnitt 16a und einen der zwei Kontaktstellenhilfsab
schnitte 16b auf der HF-Kontaktstelle 16 des MMIC-Chips
10 überbrückt und sich parallel zu der Hauptleitung 14
erstreckt.
Da die Breite der Kontaktstellenhilfsabschnitte 16b
der HF-Kontaktstelle 16 und das Schlitzintervall g zwi
schen dem Kontaktstellenhauptabschnitt 16a und den Kon
taktstellenhilfsabschnitten 16b derart bestimmt sind,
dass eine hinreichende Bondstärke der Bonddrähte 38 si
chergestellt ist, sind die mechanische Zuverlässigkeit
und die elektrische Zuverlässigkeit des Bondens sicherge
stellt.
Wie oben bezüglich des Moduls und des Bausteins wie
der HF-Schaltungsvorrichtung dieser Ausführungsform be
schrieben, kann die elektrische Charakteristik geeignet
in der Entwurfsstufe, der Chipherstellungsstufe und der
Anbringungsstufe abgeschätzt werden, und es wird ein Mo
dul oder Baustein durch Anbringen eines MMIC-Chips zusam
mengebaut, welcher kleine Änderungen in der elektrischen
Charakteristik aufweist. Auf diese Weise ermöglicht es
die Ausführungsform eine HF-Schaltungsvorrichtung zu kon
struieren, welche mit einem hohen Ertrag hergestellt wer
den kann und kostengünstig und sehr zuverlässig ist.
Fig. 8 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines Mo
duls einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Die Be
zugszeichen in Fig. 8, welche dieselben wie in Fig. 2
sind, bezeichnen dieselben oder entsprechende Teile. Die
selben Bezugszeichen bezeichnen dieselben und entspre
chende Teile ebenfalls in den Figuren, welche für die
folgenden Ausführungsformen verwendet werden.
Entsprechend Fig. 8 bezeichnet Bezugszeichen 40 ein
Modul einer HF-Schaltungsvorrichtung, und Bezugszeichen
42 bezeichnet einen MMIC-Chip, welcher auf das Modul 40
Chip gebondet ist. Bezugszeichen 44 bezeichnet zusätzli
che Kondensatorschichten, die auf dem Substrat des MMIC-
Chips 42 vorgesehen sind. Die zusätzlichen Kondensator
schichten 44 besitzen dieselbe Schichtstruktur wie die
Kontaktstellenhilfsabschnitte 16b und sind mit den jewei
ligen Kontaktstellenhilfsabschnitten 16b verbunden.
Da bei dem MMIC-Chip 42, welcher in dem Modul 40 ver
wendet wird, wie in dem Fall des MMIC-Chips 10 der ersten
Ausführungsform der Kontaktstellenhauptabschnitt 16a die
selbe Breite wie die Hauptleitung 14 besitzt, das heißt
nicht von den Seitenlinien der Hauptleitung 14 aus vor
springt, tritt kein Anwachsen der Impedanz infolge der
parallelen parasitären Kontaktstellenkapazität auf. Die
HF-Charakteristik des MMIC-Chips 42 wird entsprechend
derselben Schaltungsspezifizierung wie in der Entwurfs
stufe gemessen. Sogar in einem bestimmten hohen Frequenz
bereich, beispielsweise in dem Millimeterwellenband, bei
welchem die Frequenz 60 GHz überschreitet, kann daher ei
ne Unterscheidung zwischen guten Produkten und defekten
Produkten auf der Grundlage der Chipcharakteristik des
MMIC-Chips 42 richtig erfolgen.
Des weiteren ist es bei dem Modul 40, welches den
MMIC-Chip 42 verwendet, möglich zu veranlassen, dass die
parallele Kapazität der Kontaktstellenhilfsabschnitte 16b
im Wesentlichen die parasitäre Induktivität der Bond
drähte 38 durch geeignetes Entwerfen der zusätzlichen
Kondensatorschichten 44 aufhebt, welche mit den jeweili
gen Kontaktstellenhilfsabschnitten 16b verbunden sind.
Wenn bei dem Modul 40 die Bonddrähte gebondet sind,
so dass der Kontaktstellenhauptabschnitt 16a und die je
weiligen Kontaktstellenhilfsabschnitte 16b überbrückt
werden, werden der Kontaktstellenhauptabschnitt 16a und
die Kontaktstellenhilfsabschnitte 16b durch die Bond
drähte 38 elektrisch zusammengeschlossen, und die Kon
taktstellenhilfsabschnitte 16b beeinflussen die elektri
sche Charakteristik des MMIC-Chips 42.
Die Bestimmung der Form und der Größen der zusätzli
chen Kondensatorschichten 44, welche mit den jeweiligen
Kontaktstellenhilfsabschnitten 16b entsprechend der Glei
chung (1) verbunden sind, ermöglicht es zu veranlassen,
dass die Kapazität der Kontaktstellenhilfsabschnitte 16b
die parasitäre Induktivitätskomponente der Bonddrähte 38
wirksam aufhebt, wodurch der Einfluss auf die Chipcharak
teristik im Wesentlichen aufgehoben wird.
ZO = 50 Ω = ((L + Lw)/(C + Cstb))1/2 1
wobei L eine Serieninduktivität der Hauptleitung 14
ist, welche mit dem Kontaktstellenhauptabschnitt 16a ver
bunden ist, C die parallele Kapazität der Hauptleitung 14
ist, welche mit dem Kontaktstellenhauptabschnitt 16a ver
bunden ist, Lw eine Serieninduktivität der Bonddrähte 38
ist und Cstb die parallele Kapazität der Kontaktstellen
hilfsabschnitte 16b und der zusammengefassten zusätzli
chen Kondensatorschichten 44 ist.
Bei dem MMIC-Chip 42 des Moduls 40 dienen die Kon
taktstellenhilfsabschnitte 16b und die zusätzlichen Kon
densatorschichten 44 als offene Verzweigung bzw. Blind
leitung (stub) und heben dadurch die parasitäre Indukti
vitätskomponente der Bonddrähte 38 auf, wodurch die elek
trische Chipcharakteristik wie die beim Herstellen des
MMIC-Chips 42 gemessene HF-Charakteristik mit der elek
trischen Charakteristik übereinstimmt, die erzielt wird,
wenn der MMIC-Chip 42 in dem Modul 40 angebracht wird.
Daher reflektiert die elektrische Charakteristik, welche
erzielt wird, wenn der MMIC-Chip 42 in dem Modul 40 ange
bracht wird, direkt die elektrische Charakteristik, die
beim Herstellen des MMIC-Chips 42 gemessen wird, wodurch
es ermöglicht wird eine HF-Schaltungsvorrichtung bereit
zustellen, die mit einem hohen Ertrag hergestellt werden
kann und kostengünstig und sehr zuverlässig ist.
Fig. 9 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines
MIC's (Microwave Integrated Circuit) einer dritten Aus
führungsform der Erfindung.
Entsprechend Fig. 9 bezeichnet Bezugszeichen 46 einen
MIC-Chip, und Bezugszeichen 48 bezeichnet ein Aluminium
oxidsubstrat des MIC-Chips 46. Es kann ein anderer Typ
eines dielektrischen Substrats anstelle des Aluminium
oxidsubstrats 48 verwendet werden.
Um bei diesem MIC-Chip 46 die Kosten zu reduzieren,
wird ein kostengünstiges dielektrisches Substrat wie das
Aluminiumoxidsubstrat 48 in Gebieten verwendet, in wel
chen ein aufwendiges GaAs-Substrat nicht benötigt wird,
und es wird ein GaAs-Substrat in Gebieten verwendet, wo
es wie in einem Gebiet benötigt wird, in welchem Transi
storen beispielsweise gebildet werden.
Bezugszeichen 50 bezeichnet einen MIC-Chip, welcher
Transistoren, passive Bauelemente, usw. enthält, welche
auf einem GaAs-Substrat gebildet werden, das auf den
MIC-Chip 46 chipgebondet ist.
Bezugszeichen 52 bezeichnet Drähte, welche die HF-
Kontaktstelle 16 des MIC-Chips 50 mit der Kontaktstelle
54 der Hauptleitung 14 des MIC-Chips 46 verbinden.
Bei dieser Ausführungsform wird die elektrische Cha
rakteristik von sowohl dem MIC-Chip 50, welcher die HF-
Kontaktstelle 16 enthält, als auch dem MIC-Chip 46, auf
welchen der MIC-Chip 50 chipgebondet worden ist und die
HF-Kontaktstelle 16 enthält, gemessen, wenn der Chip her
gestellt worden ist.
Da wie in dem Fall der ersten Ausführungsform der
Kontaktstellenhauptabschnitt 16a von jeder HF-Kontakt
stelle 16 dieselbe Breite wie die Hauptleitung 14 be
sitzt, das heißt nicht von den Seitenlinien der Hauptlei
tung 14 vorspringt, gibt es kein Ansteigen der Impedanz
infolge der parallelen parasitären Kontaktstellenkapazi
tät. Die HF-Charakteristik von jedem der MIC-Chips 46 und
50 wird entsprechend derselben Schaltungsspezifizierung
wie bei der Entwurfsstufe gemessen.
Daher kann sogar in einem bestimmten hohen Frequenz
bereich eine Unterscheidung zwischen guten Produkten und
defekten Produkten richtig auf der Grundlage der Chipcha
rakteristik der MIC-Chips 46 und 50 durchgeführt werden.
Dies ermöglicht einen MIC-Chip bereitzustellen, welcher
lediglich kleine Variationen in der elektrischen Chipcha
rakteristik wie der HF-Charakteristik besitzt und wegen
der Verwendung eines verringerten Betrags eines
GaAs-Substrats, welches aufwendig ist, kostengünstig ist.
Fig. 10 zeigt eine Draufsicht auf ein Modul der drit
ten Ausführungsform der Erfindung.
Entsprechend Fig. 10 bezeichnet Bezugszeichen 56 ein
Modul wie eine HF-Schaltungsvorrichtung.
Das Modul 56 besitzt dieselbe elementare Struktur wie
das Modul 30 der ersten Ausführungsform mit der Ausnahme,
dass der MIC-Chip 46 als HF-Schaltungschip auf das Alumi
niumoxidsubstrat 32 chipgebondet ist.
Daher wird das Modul 56 wie die HF-Schaltungsvorrich
tung der dritten Ausführungsform ebenfalls durch Anbrin
gen des MIC-Chips 46 zusammengebaut, welcher lediglich
kleine Variationen in der elektrischen Charakteristik be
sitzt und daher mit einem hohen Ertrag hergestellt werden
kann. Mit dem zusätzlichen Vorteil, dass die Kosten des
MIC-Chips 46 niedrig sind, kann eine HF-Schaltungsvor
richtung konstruiert werden, die kostengünstig und sehr
zuverlässig ist.
Fig. 11 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines
MMIC-Chips einer vierten Ausführungsform der Erfindung.
Entsprechend Fig. 11 bezeichnet Bezugszeichen 60 ei
nen MMIC-Chip. Bezugszeichen 62 bezeichnet DC-Vorspan
nungsleitungen als erste Verdrahtungsschichten, welche
auf der Oberfläche des MMIC-Chips 60 vorgesehen sind. Be
zugszeichen 64 bezeichnet DC-Kontaktstellen, welche zu
einander benachbart an den Enden der jeweiligen DC-Vor
spannungsleitungen 62 mit einem dazwischen gebildeten In
tervall vorgesehen sind.
Fig. 11 zeigt lediglich einen Teil des MMIC's 60, das
heißt Endabschnitte der DC-Vorspannungsleitungen 62 und
die DC-Kontaktstellen 64. Obwohl in Fig. 11 nicht darge
stellt sind bei dem MMIC 60 die DC-Vorspannungsleitungen
62 mit Schaltungselementen wie Transistoren (aktiven Bau
elementen und passiven Bauelementen) verbunden.
Fig. 12 zeigt ein schematisches Diagramm, welches
darstellt, wie die Chipcharakteristik des MMIC-Chips 60
der vierten Ausführungsform der Erfindung gemessen wird.
Insbesondere zeigt Fig. 12 ein Verfahren zum Aufbringen
von DC-Vorspannungen beim Abschätzen des MMIC's 60.
Wie in Fig. 12 dargestellt, wird die Chipcharakteri
stik des MMIC-Chips 60 derart gemessen, dass Sonden 24,
welche an einem Sondenkopf 22 befestigt sind, in Kontakt
mit den jeweiligen DC-Kontaktstellen 64 gebracht werden,
welche an den Enden der jeweiligen DC-Vorspannungsleitun
gen 62 vorgesehen sind, und DC-Vorspannungen den jeweili
gen DC-Kontaktstellen 64 angelegt werden. Wenn der MMIC-
Chip 60 beispielsweise eine Verstärkerschaltung wäre,
würde die Messung der Chipcharakteristik infolge der Os
zillation manchmal schwierig sein, falls die DC-Vorspan
nungsleitungen 62 keine separaten Enden hätten, da der
MMIC 60, welcher in dieser Stufe nicht geerdet ist, in
stabil ist. Demgegenüber kann bei dieser Ausführungsform
durch Anlegen von Vorspannungen an die separaten DC-Kon
taktstellen 64 eine Oszillation verändert werden, um eine
geeignete Beurteilung von guten Produkten und defekten
Produkten zu ermöglichen.
Fig. 13 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil eines
Moduls der vierten Ausführungsform der Erfindung.
Entsprechend Fig. 13 bezeichnet Bezugszeichen 70 ein
Modul wie eine HF-Schaltungsvorrichtung, und Bezugszei
chen 72 bezeichnet eine DC-Vorspannungsleitung wie eine
zweite Verdrahtungsschicht. Die DC-Vorspannungsleitung 72
ist auf der Oberfläche eines Aluminumoxidsubstrats 32
vorgesehen und besitzt eine Struktur, bei welcher eine
obere plattierte Au-Schicht auf einer aufgedampften Me
tallschicht gebildet ist. Bezugszeichen 74 bezeichnet ei
ne DC-Kontaktstelle der DC-Vorspannungsleitung 72. Die
DC-Kontaktstelle 74 besitzt dieselbe Struktur wie die DC-
Vorspannungsleitung 72. Bezugszeichen 76 bezeichnet einen
Bonddraht wie einen dritten Verbindungsleiter.
Bei dem Modul 70 ist ein Ende des Bonddrahts 76 auf
die DC-Kontaktstellen 64 gebondet, um die DC-Kontaktstel
len 64 zu überbrücken, welche mit einem dazwischen gebil
deten Abstand an den Enden der jeweiligen DC-Vorspan
nungsleitungen 62 vorgesehen sind, die parallel zueinan
der auf der Oberfläche des MMIC-Chips 60 angeordnet sind.
Das andere Ende des Bonddrahts 76 ist auf die DC-Kontakt
stelle 74 der DC-Vorspannungsleitung 72 gebondet, welche
auf dem Aluminiumoxidsubstrat 32 vorgesehen ist.
Bei dem Modul 70 wie der HF-Schaltungsvorrichtung der
vierten Ausführungsform kann die elektrische Charakteri
stik geeignet beim Herstellen des MMIC-Chip's 60 abge
schätzt werden. Das Modul 70 kann durch Anbringen des
MMIC-Chips 60 zusammengebaut werden, welcher lediglich
kleine Variationen der elektrischen Charakteristik be
sitzt. Als Ergebnis kann eine HF-Schaltungsvorrichtung
hergestellt werden, welche mit einem hohen Ertrag herge
stellt werden kann und kostengünstig und sehr zuverlässig
ist.
Obwohl jede der obigen Ausführungsformen auf das Mo
dul gerichtet ist, können dieselben Vorteile sogar in dem
Falle eines Bausteins erzielt werden.
Die Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung
können wie folgt zusammengefasst werden. Es besitzen der
HF-Schaltungschip, die HF-Schaltungsvorrichtung und ihre
Herstellungsverfahren der Erfindung die folgenden Merkma
le und Vorteile.
Ein HF-Schaltungschip entsprechend einem ersten Ge
sichtspunkt der Erfindung wird bereitgestellt mit einer
ersten Verdrahtungsschicht, welche auf einem Substrat
vorgesehen ist und einen Endabschnitt aufweist; ersten
und zweiten Leiterschichten, welche inselförmig benach
bart zu dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungsschicht
auf einer oder beiden Seiten davon vorgesehen sind; und
einer Erdungsleiterschicht, welche auf wenigstens einer
Seite des Endabschnitts vorgesehen ist, wobei wenigstens
eine der ersten und zweiten Leiterschichten dazwischen
angeordnet ist. Diese Struktur ermöglicht es die elektri
sche Chipcharakteristik entsprechend derselben Spezifi
zierung wie bei der Entwurfstufe ohne ein Ansteigen der
Bonddrahtkapazität abzuschätzen, während eine hinrei
chende Drahtbondfläche sichergestellt wird. Ebenfalls
können Unterschiede von der elektrischen Charakteristik
nach dem Drahtbonden verringert werden. Als Ergebnis kann
ein HF-Schaltungschip bereitgestellt werden, welcher le
diglich kleine Variationen der elektrischen Charakteri
stik aufweist.
Ein anderer HF-Schaltungschip entsprechend einem an
deren Gesichtspunkt der Erfindung wird bereitgestellt mit
ersten Verdrahtungsschichten, welche derart auf einem
Substrat vorgesehen sind, dass sie sich parallel zueinan
der mit einem vorgeschriebenen dazwischen gebildeten Ab
stand erstrecken und jeweils Endabschnitte aufweisen,
welche mit einem dazwischen gebildeten Abstand zueinander
benachbart sind. Mit dieser Struktur können DC-Vorspan
nungen individuell an Endabschnitte der jeweiligen ersten
Verdrahtungsschichten angelegt werden, und daher kann die
elektrische Chipcharakteristik mit lediglich einem klei
nen Einfluss auf ein HF-Signal gemessen werden. Als Er
gebnis kann ein HF-Schaltungschip bereitgestellt werden,
welcher lediglich kleine Variationen in der elektrischen
Charakteristik aufweist.
Entsprechend einem anderen Gesichtspunkt der vorlie
genden Erfindung kann das Substrat ein GaAs-Substrat
sein. In diesem Fall wird ein HF-Schaltungschip mit einer
einfachen Struktur bereitgestellt, welcher lediglich
kleine Variationen der elektrischen Charakteristik auf
weist.
Entsprechend einem anderen Gesichtspunkt der Erfin
dung kann das Substrat ebenfalls ein dielektrisches
Substrat sein. Unter Verwendung eines dielektrischen
Substrats in Gebieten, in welchen ein Halbleitersubstrat
nicht benötigt wird, kann ein HF-Schaltungschip, welcher
lediglich kleine Variationen der elektrischen Charakteri
stik aufweist, mit einer kostengünstigen bzw. nicht auf
wendigen Struktur bereitgestellt werden.
Eine HF-Schaltungsvorrichtung entsprechend einem an
deren Gesichtspunkt der Erfindung wird bereitgestellt mit
einem dielektrischen Substrat; einem HF-Schaltungschip,
welcher auf dem dielektrischen Substrat vorgesehen ist,
wobei der HF-Schaltungschip eine erste Verdrahtungs
schicht, welche auf einem Substrat vorgesehen ist und ei
nen Endabschnitt aufweist; erste und zweite Leiterschich
ten, welche inselförmig benachbart zu dem Endababschnitt
der ersten Verdrahtungsschicht auf einer oder beiden Sei
ten davon vorgesehen sind; und eine Erdungsleiterschicht
aufweist, welche auf wenigstens einer Seite des Endab
schnitts vorgesehen ist, wobei wenigstens eine der ersten
und zweiten Leiterschichten dazwischen angeordnet ist;
einer zweiten Verdrahtungsschicht, welche auf dem dielek
trischen Substrat vorgesehen ist; einem ersten Verbin
dungsleiter, welcher ein erstes Ende und ein zweites Ende
aufweist, wobei das erste Ende mit dem Endabschnitt der
ersten Verdrahtungsschicht des HF-Schaltungschips und der
ersten Leiterschicht verbunden ist, um jene zu über
brücken, wobei das zweite Ende mit der zweiten Verdrah
tungsschicht verbunden ist; und einem zweiten Verbin
dungsleiter, welcher ein erstes Ende und ein zweites Ende
aufweist, wobei das erste Ende mit dem Endabschnitt der
ersten Verdrahtungsschicht des HF-Schaltungschips und der
zweiten Leiterschicht verbunden ist, um jene zu über
brücken, wobei das zweite Ende mit der zweiten Verdrah
tungsschicht verbunden ist. Diese Struktur ermöglicht es
eine hinreichende Bondfläche sicherzustellen, die mecha
nische Stärke und die elektrische Charakteristik des Bon
dens beizubehalten und Variationen der elektrischen Cha
rakteristik wie der HF-Charakteristik zu verringern. Als
Ergebnis kann eine HF-Schaltungsvorrichtung bereitge
stellt werden, welche mit einem hohen Ertrag hergestellt
werden kann und kostengünstig und sehr zuverlässig ist.
Entsprechend einem anderen Gesichtspunkt der Erfin
dung können die ersten und zweiten Leiterschichten eine
offene Verzweigung bilden, welche eine Kapazität auf
weist, die im Wesentlichen die parasitäre Induktivität
der ersten und zweiten Verbindungsleiter aufhebt. In die
sem Fall kann die elektrische Charakteristik wie die HF-
Charakteristik gleich wie bei der Entwurfstufe, der Chip
abschätzungsstufe bzw. der Chipbestimmungsstufe und der
Chipanbringungsstufe gehalten werden. Da die elektrische
Charakteristik bei der Chipanbringungsstufe direkt jene
wie bei der Chipabschätzungsstufe reflektiert, kann eine
HF-Schaltungsvorrichtung bereitgestellt werden, welche
mit einem hohen Ertrag hergestellt werden kann und ko
stengünstig und sehr zuverlässig ist.
Entsprechend einem anderen Gesichtspunkt der Erfin
dung wird eine andere HF-Schaltungsvorrichtung bereitge
stellt mit einem dielektrischen Substrat; einem HF-Schal
tungschip, welcher auf dem dielektrischen Substrat ange
ordnet ist und erste Verdrahtungsschichten aufweist, wel
che auf einem Substrat vorgesehen sind, um sich parallel
zueinander mit einem vorgeschriebenen dazwischen gebilde
ten Abstand zu erstrecken, und jeweils Endabschnitte auf
weisen, die zueinander mit einem dazwischen gebildeten
Abstand benachbart sind; einer zweiten Verdrahtungs
schicht, welche auf dem dielektrischen Substrat vorgese
hen ist und mit einer DC-Vorspannung versorgt wird; und
einem dritten Verbindungsleiter, welcher ein erstes Ende
und ein zweites Ende aufweist, wobei das erste Ende mit
den Endabschnitten der ersten Verdrahtungsschichten des
HF-Schaltungschips verbunden ist, um jene zu überbrücken,
und das zweite Ende mit der zweiten Verdrahtungsschicht
verbunden ist. Diese Struktur ermöglicht es eine hinrei
chende Bondfläche sicherzustellen, die mechanische Stärke
und die elektrische Charakteristik des Bondens aufrecht
zuerhalten und Variationen der elektrischen Charakteri
stik wie der HF-Charakteristik zu verringern. Als Ergeb
nis kann eine HF-Schaltungsvorrichtung bereitgestellt
werden, welche mit einem hohen Ertrag hergestellt werden
kann und kostengünstig und sehr zuverlässig ist.
Ein Herstellungsverfahren eines HF-Schaltungschips
entsprechend einem anderen Gesichtspunkt der Erfindung
enthält die Schritte Bilden auf einem Substrat einer HF-
Schaltung mit einer ersten Verdrahtungsschicht, welche
einen Endabschnitt aufweist, ersten und zweiten Leiter
schichten, welche inselförmig benachbart zu dem Endab
schnitt der ersten Verdrahtungsschicht auf einer oder
zwei Seiten davon vorgesehen sind, und einer Erdungslei
terschicht, welche auf wenigstens einer Seite des Endab
schnitts der ersten Verdrahtungsschicht vorgesehen ist,
wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Leiter
schichten dazwischen angeordnet ist; und Messen der elek
trischen Charakteristik der HF-Schaltung dadurch, dass
Kontaktanschlüsse in Kontakt mit dem Endabschnitt der er
sten Verdrahtungssschicht der HF-Schaltung und der Er
dungsleiterschicht gebracht werden. Dieses Herstellungs
verfahren ermöglicht es die elektrische Chipcharakteri
stik wie die HF-Charakteristik derselben Spezifizierung
wie bei der Entwurfstufe abzuschätzen bzw. zu bestimmen
und daher eine geeignete Beurteilung in Bezug auf gute
Produkte und defekte Produkte vorzunehmen, wenn die Chips
hergestellt worden sind. Als Ergebnis können HF-Schal
tungschips hergestellt werden, welche bezüglich der elek
trischen Charakteristik gleichförmig sind.
Ein anderes Herstellungsverfahren eines HF-Schal
tungschips entsprechend einem anderen Gesichtspunkts der
Erfindung enthält die Schritte Bilden auf einem Substrat
einer HF-Schaltung mit ersten Verdrahtungsschichten, wel
che sich parallel zueinander mit einem vorgeschriebenen
dazwischen gebildeten Abstand erstrecken und jeweils End
abschnitte aufweisen, die mit einem dazwischen gebildeten
Abstand zueinander benachbart sind; und Messen der elek
trischen Charakteristik der HF-Schaltung dadurch, dass
Kontaktanschlüsse in Kontakt mit den Endabschnitten der
jeweiligen ersten Verdrahtungsschichten der HF-Schaltung
gebracht und DC-Vorspannungen den jeweiligen Endabschnit
ten angelegt werden. Dieses Herstellungsverfahren ermög
licht es die elektrische Chipcharakteristik durch Anlegen
von DC-Vorspannungen mit lediglich einem kleinen Einfluss
auf ein HF-Signal geeignet abzuschätzen bzw. zu bestimmen
und daher eine geeignete Beurteilung in Bezug auf gute
Produkte und defekte Produkte, wenn Chips hergestellt
worden sind. Als Ergebnis können HF-Schaltungschips her
gestellt werden, welche bezüglich der elektrischen Cha
rakteristik gleichförmig sind.
Ein anderes Herstellungsverfahren einer HF-Schal
tungsvorrichtung entsprechend einem anderen Gesichtspunkt
der Erfindung enthält die Schritte Herstellen eines HF-
Schaltungschips durch Bilden auf einem Substrat einer HF-
Schaltung mit einer ersten Verdrahtungsschicht, welche
einen Endabschnitt aufweist, ersten und zweiten Leiter
schichten, welche inselförmig benachbart zu dem Endab
schnitt der ersten Verdrahtungsschicht auf einer oder
beiden Seiten davon vorgesehen sind, und einer Erdungs
leiterschicht, welche wenigstens auf einer Seite des End
abschnitts der ersten Verdrahtungsschicht vorgesehen ist,
wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Leiter
schichten dazwischen angeordnet ist; und Messen der elek
trischen Charakteristik der HF-Schaltung dadurch, dass
Kontaktanschlüsse in Kontakt mit dem Endabschnitt der er
sten Verdrahtungsschicht der HF-Schaltung und der Er
dungsleiterschicht gebracht werden; und Bonden des HF-
Schaltungschips auf ein dielektrisches Substrat, auf wel
chem eine zweite Verdrahtungsschicht gebildet ist, Ver
binden von einem Ende des ersten Verbindungsleiters mit
dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungsschicht des HF-
Schaltungschips und der ersten Leiterschicht, um jene zu
überbrücken, und von dem anderen Ende des ersten Verbin
dungsleiters mit der zweiten Verdrahtungsschicht und Ver
binden von einem Ende des zweiten Verbindungsleiters mit
dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungsschicht des HF-
Schaltungschips und der zweiten Leiterschicht, um jene zu
überbrücken, und von dem anderen Ende des zweiten Verbin
dungsleiters mit der zweiten Verdrahtungsschicht. Dieses
Herstellungsverfahren ermöglicht es durch einen einfachen
Prozess eine HF-Schaltungsvorrichtung herzustellen, wel
che eine hinreichende mechanische Stärke und eine gute
elektrische Charakteristik des Bondens besitzt und ledig
lich kleine Variationen der elektrischen Charakteristik
wie der HF-Charakteristik aufweist. Als Ergebnis kann ei
ne HF-Schaltungsvorrichtung bereitgestellt werden, welche
mit einem hohen Ertrag hergestellt werden kann und ko
stengünstig und sehr zuverlässig ist.
Ein anderes Herstellungsverfahren einer HF-Schal
tungsvorrichtung entsprechend einem anderen Gesichtspunkt
der Erfindung enthält die Schritte Herstellen eines HF-
Schaltungschips durch Bilden auf einem Substrat einer HF-
Schaltung mit ersten Verdrahtungsschichten, welche sich
parallel zueinander mit einem vorgeschriebenen dazwischen
gebildeten Abstand erstrecken und jeweils Endabschnitte
aufweisen, welche mit einem dazwischen gebildeten Abstand
zueinander benachbart sind; und Messen einer elektrischen
Charakteristik der HF-Schaltung dadurch, dass Kontaktan
schlüsse in Kontakt mit den Endabschnitten der jeweiligen
ersten Verdrahtungsschichten der HF-Schaltung gebracht
und DC-Vorspannungen den jeweiligen Endabschnitten ange
legt werden; und Bonden des HF-Schaltungschips auf ein
dielektrisches Substrat, auf welchem eine zweite Verdrah
tungsschicht gebildet ist, und Verbinden von einem Ende
eines dritten Verbindungsleiters mit den Endabschnitten
der ersten Verdrahtungsschichten des HF-Schaltungschips,
um jene zu überbrücken, und von dem anderen Ende des
dritten Verbindungsleiters mit der zweiten Verdrahtungs
schicht. Dieses Herstellungsverfahren ermöglicht es durch
einen einfachen Prozess eine HF-Schaltungsvorrichtung
herzustellen, welche eine hinreichende mechanische Stärke
und eine gute elektrische Charakteristik des Bondens be
sitzt und lediglich kleine Variationen der elektrischen
Charakteristik aufweist. Als Ergebnis kann eine HF-Schal
tungsvorrichtung bereitgestellt werden, welche mit einem
hohen Ertrag hergestellt werden kann und kostengünstig
und sehr zuverlässig ist.
Im Hinblick auf die obige Lehre ergeben sich viele
Modifizierungen und Veränderungen der vorliegenden Erfin
dung. Es versteht sich daher, dass innerhalb des Rahmens
der beigefügten Ansprüche die Erfindung anders als spezi
fisch beschrieben ausgeführt werden kann.
Die gesamte Offenbarung der am 8. Mai 2001 einge
reichten Japanischen Patentanmeldung Nr. 2001-137421 ein
schließlich der Beschreibung, den Ansprüchen, den Figuren
und der Zusammenfassung, auf welche sich die Priorität
der vorliegenden Anmeldung gründet, ist durch Bezugnahme
vollständig aufgenommen.
Vorstehend wurden ein HF-Schaltungschip, eine HF-
Schaltungsvorrichtung mit einem HF-Schaltungschip und ein
Herstellungsverfahren davon offenbart. Um Variationen bei
der Messung der Chipcharakteristik infolge einer erhöhten
Bondkontaktstellenfläche aufzuheben, ist ein MMIC-Chip
wie folgt strukturiert. Ein Kontaktstellenhauptabschnitt,
welcher dieselbe Breite wie eine Hauptleitung aufweist,
ist an einem Ende der Hauptleitung vorgesehen, welche auf
einem GaAs-Substrat 12 vorgesehen ist. Eine Mehrzahl von
Kontaktstellenhilfsabschnitten ist inselförmig dem Kon
taktstellenhauptabschnitt auf einer oder beiden Seiten
davon benachbart. Eine Erdungsverdrahtungsschicht ist auf
wenigstens einer Seite des Kontaktstellenhauptabschnitts
vorgesehen, wobei der Kontaktschwellenhilfsabschnitt da
zwischen angeordnet ist. Der Kontaktstellenhauptabschnitt
und die Kontaktstellenhilfsabschnitte stellen eine hin
reichende Bondfläche sicher. Die elektrische Charakteri
stik wird dadurch gemessen, dass Sonden in Kontakt mit
dem Kontaktstellenhauptabschnitt 16a und der bzw. den Er
dungsverdrahtungsschichten gebracht werden. Die elektri
sche Charakteristik des MMIC-Chips kann ohne Ansteigen
der Bondkontaktstellenkapazität abgeschätzt werden.
Claims (11)
1. HF-Schaltungschip mit:
einer ersten Verdrahtungsschicht (14), welche auf einem Substrat (12) vorgesehen ist und einen Endabschnitt (16a) aufweist;
ersten und zweiten Leiterschichten (16b), welche in selförmig benachbart zu dem Endabschnitt der ersten Ver drahtungsschicht auf einer oder beiden Seiten davon vor gesehen sind; und
einer Erdungsleiterschicht (20), welche auf wenig stens einer Seite des Endabschnitts vorgesehen ist, wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Leiterschichten dazwischen angeordnet ist. (Fig. 1)
einer ersten Verdrahtungsschicht (14), welche auf einem Substrat (12) vorgesehen ist und einen Endabschnitt (16a) aufweist;
ersten und zweiten Leiterschichten (16b), welche in selförmig benachbart zu dem Endabschnitt der ersten Ver drahtungsschicht auf einer oder beiden Seiten davon vor gesehen sind; und
einer Erdungsleiterschicht (20), welche auf wenig stens einer Seite des Endabschnitts vorgesehen ist, wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Leiterschichten dazwischen angeordnet ist. (Fig. 1)
2. HF-Schaltungschip mit ersten Verdrahtungsschichten
(62), welche derart auf einem Substrat (12) vorgesehen
sind, dass sie sich parallel zueinander mit einem vorge
schriebenen dazwischen gebildeten Abstand erstrecken und
jeweils Endabschnitte (64) aufweisen, welche mit einem
dazwischen gebildeten Abstand zueinander benachbart sind.
(Fig. 11)
3. HF-Schaltungschip nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass das Substrat ein GaAs-Substrat ist.
4. HF-Schaltungschip nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass das Substrat ein dielektrisches
Substrat ist.
5. HF-Schaltungsvorrichtung mit:
einem dielektrischen Substrat (32);
einem HF-Schaltungschip (10), welcher auf dem die lektrischen Substrat vorgesehen ist, wobei der HF-Schal tungschip aufweist:
eine erste Verdrahtungsschicht, welche auf einem Substrat vorgesehen ist und einen Endabschnitt aufweist;
erste und zweite Leiterschichten, welche inselförmig benachbart zu dem Endababschnitt der ersten Verdrahtungs schicht auf einer oder beiden Seiten davon vorgesehen sind; und
eine Erdungsleiterschicht, welche auf wenigstens ei ner Seite des Endabschnitts vorgesehen ist, wobei wenig stens eine der ersten und zweiten Leiterschichten dazwi schen angeordnet ist;
einer zweiten Verdrahtungsschicht (34), welche auf dem dielektrischen Substrat vorgesehen ist;
einem ersten Verbindungsleiter (38), welcher ein er stes Ende und ein zweites Ende aufweist, wobei das erste Ende mit dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungsschicht des HF-Schaltungschips und der ersten Leiterschicht ver bunden ist, um jene zu überbrücken, wobei das zweite Ende mit der zweiten Verdrahtungsschicht verbunden ist; und
einem zweiten Verbindungsleiter (38), welcher ein erstes Ende und ein zweites Ende aufweist, wobei das er ste Ende mit dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungs schicht des HF-Schaltungschips und der zweiten Leiter schicht verbunden ist, um jene zu überbrücken, wobei das zweite Ende mit der zweiten Verdrahtungsschicht verbunden ist. (Fig. 7)
einem dielektrischen Substrat (32);
einem HF-Schaltungschip (10), welcher auf dem die lektrischen Substrat vorgesehen ist, wobei der HF-Schal tungschip aufweist:
eine erste Verdrahtungsschicht, welche auf einem Substrat vorgesehen ist und einen Endabschnitt aufweist;
erste und zweite Leiterschichten, welche inselförmig benachbart zu dem Endababschnitt der ersten Verdrahtungs schicht auf einer oder beiden Seiten davon vorgesehen sind; und
eine Erdungsleiterschicht, welche auf wenigstens ei ner Seite des Endabschnitts vorgesehen ist, wobei wenig stens eine der ersten und zweiten Leiterschichten dazwi schen angeordnet ist;
einer zweiten Verdrahtungsschicht (34), welche auf dem dielektrischen Substrat vorgesehen ist;
einem ersten Verbindungsleiter (38), welcher ein er stes Ende und ein zweites Ende aufweist, wobei das erste Ende mit dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungsschicht des HF-Schaltungschips und der ersten Leiterschicht ver bunden ist, um jene zu überbrücken, wobei das zweite Ende mit der zweiten Verdrahtungsschicht verbunden ist; und
einem zweiten Verbindungsleiter (38), welcher ein erstes Ende und ein zweites Ende aufweist, wobei das er ste Ende mit dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungs schicht des HF-Schaltungschips und der zweiten Leiter schicht verbunden ist, um jene zu überbrücken, wobei das zweite Ende mit der zweiten Verdrahtungsschicht verbunden ist. (Fig. 7)
6. HF-Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch
gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Leiterschich
ten eine offene Verzweigung bilden, welche eine Kapazität
aufweist, die im Wesentlichen die parasitäre Induktivität
der ersten und zweiten Verbindungsleiter aufhebt. (Fig.
8)
7. HF-Schaltungsvorrichtung mit:
einem dielektrischen Substrat (32);
einem HF-Schaltungschip (12), welcher auf dem die lektrischen Substrat angeordnet ist und erste Verdrah tungsschichten aufweist, welche auf einem Substrat vorge sehen sind, um sich parallel zueinander mit einem vorge schriebenen dazwischen gebildeten Abstand zu erstrecken, und jeweils Endabschnitte aufweisen, die zueinander mit einem dazwischen gebildeten Abstand benachbart sind;
einer zweiten Verdrahtungsschicht (72), welche auf dem dielektrischen Substrat vorgesehen ist und mit einer DC-Vorspannung versorgt wird; und
einem dritten Verbindungsleiter (76), welcher ein erstes Ende und ein zweites Ende aufweist, wobei das er ste Ende mit den Endabschnitten der ersten Verdrahtungs schichten des HF-Schaltungschips verbunden ist, um jene zu überbrücken, und das zweite Ende mit der zweiten Ver drahtungsschicht verbunden ist. (Fig. 13)
einem dielektrischen Substrat (32);
einem HF-Schaltungschip (12), welcher auf dem die lektrischen Substrat angeordnet ist und erste Verdrah tungsschichten aufweist, welche auf einem Substrat vorge sehen sind, um sich parallel zueinander mit einem vorge schriebenen dazwischen gebildeten Abstand zu erstrecken, und jeweils Endabschnitte aufweisen, die zueinander mit einem dazwischen gebildeten Abstand benachbart sind;
einer zweiten Verdrahtungsschicht (72), welche auf dem dielektrischen Substrat vorgesehen ist und mit einer DC-Vorspannung versorgt wird; und
einem dritten Verbindungsleiter (76), welcher ein erstes Ende und ein zweites Ende aufweist, wobei das er ste Ende mit den Endabschnitten der ersten Verdrahtungs schichten des HF-Schaltungschips verbunden ist, um jene zu überbrücken, und das zweite Ende mit der zweiten Ver drahtungsschicht verbunden ist. (Fig. 13)
8. Verfahren zur Herstellung eines HF-Schaltungschips,
mit den Schritten:
Bilden auf einem Substrat einer HF-Schaltung mit ei ner ersten Verdrahtungsschicht, welche einen Endabschnitt aufweist, ersten und zweiten Leiterschichten, welche in selförmig benachbart zu dem Endabschnitt der ersten Ver drahtungsschicht auf einer oder zwei Seiten davon vorge sehen sind, und einer Erdungsleiterschicht, welche auf wenigstens einer Seite des Endabschnitts der ersten Ver drahtungsschicht vorgesehen ist, wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Leiterschichten dazwischen ange ordnet ist; und
Messen der elektrischen Charakteristik der HF-Schal tung dadurch, dass Kontaktanschlüsse in Kontakt mit dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungssschicht der HF- Schaltung und der Erdungsleiterschicht gebracht werden. (Fig. 2)
Bilden auf einem Substrat einer HF-Schaltung mit ei ner ersten Verdrahtungsschicht, welche einen Endabschnitt aufweist, ersten und zweiten Leiterschichten, welche in selförmig benachbart zu dem Endabschnitt der ersten Ver drahtungsschicht auf einer oder zwei Seiten davon vorge sehen sind, und einer Erdungsleiterschicht, welche auf wenigstens einer Seite des Endabschnitts der ersten Ver drahtungsschicht vorgesehen ist, wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Leiterschichten dazwischen ange ordnet ist; und
Messen der elektrischen Charakteristik der HF-Schal tung dadurch, dass Kontaktanschlüsse in Kontakt mit dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungssschicht der HF- Schaltung und der Erdungsleiterschicht gebracht werden. (Fig. 2)
9. Verfahren zur Herstellung eines HF-Schaltungschips,
mit den Schritten:
Bilden auf einem Substrat einer HF-Schaltung mit er sten Verdrahtungsschichten, welche sich parallel zueinan der mit einem vorgeschriebenen dazwischen gebildeten Ab stand erstrecken und jeweils Endabschnitte aufweisen, die mit einem dazwischen gebildeten Abstand zueinander be nachbart sind; und
Messen der elektrischen Charakteristik der HF-Schal tung dadurch, dass Kontaktanschlüsse in Kontakt mit den Endabschnitten der jeweiligen ersten Verdrahtungsschich ten der HF-Schaltung gebracht und DC-Vorspannungen den jeweiligen Endabschnitten angelegt werden. (Fig. 12)
Bilden auf einem Substrat einer HF-Schaltung mit er sten Verdrahtungsschichten, welche sich parallel zueinan der mit einem vorgeschriebenen dazwischen gebildeten Ab stand erstrecken und jeweils Endabschnitte aufweisen, die mit einem dazwischen gebildeten Abstand zueinander be nachbart sind; und
Messen der elektrischen Charakteristik der HF-Schal tung dadurch, dass Kontaktanschlüsse in Kontakt mit den Endabschnitten der jeweiligen ersten Verdrahtungsschich ten der HF-Schaltung gebracht und DC-Vorspannungen den jeweiligen Endabschnitten angelegt werden. (Fig. 12)
10. Verfahren zur Herstellung einer HF-Schaltungsvor
richtung, mit den Schritten:
Herstellen eines HF-Schaltungschips durch:
Bilden auf einem Substrat einer HF-Schaltung mit ei ner ersten Verdrahtungsschicht, welche einen Endabschnitt aufweist, ersten und zweiten Leiterschichten, welche in selförmig benachbart zu dem Endabschnitt der ersten Ver drahtungsschicht auf einer oder beiden Seiten davon vor gesehen sind, und einer Erdungsleiterschicht, welche we nigstens auf einer Seite des Endabschnitts der ersten Verdrahtungsschicht vorgesehen ist, wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Leiterschichten dazwischen ange ordnet ist; und
Messen der elektrischen Charakteristik der HF-Schal tung dadurch, dass Kontaktanschlüsse in Kontakt mit dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungsschicht der HF-Schal tung und der Erdungsleiterschicht gebracht werden; und
Bonden des HF-Schaltungschips auf ein dielektrisches Substrat, auf welchem eine zweite Verdrahtungsschicht ge bildet ist, Verbinden von einem Ende des ersten Verbin dungsleiters mit dem Endabschnitt der ersten Verdrah tungsschicht des HF-Schaltungschips und der ersten Lei terschicht, um jene zu überbrücken, und von dem anderen Ende des ersten Verbindungsleiters mit der zweiten Ver drahtungsschicht und Verbinden von einem Ende des zweiten Verbindungsleiters mit dem Endabschnitt der ersten Ver drahtungsschicht des HF-Schaltungschips und der zweiten Leiterschicht, um jene zu überbrücken, und von dem ande ren Ende des zweiten Verbindungsleiters mit der zweiten Verdrahtungsschicht. (Fig. 7)
Herstellen eines HF-Schaltungschips durch:
Bilden auf einem Substrat einer HF-Schaltung mit ei ner ersten Verdrahtungsschicht, welche einen Endabschnitt aufweist, ersten und zweiten Leiterschichten, welche in selförmig benachbart zu dem Endabschnitt der ersten Ver drahtungsschicht auf einer oder beiden Seiten davon vor gesehen sind, und einer Erdungsleiterschicht, welche we nigstens auf einer Seite des Endabschnitts der ersten Verdrahtungsschicht vorgesehen ist, wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Leiterschichten dazwischen ange ordnet ist; und
Messen der elektrischen Charakteristik der HF-Schal tung dadurch, dass Kontaktanschlüsse in Kontakt mit dem Endabschnitt der ersten Verdrahtungsschicht der HF-Schal tung und der Erdungsleiterschicht gebracht werden; und
Bonden des HF-Schaltungschips auf ein dielektrisches Substrat, auf welchem eine zweite Verdrahtungsschicht ge bildet ist, Verbinden von einem Ende des ersten Verbin dungsleiters mit dem Endabschnitt der ersten Verdrah tungsschicht des HF-Schaltungschips und der ersten Lei terschicht, um jene zu überbrücken, und von dem anderen Ende des ersten Verbindungsleiters mit der zweiten Ver drahtungsschicht und Verbinden von einem Ende des zweiten Verbindungsleiters mit dem Endabschnitt der ersten Ver drahtungsschicht des HF-Schaltungschips und der zweiten Leiterschicht, um jene zu überbrücken, und von dem ande ren Ende des zweiten Verbindungsleiters mit der zweiten Verdrahtungsschicht. (Fig. 7)
11. Verfahren zur Herstellung einer HF-Schaltungsvor
richtung, mit den Schritten:
Herstellen eines HF-Schaltungschips durch:
Bilden auf einem Substrat einer HF-Schaltung mit er sten Verdrahtungsschichten, welche sich parallel zueinan der mit einem vorgeschriebenen dazwischen gebildeten Ab stand erstrecken und jeweils Endabschnitte aufweisen, welche mit einem dazwischen gebildeten Abstand zueinander benachbart sind; und
Messen einer elektrischen Charakteristik der HF- Schaltung dadurch, dass Kontaktanschlüsse in Kontakt mit den Endabschnitten der jeweiligen ersten Verdrahtungs schichten der HF-Schaltung gebracht und DC-Vorspannungen den jeweiligen Endabschnitten angelegt werden; und
Bonden des HF-Schaltungschips auf ein dielektrisches Substrat, auf welchem eine zweite Verdrahtungsschicht ge bildet ist, und Verbinden von einem Ende eines dritten Verbindungsleiters mit den Endabschnitten der ersten Ver drahtungsschichten des HF-Schaltungschips, um jene zu überbrücken, und von dem anderen Ende des dritten Verbin dungsleiters mit der zweiten Verdrahtungsschicht. (Fig. 13)
Herstellen eines HF-Schaltungschips durch:
Bilden auf einem Substrat einer HF-Schaltung mit er sten Verdrahtungsschichten, welche sich parallel zueinan der mit einem vorgeschriebenen dazwischen gebildeten Ab stand erstrecken und jeweils Endabschnitte aufweisen, welche mit einem dazwischen gebildeten Abstand zueinander benachbart sind; und
Messen einer elektrischen Charakteristik der HF- Schaltung dadurch, dass Kontaktanschlüsse in Kontakt mit den Endabschnitten der jeweiligen ersten Verdrahtungs schichten der HF-Schaltung gebracht und DC-Vorspannungen den jeweiligen Endabschnitten angelegt werden; und
Bonden des HF-Schaltungschips auf ein dielektrisches Substrat, auf welchem eine zweite Verdrahtungsschicht ge bildet ist, und Verbinden von einem Ende eines dritten Verbindungsleiters mit den Endabschnitten der ersten Ver drahtungsschichten des HF-Schaltungschips, um jene zu überbrücken, und von dem anderen Ende des dritten Verbin dungsleiters mit der zweiten Verdrahtungsschicht. (Fig. 13)
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JPH0282646A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路及びその識別方法 |
JPH0273818U (de) * | 1988-11-25 | 1990-06-06 | ||
US5376909A (en) * | 1992-05-29 | 1994-12-27 | Texas Instruments Incorporated | Device packaging |
JPH0786328A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JPH0864631A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | ボンディングパッド |
JPH08279596A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路装置,及びその製造方法 |
US5777528A (en) * | 1995-05-26 | 1998-07-07 | Motorola, Inc. | Mode suppressing coplanar waveguide transition and method |
JPH11204728A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | 高周波半導体装置 |
JP3659461B2 (ja) * | 1998-06-10 | 2005-06-15 | 京セラ株式会社 | 高周波測定用基板 |
JP2000232143A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Nec Corp | 回路素子評価回路パターン |
US6351192B1 (en) * | 1999-03-25 | 2002-02-26 | Industrial Technology Research Institute | Miniaturized balun transformer with a plurality of interconnecting bondwires |
US6181200B1 (en) * | 1999-04-09 | 2001-01-30 | Integra Technologies, Inc. | Radio frequency power device |
JP3483132B2 (ja) * | 1999-04-23 | 2004-01-06 | シャープ株式会社 | 高周波半導体装置 |
US6285324B1 (en) * | 1999-09-15 | 2001-09-04 | Lucent Technologies Inc. | Antenna package for a wireless communications device |
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