DE10156441A1 - Device to receive semiconductor wafers for thermal treatment comprises a support with recesses for holding the wafers - Google Patents

Abstract

Device for receiving semiconductor wafers for thermal treatment comprises a support with recesses for holding the wafers. An Independent claim is also included for a handling device comprising a transport arm having a holding unit for holding a wafer under low pressure. Preferred Features: The device further includes a cover for covering the recesses. The support is made from graphite, sapphire, quartz, boron nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, silicon nitride, ceramic and/or metal. The cover and/or the cover have a heat capacity of 0.2-0.8 J/gK.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Aufnahme von schei­ benförmigen Objekten, vorzugsweise Halbleiterwafern, zu deren thermischer Behandlung. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Handhabungsvorrichtung für Objekte.The present invention relates to a device for receiving shi ben-shaped objects, preferably semiconductor wafers, for their thermal Treatment. The invention further relates to a handling device for Objects.

Zur industriellen Fertigung elektronischer Bauteile werden Halbleitermateriali­ en von scheibenförmiger Gestalt, sogenannte Wafer, thermischen Behandlun­ gen unterzogen. Insbesondere thermisches Prozessieren von Objekten, wie Wafern, mittels Schnellheizanlagen, auch RTP-Anlagen (Rapid Thermal Processing) genannt, drängt immer mehr in den Vordergrund. Hauptvorteil von RTP-Anlagen ist deren hoher Durchsatz, der sich auf der Möglichkeit gründet, die Wafer sehr schnell aufzuheizen. Heizraten von bis zu 300°C/s können in RTP-Anlagen erreicht werden.Semiconductor materials are used for the industrial production of electronic components s of disk-shaped form, so-called wafers, thermal treatment gene subjected. In particular thermal processing of objects such as Wafers, using rapid heating systems, also RTP systems (Rapid Thermal Processing), pushes more and more to the fore. Main advantage of RTP systems is their high throughput, which is based on the possibility heat up the wafers very quickly. Heating rates of up to 300 ° C / s can be in RTP systems can be achieved.

Eine RTP-Anlage besteht im wesentlichen aus einer transparenten Prozeß­ kammer, in der ein zu prozessierender Wafer auf geeigneten Haltevorrichtun­ gen angeordnet werden kann. Daneben können neben dem Wafer auch diver­ se Hilfselemente wie z. B. eine lichtabsorbierende Platte, ein den Wafer um­ fassender Kompensationsring oder eine Rotations- oder Kippvorrichtung für den Wafer in der Prozeßkammer angeordnet sein. Die Prozeßkammer kann über geeignete Gaszu- und abflüsse verfügen, um eine vorgegebene Atmo­ sphäre innerhalb der Prozeßkammer, in der der Wafer prozessiert werden soll, herstellen zu können. Geheizt wird der Wafer von einer Heizstrahlung, die von einer Heizvorrichtung ausgeht, die sich entweder oberhalb des Wafers oder unterhalb des Wafers oder beidseitig befinden kann und aus einer Vielzahl von Lampen, Stab- oder Punktlampen oder einer Kombination davon aufge­ baut ist. Die gesamte Anordnung kann von einer äußeren Kammer umfaßt werden, deren Innenwände ganz oder wenigstens teilweise verspiegelt sein können. An RTP system essentially consists of a transparent process chamber in which a wafer to be processed is placed on a suitable holding device can be arranged. In addition to the wafer, diver can also be used se auxiliary elements such. B. a light absorbing plate, around the wafer Compensating compensation ring or a rotation or tilting device for the wafer can be arranged in the process chamber. The process chamber can have suitable gas inflows and outflows in order to maintain a given atmosphere sphere within the process chamber in which the wafer is to be processed, to be able to manufacture. The wafer is heated by radiant heat from a heater that is either above the wafer or can be located below the wafer or on both sides and from a variety of lamps, rod or point lamps or a combination thereof is building. The entire arrangement can be enclosed by an outer chamber are, whose inner walls are completely or at least partially mirrored can.  

In alternativen RTP-Anlagen wird der Wafer auf einer Heizplatte oder Sus­ zeptor abgelegt und über einen thermischen Kontakt mit diesem Suszeptor vom Suszeptor geheizt.In alternative RTP systems, the wafer is placed on a hot plate or Sus stored and via a thermal contact with this susceptor heated by the susceptor.

Bei Verbindungshalbleitern wie z. B. III-V- oder II-IV-Halbleitern wie beispiels­ weise GaN, InP, GaAs oder ternären Verbindungen wie z. B. InGaAs oder quaternären Verbindungen wie InGaAsP besteht allerdings das Problem, daß in der Regel eine Komponente des Halbleiters flüchtig ist und bei Erwärmung des Wafers aus dem Wafer ausdampft. Es entsteht überwiegend im Randbe­ reich solcher Wafer eine Verarmungszone mit erniedrigter Konzentration der ausgedampften Komponente. Die Folge ist eine Veränderung der physikali­ schen Eigenschaften wie beispielsweise der elektrischen Leitfähigkeit des Wafers in diesem Bereich, die den Wafer zur Herstellung von elektrischen Bauteilen unbrauchbar machen können.In connection semiconductors such as. B. III-V or II-IV semiconductors such as as GaN, InP, GaAs or ternary compounds such. B. InGaAs or Quaternary compounds like InGaAsP, however, have the problem that usually a component of the semiconductor is volatile and when heated of the wafer evaporates from the wafer. It mainly arises in the Randbe such a wafer has a depletion zone with a reduced concentration of evaporated component. The result is a change in physi properties such as the electrical conductivity of the Wafers in this area that use the wafer to manufacture electrical Can make components unusable.

Aus den beiden auf die Anmelderin zurückgehenden Druckschriften US 5 872 889 A und US 5 837 555 A ist es bekannt, Wafer aus Verbindungshalbleitern zur thermischen Behandlung in einem geschlossenen Behältnis aus Graphit anzuordnen. Graphit eignet sich wegen seiner Stabilität bei hohen Temperatu­ ren besonders gut für solche Behältnisse. Der Wafer wird dabei auf einem Träger abgelegt, der über eine Ausnehmung zur Aufnahme des Wafers ver­ fügt. Über die Ausnehmung wird eine deckelartige Abdeckung gelegt, so daß ein geschlossener Raum entsteht, in dem sich der Wafer befindet. Dieses den Wafer beinhaltende Graphitbehältnis wird in der Prozeßkammer einer RTP- Anlage einer thermischen Behandlung unterzogen. Auf diese Weise wird ein Ausdiffundieren einer Komponente des Verbindungshalbleiters unterdrückt und der Wafer kann schadensfrei prozessiert werden.From the two documents referring to the applicant US 5 872 889 A and US 5 837 555 A disclose wafers made from compound semiconductors for thermal treatment in a closed graphite container to arrange. Graphite is suitable because of its stability at high temperatures ren particularly good for such containers. The wafer is placed on one Carrier stored, which ver. Via a recess for receiving the wafer added. A cover-like cover is placed over the recess, so that a closed space is created in which the wafer is located. This the A graphite container containing wafers is placed in the process chamber of an RTP System subjected to thermal treatment. This way, a Diffusion of a component of the compound semiconductor suppressed and the wafer can be processed without damage.

Das beschriebene Graphitbehältnis wird überwiegend zur Prozessierung von Wafern eines Verbindungshalbleiters mit Durchmessern von 200 mm und 300 mm verwendet. Sehr verbreitet sind aber auch Wafer von Verbindungs­ halbleitern mit kleinen Durchmessern von 50 mm, 100 mm oder 150 mm.The graphite container described is mainly used for processing Wafers of a compound semiconductor with diameters of 200 mm and 300 mm used. Link wafers are also very common semiconductors with small diameters of 50 mm, 100 mm or 150 mm.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung zu schaffen, mit der Wafer aus Verbindungshalbleitern auf einfache Weise und mit hoher Pro­ duktivität schadensfrei prozessierbar sind.The object of the present invention is to provide a device with the wafer made of compound semiconductors in a simple manner and with a high pro ductility can be processed without damage.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch einen Träger mit wenigstens zwei Ausnehmungen zur Aufnahme von jeweils einem Wafer gelöst. Mit solchen Trägern lassen sich mehrere Wafer simultan prozessieren. Dies bedeutet ge­ genüber den bekannten Behandlungsverfahren eine erhebliche Erhöhung des Durchsatzes einer RTP-Anlage und stellt einen bedeutenden wirtschaftlichen Vorteil dar.According to the invention, the object is achieved by a carrier with at least two Cutouts for receiving one wafer each. With such Multiple wafers can be processed simultaneously. This means ge a significant increase in the compared to the known treatment methods Throughput of an RTP facility and represents a significant economic Advantage.

Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausführungsform weist die erfindungs­ gemäße Vorrichtung wenigstens eine Abdeckung zum Abdecken wenigstens einer Ausnehmung auf, um einen im wesentlichen abgeschlossenen Raum um die Objekte herum vorzusehen.According to a particularly advantageous embodiment, the invention according device at least one cover to cover at least a recess around a substantially enclosed space to provide the objects around.

Beispielsweise ist eine einzige große Abdeckung möglich, die alle Ausneh­ mungen des Trägers mit den darin enthaltenen Wafern überdeckt. Alternativ dazu kann auch jede Ausnehmung von individuellen Abdeckungen abgedeckt werden. Es ist auch möglich, daß eine der Abdeckungen beliebig viele Aus­ nehmungen gleichzeitig, jedoch mehr als eine und nicht alle, abdeckt, oder es kann eine beliebige Anzahl der Ausnehmungen individuell abgedeckt werden und ein verbleibender Rest der Ausnehmungen verbleibt nicht abgedeckt. Eine solche Abdeckung kann mit anderen Abdeckungen ähnlicher Art sowie mit individuellen Abdeckungen für jeweils eine Ausnehmung und nicht abge­ deckten Ausnehmungen beliebig kombiniert werden.For example, a single large cover is possible, all of which are exceptions Covered by the carrier with the wafers contained therein. alternative each recess can also be covered by individual covers become. It is also possible that one of the covers can have any number of off takes at the same time, but covers more than one and not all, or it any number of recesses can be covered individually and a remaining remainder of the recesses remains uncovered. Such a cover can be used with other covers of a similar type as well with individual covers for a recess and not abge covered recesses can be combined as desired.

Vorzugsweise ist der die Ausnehmungen aufweisende Träger aus Graphit, Saphir, Quarz, Bornitrid, Aluminiumnitrid, Silicium, Siliciumcarbid, Siliciumni­ trid, Keramik oder Metall gefertigt. Entsprechend kann wenigstens eine der Abdeckungen aus Graphit oder Saphir oder Quarz oder Bornitrid oder Alumi­ niumnitrid oder Silicium oder Siliciumcarbid oder Siliciumnitrid oder Keramik oder Metall gefertigt sein. Es können aber auch sowohl der Träger als auch wenigstens eine oder alle der Abdeckungen aus den genannten Materialien bestehen.The carrier having the recesses is preferably made of graphite, Sapphire, quartz, boron nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, silicon ni trid, ceramic or metal. Accordingly, at least one of the Covers made of graphite or sapphire or quartz or boron nitride or alumi nium nitride or silicon or silicon carbide or silicon nitride or ceramic or be made of metal. But it can also be both the carrier and  at least one or all of the covers made of said materials consist.

Vorteilhaft sind für RTP-Prozesse Träger mit wenigstens einer Abdeckung, die eine niedrige spezifische Wärmekapazität, vorzugsweise 0,2 bis 0,8 J/gK, des Trägers und/oder wenigstens einer Abdeckung aufweisen. Aus diesem Grund sollte der Träger über eine möglichst geringe Dicke verfügen.Carriers with at least one cover are advantageous for RTP processes a low specific heat capacity, preferably 0.2 to 0.8 J / gK, des Have carrier and / or at least one cover. For this reason the carrier should be as thin as possible.

Ebenso sind Träger mit wenigstens einer Abdeckung von Vorteil, bei denen der Träger und/oder wenigstens eine der Abdeckungen eine hohe Wärmeleit­ fähigkeit, vorzugsweise 10 bis 100 W/mK, aufweisen.Carriers with at least one cover are also advantageous, in which the carrier and / or at least one of the covers has high thermal conductivity ability, preferably 10 to 100 W / mK.

Bevorzugt sind wenigstens Teile des Trägers oder Teile einer der Abdeckun­ gen oder Teile des Trägers und Teile einer der Abdeckungen beschichtet. So kann es beispielsweise von Vorteil sein, eine Innenfläche einer oder aller Ausnehmungen sowie eine die Ausnehmung abdeckenden Fläche einer oder mehrerer Abdeckungen wenigstens teilweise mit einer Schicht zu versehen, die inert ist gegen chemische Vorgänge, die sich beim Prozessieren des Wa­ fers innerhalb der abgedeckten Ausnehmungen abspielen, während äußere Flächen des Trägers unbeschichtet bleiben, um gewünschte Absorptionsei­ genschaften bezüglich der Heizstrahlung aufzuweisen. In anderen Fällen las­ sen sich beispielsweise lokale optische Eigenschaften von Träger und Abdek­ kungen durch geeignete gebietsweise Beschichtungen der Oberflächen errei­ chen.At least parts of the carrier or parts of one of the covers are preferred conditions or parts of the carrier and parts of one of the covers. So For example, it may be advantageous to have an inner surface of one or all Recesses as well as a surface of one or covering the recess to provide at least some of several covers with a layer, which is inert to chemical processes that occur when the Wa fers play within the covered recesses, while outer Surfaces of the support remain uncoated to provide the desired absorption egg to have properties with regard to radiant heat. In other cases read For example, local optical properties of the wearer and the cover are Achievements by suitable area-specific coatings of the surfaces chen.

Entsprechend kann es von Vorteil sein, wenigstens Teile des Trägers oder Teile wenigstens einer der Abdeckungen oder Teile des Trägers und Teile we­ nigstens einer der Abdeckungen transparent für die Heizstrahlung zu gestal­ ten, indem man diese beispielsweise aus Quarz oder Saphir fertigt. Vorteil­ hafterweise werden die Abdeckungen sowie Teile des Trägers, die den Bo­ denflächen der Ausnehmungen entsprechen, undurchlässig für die Heizstrah­ lung ausgeführt, während die anderen Teile des Trägers transparent sind. Accordingly, it can be advantageous to at least parts of the carrier or Parts of at least one of the covers or parts of the carrier and parts we at least one of the covers to be transparent for the radiant heat by making them from quartz or sapphire, for example. benefit The covers and parts of the carrier that hold the Bo correspond to the surfaces of the recesses, impermeable to the radiant heater lung executed while the other parts of the carrier are transparent.  

Ferner ist es möglich, innerhalb abgedeckter Ausnehmungen vorbestimmte Atmosphären zu erzeugen. Je nach Art des zu prozessierenden Wafers, kann in jeder abgedeckten Ausnehmung eine andere Atmosphäre vorherrschen. Wird beispielsweise in wenigstens einer ersten Ausnehmung ein InP-Wafer prozessiert, so wird eine phosphorhaltige Atmosphäre in der Ausnehmung vorherrschen. In wenigstens einer zweiten Ausnehmung, in der ein GaAs- Wafer prozessiert werden soll, kann eine arsenhaltige Atmosphäre vorherr­ schen. Schließlich kann in wenigstens einer dritten, optional nicht abgedeck­ ten Ausnehmung, ein Wafer prozessiert werden, der aus Silicium, also keinem Verbindungshalbleiter, besteht.Furthermore, it is possible to use predetermined recesses within covered To create atmospheres. Depending on the type of wafer to be processed, a different atmosphere prevails in each covered recess. For example, an InP wafer is in at least a first recess processed, so there is a phosphorus-containing atmosphere in the recess prevalence. In at least one second recess in which a GaAs Wafers to be processed can prevail in an arsenic-containing atmosphere rule. Finally, at least a third, optionally not covered th recess, a wafer made of silicon, so none Compound semiconductor exists.

Wenigstens einige der vom Träger aufgenommenen Wafer können wenigstens teilweise beschichtet sein. Es kann aber auch das Volumenmaterial wenig­ stens eines der Wafer gebietsweise unterschiedlich sein, indem der Wafer beispielsweise über eine implantierte Schicht verfügt.At least some of the wafers received by the carrier can at least be partially coated. But the bulk material can also do little least one of the wafers may be different in different regions by the wafer for example, has an implanted layer.

Der erfindungsgemäße Träger für mehrere Wafer, die gemeinsam in einer Prozeßkammer einer thermischen Wärmebehandlung unterzogen werden, ermöglicht, während desselben Prozeßvorganges mit demselben Verlauf der Heizstrahlung für jeden Wafer unterschiedliche Prozeßergebnisse zu erzielen. Je nach Beschichtung oder Transparenz lokaler Gebiete des Trägers und/oder der entsprechenden Abdeckung lassen sich lokal unterschiedliche optische Gegebenheiten erreichen, die zu unterschiedlichen Temperaturen im Inneren der abgedeckten Ausnehmungen führen. Jeder Wafer erfährt somit eine indi­ viduelle Prozeßtemperatur, obwohl für alle Wafer der Verlauf der Heizstrah­ lung derselbe ist. Es lassen sich also mit einem Prozessierungsvorgang nicht nur mehrere Wafer simultan behandeln, die Wafer können dabei sogar unter­ schiedlichen Prozessen unterzogen werden. Das bedeutet, daß sich Wafer aus verschiedenen Materialien gleichzeitig behandeln lassen.The carrier according to the invention for several wafers, which together in one Process chamber are subjected to a thermal heat treatment, allows, during the same process with the same course of Heat radiation to achieve different process results for each wafer. Depending on the coating or transparency of local areas of the support and / or the corresponding cover can be locally different optical Achieve conditions that lead to different temperatures inside of the covered recesses. Each wafer is therefore indi vidual process temperature, although for all wafers the course of the heating beam lung is the same. So it cannot be done with a processing operation only treat several wafers simultaneously, the wafers can even under different processes. That means wafers Treated from different materials at the same time.

Vorzugsweise verfügen die Ausnehmungen im Träger über die gleiche Tiefe, so daß die Wafer nach Beladen des Trägers alle parallel auf derselben Ebene angeordnet sind. The recesses in the carrier preferably have the same depth, so that after loading the carrier, the wafers are all parallel on the same plane are arranged.  

Es kann aber auch von Vorteil sein, die Tiefen der Ausnehmungen unter­ schiedlich auszuführen. In diesem Fall liegen die Wafer zwar immer noch par­ allel, sind aber in der Höhe gegeneinander versetzt und liegen auf verschie­ denen Ebenen.But it can also be advantageous to take the depths of the recesses below perform differently. In this case, the wafers are still par allel, but are offset in height and lie on different those levels.

Bei zylinderförmigen Ausnehmungen mit flachem, waagrechtem Boden, kom­ men die Wafer flächig auf dem Boden der Ausnehmung zu liegen.For cylindrical recesses with a flat, horizontal bottom, com men to lie flat on the bottom of the recess.

Vorteilhafterweise wird eine Halterung der Wafer innerhalb wenigstens einer Ausnehmung gewählt, bei der ein Kontakt zwischen Wafer und dem Boden der Ausnehmung vermieden wird. Dies erreicht man vorteilhaft durch in der Ausnehmung angeordnete stiftförmige Stützelemente, von denen der Wafer aufgenommen wird. Dann lassen sich die Wafer bei gleicher Tiefe der Aus­ nehmung aber unterschiedlicher Länge der Stützelemente auf unterschiedlich hohen Ebenen anordnen.The wafers are advantageously held within at least one Recess chosen in which there is contact between the wafer and the ground the recess is avoided. This is advantageously achieved by using the Recess arranged pin-shaped support elements, of which the wafer is recorded. Then the wafers can be cut at the same depth Take but different lengths of the support elements on different arrange high levels.

Eine andere bevorzugte Möglichkeit, den Wafer so anzuordnen, daß ein Kon­ takt mit dem Boden der Ausnehmung vermieden wird, ist den Wafer in seinem Randbereich zu stützen. Dies erreicht man, indem wenigstens eine Ausneh­ mung konisch nach innen zulaufend ausgebildet ist. Es wird dadurch ein nach innen abgeschrägter Rand der Ausnehmung erreicht, der zu einer Randaufla­ ge eines Wafers führt. Bei einer anderen Ausführungsform ist wenigstens eine Ausnehmung konkav ausgebildet, was wiederum dazu führt, daß der Wafer mit seinem Rand auf dem Rand der Ausnehmung gelagert wird. Je nach Ausformung der konischen und der konkaven Ausnehmungen, läßt sich der Wafer auf unterschiedlichen Höhen ablegen.Another preferred way to arrange the wafer so that a Kon is avoided with the bottom of the recess, the wafer is in its Support edge area. This is achieved by making at least one exception mung is tapered inwards. It becomes an after inside bevelled edge of the recess reached, which leads to an edge support of a wafer. In another embodiment, at least one Recess concave, which in turn leads to the wafer is stored with its edge on the edge of the recess. Depending on Forming the conical and concave recesses, the Place wafers at different heights.

Zum Beladen des Trägers werden die Wafer vorteilhaft mit einem Greifer se­ quenziell direkt in die Ausnehmungen oder auf Stützstiften abgelegt. Hierzu eignen sich Greifer mit Ansaugvorrichtungen, die den Wafer ansaugen. Dies kann mittels einer Ansaugvorrichtung erfolgen, die nach dem Bernoulli-Prinzip arbeitet. To load the carrier, the wafers are advantageously se with a gripper placed directly in the recesses or on support pins. For this are suitable grippers with suction devices that suck the wafer. This can be done using a suction device based on the Bernoulli principle is working.  

Vorteilhafterweise sind Stützstifte zum Beladen des Trägers vorgesehen, die vorzugsweise durch den Träger hindurchragen. Diese Stützstifte sind vorteil­ haft für verschiedene Ausnehmungen unterschiedlich hoch ausgebildet, um ein Beladen der vom Greifer abgewandten Ausnehmungen nicht durch die Stützstifte, die zum Beladen der dem Greifer zugewandten Ausnehmungen vorgesehen sind, zu behindern.Advantageously, support pins are provided for loading the carrier preferably protrude through the carrier. These support pins are beneficial is designed for different recesses of different heights in order to loading of the recesses facing away from the gripper is not carried out by the Support pins for loading the recesses facing the gripper are intended to hinder.

Entsprechend können die Abdeckungen auf Stützstiften abgelegt werden, die entweder durch den Träger hindurchverlaufen oder gänzlich außerhalb des Trägers angeordnet sind. Vorteilhafterweise sind die Stützstifte für die Abdec­ kungen länger als die Stützstifte für die Wafer.Accordingly, the covers can be placed on support pins either run through the carrier or entirely outside the Carrier are arranged. The support pins for the abdec are advantageously longer than the support pins for the wafers.

Vorzugsweise sind die Stützstifte und der Träger relativ zueinander vertikal bewegbar.The support pins and the carrier are preferably vertical relative to one another movable.

Sobald die Wafer auf den Stützstiften abgelegt sind, bewegen sich die Stütz­ stifte nach unten durch den Träger durch, wodurch die Wafer von den Stütz­ stiften abgehoben werden und in den ihnen zugeordneten Ausnehmungen ab­ gelegt werden. Alternativ dazu läßt sich auch der Träger nach oben bewegen.As soon as the wafers are placed on the support pins, the supports move pin down through the carrier, thereby removing the wafers from the support pins are lifted off and in the recesses assigned to them be placed. Alternatively, the carrier can also be moved upwards.

Eine anderes bevorzugtes Verfahren zur Beladung des Trägers dreht den Träger sequenziell um eine vertikale Achse, um jeweils die zu beladende Ausnehmung zum Greifer hin zu drehen.Another preferred method of loading the carrier rotates the Carrier sequentially around a vertical axis to load each one Turn the recess towards the gripper.

Sobald der Träger mit den Wafern beladen ist, können die entsprechenden Abdeckungen vom Greifer entweder direkt auf dem Träger oder auf Stützstif­ ten aufgelegt werden, sofern sie nicht schon vor den Wafern auf entsprechen­ den Stützstiften aufgelegt worden sind.As soon as the carrier is loaded with the wafers, the corresponding can Covers from the gripper either directly on the carrier or on a support pin if they do not correspond to the wafers before the support pins have been placed.

Vorzugsweise erfolgt ein Beladen des Trägers innerhalb der Prozeßkammer. Er kann aber auch außerhalb der Prozeßkammer beladen werden und an­ schließend zur thermischen Behandlung in die Prozeßkammer eingebracht werden.The carrier is preferably loaded within the process chamber. But it can also be loaded outside of the process chamber and on  finally introduced into the process chamber for thermal treatment become.

Vorteilhafterweise lassen sich mehrere solcher Träger mit Abdeckung zum Beispiel übereinandergestapelt oder nebeneinandergelegt innerhalb einer Prozeßkammer thermisch behandeln.Advantageously, several such carriers can be covered Example stacked on top of or next to each other within one Treat the process chamber thermally.

Das Be- und Entladen des Trägers mit den Substraten und/oder Abdeckungen. erfolgt vorzugsweise mit einer automatischen Be- und Entlade-Einrichtung, die entsprechend den Be- und Entladevorgängen entsprechend steuerbar ist.Loading and unloading the carrier with the substrates and / or covers. is preferably carried out with an automatic loading and unloading device is controllable in accordance with the loading and unloading processes.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist vorzugsweise, jedoch nicht ausschließ­ lich, für Wafer aus Verbindungshalbleitern mit vorwiegend kleinen Durchmes­ sern besonders geeignet. Die thermische Behandlung der Halbleiterwafer er­ folgt vorzugsweise in RTP-Anlagen, in denen vorgegebene Umgebungsbedin­ gungen und Temperaturverläufe einstellbar sind. Der Träger ist dabei bei den Umgebungsbedingungen und den Temperaturen während der Behandlung weitgehend stabil.The device according to the invention is preferred, but not exclusive Lich, for wafers from compound semiconductors with predominantly small diameters particularly suitable. The thermal treatment of the semiconductor wafers follows preferably in RTP systems in which predetermined environmental conditions conditions and temperature profiles are adjustable. The carrier is with the Ambient conditions and temperatures during treatment largely stable.

Halbleiterwafer, insbesondere Verbindungshalbleiter-Wafer, wie sie zuvor be­ schrieben wurden, sind relativ dünn und weisen Dicken von 50 bis 500 µm, und üblicherweise von 200 µm auf. Diese Wafer sind daher während der Handhabung sehr bruchgefährdet, so dass bei der herkömmlichen Handha­ bung per Hand oder mit Handhabungsvorrichtungen, wie Robotern usw., häu­ fig Waferbrüche auftreten, die die Ausbeute bei der Halbleiterfertigung we­ sentlich verringern. Insbesondere bei Halbleiterwafern, die für teure Bauele­ mente, wie z. B. Leserdioden verwendet werden, ist dies besonders augenfäl­ lig, da ein Zwei-Zoll-Wafer hierfür einen Wert im Bereich von 25.000 auf­ weist.Semiconductor wafers, in particular compound semiconductor wafers, as previously described are relatively thin and have thicknesses of 50 to 500 µm, and usually from 200 µm. These wafers are therefore during the Handling very risk of breakage, so that with the conventional handle Exercise by hand or with handling devices such as robots, etc., often fig wafer breaks occur that affect the yield in semiconductor manufacturing reduce considerably. Especially in the case of semiconductor wafers used for expensive components elements such as B. reader diodes are used, this is particularly eye-catching lig, since a two-inch wafer has a value in the range of 25,000 has.

Wie zuvor bereits ausgeführt wurde, werden die Wafer in Behältnissen be­ handelt, die beispielsweise aus Graphit bestehen und zur Behandlung der Wafer in eine Prozeßkammer gebracht werden. Diese sogenannten Graphit- Boxen weisen ein Gewicht von 200 bis 2000 g auf, je nach der Anzahl und der Größe der in den Boxen unterzubringenden Wafern.As previously stated, the wafers are placed in containers acts, which consist for example of graphite and for the treatment of Wafers are placed in a process chamber. These so-called graphite  Boxes weigh 200 to 2000 g, depending on the number and the Size of the wafers to be placed in the boxes.

Sowohl die Wafer als auch die Behältnisse selbst werden bei derartigen Anla­ gen manuell gehandhabt, da es mit herkömmlichen Handhabungsvorrichtun­ gen nicht möglich ist, einerseits die sehr dünnen, ein Gewicht im Bereich von 0,1 bis 20 g aufweisenden Halbleiterwafer und andererseits die demgegen­ über schweren Behältnisse zu handhaben, ohne dass der Ausschuß an Wa­ ferbruch groß ist.Both the wafers and the containers themselves are used in such systems gene handled manually, since it with conventional handling devices is not possible, on the one hand the very thin, a weight in the range of 0.1 to 20 g semiconductor wafers and on the other hand the to handle heavy containers without the Committee having wa ferbruch is large.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher weiterhin die Aufgabe zugrunde, eine Handhabungsvorrichtung zu schaffen, mit der Objekte mit unterschiedlichem Gewicht sicher und zuverlässig handhabbar sind.The present invention is therefore based on the object of a To create handling device with the objects with different Weight can be handled safely and reliably.

Die gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einer Handhabungsvorrich­ tung mit wenigstens einem Transportarm, der wenigstens eine Halterungsein­ richtung zum Halten von wenigstens einem zu handhabendem Objekt mittels Unterdruck aufweist, durch eine Unterdruck-Steuereinrichtung zur Verände­ rung des Unterdrucks in Abhängigkeit vom Gewicht des Objekts gelöst.The object is achieved according to the invention in a handling device device with at least one transport arm, the at least one bracket Direction for holding at least one object to be handled by means of Has vacuum, by a vacuum control device for changes tion of the vacuum depending on the weight of the object.

Aufgrund des erfindungsgemäßen Merkmals, eine Unterdruck- Steuereinrichtung vorzusehen, mit der der Unterdruck von Halterungseinrich­ tungen an Transportarmen in Abhängigkeit vom Gewicht des Objekts einge­ stellt, gesteuert oder geregelt werden kann, ist es nunmehr möglich, Objekte mit sehr unterschiedlichen Gewichten mit derselben Handhabungsvorrichtung zu transportieren und zu handhaben. Beispielsweise ist es mit der erfindungs­ gemäßen Handhabungsvorrichtung möglich, die Handhabung und den Trans­ port von Wafern und Waferbehältnissen unter Vermeidung manueller Handha­ bungen vorzunehmen, und zwar derart, dass einerseits beispielsweise relativ schwere Behältnisse mit der gleichen Handhabungsvorrichtung wie die sehr dünnen, zerbrechlichen Wafer mit geringem Gewicht bei Vermeidung von Waferbruch gehandhabt werden können. Die erfindungsgemäße Handha­ bungsvorrichtung ermöglicht also beispielsweise sowohl das Be- und Entladen von Behältnissen in die bzw. aus der Prozeßkammer, als auch das Be- und Entladen der dünnen, zerbrechlichen Wafer in das bzw. aus dem Behältnis. Abgesehen davon, dass dadurch die Möglichkeit einer vollständigen Automa­ tisierung des Prozessierens von Halbleitern insbesondere auch in Zusam­ menhang mit thermischen Behandlungen möglich ist, geschieht dies durch eine einzige Handhabungsvorrichtung, so dass die Anlagekosten dadurch ge­ ring gehalten werden können. Mit der durch die erfindungsgemäße Handha­ bungsvorrichtung möglich gewordene Prozeßautomatisierung wird die Ferti­ gungsausbeute deutlich erhöht, da Waferbruch, wie er beim manuellen Be- und Entladen des Behältnisses und der Prozeßkammer häufig auftritt, vermie­ den oder zumindest wesentlich verringert wird. Eine Behandlungsanlage mit der erfindungsgemäßen Handhabungsvorrichtung amortisiert sich daher ge­ genüber herkömmlichen Behandlungsanlagen aufgrund des geringen Aus­ schusses und der schnellen und zuverlässigen Handhabung wesentlich früher, insbesondere, wenn die Anlage für die Fertigung sehr teurer Bauelement Verwendung findet.Due to the feature of the invention, a vacuum Provide control device with which the negative pressure of bracket device on the transport arms depending on the weight of the object represents, controlled or regulated, it is now possible to create objects with very different weights with the same handling device to transport and handle. For example, it is with the Invention appropriate handling device possible, the handling and the trans port of wafers and wafer containers while avoiding manual handling to carry out exercises in such a way that, on the one hand, for example, relatively heavy containers with the same handling device as the very thin, fragile, light weight wafers while avoiding Wafer breakage can be handled. The handha according to the invention Exercise device thus enables both loading and unloading, for example  of containers in and out of the process chamber, as well as loading and Unload the thin, fragile wafers into and out of the container. Apart from the fact that this gives the possibility of a complete automa Processing of semiconductors in particular also together thermal treatment is possible, this happens through a single handling device, so that the plant costs ge ring can be held. With the handle according to the invention Process automation has become possible yield significantly increased, as wafer breakage, as is the case with manual and unloading of the container and the process chamber frequently occurs which is reduced or at least significantly. A treatment facility with the handling device according to the invention therefore pays for itself compared to conventional treatment plants due to the low level shot and quick and reliable handling much earlier, especially if the system for manufacturing very expensive component Is used.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfaßt die Unter­ druck-Steuereinrichtung nur eine Unterdruck-Quelle und Unterdruck- Umschalteinrichtungen, beispielsweise Leitungs-Umschalter, zum Umschalten zwischen einer Leitung mit und ohne Unterdruck-Regler. Auf diese Weise ist nur eine Unterdruck-Quelle erforderlich, wobei der Unterdruck-Regler vor­ zugsweise ein einstellbares Ventil ist. Eine alternative Ausführungsform be­ steht darin, wenigstens zwei getrennt steuerbare Unterdruck-Systeme vorzu­ sehen.According to a preferred embodiment of the invention, the sub pressure control device only one vacuum source and vacuum Switching devices, for example line switches, for switching between a line with and without vacuum regulator. That way only one vacuum source required, with the vacuum regulator in front is preferably an adjustable valve. An alternative embodiment be is to use at least two separately controllable vacuum systems see.

Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung liegt das Unter­ druckverhältnis für die unterschiedliche Gewichte aufweisenden, zu handha­ benden Objekte in einem Bereich von 10 bis 10.000. Dieses Unterdruck- Verhältnis hängt wesentlich von dem Gewichtsverhältnis der zu handhaben­ den Objekte und auch von der Ausbildung der Halterungseinrichtungen ab. According to an advantageous embodiment of the invention, the bottom is pressure ratio for the different weights, to handle objects in a range from 10 to 10,000. This vacuum Ratio depends largely on the weight ratio of the handle the objects and also on the design of the mounting devices.  

Gemäß einer sehr vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist ein Objekt mit kleinerem Gewicht ein Silicium-Halbleiterwafer und ein Objekt mit größe­ rem Gewicht ein Behältnis, in dem sich die Wafer während wenigstens eines Behandlungsschritts befinden. Behältnisse dieser Art sind zuvor beispielswei­ se beschrieben worden.According to a very advantageous embodiment of the invention is an object with a smaller weight a silicon semiconductor wafer and a large object rem weight a container in which the wafers during at least one Treatment step. Containers of this type are previously for example described.

Obgleich die Halterungseinrichtungen für Objekte mit unterschiedlichem Ge­ wicht in derselben Weise ausgeführt sein können, ist es gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung jedoch vorteilhaft, die Halterungseinrichtun­ gen für die unterschiedlichen Objekte, insbesondere für Objekte mit unter­ schiedlichem Gewicht, auch unterschiedlich auszubilden. Die Halterungsein­ richtungen sind vorzugsweise sogenannte Pads oder Auflagekissen, die über eine Leitung mit einer Unterdruck-Quelle oder einem Vakuumsystem verbun­ den sind. Die einzelnen Halterungseinrichtungen oder Pads können dabei mit dem gleichen Unterdruck beaufschlagt werden, oder sie können auch mit je­ weils unterschiedlichem Unterdruck versorgt werden, was in diesem Falle je­ doch entsprechende Steuerelemente, wie zum Beispiel Ventile oder getrennte Vakuumsysteme erforderlich macht.Although the holders for objects with different Ge important can be carried out in the same way, it is according to another Embodiment of the invention, however, advantageous, the bracket conditions for the different objects, especially for objects with under different weight, also to be trained differently. The bracket directions are preferably so-called pads or cushions that over a line connected to a vacuum source or a vacuum system they are. The individual mounting devices or pads can be used be subjected to the same negative pressure, or they can also be used with each because different vacuum are supplied, which in this case ever but appropriate controls, such as valves or separate Vacuum systems required.

Die Halterungseinrichtungen sind dabei vorzugsweise an die unterschiedliche Gewichte aufweisende Objekte, beispielsweise auch an die Form und Ober­ flächenstruktur der Objekte angepaßt. Beispielsweise sind zum Halten des Behältnisses im allgemeinen größere Halteflächen erforderlich als zum Halten der leichten Wafer. Beispielsweise ist es vorteilhaft, für Wafer den Durchmes­ ser der Halterungseinrichtungen oder Pads mit etwa 3 mm, oder die Fläche, auf die ein Unterdruck einwirkt, pro Pad mit etwa 0,1 cm² zu wählen. Die Form der Pads ist entsprechend den gegebenen Erfordernissen zu wählen, sie kann rund oder rechteckig oder in einer anderen Weise ausgebildet sein. Vorzugs­ weise sind die Pads jedoch rund, da hier das Verhältnis Fläche/Rand am größten ist und dadurch auch bei kleiner Saugleistung der Unterdruckquelle ein sicheres Halten des Objekts, beispielsweise des Wafers gewährleistet ist. The mounting devices are preferably adapted to the objects having different weights, for example also to the shape and surface structure of the objects. For example, larger holding areas are generally required to hold the container than to hold the light wafers. For example, it is advantageous to choose the diameter of the holding devices or pads for wafers with approximately 3 mm, or the area on which a negative pressure acts, per pad with approximately 0.1 cm ² . The shape of the pads is to be chosen according to the given requirements, it can be round or rectangular or in some other way. However, the pads are preferably round, since here the area / edge ratio is greatest and this ensures that the object, for example the wafer, is held securely even with a low suction power of the vacuum source.

Damit ein Wafer mit einem Gewicht von beispielsweise 0,1 g bis 0,5 g sicher gehalten werden kann, muss die durch die Pads erzeugte Anpreßkraft, mit der der Wafer gegen die Unterlage gedrückt wird, so groß sein, dass die aus der Anpreßkraft resultierende Reibungskraft größer ist als die durch Beschleuni­ gung des Transportarms oder der Erdbeschleunigung erzeugten Kräfte, die auf das Objekt, beispielsweise den Wafer einwirken. Bei Wafern wird dies bei­ spielsweise mittels eines Unterdrucks von etwa 0,005 bar (dies entspricht ei­ nem absoluten Druck von 0,995 bar) erzielt, wenn die auf den Wafer einwir­ kenden (horizontalen) Beschleunigungskräfte kleiner als 1 g sind. Dabei ist der Reibungskoeffizient zwischen Wafer und Auflage zu berücksichtigen, der wiederum von den Wafertemperaturen abhängen kann.So that a wafer with a weight of, for example, 0.1 g to 0.5 g is safe can be held, the contact pressure generated by the pads with which the wafer is pressed against the surface, so large that it comes out of the Contact force resulting friction force is greater than that caused by acceleration force generated by the transport arm or gravitational acceleration act on the object, for example the wafer. With wafers, this is at for example by means of a negative pressure of about 0.005 bar (this corresponds to egg an absolute pressure of 0.995 bar) when it acts on the wafer kenden (horizontal) acceleration forces are less than 1 g. It is to consider the coefficient of friction between the wafer and the pad, the can in turn depend on the wafer temperatures.

Ist der Unterdruck größer, d. h. der absolute Druck kleiner, wird zwar der Wafer immer noch sicher gehalten, bzw. die Beschleunigungskraft kann 1 g über­ schreiten, jedoch besteht dann die Gefahr eines Waferbruchs.If the negative pressure is greater, i. H. the absolute pressure is lower, the wafer becomes still held securely, or the acceleration force can be over 1 g step, but then there is a risk of a wafer breakage.

Allgemein ist der zu wählende Druck der Pads der maximal auftretenden Be­ schleunigung anzupassen, wodurch es vorteilhaft ist, wenn der Druck vor­ zugsweise steuerbar oder regelbar ist. Ein zu großer Unterdruck sollte ver­ mieden werden. Die Druckanpassung kann dabei sowohl vor dem Start des Bewegungsablaufs als auch während der Bewegung selbst erfolgen. Die ma­ ximal zulässige Beschleunigung des Wafers hängt von der Dicke des Wafers und dessen Durchmesser, dem Material und der Art der Waferoberfläche im Auflagebereich ab, also auch davon, ob es sich um einen strukturierten oder unstrukturierten Auflagenbereich handelt.In general, the pressure of the pads to be selected is the maximum occurring Be adjust acceleration, which makes it advantageous if the pressure before is preferably controllable or regulatable. A too large negative pressure should ver be avoided. The pressure adjustment can be done both before the start of the Movement sequence as well as during the movement itself. The ma The maximum permissible acceleration of the wafer depends on the thickness of the wafer and its diameter, the material and the type of wafer surface in Edition area, including whether it is a structured or unstructured circulation area.

Werden Wafer mit unstrukturiertem Auflagenbereich gehandhabt, so wird be­ vorzugt eine Anordnung der Pads bei etwa 2/3 des Wafer-Radius - bezo­ gen auf die Wafermitte - gewählt. Hierdurch wird der Wafer möglichst span­ nungsfrei unterstützt. Bei strukturierten Auflagenbereichen unterstützen die Pads den Wafer bevorzugt im Randbereich. If wafers with an unstructured support area are handled, be preferably an arrangement of the pads at about 2/3 of the wafer radius - bezo towards the middle of the wafer - selected. This makes the wafer as chip-free as possible supported free of charge. Support for structured circulation areas Pads the wafer preferably in the edge area.  

Vorzugsweise weist die erfindungsgemäße Handhabungsvorrichtung für das Objekt mit größerem Gewicht und/oder für das Objekt mit kleinerem Gewicht eine Drei-Punkt-Haltevorrichtung auf.Preferably, the handling device according to the invention for Object with greater weight and / or for the object with lower weight a three-point holding device.

Wie bereits ausgeführt wurde, sind die Halterungseinrichtungen dabei für die unterschiedlichen und insbesondere unterschiedlich schweren Objekte vor­ zugsweise unterschiedlich ausgebildet.As already stated, the mounting devices are for the different and especially different objects preferably differently trained.

Die Halterungseinrichtungen für die insbesondere bezüglich ihres Gewichts unterschiedlichen Objekte können beide auf einer Seite des Transportarms angeordnet sein. Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung sind Halterungseinrichtungen jedoch auf beiden Seiten des Trans­ portarms vorgesehen. Dadurch ist es möglich, die zu handhabenden Objekte während des Handhabungsvorgangs je nach den gegebenen Voraussetzun­ gen auf der Oberseite oder auf der Unterseite des Transportarms zu halten. Dabei ist es gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung besonders vor­ teilhaft, wenn auf einer Seite des Transportarms Halterungseinrichtungen für das Objekt mit größerem Gewicht und auf seiner anderen Seite Halterungs­ einrichtungen für das Objekt mit kleinerem Gewicht vorgesehen sind. Die eine Seite, beispielsweise die Oberseite weist eine erste Halterungs- bzw. Padstruktur oder Halteflächenstruktur beispielsweise zum Halten von Behält­ nissen auf, während auf der Unterseite des Transportarms eine zweite Halte­ rungs- bzw. Padstruktur z. B. zum Halten des Wafers ausgebildet ist. Bei­ spielsweise wird der Wafer von unten und das Behältnis von oben gehalten oder umgekehrt. Bei einer derartigen Ausführungsform der erfindungsgemä­ ßen Handhabungsvorrichtung ist es auch möglich, auf eine Unterdrucksteue­ rung zu verzichten und beide Halterungseinrichtungen mit gleichem Unter­ druck zu betreiben, weil die Haltekräfte durch die unterschiedlichen Padstrukturen, insbesondere die unterschiedlichen Flächenverhältnisse, be­ stimmt oder mitbestimmt werden. Zusätzlich können sich die Reibungskoeffi­ zienten der Auflageflächen von oben und unten unterscheiden. The mounting devices for the particular weight Different objects can both be on one side of the transport arm be arranged. According to a particularly advantageous embodiment of the Invention are mounting devices on both sides of the trans portarms provided. This makes it possible to handle the objects during the handling process depending on the given conditions on the top or on the bottom of the transport arm. According to a further embodiment of the invention, it is particularly preferred partial, if on one side of the transport arm mounting devices for the object with greater weight and on its other side bracket facilities for the object with a smaller weight are provided. The one Side, for example the upper side has a first mounting or Pad structure or holding surface structure, for example for holding containers tear open while holding a second on the underside of the transport arm tion or pad structure z. B. is designed to hold the wafer. at for example, the wafer is held from below and the container from above or the other way around. In such an embodiment of the invention ß handling device, it is also possible to a vacuum control tion and both mounting devices with the same sub pressure to operate because of the holding forces due to the different Pad structures, especially the different area ratios, be agree or be co-determined. In addition, the coefficient of friction differentiate the surfaces of the contact surfaces from above and below.  

Eine weitere sehr vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, dass der Transportarm um 180° bezüglich seiner Längsachse drehbar ist. Dadurch kann die Seite mit der einem entsprechenden Objekt angepaßten Halterungs­ einrichtung nach oben oder nach unten gedreht werden.Another very advantageous embodiment of the invention is that the transport arm can be rotated through 180 ° with respect to its longitudinal axis. Thereby can the page with the appropriate holder for a corresponding object device can be turned up or down.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind wenigstens zwei Transportarme vorgesehen, von denen wenigstens einer zum Halten von ei­ nem Objekt mit größerem Gewicht und wenigstens ein weiterer zum Halten eines Objekts mit geringerem Gewicht vorgesehen ist. Auf diese Weise sind die Halterungseinrichtungen getrennt voneinander für die jeweiligen unter­ schiedlichen Objekte auf jeweils eigenen Transportarmen ausgebildet.According to a further embodiment of the invention, at least two Transport arms are provided, of which at least one for holding egg a heavier object and at least one more to hold an object with a lower weight is provided. That way the mounting brackets separate from each other for each different objects on their own transport arms.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist die Unter­ druck-Steuereinrichtung in Abhängigkeit von einem vorgegebenen Pro­ grammablauf ansteuerbar. Alternativ oder zusätzlich zu dieser Möglichkeit ist es besonders vorteilhaft, wenn ein das Gewicht des zu handhabenden Ob­ jekts messender Sensor, beispielsweise ein Dehnungsmeßstreifen, vorgese­ hen ist. Das Ergebnis dieser Gewichtsmessung, also das Ausgangssignal des Sensors wird danach zur Ansteuerung der Unterdruck-Steuereinrichtung her­ angezogen. Der Sensor kann dabei direkt am Transportarm vorgesehen sein, es ist jedoch auch möglich, das Objekt, dessen Gewicht ermittelt werden soll, zuerst leicht anzuheben, wobei der Haltedruck zum Halten des Objekts als Maß für das Objektgewicht ermittelt wird. Durch Bestimmen seines individu­ ellen Gewichts wird das Objekt während der Bewegung sicher gehalten. Mit diesem individuellen Haltedruck wird dann das Objekt bewegt. Neben dem reinen Haltedruck ist es auch möglich, die maximale Beschleunigung, eine Auswahl einer zuvor festgelegten Trajektorie des Objekts, die Geschwindig­ keit oder andere Bewegungsparameter auszuwählen oder einzustellen. Hier­ durch lassen sich auch sogenannte Randgreifer steuern, die das Objekt, bei­ spielsweise einen Wafer oder eine Box, am Rad greifen und am Rand fixierten um eine örtliche Festlegung des Objekts bezüglich der Handhabungsvorrich­ tung zu erreichen. Ein solches Festhalten kann z. B. mechanisch erfolgen, womit der Begriff "Haltedruck" auch im Sinne eines mechanischen Anpreß­ drucks mechanischer Teile der Handhabungsvorrichtung an das Objekt zu verstehen ist.According to a further advantageous embodiment of the invention, the sub pressure control device depending on a given pro gram sequence controllable. As an alternative or in addition to this possibility it is particularly advantageous if the weight of the object to be handled object-measuring sensor, for example a strain gauge hen is. The result of this weight measurement, i.e. the output signal of the The sensor is then used to control the vacuum control device dressed. The sensor can be provided directly on the transport arm, however, it is also possible to determine the object whose weight is to be determined. First raise slightly, using the holding pressure to hold the object as Measure for the object weight is determined. By determining his individu Because of its weight, the object is held securely during movement. With the object is then moved at this individual holding pressure. Next to the pure holding pressure it is also possible to get the maximum acceleration, a Selection of a predetermined trajectory of the object, the speed speed or other movement parameters to select or set. here can also be used to control so-called edge grippers that hold the object for example a wafer or a box, grab the wheel and fix it on the edge to locate the object in relation to the handling device to achieve. Such adherence can e.g. B. done mechanically, with which the term "holding pressure" also means a mechanical pressure  pressure mechanical parts of the handling device to the object understand is.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausfüh­ rungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:The present invention is described below based on a preferred embodiment tion examples of the invention with reference to the drawings explained. Show it:

Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung durch eine Schnellheizanlage; Figure 1 is a schematic sectional view through a rapid heating system.

Fig. 2a) und 2b) einen Träger zur Aufnahme von sieben Wafern in Aufsicht und im Querschnitt entlang der in Fig. 2a) eingezeichneten Schnittlinie; FIG. 2a) and 2b) a support for receiving seven wafers in plan view and taken along in FIG cross-section 2a) section line.

Fig. 3a) bis 3f) verschiedene Ausführungsformen der Abdeckung von Aus­ nehmungen im Träger; Fig. 3a) to 3f) different embodiments of the cover from recesses in the carrier;

Fig. 4 zwei Darstellungen alternativer Kombinationen von Ausnehmung mit Wafer und Abdeckung; Fig. 4 shows two representations of alternative combinations of recess with wafer and cover;

Fig. 5 verschiedene Ausführungsformen für Ausnehmungen; FIG. 5 shows different embodiments for recesses;

Fig. 6 Mechanismus zur Be- und Entladung des Trägers; . Fig. 6 mechanism for loading and unloading the carrier; ,

Fig. 7 eine schematische Darstellung eines Transportarms einer erfindungs­ gemäßen Handhabungsvorrichtung in Aufsicht; Fig. 7 is a schematic representation of a transport arm of a fiction, modern handling device in plan view;

Fig. 8 eine Seitenansicht des in Fig. 7 dargestellten Transportarms; Fig. 8 is a side view of the transport arm shown in Fig. 7;

Fig. 9 die schematische Darstellung einer Ausführungsform einer Unterdruck- Steuereinrichtung; Fig. 9 is a schematic representation of an embodiment of a vacuum control means;

Fig. 10a und 10b eine schematische Darstellung eines um seine Längsachse drehbaren Transportarms in Ansicht von oben und unten. Fig. 10a and 10b is a schematic illustration of a rotatable transfer arm about its longitudinal axis in view from above and below.

Fig. 1 zeigt schematisch eine typische Anlage 1 zur schnellen thermischen Behandlung von Objekten, vorzugsweise scheibenförmigen Halbleiterwafern 2. Der Wafer 2 ist auf einer Haltevorrichtung 3 abgelegt, bei der es sich bei­ spielsweise um stiftförmige Stützelemente oder eine Vorrichtung handeln kann, auf der der Wafer umfänglich aufliegt oder eine Waferhalterung anderer Art. Wafer 2 samt Haltevorrichtung 3 sind im Inneren einer Prozeßkammer 4 angeordnet. Bei der Prozeßkammer 4 handelt es sich um eine lichtdurchlässi­ ge Kammer, die vorzugsweise wenigstens abschnittsweise aus transparentem Quarz gefertigt ist. Nicht eingezeichnet sind Zu- und Abflüsse für Prozeßgase, durch die eine für den Prozeß geeignete Gasatmosphäre hergestellt werden kann. Oberhalb und/oder unterhalb und/oder seitlich - letzte hier nicht einge­ zeichnet - der Prozeßkammer 4 sind Lampenbänke 5 und 6 angebracht. Es handelt sich dabei bevorzugt um eine Vielzahl parallel angeordneter stabför­ miger Wolfram-Halogenlampen, es können aber auch andere Lampen ver­ wendet werden. Alternative Ausführungsformen der Kammer verzichten ent­ weder auf die obere Lampenbank 5 oder auf die untere Lampenbank 6 und/oder die seitlich angeordneten Lampen. Mittels der von den Lampen emittierten elektromagnetischen Strahlung wird das Objekt 2, beispielsweise ein Wafer, geheizt. Die gesamte Anordnung kann von einer äußeren Ofen­ kammer 7 umschlossen werden, deren Wände von Innen wenigstens ab­ schnittsweise verspiegelt sein können und die bevorzugt aus einem Metall wie Stahl oder Aluminium gefertigt sein kann. Schließlich ist noch eine Meßvor­ richtung vorhanden, die bevorzugt aus zwei berührungslosen Meßgeräten 8 und 9 besteht. Vorzugsweise handelt es sich bei den Meßgeräten 8 und 9 um zwei Pyrometer, es können aber auch CCD-Zeilen - oder andere Geräte zur Registrierung von Strahlung verwendet werden. Fig. 1 schematically illustrates a typical system 1 for rapid thermal treatment of objects, preferably disc-shaped semiconductor wafers. 2 The wafer 2 is placed on a holding device 3 , which can be, for example, pin-shaped support elements or a device on which the wafer lies circumferentially or a wafer holder of another type. Wafers 2 together with holding device 3 are arranged inside a process chamber 4 . The process chamber 4 is a light-transmissive chamber, which is preferably made at least in sections from transparent quartz. Inlets and outflows for process gases, by means of which a gas atmosphere suitable for the process can be produced, are not shown. Above and / or below and / or laterally - last not shown here - the process chamber 4 , lamp banks 5 and 6 are attached. It is preferably a plurality of parallel rod-shaped tungsten halogen lamps, but other lamps can also be used. Alternative embodiments of the chamber dispense with either the upper lamp bank 5 or the lower lamp bank 6 and / or the lamps arranged on the side. The object 2 , for example a wafer, is heated by means of the electromagnetic radiation emitted by the lamps. The entire arrangement can be enclosed by an outer furnace chamber 7 , the walls of which can at least be partially mirrored from the inside and which can preferably be made of a metal such as steel or aluminum. Finally, there is a Meßvor direction, which preferably consists of two non-contact measuring devices 8 and 9 . The measuring devices 8 and 9 are preferably two pyrometers, but it is also possible to use CCD lines - or other devices for registering radiation.

Um in einer solche Anlage Verbindungshalbleiter erfolgreich thermisch be­ handeln zu können, müssen diese in einem Behältnis eingeschlossen werden um einem Zersetzen des Halbleitermaterials entgegenzuwirken. In Fig. 2a) ist ein bevorzugter runder scheibenförmiger Träger 10 in Draufsicht dargestellt. Fig. 2b) zeigt einen Querschnitt durch den Träger 10 entlang der gestrichelten Linie in Fig. 2a). In order to be able to successfully thermally treat compound semiconductors in such a system, these must be enclosed in a container in order to counteract decomposition of the semiconductor material. A preferred round disk-shaped carrier 10 is shown in plan view in FIG. 2a). Fig. 2b) shows a cross section through the carrier 10 along the dashed line in Fig. 2a).

Der Träger 10 verfügt über mehrere kreisförmige Ausnehmungen 11 bis 17 gleichen Durchmessers auf einer oberen Scheibenfläche 18 zur Aufnahme von jeweils einem Wafer. Es sind aber auch unterschiedliche Durchmesser für die Ausnehmungen möglich. Dabei ist eine Ausnehmung 12 mittig zum Träger 10 angeordnet, während die übrigen sechs Ausnehmungen 11, 13, 14, 15, 16 und 17 die mittige Ausnehmung 12 auf einem zur mittigen Ausnehmung 12 und zum Trägerrand konzentrischen Kreis umgeben. Vorzugsweise beträgt der Durchmesser des Trägers 10 200 mm und der Durchmesser der gleich großen Ausnehmungen 52 mm.The carrier 10 has a plurality of circular recesses 11 to 17 of the same diameter on an upper disk surface 18 for receiving one wafer each. However, different diameters for the recesses are also possible. A recess 12 is arranged centrally to the carrier 10 , while the remaining six recesses 11 , 13 , 14 , 15 , 16 and 17 surround the central recess 12 in a circle concentric with the central recess 12 and the carrier edge. The diameter of the carrier is preferably 10 200 mm and the diameter of the equally large recesses is 52 mm.

Vorzugsweise ist der Träger 10 aus Graphit, Saphir, Quarz, Bornitrid, Alumini­ umnitrid, Silicium, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Keramik oder Metall gefertigt. Vorteilhafterweise ist die Oberseite 18 als auch die Unterseite 19 des Trägers glasperlenfeingestrahlt, um eine optischen Homogenität auf der Oberseite 18 und der Unterseite 19 zu gewährleisten.The carrier 10 is preferably made of graphite, sapphire, quartz, boron nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, silicon nitride, ceramic or metal. The top side 18 and the bottom side 19 of the carrier are advantageously blasted with glass beads in order to ensure an optical homogeneity on the top side 18 and the bottom side 19 .

Um geschlossene Behältnisse für die in den Ausnehmungen 11 bis 17 depo­ nierten Wafern 3 zu erhalten, werden diese mit wenigstens einer Abdeckung versehen, die ebenfalls glasperlenfeingestrahlt sein kann. In Fig. 3a) sind alle Ausnehmungen 11 bis 17 mit den darin enthaltenen Wafern mittels einer gro­ ßen Abdeckung 20 überdeckt. Bei einer in Fig. 3b) gezeigten anderen bevor­ zugten Form der Abdeckung sind die Ausnehmungen 11 bis 17 individuell mit Abdeckungen 21 bis 27 versehen. In Fig. 3c) sind die Ausnehmungen 14 und 13 von der Abdeckung 28, die Ausnehmungen 11 und 17 von der Abdeckung 29 und die Ausnehmungen 15, 12 und 16 von der Abdeckung 30 überdeckt. Fig. 3d) zeigt eine alternative Form der Abdeckung, bei der eine der Abdec­ kungen beliebig viele Ausnehmungen gleichzeitig, jedoch mehr als eine und nicht alle, abdeckt. Hier werden die Ausnehmungen 15, 12, 16, 11 und 17 von der Abdeckung 31 überdeckt und die Ausnehmungen 14 und 13 von der Ab­ deckung 28. In Fig. 3e) ist eine Abdeckung für mehrere Ausnehmungen mit individuellen Abdeckungen kombiniert, indem die Ausnehmungen 15, 12 und 16 von der Abdeckung 30 abgedeckt werden, während die Ausnehmungen 14, 13, 11 und 17 von den entsprechenden Abdeckungen 24, 23, 21 und 27 ab­ gedeckt sind. Fig. 3f) schließlich zeigt eine Kombination aus individuellen Ab­ deckungen, Abdeckungen für mehrere Ausnehmungen und nicht abgedeckten Ausnehmungen. So sind wie in Fig. 3e) die Ausnehmungen 15, 12 und 16 von einer Abdeckung 30, die Ausnehmungen 14 und 13 von den entsprechenden individuellen Abdeckungen 24 und 25 abgedeckt, während die Ausnehmungen 11 und 17 unbedeckt bleiben. Ganz allgemein können Abdeckungen für belie­ big viele Ausnehmungen mit individuellen Abdeckungen sowie nicht abge­ deckten Ausnehmungen in beliebiger Weise miteinander kombiniert werden.In order to obtain closed containers for the wafers 3 deposited in the recesses 11 to 17 , these are provided with at least one cover, which can also be glass bead blasted. In Fig. 3a) all recesses 11 to 17 are covered with the wafers contained therein by means of a large cover 20 . In another shown in Fig. 3b) preferred form of the cover, the recesses 11 to 17 are individually provided with covers 21 to 27 . In Fig. 3c) the recesses 14 and 13 are covered by the cover 28 , the recesses 11 and 17 by the cover 29 and the recesses 15 , 12 and 16 by the cover 30 . Fig. 3d) shows an alternative form of cover, in which one of the covers covers any number of recesses at the same time, but more than one and not all. Here, the recesses 15 , 12 , 16 , 11 and 17 are covered by the cover 31 and the recesses 14 and 13 from the cover 28th In Fig. 3e) a cover for several recesses is combined with individual covers in that the recesses 15 , 12 and 16 are covered by the cover 30 , while the recesses 14 , 13 , 11 and 17 are covered by the corresponding covers 24 , 23 , 21 and 27 are covered. Fig. 3f) finally shows a combination of individual covers, covers for several recesses and uncovered recesses. Thus, as in FIG. 3e), the recesses 15 , 12 and 16 are covered by a cover 30 , the recesses 14 and 13 by the corresponding individual covers 24 and 25 , while the recesses 11 and 17 remain uncovered. In general, covers for any number of recesses can be combined with individual covers as well as uncovered recesses in any way.

Die Abdeckungen sind nicht auf eine Oberfläche 18 des Trägers 10 be­ schränkt und können seitlich über den Träger 10 hinausragen.The covers are not limited to a surface 18 of the carrier 10 and can protrude laterally beyond the carrier 10 .

Ebenso wie der Träger 10 kann wenigstens eine der in den Fig. 3 gezeig­ ten Abdeckungen aus Graphit, Saphir, Quarz, Bornitrid, Aluminiumnitrid, Sili­ cium, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Keramik oder Metall gefertigt sein. Es können aber auch sowohl der Träger 10 als auch wenigstens eine der Abdec­ kungen aus den genannten Materialien bestehen.Like the carrier 10 , at least one of the covers shown in FIG. 3 can be made of graphite, sapphire, quartz, boron nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, silicon nitride, ceramic or metal. However, both the carrier 10 and at least one of the coverings can also consist of the materials mentioned.

Vorteilhaft wählt man für RTP-Prozesse Träger 10 mit wenigstens einer Ab­ deckung, die eine niedrige spezifische Wärmekapazität des Trägers und/oder wenigstens einer Abdeckung aufweisen. Vorzugsweise liegt die Wärmekapa­ zität zwischen 0,8 J/gK und 0,2 J/gK. Aus diesem Grund sollte der Träger 10 über eine möglichst geringe Dicke verfügen, die 5 mm nicht übersteigt. Bevor­ zugt wird eine Trägerdicke von bis zu 3 mm.Advantageously, one chooses carrier 10 with at least one cover for RTP processes, which have a low specific heat capacity of the carrier and / or at least one cover. The heat capacity is preferably between 0.8 J / gK and 0.2 J / gK. For this reason, the carrier 10 should have the smallest possible thickness that does not exceed 5 mm. Before a carrier thickness of up to 3 mm is added.

Ebenso sind Träger 10 mit wenigstens einer Abdeckung von Vorteil, bei denen der Träger 10 und/oder wenigstens eine der Abdeckungen eine hohe Wärme­ leitfähigkeit aufweisen. Vorzugsweise befindet sich die Wärmeleitfähigkeit zwischen 10 W/mK und 180 W/mK.Likewise, carriers 10 with at least one cover are advantageous, in which the carrier 10 and / or at least one of the covers have a high thermal conductivity. The thermal conductivity is preferably between 10 W / mK and 180 W / mK.

Die Abdeckungen können wie die in Fig. 4a) gezeigte Abdeckung 33 auf dem Träger 10 abgelegt werden und die Ausnehmung 32 mit dem darin befindli­ chen Wafer 2 abdecken. Vorteilhafterweise verfügt die Abdeckung 33 über noppenförmige Ausbildungen 34 oder ähnliche entsprechende Vorrichtungen, die sich paßgenau in entsprechende Mulden 35 auf der Oberfläche 18 des Trägers 10 fügen und die Abdeckung 33 fixieren, um ein Verrutschen zu ver­ hindern. Es kann aber auch auf solche Vorrichtungen verzichtet werden.The covers can be placed on the carrier 10 like the cover 33 shown in FIG. 4a) and cover the recess 32 with the wafer 2 located therein. Advantageously, the cover 33 has knob-shaped formations 34 or similar devices which fit snugly into corresponding depressions 35 on the surface 18 of the carrier 10 and fix the cover 33 in order to prevent slipping. However, such devices can also be dispensed with.

Bevorzugt wird eine Ausführung, bei der die Ausnehmung 32 wie in Fig. 4b) gezeigt über eine sie kranzförmig umgebende Vertiefung 36 verfügt, in die sich die Abdeckung 33 fügt. Vorteilhafterweise ist die Tiefe der Vertiefung 36 so groß wie die Dicke der Abdeckung 33 um bündig mit der oberen Fläche 18 abzuschließen und eine ebene Oberfläche des Trägers 10 zu gewährleisten. Vorteilhafterweise sind wenigstens Teile des Trägers 10 oder Teile einer der Abdeckungen 20 bis 31 oder Teile des Trägers 10 und Teile wenigstens einer der Abdeckungen 20 bis 31 beschichtet. So kann es beispielsweise von Vor­ teil sein, eine Innenfläche einer oder aller Ausnehmungen 11 bis 16 sowie ei­ ne die Ausnehmung abdeckende Fläche einer oder mehrerer Abdeckungen 20 bis 31 wenigstens teilweise mit einer bestimmten Schicht zu versehen, die inert ist gegen chemische Vorgänge, die sich beim Prozessieren des Wafers 3 innerhalb der abgedeckten Ausnehmungen 11 bis 16 abspielen, während äu­ ßere Flächen des Trägers 10 unbeschichtet bleiben, um gewünschte Absorp­ tionseigenschaften bezüglich der Heizstrahlung aufzuweisen. In anderen Fäl­ len lassen sich beispielsweise lokale optische Eigenschaften von Träger 10 und Abdeckungen 20 bis 31 durch geeignete gebietsweise Beschichtungen der Oberflächen erreichen.An embodiment is preferred in which the recess 32, as shown in FIG. 4b), has a recess 36 surrounding it in the form of a ring, into which the cover 33 fits. The depth of the depression 36 is advantageously as large as the thickness of the cover 33 in order to be flush with the upper surface 18 and to ensure a flat surface of the carrier 10 . At least parts of the carrier 10 or parts of one of the covers 20 to 31 or parts of the carrier 10 and parts of at least one of the covers 20 to 31 are advantageously coated. For example, it can be of advantage to provide an inner surface of one or all of the recesses 11 to 16 and a surface of one or more covers 20 to 31 covering the recess at least partially with a specific layer that is inert to chemical processes that occur play during processing of the wafer 3 within the covered recesses 11 to 16 , while outer surfaces of the carrier 10 remain uncoated in order to have the desired absorption properties with respect to the radiant heat. In other cases, local optical properties of the carrier 10 and covers 20 to 31 can be achieved, for example, by suitable coating of the surfaces in certain areas.

Entsprechend kann es von Vorteil sein, wenigstens Teile des Trägers 10 oder Teile einer der Abdeckungen 20 bis 31 oder Teile des Trägers 10 und Teile einer der Abdeckungen 20 bis 31 transparent für die Heizstrahlung zu gestal­ ten, indem man diese beispielsweise aus Quarz oder Saphir fertigt. Vorteil­ hafterweise werden die Abdeckungen 20 bis 31 sowie Teile des Trägers 10, die den Bodenflächen der Ausnehmungen entsprechen, undurchlässig für die Heizstrahlung ausgeführt, während die anderen Teile des Trägers 10 transpa­ rent sind. Accordingly, it can be advantageous to design at least parts of the carrier 10 or parts of one of the covers 20 to 31 or parts of the carrier 10 and parts of one of the covers 20 to 31 transparent to the radiant heat, for example by producing them from quartz or sapphire , Advantageously, the covers 20 to 31 and parts of the carrier 10 , which correspond to the bottom surfaces of the recesses, are made impermeable to the radiant heat, while the other parts of the carrier 10 are transparent.

In einer bevorzugten Ausführung des Trägers 10 verfügen alle Ausnehmungen 20 bis 31 über eine gleiche Tiefe. Dadurch befinden sich die beladenen Wafer 2 parallel ausgerichtet alle auf einer Ebene und auf gleicher Höhe.In a preferred embodiment of the carrier 10 , all the recesses 20 to 31 have the same depth. As a result, the loaded wafers 2 are aligned in parallel, all on one level and at the same height.

Es kann manchmal aber auch von Vorteil sein, die Tiefen der Ausnehmungen 20 bis 31 unterschiedlich auszuführen. In diesem Fall liegen die Wafer 2 zwar immer noch parallel, sind aber in der Höhe gegeneinander versetzt und liegen auf verschiedenen Ebenen.However, it can sometimes be advantageous to design the depths of the recesses 20 to 31 differently. In this case, the wafers 2 are still parallel, but are offset in height from one another and lie on different levels.

Vorteilhafterweise wird eine Halterung der Wafer 2 innerhalb wenigstens einer Ausnehmung 11 bis 17 gewählt, bei der ein Kontakt zwischen dem Wafer und dem Boden der Ausnehmung vermieden wird. Wie in Fig. 5a) gezeigt, erreicht man dies vorteilhaft durch innerhalb einer Ausnehmung 32 angeordnete stift­ förmige Stützelemente 37, von denen der Wafer 2 aufgenommen wird. Dann lassen sich die Wafer 2 bei gleicher Tiefe der Ausnehmungen aber unter­ schiedlicher Länge der Stützelemente 37 in jeder Ausnehmung auf unter­ schiedlich hohen Ebenen anordnen.A holding of the wafers 2 within at least one recess 11 to 17 is advantageously selected, in which contact between the wafer and the bottom of the recess is avoided. As shown in FIG. 5 a), this is advantageously achieved by means of pin-shaped support elements 37 arranged within a recess 32 , by which the wafer 2 is received. Then the wafers 2 can be arranged at the same depth of the recesses but with different lengths of the support elements 37 in each recess at different levels.

Fig. 5b) zeigt eine andere bevorzugte Möglichkeit, den Wafer 2 so anzuordnen, daß ein Kontakt mit dem Boden der Ausnehmung 32 vermieden wird. Hier wird der Wafer 2 in seinem Randbereich unterstützt, indem die Ausnehmung 32 konisch nach Innen zuläuft. Es wird dadurch ein nach innen abgeschrägter Rand der Ausnehmung 32 erreicht, der eine Randauflage des Wafers ermög­ licht. Bei einer anderen in Fig. 5c) gezeigten Ausführungsform ist eine Aus­ nehmung 32 konkav ausgebildet, was wiederum dazu führt, daß der Wafer 2 mit seinem Rand auf dem Rand der Ausnehmung 32 gelagert wird. Je nach Ausformung der konischen und der konkaven Ausnehmungen 32, kann man den Wafer auf unterschiedlichen Höhen ablegen. Fig. 5b) shows another preferred possibility, the wafer 2 to be arranged so that a contact with the bottom of the recess 32 is avoided. Here the wafer 2 is supported in its edge area by the recess 32 tapering inwards. It is thereby achieved an inwardly beveled edge of the recess 32 , the light an edge support of the wafer. In another embodiment shown in Fig. 5c), a recess 32 is concave, which in turn means that the edge of the wafer 2 is supported on the edge of the recess 32 . Depending on the shape of the conical and concave recesses 32 , the wafer can be placed at different heights.

Zum Beladen des Trägers 10 kann ein Greifer verwendet werden, der über eine Ansaugvorrichtung beispielsweise nach dem Bernoulli-Prinzip verfügen kann. Dieser Greifer nimmt die Wafer 2 sukzessive auf und legt sie in die Ausnehmungen 11 bis 17. A gripper can be used to load the carrier 10 , which can have a suction device, for example according to the Bernoulli principle. This gripper picks up the wafers 2 successively and places them in the recesses 11 to 17 .

Bei einer anderen Ausführungsform werden die Wafer 2 auf Stützstiften 38 abgelegt, wie in Fig. 6a) gezeigt ist. Die Stützstifte 38 werden durch Bohrun­ gen 39 geführt, die im Boden einer jeden Ausnehmung 32 vorgesehen sind. Ebenso können die Abdeckungen 33 auf Stützstiften 40 angeordnet sein. Die Stützstifte 40 werden entweder wie in Fig. 6a) dargestellt durch Bohrungen 41 geführt, die den Träger 10 außerhalb der Ausnehmungen 32 durchlaufen, oder aber die Stützstifte 40 verlaufen gänzlich außerhalb des Trägers 10. Vorteil­ hafterweise sind die Stützstifte 38 für verschiedene Ausnehmungen unter­ schiedlich hoch ausgebildet, um ein Beladen der vom Greifer abgewandten Ausnehmungen nicht durch die Stützstifte, die zum Beladen der dem Greifer zugewandten Ausnehmungen vorgesehen sind, zu behindern. Aus denselben Gründen können die Stützstifte 40 für die Abdeckungen 33 unterschiedliche Längen aufweisen. Bevorzugt sind die Stützstifte 40 alle höher als die Stütz­ stifte 38.In another embodiment, the wafers 2 are placed on support pins 38 , as shown in FIG. 6a). The support pins 38 are guided through holes 39 provided in the bottom of each recess 32 . Likewise, the covers 33 can be arranged on support pins 40 . The support pins 40 are either guided through bores 41 , as shown in FIG. 6 a), which pass through the carrier 10 outside the recesses 32 , or the support pins 40 run entirely outside of the carrier 10 . Advantageously, the support pins 38 for different recesses are formed at different heights so as not to impede loading of the recesses facing away from the gripper by the support pins, which are provided for loading the recesses facing the gripper. For the same reasons, the support pins 40 for the covers 33 can have different lengths. Preferably, the support pins 40 are all higher than the support pins 38 .

Bei einer anderen Ausführungsform wird der Träger 10 zum Beladen um eine vertikale Achse gedreht. Somit kann erreicht werden, daß immer die gerade zu beladende Ausnehmung 32 zum Greifer hinweist.In another embodiment, the carrier 10 is rotated about a vertical axis for loading. It can thus be achieved that the recess 32 to be loaded always points towards the gripper.

Sobald die Wafer 2 auf den Stützstiften 38 und die Abdeckungen 33 auf den Stützstiften 40 abgelegt sind, bewegen sich diese nach unten durch den Trä­ ger 10 hindurch, wodurch die Wafer 10 von den Stützstiften 38 und die Ab­ deckungen 33 von den Stützstiften 40 abgehoben werden. Die Wafer 2 wer­ den dadurch in den ihnen zugeordneten Ausnehmungen abgelegt. Alternativ läßt sich auch der Träger 10 nach oben bewegen.Once the wafers 2 are placed on the support pins 38 and the covers 33 on the support pins 40 , these move downward through the carrier 10 , whereby the wafers 10 from the support pins 38 and the covers 33 are lifted off the support pins 40 , The wafer 2 who thereby placed in the recesses assigned to them. Alternatively, the carrier 10 can also be moved upwards.

Die Beladung des Wafers 10 kann sowohl innerhalb der Prozeßkammer 4 als auch außerhalb der Prozeßkammer 4 erfolgen.The wafer 10 can be loaded both inside the process chamber 4 and outside the process chamber 4 .

Der in den Fig. 7 und 8 schematisch dargestellte Transportarm 41 der erfin­ dungsgemäßen Handhabungsvorrichtung, wie sie etwa im Zusammenhang mit dem Handhaben von Wafern und Behältnissen bei thermischen Behandlungs­ verfahren angewendet wird, weist typischerweise eine Breite b von etwa 35 mm auf, die kleiner als der Durchmesser eines strichliniert dargestellten Ob­ jekts, etwa eines Wafers 42 oder einen Behältnisses ist. Dadurch kann der Wafer, der in Kassetten beanstandet von den Nachbarwafern gestapelt und untergebracht ist, aus diesen entnommen und nach dem Prozessieren wieder in sie abgelegt werden. Die Dicke d (vgl. Fig. 8) des Transportarms 41 liegt im Bereich von 1 bis 5 mm und beträgt typischerweise 2 mm. Die Dicke ist so gewählt, dass der Transportarm 41 zwischen zwei benachbart in den Kasset­ ten angeordneten Wafern paßt und damit einen Wafer 42 aus der Kassette nehmen kann. Die Länge des Transportarms 41 ist den Erfordernissen ent­ sprechend gewählt, ebenso sein Querschnitts- und Dickenprofil. Die typische Länge eines Transportarms 41 bei der genannten Anwendungsform liegt zwi­ schen 20 und 70 cm.The transport arm, shown schematically in FIGS. 7 and 8, 41 of the OF INVENTION to the invention handling apparatus, as applied as methods in connection with the handling of wafers and containers during thermal treatment has typically a width b of about 35 mm, which is smaller than is the diameter of an object shown in dashed lines, such as a wafer 42 or a container. As a result, the wafer, which is stacked and accommodated in cassettes by the neighboring wafers, can be removed from them and put back into them after processing. The thickness d (cf. FIG. 8) of the transport arm 41 is in the range from 1 to 5 mm and is typically 2 mm. The thickness is selected so that the transport arm 41 fits between two wafers arranged adjacent to one another in the cassette and can thus take a wafer 42 out of the cassette. The length of the transport arm 41 is chosen accordingly, as is its cross-sectional and thickness profile. The typical length of a transport arm 41 in the above application is between 20 and 70 cm.

Der Wafer wird gemäß dem in den Fig. 7 und 8 dargestellten Ausführungsbei­ spiel mit drei Halterungseinrichtungen 43-1, 43-2 und 43-3, auch Pads ge­ nannt, gehalten, die in der dargestellten Ausführungsform auch für das Halten eines (nicht dargestellten) Behältnisses vorgesehen sind. Alternativ ist es auch möglich, unterschiedliche Halterungseinrichtungen oder Pads für die Wafer einerseits und das Behältnis andererseits vorzusehen.The wafer is held in accordance with the embodiment shown in FIGS . 7 and 8 game with three holding devices 43-1 , 43-2 and 43-3 , also called pads, which in the illustrated embodiment also hold a (not shown) ) Container are provided. Alternatively, it is also possible to provide different holding devices or pads for the wafer on the one hand and the container on the other.

Im Transportarm 41 sind Vakuum- oder Unterdruckleitungen 44 vorgesehen, die die Pads 43-1, 43-2 und 43-3 mit einer Vakuum- oder Unterdruckquelle 45 über eine Verbindungsleitung 46 verbinden. In einer Vakuumleitung 44 zu ei­ nem der Pads 43-2 ist ein Unterdruck-Steuerelement 47, etwa ein steuerbares Ventil, vorgesehen.The transfer arm 41 vacuum or low-pressure lines 44 are provided, the pads 43-1, 43-2 and 43-3 connect to a vacuum or negative pressure source 45 via a connecting line 46th A vacuum control element 47 , such as a controllable valve, is provided in a vacuum line 44 to one of the pads 43-2 .

Der Transportarm 41 ist über ein Befestigungselement 48 mit nicht darge­ stellten Bauteilen und Bewegungselementen der Handhabungvorrichtung ver­ bunden. Im Befestigungselement 48 verlaufen ebenfalls Vakuumleitungen oder Kanäle 49, die mit ihren den Transportarm 41 abgewandten Enden an die Verbindungsleitung 46 angeschlossen sind. The transport arm 41 is connected via a fastening element 48 with components and movement elements of the handling device, not shown in the drawing. Vacuum lines or channels 49 likewise run in the fastening element 48 and are connected to the connecting line 46 with their ends facing away from the transport arm 41 .

Wie bereits zuvor im einzelnen ausgeführt wurde, können die Pads 43-1, 43-2 und 43-3 entsprechend den Gegebenheiten angepaßte Formen, Maße und Ausgestaltungen aufweisen, um den zu handhabenden Wafer sowie das zu handhabende Behältnis sicher zu halten.As has already been explained in detail above , the pads 43-1 , 43-2 and 43-3 can have shapes, dimensions and configurations adapted to the circumstances in order to hold the wafer to be handled and the container to be handled securely.

Das Unterdruck-Steuerelement 47 ist gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung dafür vorgesehen, an eines der Pads einen gegenüber den üb­ rigen Pads unterschiedlichen Unterdruck anzulegen, wenn dies erforderlich ist.The vacuum control element 47 is provided according to a further embodiment of the invention for applying a different vacuum than the usual pads to one of the pads, if this is necessary.

Auch können für jedes der Pads jeweils individuelle Unterdruck- Steuerelemente vorgesehen sein. In der Verbindungsleitung 46 ist beispiels­ weise zwischen dem Transportarm 41 und der Unterdruck- bzw. Vakuumquelle 45 eine Unterdruck-Steuereinrichtung 51 vorgesehen. Ein Ausführungsbei­ spiel hierfür ist in Fig. 9 schematisch dargestellt. In der Verbindungsleitung 46 zwischen der Unterdruckquelle 45 und den Unterdruckleitungen 44 des Transportarms 41 sind in der Unterdruck-Steuereinrichtung 51 zwei parallele Unterdruckleitungen 52 und 53 vorgesehen, die über einen ersten und einen zweiten Umschalter 54, 55 wahlweise in die Unterdruckleitung 46 geschaltet werden können. Die erste Unterdruckleitung 52 ist dafür vorgesehen, den von der Unterdruckquelle 45 bereitgestellten Unterdruck unverändert an die Un­ terdruckleitungen 44 des Transportarms 41 weiterzuleiten. Dagegen ist in der zweiten Unterdruckleitung 53 der Unterdruck-Steuereinrichtung 51 ein Unter­ druckregler 56 vorgesehen, der den Unterdruck in der zweiten Verbindungs­ leitung 53 verändert.Individual vacuum control elements can also be provided for each of the pads. In the connecting line 46 , a vacuum control device 51 is provided, for example, between the transport arm 41 and the vacuum or vacuum source 45 . An exemplary embodiment of this is shown schematically in FIG. 9. In the connecting line 46 between the negative pressure source 45 and the negative pressure lines 44 of the transport arm 41 , two parallel negative pressure lines 52 and 53 are provided in the negative pressure control device 51 , which can optionally be switched into the negative pressure line 46 via a first and a second changeover switch 54 , 55 . The first vacuum line 52 is intended to pass the vacuum provided by the vacuum source 45 unchanged to the vacuum lines 44 of the transport arm 41 . In contrast, a vacuum regulator 56 is provided in the second vacuum line 53 of the vacuum control device 51 , which changes the vacuum in the second connection line 53 .

Die Schaltung der Umschalter 54 und 55 erfolgt bei dem dargestellten Ausfüh­ rungsbeispiel über einen mit einer Befehls-Software gesteuerten Rechner, der schematisch mit dem Bezugszeichen 57 versehen ist und einer Schnitt­ stelle 58 der Unterdruck-Steuereinrichtung 51 die entsprechenden Programm­ befehle bereitstellt, die dann in Form von Steuersignalen über elektrische Leitungen 59 und 60 an die Umschalter 54 und 55 gelangen. The switching of the changeover switches 54 and 55 takes place in the exemplary embodiment shown, via a computer controlled by a command software, which is schematically provided with the reference number 57 and an interface 58 of the vacuum control device 51 which provides the corresponding program commands, which are then in Form control signals on electrical lines 59 and 60 to the switch 54 and 55 .

Statt der Steuerung der Umschalter 54 und 55 mittels eines Programmes ist es auch möglich, die Umschaltung in Abhängigkeit vom Ausgangssignal eines Gewichtssensors zu steuern, der das Gewicht des zu handhabenden Objekts ermittelt.Instead of controlling the changeover switches 54 and 55 by means of a program, it is also possible to control the changeover depending on the output signal of a weight sensor, which determines the weight of the object to be handled.

Bei einem zu handhabenden Objekt 42, das ein relativ großes Gewicht auf­ weist, wird ein relativer großer Unterdruck, d. h. ein relativ kleiner absoluter Druck, dadurch an die Halterungseinrichtungen 43-1, 43,2, 43-3 angelegt, in dem die erste Unterdruckleitung 52, die einen Unterdruck-Regler nicht auf­ weist, mit der in Fig. 9 dargestellten Schaltstellung der Schalter 54 und 55 mit der Unterdruckquelle 45 verbunden wird. Im Falle der Temperaturbehandlung von Wafern ist dies - wie zuvor im einzelnen beschrieben wurde - ein Behält­ nis, in dem wenigstens ein Wafer enthalten ist, und das beispielsweise aus Graphit, aus Siliciumcarbid oder Aluminiumnitrid besteht. Ein derartiges Be­ hältnis aus Graphit kann gemäß weiterer Ausführungsformen auch mit den Materialien Siliciumcarbid oder Aluminiumnitrid beschichtet sein. Durch den relativ großen Unterdruck wird das Behältnis sicher und zuverlässig während des Handhabungs- und Transportvorgangs an der Halterungseinrichtung mit den Pads 43-1, 43-2, 43-3 angedrückt und gehalten.In the case of an object 42 to be handled which has a relatively large weight, a relatively large negative pressure, ie a relatively small absolute pressure, is thereby applied to the holding devices 43-1 , 43 , 2 , 43-3 in which the first negative pressure line 52 , which does not have a vacuum regulator, is connected to the vacuum source 45 with the switch position shown in FIG. 9 of the switches 54 and 55 . In the case of the thermal treatment of wafers, as described above in detail, this is a container in which at least one wafer is contained and which consists, for example, of graphite, silicon carbide or aluminum nitride. Such a Be made of graphite can also be coated with the materials silicon carbide or aluminum nitride according to further embodiments. Due to the relatively large negative pressure, the container is pressed and held securely and reliably on the holding device with the pads 43-1 , 43-2 , 43-3 during the handling and transport process.

Wenn dagegen mit derselben Handhabungsvorrichtung ein Objekt mit kleine­ rem Gewicht, beispielsweise ein Halbleiterwafer mit einem Gewicht von nur 0,1 bis 20 g, transportiert oder gehandhabt werden soll, werden die Umschal­ ter 54 und 55 in die Stellung umgeschaltet, in der die Pads 43-1, 43-2 und 43-3 über die zweite Verbindungsleitung 53 mit der Unterdruckquelle 45 in Ver­ bindung steht. In dieser zweiten Verbindungsleitung 53 wird der Unterdruck mit dem Unterdruck-Regler 56 verringert, der absolute Druck also erhöht, so dass der Anpreßdruck für den Wafer geringer ist als der für das Behältnis. Dieser Unterdruck ist also an den Wafer angepaßt und so gering, dass die Gefahr eines Bruchs durch einen zu großen Unterdruck an den Pads vermie­ den wird. If, on the other hand, an object with a small weight, for example a semiconductor wafer weighing only 0.1 to 20 g, is to be transported or handled with the same handling device, the switches 54 and 55 are switched to the position in which the pads 43 -1, 43-2 and 43-3 is connected via the second connecting line 53 to the vacuum source 45, in conjunction. In this second connecting line 53 , the vacuum is reduced with the vacuum regulator 56 , that is, the absolute pressure is increased, so that the contact pressure for the wafer is lower than that for the container. This vacuum is therefore adapted to the wafer and so low that the risk of breakage due to excessive vacuum on the pads is avoided.

In Fig. 10a und 10b ist ein Ausführungsbeispiel für einen Transportarm 41 dargestellt, der auf beiden Seiten jeweils eine Halterungseinrichtung aufweist, die sich voneinander beispielsweise hinsichtlich der Anzahl der Pads 61-1, 61-2, 61-3, 62, deren Struktur, Form und/oder Abmessungen unterschiedlich sein können, unterscheiden. Während in Fig. 10a eine Padstruktur dargestellt ist, die im Wesentlichen der des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 7 entspricht und für das Halten von Objekten mit kleinem Gewicht, beispielsweise Wafern vorgesehen ist, weist die andere Seite des Transportarms 41 eine Padstruktur auf, die beispielsweise nur einen relativ großflächigen, runden Pad besitzt, der mit nur einer Unterdruckleitung verbunden ist und beispielsweise für ein Objekt mit größerem Gewicht, beispielsweise für ein Waferbehältnis oder eine Graphitbox vorgesehen ist.In Fig. 10a and 10b, an embodiment is shown for a transport arm 41, which in each case has on both sides of a support means extending from one another for example with regard to the number of the pads 61-1, 61-2, 61-3, 62, whose structure, Shape and / or dimensions may differ. While in Fig. 10a a pad structure is shown that corresponds to substantially that of the embodiment of FIG. 7 and is provided for holding objects with small weight, for example wafers, the other side of the transport arm 41, a pad structure to, for example, only has a relatively large-area, round pad, which is connected to only one vacuum line and is provided, for example, for an object with greater weight, for example for a wafer container or a graphite box.

Wie durch den Drehpfeil 63 angedeutet ist, ist der Transportarm 41 bei die­ sem Ausführungsbeispiel um seine Achse 64 um 180° drehbar, so dass je nachdem, ob das Objekt mit größerem Gewicht oder das Objekt mit kleinerem Gewicht gehalten und gehandhabt werden soll, eine der beiden Seiten des Transportarms 41 wahlweise verwendbar sind.As indicated by the rotation arrow 63 , the transport arm 41 in this embodiment is rotatable about its axis 64 by 180 °, so that depending on whether the object with a greater weight or the object with a smaller weight is to be held and handled, one of the Both sides of the transport arm 41 can be used optionally.

Wenn die Handhabungsvorrichtung in der Halbleiterindustrie eingesetzt wird, sollte dessen Material und insbesondere das Material des Transportarms 41 für diesen Anwendungszweck tauglich sein und vorzugsweise aus Saphir, Ke­ ramik und/oder Quarz oder einer Kombination aus diesen Materialien beste­ hen. Diese Materialien haben weiterhin den Vorteil, dass die Be- und Entla­ dung einer Prozeßkammer bei Temperaturen bis zum 700°C erfolgen kann. Saphir und Keramik haben aufgrund des hohen Elastizitätsmoduls ferner den weiteren Vorteil einer hohen Steifigkeit, d. h. der Transportarm 41 biegt sich selbst bei Auflagen eines Behältnisses mit einem Gewicht von 200 g wenn überhaupt, nur wenig durch. Die Oberflächen des Transportarms 41 sollten möglichst glatt sein. Dies und eine möglichst einstückige Ausbildung des Transportarms 41 erleichtert das Reinigen und verringert einen möglichen Partikeltransport in die Prozeßkammer. If the handling device is used in the semiconductor industry, its material and in particular the material of the transport arm 41 should be suitable for this application and preferably consist of sapphire, ceramic and / or quartz or a combination of these materials. These materials also have the advantage that the loading and unloading of a process chamber can take place at temperatures up to 700 ° C. Sapphire and ceramics also have the further advantage of high rigidity due to the high modulus of elasticity, ie the transport arm 41 bends little, if at all, even when a container with a weight of 200 g is supported. The surfaces of the transport arm 41 should be as smooth as possible. This and a possible one-piece design of the transport arm 41 facilitates cleaning and reduces possible particle transport into the process chamber.

Obwohl die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie nicht auf die konkreten Ausführungsbeispiele beschränkt. Bei­ spielsweise kann der Träger 10 von eckiger Form sein. Ebenso können die Ausnehmungen eine eckige Form aufweisen. Zudem ist die Anzahl der Aus­ nehmungen nicht auf sieben beschränkt. Auch können bei Trägern mit runden Ausnehmungen die Durchmesser der Ausnehmungen von 52 mm verschieden sein, um auch Wafer von 100 mm oder 150 mm aufnehmen zu können. Ein Träger kann beispielsweise auch über unterschiedlich dimensionierte Aus­ nehmungen verfügen. Darüber hinaus können einzelne Merkmale der oben beschriebenen Ausführungsformen in jeder kompatiblen Art und Weise aus­ getauscht oder miteinander kombiniert werden.Although the invention has been described on the basis of preferred exemplary embodiments, it is not restricted to the specific exemplary embodiments. In example, the carrier 10 may be angular in shape. Likewise, the recesses can have an angular shape. In addition, the number of exceptions is not limited to seven. Also, in the case of carriers with round recesses, the diameter of the recesses can differ from 52 mm in order to also be able to accommodate wafers of 100 mm or 150 mm. A carrier can, for example, also have recesses of different dimensions. In addition, individual features of the above-described embodiments can be exchanged or combined with one another in any compatible manner.

Auch die erfindungsgemäße Handhabungsvorrichtung ist nicht auf die Merk­ male und Ausführungsform der beschriebenen Ausführungsbeispiele be­ schränkt. Beispielsweise ist es auch möglich, die Objekte, etwa die Wafer oder Behältnisse dadurch an den Halterungseinrichtungen zu halten, dass das Ansaugen über den Bernoulli-Effekt erfolgt, also in dem die Halterungsein­ richtungen bzw. die Pads mit Überdruck beaufschlagt werden, so dass sich eine Bernoulli-Wirkung ergibt. In diesem Falle müssen Beschleunigungskräfte in horizontaler Richtung mittels zusätzlicher Hilfsmittel vorgesehen werden, die z. B. Randbegrenzungen sein können, mit denen die Objekte relativ zum Transportarm 41 fixierbar sind.The handling device according to the invention is not limited to the characteristics and embodiment of the exemplary embodiments described. For example, it is also possible to hold the objects, for example the wafers or containers, on the holding devices in that the suction takes place via the Bernoulli effect, that is to say in which the holding devices or the pads are subjected to excess pressure, so that one Bernoulli effect results. In this case, acceleration forces must be provided in the horizontal direction by means of additional aids, which, for. B. can be edge limits with which the objects can be fixed relative to the transport arm 41 .

Claims (51)

1. Vorrichtung zur Aufnahme von scheibenförmigen Objekten, vorzugsweise Halbleiterwafern zu deren thermischer Behandlung, gekennzeichnet durch einen Träger mit wenigstens zwei Ausnehmungen zur Aufnahme jeweils eines Objekts.1. Device for holding disk-shaped objects, preferably semiconductor wafers for their thermal treatment, characterized by a carrier with at least two recesses for holding one object each. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch wenigstens eine Ab­ deckung zum Abdecken wenigstens einer Ausnehmung.2. Device according to claim 1, characterized by at least one from cover to cover at least one recess. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger und/oder wenigstens eine der Abdeckungen aus Graphit, Saphir, Quarz, Bornitrid, Aluminiumnitrid, Silicium, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Keramik, und/oder Metall besteht.3. Device according to claim 1 or 2, characterized in that the Carrier and / or at least one of the covers made of graphite, sapphire, Quartz, boron nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, silicon nitride, Ceramic, and / or metal. 4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Träger und/oder die Abdeckungen eine Wärmekapazität zwischen 0,2 J/gK und 0,8 J/gK aufweist bzw. aufweisen.4. Device according to one of the preceding claims, characterized records that the carrier and / or the covers have a thermal capacity between 0.2 J / gK and 0.8 J / gK. 5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Träger und/oder die Abdeckungen eine Wärmekapazität zwischen 10 W/mK und 180 W/mK aufweist bzw. aufweisen.5. Device according to one of the preceding claims, characterized records that the carrier and / or the covers have a thermal capacity between 10 W / mK and 180 W / mK. 6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß wenigstens Teile des Trägers und/oder der Abdeckungen beschichtet sind.6. Device according to one of the preceding claims, characterized records that at least parts of the carrier and / or the covers are coated. 7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Träger und/oder die Abdeckungen wenigstens in Teilbe­ reichen transparent ist bzw. sind.7. Device according to one of the preceding claims, characterized records that the carrier and / or the covers at least in Teilbe is or are transparent. 8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß in den einzelnen Ausnehmungen voneinander unterschiedli­ che Gas-Atmosphären vorgesehen sind.8. Device according to one of the preceding claims, characterized records that differed from each other in the individual recesses che gas atmospheres are provided. 9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Objekte in einer Ebene angeordnet sind. 9. Device according to one of the preceding claims, characterized records that the objects are arranged in one plane.   10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Objekte in wenigstens zwei zueinander parallelen und voneinander beabstandeten Ebenen angeordnet sind.10. Device according to one of the preceding claims, characterized records that the objects in at least two parallel and spaced planes are arranged. 11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens zwei Ausnehmungen unterschiedlich tief sind.11. The device according to claim 10, characterized in that at least two recesses are of different depths. 12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß wenigstens ein Objekt flächig auf einer Bodenfläche der Ausnehmung aufliegt.12. Device according to one of the preceding claims, characterized records that at least one object is flat on a floor surface of the Recess rests. 13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Objekt von der Bodenfläche der Ausnehmung beab­ standet angeordnet ist.13. Device according to one of claims 1 to 10, characterized in that that at least one object from the bottom surface of the recess stands is arranged. 14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Objekt auf Stützelementen aufliegt.14. The apparatus according to claim 13, characterized in that at least an object rests on support elements. 15. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Objekt in seinem Randbereich aufliegt.15. The apparatus according to claim 13, characterized in that at least an object lies in its edge area. 16. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß wenigstens eine Ausnehmung wenigstens in ihrem äußeren Bereich konusförmig ausgebildet ist.16. Device according to one of the preceding claims, characterized records that at least one recess at least in its outer Area is conical. 17. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß wenigstens eine Ausnehmung konkav ausgebildet ist.17. Device according to one of the preceding claims, characterized records that at least one recess is concave. 18. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß wenigstens zwei Ausnehmungen unterschiedliche Abmes­ sungen aufweisen.18. Device according to one of the preceding claims, characterized records that at least two recesses of different dimensions have solutions. 19. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß wenigstens zwei der Objekte unterschiedliche Abmessungen aufweisen. 19. Device according to one of the preceding claims, characterized records that at least two of the objects have different dimensions exhibit.   20. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Objekte Verbindungshalbleiter sind.20. Device according to one of the preceding claims, characterized indicates that the objects are compound semiconductors. 21. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß wenigstens zwei der Objekte unterschiedliche Materialien aufweisen.21. Device according to one of the preceding claims, characterized records that at least two of the objects have different materials exhibit. 22. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Objekte wenigstens teilweise beschichtet sind.22. Device according to one of the preceding claims, characterized records that the objects are at least partially coated. 23. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Objektmaterial inhomogen ist.23. Device according to one of the preceding claims, characterized records that the object material is inhomogeneous. 24. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Stützstifte zum Beladen des Trägers mit Objekten und/oder Abdec­ kungen.24. Device according to one of the preceding claims, characterized by support pins for loading the carrier with objects and / or abdec fluctuations. 25. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Stütz­ stifte durch den Träger hindurchragen.25. The device according to claim 24, characterized in that the support protruding pins through the carrier. 26. Vorrichtung nach Anspruch 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Stützstifte unterschiedlich hoch sind.26. The apparatus according to claim 24 or 25, characterized in that the Support pins are of different heights. 27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeich­ net, daß die Stützstifte für die Abdeckungen höher sind als für die Objekte.27. The device according to one of claims 24 to 26, characterized in net that the support pins for the covers are higher than for the objects. 28. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 27, dadurch gekennzeich­ net, daß wenigstens ein Stützstift für die Abdeckungen außerhalb des Trä­ gers vorgesehen ist.28. Device according to one of claims 24 to 27, characterized in net that at least one support pin for the covers outside the Trä gers is provided. 29. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 28, dadurch gekennzeich­ net, daß der Träger und die Stützstifte relativ zueinander in vertikaler Richtung bewegbar sind.29. Device according to one of claims 24 to 28, characterized in net that the carrier and the support pins relative to each other in vertical Direction are movable. 30. Vorrichtung nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Stütz­ stifte zur Ablage der Objekte in den Ausnehmungen und/oder zur Ablage der Abdeckungen auf dem Träger vertikal nach unten bewegbar sind. 30. The device according to claim 29, characterized in that the support pens for storing the objects in the recesses and / or for storing the covers on the carrier can be moved vertically downwards.   31. Vorrichtung nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Stütz­ stifte zum Abheben der Objekte aus den Ausnehmungen und/oder zum Abheben der Abdeckungen vom Träger vertikal nach oben bewegbar sind.31. The device according to claim 29, characterized in that the support pens for lifting the objects out of the recesses and / or for Lifting the covers from the carrier can be moved vertically upwards. 32. Vorrichtung nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger vertikal bewegbar ist.32. Apparatus according to claim 29, characterized in that the carrier is vertically movable. 33. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen Greifer mit Ansaugvorrichtungen zum Ablegen der Objekte in die Ausnehmungen und/oder auf die Stützstifte, und/oder zum Abnehmen der Objekte aus den Ausnehmungen und/oder von den Stützstiften.33. Device according to one of the preceding claims, characterized by a gripper with suction devices for depositing the objects in the recesses and / or on the support pins, and / or for removal the objects from the recesses and / or from the support pins. 34. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Drehvorrichtung zum Drehen des Trägers um eine vertikale Achse.34. Device according to one of the preceding claims, characterized by a rotating device for rotating the carrier about a vertical Axis. 35. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Träger innerhalb einer Prozeßkammer beladbar ist.35. Device according to one of the preceding claims, characterized records that the carrier can be loaded within a process chamber. 36. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Träger außerhalb der Prozeßkammer beladbar ist.36. Device according to one of the preceding claims, characterized records that the carrier can be loaded outside the process chamber. 37. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine automatische Be- und Entlade-Einrichtung.37. Device according to one of the preceding claims, characterized through an automatic loading and unloading device. 38. Handhabungsvorrichtung mit wenigstens einem Transportarm, der wenig­ stens eine Halterungseinrichtung zum Halten von wenigstens einem zu handhabenden Objekt mittels Unterdruck aufweist, gekennzeichnet durch eine Unterdruck-Steuereinrichtung zur Veränderung des Unterdrucks in Abhängigkeit vom Gewicht des Objekts.38. handling device with at least one transport arm, the little at least one holding device for holding at least one has handling object by means of negative pressure, characterized by a vacuum control device for changing the vacuum in Depends on the weight of the object. 39. Handhabungvorrichtung nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterdruck-Steuereinrichtung eine Unterdruck-Quelle und Unterdruck- Umschalteinrichtungen umfaßt. 39. Handling device according to claim 38, characterized in that the vacuum control device a vacuum source and vacuum Switching devices includes.   40. Handhabungsvorrichtung nach Anspruch 38 oder 39, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die Unterdruck-Umschalteinrichtung Schalter zum Um­ schalten zwischen Leitungen mit und ohne Unterdruck-Regler aufweist.40. Handling device according to claim 38 or 39, characterized records that the vacuum switching device switch to Um switch between lines with and without vacuum regulator. 41. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterdruck-Steuereinrichtung wenigstens zwei getrennte Unterdruck-Systeme aufweist.41. Handling device according to one of claims 38 to 40, characterized characterized in that the vacuum control device at least two has separate vacuum systems. 42. Handhabungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, dass das Unterdruck-Verhältnis für die unterschied­ liche Gewichte aufweisenden, zu handhabenden Objekte in einem Bereich von 10 von 10.000 liegt.42. Handling device according to one of the preceding claims, there characterized by that the vacuum ratio for the difference objects to be handled with weights in one area out of 10 out of 10,000. 43. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 42, dadurch gekennzeichnet, dass ein Objekt mit kleinerem Gewicht ein Halbleiterwafer und ein Objekt mit größerem Gewicht ein Halbleiterwafer-Behältnis ist.43. Handling device according to one of claims 38 to 42, characterized characterized that a lighter weight object is a semiconductor wafer and a heavier object is a semiconductor wafer container. 44. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 43, dadurch gekennzeichnet, dass die Halterungseinrichtung an für die unterschiedli­ chen Objekte unterschiedlich ausgebildet sind.44. Handling device according to one of claims 38 to 43, characterized characterized in that the mounting device on for the differ Chen objects are designed differently. 45. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 44, dadurch gekennzeichnet, dass eine Drei-Punkt-Halterungseinrichtung vorgesehen ist.45. Handling device according to one of claims 38 to 44, characterized characterized in that a three-point mounting device is provided is. 46. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 45, dadurch gekennzeichnet, dass Halterungseinrichtungen auf beiden Seiten des Transportarms vorgesehen sind.46. Handling device according to one of claims 38 to 45, characterized characterized that mounting devices on both sides of the Transport arms are provided. 47. Handhabungsvorrichtung nach Anspruch 38 bis 46, dadurch gekennzeich­ net, dass eine Seite des Transportarms Halterungseinrichtungen für das Objekt mit größerem Gewicht und seine andere Seite Halterungseinrich­ tungen für das Objekt mit kleinerem Gewicht aufweist. 47. Handling device according to claim 38 to 46, characterized net that one side of the transport arm mounting devices for the Object of greater weight and its other side bracket has for the object with a smaller weight.   48. Handhabungsvorrichtung nach Anspruch 46 oder 47, dadurch gekenn­ zeichnet, dass der Transportarm um 180° bezüglich seiner Längsachse drehbar ist.48. Handling device according to claim 46 or 47, characterized records that the transport arm by 180 ° with respect to its longitudinal axis is rotatable. 49. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 48, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens zwei Transportarme vorgesehen sind, von denen wenigstens einer zum Halten von Objekten mit größerem Ge­ wicht und wenigstens ein weiterer zum Halten von Objekten mit geringe­ rem Gewicht vorgesehen ist.49. Handling device according to one of claims 38 to 48, characterized characterized in that at least two transport arms are provided, at least one for holding objects of larger size important and at least one more for holding objects with low Rem weight is provided. 50. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 49, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterdruck-Steuereinrichtung in Abhängigkeit von einem vorgegebenen Programmablauf ansteuerbar ist.50. Handling device according to one of claims 38 to 49, characterized characterized that the vacuum control device depending can be controlled by a predetermined program sequence. 51. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 50, gekenn­ zeichnet durch einen das Gewicht des zu handhabenden Objekts messen­ den Sensor, mit dessen Ausgangssignal als die Unterdruck- Steuereinrichtung ansteuerbar ist.51. Handling device according to one of claims 38 to 50, characterized records by measuring the weight of the object to be handled the sensor, with its output signal as the vacuum Control device is controllable.