DE10102143A1 - Laser mit hoher Leistung - Google Patents
Laser mit hoher LeistungInfo
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Abstract
Um bei einem Excimerlaser, der Laserstrahlen mit hoher Leistung erzeugt, die thermische Belastung des Auskoppelfensters (16) zu verringern, wird dieses so stark gegenüber der optischen Achse (14) verkippt, daß der Winkel (phi) zwischen der Flächennormalen (20) des Fensters und der optischen Achse (14) deutlich größer als der Brewsterwinkel des Fensters ist. DOLLAR A Die thermische Belastung des Fensters (16) kann dadurch weiter verringert werden, daß die Elektroden in dem Excimerlaser gegenüber der optischen Achse verkippt werden.
Description
Die Erfindung betrifft einen Laser gemäß dem Oberbegriff des
Anspruchs 1.
Üblicherweise ist bei Excimerlasern das Auskoppelfenster so
angeordnet, daß der den Laser verlassende Laserstrahl senkrecht
auf das Auskoppelfenster trifft. Insbesondere, wenn der Laser
strahl in bestimmter Weise polarisiert sein soll, wird aber das
Auskoppelfenster gegenüber der optischen Achse so gekippt, daß
der Winkel zwischen der Flächennormalen der ins Innere des
Gehäuses weisenden Seite des Auskoppelfensters und der opti
schen Achse der Brewsterwinkel des Fensters ist. Der Brewster
winkel des Fensters θ ist durch den Brechungsindex n des Fen
sters definiert, es gilt dann θ = arctan(n). Eine Stellung des
Auskoppelfensters im Brewsterwinkel ist beispielsweise im US-
Patent 5,404,366 beschrieben.
Mit fortschreitender Technologie werden die Leistungen von
Lasern zunehmend größer. Beispielsweise werden bei der Photoli
thographie im Rahmen der Herstellung von integrierten Schalt
kreisen linienverschmälerte Excimerlaser verwendet. Excimerla
ser können Strahlung mit kleinen Wellenlängen, insbesondere von
248 nm, 193 nm oder 157 nm bereitstellen. Die Linienverschmäle
rung ist erforderlich, weil in diesem Wellenlängenbereich
achromatische optische Elemente kaum zur Verfügung stehen. Aus
diesem Grunde muß die Linienbreite der Excimerlaserstrahlung
verschmälert werden, damit keine durch chromatische Aberration
hervorgerufene Fehler auftreten, die die Qualität des photoli
thographischen Prozesses beeinträchtigen würden. Da durch die
Linienverschmälerung zumeist Leistung verlorengeht, muß der
Excimerlaser zunächst eine sehr hohe Leistung erzeugen. Eine
wichtige Rolle spielen dabei die Pulsfrequenzen. Gegenwärtig
betragen die typischen Pulsfrequenzen von zur Photolithographie
verwendeten Excimerlasern 2 kHz. Zukünftige Laser werden Puls
raten von etwa 4 kHz haben oder sogar 10 kHz erreichen. Dadurch
erhöht sich die Durchschnittsleistung des Lasers um einen
Faktor 2 bis 5.
Die erhöhten Laserleistungen führen zu einer starken thermi
schen Belastung der optischen Bauteile des Lasers.
Dieser Effekt wird dadurch verstärkt, daß bei Excimerlasern mit
hohen Pulsfrequenzen die Elektroden in der Entladungskammer des
Excimerlasers sehr dicht beieinanderliegen müssen. Zusätzlich
zur Gesamtleistung erhöht sich dann die Leistungsdichte. Ent
sprechend stärker werden die optischen Bauteile des Lasers
belastet.
Besonderen Belastungen ausgesetzt ist das Auskoppelfenster des
Lasers. Hohe thermische Belastungen führen zu Veränderungen in
der Struktur des Fensters, das Material altert, was langfristig
zu einer Verschlechterung der Laserqualität, der Standzeit und
auch der Laserleistung führt.
Es ist Aufgabe der Erfindung, einen Laser bereitzustellen, bei
dem trotz hoher Laserleistung die thermische Belastung des
Auskoppelfensters verringert ist.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß das Auskoppelfenster so in
das Gehäuse eingebaut wird, daß der Winkel zwischen der Flä
chennormalen der ins Innere des Gehäuse weisenden Oberfläche
des Fensters und der optischen Achse größer als der Brewster
winkel des Fensters ist.
Gemeint sind hier nicht kleine toleranzbedingte Abweichungen
vom Brewsterwinkel, sondern eine deutlich größere Abweichung.
Beispielsweise ist der Winkel zwischen der Flächennormalen und
der optischen Achse mindestens 5°, vorzugsweise mindestens 10°,
oder sogar mindestens 15° oder 20° größer als der Brewsterwin
kel des Fensters.
Durch das stärkere Verkippen des Auskoppelfensters bezüglich
der optischen Achse wird die auf eine Flächeneinheit und Volumeneinheit
des Fensters auftreffende Laserleistung verkleinert,
die thermische Belastung wird somit verringert.
Das Auskoppelfenster kann soweit verkippt werden, daß die auf
das Fenster auftreffende Leistung im Vergleich zur Stellung des
Fensters im Brewsterwinkel auf die Hälfte reduziert wird. Eine
obere Grenze für die Verkippung gibt es lediglich dadurch, daß
bei starker Verkippung Fresnelreflexionen auftreten, die wie
derum zu Verlusten führen, welche unerwünscht sind. Eine obere
Grenze für den Verkippungswinkel läßt sich dadurch festlegen,
daß man eine obere Grenze für die Verluste vorgibt und dann
entsprechende Versuche durchführt, um den maximalen Verkip
pungswinkel zu bestimmen.
Ist das Auskoppelfenster eine Scheibe, d. h. hat es auf seiner
ins Innere des Gehäuse weisenden Seite und seiner Außenseite
ebene Oberflächen, die parallel zueinander stehen, so ist es
besonders vorteilhaft, wenn zumindest die Außenseite mit einem
antireflektierenden Überzug versehen ist, weil ein solcher
Überzug Leistungsverluste reduziert. Ein antireflektierender
Überzug besteht gewöhnlich aus mehreren dielektrischen Schich
ten, die auf die Oberfläche des Fensters aufgebracht sind.
Das Auskoppelfenster kann auch ein Prisma sein, wobei der
Verkippungswinkel zur optischen Achse, der Apexwinkel des
Prismas und das Material, aus dem das Prisma besteht, derart
abgestimmt werden, daß der Laserstrahl aus dem Auskoppelfenster
im Brewsterwinkel austritt, wobei der Brewsterwinkel hier
bezüglich der Flächennormalen der Austrittsfläche des Prismas
definiert ist.
Zusätzlich zur Verkippung des Fensters kann in einem Excimerla
ser eine weitere Maßnahme vorgesehen werden: Bei hohen Repeti
tionsraten (Pulsfrequenzen) sind vergleichsweise schmale Elek
troden b < 2 mm (siehe Fig. 3) vorteilhaft. Schmale Elektroden
bedingen eine große "clearing"-Rate R. Diese ist gegeben durch
R = (v/b).(1/f) (v-Strömungsgeschwindigkeit des Gases in der
Entladungszone, f-Repetitionsrate). R gibt an, wie oft das Gas
im Entladungsvolumen zwischen zwei Entladungsvorgängen ausge
tauscht wird. Große R bewirken geringe Fluktuationen der Laser
pulsenergie. Gewöhnlich sind die in der Entladungskammer des
Excimerlasers angeordneten Elektroden im wesentlichen langge
streckt, so daß sich eine Achse der Elektroden definieren läßt.
Werden die Elektroden so angeordnet, daß sie in einem von Null
verschiedenen Winkel zur optischen Achse stehen, so wird der
Strahlquerschnitt des Laserstrahls, der längs der optischen
Achse entsteht, erhöht, die Leistung pro Fläche also ernied
rigt. (Hierdurch wird die Erhöhung der Laserstrahldichte kom
pensiert, die dadurch bewirkt wird, daß die Elektroden bei
Hochleistungslasern eng beeinander angeordnet sind.) Auch durch
diese Maßnahme wird die letztlich auf das Auskoppelfenster pro
Flächeneinheit desselben auftreffende Laserleistung reduziert,
dessen thermische Belastung wird also verringert und die Gefahr
einer Beschädigung des Fensters vermieden oder zumindest ver
ringert.
Auch die anderen im Lasergehäuse befindlichen optischen Bautei
le werden durch die Verkippung der Elektroden gegenüber der
optischen Achse wegen der daraus folgenden geringeren Lei
stungsdichte des Laserstrahls thermisch weniger belastet, so
daß auch deren Lebensdauer erhöht wird.
Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend
unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es
zeigt:
Fig. 1 einen Teil eines Excimerlasergehäuses mit einem
Auskoppelfenster gemäß einer ersten Ausführungs
form der Erfindung,
Fig. 2 einen Teil eines Excimerlasergehäuses mit einem
Auskoppelfenster gemäß einer zweiten Ausfüh
rungsform der Erfindung,
Fig. 3 ein Schema zur Erläuterung der Wirkungen der
off-axis-Anordnung gemäß einer bevorzugten Aus
gestaltung der Erfindung,
Fig. 4 das Innere eines Excimerlasers mit off-axis-
Anordnung der Elektroden,
Fig. 5 die Entladungskammer eines Excimerlasers, in der
zwei Elektrodenpaare jeweils eine off-axis-
Anordnung haben,
Fig. 6 eine Abwandlung der Entladungskammer aus Fig.
5,
Fig. 7 eine Entladungskammer in off-axis-Anordnung
gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfin
dung.
Fig. 1 zeigt einen Teil des Gehäuses 10 eines Excimerlasers,
der Strahlung hoher Leistung emittiert mit hohen Pulsraten von
etwa 2 kHz, wie er in der Photolithographie bei der Herstellung
von integrierten Schaltkreisen verwendet wird. Nicht darge
stellt sind die Entladungskammern des Excimerlasers mit den
notwendigen Elektroden sowie weitere optische Elemente, die
beispielsweise der Linienverschmälerung des Lasers dienen. Im
Excimerlaser wird in herkömmlicher Weise ein Laserstrahl 12
erzeugt, der längs einer optischen Achse 14 über ein Auskoppel
fenster 16 ausgekoppelt wird. Das Auskoppelfenster 16 hat auf
der ins Innere des Gehäuses 10 weisenden Seite eine erste ebene
Oberfläche 18. Bei einer ebenen Oberfläche läßt sich eine
Flächennormale definieren, also eine Achse, die senkrecht auf
der Oberfläche steht, welche hier gestrichelt dargestellt und
mit der Bezugszahl 20 bezeichnet ist. Das Auskoppelfenster 16
ist so stark verkippt, daß der Winkel ϕ zwischen der Flächen
normalen 20 und der optischen Achse 14 größer als der Brewster
winkel des Fensters ist.
Das Auskoppelfenster 16 ist scheibenförmig, d. h. seine nach
außen weisende Oberfläche 22 ist ebenfalls eine ebene Oberflä
che, die parallel zur Oberfläche 18 verläuft. Die Oberfläche 22
ist mit einem antireflektierenden Überzug versehen.
Das Auskoppelfenster 16 kann aus CaF2, MgF2, Saphir oder Quarz
glas bestehen. Bei einem CaF2-Fenster und einer Laserwellenlän
ge von 248 nm beträgt der Brewsterwinkel 45,7°, bei einem MgF2-
Fenster beträgt bei derselben Wellenlänge der Brewsterwinkel
54,6°. Wählt man den Verkippungswinkel ϕ des Auskoppelfensters
16 deutlich größer als diesen Winkel, beispielsweise ϕ = 73°,
so wird die auf eine Flächeneinheit des Auskoppelfensters 16
auftreffende Laserleistung im Vergleich zur Stellung des Fen
sters im Brewsterwinkel auf die Hälfte reduziert.
Bei der in Fig. 2 dargestellten Ausführungsform der Erfindung
ist das Auskoppelfenster als Prisma 24 ausgebildet. Wie auch
bei dem Auskoppelfenster 16 aus Fig. 1 hat das Prisma 24 an
der ins Innere des Gehäuses 10 weisenden Seite eine ebene
Oberfläche 26. Deren Flächennormale 28 steht in einem Winkel ϕ
zur optischen Achse 14, der größer als der Brewsterwinkel des
Prismas ist. Das Prisma 24 hat den Vorteil, daß sich sein
Apexwinkel γ und der Winkel ϕ bei vorgegebenem Prismenmaterial
so aufeinander abstimmen lassen, daß der Laserstrahl 30 das
Prisma 24 unter dessen Brewsterwinkel θ verläßt, wobei der
Brewsterwinkel hier zur Flächennormalen 32 der nach außen
weisenden Oberfläche 34 des Prismas 24 definiert ist.
Besteht das Prisma beispielsweise aus CaF2, und wird ein Laser
strahl mit einer Wellenlänge von 193 nm ausgekoppelt, so be
trägt der Brechungsindex des Prismas n = 1,501 und der
Brewsterwinkel 56,3°. Der Laserstrahl 30 tritt dann genau im
Brewsterwinkel aus, wenn ϕ = 71° und der Apexwinkel γ = 72,6°.
Die thermische Belastung der Auskoppelfenster 16 und 24 kann
weiter verringert werden, wenn im Innern des Excimerlasers eine
zusätzliche Maßnahme getroffen wird: Die Elektroden werden
nicht parallel zur optischen Achse 14 angeordnet (on-axis-
Anordnung), sondern gegenüber dieser verkippt (off-axis-
Anordnung).
Fig. 3 dient der Erläuterung der Wirkungen dieser off-axis-
Anordnung. Dargestellt ist das sog. aktive Volumen 36, also der
Teil des Lasers, der zur Erzeugung des Laserstrahls beiträgt.
Bei einem Excimerlaser ist das aktive Volumen, wenn zwei Elek
troden verwendet werden, das Produkt der Länge L der Elektro
den, der effektiven Breite der Entladung w und des Abstandes b
der Elektroden. Letzterer wird in Fig. 3 senkrecht zur Pa
pierebene gemessen.
Bei der in Fig. 3 dargestellten off-axis-Anordnung, bei der
die Elektroden um einen Winkel α gegenüber der optischen Achse
14 verkippt sind, beträgt die effektive Breite der Entladung w:
w = L × sin α + b × cos α
In der Regel ist L um mehrere Größenordnungen größer als b. Es
genügt daher ein sehr kleiner Winkel α, um die effektive Breite
der Entladung w deutlich zu vergrößern. Beträgt L beispielswei
se 1 m und b 1 mm, so ist bei der on-axis-Anordnung (α = 0)
w = b = 1 mm.
Verkippt man die Elektroden nur um einen kleinen Winkel von
etwa α = 4 mrad, so erholt man in dieser off-axis-Anordnung
eine effektive Breite der Entladung w = 5 mm. Es kann somit die
Leistungsdichte auf ein Fünftel verringert werden.
Unterschiedliche Ausgestaltungen der off-axis-Anordnungen sind
in den Fig. 4 bis 7 dargestellt.
Fig. 4 zeigt die optischen Bauteile, wie sie beispielsweise in
dem Gehäuse 10 aus Fig. 1 oder Fig. 2 untergebracht werden
können. In einer Entladungskammer 38 ist ein Elektrodenpaar 40
gegenüber der optischen Achse 14 verkippt. (Es ist nur eine
rechteckige Elektrode 40 zu sehen, da sich die zweite Elektrode
des Elektrodenpaares senkrecht zur Papierebene in Fig. 4 genau
unter dem dargestellten Rechteck befindet.
Ferner sind in Fig. 4 eine Einheit 42 gezeigt, die zur Linien
verschmälerung des im Laser erzeugten Laserstrahls dient, sowie
ein Auskoppelspiegel 44.
In Fig. 5 ist gemäß einer Abwandlung der Ausführungsform aus
Fig. 4 nur eine Entladungskammer 38 gezeigt, in der zwei
Elektrodenpaare 46 und 48 angeordnet sind. Beide Paare sind zur
optischen Achse verkippt, wobei sie in unterschiedliche Rich
tungen verkippt sind. Definiert man den Winkel α1 zwischen dem
Elektrodenpaar 46 und der optischen Achse 14 als positiven
Winkel, so ist der Winkel α2 zwischen dem Elektrodenpaar 48 und
der optischen Achse 14 negativ.
In Fig. 6 ist eine weitere Ausführungsform der off-axis-
Anordnung gezeigt, bei der zwei Elektrodenpaare 50 und 52
jeweils gegenüber der optischen Achse 14 um denselben Winkel
verkippt sind und längs der optischen Achse 14 hintereinander
angeordnet sind, so daß die Elektrodenpaare 50 und 52 im we
sentlichen parallel zueinander stehen.
In Fig. 7 ist eine weitere Ausführungsform der off-axis-
Anordnung gezeigt. Bei dieser ist ein Elektrodenpaar 54 in
einer Entladungskammer 38 in herkömmlicher Weise angeordnet,
aber die gesamte Entladungskammer 38 ist mit dem Elektrodenpaar
54 bezüglich der optischen Achse 14 verkippt.
Claims (8)
1. Laser, insbesondere Excimerlaser, bei dem ein in einem
Lasergehäuse (10) oder einer Entladungskammer erzeugter
Laserstrahl (12) längs einer optischen Achse (14) über ein
Auskoppelfenster (16, 24) aus dem Gehäuse (10) bzw. der
Kammer emittiert wird, wobei das Auskoppelfenster (16, 24)
an seiner Innerseite eine erste Oberfläche (18, 26) hat,
dadurch gekennzeichnet, daß das Auskoppelfenster (16, 24)
so in das Gehäuse (10) eingebaut ist, daß der Winkel (ϕ)
zwischen der Flächennormalen (20, 28) der ersten Oberflä
che (18, 26) und der optischen Achse (14) größer als der
Brewsterwinkel des Fensters (16, 24) ist.
2. Laser nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Winkel (ϕ) zwischen der
Flächennormalen (20, 28) der ersten ebenen Oberfläche (18,
26) und der optischen Achse (14) um mindestens 5°, vor
zugsweise um mindestens 10° besonders vorzugsweise um min
destens 15° größer als der Brewsterwinkel des Fensters
(16, 24) ist.
3. Laser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
das Auskoppelfenster (16) auf der nach außen weisenden
Seite eine zweite Oberfläche (22) hat, die mit einem anti
reflektierenden Überzug versehen ist.
4. Laser nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
das Auskoppelfenster ein Prisma (24) ist, dessen nach au
ßen weisende Seite eine zweite ebene Oberfläche (34) ist,
die in einem Prisma-Apexwinkel (γ) zur ersten ebenen Ober
fläche (26) verläuft, wobei der Winkel (ϕ) zwischen der
Flächennormalen (28) der ersten ebenen Oberfläche (26) des
Prismas und der optischen Achse (14), der Prisma-
Apexwinkel (γ) und der Brechungsindex des Prismas (24) so
aufeinander abgestimmt sind, daß der Laserstrahl (30) aus
dem Auskoppelfenster (24) im Brewsterwinkel (θ) austritt.
5. Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß das Fenster (16, 24) aus CaF2, MgF2,
LiF, Saphir oder Quarzglas besteht.
6. Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die optische Achse (14) im Laser durch
eine Entladungskammer (38) verläuft, die ein Lasergas und
zumindest zwei stabförmige Elektroden (40, 46, 48, 50, 52,
54) umfaßt, wobei die Elektroden in einem von Null ver
schiedenen Winkel (α) zur optischen Achse (14) stehen.
7. Laser nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
Entladungskammer (38) vier stabförmige Elektroden (50, 52)
umfaßt, von denen ein erstes Paar (50) längs der optischen
Achse vor einem zweiten Paar (52) steht und alle Elektro
den (50, 52) parallel ausgerichtet sind.
8. Laser nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
Entladungskammer (38) vier stabförmige Elektroden (46, 48)
umfaßt, von denen ein erstes Paar (46) in einem positiven
Winkel (α1) zur optischen Achse (14) steht und ein zwei
tes Paar (48) längs der optischen Achse (14) hinter dem
ersten Paar (46) in einem negativen Winkel (α2) zur opti
schen Achse steht.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001102143 DE10102143A1 (de) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | Laser mit hoher Leistung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001102143 DE10102143A1 (de) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | Laser mit hoher Leistung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE10102143A1 true DE10102143A1 (de) | 2002-07-25 |
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ID=7670978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE2001102143 Withdrawn DE10102143A1 (de) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | Laser mit hoher Leistung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10102143A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1458066A2 (de) * | 2001-08-29 | 2004-09-15 | Cymer, Inc. | F2-Zweikammerlasersystem mit Linienauswahl |
US20130272327A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Device for Amplifying a Laser Beam |
-
2001
- 2001-01-18 DE DE2001102143 patent/DE10102143A1/de not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1458066A2 (de) * | 2001-08-29 | 2004-09-15 | Cymer, Inc. | F2-Zweikammerlasersystem mit Linienauswahl |
EP1458066A3 (de) * | 2001-08-29 | 2006-04-19 | Cymer, Inc. | F2-Zweikammerlasersystem mit Linienauswahl |
US20130272327A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Device for Amplifying a Laser Beam |
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