DE10100439A1 - Process for the production of microstructured components - Google Patents

Abstract

The invention relates to a method for producing microstructured components (10) having a multi-layer structure consisting of a conductive base body (11), at least one dielectric isolation layer (12) and an electroconductive covering layer (13), especially for producing field emitters having a volcanic form. Said isolation and covering layers (12, 13) comprise at least one opening (16) into which an edge-shaped or tip-shaped partial region (15) of the base body (11) at least partially protrudes, the at least one opening (16) being produced by means of reactive ion etching.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mik­ rostrukturierten Festkörperbauelementen, insbesondere von dreidimensional strukturierten elektronischen oder optischen Bauelementen, wie z. B. Feldemitter oder Hohlleiter. Die Er­ findung betrifft auch mikrostrukturierte, koaxiale oder abge­ schirmte Bauelemente und deren Anwendungen.The invention relates to a method for producing mic rust-structured solid-state components, in particular from three-dimensional structured electronic or optical Components such as B. field emitter or waveguide. The he The invention also relates to microstructured, coaxial or offset shielded components and their applications.

Es ist allgemein bekannt, elektronische oder optische Eigen­ schaften von mikrostrukturierten Bauelementen mit charakteris­ tischen Dimensionen im Mikrometerbereich für bestimmte Funkti­ onen, insbesondere in der Messtechnik und für optische Anzei­ gen auszunutzen. Die Herstellung von Vakuum-Bauelementen wird beispielsweise von C. A. Spindt et al. in "IEEE Tran. an El. Devices", Band 38/10, 1991, Seite 2355, beschrieben. Für An­ wendungen in der Elektronenmikroskopie sind Feldemissionsbau­ elemente mit sogenannter Vulkan- oder Kraterform bekannt (sie­ he z. B. B. Wang in "J. Vac. Sci. Technolg. B", Band 14(3), 1996, S. 1938). Ein Emitter wird durch eine Mehrschichtstruk­ tur aus einem leitfähigen, kegelförmigen Grundkörper, mindes­ tens einer dielektrischen Isolationsschicht und einer leitfä­ higen Deckschicht gebildet, wobei die Spitze des Grundkörpers durch eine Öffnung in den Isolations- und Deckschichten hin­ durchragt.It is generally known to use electronic or optical properties of microstructured components with characteristic dimensions in the micrometer range for certain functions, in particular in measurement technology and for optical displays. The production of vacuum components is described, for example, by CA Spindt et al. Page 2355 described in "IEEE Tran. on El. Devices", Volume 38/10, 1991. For applications in electron microscopy, field emission devices with a so-called volcanic or crater shape are known (see, for example, BB Wang in "J. Vac. Sci. Technolg. B", volume 14 ( 3 ), 1996, p. 1938). An emitter is formed by a multilayer structure consisting of a conductive, conical base body, at least one dielectric insulation layer and a conductive cover layer, the tip of the base body protruding through an opening in the insulation and cover layers.

Feldemissions-Bauelemente besitzen auch Anwendungen in Feld­ emissionsdisplays (siehe z. B. K. Blankenbach in "Physikali­ sche Blätter", Band 55, 1999, Seite 33). Eine Vielzahl von Emittern wird matrixartig auf einem gemeinsamen Substrat ge­ bildet. Zur Erzielung einer hohen Displayqualität werden an die Genauigkeit, Reproduzierbarkeit und Miniaturisierbarkeit der Emitter höchste Anforderungen gestellt. Field emission devices also have applications in field emission displays (see, for example, BK Blankenbach in "Physikali sche Blätter", Volume 55 , 1999 , page 33). A large number of emitters is formed in a matrix-like manner on a common substrate. In order to achieve a high display quality, the accuracy, reproducibility and miniaturization of the emitters are subject to the highest demands.

Matrixartige Anordnungen mikrostrukturierter Feldemitter wer­ den bisher bspw. nach dem folgenden Verfahren hergestellt. Nach Bildung einer Vielzahl der genannten Mehrschichtstruktu­ ren in Pyramiden- oder Kegelform auf einem gemeinsamen Sub­ strat beispielsweise mit einem Lithographie- und/oder Ätzver­ fahren werden die Mehrschichtstrukturen mit einer planarisier­ ten Resistschicht bedeckt. Die Resistschicht wird einem Strip­ ping-Vorgang, z. B. in einem Sauerstoffplasma, unterzogen, bis die Spitzen der Mehrschichtstrukturen freiliegen. Anschließend folgt ein nasschemisches Ätzen. Dabei werden die leitfähige Deckschicht und die Isolationsschicht geätzt, so dass jeweils eine Öffnung entsteht, durch die die Spitze des Grundkörpers hindurchragt.Matrix-like arrangements of microstructured field emitters the previously produced, for example, by the following method. After formation of a large number of the above-mentioned multilayer structure in a pyramid or cone shape on a common sub strat for example with a lithography and / or etching ver The multilayer structures are driven with a planarisier th resist layer covered. The resist layer becomes a strip ping process, e.g. B. in an oxygen plasma, subjected to the tops of the multilayer structures are exposed. Subsequently follows a wet chemical etching. The conductive Top layer and the insulation layer etched so that each an opening is created through which the tip of the base body protrudes.

Das bisher verwendete nasschemische Ätzen zur Bildung der Durchtrittsöffnungen an Feldemitter-Bauelementen besitzt die folgenden Nachteile. Beim nasschemischen Ätzen kommt es zu Un­ terätzungen an Schichträndern mit charakteristischen Dimensio­ nen im Bereich von 150 nm. Dies beschränkt die Funktionalität und die Miniaturisierbarkeit herkömmlicher Feldemitter und de­ ren Gleichmäßigkeit. Es bilden sich raue Ränder aus. Durch nasschemisches Ätzen können Öffnungen lediglich im Bereich von rund 50 µm gebildet werden. Es besteht aber, insbesondere bei Displayanwendungen und auch in der Messtechnik, ein Interesse an der Bildung engerer Öffnungen mit charakteristischen Dimen­ sionen von rund 100 bis 200 nm.The wet chemical etching used to form the The has openings in field emitter components following disadvantages. Wet chemical etching leads to Un etching on layer edges with characteristic dimensions in the range of 150 nm. This limits the functionality and the miniaturizability of conventional field emitters and de uniformity. Rough edges form. By Wet chemical etching can only open in the range of around 50 µm are formed. But there is, especially with Display applications and also in measurement technology, an interest in the formation of narrower openings with characteristic dimensions ions from around 100 to 200 nm.

Ein weiterer Nachteil des nasschemischen Ätzens besteht darin, dass die Herstellung von Emitterspitzen, die innerhalb einer Matrixanordnung oder auf mehreren Substraten gleichförmig und reproduzierbar sind, praktisch ausgeschlossen ist. Die sog. Wafer-to-Wafer-Reproduzierbarkeit ist beschränkt. Die fehlende Gleichförmigkeit herkömmlicher Emitteranordnungen wirkt sich nachteilig auf deren Emittereigenschaften, wie beispielsweise die Displayqualität, aus.Another disadvantage of wet chemical etching is that that the manufacture of emitter tips within a Matrix arrangement or uniform on several substrates are reproducible, is practically impossible. The so-called Wafer-to-wafer reproducibility is limited. The missing Uniformity of conventional emitter arrangements affects  disadvantageous on their emitter properties, such as the display quality.

Es ist bekannt, planare Schichtstrukturen durch reaktives Io­ nenätzen dreidimensional zu strukturieren. Von D. P. Hamblen et al. wird in "J. Electrochem. Soc.", Juli 1988, S. 1816, be­ schrieben, dass die Ätzrate des Ionenätzens von der Ausrich­ tung der zu behandelnden Oberfläche abhängig ist. Dies erlaubt die Bearbeitung dreidimensionaler Strukturen. Die Anwendung des reaktiven Ionenätzens war bisher auf planare Schichtstruk­ turen beschränkt.It is known to create planar layer structures through reactive Io structure three-dimensional etching. By D. P. Hamblen et al. is described in "J. Electrochem. Soc.", July 1988, p. 1816, be wrote that the etching rate of ion etching from the align depends on the surface to be treated. This allows the processing of three-dimensional structures. The application reactive ion etching was previously based on a planar layer structure limited.

Weitere Anwendungen mikrostrukturierter Bauelemente in der Messtechnik sind durch Tastspitzen für optische Strahlung (siehe beispielsweise F. Keilmann et al. in "Opt. Commun.", Band 129, 1996, Seite 15, und DE-PS 38 37 389) und in der Scanning-Kapazitäts-Mikroskopie gegeben. Die in DE-PS 38 37 389 beschriebene Tastspitze bildet einen Hochfrequenz- Hohlleiter mit einer Austrittsöffnung, deren charakteristi­ schen Dimensionen klein im Vergleich zur Wellenlänge optischer Strahlung ist. Für Präzisionsanwendungen in der optischen Nah­ feldmikroskopie (SNOM) werden an die Austrittsöffnung höchste Anforderungen in Bezug auf ihre Gleichförmigkeit und die Re­ produzierbarkeit der Dimensionierung gestellt. Die Herstellung einer Vielzahl gleichartiger Tastspitzen erfordert bisher ei­ nen hohen Prozessaufwand.Further applications of microstructured components in measurement technology are by probe tips for optical radiation (see, for example, F. Keilmann et al. In "Opt. Commun.", Volume 129 , 1996 , page 15, and DE-PS 38 37 389) and in scanning -Capacity microscopy given. The probe tip described in DE-PS 38 37 389 forms a high-frequency waveguide with an outlet opening whose characteristic dimensions are small compared to the wavelength of optical radiation. For precision applications in near-field optical microscopy (SNOM), the outlet opening is subject to the highest demands in terms of its uniformity and the reproducibility of the dimensions. The production of a large number of similar probe tips has so far required a high level of process effort.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente bereitzustel­ len, mit dem die Nachteile herkömmlicher Verfahren überwunden werden und dass insbesondere die Bildung von Sub-Mikrostruk­ turen mit erhöhter Präzision, Gleichförmigkeit und Miniaturi­ sierung ermöglicht. Die Aufgabe der Erfindung ist es auch, verbesserte mikrostrukturierte Bauelemente mit hoher Gleichförmigkeit und Miniaturisierung von Funktionselementen bereit­ zustellen.The object of the invention is to provide an improved method to provide for the production of microstructured components len, which overcomes the disadvantages of conventional methods and that in particular the formation of sub-microstructure doors with increased precision, uniformity and miniaturization enables. The object of the invention is also improved micro-structured components with high uniformity  and miniaturization of functional elements to deliver.

Diese Aufgaben werden mit Verfahren und Bauelementen mit den Merkmalen gemäß den Patentansprüchen 1 und 10 gelöst. Vorteil­ hafte Ausführungsformen und Anwendungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.These tasks are carried out using procedures and components with the Features solved according to claims 1 and 10. benefit Adherent embodiments and applications of the invention themselves from the dependent claims.

Die Grundidee der Erfindung ist es, an mikrostrukturierten Bauelementen mit Mehrschichtstruktur durch reaktives Ionenät­ zen Öffnungen oder Aperturen anzubringen. Die Mehrschicht­ struktur wird durch einen dreidimensional gebildeten Grundkör­ per mit spitzen- oder kantenförmigen Teilbereichen und auf diesen angeordneten Isolations- und Deckschichten gebildet, wobei mindestens ein kanten- oder spitzenförmiger Teilbereich des Grundkörpers durch die Öffnung oder Apertur in den Isola­ tions- und Deckschichten hindurchragt. Die mindestens eine Öffnung wird abweichend von der herkömmlichen Verwendung nass­ chemischer Ätzverfahren erfindungsgemäß durch das reaktive Io­ nenätzen gebildet. Beim Ionenätzen wird der Ätzvorgang vor­ teilhafterweise durch die elektrische Wirkung der spitzen- oder kantenförmigen, elektrisch leitfähigen Deckschicht, die mit einer Vorspannung beaufschlagt ist, so umgesetzt, dass Öffnungen im Sub-Mikrometerbereich mit höchster Genauigkeit, Gleichförmigkeit und Symmetrie relativ zur Oberfläche des Grundkörpers gebildet werden. Erfindungsgemäß werden an den Spitzen der zu öffnenden Strukturen gleichzeitig zwei Wirkun­ gen realisiert, nämlich eine Konzentration der Ätzrate auf die Spitze und eine Abhängigkeit der Ätzrate von der Ausrichtung der jeweils geätzten Oberfläche. Es wird eine neuartige Anwen­ dung des reaktiven Ionenätzens unter Ausnutzung der die Ätzra­ te beeinflussenden Eigenschaften von nicht-planaren Schicht­ strukturen bereitgestellt. The basic idea of the invention is to microstructured Components with a multi-layer structure through reactive ion etching zen openings or apertures. The multilayer structure is formed by a three-dimensional body per with pointed or edged sections and on these arranged insulation and cover layers are formed, wherein at least one edge or tip-shaped section of the basic body through the opening or aperture in the isola protruding layers and cover layers. The at least one In contrast to conventional use, the opening becomes wet chemical etching method according to the invention by the reactive Io formed. The etching process is carried out before ion etching partly due to the electrical effect of the or edge-shaped, electrically conductive cover layer, the is loaded with a bias, implemented so that Openings in the sub-micrometer range with the highest accuracy, Uniformity and symmetry relative to the surface of the Basic body are formed. According to the Tips of the structures to be opened have two effects at the same time gen realized, namely a concentration of the etching rate on the Peak and a dependence of the etching rate on the alignment the etched surface. It will be a new kind of application reactive ion etching using the etch te influencing properties of non-planar layer structures provided.  

Die Erfinder haben festgestellt, dass an einer Spitze oder Kante im mikroskopischen Maßstab immer eine Mikrokrümmung be­ steht, die an mindestens einer Stelle gerade den Winkel maxi­ maler Ätzrate in Bezug auf die Ätzfront des Plasmas aufweist. Dadurch wird das Ionenätzen auf die Spitze oder Kante konzent­ riert, so dass dort automatisch die Öffnung erfolgt.The inventors have found that on top or Edge on the microscopic scale always be a micro-curvature stands that at just one point just the angle maxi painterly etching rate in relation to the etching front of the plasma. This concentrates the ion etching on the tip or edge so that the opening takes place automatically.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird ei­ ne Vielzahl von Mehrschichtstrukturen auf einem gemeinsamen Substrat gebildet. Die Erfindung ist mit beliebigen Bauelemen­ tegeometrien realisierbar, bei denen kanten- oder spitzenför­ mige Teilbereiche des Grundkörpers durch mindestens eine leit­ fähige Deckschicht hindurch freigelegt werden. Unter einem kanten- oder spitzenförmigen Teilbereich eines Grundkörpers wird hier ein Teilbereich der Oberfläche des Grundkörpers ver­ standen, in dem die Oberfläche einen unstetigen oder unkonti­ nuierlichen Krümmungsverlauf besitzt. Dies ist beispielsweise an den Spitzen von kegel- oder pyramidenförmigen Grundkörpern oder an entsprechenden Kantenlinien der Fall. Es werden bei­ spielsweise eine Vielzahl von Feldemittern mit Vulkanform mat­ rixartig auf einem gemeinsamen Substrat gebildet.According to a preferred embodiment of the invention, ei a multitude of multilayer structures on a common one Substrate formed. The invention is with any construction elements realizable geometries in which edge or tip conveyance Partial areas of the base body by at least one conductive capable cover layer are exposed. Under a edge or tip-shaped partial area of a base body a portion of the surface of the base body is ver stood in which the surface is discontinuous or inconsistent has a nuanced curvature. For example, this is at the tips of conical or pyramidal bodies or the case on corresponding edge lines. It will be at for example, a variety of field emitters with volcanic mat formed like a grid on a common substrate.

Gegenstand der Erfindung ist auch ein mikrostrukturiertes Bau­ element mit der genannten Mehrschichtstruktur, bei dem der In­ nenrand der mindestens einen Öffnung eine zur äußeren Form des durchragenden kanten- oder spitzenförmigen Teilbereichs des Grundkörpers kongruente Gestalt besitzt. Die kongruente Ges­ talt ist Ergebnis reaktiven Ionenätzens nach dem erfindungsge­ mäßen Verfahren.The invention also relates to a microstructured structure element with the mentioned multilayer structure, in which the In inner edge of the at least one opening to the outer shape of the protruding edge or point-shaped section of the Basic body has a congruent shape. The congruent Ges talt is the result of reactive ion etching according to the invention procedure.

Erfindungsgemäß mikrostrukturierte Bauelemente besitzen Anwen­ dungen in der Messtechnik (insbesondere Feldemissions- Mikroskopie, SNOM, AFM, Kapazitätsmikroskopie) und in der Dis­ playtechnik (insbesondere Feldemitterdisplays). Besonders be­ vorzugt ist die Herstellung von Feldemitter-Arrays mit einer Vielzahl (z. B. Tausende bis zu mehreren Zehntausenden) von Feldemittern auf einem gemeinsamen Substrat. Damit werden Flä­ chenemitter mit einer hohen Homogenität und Langzeitstabilität der Feldelektronenemission bereitgestellt.Microstructured components according to the invention have applications in measurement technology (especially field emission Microscopy, SNOM, AFM, capacity microscopy) and in the dis play technology (especially field emitter displays). Especially be the production of field emitter arrays with a is preferred  Variety (e.g. thousands to tens of thousands) of Field emitters on a common substrate. With this, Flä Chenemitter with high homogeneity and long-term stability the field electron emission provided.

Gegenstand der Erfindung ist insbesondere auch die Anwendung der reaktiven Ionenätzens zur Öffnung von Kanten- oder Spitzenaperturen von mikrostrukturierten Bauelementen.The subject of the invention is in particular the application the reactive ion etching to open edge or Top apertures of microstructured components.

Die Erfindung besitzt die folgenden Vorteile. Die Verwendung des reaktiven Ionenätzens zur Mikrostrukturierung dreidimensi­ onaler Bauelemente besitzt den Vorteil, mit herkömmlichen Schichtabscheidungs- und Strukturierungstechnologien kompati­ bel zu sein. Die erfindungsgemäße Freilegung der Öffnung ins­ besondere in Mikrostrukturen mit Vulkanform ist relativ ein­ fach in weitere Prozessabläufe zur Herstellung des jeweiligen Bauteils integrierbar. Es kann Resistschicht-frei gearbeitet werden. Erfindungsgemäße Feldemitter zeichnen sich durch eine erheblich verbesserte Brauchbarkeit aus. Bei den genannten An­ wendungen von Feldemitter-Arrays besteht ein starkes Interesse an der Ausbildung einer identischen Feldemission an allen E­ mittern. Die Feldemission hängt insbesondere von der Feldstär­ ke am kanten- oder spitzenförmigen Teilbereich des Grundkör­ pers, vom jeweiligen Krümmungsradius und gegebenenfalls einer Oberflächenvergütung ab. Die Feldstärke wird im wesentlichen durch die Dimensionierung der Apertur bestimmt. Da alle Öff­ nungen innerhalb eines Arrays identisch gebildet sind, ist die Einstellung einer homogenen Feldemission vereinfacht möglich. Besondere Vorteile ergeben sich bei der Massenproduktion von Bauelementen. Bei einem fest eingestellten Satz von Prozesspa­ rametern sind alle Aperturen innerhalb eines Arrays und zwi­ schen verschiedenen Arrays reproduzierbar identisch. Dies ist mit den herkömmlichen Verfahren nicht erreichbar und stellt mit Blick auf den hohen Bedarf insbesondere an Feldeffektdis­ plays einen entscheidenden Fortschritt dar. Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass die Freilegung der Grundkörperspitze oder -kante für alle auf einem Substrat an­ geordneten Mehrschichtstrukturen synchron und sich passiv aus­ gleichend erfolgt (sogenanntes Self-Alignment).The invention has the following advantages. The usage of reactive ion etching for three-dimensional microstructuring onal components has the advantage of using conventional ones Layer deposition and structuring technologies compatible to be evil. The exposure of the opening into the invention especially in microstructures with volcanic shape is relatively a fold in further process flows for the production of the respective Component can be integrated. It can be worked without a resist layer become. Field emitters according to the invention are characterized by a significantly improved usability. With the mentioned An There is strong interest in uses of field emitter arrays on the formation of an identical field emission at all E ters. The field emission depends in particular on the field strength ke on the edge or tip-shaped portion of the base body pers, of the respective radius of curvature and possibly one Surface finish. The field strength is essentially determined by the dimensioning of the aperture. Since all public are formed identically within an array, is It is easier to set a homogeneous field emission. There are particular advantages in the mass production of Components. With a fixed set of process pa parameters are all apertures within an array and two different arrays reproducibly identical. This is not achievable with conventional methods and provides with a view to the high demand for field effect dis plays a decisive advance. A special one  Advantage of the invention is that the exposure of the Base body tip or edge for everyone on a substrate ordered multilayer structures synchronously and passively the same is done (so-called self-alignment).

Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden aus der Beschreibung der beigefügten Zeichnungen ersichtlich. Es zei­ gen:Further details and advantages of the invention will become apparent from the Description of the accompanying drawings can be seen. It shows gene:

Fig. 1: eine schematische Schnittansicht eines erfin­ dungsgemäß strukturierten Bauelements, Fig. 1 is a schematic sectional view of a dung OF INVENTION structured according to the device,

Fig. 2: eine Illustration eines erfindungsgemäßen Strukturierungsverfahrens, und FIG. 2 is an illustration of a structuring process of the invention, and

Fig. 3 und 4: elektronenmikroskopische Photographien erfin­ dungsgemäß hergestellter Feldemitter. FIGS. 3 and 4: electron microscopic photographs OF INVENTION manure produced in accordance with field emitters.

Die Erfindung wird im folgenden am Beispiel des Aufbaus koaxi­ aler Spitzenstrukturen erläutert, ist aber nicht auf die il­ lustrierten Geometrien beschränkt. Analog zu den erläuterten Verfahrensschritten können auch andere Mehrschichtbauelemente, z. B. mit Kanten, strukturiert werden. Mehrschichtbauelemente mit Kanten liefern beispielsweise einen Abschirmeffekt äußerer Schichten für innere Schichten analog zu den koaxialen Bauele­ menten. Ferner ist die Umsetzung nicht auf die unten beispiel­ haft angegebenen Dimensionsverhältnisse beschränkt. Anwen­ dungsabhängig können kleinere oder auch größere Strukturen hergestellt werden. Schließlich kann die Erfindung abweichend vom illustrierten Dreischicht-Aufbau auch mit komplizierteren Schichtanordnungen umgesetzt werden.The invention is koaxi below using the example of the structure aler lace structures explained, but is not on the il illustrated geometries. Analogous to those explained Process steps can also include other multilayer components, z. B. be structured with edges. Multilayer components with edges, for example, provide a shielding effect on the outside Layers for inner layers analogous to the coaxial components instruments. Furthermore, the implementation is not based on the example below limited dimensional relationships. Anwen Depending on the application, smaller or larger structures can be used getting produced. Finally, the invention may vary from the illustrated three-layer structure also with more complicated ones Layer arrangements are implemented.

In Fig. 1 ist schematisch ein erfindungsgemäß strukturiertes Bauelement 10 dargestellt. Die Mehrschichtstruktur besteht aus einem Grundkörper 11, der eine dielektrische Isolationsschicht 12 und eine elektrisch leitfähige Deckschicht 13 trägt. Die Mehrschichtstruktur ist auf einem Substrat 14 gebildet. Der Grundkörper 11 besteht aus demselben Material wie das Substrat 14 und ragt aus dessen Ebene kegel- oder pyramidenförmig her­ vor.In Fig. 1 a according to the invention structured component 10 is shown schematically. The multilayer structure consists of a base body 11 which carries a dielectric insulation layer 12 and an electrically conductive cover layer 13 . The multilayer structure is formed on a substrate 14 . The base body 11 is made of the same material as the substrate 14 and protrudes from its plane in the shape of a cone or pyramid.

Die Isolations- und Deckschichten 12, 13 sind mit einer rela­ tiv zur Normalen der Substratebene gleichbleibenden Dicke ge­ bildet und folgen entsprechend dem Verlauf der Oberfläche des Grundkörpers 11. Allerdings ist an der Spitze 15 des Grundkör­ pers 11 eine Öffnung oder Apertur 16 gebildet, durch die die Spitze 15 herausragt. Ein besonderer Vorteil des erfindungsge­ mäßen Bauelements 10 besteht im streng koaxialen Aufbau der Mehrschichtstruktur und insbesondere in der Symmetrie des Durchtritts der Spitze 15 durch die Öffnung 16. Der obere in­ nere Rand der Deckschicht 13 liegt in einer Bezugsebene, die parallel zur Ebene des Substrats 14 verläuft. Die Oberfläche der Spitze 15 besitzt allseits den gleichen Abstand von der Deckschicht 13. Die Isolationsschicht 12 ist stärker abgetra­ gen als die Deckschicht 13, so dass sich eine umlaufende Aus­ nehmung 17 bildet.The insulation and cover layers 12 , 13 are formed with a thickness which is constant relative to the normal to the substrate plane and follow the course of the surface of the base body 11 . However, an opening or aperture 16 is formed at the tip 15 of the Grundkör pers 11 through which the tip 15 protrudes. A particular advantage of the component 10 according to the invention is the strictly coaxial structure of the multilayer structure and in particular the symmetry of the passage of the tip 15 through the opening 16 . The upper inner edge of the cover layer 13 lies in a reference plane which runs parallel to the plane of the substrate 14 . The surface of the tip 15 has the same distance from the cover layer 13 on all sides. The insulation layer 12 is more abgetra gene than the cover layer 13 , so that a circumferential recess 17 is formed.

Die Materialien der Mehrschichtstruktur gemäß Fig. 1 sind an­ wendungsabhängig gewählt. Der Grundkörper 11 besteht aus einem elektrisch leitfähigen Material, wie insbesondere einem Halb­ leiter (z. B. Silizium oder Galliumarsenid) oder einem Metall (z. B. Aluminium), das vorzugsweise im Rahmen des umgesetzten Prozessablaufs oxidierbar ist. Die Isolationsschicht 12 be­ steht vorzugsweise aus einem Oxid des Materials des Grundkör­ pers 11, kann aber auch durch ein Fremdoxid oder ein anderes Dielektrikum gebildet werden. Die Deckschicht 13 besteht wie­ derum aus einem elektrisch leitfähigen Material (beispielswei­ se aus einem Metall, wie z. B. Chrom, Aluminium, Kupfer, Gold, Platin, Silber oder dgl.). Das Material der Deckschicht 13 wird vorzugsweise in Bezug auf eine hohe Haftfähigkeit und ei­ ne gute Leitfähigkeit ausgewählt.The materials of the multilayer structure according to FIG. 1 are selected depending on the application. The base body 11 consists of an electrically conductive material, such as, in particular, a semiconductor (e.g. silicon or gallium arsenide) or a metal (e.g. aluminum), which can preferably be oxidized in the course of the implemented process. The insulation layer 12 is preferably made of an oxide of the material of the basic body 11 , but can also be formed by a foreign oxide or another dielectric. The cover layer 13 again consists of an electrically conductive material (for example, a metal such as chrome, aluminum, copper, gold, platinum, silver or the like). The material of the cover layer 13 is preferably selected with regard to high adhesiveness and good conductivity.

Die Höhe des pyramidenförmigen Grundkörpers 11 beträgt bei­ spielsweise rund 3 µm. Der Durchmesser der Apertur 16 beträgt beispielsweise rund 350 nm.The height of the pyramid-shaped base body 11 is around 3 μm for example. The diameter of the aperture 16 is, for example, around 350 nm.

Abweichend von der illustrierten Ausführungsform mit einer über die Deckschicht 13 hinausragenden Spitze 15 kann alterna­ tiv vorgesehen sein, dass die Spitze 15 lediglich die Isolati­ onsschicht 12 überragt, nicht jedoch die Deckschicht 13.In a departure from the illustrated embodiment with a tip 15 protruding beyond the cover layer 13 , it can alternatively be provided that the tip 15 only projects beyond the insulation layer 12 , but not the cover layer 13 .

Wird durch das Bauelement 10 ein Feldemitter gebildet, so wird die Deckschicht 13 auch als Gate-Schicht bezeichnet. Die Deck­ schicht 13 bildet eine Gate-Elektrode, die mit einer Spannung zur Steuerung der Feldemission beaufschlagbar ist. Die Isola­ tionsschicht 12 wird bei Feldemitter-Anwendungen auch als Ga­ te-Isolation bezeichnet.If a field emitter is formed by the component 10 , the cover layer 13 is also referred to as a gate layer. The cover layer 13 forms a gate electrode which can be acted upon by a voltage for controlling the field emission. The insulation layer 12 is also referred to as field isolation in field emitter applications.

Die Herstellung einer Vielzahl von erfindungsgemäßen Bauele­ menten auf einem gemeinsamen Substrat wird im folgenden unter Bezug auf Fig. 2 erläutert. Die Strukturierung beginnt mit ei­ nem Vorbereitungsschritt (a), bei dem auf dem Substrat 14 Mas­ kierungsschichten 18 entsprechend den späteren Positionen der Grundkörper aufgebracht werden. Das Substrat 14 besteht bei­ spielsweise aus n-Typ-Silizium (spezifischer Widerstand 2 Ohm cm, Substratebene 100-orientiert). Die Maskierungsschichten 18 bestehen beispielsweise aus Siliziumoxid (Dicke rund 100 nm). Anschließend erfolgt bei der Sockelstrukturierung (b) die For­ mung von Sockeln 19 als Rohlinge für die späteren Grundkörper. Die Sockelstrukturierung (b) erfolgt beispielsweise durch in­ duktives Plasmaätzen, wie es von B. Volland et al. in "J. Vac. Sci. Tech.", Band B 17(6), 1999, Seite 2768, beschrieben wird. Dieses Verfahren ermöglicht vorteilhafterweise eine genaue Einstellung des Aspektverhältnisses der Silizium-Sockel 19. The production of a plurality of components according to the invention on a common substrate is explained below with reference to FIG. 2. The structuring begins with a preparation step (a) in which masking layers 18 are applied to the substrate 14 in accordance with the later positions of the base body. The substrate 14 consists, for example, of n-type silicon (specific resistance 2 ohm cm, substrate level 100-oriented). The masking layers 18 consist, for example, of silicon oxide (thickness around 100 nm). This is followed by the base structure (b), the formation of bases 19 as blanks for the later base body. The base structuring (b) is carried out, for example, by inductive plasma etching, as described by B. Volland et al. in "J. Vac. Sci. Tech.", Volume B 17 ( 6 ), 1999, page 2768. This method advantageously enables the aspect ratio of the silicon bases 19 to be set precisely.

Bei der anschließenden Grundkörperstrukturierung (c) werden die oben erläuterten pyramidenförmigen Grundkörper als aus der Substratebene herausragende Spitzen geformt. Die Strukturie­ rung (c) erfolgt vorzugsweise durch reaktives Ionenätzen in einem Radiofrequenz-Reaktor (z. B. OPT-µ-80, Oxford Plasma Technology, 75 W, Ionenätzen in 4 : 1-SF₆/O₂. Bei Schritt c) folgt ein Nassätzen in einer 1 : 80-HF/HNO₃-Lösung. Die spitzen Grundkörper 11 werden durch ein an sich bekanntes Verfahren geschärft, bei dem ein Oxidationsschärfen bei 900°C und ein Ausheilen in einer Stickstoffatmosphäre für 10 Stunden bei 1100°C erfolgen. Bei Schritt (d) erfolgt die Abscheidung oder Bildung der Isolationsschicht. Hierzu werden die Grundkörper 11 zunächst in gepufferter HF-Lösung geätzt und dann oxidiert. Die Dicke der Oxidschicht beträgt beispielsweise rund 200 nm. Zur Vervollständigung der Mehrschichtstruktur folgt bei Schritt (e) die Abscheidung der Deckschicht oder Gate-Schicht 13. Hierzu wird eine Chromschicht aufgebracht (Dicke rund 100 nm).In the subsequent base structure structuring (c), the pyramid-shaped base bodies explained above are shaped as peaks protruding from the substrate plane. The structuring (c) is preferably carried out by reactive ion etching in a radio frequency reactor (for example OPT-μ-80, Oxford Plasma Technology, 75 W, ion etching in 4: 1 SF ₆ / O _2. In step c) this is followed by wet etching in a 1:80 HF / HNO ₃ solution. The pointed base bodies 11 are sharpened by a method known per se, in which oxidation sharpening takes place at 900 ° C. and annealing in a nitrogen atmosphere for 10 hours at 1100 ° C. In step (d), the insulation layer is deposited or formed. For this purpose, the base body 11 is first etched in a buffered HF solution and then oxidized. The thickness of the oxide layer is, for example, around 200 nm. In order to complete the multilayer structure, the cover layer or gate layer 13 is deposited in step (e). For this, a chrome layer is applied (thickness around 100 nm).

Anschließend erfolgt bei Schritt (f) die erfindungsgemäße Freilegung der Spitzen 15, wie es im rechten Teil von Fig. 2 illustriert ist. Das Öffnen der Gate-Schicht 13 erfolgt durch Trockenätzen (reaktives Ionenätzen). Zum Ionenätzen kann all­ gemein jedes an sich bekannt Sputterverfahren verwendet wer­ den, bei dem die erfindungsgemäße Feldverstärkung an den Spit­ zen oder Kanten stattfindet. Das reaktive Ionenätzen erfolgt z. B. in einem 1 : 2-O₂/Ar-Plasma oder einem O₂/Cl₂/Ar-Plasma.The tips 15 are then exposed according to the invention in step (f), as illustrated in the right part of FIG. 2. The gate layer 13 is opened by dry etching (reactive ion etching). For ion etching, any sputtering method known per se can be used in general, in which the field strengthening according to the invention takes place at the tips or edges. The reactive ion etching takes place e.g. B. in a 1: 2 O ₂ / Ar plasma or an O ₂ / Cl ₂ / Ar plasma.

Ein wichtiges Merkmal der Erfindung besteht darin, dass die Ätzrate an der Spitze der Mehrschichtstruktur von der Orien­ tierung des auftreffenden Ionenstroms relativ zur Ausrichtung der jeweiligen Oberfläche abhängt. Da die Gate-Schicht 13 gleichförmig auf der Isolationsschicht 12 bzw. dem Grundkörper 11 aufgetragen ist, folgt die Spitzenkontur der Gate-Schicht 13 dem freizulegenden Kanten- oder Spitzenbereich des Grundkörpers 11. Es wurde festgestellt, dass die Ätzrate an den Spitzen rund 50 nm/min und an den Seitenflächen der Spitzen rund 30 nm/min beträgt. In den flachen Bereichen zwischen den Spitzen beträgt die Ätzrate rund 20 nm/min. Dieses anisotrope Ätzverhalten bewirkt einen gleichmäßigen Abtrag der Gate- Schicht 13 und nachfolgend der Isolationsschicht 12, bis die Spitze des Grundkörpers 11 frei liegt. Das anisotrope Ätzver­ halten ergibt sich aus der Verstärkung des elektrischen Feldes an der elektrisch leitfähigen Gate-Schicht (Konzentration von Feldlinien) während des Ätzens. Die obersten Teile der metal­ lisch beschichteten Spitzen werden als erste dem Ionenstrom ausgesetzt. Dies bewirkt eine Verstärkung des Stromes auf die Spitze und erhöht entsprechend die Ätzrate. Die Apertur 16 (siehe Fig. 1) wird genau und relativ zur Kegelachse axialsym­ metrisch über der Spitze geöffnet (Schritt f)).An important feature of the invention is that the etching rate at the tip of the multilayer structure depends on the orientation of the impinging ion current relative to the orientation of the respective surface. Since the gate layer 13 is applied uniformly to the insulation layer 12 or the base body 11 , the tip contour of the gate layer 13 follows the edge or tip region of the base body 11 to be exposed. The etching rate was found to be around 50 nm / min at the tips and around 30 nm / min at the side surfaces of the tips. In the flat areas between the tips, the etching rate is around 20 nm / min. This anisotropic etching behavior causes the gate layer 13 and subsequently the insulation layer 12 to be removed evenly until the tip of the base body 11 is exposed. The anisotropic etching behavior results from the amplification of the electric field at the electrically conductive gate layer (concentration of field lines) during the etching. The uppermost parts of the metal-coated tips are the first to be exposed to the ion current. This increases the current to the tip and increases the etching rate accordingly. The aperture 16 (see FIG. 1) is opened exactly and axially symmetrically relative to the cone axis above the tip (step f)).

Während des reaktiven Ionenätzens wird an die Gate-Schicht 13 eine Vorspannung angelegt. Die Vorspannung ist eine Gleich­ spannung von mindestens 100 V, vorzugsweise mindestens 200 V. Die Gleichspannung bewirkt eine Verstärkung der Konzentration des Ionenstroms an den Spitzen der Mehrschichtstruktur.A bias voltage is applied to gate layer 13 during reactive ion etching. The bias voltage is a DC voltage of at least 100 V, preferably at least 200 V. The DC voltage increases the concentration of the ion current at the tips of the multilayer structure.

Vorteilhafterweise kann auf die Aufbringung einer Re­ sistschicht verzichtet werden, da das Ionenätzen erzwungen auf die Spitzen konzentriert wird. Gemäß einer abgewandelten Aus­ führungsform der Erfindung, die im linken Teil von Fig. 2 il­ lustriert ist, kann aber das Ionenätzen auch mit einer Re­ sisttechnik kombiniert werden. Zur Vorbereitung der erfin­ dungsgemäßen Freilegung der Spitzen 15 erfolgt bei Schritt f1) die Aufbringung einer Resistschicht 20. Die Resistschicht 20 wird planar durch Aufschleudern aufgebracht. Das Resistmateri­ al besteht z. B. aus dem Polymer AZ 4256 (Hersteller: Schipley). Nach dem Aufschleudern wird die Resistschicht 20 temperiert (Aufheizen auf 100°C für rund 30 min). It is advantageously possible to dispense with the application of a rice layer, since the ion etching is forced onto the tips. According to a modified form of the invention, which is illustrated in the left part of FIG. 2, the ion etching can also be combined with a resist technique. In preparation for the exposure of the tips 15 according to the invention, a resist layer 20 is applied in step f1). The resist layer 20 is applied planar by spin coating. The resist material al consists z. B. from the polymer AZ 4256 (manufacturer: Schipley). After the spin coating, the resist layer 20 is tempered (heating to 100 ° C. for around 30 minutes).

Mit den Verfahrensschritten (f2) und (f3) erfolgt das Öffnen der Gate-Schicht 13 durch Trockenätzen (siehe oben). Zunächst bewirkt das reaktive Ionenätzen einen Abbau der Resistschicht 20. Die Ätzrate beträgt beim Polymer AZ 4256 beispielsweise 80 nm/min. Sobald die Ätzfront die Spitzen der Gate-Schicht 13 erreicht (Schritt (f2)), erfolgt deren Abbau, wie dies oben erläutert wurde.With method steps (f2) and (f3), the gate layer 13 is opened by dry etching (see above). First, the reactive ion etching causes the resist layer 20 to degrade. For the AZ 4256 polymer, the etching rate is, for example, 80 nm / min. As soon as the etching front reaches the tips of the gate layer 13 (step (f2)), it is broken down, as was explained above.

Nach dem Öffnen der Gate-Schicht 13 erfolgt bei Schritt (g) ein Abbau der Isolationsschicht 12. Dies erfolgt beispielswei­ se mit gepufferter HS-Lösung. Außerdem werden bei Schritt (i) die Reste der Resistschicht 20 abgelöst. Die Ablösung erfolgt beispielsweise mit Aceton.After opening the gate layer 13 , the insulation layer 12 is broken down in step (g). This is done, for example, with a buffered HS solution. In addition, the residues of the resist layer 20 are removed in step (i). The detachment is carried out, for example, with acetone.

Im Ergebnis der Schritte (a) bis (g) wird eine Vielzahl von Bauelementen entsprechend dem Bauelement 10 (gemäß Fig. 1) auf einem gemeinsamen Substrat hergestellt. Erfindungsgemäße Bau­ elemente zeichnen sich durch Mehrschichtstrukturen aus, bei denen Kanten- oder Spitzenbereiche beschichteter Grundkörper in Öffnungen von Isolations- und Deckschichten hineinragen oder durch diese Öffnungen hindurchragen. Der Rand der elekt­ risch leitfähigen Deckschicht besitzt einen Abstand von der Oberfläche des Grundkörpers. Dieser Abstand besitzt im Unter­ schied zu herkömmlichen Bauelementen eine erheblich verbesser­ te Gleichförmigkeit. Das erfindungsgemäß verwendete Ionenätzen reduziert Rauhigkeiten und Unebenheiten der freiliegenden Kör­ per- und Schichtkanten. Ein Maß für die hervorragende Gleich­ förmigkeit erfindungsgemäßer Bauelemente ist durch den Quo­ tienten aus Breite des Abstandes zwischen dem Innenrand der Gate- oder Deckschicht 13 und der Oberfläche des Grundkörpers 11 einerseits und der Rauhigkeit (z. B. besser als 5 nm) des inneren Randes der Gate- oder Deckschicht 13 gegeben. Dieser Quotient liegt bei erfindungsgemäßen Bauelementen oberhalb von 5, vorzugsweise oberhalb von 20. As a result of steps (a) to (g), a large number of components corresponding to component 10 (according to FIG. 1) are produced on a common substrate. Construction elements according to the invention are distinguished by multi-layer structures in which edge or tip areas of coated base bodies protrude into openings of insulation and cover layers or protrude through these openings. The edge of the electrically conductive cover layer is at a distance from the surface of the base body. In contrast to conventional components, this distance has a considerably improved uniformity. The ion etching used according to the invention reduces roughness and unevenness of the exposed body and layer edges. A measure of the excellent uniformity of components according to the invention is the quotient of the width of the distance between the inner edge of the gate or cover layer 13 and the surface of the base body 11 on the one hand and the roughness (z. B. better than 5 nm) of the inner edge given the gate or cover layer 13 . In the case of components according to the invention, this quotient is above 5, preferably above 20.

In den Fig. 3 und 4 sind elektronenmikroskopische Darstellun­ gen erfindungsgemäß hergestellter Feldemitter mit verschiede­ nen Vergrößerungen dargestellt. Die Vergrößerungen sind im un­ teren Teil angegeben. Die Länge der Punktlinien beträgt je­ weils 3.33 µm bzw. 1.0 µm. Zur Erzielung einer langzeitstabi­ len Feldemission und einer weiteren Verbesserung der Gleich­ förmigkeit der Emission bei elektrischen Feldstärken im Be­ reich von 3 bis 5 V/µm werden die Feldemitter 21 mit einer DLC-Schicht (DLC: "Diamond-like Carbon") beschichtet. Dies er­ folgt unter Verwendung eines ICPECVD-Verfahrens (Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapour-Deposition). Das ICPECVD-Verfahren besitzt den Vorteil, dass die DLC-Schichten selbst bei geringsten Schichtdicken (z. B. 30 nm) eine hohe Gleichförmigkeit besitzen. Die Abscheidung der DLC-Schicht er­ folgt bei einem Druck von 60 mTorr bei Raumtemperatur in einer CH₄-Atmosphäre. Der sp³-Gehalt der DLC-Schicht hängt von der Ionenenergie des abgetragenen Reals ab, wie es beispielsweise von W. I. Milne in "Applied Surface Science", Band 146, 1999, Seite 262, beschrieben wird.In FIGS. 3 and 4 are electron microscopic Imaging Logo shown gene according to the invention produced field emitter with NEN Various magnifications. The enlargements are given in the lower part. The length of the dotted lines is 3.33 µm and 1.0 µm, respectively. In order to achieve a long-term stable field emission and a further improvement of the uniformity of the emission with electric field strengths in the range of 3 to 5 V / µm, the field emitters 21 are coated with a DLC layer (DLC: "Diamond-like Carbon"). This is done using an ICPECVD (Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) process. The ICPECVD method has the advantage that the DLC layers have a high degree of uniformity even with the smallest layer thicknesses (e.g. 30 nm). The DLC layer is deposited at a pressure of 60 mTorr at room temperature in a CH ₄ atmosphere. The sp ³ content of the DLC layer depends on the ion energy of the removed real, as described, for example, by WI Milne in "Applied Surface Science", volume 146 , 1999 , page 262.

Zur Erzielung möglichst kompakter DLC-Schichten erfolgt wie­ derum die Verwendung einer Vorspannung im Bereich von -300 bis -400 V. Damit werden kompakte DLC-Schichten mit einer hervor­ ragenden Haftung auf Silizium erzielt. Die schichtige Gleich­ förmigkeit ist besser als 3%.How to achieve the most compact DLC layers possible the use of a preload in the range of -300 to -400 V. This produces compact DLC layers with one excellent adhesion to silicon. The layered equal form is better than 3%.

Bevorzugte Anwendungen erfindungsgemäßer Bauelemente liegen im Bereich der Meß- (z. B. SNOM oder Scanning Probe Microscopy auf der Grundlage von Potential-, Coulomb- oder Kapazitätsmes­ sungen) und der Display-Technik. Zum Aufbau koaxialer SNOM- Sensoren wird die erfindungsgemäß geöffnete Spitze der Mehr­ schichtstruktur als Wellenleiter benutzt. Die hervorragende Gleichförmigkeit der auf einem gemeinsamen Substrat gebildeten Bauelemente ermöglicht erstmalig, zweidimensionale SNOM- Sensoren zu schaffen, mit denen Oberflächentopographien aufgenommen werden können. Die in den Fig. 3 und 4 gezeigten Feld­ emitter-Arrays umfassen beispielsweise 25000 Bauelemente auf einer Fläche von 5 mm.5 mm.Preferred applications of components according to the invention are in the field of measurement (for example SNOM or scanning probe microscopy on the basis of potential, Coulomb or capacitance measurements) and display technology. To build up coaxial SNOM sensors, the tip of the multilayer structure, which is open according to the invention, is used as a waveguide. The outstanding uniformity of the components formed on a common substrate makes it possible for the first time to create two-dimensional SNOM sensors with which surface topographies can be recorded. The field emitter arrays shown in FIGS . 3 and 4 comprise, for example, 25,000 components on an area of 5 mm. 5 mm.

Die in der vorstehenden Beschreibung, den Zeichnungen und den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Veröffent­ lichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausgestaltungen von Bedeutung sein.The in the above description, the drawings and the Features of the invention disclosed in claims can be both individually as well as in any combination for the publisher Lichung the invention in its various configurations to be of importance.

Claims (13)

1. Verfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente (10) mit einer Mehrschichtstruktur aus einem leitfähigen Grundkörper (11), mindestens einer dielektrischen Isolations­ schicht (12) und einer elektrisch leitfähigen Deckschicht (13), wobei die Isolations- und Deckschichten (12, 13) mindes­ tens eine Öffnung (16) aufweisen, in die ein kanten- oder spitzenförmiger Teilbereich (15) des Grundkörpers (11) zumin­ dest teilweise ragt, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Öffnung (16) durch reaktives Ionenätzen hergestellt wird.1. A method for producing microstructured components ( 10 ) with a multilayer structure comprising a conductive base body ( 11 ), at least one dielectric insulation layer ( 12 ) and an electrically conductive cover layer ( 13 ), the insulation and cover layers ( 12 , 13 ) at least least one opening (16) into which an edge or spike-like portion (15) at least of the base body (11) partially protrudes, characterized in that the at least one opening (16) by reactive ion etching. 2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem ein anisotropes Ione­ nätzen der Deckschicht (13) erfolgt, sobald die Ätzfront des reaktiven Ionenätzens die Spitzen oder Kanten der Mehrschicht­ struktur erreicht.2. The method according to claim 1, wherein an anisotropic ion etching of the cover layer ( 13 ) takes place as soon as the etching front of the reactive ion etching reaches the tips or edges of the multilayer structure. 3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem während des re­ aktiven Ionenätzens eine Vorspannung an die Deckschicht (13) angelegt wird.3. The method according to claim 1 or 2, wherein a bias voltage is applied to the cover layer ( 13 ) during the reactive ion etching. 4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Vielzahl von Bauelementen (10) auf einem gemeinsamen Substrat (14) gebildet wird.4. The method according to any one of the preceding claims, wherein a plurality of components ( 10 ) on a common substrate ( 14 ) is formed. 5. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zur Herstellung der mindestens einen Öffnung (16) ein Auf­ bau aus dem Grundkörper (11) und den Isolations- und Deck­ schichten (12, 13) vollständig mit einer planaren Resistschicht (20) bedeckt wird, die dem reaktiven Ionenätzen ausgesetzt wird, wobei ein anisotropes Ionenätzen der Deckschicht (13) erfolgt, sobald die Ätzfront die Spitzen oder Kanten der Mehr­ schichtstruktur erreicht.5. The method according to any one of the preceding claims, in which for the production of the at least one opening ( 16 ) on construction from the base body ( 11 ) and the insulation and cover layers ( 12 , 13 ) completely covered with a planar resist layer ( 20 ) is exposed to the reactive ion etching, anisotropic ion etching of the cover layer ( 13 ) taking place as soon as the etching front reaches the tips or edges of the multilayer structure. 6. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mit einem ICPECVD-Verfahren auf den Bauelementen eine DLC- Schicht abgetragen wird.6. The method according to any one of the preceding claims, at which uses an ICPECVD process on the components to create a DLC Layer is removed. 7. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das mikrostrukturierte Bauelement einen koaxialen, pyrami­ den- oder kegelförmigen Feldemitter bildet.7. The method according to any one of the preceding claims, at which the microstructured component has a coaxial, pyrami forms the conical or conical field emitter. 8. Verfahren gemäß Anspruch 7, das zur Herstellung mindestens eines Feldemitters, insbesondere eines Feldemissionsdisplays oder eines Emitters für die Feldemissionsmikroskopie, verwen­ det wird.8. The method according to claim 7, which for producing at least a field emitter, in particular a field emission display or an emitter for field emission microscopy det. 9. Verfahren nach Anspruch 7, das zur Herstellung eines SNOM- Sensors verwendet wird.9. The method according to claim 7, which for producing a SNOM Sensor is used. 10. Mikrostrukturiertes Bauelement (10) mit einer Mehrschicht­ struktur aus einem leitfähigen Grundkörper (11), mindestens einer dielektrischen Isolationsschicht (12) und einer leitfä­ higen Deckschicht (13), wobei die Isolations- und Deckschich­ ten (12, 13) mindestens eine Öffnung aufweisen, in die ein kanten- oder spitzenförmiger Teilbereich des Grundkörpers (11) zumindest teilweise ragt, dadurch gekennzeichnet, dass der innere Rand der Öffnung (16) in der Deckschicht (13) einen allseits konstanten Abstand von der Oberfläche des Grundkör­ pers (11) besitzt.10. Microstructured component ( 10 ) with a multilayer structure comprising a conductive base body ( 11 ), at least one dielectric insulation layer ( 12 ) and a conductive cover layer ( 13 ), the insulation and cover layers ( 12 , 13 ) having at least one opening have, into which an edge-shaped or tip-shaped partial area of the base body ( 11 ) at least partially protrudes, characterized in that the inner edge of the opening ( 16 ) in the cover layer ( 13 ) is a constant distance from the surface of the base body ( 11 ) has. 11. Bauelement gemäß Anspruch 10, bei dem der Quotient aus Breite des Abstandes zur Rauhigkeit des inneren Randes größer als 5 ist. 11. The component according to claim 10, wherein the quotient from Width of the distance to the roughness of the inner edge larger than 5.   12. Feldemitterdisplay, das mindestens eine Matrixanordnung aus einer Vielzahl von Bauelementen gemäß einem der Ansprüche 10 oder 11 enthält.12. Field emitter display, the at least one matrix arrangement from a plurality of components according to one of the claims 10 or 11 contains. 13. Sensor für Scanning-Mikroskopie-Messungen, der mindestens eine Matrixanordnung aus einer Vielzahl von Bauelementen gemäß einem der Ansprüche 9 oder 10 enthält.13. Sensor for scanning microscopy measurements, the minimum a matrix arrangement according to a variety of components one of claims 9 or 10.