DE10063999A1 - Microwave damping element has two damping elements connected in series between input and output whose damping can be changed by connecting several resistances with switch elements - Google Patents

Abstract

The device has minimal through damping and a large dynamic range of its stepwise adjustable damping. It has two damping elements (D1,D2) connected in series between its input and output whose damping can be changed by connecting several resistances (R1-R10) with switch elements (T1-T12) to form T, bridged T, pi, double-pi or double-T circuits.

Description

Die Erfindung betrifft ein Mikrowellen-Dämpfungsglied laut Oberbegriff des Hauptanspruches.The invention relates to a microwave attenuator according to Preamble of the main claim.

Mikrowellen-Dämpfungsglieder, deren Dämpfung in einem großen Dynamikbereich schrittweise einstellbar ist, werden üblicherweise durch die Reihenschaltung mehrerer, beispielsweise 5 bis 10 einzelner Dämpfungsglieder realisiert. In moderner Schaltungstechnik werden diese einzelnen Dämpfungsglieder dabei meist monolitisch auf einem Halbleitersubstrat hergestellt (beispielsweise nach US Patent 5 666 089). Die Dämpfung der einzelnen Dämpfungsglieder wird bestimmt durch Widerstände, die in T-, überbrückter (bridged) T-, Pi- oder Doppel-Pi-Schaltung angeordnet sind und die für die Durchgangsdämpfung (im Idealfall 0 dB) mittels eines oder mehrere Schalttransistoren unmittelbar zwischen Ein- und Ausgang des einzelnen Dämpfungsgliedes überbrückt werden. Ein solches bekanntes Stufendämpfungsglied besitzt daher den Nachteil, daß infolge der Aneinanderreihung mehrerer solcher Dämpfungsglieder die Durchgangsdämpfung insgesamt relativ hoch ist, da die in Reihe liegenden Schalttransistoren endlichen Durchgangswiderstand besitzen.Microwave attenuators, their attenuation in a large Dynamic range can be adjusted gradually usually by connecting several, for example 5 to 10 individual attenuators realized. These are used in modern circuit technology individual attenuators mostly monolithic on one Semiconductor substrate manufactured (for example, according to US Patent 5,666,089). The attenuation of the individual Attenuators are determined by resistances that are in T-, bridged T, Pi or double Pi circuit are arranged and for the transmission loss (in Ideally 0 dB) using one or more switching transistors immediately between the entrance and exit of the individual Attenuator are bridged. Such a well known Step attenuator therefore has the disadvantage that as a result the sequence of several such attenuators Transmission loss overall is relatively high, since the in Series lying switching transistors finite Have volume resistance.

Um diesen Nachteil zu vermeiden ist es auch schon bekannt, die Dämpfung eines einzigen Dämpfungsgliedes durch das Verbinden von mehreren Widerständen zu T-, Pi- oder Doppel- Pi-Schaltungen zwischen verschiedenen Werten umzuschalten (US Patent 5 157 323) und für die Einstellung der Durchgangsdämpfung nur einen einzigen Schalttransistor zur Überbrückung dieser T-, Pi-, oder Doppel-Pi-Schaltungen vorzusehen. Damit ist zwar eine nahe bei 0 dB liegende Durchgangsdämpfung erreichbar, dafür ist aber wieder der Dynamikbereich der einstellbaren Dämpfung eingeschränkt, da der überbrückende Schalttransistor nur eine relativ geringe Isolation von höchstens 16 dB besitzt und daher die maximale Dämpfung eines solchen Mikrowellen-Dämpfungsgliedes auf 16 dB beschränkt ist. In order to avoid this disadvantage, it is also known the attenuation of a single attenuator by Connection of several resistors to T, Pi or double Switch Pi circuits between different values (US Patent 5,157,323) and for the adjustment of the Through loss only a single switching transistor Bridging these T, Pi, or Double Pi circuits provided. This is a close to 0 dB Through loss can be achieved, but that's what it is Dynamic range of adjustable damping limited because the bridging switching transistor is only a relatively small one Isolation of at most 16 dB and therefore the maximum Attenuation of such a microwave attenuator to 16 dB is limited.  

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein monolitisch integrierbares Mikrowellen-Dämpfungsglied aufzuzeigen, das bei minimalster Durchgangsdämpfung von nahezu 0 dB trotzdem die Einstellung der Dämpfung in einem großen Dynamikbereich von mehr als 16 dB ermöglicht.It is therefore an object of the invention to be a monolithic show integrable microwave attenuator that with minimal transmission loss of almost 0 dB anyway the adjustment of damping in a wide dynamic range of more than 16 dB.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Dämpfungsglied laut Hauptanspruch. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.According to the invention, this object is achieved by a Attenuator according to the main claim. advantageous Further training results from the subclaims.

Durch die Aufteilung der einstellbaren Dämpfung auf zwei in Kette hintereinander geschaltete einstellbare Dämpfungsglieder ist es möglich, die Dämpfung in einem großen Dynamikbereich einstellbar zu machen, beispielsweise zwischen 0 und 45 dB. Trotzdem ist eine minimale Durchgangsdämpfung von nahezu 0 dB gewährleistet. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung hat es sich als vorteilhaft erwiesen, das eingangsseitige erste Dämpfungsglied zwischen verschiedenen relativ niedrigen Dämpfungswerten, beispielsweise 0, 5, 10 und 15 dB, und das darauf folgende zweite Dämpfungsglied zwischen verschiedenen relativ hohen Dämpfungswerten von beispielsweise 0, 20 und 30 dB umschaltbar zu machen, so daß durch die Kombination dieser getrennt voneinander einstellbaren Dämpfungswerte der beiden Dämpfungsglieder jeder beliebige Dämpfungswert zwischen 0 und 45 dB in 5 dB Schritten eingestellt werden kann.By dividing the adjustable damping into two Chain sequentially adjustable Attenuators make it possible to have damping in one to make large dynamic range adjustable, for example between 0 and 45 dB. Still is a minimal one Through loss of almost 0 dB guaranteed. According to a further development of the invention, it has proven to be proven advantageous, the input side first Attenuator between different relatively low Attenuation values, for example 0, 5, 10 and 15 dB, and that subsequent second attenuator between different relatively high damping values of, for example, 0, 20 and Make 30 dB switchable, so that the combination of damping values that can be set separately any attenuation value for both attenuators can be set between 0 and 45 dB in 5 dB steps can.

Die Aufteilung der einstellbaren Dämpfung in einen hochdämpfenden und einen niedrigdämpfenden Teil ermöglicht es, den niedrigdämpfenden Teil mit einem einzigen Längstransistor für die Durchgangsdämpfung zu überbrücken und für den höherdämpfenden Teil ein dafür besser geeignetes Schaltelement mit höherer Isolation vorzusehen. Als besonders geeignet hierfür hat sich ein Schaltelement erwiesen, das aus zwei in Serie geschalteten Feldeffekttransistoren und einem vom Verbindungspunkt dieser beiden Transistoren gegen Masse wirkenden dritten Transistor besteht. Hierdurch kann die Isolation des für die Durchgangsdämpfung vorgesehenen Schaltelements gegenüber einem einzigen Transistor verdoppelt werden, so daß der Dynamikbereich des zweiten Dämpfungsgliedes ebenfalls mindestens verdoppelt werden kann. Durch die Zweiteilung kann das Dämpfungsglied einfacher als integrierte Schaltung realisiert werden, da extrem große bzw. kleine und damit lange bzw. breite Flächenwiderstände auf dem Halbleitersubstrat vermieden werden.The division of the adjustable damping into one high damping and a low damping part allows it, the low-damping part with a single Bridging the series transistor for the passage loss and a more suitable one for the higher damping part To provide switching element with higher insulation. As A switching element has been particularly suitable for this proved that the two in series Field effect transistors and one from the junction of these two transistors against ground third transistor  consists. This can isolate the for Through loss provided switching element opposite a single transistor can be doubled so that the Dynamic range of the second attenuator also can at least be doubled. By dividing in two can the attenuator easier than integrated circuit can be realized because extremely large or small and therefore long or wide sheet resistances on the Semiconductor substrate can be avoided.

Als Schaltelemente für das Umschalten der Widerstände zu den T-, Pi oder Doppel-Pi-Schaltungen sind beispielsweise Mikroschalter, PIN-Dioden oder Transistoren geeignet, vorzugsweise werden bei monolitisch integrierbaren Dämpfungsgliedern hierfür Feldeffekttransistoren benutzt.As switching elements for switching the resistors to the T, Pi or double Pi circuits are for example Suitable for microswitches, PIN diodes or transistors, are preferably integrable with monolithic Attenuators used for this field effect transistors.

Die Erfindung wir im Folgenden anhand schematischer Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention is based on schematic Drawings explained in more detail using exemplary embodiments.

Fig. 1 zeigt das Prinzipschaltbild eines erfindungsgemäßen Mikrowellen-Dämpfungsgliedes, das aus der Kettenschaltung von zwei zwischen Eingang E und Ausgang A angeordneten Dämpfungsgliedern D1 und D2 besteht. Das Dämpfungsglied D1 ist als T-Schaltung ausgebildet und besteht aus mehreren Widerständen R1 bis R4, die jeweils mittels Schalttransistoren T1 bis T7 zu verschiedenen Widerstandswerten schaltbar sind. Das zweite Dämpfungsglied D2 ist als Doppel-Pi-Glied ausgebildet und besteht aus mehreren Widerständen R5 bis R10, die wiederum mittels Schalttransistoren T8 bis T12 zu verschiedenen Widerstandswerten zusammenschaltbar sind. Die Widerstände mit gleicher Indexbezeichnung sind jeweils gleich groß dimensioniert. Die Schalttransistoren mit gleicher Indexbezeichnung werden jeweils gleichzeitig ein- oder ausgeschaltet. Fig. 1 shows the basic circuit diagram of a microwave attenuator according to the invention, which consists of the chain connection of two attenuators D1 and D2 arranged between input E and output A. The attenuator D1 is designed as a T circuit and consists of a plurality of resistors R1 to R4, each of which can be switched to different resistance values by means of switching transistors T1 to T7. The second damping element D2 is designed as a double pi element and consists of a plurality of resistors R5 to R10, which in turn can be interconnected to different resistance values by means of switching transistors T8 to T12. The resistors with the same index designation are dimensioned the same size. The switching transistors with the same index designation are switched on or off simultaneously.

Die Schalttransistoren T3 und T9 der Dämpfungsglieder D1 und D2 dienen dazu, den dämpfenden Teil jeweils vom Signalpfad wegzuschalten. Vorzugsweise sind zum gleichen Zweck noch die zusätzlichen Schalttransistoren T1 und T5 vorgesehen, die eine bessere Anpassung gewährleisten, wenn die 0 dB-Zustände der Dämpfungsglieder eingeschaltet werden.The switching transistors T3 and T9 of the attenuators D1 and D2 serve to isolate the damping part from the signal path wegzuschalten. For the same purpose, they are preferably  additional switching transistors T1 and T5 are provided ensure better adjustment when the 0 dB states the attenuators are switched on.

Zwischen Eingang E und Ausgang G des ersten Dämpfungsgliedes D1 ist ein Schalttransistor T2 angeordnet. Das T-Glied ist auf drei unterschiedliche Widerstandswerte umschaltbar. Der linke und rechte Teil des Längszweiges zwischen Eingang E und Verbindungspunkt F bzw. Verbindungspunkt F und Ausgang G besteht jeweils aus der Parallelschaltung eines Widerstandes R1, einer Reihenschaltung eines Widerstandes R2 und eines Schalttransistors T4 sowie eines den Widerstand R1 überbrückenden Schalttransistors T5. Der Querzweig des T- Gliedes besteht aus der Parallelschaltung eines Widerstandes R3, einer diesen überbrückenden Reihenschaltung eines Widerstandes R4 mit Schalttransistor T6 sowie eines überbrückenden Schalttransistors T7. Der größte Widerstand des Längszweiges des Dämpfungsgliedes D1 wird bestimmt durch die Reihenschaltung der Widerstände R1. Ein mittlerer Widerstand wird dadurch eingestellt, das parallel zum Widerstand R1 mittels des Schalttransistors T4 der Widerstand R2 geschaltet wird. Der kleinste Widerstand wird eingestellt durch die Parallelschaltung von R1, R2 und der Source-Drain-Strecke des Schalttransistors T5. Durch geeignete Wahl des Transistors T5 und der übrigen Widerstände R1 bis R4 können so die verschiedensten gewünschten Widerstandswerte eingestellt werden. Der Source- Drain-Widerstand eines Feldeffekttransistors liegt je nach Typ etwa zwischen zwei und zwanzig Ohm, die Widerstände R1 bis R4 sind in der Größenordnung von 10 bis 500 Ohm gewählt.Between input E and output G of the first attenuator D1, a switching transistor T2 is arranged. The T-link is switchable to three different resistance values. The left and right part of the longitudinal branch between entrance E and connection point F or connection point F and exit G consists of the parallel connection of a resistor R1, a series connection of a resistor R2 and one Switching transistor T4 and a resistor R1 bridging switching transistor T5. The cross branch of the T- Link consists of the parallel connection of a resistor R3, a series connection bridging this one Resistor R4 with switching transistor T6 and one bridging switching transistor T7. The greatest resistance of the longitudinal branch of the attenuator D1 is determined by the series connection of the resistors R1. A medium one Resistance is set in parallel with the Resistor R1 by means of the switching transistor T4 Resistor R2 is switched. The smallest resistance will set by the parallel connection of R1, R2 and the Source-drain path of the switching transistor T5. By appropriate choice of transistor T5 and the rest Resistors R1 to R4 can be the most diverse desired resistance values can be set. The source The drain resistance of a field effect transistor depends on Type about between two and twenty ohms, the resistors R1 to R4 are selected in the order of 10 to 500 ohms.

Mit dem so konfigurierten Dämpfungsglied D1 können mit folgender Schaltung die Dämpfungswerte 0, 5, 10 und 15 dB eingeschaltet werden:
0 dB: T2 ist eingeschaltet, alle anderen Schalttransistoren sind ausgeschaltet.
Für Dämpfung: T2 ausgeschaltet und T1 bzw. T3 eingeschaltet.
5 dB: Im Längszweig wird der kleinste Widerstand eingeschaltet, im Querzweig der größte, das bedeutet, daß T4 und T5 eingeschaltet und T6 und T7 jeweils ausgeschaltet sind.
10 dB: T4 und T6 sind eingeschaltet, T5 und T7 sind ausgeschaltet.
15 dB: T4 und T5 sind ausgeschaltet, T6 und T7 sind eingeschaltet.With the attenuator D1 configured in this way, the attenuation values 0, 5, 10 and 15 dB can be switched on with the following circuit:
0 dB: T2 is switched on, all other switching transistors are switched off.
For damping: T2 switched off and T1 or T3 switched on.
5 dB: The smallest resistor is switched on in the longitudinal branch, the largest in the transverse branch, which means that T4 and T5 are switched on and T6 and T7 are switched off.
10 dB: T4 and T6 are switched on, T5 and T7 are switched off.
15 dB: T4 and T5 are switched off, T6 and T7 are switched on.

Im Dämpfungsglied D2 sind auf ähnliche Weise verschiedene Widerstandswerte mit zwei Schaltzuständen für die Doppel-Pi- Schaltung wählbar. Der Längszweig des Doppel-Pi-Gliedes zwischen Eingang G und Ausgang A bzw. zwischen den beiden Längstransistoren T8 besteht aus der Reihenschaltung der beiden Widerstände R5, parallel zu diesen ist jeweils die Reihenschaltung eines Widerstandes R7 und eines Schalttransistors T11 angeordnet. Die drei Querzweige des Doppel-Pi-Gliedes bestehen aus den Widerständen R6 und R9, parallel zu den Widerständen R6 ist die Reihenschaltung eines Widerstandes R8 und Schalttransistors T12 angeordnet, parallel zum Widerstand R9 des mittleren Querzweiges ist die Reihenschaltung eines Widerstandes R10 und eines Schalttransistors T12 angeordnet. Die Querzweige sind über die Transistoren T9 jeweils an Masse geschaltet. Für die Einstellung der Durchgangsdämpfung (0 dB) ist im Dämpfungsglied D2 an Stelle nur eines einzigen Schalttransistors eine aus drei Schalttransistoren T9 und T10 bestehende T-Konfiguration vorgesehen. Für die Durchgangsdämpfung ist der gegen Masse geschaltete Transistor T9 nichtleitend und das Dämpfungsglied D2 wird damit zwischen den Schaltungspunkten G und A durch die Reihenschaltung der beiden Transistoren T10 überbrückt. Bei nichtleitenden Transistoren T10 und Einstellung der verschiedenen Dämpfungswerte durch die Widerstände R5 bis R10 ist der Transistor T9 leitend gegen Masse, hierdurch wird die Isolation der Überbrückung erhöht und das Dämpfungsglied D2 kann für höhere Dämpfungswerte dimensioniert werden.In the attenuator D2 are different in a similar manner Resistance values with two switching states for the double Pi Selectable circuit. The longitudinal branch of the double pi-link between input G and output A or between the two Series transistors T8 consists of the series connection of the two resistors R5, parallel to each is the Series connection of a resistor R7 and one Switching transistor T11 arranged. The three cross branches of the Double Pi elements consist of resistors R6 and R9, the series connection is parallel to the resistors R6 a resistor R8 and switching transistor T12, parallel to the resistance R9 of the middle cross arm Series connection of a resistor R10 and one Switching transistor T12 arranged. The cross branches are over the transistors T9 are each connected to ground. For the The transmission loss setting (0 dB) is in the Attenuator D2 instead of just one Switching transistor one of three switching transistors T9 and T10 existing T configuration provided. For the Through loss is the one connected to ground Transistor T9 is non-conductive and the attenuator D2 thus between the circuit points G and A through the Bridging the series connection of the two transistors T10. at non-conductive transistors T10 and setting the different damping values through the resistors R5 to R10, the transistor T9 is conductive to ground, as a result the isolation of the bridging is increased and that  Attenuator D2 can be used for higher attenuation values be dimensioned.

Mit dieser Schaltungskonfiguration des Dämpfungsgliedes D2 können wieder folgende Dämpfungswerte 0, 20 und 30 dB eingestellt werden:
0 dB: T10 eingeschaltet, alle anderen Schalttransistoren ausgeschaltet.
Für Dämpfung: T10 ausgeschaltet, T8 und T9 eingeschaltet.
20 dB: T11 eingeschaltet, T12 ausgeschaltet.
30 dB: T11 ausgeschaltet, T12 eingeschaltet.With this circuit configuration of the attenuator D2, the following attenuation values 0, 20 and 30 dB can be set again:
0 dB: T10 switched on, all other switching transistors switched off.
For damping: T10 switched off, T8 and T9 switched on.
20 dB: T11 switched on, T12 switched off.
30 dB: T11 switched off, T12 switched on.

Das Dämpfungsglied D1 ist also insgesamt zwischen den niedrigen Dämpfungswerten 0/5/10/15 dB umschaltbar, das darauf folgende Dämpfungsglied D2 zwischen höheren Dämpfungswerten 0/20/30 dB, so daß die Gesamtanordnung der beiden in Reihe geschalteten Dämpfungsglieder D1 und D2 insgesamt in 5 dB-Schritten zwischen 0 und 45 dB umschaltbar ist. Die Durchgangsdämpfung wird nur durch die Reihenschaltung der beiden Überbrückungsschalttransistoren T2 bzw. T9/T10 bestimmt und ihr Wert liegt in der Größenordnung unterhalb von 2 dB. Die einzelnen Schalttransistoren werden durch eine nicht dargestellte Steuerschaltung so gesteuert, daß die verschiedenen oben erwähnten Schaltkonfigurationen der Widerstände entstehen. Die beiden Dämpfungsglieder D1 und D2 werden dabei jeweils getrennt voneinander eingestellt.The attenuator D1 is therefore between the total low attenuation values 0/5/10/15 dB switchable, that subsequent attenuator D2 between higher Attenuation values 0/20/30 dB, so that the overall arrangement of the two attenuators D1 and D2 connected in series switchable between 5 and 45 dB in 5 dB steps is. The transmission loss is only through the Series connection of the two bridging switching transistors T2 or T9 / T10 determined and their value is in the Order of magnitude below 2 dB. The single ones Switching transistors are shown by a Control circuit controlled so that the various above mentioned switching configurations of the resistors arise. The two attenuators D1 and D2 are each set separately.

Fig. 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel für die Ausbildung der beide in Kette geschalteten Dämpfungsglieder D1 und D2. D1 ist in diesem Ausführungsbeispiel ein überbrücktes T-Glied, D2 ein Doppel-T-Glied. Das Dämpfungsglied D1 besteht im Längszweig aus der Reihenschaltung der beiden Transistoren T1 und der Widerstände R1. Zwischen Eingang E und Ausgang G ist wieder ein einziger Überbrückungstransistor T2 vorgesehen. Parallel zur Reihenschaltung der beiden Widerstände R1 ist ein Widerstand R3, die Reihenschaltung eines Widerstandes R4 und eines Schalttransistors T6 und ein Schalttransistor T7 angeordnet. Im Querzweig zwischen dem Schaltungspunkt F und Masse ist ein Widerstand R2 geschaltet, der mit einem Schalttransistor T5 überbrückbar ist, parallel dazu ist außerdem die Reihenschaltung eines Widerstandes R5 und eines Schalttransistors T4 angeordnet. Gegen Masse ist ein Schalttransistor T3 angeordnet. Das Dämpfungsglied D2 besteht im Querzweig zwischen Eingang G und Ausgang A aus der Reihenschaltung der beiden Schalttransistoren T8, der beiden Widerstände R6 sowie des mittleren Widerstandes R7. Parallel zu den beiden Widerständen R6 ist jeweils die Reihenschaltung eines Widerstandes R10 und eines Schalttransistors T12 angeordnet, parallel zum Widerstand R7 die Reihenschaltung eines Widerstandes R11 und eines Transistors T13. Die Überbrückung des Dämpfungsgliedes D2 für die Durchgangsdämpfung erfolgt wieder wie in Fig. 1 durch zwei in Reihe geschaltete Schalttransistoren T9 und einen in der Mitte hiervon gegen Masse geschalteten Schalttransistor T11. Die beiden Querzweige zwischen den Schaltungspunkten H bzw. J gegen Masse bestehen aus einem Widerstand R8, zu dem parallel die Reihenschaltung eines Widerstandes R9 mit einem Schalttransistor T14 geschaltet ist. Die Verbindung gegen Masse erfolgt über die Schalttransistoren T10. Die Quertransistoren T3 und T10 in Fig. 2 dienen wieder dazu, den dämpfenden Teil der beiden Dämpfungsglieder D1 und D2 vom Signalpfad wegzuschalten. Zusätzlich sind zum gleichen Zweck wieder die Transistoren T1 und T8 vorgesehen. Fig. 2 shows a further embodiment for the formation of the two attenuators D1 and D2 connected in chain. In this exemplary embodiment, D1 is a bridged T element, D2 is a double T element. The attenuator D1 consists in the series branch of the series connection of the two transistors T1 and the resistors R1. A single bridging transistor T2 is again provided between input E and output G. A resistor R3, the series connection of a resistor R4 and a switching transistor T6 and a switching transistor T7 are arranged parallel to the series connection of the two resistors R1. A resistor R2, which can be bridged with a switching transistor T5, is connected in the shunt arm between the circuit point F and ground, and the series connection of a resistor R5 and a switching transistor T4 is also arranged in parallel. A switching transistor T3 is arranged against ground. The attenuator D2 in the shunt between input G and output A consists of the series connection of the two switching transistors T8, the two resistors R6 and the middle resistor R7. The series connection of a resistor R10 and a switching transistor T12 is arranged parallel to the two resistors R6, and the series connection of a resistor R11 and a transistor T13 is arranged parallel to the resistor R7. The bridging of the attenuator D2 for the pass-through attenuation again takes place as in FIG. 1 by two switching transistors T9 connected in series and a switching transistor T11 connected in the middle thereof to ground. The two transverse branches between the circuit points H and J to ground consist of a resistor R8, to which the series circuit of a resistor R9 with a switching transistor T14 is connected in parallel. The connection to ground is made via the switching transistors T10. The transverse transistors T3 and T10 in FIG. 2 again serve to switch the damping part of the two damping elements D1 and D2 away from the signal path. In addition, the transistors T1 and T8 are again provided for the same purpose.

Mit dem Netzwerk nach Fig. 2 sind wieder folgende Dämpfungswerte einstellbar:The following damping values can again be set with the network according to FIG. 2:

Für Dämpfungsglied D1For attenuator D1

0 dB: T2 ist eingeschaltet, alle anderen Schalttransistoren sind ausgeschaltet.
Für Dämpfung: T1, T3 sind eingeschaltet, T2 ist ausgeschaltet.
5 dB: T6 und T7 sind eingeschaltet, T4 und T5 sind ausgeschaltet.
10 dB: T7 ist ausgeschaltet, T6 ist eingeschaltet, T5 ist ausgeschaltet, T4 ist eingeschaltet.
15 dB: T6 und T7 sind ausgeschaltet, T4 und T5 sind eingeschaltet.0 dB: T2 is switched on, all other switching transistors are switched off.
For damping: T1, T3 are switched on, T2 is switched off.
5 dB: T6 and T7 are switched on, T4 and T5 are switched off.
10 dB: T7 is switched off, T6 is switched on, T5 is switched off, T4 is switched on.
15 dB: T6 and T7 are switched off, T4 and T5 are switched on.

Schaltmöglichkeiten für das Dämpfungsglied D2Switching options for the attenuator D2

Durchgangsdämpfung 0 dB: T9 eingeschaltet, alle übrigen Schalttransistoren ausgeschaltet.
Für Dämpfung: T9 ausgeschaltet, T11 eingeschaltet, T10 eingeschaltet, T8 eingeschaltet.
20 dB: T12 und T13 eingeschaltet, T14 ausgeschaltet.
30 dB: T12 und T13 ausgeschaltet, T14 eingeschaltet.Through loss 0 dB: T9 switched on, all other switching transistors switched off.
For damping: T9 switched off, T11 switched on, T10 switched on, T8 switched on.
20 dB: T12 and T13 switched on, T14 switched off.
30 dB: T12 and T13 switched off, T14 switched on.

Die beiden Schalttransistoren T12 und T13 werden im Ausführungsbeispiel gleichzeitig geschaltet, ihre Widerstände können jedoch verschieden groß sein.The two switching transistors T12 and T13 are in Embodiment switched simultaneously, your However, resistors can be of different sizes.

Claims (6)

1. Dämpfungsglied mit minimaler Durchgangsdämpfung (0 dB) und großem Dynamikbereich (z. B. 0 bis 45 dB) seiner schrittweise einstellbaren Dämpfung, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Eingang (E) und Ausgang (A) zwei Dämpfungsglieder (D1, D2) in Serie geschaltet sind, deren Dämpfung durch das Verbinden von mehreren Widerständen (Fig. 1: R1-R10; Fig. 2: R1-R11) mittels Schaltelemente (Fig. 1: T1-T12; Fig. 2: T1-13) zu T-, überbrückte T-, Pi-, Doppel-Pi- oder Doppel-T-Schaltungen zwischen verschiedenen Werten umschaltbar ist.1. Attenuator with minimal through loss (0 dB) and large dynamic range (z. B. 0 to 45 dB) of its gradually adjustable attenuation, characterized in that between the input (E) and output (A) two attenuators (D1, D2) in Series are connected, the damping by connecting several resistors ( Fig. 1: R1-R10; Fig. 2: R1-R11) by means of switching elements ( Fig. 1: T1-T12; Fig. 2: T1-13) to T -, bridged T, Pi, double Pi or double T circuits can be switched between different values. 2. Dämpfungsglied nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Dämpfungsglied (D1) zwischen verschiedenen relativ niederen Dämpfungswerten (0, 5, 10, 15 dB) und das andere Dämpfungsglied (D2) zwischen verschiedenen relativ hohen Dämpfungswerten (0, 20, 30 dB) umschaltbar ist.2. Attenuator according to claim 1, characterized, that an attenuator (D1) between different relatively low attenuation values (0, 5, 10, 15 dB) and that other attenuator (D2) between different relative high attenuation values (0, 20, 30 dB) can be switched. 3. Dämpfungsglied nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Dämpfungsglied zwischen 0, 5, 10, 15 dB in 5 dB Schritten und das zweite Dämpfungsglied zwischen 0, 20 und 30 dB in 10 dB Schritten umschaltbar ist.3. Attenuator according to claim 1 or 2, characterized, that the first attenuator between 0, 5, 10, 15 dB in 5 dB Steps and the second attenuator between 0, 20 and 30 dB can be switched in 10 dB steps. 4. Dämpfungsglied nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände des ersten Dämpfungsgliedes (D1) zu verschiedenen T-, oder überbrückten T-Schaltungen und die Widerstände des zweiten Dämpfungsgliedes (D2) zu verschiedenen Pi-, Doppel-Pi- oder Doppel-T-Schaltungen verbindbar sind.4. Attenuator according to one of the preceding claims, characterized, that the resistances of the first attenuator (D1) too different T, or bridged T circuits and the Resistors of the second attenuator (D2) different Pi, Doppel-Pi or Doppel-T circuits are connectable. 5. Dämpfungsglied nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das unmittelbar zwischen Eingang (G) und Ausgang (A) angeordnete Schaltelement für die Durchgangsdämpfung (0 dB) mindestens eines der Dämpfungsglieder (D1 oder D2) aus drei in T-Schaltung angeordneten Transistoren (Fig. 1: T9, T10; Fig. 2: T9, T11) besteht, von denen einer (Fig. 1: T9; Fig. 2: T11) gegen Masse geschaltet ist.5. Attenuator according to one of the preceding claims, characterized in that the switching element arranged directly between the input (G) and output (A) for the transmission loss (0 dB) at least one of the attenuators (D1 or D2) of three arranged in a T circuit Transistors ( Fig. 1: T9, T10; Fig. 2: T9, T11), of which one ( Fig. 1: T9; Fig. 2: T11) is connected to ground. 6. Dämpfungsglied nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltelemente Feldeffekttransistoren sind, die monolitisch integriert mit den Widerständen auf einen gemeinsamen Halbleitersubstrat ausgebildet sind.6. Attenuator according to one of the preceding claims, characterized, that the switching elements are field effect transistors monolithically integrated with the resistors on one common semiconductor substrate are formed.