DE10051976A1

DE10051976A1 - Circuit arrangement for operating a load

Info

Publication number: DE10051976A1
Application number: DE2000151976
Authority: DE
Inventors: Stefan Koch; Robert Kern
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2000-10-20
Filing date: 2000-10-20
Publication date: 2002-05-16
Also published as: WO2002033800A1

Abstract

Es wird eine Schaltungsanordnung zum Betreiben einer Last (10) vorgeschlagen, die mindestens einen Endstufen-Halbleiter (18-21) und einen Verpolschutz (32) aufweist. Der Verpolschutz (32) enthält einen Verpolschutz-Halbleiter (34) mit integriertem Übertemperaturschutz (35).A circuit arrangement for operating a load (10) is proposed which has at least one output stage semiconductor (18-21) and a reverse polarity protection (32). The reverse polarity protection (32) contains a reverse polarity protection semiconductor (34) with integrated overtemperature protection (35).

Description

Stand der TechnikState of the art

Die Erfindung geht aus von einer Schaltungsanordnung zum Be treiben einer Last nach der Gattung des unabhängigen An spruchs. Aus dem Fachzeitschriftenbeitrag von H. Hertrich und K. Reinmuth: "All-round protection with smart HITFETs", Siemens-Components XXX (1995) No. 3, S. 1 bis S. 3 sind als Endstufen-Halbleiter eingesetzte Feldeffekttransistoren be kannt geworden, die eine integrierte Schutzschaltung aufwei sen, welche insbesondere einen Übertemperaturschutz beinhal tet. Der Übertemperaturschutz reduziert bei einer aufgetre tenen Übertemperatur, die ein integrierter Temperatursensor erfaßt, die Ansteuerspannung des Feldeffekttransistors, der auf diese Maßnahme mit einer Reduzierung des Drain-Stroms reagiert. Wird die Überlastsituation nicht innerhalb eines vorgegebenen Zeitfensters beendet, dann wird der Feldeffekt transistor vollständig abgeschaltet. Der Übertemperatur schutz benötigt einen Betriebsstrom, der vom Steuersignal des Feldeffekttransistors bereitzustellen ist. Der Betriebs strom unterhalb der Grenztemperatur ist gering. Beim Über schreiten der Grenztemperatur steigt der Strom erheblich an. Der Stromanstieg kann ausgenutzt werden zum Detektieren des Übertemperaturzustands. The invention relates to a circuit arrangement for driving a load according to the genus of the independent claim. From the journal contribution by H. Hertrich and K. Reinmuth: "All-round protection with smart HITFETs", Siemens-Components XXX ( 1995 ) No. 3, p. 1 to p. 3, field-effect transistors used as output stage semiconductors have become known which have an integrated protective circuit, which in particular includes overtemperature protection. The overtemperature protection reduces the drive voltage of the field-effect transistor, which responds to this measure by reducing the drain current, in the event of an overtemperature detected by an integrated temperature sensor. If the overload situation is not ended within a predetermined time window, the field effect transistor is switched off completely. The overtemperature protection requires an operating current that is to be provided by the control signal of the field effect transistor. The operating current below the limit temperature is low. When the limit temperature is exceeded, the current increases considerably. The current rise can be used to detect the overtemperature condition.

Endstufenschaltungen, die Feldeffekttransistor enthalten, können bei einem Vertauschen der Stromversorgungsleitungen aufgrund der in den Feldeffekttransistoren enthaltenen para sitären Dioden die Energiequelle kurzschliessen. Bei ent sprechend leistungsfähiger Energiequelle wie beispielsweise einer Autobatterie führt das Verpolen in kurzer Zeit zu ei nem thermischen Ausfall der Feldeffekttransistoren. Ein Ver polschutz, wie er beispielsweise aus der DE-A 39 24 499 be kannt geworden ist, vermag die Endstufen-Halbleiter wirksam vor einer Verpolung zu schützen.Power amplifier circuits that contain field effect transistors can occur if the power supply lines are mixed up due to the para contained in the field effect transistors short circuit the energy source. With ent speaking powerful energy source such as Reversing the polarity of the polarity leads to a car battery thermal failure of the field effect transistors. A ver pole protection, as for example from DE-A 39 24 499 be has become known, the output stage semiconductor is effective to protect against reverse polarity.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsan ordnung zum Betreiben einer Last anzugeben, die sowohl einen Übertemperaturschutz als auch einen Schutz gegen Verpolen mit preiswerten Mitteln ermöglicht.The invention has for its object a circuit order to operate a load that both a Overtemperature protection as well as protection against polarity reversal made possible with inexpensive means.

Die Aufgabe wird durch die im unabhängigen Anspruch angege benen Merkmale gelöst.The task is indicated by the independent claim characteristics resolved.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention

Gemäß der Erfindung ist vorgesehen, dass anstelle des bisher als Verpolschutz verwendeten herkömmlichen Feldeffekttransi stors ein Halbleiterbauelement mit integriertem Übertempera turschutz vorgesehen ist. Mit dieser Maßnahme wird es mög lich, die zum Betreiben der Last verwendeten Endstufen- Halbleiter als Halbleiter ohne integrierte Schutzschaltungen zu verwenden. Der Schutz gegenüber Temperatur wird aus den Endstufen-Halbleitern herausgenommen und in den Halbleiter des Verpolschutzes aufgenommen. Die Kostenersparnis wirkt sich insbesondere aus, wenn mehrere Endstufen-Halbleiter vorhanden sind, die mit einem Verpolschutz-Halbleiter gegen über Temperatur geschützt werden können. Der gegenüber einem herkömmlichen Verpolschutz-Halbleiter erhöhte Durchlaßwider stand des erfindungsgemäß vorgesehenen Verpolschutz- Halbleiters mit integriertem Übertemperaturschutz fällt nicht ins Gewicht, da nur eine Verlagerung von den Endstu fen-Halbleitern in den Verpolschutz-Halbleiter auftritt.According to the invention it is provided that instead of the previously conventional field effect transi used as reverse polarity protection stors a semiconductor device with integrated excess temperature Door protection is provided. This measure makes it possible the power amplifier used to operate the load Semiconductors as semiconductors without integrated protection circuits to use. Protection against temperature is created from the Power amplifier semiconductors taken out and into the semiconductor of reverse polarity protection added. The cost savings work particularly from when multiple power amplifier semiconductors are available with a reverse polarity protection semiconductor can be protected via temperature. The one opposite conventional reverse polarity protection semiconductors increased forward resistance status of the reverse polarity protection provided Semiconductor with integrated overtemperature protection not weight because there is only a shift from the final stage fen semiconductors occurs in the reverse polarity protection semiconductor.

Weitere vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen er geben sich aus abhängigen Ansprüchen.He further advantageous developments and refinements give themselves from dependent claims.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung des Verpolschutz-Halbleiters sieht vor, dass ein Feldeffekttransistor mit integriertem Übertemperaturschutz (TEMPFET) vorgesehen ist.An advantageous embodiment of the reverse polarity protection semiconductor provides that a field effect transistor with an integrated Over-temperature protection (TEMPFET) is provided.

Eine vorteilhafte weitere Ausgestaltung sieht vor, das der TEMPFET ein n-Kanal-TEMPFET ist, der in einer Minusleitung der Schaltungsanordnung angeordnet ist. Der Vorteil liegt in einem geringeren Durchlasswiderstand gegenüber einem p- Kanal-TEMPFET, der von der Herstellungstechnik bedingt ist und im wesentlichen mit der Ionenbeweglichkeit zusammen hängt.An advantageous further embodiment provides that the TEMPFET is an n-channel TEMPFET that is in a negative line the circuit arrangement is arranged. The advantage is in a lower forward resistance compared to a p- Channel TEMPFET, which is due to the manufacturing technology and essentially related to ion mobility hangs.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung sieht vor, dass der Steuer eingang des Verpolschutz-Halbleiters mit einer Stromquelle verbunden ist. Aufgrund des Unterschieds des Eingangsstroms des Verpolschutz-Halbleiters bei angesprochenem und bei nicht angesprochenem Übertemperaturschutz ermöglicht die Stromquelle eine Detektion des jeweiligen Zustands durch ei ne einfache Spannungsmessung am Steuereingang des Verpol schutz-Halbleiters. Die Stromquelle kann im einfachsten Fall als ohmscher Widerstand ausgebildet sein.An advantageous embodiment provides that the tax input of the reverse polarity protection semiconductor with a current source connected is. Due to the difference in input current of reverse polarity protection semiconductor at addressed and at overtemperature protection not addressed enables the Current source a detection of the respective state by ei ne simple voltage measurement at the control input of the reverse polarity protection semiconductor. In the simplest case, the power source can be designed as an ohmic resistor.

Die am Steuereingang des Verpolschutz-Halbleiters auftreten de Spannung kann in einem Komperator mit einem vorgegebenen Schwellenwert verglichen werden, so dass das Ausgangssignal des Komperators als digitales Signal einen Übertemperaturzu stand des Verpolschutz-Halbleiters anzeigt. Which occur at the control input of the reverse polarity protection semiconductor de voltage can be given in a comparator with a given Threshold value to be compared so that the output signal of the comparator as a digital signal status of the reverse polarity protection semiconductor.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zum Betreiben einer Last ergeben sich aus weiteren abhängigen Ansprüchen und aus der folgenden Be schreibung.Further advantageous embodiments of the invention Circuit arrangement for operating a load result from further dependent claims and from the following Be scription.

Zeichnungdrawing

Ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Schaltungs anordnung zum Betreiben einer Last ist in der Figur gezeigt.An embodiment of a circuit according to the invention arrangement for operating a load is shown in the figure.

Die Figur zeigt eine Last 10, die in der Diagonale 11 einer Brückenschaltung 12 angeordnet ist. Die Brückenschaltung 12 liegt zwischen einer Plusleitung 13 und einer Minusleitung 14. Die Plusleitung 13 führt zu einer Plusklemme 15 und die Minusleitung 14 zu einer Minusklemme 16. An der Plusklemme 15 und an der Minusklemme 16 ist eine Energiequelle 17 ange schlossen.The figure shows a load 10 which is arranged in the diagonal 11 of a bridge circuit 12 . The bridge circuit 12 lies between a plus line 13 and a minus line 14 . The plus line 13 leads to a plus terminal 15 and the minus line 14 to a minus terminal 16 . At the positive terminal 15 and the negative terminal 16 , an energy source 17 is connected.

Die Brückenschaltung 12 enthält Endstufen-Halbleiter 18- 21, die jeweils parasitäre Dioden 22-25 aufweisen. Die Endstufen-Halbleiter 18-21 werden von einer Ansteuerschal tung 26 mit Steuersignalen 27-30 angesteuert. Die Ansteu erschaltung 26 legt die Steuersignale 27-30 in Abhängig keit von einem Eingangssignal 31 fest.The bridge circuit 12 contains output stage semiconductors 18-21, each having parasitic diodes 22-25 . The output stage semiconductors 18-21 are controlled by a control circuit 26 with control signals 27-30 . The control circuit 26 sets the control signals 27-30 depending on an input signal 31 .

Vorgesehen ist ein Verpolschutz 32, der eine Stromquelle 33 sowie einen Verpolschutz-Halbleiter 34 enthält. Der Verpol schutz-Halbleiter 34 enthält einen integrierten Übertempera turschutz 35 sowie eine parasitäre Diode 36.A reverse polarity protection 32 is provided , which contains a current source 33 and a reverse polarity protection semiconductor 34 . The polarity reversal protection semiconductor 34 contains an integrated overtemperature protection 35 and a parasitic diode 36 .

Die Stromquelle 33 ist am Steueranschluß 37 des Verpol schutz-Halbleiters 34 angeschlossen. Dort ebenfalls ange schlossen ist ein Komparator 38, der ein Abschaltsignal 39 an die Ansteuerschaltung 26 abgibt. Der Komparator 38 vergleicht die Spannung am Steueranschluß 37 mit der Spannung an der Minusleitung 14.The current source 33 is connected to the control terminal 37 of the polarity reversal protection semiconductor 34 . There is also a comparator 38 , which outputs a shutdown signal 39 to the control circuit 26 . The comparator 38 compares the voltage at the control connection 37 with the voltage at the negative line 14 .

Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung zum Betreiben einer Last 10 arbeitet folgendermaßen:
Die Endstufen-Halbleiter 18-21 sind in der Brückenschal tung 12 angeordnet, in deren Diagonale 11 die Last 10 liegt. Die Last 10 kann in Abhängigkeit von den Steuersignalen 27- 30 zwischen die Plusleitung 13 und die Minusleitung 14 ge schaltet werden. Als Endstufen-Halbleiter 18-21 sind bei spielsweise Feldeffekttransistoren vorgesehen, die von ihrem inneren Aufbau bedingt parasitäre Dioden 22-25 enthalten. Bei einem Defekt in der Last 10, beispielsweise einem Kurz schluß, kann in jeweils zwei der Endstufen-Halbleiter 18- 21 ein Überstrom auftreten, der nach kurzer Zeit zu einem thermischen Zerstören der betroffenen Endstufen-Halbleiter 18-21 führen kann. Auf dem Markt erhältlich sind Endstu fen-Halbleiter 18-21 mit einer integrierten Schutzschal tung, die neben einer Strombegrenzung und einem Überspan nungsschutz insbesondere einen integrierten Übertemperatur schutz enthalten. Bei der im Ausführungsbeispiel gezeigten Brückenschaltung 12 müßten zumindest zwei Endstufen- Halbleiter 18-21 mit der integrierten Schutzschaltung aus gestattet sein, um einen Schutz gegen Übertemperatur zu ge währleisten. Nachteilig sind die erhöhten Kosten derartiger Halbleiterbauelemente gegenüber solchen Endstufen- Halbleitern 18-21, die die integrierte Schutzschaltung nicht enthalten.The circuit arrangement according to the invention for operating a load 10 works as follows:
The output stage semiconductors 18-21 are arranged in the bridge circuit 12 , in the diagonal 11 of which the load 10 lies. The load 10 can be switched depending on the control signals 27-30 between the plus line 13 and the minus line 14 ge. Field-effect transistors are provided as output stage semiconductors 18-21 , which contain parasitic diodes 22-25 due to their internal structure. In the event of a defect in the load 10 , for example a short circuit, an overcurrent can occur in two of the output stage semiconductors 18-21 , which after a short time can lead to thermal destruction of the output stage semiconductor 18-21 concerned. Power stage semiconductors 18-21 with an integrated protection circuit are available on the market, which in addition to a current limitation and overvoltage protection contain in particular an integrated overtemperature protection. In the case of the bridge circuit 12 shown in the exemplary embodiment, at least two output stage semiconductors 18-21 with the integrated protective circuit should be permitted in order to ensure protection against excess temperature. The increased costs of such semiconductor components are disadvantageous compared to those output stage semiconductors 18-21 which do not contain the integrated protection circuit.

Zu berücksichtigen ist ferner, dass die als Endstufen- Halbleiter 18-21 konzipierten Feldeffekttransistoren mit integrierter Schutzschaltung aufgrund ihrer parasitären Dioden 22-25 keinen Schutz gegenüber Verpolung bieten. Ein Vertauschen der Plusklemme 15 mit der Minusklemme 16 an der Energiequelle 17 würde die parasitären Dioden 22-25 in den leitenden Zustand bringen, der auch durch eine integrierte Schutzschaltung nicht beseitigt werden kann. Ein Schutz ge gen Verpolung ist deshalb nur mit einem zusätzlichen Verpol schutz 32 möglich. Der Verpolschutz-Halbleiter 34 ist bei spielsweise in der Minusleitung 14 angeordnet. Verwendung findet bevorzugt ein Feldeffekttransistor, der bei der An ordnung in der Minusleitung 14 als n-Kanal- Feldeffekttransistor realisiert sein kann. Gegenüber dem Source-Anschluß eines solchen Feldeffekttransistors steht eine positive Spannung an der Plusleitung 13 zum Durchschal ten des Verpolschutz-Halbleiters 34 zur Verfügung. Im ge zeigten Ausführungsbeispiel ist die Stromquelle 33 vorgese hen, welche die Plusleitung 13 mit dem Steuer-Anschluß 37 des Verpolschutz-Halbleiters 34 verbindet.It should also be taken into account that the field-effect transistors with integrated protection circuit designed as output stage semiconductors 18-21 offer no protection against polarity reversal due to their parasitic diodes 22-25 . Exchanging the positive terminal 15 with the negative terminal 16 on the energy source 17 would bring the parasitic diodes 22-25 into the conductive state, which cannot be removed even by an integrated protective circuit. Protection against reverse polarity is therefore only possible with an additional reverse polarity protection 32 . The reverse polarity protection semiconductor 34 is arranged for example in the negative line 14 . A field effect transistor is preferably used, which can be implemented in the arrangement in the negative line 14 as an n-channel field effect transistor. Compared to the source terminal of such a field effect transistor, there is a positive voltage on the positive line 13 for switching through the polarity reversal protection semiconductor 34 . In the exemplary embodiment shown, the current source 33 is provided, which connects the positive line 13 to the control terminal 37 of the polarity reversal protection semiconductor 34 .

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass der Verpolschutz- Halbleiter 34 einen integrierten Übertemperaturschutz 35 enthält. Mit dieser Maßnahme übernimmt der Verpolschutz- Halbleiter 34 neben dem Schutz gegenüber Verpolung auch den Schutz gegenüber Übertemperatur. Die Endstufen-Halbleiter 18 -21 können deshalb ohne integrierten Übertemperaturschutz auskommen. Kosteneinsparungen ergeben sich insbesondere dann, wenn mehrere Endstufen-Halbleiter 18-21 vorhanden sind, die gegenüber Übertemperatur mit einem einzigen Ver polschutz-Halbleiter 34 gegenüber Übertemperatur geschützt werden können. Die erhöhten Kosten eines Verpolschutz- Halbleiters 34 mit einem integrierten Übertemperaturschutz 35 und der höhere Durchlaßwiderstand im leitenden Zustand des Verpolschutz-Halbleiters 34 mit integriertem Übertempe raturschutz 35 gegenüber einem Verpolschutz-Halbleiter ohne den integrierten Übertemperaturschutz 35 treten nur einmal auf und können hinsichtlich des erhöhten Durchlaßwiderstands bei vergleichbarer Bauform durch eine entsprechende Schal tungsauslegung berücksichtigt werden. According to the invention, the reverse polarity protection semiconductor 34 contains an integrated overtemperature protection 35 . With this measure, the reverse polarity protection semiconductor 34 takes over protection against reverse polarity as well as protection against overtemperature. The final-stage semiconductor 18 -21 can therefore do without integrated overtemperature protection. Cost savings result in particular if a plurality of output stage semiconductors 18-21 are present which can be protected against overtemperature with a single pole protection semiconductor 34 against overtemperature. The increased costs of a reverse polarity protection semiconductor 34 with an integrated overtemperature protection 35 and the higher forward resistance in the conductive state of the reverse polarity protection semiconductor 34 with integrated overtemperature protection 35 compared to a reverse polarity protection semiconductor without the integrated overtemperature protection 35 occur only once and can with regard to the increased forward resistance with a comparable design can be taken into account by appropriate circuit design.

Der integrierte Übertemperaturschutz 35 benötigt im einge schalteten Zustand einen Betriebsstrom, der von der Strom quelle 33 zur Verfügung gestellt wird. Die Stromquelle 33 kann im einfachsten Fall als ohmscher Widerstand realisiert sein. Die auf dem Markt erhältlichen Feldeffekttransistoren mit integriertem Übertemperaturschutz 35, die als Verpol schutz-Halbleiter 34 geeignet sind, werden beispielsweise als TEMPFET, MITFET oder OMNIFET bezeichnet. Der TEMPFET 34 benötigt bei Temperaturen unterhalb der vom integrierten Übertemperaturschutz 35 festgelegten Grenztemperatur einen Betriebsstrom, der beispielsweise im µA-Bereich liegt. Wird dagegen die Grenztemperatur vom integrierten Übertemperatur schutz 35 überschritten, kann dieser Zustand vom TEMPFET nach außen signalsiert werden durch ein Niederohmigwerden des integrierten Übertemperaturschutzes 35, der zu einem er höhten Stromfluß am Steueranschluß 37 führt. Der erhöhte Strom kann im mA-Bereich liegen. Anstelle der Detektion des Stromes, die gleichfalls möglich ist, wird im Ausführungs beispiel anstelle des Stroms am Steueranschluß 37 aufgrund der Stromquelle 33 eine Spannung bereitgestellt, die der Komparator 38 bewertet. Die Schaltschwelle des Komparators 38 ist auf die zu erwartenden Spannungsänderungen abzustim men.The integrated overtemperature protection 35 requires an operating current when switched on, which is provided by the current source 33 . In the simplest case, the current source 33 can be implemented as an ohmic resistor. The field effect transistors available on the market with integrated overtemperature protection 35 , which are suitable as polarity reversal protection semiconductors 34 , are referred to, for example, as TEMPFET, MITFET or OMNIFET. The TEMPFET 34 requires an operating current at temperatures below the limit temperature defined by the integrated overtemperature protection 35 , which is, for example, in the μA range. If, on the other hand, the limit temperature is exceeded by the integrated overtemperature protection 35 , this state can be signaled to the outside by the TEMPFET by becoming low-resistance of the integrated overtemperature protection 35 , which leads to an increased current flow at the control connection 37 . The increased current can be in the mA range. Instead of the detection of the current, which is also possible, a voltage is provided in the embodiment example instead of the current at the control connection 37 due to the current source 33 , which the comparator 38 evaluates. The switching threshold of the comparator 38 must be adjusted to the expected voltage changes.

Im gezeigten Ausführungsbeispiel vergleicht der Komparator die Spannung am Steueranschluß 37 mit der Spannung an der Minusleitung 14, an der die Source des TEMPFET angeschlossen ist.In the exemplary embodiment shown, the comparator compares the voltage at the control connection 37 with the voltage at the negative line 14 , to which the source of the TEMPFET is connected.

Der Komparator 38 kann beispielsweise auch als Transistor realisiert sein, wobei die Schwellenspannung von der Basis- Emitter-Spannung für ein Durchschalten des Transistors fest gelegt ist. Eine Anpassung ist mittels ohmscher Widerstände ohne weiteres möglich. Eine besonders einfache Realisierung wird erhalten bei der Verwendung eines pnp-Transistors, des sen Emitter an der Plusleitung 13 angeschlossen ist.The comparator 38 can also be implemented, for example, as a transistor, the threshold voltage being fixed by the base-emitter voltage for switching on the transistor. Adaptation is easily possible using ohmic resistors. A particularly simple implementation is obtained when using a pnp transistor whose emitter is connected to the positive line 13 .

Das Abschaltsignal 39 des Komparators 38 ist im gezeigten Ausführungsbeispiel der Ansteuerschaltung 26 zugeführt. Bei einem auftretenden Abschaltsignal 39 legt die Ansteuerschal tung 26 unabhängig von ihrem Eingangssignal 31, mit dem die Steuersignale 27-30 der Endstufen-Halbleiter 18-21 an sich festgelegt werden, die Steuersignale 27-30 auf Werte fest, bei denen die Endstufen-Halbleiter 18-21 abgeschal tet sind. Das Abschaltsignal 39 kann anstelle des Eingriffs innerhalb der Ansteuerschaltung 26 auch unmittelbar zum Be einflussen der Steuersignale 27-30 herangezogen werden. Eine mögliche Realisierung kann ein Kurzschliessen der Steu ersignale 27-30 gegen die Minusleitung 14 mittels Schalt transistoren vorsehen.The switch-off signal 39 of the comparator 38 is supplied to the control circuit 26 in the exemplary embodiment shown. When a switch-off signal 39 occurs , the control circuit 26 sets the control signals 27-30 to values at which the output stage semiconductors, independently of their input signal 31 , with which the control signals 27-30 of the output stage semiconductors 18-21 are determined per se 18-21 are switched off. The switch-off signal 39 can also be used directly for influencing the control signals 27-30 instead of the intervention within the control circuit 26 . A possible realization can provide a short circuit of the control signals 27-30 against the negative line 14 by means of switching transistors.

Die im TEMPFET 34 enthaltene parasitäre Diode 36 stört die Verpolschutzwirkung nicht. Bei einem verpolten Anschliessen der Plusklemme 15 und der Minusklemme 16 an die Energiequel le 17 führt dazu, dass die parasitäre Diode 36 sperrt. Bei einem polrichtigen Anschluß leitet die parasitäre Diode 36 und ermöglicht eine Inbetriebnahme der Last 10. Bei einem polrichtigen Anschluß wird die parasitäre Diode 36 über brückt durch ein vollständiges Durchschalten des TEMPFET's 34, der im durchgeschalteten Zustand einen erheblich gerin geren Durchlaßwiderstand als die parasitäre Diode 36 auf weist.The parasitic diode 36 contained in the TEMPFET 34 does not interfere with the reverse polarity protection effect. If the positive terminal 15 and the negative terminal 16 are connected to the energy source 17 with a polarity reversal, the parasitic diode 36 blocks. If the connection is correct, the parasitic diode 36 conducts and enables the load 10 to be started up . With a polarity correct connection, the parasitic diode 36 is bridged by a full switching of the TEMPFET's 34 , which in the switched-on state has a considerably lower on resistance than the parasitic diode 36 .

Claims

1. Schaltungsanordnung zum Betreiben einer Last (10), mit mindestens einem Endstufen-Halbleiter (18-21) und mit einem Verpolschutz (32), dadurch gekennzeichnet, dass der Verpolschutz (32) einen Verpolschutz-Halbleiter (34) mit integriertem Übertemperaturschutz (35) enthält.1. Circuit arrangement for operating a load ( 10 ), with at least one output stage semiconductor ( 18-21 ) and with reverse polarity protection ( 32 ), characterized in that the reverse polarity protection ( 32 ) is a reverse polarity protection semiconductor ( 34 ) with integrated overtemperature protection ( 35 ) contains.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, dass als Verpolschutz-Halbleiter (34) mit integrier tem Übertemperaturschutz ein Feldeffekttransistor vorge sehen ist.2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that a reverse polarity protection semiconductor ( 34 ) with integrated tem temperature protection, a field effect transistor is easily seen.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge kennzeichnet, dass als Verpolschutz-Halbleiter (34) ein in einer Minusleitung (14) der Schaltungsanordnung ange ordneter n-Kanal-Feldeffekttransistor vorgesehen ist.3. A circuit arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that an n-channel field effect transistor arranged in a negative line ( 14 ) of the circuit arrangement is provided as the polarity reversal protection semiconductor ( 34 ).

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch ge kennzeichnet, dass der Steueranschluß (37) des Verpol schutz-Halbleiters (34) über eine Stromquelle (33) mit elektrischer Energie versorgt ist.4. Circuit arrangement according to claim 2 or 3, characterized in that the control terminal ( 37 ) of the polarity reversal protection semiconductor ( 34 ) is supplied with electrical energy via a current source ( 33 ).

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich net, dass die Stromquelle (33) ein ohmscher Widerstand ist. 5. Circuit arrangement according to claim 4, characterized in that the current source ( 33 ) is an ohmic resistor.

6. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, dass der Steueranschluß (37) des Verpolschutz-Halbleiters (34) mit einem Komparator (38) verbunden ist, der ein Abschaltsignal (39) bereit stellt.6. Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the control connection ( 37 ) of the polarity reversal protection semiconductor ( 34 ) is connected to a comparator ( 38 ) which provides a switch-off signal ( 39 ).

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeich net, dass der Komparator (38) als ein Transistor reali siert ist.7. Circuit arrangement according to claim 6, characterized in that the comparator ( 38 ) is realized as a transistor.

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeich net, dass ein pnp-Transistor als Komparator (38) vorgese hen ist.8. Circuit arrangement according to claim 7, characterized in that a pnp transistor is hen hen as a comparator ( 38 ).

9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch ge kennzeichnet, dass das Abschaltsignal (39) einer Ansteu erschaltung (26) der Endstufen-Halbleiter (18-21) zuge führt ist und dass das Abschaltsignal (39) die Ansteuer schaltung (26) zum Abschalten der Steuersignale (27-30) der Endstufen-Halbleiter (18-21) veranlaßt.9. Circuit arrangement according to claim 7 or 8, characterized in that the switch-off signal ( 39 ) leads to a control circuit ( 26 ) of the output stage semiconductor ( 18-21 ) and that the switch-off signal ( 39 ) leads to the control circuit ( 26 ) to switch off the control signals ( 27-30 ) of the output stage semiconductors ( 18-21 ).

10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch ge kennzeichnet, dass das Abschaltsignal (39) unmittelbar zum Abschalten der Steuersignale (27-30) der Endstufen- Halbleiter (18-21) herangezogen ist.10. Circuit arrangement according to claim 7 or 8, characterized in that the switch-off signal ( 39 ) is used directly for switching off the control signals ( 27-30 ) of the output stage semiconductor ( 18-21 ).