DE10046973A1 - CVD-Diamantprodukt und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
CVD-Diamantprodukt und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf ein mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) hergestelltes Diamantprodukt und auf ein Verfahren zu seiner Herstellung. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist das CVD-Diamantprodukt in einer Form gegossen und weist Oberflächenmerkmale auf, die durch Kontakt mit einer Grenzfläche der Form festgelegt sind. Zur Herstellung wird CVD-Diamant in einer gewünschten Dicke auf einer Grenzfläche einer Negativform abgeschieden, welche die Gestalt und Oberfläche eines gewünschten Produktes aufweist. Die Form wird dann zum Beispiel durch Säure aufgelöst, und das verbleibende Diamantprodukt wird in einem geeigneten Halter angebracht. DOLLAR A Verwendung zum Beispiel in der Werkzeugfertigung zur Herstellung von Schneideinsätzen oder Drahtziehwerkzeugen.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein CVD-Diamantprodukt, das
heißt auf ein durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) her
gestelltes Produkt aus Diamant, und auf ein Verfahren zu sei
ner Herstellung.
Diamant ist ein Material mit zahlreichen außergewöhnlichen
Eigenschaften, wie hohe Abriebfestigkeit, hohe thermische
Leitfähigkeit, schnelle Übertragung von Schallwellen und Kor
rosionsunanfälligkeit. Diese überlegenen Eigenschaften haben
Diamant zum idealen Material für viele fortschrittliche An
wendungen gemacht. Zum Beispiel findet Diamant weitverbreite
ten Einsatz als Hochleistungsschleifmittel, Wärmeverteiler,
Akustikbauelement und chemische Barrieren. Herkömmlicherweise
wird Diamant unter einem hohen Druck von mehr als dem
50fachen des Atmosphärendrucks synthetisiert, derartiger Dia
mant liegt jedoch typischerweise in Sandform vor. Wenngleich
ein solcher Diamant ideal für Hochleistungsschleifmittel, wie
zum Beispiel auch für Diamantsägen, ist, ist er für nicht me
chanische Anwendungen, wie zum Beispiel als Wärmeverteiler,
ungeeignet.
In den letzten Jahren wurden kommerziell auch Diamantfilme
mit einer Dicke von bis zu 1 mm abgeschieden, und zwar durch
CVD-Verfahren unter Verwendung von Reaktionsgasen. Diese Gase
beinhalten typischerweise eine geringe Menge von weniger als
5% an kohlenstoffhaltigem Material, wie Methan (CH4), das in
reichlich Wasserstoff (H2) verteilt ist. Während des Prozes
ses werden die Gase auf eine hohe Temperatur erhitzt, so dass
das kohlenstoffhaltige Gas zur Freisetzung von Kohlenstoff
atomen zersetzt wird. Gleichzeitig dissoziieren die Wasser
stoffmoleküle und bilden Wasserstoffatome. Normalerweise
scheiden sich die Kohlenstoffatome entweder als amorpher Koh
lenstoff oder Graphit ab, in der Umgebung von Wasserstoffato
men behalten sie aber die Diamantstruktur der sp3-Bindung
bei, wie im Fall von Methan, und scheiden sich als Diamant
ab. Selbst bei Bildung von nicht-diamantartigem Kohlenstoff
wandelt sich durch die rasche Anwesenheit von Wasserstoff der
Kohlenstoff in Methan zurück. Die Wasserstoffatome spielen
daher eine Schlüsselrolle zur Katalysierung der Diamantbil
dung. Je höher die Konzentration an Wasserstoffatomen, umso
besser ist folglich die Qualität des gebildeten Diamants.
Es gibt verschiedene Möglichkeiten der Aufheizung des Gasge
mischs, von denen Aufheizung durch Heißdraht, zum Beispiel
unter Verwendung von Wolfram, Mikrowellenanregung, Oxyacety
lenflamme und Gleichstrom(DC)-Bogen allgemein Verwendung fin
den. Zwar liegt die Temperatur zur Diamantabscheidung typi
scherweise im Bereich zwischen 800°C und 900°C, die Reakti
onstemperatur für die Gase ist jedoch deutlich höher. Tat
sächlich sind die Zersetzung der Gase zur Bildung von Kohlen
stoff und Wasserstoffatomen umso vollständiger und die Depo
sitionsrate des Diamants umso höher, je höher die Reaktions
temperatur ist. Die Heißdrahtmethode kann lediglich 2000°C
oder geringfügig mehr erreichen, so dass mit ihr die Deposi
tion am langsamsten abläuft, mit etwa 1 µm/h. Die Mikrowellen
anregung kann die Gase auf eine höhere Temperatur erhitzen,
so dass eine mittlere Depositionsrate von etwa 10 µm/h er
reicht wird. Die Oxy-acetylenmethode kann noch höhere Plasma
temperaturen erreichen, so dass ihre Depositionsrate relativ
hoch ist, zum Beispiel 30 µm/h. Die DC-Bogenmethode kann die
Gase auf die höchsten Temperaturen von etwa 6000°C bringen
und daher Diamant mit der höchsten Rate aller obigen Methoden
abscheiden, zum Beispiel mit 50 µm/h. Allerdings ist die Depo
sitionsfläche umso kleiner und der erzeugte Diamantfilm umso
weniger gleichmäßig, je höher die Deposltionsrate ist. Daher
gibt es einen Kompromiss zwischen Depositionsrate und Deposi
tionsfläche.
CVD-Diamantfilme enthalten polykristalline Diamantkörner. Da
bei werden auf der Oberfläche des Substrats zuerst Diamant
kristallkeime gebildet, und diese Kristallkeime wachsen dann
mit zunehmender Körnigkeit, wie in den Fig. 1a bis 1d dar
gestellt. Daher hat der Film auf der Nukleationsseite die
Tendenz, dieselbe Oberflächenbeschaffenheit aufzuweisen wie
das Substratmaterial, die Wachstumsseite wird jedoch mit
wachsender Grobkörnigkeit des Korns immer rauer. Für die
meisten Anwendungen, wie Wärmeverteiler, muss die raue Ober
fläche geschliffen und poliert werden. Da Diamant jedoch das
härteste bekannte Material ist, ist die Bearbeitung von gro
bem Diamant extrem schwierig und aufwendig. Als Folge hiervon
sind die mit der Nachbearbeitung eines Diamantfilms verbunde
nen Kosten oftmals höher als diejenige für seine Deposition.
Die Fig. 1a bis 1d veranschaulichen die Nukleation und das
Wachstum eines Diamantfilms. Hierzu ist anzumerken, dass die
Nukleationsoberfläche ein Negativ der Substratoberfläche dar
stellt, und die Wachstumsoberfläche wird mit wachsender Depo
sitionszeit immer rauer.
Des weiteren sind bestimmte Bearbeitungsprozeduren, wie das
Einbringen einer gekrümmten Vertiefung in die Diamantoberflä
che oder das Bohren einer quadratischen Öffnung durch Diamant
hindurch, fast nicht zu erreichen. Solche Beschränkungen ha
ben die möglichen Anwendungen von Diamantfilmen merklich be
schränkt.
CVD-Diamantfilme wurden beispielsweise als ausgezeichneter
Schneideinsatz verwendet. Wenn Diamant dazu benutzt wird,
biegsames Material, wie eine Kupferlegierung, zu schneiden,
muss der lange Schneidgang von Zeit zu Zeit unterbrochen wer
den. Dies erfolgt herkömmlicherweise durch Bereitstellen ei
ner Mulde nahe der Schneidkante, wie es allgemein bei anderen
Schneidwerkzeugen gemacht wird, um das während des Gewinde
schneidvorgangs entfernte Material zu biegen und zu brechen.
Es ist jedoch unmöglich, eine solche Mulde auf dem flachen
Diamantfilm zu erzeugen. Daher sind CVD-Diamantschneider
trotz ihrer extremen Beständigkeit nicht geeignet, biegsame
Materialien zu schneiden.
Als ein weiteres Beispiel benötigen zahlreiche fortgeschrit
tene Anwendungen, zum Beispiel Schaltkreise in der Elektro
nikindustrie, die Verwendung von Metalldrähten mit dreiecki
ger, quadratischer oder unregelmäßiger Form. Diese Drähte
können nicht mit herkömmlichen Drahtziehwerkzeugen aus Dia
mant gezogen werden, die nur kreisförmige Öffnungen aufwei
sen. Es gibt daher kein geeignetes Produkt, um diesen wichti
gen Bedarf des Marktes zu decken.
Außerdem verwenden die meisten Anwendungen die Oberfläche von
Diamantfilmen, zum Beispiel eines Extrudierwerkzeugs, wobei
dann die Eigenschaft des Volumenmaterials möglicherweise un
kritisch ist. Das herkömmliche CVD-Verfahren muss den Dia
mantfilm jedoch vom Boden aus aufwärts erzeugen. Wenn daher
die Oberseite benötigt wird, muss der gesamte Film langsam
aufgewachsen werden, um den oberseitigen Teil in gewünschter
Weise zu erhalten. Ein derart aufwendiger Wachstumsprozess
kann sehr kostspielig sein.
Herkömmliche Diamantschneideinsätze umfassen hauptsächlich
zwei Typen. Der erste Typ besteht darin, ein Einsatzstück aus
Wolframcarbid (WC) mit einem dünnen Diamantfilm von zum Bei
spiel 30 µm zu beschichten. Das Problem dieser Gestaltung be
steht darin, dass die abgeschiedene Diamantoberfläche rau
ist, so dass die Schneidoberfläche keine feine Oberflächenbeschaffenheit
aufweist. Alternativ kann ein dicker Diamantfilm
von zum Beispiel 30 µm aufgewachsen werden. Der Diamantfilm
kann dann mittels eines Lasers geschliffen und poliert wer
den, um eine dreieckförmige Schneidspitze zu bilden. Diese
Spitze wird dann auf ein WC-Einsatzstück gelötet. Dieses Ver
fahren ist aufwendig und kostenintensiv. Zusätzlich zu den
oben erwähnten Schwierigkeiten besteht bei diesen Diamant
film-Schneideinsätzen das weitere Problem, dass ihre Obersei
ten stets flach sind. Sie besitzen daher keine Spanbrecher
zum effizienten Schneiden biegsamer Materialien.
Fig. 2 zeigt ein herkömmliches WC-Einsatzstück 10 mit einem
eingedrückten Spanbrecher 12 in der Nähe jeder Schneidecke.
Fig. 3 zeigt ein diamtbeschichtetes WC-Einsatzstück 14 ohne
einen Spanbrecher. Fig. 4 illustriert einen auf ein WC-
Einsatzstück 16 gelöteten, dicken Diamant, wiederum ohne ei
nen Spanbrecher.
Zahlreiche Metalldrähte werden unter Verwendung von Werkzeu
gen aus polykristallinem Diamant (PCD) gezogen. Wie in Fig.
8 dargestellt, wird ein PCD 30 von WC 32 umgeben, und durch
den PCD 30 hindurch wird, wie in Fig. 9 gezeigt, eine Öff
nung 34 gebohrt, typischerweise mittels eines Lasers. Die
Öffnung 34 wird dann vergrößert, um einen Trichter 340 zu
bilden, wie in Fig. 10 gezeigt, und die Oberfläche wird un
ter Verwendung einer feinen Diamantpaste poliert. Obwohl dies
von viel mühsamer Nachbearbeitung begleitet ist, stellen sol
che PCD-Werkzeuge noch immer die besten Werkzeuge für das
Ziehen von Metalldrähten dar. Dennoch umfassen PCD-Werkzeuge
nur solche mit runden Öffnungen, so dass es mit ihnen nicht
möglich ist, polygonale Drähte zu ziehen, wie solche mit
quadratischem Querschnitt.
Alle PCDs enthalten mehr als 10% Kobalt. Da Kobalt Diamant in
amorphen Kohlenstoff oder Graphit zurückverwandeln kann, muss
der PCD unterhalb einer Temperatur von etwa 700°C gehalten
werden. Daher ist eine Schmierung und Kühlung durch Wasser
oder eine andere Flüssigkeit wichtig. Während des Ziehprozes
ses tendiert der Metalldraht aber dazu, sich gegen den PCD
anzupressen, wodurch er mit in dem PCD eingebettetem Kobalt
verschweißen kann. Als Folge hiervon ist übermäßiges Erhitzen
unumgänglich, und der PCD kann sich rasch aufgrund der Rück
verwandlung in amorphen Kohlenstoff oder Graphit verschlech
tern. Zudem kann das Ziehen die Oberfläche des Metalldrahtes
durch Verursachen von Schweißpunkten und Brandmarken ver
schlechtern.
Chemisch mechanisches Polieren (CMP) ist ein wichtiger
Schritt bei der Herstellung von Silicium-Chips mit hochentwi
ckelter Architektur. Während des CMP-Prozesses werden Silici
um-Wafer gegen ein rotierendes Pad gedrückt, das typischer
weise aus Polyurethan besteht. Ein Tisch wird mit einer Strö
mung aus einer Aufschlämmung versorgt, die ultrafeines
Schleifmittel mit Abmessungen von weniger als 0,2 µm enthält,
zum Beispiel aus Silicium- oder Aluminiumoxid. Die Wafer wer
den folglich durch das Schleifmittel poliert, um eine be
stimmte Ebenheit und Glattheit zu erreichen. Die wegpolierten
Teilchen können jedoch das Pad beschichten und letzteres un
brauchbar machen, so dass von Zeit zu Zeit ein Diamantkondi
tionierer erforderlich ist, um die abgelagerten Bruchstücke
abzukratzen.
Der Pad-Konditionierer enthält eine Mehrzahl von Diamantkör
nern, die an einem Metallsubstrat, zum Beispiel aus Edel
stahl, angebracht sind. Diese Körner dienen dazu, das Pad zu
harken, um zu verhindern, dass sich seine Oberseite zusetzt.
Die Effektivität der Säuberung des Pads und die Beständigkeit
des Konditionierers sind von zwei kritischen Faktoren abhän
gig, dem Abstand der Diamantkörner und der Nivellierung ihrer
Oberseiten. Diese zwei Faktoren sind notorisch schwer zu
steuern. Deshalb enthalten fast alle herkömmlich verwendeten
Diamantkonditionierer zufallsverteilte Diamantkörner mit ei
ner hohen Schwankung ihrer Oberseitenhöhe.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstel
lung eines CVD-Diamantprodukts, das wenig oder keine aufwen
digen Nachbehandlungsvorgänge erfordert und sich bei Bedarf
auch in unregelmäßigen und/oder neuartigen Volumengestaltun
gen realisieren lässt, sowie eines Verfahrens zugrunde, mit
dem sich ein solches CVD-Diamantprodukt in vorteilhafter Wei
se herstellen lässt.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung
eines CVD-Diamantproduktes mit den Merkmalen des Anspruches 1
sowie eines Herstellungsverfahrens hierfür mit den Merkmalen
des Anspruchs 13.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unter
ansprüchen angegeben.
Vorteilhafte, nachfolgend näher beschriebene Ausführungsfor
men der Erfindung sowie die zu deren besserem Verständnis o
ben erläuterten, herkömmlichen Ausführungsbeispiele sind in
den Zeichnungen dargestellt, in denen zeigen:
Fig. 1a bis 1d aufeinanderfolgende Stufen der Bildung von Diamant
kristallkeimen auf der Oberfläche eines Substrats,
Fig. 2 einen herkömmlichen Werkzeugeinsatz aus Wolframcar
bid (WC),
Fig. 3 einen herkömmlichen Werkzeugeinsatz aus diamantbe
schichtetem Wolframcarbid ohne Spanbrecher,
Fig. 4 einen herkömmlichen Werkzeugeinsatz aus Wolframcar
bid mit einem dicken Diamantfilm ohne Spanbrecher,
Fig. 5 eine dünne Metallform zur Verwendung in der vorlie
genden Erfindung,
Fig. 6 die Form von Fig. 5 nach erfindungsgemäßem Füllen
mit einer Diamantfilmabscheidung,
Fig. 7 das Produkt von Fig. 6 nach Auflösen der Form,
Fig. 8 einen herkömmlichen polykristallinen Diamant (PCD)
umgeben von Wolframcarbid,
Fig. 9 den PCD von Fig. 8 mit einer hindurchgebohrten Öff
nung,
Fig. 10 den PCD von Fig. 9 nach Vergrößerung der Öffnung,
Fig. 11 eine Form zur Verwendung in der vorliegenden Erfin
dung,
Fig. 12 die Form von Fig. 11 mit einer Diamantabscheidung,
Fig. 13 die Diamantabscheidung von Fig. 12, gebildet als
ein Werkzeug, nach Auflösen der Form,
Fig. 14 das Diamantwerkzeug von Fig. 13 umgeben von einem
Metall,
Fig. 15 einen Silicium-Wafer zur Verwendung in der vorlie
genden Erfindung,
Fig. 16 den Silicium-Wafer von Fig. 15 mit einem gegossenen
CVD-Diamant,
Fig. 17 den Silicium-Wafer von Fig. 16 mit einer Epoxid
harzschicht,
Fig. 18 eine Scheibe mit Diamantpyramiden nach Auflösen des
Siliciums beim Produkt von Fig. 17,
Fig. 19 einen gewendelten Draht zur Verwendung in der vor
liegenden Erfindung,
Fig. 20 den Draht von Fig. 19 nach Beschichtung mit einem
CVD-Diamant,
Fig. 21 das Produkt von Fig. 20 nach Auflösen des Drahtes,
so dass ein Diamantschlauch verbleibt, und
Fig. 22 den Diamantschlauch von Fig. 21 eingeschlossen in
Harz.
Die vorliegende Erfindung dreht die übliche Vorgehensweise
um, bei der ein Diamantfilm zur Bildung eines Körpers aufge
wachsen wird und dann bearbeitet wird, um eine gewünschte
Gestalt zu erzielen. Stattdessen wird in einem einzigen Pro
zess ein Diamantfilm in einer Form gegossen, um die gewünsch
te Volumengestalt und Oberflächenbeschaffenheit zu erzielen.
Ein restlicher Teil kann dann in einem späteren Stadium unter
Verwendung eines viel kostengünstigeren Materials und/oder
eines viel kostengünstigeren Verfahrens gefüllt werden. Die
ses neuartige Konzept ist in der Lage, das Gießprodukt zu er
zeugen, das die Volumengestalt und Oberflächenbeschaffenheit
der Form dupliziert, so dass aufwendige Nachbearbeitungsvor
gänge eliminiert werden. Außerdem können sowohl komplizierte
Volumengestaltungen als auch feine Oberflächenbeschaffenhei
ten aus der Form erzielt werden. Als Ergebnis können erstmals
Diamantfilm-Produkte mit neuartigen und einzigartigen Geomet
rien hergestellt werden.
Ein zentraler Aspekt der Erfindung ist die Fähigkeit, eine
bestimmte Oberflächenbeschaffenheit der Form im abgeschiede
nen Diamantgießprodukt zu reproduzieren, wobei Experimente
durchgeführt worden sind, um diese Fähigkeit zu überprüfen.
Es wurden zahlreiche Materialien mit unterschiedlichen Ober
flächenbeschaffenheiten als Substrat zur Abscheidung von CVD-
Diamant verwendet. Der verwendete CVD-Reaktor ist ein Serien
produktionssystem, das von sp3, Inc. in Kalifornien gefertigt
wird. Der Reaktor beinhaltet ein Heißdrahtsystem mit einer
Depositionsfläche von 30 cm × 40 cm. Es wurde festgestellt, dass
auf diese Weise abgeschiedene Diamantfilme die Oberflächenei
genschaften des Substrates naturgetreu reproduzieren können,
wenn das Substratmaterial geeignet ist, zum Beispiel Kupfer
und Wolframcarbid, und die richtige Oberflächenbehandlung er
folgt ist, zum Beispiel sorgfältiges Reinigen. Das Konzept
der Umkehrdeposition wurde somit erfolgreich bestätigt.
Bei herkömmlichen Diamantfilmen wird deren Wachstumsseite als
geeignete Werkzeugfläche verwendet. Die vorliegende Erfindung
basiert hingegen auf der Nutzung einer Nukleationsseite für
die Anwendung. Die Nukleationsseite enthält Diamant-
Mikrokristalle, die auf dem Substrat gebildet wurden. Diese
neu gebildeten Kristallisationskeime brauchen nicht chemisch
rein und auch nicht strukturell fehlerfrei zu sein. Zudem
können dort auch amorpher Kohlenstoff oder pyrolitisches Gra
phit durch Co-Deposition abgeschieden werden. Da die Nuklea
tionsseite als die Werkzeugoberfläche verwendet wird, ist es
entscheidend, diese Seite so herzustellen, dass sie so viel
wie möglich Diamant enthält.
Es wurden verschiedene Techniken eingesetzt, um die Diamant
qualität der Nukleationsseite zu steigern. Beispielsweise
können während der Anfangsphase der Diamantabscheidung die
Methanflussrate reduziert und der Gasdruck erhöht werden. Auf
diese Weise wird die Zersetzungsrate für Kohlenstoff herabge
setzt, die Konzentration an Wasserstoffatomen hingegen er
höht. Die niedrige Depositionsrate gekoppelt mit der erhöhten
Menge an Katalysator gewährleistet, dass Diamantkristallisa
tionskeime hoher Qualität gebildet werden.
Zudem sollte die Nukleationsrate so erhöht werden, dass ge
ringfügige Risse im Substrat aufgefüllt werden. Die Nukleati
onsrate kann durch Anlegen einer negativen Vorspannung von
zum Beispiel 100 V an das Substrat effektiv gesteigert werden,
bis zu einem Faktor von einer Million. Alternativ kann das
Substrat durch Verwendung einer feinen Diamantpaste poliert
werden. Nach dem Polieren können die eingebetteten Diamant
mikropulver als effektive Kristallisationskeime für die Dia
mantnukleation dienen. Wenn die Nukleationsrate angehoben
werden kann, erhöht sich die Diamantqualität auf der Nuklea
tionsseite, und die Substratoberflächenbeschaffenheit kann
naturgetreu auf die Nukleationsoberfläche übertragen werden.
Bestimmte Metalle, wie Eisen, Kobalt, Nickel und deren Legie
rungen, können bei hoher Temperatur von mehr als 700°C Dia
mant in amorphen Kohlenstoff oder Graphit zurückkatalysieren.
Es ist wesentlich, dass das Substratmaterial möglichst wenig
von solchen Materialien enthält. Beispielsweise stellt mit
Kobalt gesintertes Wolframcarbid (WC) ein gutes Substratmate
rial zur Diamantabscheidung dar. Wenn WC zur Diamantabschei
dung verwendet wird, sollte der Kobaltanteil auf 4% oder we
niger begrenzt werden. In den letzten Jahren sind bindemit
telfreie WC-Materialien erhältlich geworden. Diese Materia
lien sind zur Herstellung von Gießformen geeignet, zum Bei
spiel einer Öffnung für ein Drahziehwerkzeug. Wenn das WC-
Korn ultrafein ist, das heißt mit Abmessungen im Submikrome
ter-Bereich, wird die Diamantnukleation weiter gesteigert.
Das Ergebnis ist eine sehr glatte Oberfläche mit hohem Dia
mantgehalt, die für viele Anwendungen geeignet ist.
Fig. 5 zeigt eine dünne Metallform 20 mit der Negativgeomet
rie eines herkömmlichen Schneideinsatzes mit Spanbrechern.
Das Metall kann W, Mo, Ta, Zr, Ti, Cr, V, Cu, Si oder ein an
deres geeignetes Material sein. Fig. 6 zeigt diese Metall
form 20 nach Auffüllen durch Deposition eines Diamantfilms.
Fig. 7 zeigt das Produkt nach dem Auflösen der Metallform
20, zum Beispiel durch Tränken in einer geeigneten Säure. Ein
unterer Teil 22 des verbleibenden Diamantfilms enthält iden
tisch die geometrische Gestalt der Metallform 20. Ein oberer
Teil wird dann mit WC-Partikeln oder anderen hochschmelzenden
Körnern, zum Beispiel SiC, versehen und mit einer Legierung
versetzt, zum Beispiel einer Kupfer-Mangan-Legierung. Die
festgewordene Legierung kann dann als das Substrat des
Schneideinsatzes dienen, wie in Fig. 7 gezeigt. Dieser Dia
manteinsatz weist die Originaloberfläche der Metallform 20
auf, einschließlich der Spanbrecher. Dieses Diamantschneid
werkzeug benötigt keine aufwendige mechanische Nachbearbei
tung. Die Erfindung löst somit die eingangs erwähnten Schwie
rigkeiten des Standes der Technik.
In einem weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel wird
gemäß Fig. 11 zunächst eine zentrale Säule 40 aus bindemit
telfreiem WC oder aus W-Metall mit der gewünschten Geometrie
und Oberflächenbeschaffenheit hergestellt. Diese zentrale
Säule 40 wird dann, wie in Fig. 12 gezeigt, mit CVD-Diamant
42 in einer Dicke von 50 µm bis 100 µm beschichtet. Die zentra
le Säule 40 wird anschließend in Säure aufgelöst, so dass ein
Diamantrohr-Gießstück mit derselben Geometrie wie die zentra
le Säule 40 zurückbleibt, wie in Fig. 13 dargestellt. Dieses
Diamantrohr wird in die Mitte eines Edelstahlrings 46 einge
setzt, wobei ein verbleibender Zwischenraum mit WC-Partikeln
oder SiC-Körnern gefüllt wird. Auf die Oberseite dieser Par
tikel wird eine Kupfer-Mangan-Nickel-Legierung aufgehäuft.
Dieses Zwischenprodukt wird als nächstes in einen Vakuumofen
gebracht und geheizt, um ein Schmelzen der Kupferlegierung zu
bewirken. Die Kupfer-Legierung dringt dann in das Pulver ein
und verfestigt den Aufbau. Der starre Aufbau umfasst somit
einen äußeren Edelstahlring 46 und ein Innenrohr 44 aus Dia
mant.
Das Diamantrohr wird durch die schrumpfende Kupfer-Legierung
zusammengedrückt, deren Volumen sich während des Verfesti
gungsprozesses deutlich verringert. Diese Kompression ist
sehr erwünscht, weil sie das Rohr vor Ausdehnung schützt,
wenn durch einen zu ziehenden Draht eine nach außen drückende
Kraft ausgeübt wird. Zudem ist diese Kompressionskraft ein
stellbar und kann so verändert werden, dass sie zum Typ des
zu ziehenden Drahtes passt, zum Beispiel niedrig zum Ziehen
von Kupfer und hoch zum Ziehen von Wolfram. Die Kompressions
kraft kann in einfacher Weise durch Einstellen des Verhält
nisses von Pulver zu Metall verändert werden. Je mehr Metall
verwendet wird, umso höher ist die Kompressionskraft.
Die oben beschriebene, neuartige Technologie macht nicht nur
die aufwendige Nachbearbeitung überflüssig und reduziert da
durch die Produktionskosten deutlich, sondern verbessert auch
die Qualität des Drahtziehwerkzeugs in mehrfacher Hinsicht.
Im Unterschied zu PCD, der weniger als 90 Vol.% Diamant ent
hält, besteht der CVD-Diamant (CVDD) vollständig aus Diamant,
so dass seine Verschleißlebensdauer viel höher als diejenige
von PCD sein kann, wobei die Gebrauchsdauer nicht linear pro
portional zum Diamantgehalt ist, sondern mit diesem über eine
Exponentialfunktion zusammenhängt.
CVDD ist viel glatter als PCD, der Kobalt anlagerndes Metall
enthält, so dass die beim Drahtziehen erzeugte Wärme deutlich
niedriger bleibt. Außerdem kann CVDD einer Temperatur von
1200°C standhalten, was viel höher als die 700°C für PCD ist.
Daher kann der Gebrauch von flüssigem Schmiermittel eventuell
entfallen. Dies trägt nicht nur zur Kostenverringerung des
Drahtziehwerkzeugs selbst bei, sondern vermeidet auch mit dem
Schmiermittel verbundene Umweltbelastungen. Aus Gründen des
Umweltschutzes wird die Bearbeitungsindustrie zu "trockenem"
Betrieb gedrängt, so dass die vorliegende Erfindung diesem
weltweiten Trend entgegenkommt.
Des weiteren kann die Eliminierung von Kobalt in der Kontakt
oberfläche die Oberflächenbeschaffenheit des Drahtes deutlich
verbessern, beispielsweise bewirken, dass er eine reflektie
rende Beschaffenheit aufweist. Solche Hochqualitätsdrähte
werden von der Elektronikindustrie zum Beispiel als verunreinigungsfreie
Kupferdrähte und von der Schmuckbranche zum Bei
spiel für glänzende Golddrähte stark gewünscht.
Ein noch bemerkenswerterer Durchbruch auf Basis der vorlie
genden Erfindung besteht darin, dass das Ziehen von Draht mit
Hilfe von nicht kreisförmigen Öffnungen genauso einfach
durchgeführt werden kann wie mit Hilfe von kreisförmigen Öff
nungen. Daher können Drähte mit dreieckförmigem oder quadra
tischem Querschnitt sehr einfach gefertigt werden. Die Ein
führung von gegenwärtig kaum erhältlichen Drähten mit nicht-
kreisförmigem Querschnitt ermöglicht neue Gestaltungen von
Produkten für bestimmte Anwendungsgebiete, zum Beispiel in
der Elektronikindustrie, und kann folglich die Gründung einer
neuen Industrie anspornen.
Durch Verwendung des Diamantgießkonzeptes, wie es von der
vorliegenden Erfindung gelehrt wird, ermöglicht die Fabrika
tion von Diamantkonditionierern von extrem hoher Qualität mit
genauer Steuerung des Diamantabstands und der Oberseitenhöhe.
Dazu wird in einem entsprechenden Ausführungsbeispiel zu
nächst, wie in Fig. 15 gezeigt, ein Silicium-Wafer 50 so be
arbeitet, dass er Einsenkungen identischer Pyramiden auf
weist, die an speziellen Stellen angeordnet sind, zum Bei
spiel mit einem festen Nachbarabstand. Dann wird auf den gra
vierten Silicium-Wafer CVD-Diamant 52 gegossen, wie in Fig.
16 gezeigt. Anschließend wird auf die Oberseite ein Epoxid
harz 54 aufgebracht, wie in Fig. 17 dargestellt. Der gesamte
Aufbau wird dann in Flusssäure eingetaucht, um das Silicium
substrat aufzulösen. Die verbleibende Scheibe zeigt nach dem
Umdrehen identische Diamantpyramiden, die um dieselbe Höhe
vorstehen, wie in Fig. 18 gezeigt. Ein solches Diamant-
Layout ist ideal zum Herstellen eines CMP-Pad-Konditio
nierers. Diese Vorgehensweise kann außerdem neue Gestaltungen
von Pad-Konditionierern ermöglichen. Beispielsweise kann die
Verteilung der Pyramiden einem Spiralmuster folgen. Die Auf
schlämmung kann auf diese Weise so geführt werden, dass sie
dem Muster folgt, um so die Verteilung des Schleifmittels zu
verbessern. Als Resultat ist eine erhöhte Polierrate des Wa
fers und ein reduzierter Verbrauch an teurer Aufschlemmung
möglich. Zudem können auch die Gleichmäßigkeit und Ebenheit
des Wafers verbessert werden.
Die vorliegende Erfindung erlaubt die Herstellung von neuar
tigen und einzigartigen Diamantbauelementen, beispielsweise
auch eines Diamantschlauchs, der zum Übertragen korrosiver
Flüssigkeiten verwendbar ist. Die zugehörigen Herstellungs
schritte folgen denselben Prozeduren, wie sie oben beschrie
ben wurden. Als Erstes wird eine Schlauchvorform unter Ver
wendung eines Metalls zum Beispiel durch Wendeln eines WC-
Drahtes 60 gefertigt, wie in Fig. 19 dargestellt. Danach
wird der gewendelte Draht 60 mit CVDD 62 überzogen, wie in
Fig. 20 gezeigt, wobei ein mittiger Metallkern vorliegt.
Dann wird der mittige Metallkern aufgelöst, so dass ein hoh
ler Diamantschlauch zurückbleibt, wie in Fig. 21 darge
stellt. Schließlich wird dieser Diamantschlauch in ein Epo
xidharz 64 eingegossen, um ein leicht handhabbares Werkzeug
zu bilden, wie in Fig. 22 gezeigt.
Derselbe Gedanke kann auf die Herstellung anderer neuartiger
Produkte angewendet werden, wie eines Diamantkolbens oder ei
nes Diamantgetriebes. Es gibt praktisch keine Begrenzung des
Gestaltungstyps, der durch CVD-Diamant in dieser Weise produ
ziert werden kann. Die obigen Beispiele dienen lediglich der
Illustration dieser hohen Flexibilität in der Anwendung der
vorliegenden Erfindung.
Claims (15)
1. CVD-Diamantprodukt,
dadurch gekennzeichnet, dass
es in einer Form (20) gegossen ist und Oberflächenstrukturen
aufweist, die durch Grenzflächenkontakt mit der Form festge
legt sind.
2. CVD-Diamantprodukt nach Anspruch 1, weiter dadurch ge
kennzeichnet, dass die Form aus Metall besteht.
3. CVD-Diamantprodukt nach Anspruch 2, weiter dadurch ge
kennzeichnet, dass das Metall überwiegend ein solches ist,
das aus der Gruppe ausgewählt ist, die W, Mo, Ta, Ti, Zr, V,
Cr, Carbide derselben sowie Cu besteht.
4. CVD-Diamantprodukt nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Form eine konkave
Gestalt besitzt.
5. CVD-Diamantprodukt nach Anspruch 4, weiter dadurch ge
kennzeichnet, dass die konkave Gestalt schalenförmig ist.
6. CVD-Diamantprodukt nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Form eine konvexe
Gestalt besitzt.
7. CVD-Diamantprodukt nach Anspruch 6, weiter dadurch ge
kennzeichnet, dass die konvexe Gestalt zylindrisch ist.
8. CVD-Diamantprodukt nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
weiter dadurch gekennzeichnet, dass der CVD-Diamant eine Di
cke von 30 µm bis 200 µm aufweist.
9. CVD-Diamantprodukt nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
weiter dadurch gekennzeichnet, dass es ein aus Diamant beste
hendes Schneidwerkzeug, ein aus Diamant bestehendes Drahtziehwerkzeug,
ein aus Diamant bestehender Pad-Konditionierer,
eine Diamantmembran oder ein Diamantrohr ist.
10. CVD-Diamantprodukt nach Anspruch 9, weiter dadurch ge
kennzeichnet, dass es ein Schneidwerkzeug ist, das Spanbre
cher aufweist.
11. CVD-Diamantprodukt nach Anspruch 9, weiter dadurch ge
kennzeichnet, dass es ein Drahtziehwerkzeug mit einer nicht
kreisförmigen Öffnung ist.
12. CVD-Diamantprodukt nach Anspruch 9 oder 11, weiter da
durch gekennzeichnet, dass es ein Drahtziehwerkzeug ist, das
unter Eindringen einen geschmolzenen Legierung um ein CVD-
Diamantrohr herum hergestellt ist.
13. Verfahren zur Herstellung eines CVD-Diamantproduktes,
gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- a) Bereitstellen einer Negativform, welche die Gestalt und die Oberfläche eines gewünschten Produktes aufweist,
- b) Abscheiden von CVD-Diamant in einer gewünschten Dicke auf einer Grenzfläche der Form,
- c) Auflösen der Form durch Säure oder ein anderes Lösungsmit tel und
- d) Befestigen des verbleibenden Diamantproduktes in einem ge eigneten Halter.
14. Verfahren nach Anspruch 13, weiter dadurch gekennzeich
net, dass der CVD-Diamant unter Verwendung eines Heißdrahtes,
eines Mikrowellenplasmas, einer Oxyacetylenflamme oder eines
DC-Bogens zur Aufheizung von hierzu verwendetem Gas abge
schieden wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, weiter dadurch ge
kennzeichnet, dass das Gas Methan und Wasserstoff enthält.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004052866A1 (de) * | 2004-11-02 | 2006-05-11 | Hnp Mikrosysteme Gmbh | Diamantbeschichtung von Verdrängerkomponenten, wie Zahnkomponenten, für eine chemische Beständigkeit und tribologischen Verschleißschutz in einer Verdrängereinheit |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9463552B2 (en) | 1997-04-04 | 2016-10-11 | Chien-Min Sung | Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods |
US9238207B2 (en) | 1997-04-04 | 2016-01-19 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
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US9221154B2 (en) | 1997-04-04 | 2015-12-29 | Chien-Min Sung | Diamond tools and methods for making the same |
US8974270B2 (en) | 2011-05-23 | 2015-03-10 | Chien-Min Sung | CMP pad dresser having leveled tips and associated methods |
US9138862B2 (en) | 2011-05-23 | 2015-09-22 | Chien-Min Sung | CMP pad dresser having leveled tips and associated methods |
US8622787B2 (en) | 2006-11-16 | 2014-01-07 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods |
US9724802B2 (en) | 2005-05-16 | 2017-08-08 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers having leveled tips and associated methods |
US8678878B2 (en) | 2009-09-29 | 2014-03-25 | Chien-Min Sung | System for evaluating and/or improving performance of a CMP pad dresser |
US8393934B2 (en) | 2006-11-16 | 2013-03-12 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods |
DE102007019933A1 (de) | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Kennametal Inc. | Schneidenträger mit aufgelötetem Schneidkörper und Fräsmesserkopf |
TWI388402B (en) | 2007-12-06 | 2013-03-11 | Methods for orienting superabrasive particles on a surface and associated tools | |
EP2395125A1 (de) | 2010-06-08 | 2011-12-14 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines Teils aus amorphem beschichteten Metall |
GB201112325D0 (en) | 2011-07-18 | 2011-08-31 | Element Six Abrasive Sa | Inserts and method for making same |
CN116121728A (zh) * | 2023-01-30 | 2023-05-16 | 江苏开放大学(江苏城市职业学院) | 一种制备新型金刚石复合厚膜刀具的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0400947A1 (de) * | 1989-05-31 | 1990-12-05 | De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited | Diamantwachstum |
EP0518591A1 (de) * | 1991-06-12 | 1992-12-16 | General Electric Company | Verfahren zum Herstellen von Formkörpern mittels CVD und daraus hergestellte Formkörper |
JPH0565645A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-19 | Seiko Epson Corp | ダイアモンド成形体 |
DE19547571A1 (de) * | 1994-12-21 | 1996-07-04 | De Beers Ind Diamond | Drahtziehwerkzeuge |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8519905D0 (en) * | 1985-08-08 | 1985-09-18 | Smit & Sons Diamond Tools | Rotary grinding wheel dressers |
EP0487292B1 (de) * | 1990-11-22 | 1996-02-14 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Polykristallines Dimantwerkzeug und Verfahren für seine Herstellung |
GB9100631D0 (en) * | 1991-01-11 | 1991-02-27 | De Beers Ind Diamond | Wire drawing dies |
US5365345A (en) * | 1991-04-10 | 1994-11-15 | Santa Barbara Research Center | Infrared transmitting window and method of making same |
CA2065724A1 (en) * | 1991-05-01 | 1992-11-02 | Thomas R. Anthony | Method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein |
US5366522A (en) * | 1991-11-07 | 1994-11-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Polycrystalline diamond cutting tool and method of manufacturing the same |
US5507987A (en) * | 1994-04-28 | 1996-04-16 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Method of making a free-standing diamond film with reduced bowing |
FR2738832B1 (fr) * | 1995-09-18 | 1997-12-12 | Suisse Electronique Microtech | Procede d'obtention d'une couche de diamant sur un support en matiere plastique et produit ainsi obtenu |
US5660936A (en) * | 1995-11-01 | 1997-08-26 | General Electric Company | Fine grain diamond tool and method of manufacture |
-
2000
- 2000-09-19 GB GB0022947A patent/GB2366804B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-22 DE DE10046973A patent/DE10046973B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-11 FR FR0013005A patent/FR2815045B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0400947A1 (de) * | 1989-05-31 | 1990-12-05 | De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited | Diamantwachstum |
EP0518591A1 (de) * | 1991-06-12 | 1992-12-16 | General Electric Company | Verfahren zum Herstellen von Formkörpern mittels CVD und daraus hergestellte Formkörper |
JPH0565645A (ja) * | 1991-09-04 | 1993-03-19 | Seiko Epson Corp | ダイアモンド成形体 |
DE19547571A1 (de) * | 1994-12-21 | 1996-07-04 | De Beers Ind Diamond | Drahtziehwerkzeuge |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004052866A1 (de) * | 2004-11-02 | 2006-05-11 | Hnp Mikrosysteme Gmbh | Diamantbeschichtung von Verdrängerkomponenten, wie Zahnkomponenten, für eine chemische Beständigkeit und tribologischen Verschleißschutz in einer Verdrängereinheit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2366804B (en) | 2003-04-09 |
GB2366804A (en) | 2002-03-20 |
GB0022947D0 (en) | 2000-11-01 |
DE10046973B4 (de) | 2005-09-15 |
FR2815045B1 (fr) | 2004-03-19 |
FR2815045A1 (fr) | 2002-04-12 |
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