DE10044162C2 - Standard für ein Nanotopographie-Gerät und Verfahren zur Herstellung des Standards - Google Patents
Standard für ein Nanotopographie-Gerät und Verfahren zur Herstellung des StandardsInfo
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Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Standard zum Kalibrieren und Überprüfen eines Na
notopographie-Geräts. Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zur Herstellung
eines solchen Standards.
Neue Verfahren zur Vermessung der Oberflächentopographie ermöglichen es, Höhen
variationen im Nanometerbereich aufzulösen. Daher wird in diesem Zusammenhang
von Nanotopographie oder Nanotopologie gesprochen. Diese Messverfahren beginnen
sich als Qualitätskontrolle insbesondere bei der Herstellung von Halbleiterscheiben zu
etablieren. Allerdings wird dabei das Fehlen von Kalibrationsstandards und Prüfmitteln
offensichtlich. Es stehen derzeit keine Standards zur Verfügung, mit welchen eine ein
heitliche Justage und Überprüfung der Meßsysteme durchgeführt werden kann. Die
Schwierigkeit besteht darin, geeignete Topographiestrukturen reproduzierbar herzustel
len.
Bei den Strukturen sollte es sich entsprechend des Einsatzbereiches der Messgeräte
um Erhebungen oder Vertiefungen handeln, welche laterale Ausdehnungen im Bereich
von 0,5 bis 20 mm und eine Höhe oder Tiefe von 10 bis 500 nm aufweisen, wobei der
Übergang von einer ebenen Umgebung zu den Strukturen nicht stufenartig, sondern mit
Steigungen von 5.10-6 bis 1.10-3 erfolgen soll.
Es ist zwar durchaus möglich, ähnliche Strukturen mit entsprechenden lateralen und
vertikalen Dimensionen zu erzeugen (DE 197 09 255 A1). Deren Steigung entspricht
jedoch nicht denen, die für die Nanotopographie als relevant erachtet werden. Sie wer
den daher von den Nanotopographie-Meßgeräten kaum oder gar nicht aufgelöst.
Die US-5,578,745 offenbart einen Standard zum Kalibrieren von Profilometern, insbe
sondere von Kraftmikroskopen. Er wird durch anisotropes und isotropes Anätzen einer
einkristallinen Oberfläche erzeugt, wobei V-förmige Gräben entstehen, die durch pris
menförmige Erhebungen oder schmale Stege voneinander getrennt sind.
Die EP-628 809 A1 beschreibt einen Kalibrier-Standard für die 2D- und 3D-Profilometrie
im Sub-Nanometerbereich. Dieser wird hergestellt, indem zwei polierte, einkristalline
Halbleiterscheiben mit identischer Kristallorientierung gebondet werden, wobei
eine polierte Scheibenseite und eine mit einer Oxidschicht versehene Scheibenseite
verbunden werden. Anschließend werden zwei unterschiedliche Strukturen mit identi
scher Breite durch anisotropes Ätzen in der Oxidschicht erzeugt.
Bisher werden daher zur Überprüfung und zum Abgleich von Messgeräten Halbleiter
scheiben aus der regulären Produktion verwendet, bei denen vermessbare Strukturen
zufällig vorhanden sind. Ein Abgleich müsste aber durch Vermessen einer solchen
Scheibe an allen vorhandenen Systemen erfolgen. Da die Systeme jedoch weltweit bei
unterschiedlichen Nutzern verwendet werden und jede dieser Scheiben ein Unikat dar
stellt, ist ein globaler Abgleich nicht möglich.
Aufgabe der Erfindung ist daher, einen reproduzierbaren Standard bereitzustellen, mit
dem alle Meßgeräte kalibriert und überprüft werden können.
Gegenstand der Erfindung ist ein Standard zum Kalibrieren und Überprüfen eines Na
notopographie-Geräts, umfassend ein Substrat und mindestens eine auf dem Substrat
abgeschiedene Struktur mit einer lateralen Ausdehnung von 0,5 bis 20 mm und einer
vertikalen Ausdehnung von 5 bis 500 nm, die von Flanken begrenzt ist, die eine Stei
gung von höchstens 1.10-3 aufweisen.
Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zur Herstellung des Standards, bei
dem Material mit einer inhomogenen Abscheiderate auf dem Substrat abgeschieden
wird.
Die Erfindung ermöglicht den reproduzierbaren Zugang zu artifiziellen Strukturen, die
nicht nur in ihrer lateralen und vertikalen Ausdehnung, sondern insbesondere in Bezug
auf die Steigung den natürlich auf Halbleiterscheiben vorkommenden Strukturen ähnlich
sind und damit von Nanotopographie-Messgeräten aufgelöst werden können. Das neue
Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß es die wiederholbare Herstellung geeigneter
nanotopographischer Strukturen und damit entsprechender Standards erlaubt. Insbe
sondere kann sowohl die laterale und vertikale Ausdehnung als auch die Steigung der
Strukturen gezielt eingestellt werden.
Bei den Messgeräten handelt es sich um Oberflächeninspektionssysteme, welche übli
cherweise mit Licht eines Lasers die Oberfläche des Prüflings (beispielsweise einer
Halbleiterscheibe aus Silicium) abrastern und mit Hilfe von
ortsaufgelöster Interferometrie und/oder Detektion der
Ablenkung des reflektierten Lichts die Topographie vermessen.
Als eine weitere Meßmethode sei auch die Profilometrie erwähnt.
Die maximale laterale Auflösung dieser Systeme liegt bei
einigen 100 µm, während die vertikale Auflösung bei unter 1 nm
liegen kann. Allerdings wird diese Auflösung erheblich durch
die topographische Steigung der Strukturen bestimmt. So wird
z. B. eine hohe Stufe bei senkrechtem bzw. nahezu senkrechtem
Lichteinfall keine signifikante Ablenkung des reflektierten
Lichts verursachen und daher nicht detektiert werden. Derartig
steile nanotopographische Strukturen kommen auf Halbleiter
scheiben, die in grossen Stückzahlen produziert werden, nicht
vor. Typische interessierende nanotopographische Strukturen auf
Halbleiterscheiben haben laterale Ausdehnungen von 0,5 bis 20 mm
und Höhen bzw. Tiefen von 5 bis 500 nm. Die Steigung der
Strukturen liegt höchstens bei 1.10-3.
Entsprechend dem heutigen Kenntnisstand, werden die meisten auf
Halbleiterscheiben auffindbaren Nanotopographie-Strukturen
durch Abtragsprozesse bei der Scheibenherstellung verursacht.
Bisherige Versuche derartige Strukturen mit Hilfe von Abtrags
prozessen reproduzierbar herzustellen und als Standards
einzusetzen, sind gescheitert, weil diese Prozesse im Bereich
der Nanotopographie nicht mehr ausreichend kontrolliert werden
können.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden die Strukturen nicht
durch einen Abtragsprozess, sondern durch Materialaufbringung,
besonders bevorzugt durch Epitaxie erzeugt.
Um die Standards zu erzeugen, werden die Strukturen auf die
ebene Oberfläche eines Substrats, vorzugsweise einer Substrat
scheibe aufgebracht. Als Substrat können insbesondere folgende
Materialien verwendet werden: Silicium, GaAs, Glas, SiC und
Quarz. Besonders geeignete Substrate sind doppelseitenpolierte
Halbleiterscheiben aus Silicium.
Das Substrat sollte möglichst wenige natürliche Nanotopologie
strukturen aufweisen und wenn, dann nur solche mit geringer
vertikaler Ausdehnung. Darunter ist zu verstehen, dass die auf
dem Substrat vorhandenen, nicht absichtlich erzeugten Struk
turen um mindestens einen Faktor 5 geringere Höhen bzw. Tiefen
aufweisen sollten als die erfindungsgemäß aufzubringenden
Strukturen. Zum Beispiel sollte für einen Standard mit late
raler Ausdehnung von 5 mm und einer Höhe von 50 nm die auf dem
Substrat vorab vorhandenen Strukturen bei ähnlicher lateraler
Größe maximal Höhen um ca. 10 nm aufweisen.
Als Abscheidungsmaterial sind nahezu alle abscheidbaren Stoffe
in reiner oder gemischter Form, insbesondere aber folgende
geeignet: Silicium, GaAs, Germanium, Kohlenstoff, Aluminium,
Kupfer, Gold, Silber, SiO2, Si3N4 und Wolframsilicid. Besonders
bevorzugt ist es, Silicium abzuscheiden.
Geeignete Abscheideprozesse sind: CVD (chemical vapour depo
sition), elektrolytische Abscheidung, Plasmabeschichtung,
Aufdampfen und Epitaxie. Besonders bevorzugtes Abscheidever
fahren ist die Epitaxie, insbesondere das epitaktische
Abscheiden von Silicium auf einem Siliciumsubstrat.
Die Erzeugung geeigneter nanotopographischer Strukturen wird
durch eine entsprechend inhomogene Abscheiderate auf der Ober
fläche des Substrates bewirkt. Bei einem Epitaxieprozess mit
Silicium bedeutet dies, daß die Dicke der epitaxierten Schicht
lokale Unterschiede aufweist. Die inhomogene Abscheidung von
Material wird durch lokale Variation der die Abscheiderate
bestimmenden Parameter oder durch Verwendung von Blenden oder
Abdeckungen über dem Substrat beeinflußt. Die Form der
Strukturen wird über die lokale Verteilung der Parameter
variationen und durch die davon abhängende Abscheiderate
bestimmt.
Die Abscheideraten hängen je nach betrachteten Abscheidever
fahren von verschiedenen Parametern ab. Bei CVD-Verfahren be
stimmen insbesondere die Temperatur und der Gasdruck die Abscheiderate.
Im Fall der Epitaxie sind es vor allem die Tempe
ratur, der Gasfluss, die verwendeten Abscheidegase und ihre
Konzentration und die Anordnung der Substratscheibe im Abschei
dereaktor. Bei der elektrolytischen Abscheidung hängt die
Abscheiderate insbesondere von der Temperatur, der angelegten
elektrischen Spannung und vom Widerstand des Substrates ab. Bei
der Plasmabeschichtung spielen die Temperatur und die wirkenden
elektrischen und magnetischen Felder die entscheidende Rolle.
Die Erfindung wird nachfolgend am Beispiel der besonders bevor
zugten epitaktischen Abscheidung von Silicium auf einer Halb
leiterscheibe aus Silicium eingehender beschrieben. Dabei wird
auch auf Figuren Bezug genommen.
Fig. 1 zeigt schematisch einen Epitaxiereaktor mit einer
Substratscheibe, die auf einem Suszeptor liegt.
Fig. 2 zeigt in Aufsicht einen Suszeptor mit Merkmalen einer
Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 3 ist eine Schnittdarstellung von Fig. 2.
Fig. 4 zeigt in Aufsicht eine auf einer Substratscheibe
abgeschiedene epitaktische Schicht mit Strukturen, die bei
Verwendung eines Suszeptors gemäß Fig. 2 erhalten wird.
Fig. 5 ist eine Schnittdarstellung von Fig. 4.
Fig. 6 zeigt in Aufsicht die Abbildung einer abgeschiedenen
Struktur vermessen mit einem Nanotopographie-Meßsystem.
In Fig. 7 sind die Querschnitte erfindungsgemäß erzeugter
Strukturen graphisch dargestellt.
Es wurde bereits dargelegt, daß im Fall der Siliciumepitaxie
auf einem Siliciumsubstrat insbesondere die Temperatur des
Substrates ein die Abscheiderate bestimmender Parameter ist.
Temperaturgradienten auf dem Substrat bzw. innerhalb des
Substrates oder der Substratumgebung führen zu lokal unter
schiedlichen Dicken in der abgeschiedenen Schicht. Fig. 1
zeigt schematisch einen Epitaxiereaktor 1 mit einer Substrat
scheibe W, die auf einem Suszeptor 5 liegt. Ein solcher Epi
taxiereaktor ist typisch und beispielsweise in der EP-953 659 A2
offenbart. Die Epitaxiekammer 1 besteht üblicherweise aus
Quarz und ist durch den Suszeptor 5 in einen oberen
Kammerbereich 1a und einen unteren Kammerbereich 1b getrennt.
Der Reaktor 1 verfügt des weiteren über Gaseinlaßrohre 2 und 3
und ein Gasauslaßrohr 4 und wird beispielsweise über
Infrarotlampen 7, die über und unter dem Suszeptor angeordnet
sind, geheizt. Dabei erfolgt die Energiezufuhr zur oberen Seite
des Substrates durch Strahlung und zur unteren Seite des
Substrates durch Wärmeleitung. Der Suszeptor 5 ruht auf einem
drehbaren Halter 6.
Erfindungsgemäß wird die lokale Temperatur des Substrates
gezielt beeinflußt und auf diese Weise die lokale Dicke der
Epitaxieschicht vorgegeben. Ein lokaler Temperaturgradient kann
sowohl durch Unterschiede zwischen der von oben und unten
zugeführten Strahlungsenergie als auch durch Verwendung von
Suszeptoren mit Bereichen mit unterschiedlicher Wärmeleit
fähigkeit, unterschiedlichem Abstrahlverhalten oder beidem
erzeugt werden. Eine Kombination der genannten Möglichkeiten
kann auch realisiert werden.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird das Abstrahl
verhalten bzw. die Wärmeübertragung des Suszeptors durch lokal
unterschiedliche Oberflächenbehandlungen wie Politur, Auf
rauhung oder Verspiegelung variiert.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden loka
le Variationen in der Wärmeübertragung erzielt, indem die
Auflagefläche des Suszeptors mit Vertiefungen oder Erhebungen
versehen wird. Methoden zur Herstellung der Vertiefungen oder
Erhebungen können insbesondere sein: Bohren, Sägen, Fräsen,
Ätzen, Laserablation. Die Wärmeübertragung auf das auf dem
Suszeptor liegende Substrat wird durch die geometrische Form
der Vertiefung oder Erhebung beeinflusst. In den Fig. 2 und
3 ist ein Suszeptor 5 dargestellt, in dessen Oberfläche Vertie
fungen mit einer Tiefe D eingearbeitet sind. Der mit Material A
und Material B bezeichnete Inhalt der Vertiefungen ist in
diesem Fall die Umgebungsatmosphäre. Die Tiefe D und die late
rale Ausdehnung der Vertiefungen beeinflussen den Temperaturgradienten
am Substrat und somit die Form der epitaktisch auf
gebrachten Strukturen. In den Fig. 4 und 5 ist die auf dem
Substrat abgeschiedene Schicht und ihre durch die Beschaffen
heit des Suszeptors verursachte Strukturierung gezeigt. Es wird
deutlich, daß durch die Erfindung Substrate zugänglich sind,
die reproduzierbare Strukturen tragen, deren geometrische
Formen und Profile, wie Höhen, Breiten und Längen vorbestimmt
werden können. So führt eine kreisrunde Vertiefung im Suszeptor
zu einer kreisrunden Struktur auf dem durch Beschichten erhal
tenen Standard und eine längliche Vertiefung zu einer längli
chen Struktur. Die Dicke D der Vertiefung im Suszeptor beein
flusst die vertikale Ausdehnung der entsprechenden nanotopo
graphischen Struktur auf dem Standard. Die Fig. 4 und 5
machen auch deutlich, daß eine Vertiefung im Suszeptor nicht
notwendigerweise zu einer Vertiefung in der abgeschiedenen
Schicht führen muß, sondern auch eine Struktur in Form einer
Erhebung bewirken kann. Dies wird dadurch möglich, daß wie be
reits erwähnt, weitere Maßnahmen neben der Bereitstellung der
Vertiefung im Suszeptor kombiniert werden, beispielsweise indem
die Vertiefung im Suszeptor verspiegelt wird oder die
Strahlungswärme von oben und unten in unterschiedlicher
Intensität zugeführt wird. Ist beispielsweise an der Stelle der
Vertiefung im Suszeptor die Wärmeabfuhr geringer als in der
Umgebung der Vertiefung, ist die Abscheiderate an der Stelle
des Substrats erhöht, unter der sich die Vertiefung im
Suszeptor befindet.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden loka
le Variationen in der Wärmeübertragung erzielt, indem Eigen
schaften wie Wärmeleitfähigkeit und Abstrahlverhalten und deren
Materialabhängigkeit ausgenutzt wird. So kann durch Auffüllen
der schon erwähnten Vertiefungen im Suszeptor mit einem
Material A beziehungsweise einem Material B mit unterschied
lichen Wärmeleitungskoeffizienten ein Suszeptor präpariert
werden, durch den während einer Epitaxiefahrt an einer Stelle
des Substrates ein positiver und an einer anderen Stelle des
Substrats ein negativer Temperaturgradient herbeigeführt wer
den. Auf diese Weise sind Erhebungen und Vertiefungen auf einem
Substrat ebenfalls erhältlich. Das Auffüllen der Vertiefungen
geschieht beispielsweise durch Presspassung oder Beschichten.
Als Füllstoffe für Vertiefungen eignen sich insbesondere SiO2
SiC, Graphit und Wolfram.
Fig. 6 zeigt in Aufsicht die Abbildung einer abgeschiedenen
Struktur, die mit einem Nanotopographie-Meßsystem vermessen
wurde. Sie wurde gemäß dem nachfolgenden Beispiel als Silicium
struktur auf einer Halbleiterscheibe aus Silicium in einem
Epitaxieverfahren hergestellt.
Die Siliciumepitaxie mit SiHCl3 angereichertem H2 erfolgte nach
einem vorangegangenen H2 annealing bei einer Temperatur von ca.
1100°C bei einer mittleren Aufwachsrate von ca. 3,5-4 µm/min.
Der Epitaxiereaktor verfügte über die in Fig. 1 gezeigten
Merkmale. Die Kontrolle der Abscheidetemperatur erfolgte durch
Messen der Temperatur der Scheibenoberfläche mit einem
Pyrometer von oben und durch Regeln der Lampenleistung, wobei
das Verhältnis von oberer zu unterer Lampenleistung einstellbar
war. Bezeichnet man die Summe der oberen und unteren Lampen
leistung die zum Erreichen der Abscheidetemperatur (z. B. 1050-
1180°C, typisch 1100°C) erforderlich ist mit 100%, so ist es
vorteilhaft, die Leistung zu je etwa 50% (obere und untere
Leistung) aufzuteilen, damit eine gleichmäßige Einstrahlung von
oben und unten erreicht wird und die Scheibe gleichmäßig
beheizt wird. Es hatte sich in Versuchen gezeigt, dass eine
Erhöhung der Lampenleistung von unten unter gleichzeitiger
Reduzierung der Lampenleistung von oben (z. B Verhältnis unten
60%, oben 40%) eine Situation erzeugt, in welcher der
Suszeptor um einige Grad (1-10°C, typisch 3-5°) wärmer ist als
die Scheibe. Dadurch wird z. B. an Stellen von Vertiefungen auf
dem Suszeptor die Wärmeübertragung auf die Scheibe geringer,
wodurch an dieser Stelle eine kältere Scheibentemperatur
entsteht, was wiederum eine geringere Aufwachsrate und damit
eine geringere Schichtdicke zur Folge hat. Der im Beispiel
verwendete Suszeptor wies an mehreren Positionen eine kreis
runde Vertiefung auf. In Abhängigkeit der Energiezufuhr über
die Infrarotlampen wurden auf dem Substrat sowohl kreisrunde
Vertiefungen als auch Erhebungen erzeugt. Der Anteil der
Gesamtenergiezufuhr durch die unteren Lampen betrug: 55%
(Fig. 7, a), 50% (Fig. 7, b), 45% (Fig. 7, c) und 40% (Fig. 7, d).
Das Beispiel zeigt, dass die Höhen bzw. Tiefen der erzeugten
Strukturen über die Lampeneinstrahlung gesteuert werden können.
Der Durchmesser der Strukturen kann dagegen über den Durchmes
ser der Vertiefung im Suszeptor eingestellt werden. In Fig. 7
sind Schnitte durch jeweils zwei Strukturen ((1), (2)), die
beim gleichem Prozess an unterschiedlichen Positionen des
Substrates aufgebracht wurden, dargestellt. Die sehr hohe
Vergleichbarkeit der Schnitte verdeutlicht die Homogenität des
Prozesses bzw. dessen Reproduzierbarkeit.
Die Erfindung stellt damit Standards und Prüfnormale für
Oberflächentopographie in der Wafer-, CD-, Disk-, Glas- und
optischen Industrie zur Verfügung. Die Standards können neben
der Nanoptopgraphie auch in der Geometriemessung eingesetzt
werden.
Claims (18)
1. Standard zum Kalibrieren und Überprüfen eines
Nanotopographie-Geräts, umfassend ein Substrat und mindestens
eine auf dem Substrat abgeschiedene Struktur mit einer
lateralen Ausdehnung von 0,5 bis 20 mm und einer vertikalen
Ausdehnung von 5 bis 500 nm, die von Flanken begrenzt ist, die
eine Steigung von höchstens 1.10-3 aufweisen.
2. Standard nach Anspruch 1, wobei das Substrat aus einem
Material besteht, das ausgewählt ist aus einer Gruppe von
Stoffen, die Silicium, Galliumarsenid, Glas, Siliciumcarbid und
Siliciumdioxid umfaßt.
3. Standard nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Struktur
aus einem Material besteht, das ausgewählt ist aus einer Gruppe
von Stoffen, die Silicium, Galliumarsenid, Germanium,
Kohlenstoff, Aluminium, Kupfer, Gold, Silber, Siliciumdioxid,
Siliciumnidrid, Wolframsilicid und Mischungen der genannten
Stoffe umfaßt.
4. Standard nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die
Struktur eine Erhebung in einer ebenen Umgebung ist.
5. Standard nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die
Struktur eine Vertiefung in einer ebenen Umgebung ist.
6. Standard nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die
Struktur eine symmetrische Form aufweist.
7. Standard nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die
Struktur eine asymmetrische Form aufweist.
8. Verfahren zur Herstellung eines Standards zum Kalibrieren
und Überprüfen eines Nanotopographie-Geräts durch Abscheiden
mindestens einer Struktur auf einem Substrat, die eine laterale
Ausdehnung von 0,5 bis 20 mm und eine vertikale Ausdehnung von
5 bis 500 nm besitzt und von Flanken begrenzt ist, die eine
Steigung von höchstens 1.10-3 aufweisen, wobei Material mit
einer inhomogenen Abscheiderate auf dem Substrat abgeschieden
wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die inhomogene
Abscheiderate durch eine lokale Variation mindestens eines
Parameters erreicht wird, der aus einer Gruppe ausgewählt ist,
der die Temperatur, den Gasdruck, den Gasfluß, die Gasart, die
Gaskonzentration, die elektrische Spannung und die Stärke von
elektrischen und magnetischen Feldern umfaßt.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder Anspruch 9, wobei eine
Abscheidemethode eingesetzt wird, die aus einer Gruppe
ausgewählt ist, die CVD (chemical vapour deposition),
elektrolytische Abscheidung, Plasmabeschichtung, Aufdampfen und
Epitaxie umfaßt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei die
Struktur epitaktisch abgeschieden wird, und das Substrat über
einem Suszeptor angeordnet ist, der in einem Oberflächenbereich
lokal unterschiedlich bearbeitet worden ist.
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Suszeptor im
Oberflächenbereich lokal mit einer Vertiefung versehen worden
ist.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Vertiefung mit einem
substratfremden Material gefüllt worden ist.
14. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Substrat im
Oberflächenbereich lokal mit einer Erhebung versehen worden
ist.
15. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Suszeptor im
Oberflächenbereich lokal unterschiedlich poliert worden ist.
16. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Suszeptor im
Oberflächenbereich lokal unterschiedlich aufgerauht worden ist.
17. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Suszeptor im
Oberflächenbereich lokal unterschiedlich verspiegelt worden
ist.
18. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Suszeptor im
Oberflächenbereich lokal unterschiedlich geschwärzt worden ist.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10022991 | 2000-05-11 | ||
DE10044162A DE10044162C2 (de) | 2000-05-11 | 2000-09-07 | Standard für ein Nanotopographie-Gerät und Verfahren zur Herstellung des Standards |
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DE10044162C2 true DE10044162C2 (de) | 2002-12-05 |
Family
ID=7641592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10044162A Expired - Fee Related DE10044162C2 (de) | 2000-05-11 | 2000-09-07 | Standard für ein Nanotopographie-Gerät und Verfahren zur Herstellung des Standards |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20010104659A (de) |
DE (1) | DE10044162C2 (de) |
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