DE10036690A1 - Doppelseiten-Polierverfahren - Google Patents
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title claims abstract description 66
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 37
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000669 Chrome steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000024780 Urticaria Diseases 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Gegenstand der Erfindung ist ein Doppelseiten-Polierverfahren, bei dem Halbleiterscheiben mit einer bestimmten Dicke zwischen zwei sich drehenden Poliertellern in Aussparungen von Läuferscheiben geführt werden. Es werden mindestens 12 Halbleiterscheiben mit einer mittleren Eingangsdicke bei einem Materialabtrag von maximal 45 mum gleichzeitgig poliert, wobei der Unterschied in der mittleren Eingangsdicke der Halbleiterscheiben gleich oder weniger als 4 mum beträgt.
Description
Die Erfindung betrifft ein Doppelseiten-Polierverfahren für
Halbleiterscheiben, die insbesondere in der Industrie zur
Herstellung mikroelektronischer Bauelemente Verwendung finden.
Eine Halbleiterscheibe für die Verwendung in der Halbleiter
industrie muss eine hohe Ebenheit aufweisen, insbesondere um
den Anforderungen von Belichtungs- und CMP-Prozessen (cmp
bedeutet chemical mechanical polishing) zur Herstellung
integrierter Schaltkreise Rechnung zu tragen. Die vielfach
spezifizierte lokale Ebenheit in allen Teilbereichen einer
Halbleiterscheibe wird dabei meist durch das Ebenheitsmaß SFQR
angegeben, das den Bereich der größten Abweichung von einer
lageoptimierten Referenzebene einer Bauelementefläche
beinhaltet; die Größe SFQRmax gibt den höchsten SFQR-Wert für
alle Bauelementeflächen auf einer bestimmten Scheibe an. Eine
allgemein anerkannte Faustregel besagt, dass der SFQRmax-Wert
einer Scheibe gleich oder kleiner der auf dieser Scheibe mög
lichen Linienbreite von darauf herzustellenden Halbleiterbau
elementen sein muss.
Die endgültige Ebenheit einer Halbleiterscheibe wird durch
einen Polierprozess erzeugt. Konventionelle Einseiten-Polier
verfahren genügen nicht mehr den verschärften Anforderungen in
Bezug auf die Geometrie der Halbleiterscheiben. Aus diesem
Grunde wurden Apparate und Verfahren zum gleichzeitigen
Polieren von Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe nach
dem so genannten Doppelseiten-Polierverfahren bereitgestellt
und weiterentwickelt, die heutzutage insbesondere zur techni
schen Fertigung von Halbleiterscheiben mit Durchmessern von 200 mm
und 300 mm zunehmend Verbreitung finden. Die Halbleiter
scheiben werden dabei in Läuferscheiben aus Metall oder Kunst
stoff, die über geeignet dimensionierte Aussparungen verfügen,
auf einer durch die Maschinen- und Prozessparameter vorbestimm
ten Bahn zwischen zwei rotierenden, mit einem Poliertuch beleg
ten Poliertellern in Gegenwart eines Kieselsols bewegt und da
durch unter Erzeugung einer hohen Planparallelität poliert.
Ein Doppelseiten-Polierverfahren zur Erzielung verbesserter
Ebenheiten ist in der deutschen Patentanmeldung mit dem Akten
zeichen DE 199 05 737.0 beschrieben, das sich dadurch auszeich
net, dass die Dicke der fertig polierten Halbleiterscheiben
nach einem bevorzugten Materialabtrag von 10 bis 60 µm um be
vorzugt um 2 bis 20 µm größer ist als die Dicke der eingesetz
ten Läuferscheiben. Bei typischen Polierabträgen von 40 bis 50 µm
konnten nach diesem Verfahren 200-mm- und 300-mm-Silici
umscheiben mit SFQRmax-Werten in der Größenordnung von 0,10 µm
hergestellt werden. Allerdings hat sich bei der Anwendung des
angegebenen Verfahrens in der großtechnischen Herstellung von
Siliciumscheiben gezeigt, dass neben dem Auftreten der genannt
niedrigen SFQRmax-Werte immer wieder auch Scheiben mit
signifikant schlechteren lokalen Geometriedaten, beispielsweise
SFQRmax-Werte in der Größenordnung von 0,15 µm, auftreten, die
für Halbleiter-Bauelementeprozesse mit Linienbreiten von 0,13 µm
nicht eingesetzt werden können.
Es war daher die Aufgabe gestellt, ein Verfahren zur Doppelsei
tenpolitur von Halbleiterscheiben bereitzustellen, welches
durch Vermeidung des geschilderten Nachteils zu erhöhten Aus
beuten an Scheiben mit hoher lokaler Ebenheit führt.
Gegenstand der Erfindung ist ein Doppelseiten-Polierverfahren,
bei dem Halbleiterscheiben mit einer bestimmten Dicke zwischen
zwei sich drehenden Poliertellern in Aussparungen von Läufer
scheiben geführt werden, das dadurch gekennzeichnet ist, dass
mindestens 12 Halbleiterscheiben mit einer mittleren
Eingangssdicke bei einem Materialabtrag von maximal 45 µm
gleichzeitig poliert werden, wobei der Unterschied in der
mittleren Eingangssdicke der Halbleiterscheiben gleich oder
weniger als 4 µm beträgt.
Ausgangsprodukt des Verfahrens sind durch Aufsägen eines Halb
leiterkristalls hergestellte Halbleiterscheiben mit verrundeten
Kanten, die einem oder mehreren der Prozessschritte Läppen,
Schleifen, Ätzen und Polieren unterzogen wurden. Endprodukt des
Verfahrens sind doppelseitenpolierte Halbleiterscheiben mit
hohen lokalen Ebenheiten, die auf Grund hoher Ausbeuten im
großtechnischem Maßstab den nach dem Stand der Technik her
gestellten Halbleiterscheiben bezüglich ihrer Herstellkosten
überlegen sind.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann prinzipiell zur Herstellung
eines scheibenförmigen Körpers eingesetzt werden, der aus einem
Material besteht, welches mit dem eingesetzten chemo-mechani
schen Doppelseiten-Polierverfahren bearbeitet werden kann. Der
artige Materialien sind zum Beispiel Silicium, Silicium/Germa
nium, Siliciumdioxid, Siliciumnitrid und Galliumarsenid. Die
Verwendung einkristalliner Siliciumscheiben ist besonders be
vorzugt und Gegenstand der nachfolgenden Beschreibung.
Die durch Aufsägen eines Silicium-Einkristalls und Verrunden
der Kanten erzeugten Siliciumscheiben können vor der Durchfüh
rung des erfindungsgemäßen Doppelseiten-Polierverfahrens ver
schiedenen abtragenden Prozessschritten unterzogen werden,
deren Ziel die Verbesserung der Scheibengeometrie und die Ent
fernung von gestörten Oberflächenschichten und Verschmutzung
ist. Geeignete Verfahren sind Läppen, Schleifen und Ätzen. Auch
Scheiben mit polierten Oberflächen können dem erfindungsgemäßen
Verfahren unterzogen werden.
Die angelieferten Siliciumscheiben zeichnen sich durch eine
durch die Vorprozesse bedingte Dickenstreuung aus. Diese Di
ckenstreuung, die beispielsweise durch eine Geometriemessung
oder durch Anwendung eines mechanischen oder nach einem opti
schen Messprinzip arbeitenden Tasters quantifizierbar ist, kann
beispielsweise die Streuung der Dicken-Mittelwerte, der Zent
rumsdicken oder der Minimum/Maximum-Werte betreffen. Bei Aus
führung der Erfindung können alle der genannten Arten von Mit
telwerten dann Verwendung finden, wenn die Dickenunterschiede
innerhalb einer Scheibe vor der Politur einen gewissen Wert,
beispielsweise 3 µm, nicht überschreiten. Ansonsten ist es
sinnvoll, die Dicken-Mittelwerte zur erfindungsgemäßen Begren
zung der Dickenstreuung innerhalb einer Polierfahrt zu verwen
den.
Erfindungsgemäß müssen zur Erzeugung hoher Ebenheiten bei der
Doppelseitenpolitur drei wesentliche Bedingungen erfüllt sein:
(1) Der zulässige Materialabtrag bei der Politur beträgt maximal 45 µm. Ein Materialabtrag zwischen 5 und 40 µm ist bevorzugt. (2) Die Anzahl der gleichzeitig polierten Siliciumscheiben beträgt mindestens 12. Eine Ausführung des Verfahrens unter gleichzeitiger Politur von 15 bis 30 Scheiben ist bevorzugt. (3) Die Streuung der Dickenwerte der zur Doppel seitenpolitur angelieferten Scheiben beträgt für die mindestens 12 gleichzeitig zu polierenden Scheiben maximal 4 µm (ent spricht ±2 µm, bezogen auf den Mittelwert dieser für eine Po lierfahrt eingesetzten Scheibengruppe). Eine maximale Streuung von 2 µm (entspricht ±1 µm) ist dabei besonders bevorzugt.
(1) Der zulässige Materialabtrag bei der Politur beträgt maximal 45 µm. Ein Materialabtrag zwischen 5 und 40 µm ist bevorzugt. (2) Die Anzahl der gleichzeitig polierten Siliciumscheiben beträgt mindestens 12. Eine Ausführung des Verfahrens unter gleichzeitiger Politur von 15 bis 30 Scheiben ist bevorzugt. (3) Die Streuung der Dickenwerte der zur Doppel seitenpolitur angelieferten Scheiben beträgt für die mindestens 12 gleichzeitig zu polierenden Scheiben maximal 4 µm (ent spricht ±2 µm, bezogen auf den Mittelwert dieser für eine Po lierfahrt eingesetzten Scheibengruppe). Eine maximale Streuung von 2 µm (entspricht ±1 µm) ist dabei besonders bevorzugt.
Die Begrenzung der Streuung der Scheibendicken vor der Politur
kann dabei prinzipiell auf zwei verschiedene Arten realisiert
werden. Zum einen kann die Prozessführung zur Herstellung des
Vorproduktes so gewählt werden, dass die zur Politur angelie
ferten Scheiben innerhalb der Streubreite liegen. Prozessabfol
ge und Materialabträge können dabei individuell auf die gefor
derte Dickenstreuung abgestimmt werden. Zum anderen besteht die
Möglichkeit, die angelieferten Scheiben gemäß ihrer Dicke zu
sortieren und Polierfahrten zusammenzustellen, die aus Scheiben
bestehen, die innerhalb der geforderten Streubreite liegen.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Polierschrittes kann
eine handelsübliche Doppelseitenpoliermaschine geeigneter Größe
verwendet werden. Die Poliermaschine besteht im Wesentlichen
aus einem frei horizontal drehbaren unteren Polierteller und
einem frei horizontal drehbaren oberen Polierteller, die beide
mit jeweils einem Poliertuch bedeckt sind, und erlaubt unter
kontinuierlicher Zuführung eines alkalischen Poliermittels das
beidseitige abtragende Polieren von Siliciumscheiben. Die Sili
ciumscheiben werden dabei durch Läuferscheiben, die über aus
reichend dimensionierte Aussparungen zur Aufnahme der Silici
umscheiben verfügen, während des Polierens auf einer durch
Maschinen- und Prozessparameter bestimmten geometrischen Bahn
gehalten.
Die Läuferscheiben sind beispielsweise mit einer Triebstock-
Stiftverzahnung oder einer Evolventenverzahnung mit der Polier
maschine über einen sich drehenden inneren und einen sich in
der Regel gegenläufig drehenden äußeren Stift- oder Zahnkranz
in Kontakt und werden dadurch in eine rotierende Bewegung zwi
schen den beiden Poliertellern versetzt. Besonders bevorzugt
ist der gleichzeitige Einsatz von vier bis sechs ebenen Läu
ferscheiben aus rostfreiem Chromstahl gemäß der deutschen
Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen 100 23 002.4, die mit
jeweils mindestens drei Siliciumscheiben belegt sind, deren
Kanten durch Polymerauskleidungen in den Aussparungen geschützt
sind. Beispielsweise ist es im Rahmen der Erfindung möglich, 30
Siliciumscheiben des Durchmessers 200 mm (verteilt auf 5 Läu
ferscheiben mit je 6 Siliciumscheiben) oder 15 Siliciumscheiben
des Durchmessers 300 mm (verteilt auf 5 Läuferscheiben mit je 3
Siliciumscheiben) auf einer handelsüblichen Polieranlage geeig
neter Größe gleichzeitig zu polieren. Die Enddicke der polier
ten Scheiben ist bevorzugt zwischen 2 und 20 µm größer, als die
Läuferscheibendicke, um eine Verschlechterung der lokalen
Geometriewerte im Randbereich der Siliciumscheiben zu verhin
dern.
Der bevorzugte Durchmesser der zu polierenden Siliciumscheiben
liegt zwischen 150 und 300 mm. Im Rahmen der heutigen Spezifi
kationen seitens der Bauelementehersteller betrifft dies die
Durchmesser 150 mm, 200 mm und 300 mm. Jedoch sind auch Zwi
schengrößen sowie geringfügig höhere oder niedrigere Durch
messer möglich. Bei deutlich geringeren Durchmessern wäre die
gleichzeitig zu polierende Stückzahl in der Regel zu hoch, um
einen zügigen Be- und Entladevorgang zu erlauben; bei größeren
Durchmessern, beispielsweise 400 mm oder 450 mm, kann der er
findungsgemäße Prozess prinzipiell ausgeführt werden, jedoch
führt die Forderung nach mindestens 12 gleichzeitig zu polie
renden Scheiben zu bisher nicht realisierbaren Poliermaschinen
dimensionen.
Im Rahmen der gemachten Ausführungen wird der Doppelseiten-Po
lierschritt in der dem Fachmann bekannten Art und Weise durch
geführt. Bevorzugt wird mit einem handelsüblichen Polyurethan-
Poliertuch einer Härte zwischen 60 und 90 (Shore A) poliert,
das über eingearbeitete Polyesterfasern verfügen kann. Im Falle
der Politur von Siliciumscheiben empfiehlt sich die kontinuier
liche Zuführung eines Poliermittels mit einem durch Alkalizu
sätze eingestellten pH-Wert von 9 bis 12 aus 1 bis 10 Gew.-%
SiO2 in Wasser.
Die Siliciumscheiben werden nach Beendigung der Politur gegebe
nenfalls von anhaftendem Poliermittel gereinigt und getrocknet
und können anschließend auf einem handelsüblichen, beispiels
weise kapazitiv oder optisch arbeitenden Geometriemessgerät
hinsichtlich ihrer lokalen Geometrie SFQR vermessen werden. Ab
hängig von ihrer weiteren Bestimmung kann es notwendig sein,
die Scheibenvorderseite einer Endpolitur nach dem Stand der
Technik zu unterziehen, beispielsweise mit einem weichen Po
liertuch unter Zuhilfenahme eines alkalischen Poliersols auf
SiO2-Hasis; zum Erhalt der im erfindungsgemäßen Polierschritt
erzeugten sehr niedrigen und gleichmäßig verteilten lokalen
Geometriewerte sollte der Siliciumabtrag von der Scheibe dabei
relativ niedrig sein und beispielsweise zwischen 0,1 µm und 0,7 µm
liegen.
Der erfindungsgemäße Doppelseiten-Polierprozess ermöglicht die
Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium, welche die An
forderungen für die Herstellung von Halbleiterbauelementen mit
Linienbreiten gleich oder kleiner 0,13 µm erfüllen. Überra
schend und nicht zu erwarten ist, dass eine Begrenzung der zu
lässigen Streuung der Eingangsdickenwerte gleichzeitig polier
ter Siliciumscheiben die Ausbeute an derartigen Scheiben im
Rahmen einer großtechnischen Fertigung steigert.
Für dieses Beispiel standen Siliciumscheiben, die kantenverrun
det, geschliffen und sauer geätzt waren, mit einem Durchmesser
von 200±0,1 mm im Produktionsmaßstab zur Verfügung. Die mittle
re Dicke betrug 750 µm bei einer zulässigen Dickenschwankung
von ±4 µm innerhalb von vorsortierten Gruppen zu je 30 Scheiben
für jeweils eine Polierfahrt. Außerdem waren fünf Läuferschei
ben aus rostfreiem Chromstahl mit einer mittleren Dicke von
720±2 µm vorhanden, die über jeweils sechs kreisförmige, in
gleichen Abständen auf einer Kreisbahn angeordnete, mit Polymer
ausgekleidete Aussparungen vom Innendurchmesser 200,5 mm verfüg
ten und die gleichzeitige Politur von 30 Siliciumscheiben auf
einer Doppelseiten-Poliermaschine des Typs AC2000 von Fa. Peter
Wolters ermöglichten.
Der Doppelseitenpolierschritt wird mit einem Poliertuch SUBA500
von Fa. Rodel, welches jeweils auf dem oberen und dem unteren
Polierteller aufgeklebt ist, unter Verwendung eines durch K2CO3-
und KOH-Zugaben auf einen pH-Wert von 11,2 eingestellten Po
liermittels mit einem SiO2-Feststoffgehalt von 3 Gew.-% bei
einer Abtragsrate von 0,7 µm/min durchgeführt. Die Silicium
scheiben werden nach Beendigung der Politur gereinigt, ge
trocknet und hinsichtlich ihrer lokalen Geometrie charakteri
siert. Insgesamt wurden 900 Siliciumscheiben bei einem mittle
ren Abtrag von 25 µm poliert. Für das lokale Ebenheitsmaß
SFQRmax ergab sich bei Bauelementeflächen von 25 mm × 25 mm für
diese Gruppe von Scheiben die Verteilung 0,12±0,04 µm.
Es wurden 200-mm-Siliciumscheiben poliert wie in Vergleichsbei
spiel 1 beschrieben mit dem Unterschied, dass die Dickenschwan
kung der zur Doppelseitenpolitur angelieferten
Gruppen von je 30 Scheiben durch Vorsortieren auf ±1 µm
reduziert wurde. Unter diesen Voraussetzungen wurden 1500
Siliciumscheiben bei einem mittleren Abtrag von 25 µm poliert.
Für das lokale Ebenheitsmaß SFQmax ergab sich für diese Gruppe
von Scheiben ein signifikant besserer Wert von 0,08±0,02 µm.
Es wird vorgegangen wie in Vergleichsbeispiel 1 beschrieben mit
folgenden Unterschieden: Der Durchmesser der zu polierenden
Siliciumscheiben betrug 300±0,1 µm, ihre mittlere Dicke 805 µm
bei einer zulässigen Abweichung innerhalb von Gruppen zu je 15
Scheiben von ±3 µm. Die Läuferscheiben besaßen eine Dicke von
770±2 µm und verfügten über jeweils drei kreisförmige, in glei
chen Abständen auf einer Kreisbahn angeordnete Aussparungen vom
Innendurchmesser 301 mm und ermöglichten die gleichzeitige Po
litur von 15 300-mm-Siliciumscheiben auf der AC2000-Anlage. Es
wurden 750 Siliciumscheiben bei einem mittleren Abtrag von 30
µm poliert. Für das lokale Ebenheitsmaß SFQRmax ergab sich für
diese Gruppe von Scheiben 0,13±0,04 µm.
Es wurden 300-mm-Siliciumscheiben poliert wie in Vergleichsbei
spiel 2 beschrieben mit dem Unterschied, dass die Dickenschwan
kung der zur Doppelseitenpolitur angelieferten Gruppen von je
15 Scheiben durch Vorsortieren auf ±1 µm reduziert wurde. Unter
diesen Voraussetzungen wurden 1800 Siliciumscheiben bei einem
mittleren Abtrag von 30 µm poliert. Für das lokale Ebenheitsmaß
SFQRmax ergab sich für diese Gruppe von Scheiben ein signifikant
besserer Wert von 0,09±0,02 µm.
Es wird vorgegangen wie in Beispiel 2 beschrieben mit folgendem
gravierenden Unterschied: Es wurde eine kleinere Doppelseiten-
Poliermaschine des Typs AC1500 von Fa. Peter Wolters einge
setzt, auf welcher durch Verwendung von fünf Läuferscheiben für
jeweils nur eine in deren Zentren positionierte 300-mm-Silici
umscheibe lediglich 5 Siliciumscheiben pro Polierfahrt bearbei
tet werden können. Trotz auf ebenfalls ±1 µm begrenzter Dicken
schwankung der gleichzeitig polierten Siliciumscheiben wurde
der Versuch nach der Politur von insgesamt 50 Scheiben abgebro
chen, da sich für die lokalen Ebenheiten SFQRmax größtenteils
nicht spezifikationsgerechte Werte von 0,17±0,06 µm ergaben.
Claims (5)
1. Doppelseiten-Polierverfahren, bei dem Halbleiterscheiben
mit einer bestimmten Dicke zwischen zwei sich drehenden
Poliertellern in Aussparungen von Läuferscheiben geführt
werden, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens 12 Halbleiter
scheiben mit einer mittleren Eingangssdicke bei einem
Materialabtrag von maximal 45 µm gleichzeitig poliert werden,
wobei der Unterschied in der mittleren Eingangssdicke der Halb
leiterscheiben gleich oder weniger als 4 µm beträgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
Unterschied in der mittleren Eingangssdicke gleich oder weniger
als 2 µm beträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
dass eine Enddicke der Halbleiterscheibe nach dem Polieren um 2
bis 20 µm größer ist als eine Läuferscheibendicke.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, dass während des Polierens kontinuierlich ein
alkalisches Poliermittel zugeführt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, dass die zu polierenden Halbleiterscheiben im Wesent
lichen aus Silicium bestehen und Durchmesser zwischen 150 mm
und 300 mm besitzen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000136690 DE10036690A1 (de) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | Doppelseiten-Polierverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000136690 DE10036690A1 (de) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | Doppelseiten-Polierverfahren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10036690A1 true DE10036690A1 (de) | 2002-01-31 |
Family
ID=7650456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000136690 Ceased DE10036690A1 (de) | 2000-07-27 | 2000-07-27 | Doppelseiten-Polierverfahren |
Country Status (1)
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---|---|
DE (1) | DE10036690A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10143741A1 (de) * | 2001-09-06 | 2003-03-27 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Beschichtete Siliciumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4318870A (en) * | 1978-11-22 | 1982-03-09 | Haselden Geoffrey G | Distillation plate |
US5422316A (en) * | 1994-03-18 | 1995-06-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer polisher and method |
EP0887152A2 (de) * | 1997-06-25 | 1998-12-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Trägervorrichtung für Doppelseitenpoliermaschine |
US5942445A (en) * | 1996-03-25 | 1999-08-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafers |
DE19823904A1 (de) * | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Hochebene Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben |
US6080042A (en) * | 1997-10-31 | 2000-06-27 | Virginia Semiconductor, Inc. | Flatness and throughput of single side polishing of wafers |
-
2000
- 2000-07-27 DE DE2000136690 patent/DE10036690A1/de not_active Ceased
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4318870A (en) * | 1978-11-22 | 1982-03-09 | Haselden Geoffrey G | Distillation plate |
US5422316A (en) * | 1994-03-18 | 1995-06-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer polisher and method |
US5942445A (en) * | 1996-03-25 | 1999-08-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafers |
EP0887152A2 (de) * | 1997-06-25 | 1998-12-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Trägervorrichtung für Doppelseitenpoliermaschine |
US6080042A (en) * | 1997-10-31 | 2000-06-27 | Virginia Semiconductor, Inc. | Flatness and throughput of single side polishing of wafers |
DE19823904A1 (de) * | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Hochebene Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10143741A1 (de) * | 2001-09-06 | 2003-03-27 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Beschichtete Siliciumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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