DE10020932C1 - Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents
Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselbenInfo
- Publication number
- DE10020932C1 DE10020932C1 DE10020932A DE10020932A DE10020932C1 DE 10020932 C1 DE10020932 C1 DE 10020932C1 DE 10020932 A DE10020932 A DE 10020932A DE 10020932 A DE10020932 A DE 10020932A DE 10020932 C1 DE10020932 C1 DE 10020932C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- resistance layer
- substrate
- temperature sensor
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
- G01K7/183—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer characterised by the use of the resistive element
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
Ein Temperaturmeßfühler, bestehend aus einem Substrat, einer Widerstandsschicht, einer Oxidschicht und einer Schutzschicht wird hergestellt, indem die strukturierte Widerstandsschicht auf einer Oberfläche des Substrats gebildet wird, die gebildete Widerstandsschicht oxidiert wird, und anschließend die Schutzschicht auf zumindest einem Teil der Widerstandsschicht aufgebracht wird.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Tempe
raturmeßfühler und auf ein Verfahren zur Herstellung des
selben.
Temperaturmeßfühler werden seit vielen Jahren in der Dünn
schichttechnik in unterschiedlichen Ausführungsformen her
gestellt und für präzise Temperaturmeßaufgaben verwendet.
Ein bekannter Temperaturmeßfühler umfaßt ein Al2O3-Keramik
substrat, auf dem ein Platinfilm mit einer Dicke von ca. 1 µm
aufgebracht ist. Dieser Platinfilm ist so strukturiert, um
eine Widerstandsbahn mit einem Widerstandswert von etwa 100 Ω
zu haben. Zum Schutz der Platinwiderstandsbahn ist diese mit
einer geeigneten Schutzschicht überzogen. An zwei Kontakt
flächen sind Anschlußdrähte angeschweißt. Um eine mecha
nische Belastung der Anschlußdrähte zu gewährleisten, wird
eine Fixierungsglasur aufgebracht, um die Anschlußdrähte zu
sätzlich mechanisch zu fixieren. Die Fixierungsglasur wird
bei Temperaturen von ca. 800°C eingebrannt (die Glasur muß
schmelzen), um eine Einsatztemperatur von bis zu 600°C zu
gewähren (die Glasur darf sich bei diesem Temperaturbereich
nicht erweichen).
Im Stand der Technik sind Widerstands-Temperaturfühler mit
normierter Kennlinie bekannt, und die oben beschriebenen
Platintemperaturfühler nach DIN EN 60751 sind am weitesten
verbreitet. Insbesondere die oben beschriebene kostengüns
tige Dünnschichtausführung hat die anderen Metall-Fühlerarten,
z. B. Temperaturfühler mit Widerstandsschichten aus
Nickel, Nickellegierungen, Kupfer, Molybdän, Iridium, usw.
weit in den Hintergrund gedrängt. Neben den technischen Vor
teilen der Platin-Fühler, wie z. B. die hervorragende Lang
zeitstabilität, die sehr gute chemische Beständigkeit, die
engen Toleranzen, der weite Temperaturbereich von bis zu
600°C bzw. sogar schon bis zu 1000°C, sind diese Dünn
schichttypen inzwischen auch preislich günstiger als die
Temperaturmeßfühler, die unedle Metalle verwenden.
Dennoch besteht weiterhin eine Nachfrage z. B. nach Nickel-
Fühlern, da in einigen Anwendungen die früher ebenfalls nor
mierte Nickelkennlinie (DIN 43760) "eingebürgert" ist, und
trotz der heutigen elektronischen Möglichkeiten weiterhin
Fühler mit der Nickelkennlinie erforderlich sind.
Die auf dem Markt erhältlichen Nickelfühler sind praktisch
alle, ob drahtgewickelt oder in Dünnschicht ausgeführt, auf
Temperaturen unter 250°C, meist sogar deutlich unter 200°C
eingeschränkt.
Ein Nickel-Dünnschichttemperaturfühler ist üblicherweise
ähnlich aufgebaut wie der oben beschriebene Platinfühler.
Auf einem keramischen Trägersubstrat wird ein Metallfilm aus
Nickel in Dünnschicht entweder durch Sputtern, Aufdampfen
oder ähnliches aufgebracht. Dieser Metallfilm wird dann
durch ein geeignetes Verfahren fotochemisch strukturiert,
Widerstandsbahnen werden freigeätzt, und diese werden dann
mittels Laserablation oder ähnlichen Verfahren auf den ge
wünschten Sollwiderstand abgeglichen.
Im Gegensatz zu Platinfühlern besteht die auf die Wider
standsschicht aufgebrachte Schutzschicht für den Metall
film-Widerstand nicht aus Glas, sondern aus einer Schutz
lackschicht, die beispielsweise aus Silicon oder ähnlichem
besteht. Eine im Siebdruckverfahren aufgebrachte Glasab
deckung, wie sie bei Platintemperaturmeßfühlern üblich ist,
bereitet im Fall von Nickel Probleme, da beim Einbrennvor
gang das Nickel mit dem Glas chemisch reagieren würde, was
sich durch eine Bläschenbildung im Glas (Porosität) und
durch eine Veränderung der eingestellten Widerstandswerte
äußern würde.
Ferner sind die Anschlußdrähte meist entweder gelötet oder
geschweißt und mittels Epoxymasse an den Kontaktflächen fi
xiert. Eine Fixierung mittels Glasur, wie es bei Platinfüh
lern üblich ist, ist hier nicht möglich, da der herkömmli
cherweise verwendete Abdeckschutzlack die hohe Einbrenntem
peratur, welche sehr weit über 400°C liegt, nicht aushält.
Durch diese Gegebenheiten ist die obere Einsatztemperatur
auf die oben genannten Werte von 200°C begrenzt.
Die DE 198 30 821 A1 beschreibt ein Temperatursensorelement
mit einem isolierenden Substrat, einem Widerstandsmetall
film, Anschlußelektroden und Anschlußzuleitungen. Die An
schlußzuleitungen sind mit den Anschlußelektroden verbunden
und sind mittels einer Fixierung an dem Substrat mechanisch
befestigt.
Die DE 25 38 966 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung
elektrischer Temperaturfühler, bei dem auf ein dielektri
sches Substrat eine elektrisch leitende Metalloxidschicht
und auf diese eine weitere Metallschicht aufgebracht wird.
Das Substrat umfaßt Anschlüsse und eine dielektrische
Schutzschicht, über die die Anschlüsse hinausreichen.
In der Zeitschrift Measurement Techniques, Vol. 39, Nr. 7,
1996, Seiten 738 bis 742 wird die Auswirkung einer Oxidation
von Platin auf die Charakteristika eines Standardplatin
widerstandsthermometers beschrieben.
Die DE 199 32 411 A1 beschreibt einen Temperatursensor, der
einen Keramikträger aufweist, auf dem eine Widerstands
schicht aufgebracht ist. Die äußere Oberfläche der Wider
standsschicht ist durch eine Diffusionsbarriere abgedeckt,
die durch eine Oxidschicht gebildet ist.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegen
den Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Her
stellung eines Temperaturmeßfühlers und einen Temperaturmeß
fühler zu bilden, dessen Widerstandsschicht durch unedle Me
talle gebildet ist, und der einen Einsatzbereich über einen
weiten Bereich von Temperaturen aufweist.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 so
wie durch einen Temperaturmeßfühler gemäß Anspruch 6 gelöst.
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstel
lung eines Temperaturmeßfühlers, bei dem zunächst eine
strukturierte Widerstandsschicht, vorzugsweise aus einem
unedlen Metall, auf einer Oberfläche eines Substrats gebil
det wird, die so gebildete Widerstandsschicht oxidiert wird
und abschließend eine Schutzschicht aufgebracht wird, die
die Widerstandsschicht zumindest teilweise bedeckt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Temperaturmeßfüh
ler geschaffen, der ein Substrat, eine Widerstandsschicht,
vorzugsweise aus einem unedlen Metall, die auf dem Substrat
gebildet ist, wobei die Widerstandsschicht an der dem Sub
strat abgewandten Oberfläche oxidiert ist, und
eine Schutzschicht aufweist, die die oxidierte Oberfläche
der Widerstandsschicht bedeckt.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung besteht die Widerstandsschicht aus Nickel oder
einer Nickellegierung.
Bevorzugterweise handelt es sich bei der auf die Wider
standsschicht aufgebrachte Schutzschicht um eine Glasab
deckung.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß
die erfindungsgemäß Anordnung und die Verwendung der Glasab
deckung des unedlen Films, wie z. B. des Nickelfilms sowie
die Glasfixierung der Anschlußdrähte auch im herkömmlichen
Einsatzbereich von 200°C wesentliche qualitative Vorteile
bieten, z. B. einen besseren Schutz gegen Feuchte durch die
Glasabdeckung bzw. eine bessere Temperaturwechselbeständig
keit der Glasfixierung aufgrund des angepaßten thermischen
Ausdehnungskoeffizienten des Glases mit der Keramik.
Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß durch die erfin
dungsgemäße Anordnung der Einsatzbereich der Temperaturmeß
fühleranordnung, z. B. für Nickelfühler, nach oben bis über
300°C ausgedehnt werden kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde,
daß die zum Schutz der Widerstandsschicht aufgebrachte Gla
surschicht mit der Oxidschicht beim Schmelzen nicht rea
giert, so daß die im Stand der Technik auftretenden Probleme
sicher vermieden werden. Hierdurch wird vermieden, daß sich
an der Schnittstelle zwischen der Widerstandsschicht und der
Glasur Inhomogenitäten, z. B. in Form von Bläschen, bilden,
wodurch sich trotz der kostengünstigen Materialien eine si
chere Aufbringung der Schutzschicht einstellt.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Anmeldung
werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsichtdarstellung einer erfindungsgemäßen
Temperaturmeßfühleranordnung; und
Fig. 2 eine Querschnittdarstellung der in Fig. 1 gezeigten
Anordnung.
Fig. 1 zeigt einen Temperaturmeßfühler 100, der ein Sub
strat 102 umfaßt, auf dem eine strukturierte Widerstands
schicht 104 angeordnet ist. Die Widerstandsschicht 104 um
faßt ferner einen ersten Anschlußbereich 106a und einen
zweiten Anschlußbereich 106b. Die Anschlußdrähte 108a und
108b sind mit den Anschlußbereichen bzw. Kontaktstellen
106a, 106b verbunden.
Fig. 2 zeigt eine Querschnittdarstellung des Temperaturmeß
fühlers 100 aus Fig. 1. Gleiche Elemente sind mit den glei
chen Bezugszeichen versehen. Wie zu erkennen ist, ist auf
der Widerstandsschicht 104 eine Oxidschicht 110 angeordnet,
die sich teilweise über die Widerstandsschicht erstreckt.
Der Bereich, in dem eine Befestigung des Anschlußdrahtes
108a erfolgt, ist nicht mit der Oxidschicht bedeckt. Die
Widerstandsschicht 104 wird durch eine Glasurschicht 112
bedeckt. Der Anschlußdraht 108a wird zusätzlich zu seiner
Befestigung an der Kontaktstelle 106a mit einer Fixierungs
glasur 114 mechanisch an dem Element befestigt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung muß die blankliegende
Widerstandsschicht 104, die beispielsweise ein Nickelfilm
ist, geschützt werden, so daß der Nickelfilm mit der auf
zubringenden Glasurschicht 112 während des Einbrennvorganges
chemisch nicht reagiert. Vor dem Einbrennvorgang wird die
Glasurschicht 112 z. B. mittels Siebdruck aufgebracht. Der
gerade erwähnte Schutz wird dadurch erreicht, daß die Ober
fläche des Nickelfilms oxidiert wird, d. h. der Nickelfilm
erhält an der Oberfläche eine dichte Nickeloxidschicht
(NiO). Dies kann z. B. dadurch erreicht werden, daß die auf
dem Substrat 102 aufgebrachte Widerstandsschicht 104 in
sauerstoffhaltiger Atmosphäre für eine bestimmte Zeitdauer
bei einer höheren Temperatur, z. B. 800°C ausgelagert wird.
Durch die Oxidation wird die ursprüngliche Dicke des elek
trisch leitfähigen Nickelfilms verringert, da die aufbauende
NiO-Schicht, die eine Dicke von ca. 0,1 µm aufweist, elek
trisch ein Isolator ist.
Der Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht u. a. darin,
daß sich durch diese Voroxidation die eingestellten Wider
standswerte in den nachfolgenden Einbrennprozessen der Gla
surschicht 112 für den Nickelfilm 104 bzw. der Fixierungs
glasur 114 der Anschlußdrähte 108a, 108b, die bei ca. 800°C
ablaufen, nur noch unwesentlich verändern. Insbesondere sind
die so geschützten Temperaturmeßfühler 100 bis zu relativ
hohen Einsatztemperaturen von etwa um 300°C sehr stabil.
Anstelle der oben beschriebenen Oxidation in sauerstoffhal
tiger Atmosphäre und bei höheren Temperaturen kann diese
auch auf anderem Wege erfolgen, z. B. auf elektrochemischem
Wege. In jedem Fall kann die Dicke der Oxidschicht 110 durch
die physikalischen Parameter Temperatur, Zeit, etc. beliebig
gesteuert werden.
Neben den oben beschriebenen reinen Nickelfilmen kann das
Verfahren gemäß der Erfindung auch auf Nickellegierungen ange
wendet werden, z. B. auf Nickeleisen (Ni99,4Fe oder NiFe30).
Die gerade genannten Legierungsverhältnisse sind nicht auf
feste Zusammensetzungen beschränkt. Bezüglich der Anschluß
drähte können verschiedene Drahtmaterialien, z. B. Nickel,
Silber, etc. verwendet werden. Es können auch unbedrahtete
Fühlerelemente, z. B. SMD-Typen auf diese Weise, d. h. mit
Glasabdeckung des Films, hergestellt werden.
Die Fixierungsglasur 114 kann in einem Temperaturbereich
zwischen 500°C und 1000°C eingebrannt werden. Der Nickelfilm
kann in einem Temperaturbereich zwischen 500°C und 900°C
während einer Zeitdauer von wenigen Minuten bis ca. 1 Stunde
oxidiert werden.
Zum Befestigen der Anschlußdrähte an den Kontaktstellen 106a
und 106b wird nach dem Oxidieren der Widerstandsschicht die
Oxidschicht an diesen Bereichen entfernt und die Anschluß
drähte 108a und 108b werden befestigt und ggf. mit einer Fi
xierungsglasur 114 fixiert.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmeßfühlers
(100) mit folgenden Schritten:
- a) Bilden einer strukturierten Widerstandsschicht (104) auf einer Oberfläche eines Substrats (102);
- b) Oxidieren der gebildeten Widerstandsschicht (104); und
- c) Aufbringen einer Schutzschicht (112), die die Wider standsschicht (104) zumindest teilweise bedeckt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Widerstands
schicht (104) aus einem Material besteht, das mit der
Schutzschicht (112) derart reagiert, daß sich an der
Schnittstelle zwischen der Widerstandsschicht (104) und
der Schutzschicht (112) Bläschen bilden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Wider
standsschicht (104) aus Nickel oder einer Nickellegie
rung besteht.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die
Widerstandsschicht (104) zumindest eine Kontaktstelle
(106a, 106b) umfaßt, wobei die Schutzschicht (112)
derart aufgebracht ist, daß die Kontaktstelle (106a,
106b) freiliegt, mit folgenden Schritten:
- a) Entfernen der Oxidschicht (110) von der Kontakt stelle (106a, 106b); und
- b) Befestigen eines Anschlußdrahtes (108a, 108b) an der Kontaktstelle (106a, 106b).
5. Verfahren nach Anspruch 4 mit folgendem Schritt:
- a) Fixieren des Anschlußdrahtes (108a, 108b) mittels einer Fixierungsglasur (114).
6. Temperaturmeßfühler, mit
einem Substrat (102),
einer Widerstandsschicht (104), die auf dem Substrat (102) gebildet ist, wobei die Widerstandsschicht (104) an der dem Substrat (102) abgewandten Oberfläche (110) oxidiert ist, und
einer Schutzschicht (112), die die oxidierte Oberfläche der Widerstandsschicht (104) bedeckt.
einem Substrat (102),
einer Widerstandsschicht (104), die auf dem Substrat (102) gebildet ist, wobei die Widerstandsschicht (104) an der dem Substrat (102) abgewandten Oberfläche (110) oxidiert ist, und
einer Schutzschicht (112), die die oxidierte Oberfläche der Widerstandsschicht (104) bedeckt.
7. Temperaturmeßfühler nach Anspruch 6, mit einem Anschluß
draht (108a, 108b), der mit einer Kontaktstelle (106a,
106b) verbunden ist und mit einer Fixierungsglasur (114)
befestigt ist.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10020932A DE10020932C5 (de) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben |
US10/240,081 US20040075527A1 (en) | 2000-04-28 | 2001-04-27 | Ttemperature probe and a method for producing the same |
DE50100370T DE50100370D1 (de) | 2000-04-28 | 2001-04-27 | Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben |
EP01945059A EP1261976B1 (de) | 2000-04-28 | 2001-04-27 | Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben |
AT01945059T ATE244922T1 (de) | 2000-04-28 | 2001-04-27 | Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben |
PCT/EP2001/004789 WO2001084562A1 (de) | 2000-04-28 | 2001-04-27 | Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10020932A DE10020932C5 (de) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10020932C1 true DE10020932C1 (de) | 2001-07-05 |
DE10020932C5 DE10020932C5 (de) | 2004-12-30 |
Family
ID=7640270
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10020932A Expired - Fee Related DE10020932C5 (de) | 2000-04-28 | 2000-04-28 | Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben |
DE50100370T Expired - Lifetime DE50100370D1 (de) | 2000-04-28 | 2001-04-27 | Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE50100370T Expired - Lifetime DE50100370D1 (de) | 2000-04-28 | 2001-04-27 | Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040075527A1 (de) |
EP (1) | EP1261976B1 (de) |
AT (1) | ATE244922T1 (de) |
DE (2) | DE10020932C5 (de) |
WO (1) | WO2001084562A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004034185B3 (de) * | 2004-07-15 | 2006-01-05 | Zitzmann, Heinrich, Dr. | Temperaturfühler und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20120160032A1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Abb Technology Ag | Vortex flowmeter with optimized temperature detection |
DE102018105400B3 (de) | 2018-03-08 | 2019-07-04 | Tmc Sensortechnik Gmbh | Elektrischer Temperaturfühler |
DE102018203971A1 (de) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | Heraeus Nexensos Gmbh | Temperatursensorelement |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3931703B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | 光学素子搭載基板及びその製造方法 |
DE10356367B4 (de) | 2003-11-28 | 2009-06-10 | Georg Bernitz | Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und Bauelement |
US7230517B1 (en) * | 2004-08-26 | 2007-06-12 | National Semiconductor Corporation | System and method for using plasma to adjust the resistance of thin film resistors |
CN101449137B (zh) * | 2006-03-28 | 2012-02-08 | 斯通瑞智公司 | 温度传感器 |
JP5163277B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2013-03-13 | 山里産業株式会社 | 白金測温抵抗素子の製造方法 |
US7829428B1 (en) | 2008-08-26 | 2010-11-09 | National Semiconductor Corporation | Method for eliminating a mask layer during thin film resistor manufacturing |
WO2012033859A1 (en) | 2010-09-07 | 2012-03-15 | Stoneridge, Inc. | Temperature sensor |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2538966A1 (de) * | 1974-09-19 | 1976-04-01 | Corning Glass Works | Verfahren zur herstellung elektrischer temperaturfuehler |
DE19830821A1 (de) * | 1997-07-22 | 1999-02-18 | Murata Manufacturing Co | Temperatursensorelement |
DE19932411A1 (de) * | 1998-07-16 | 2000-01-27 | Heraeus Electro Nite Int | Verfahren zur Herstellung eines temperaturabhängigen Widerstandes sowie elektrischer Temperatur-Sensor |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3574930A (en) * | 1966-12-08 | 1971-04-13 | Gen Motors Corp | Method of forming a printed thermistor on a metal sheet |
JPS5123693A (en) * | 1974-08-21 | 1976-02-25 | Tatsuta Densen Kk | Teikoyokinzokuhimakuno netsushori |
DE2450551C2 (de) * | 1974-10-24 | 1977-01-13 | Heraeus Gmbh W C | Elektrischer messwiderstand fuer ein widerstandsthermometer und verfahren zu seiner herstellung |
US4019168A (en) * | 1975-08-21 | 1977-04-19 | Airco, Inc. | Bilayer thin film resistor and method for manufacture |
US4323875A (en) * | 1981-01-21 | 1982-04-06 | Trw, Inc. | Method of making temperature sensitive device and device made thereby |
US4531110A (en) * | 1981-09-14 | 1985-07-23 | At&T Bell Laboratories | Negative temperature coefficient thermistors |
US4532186A (en) * | 1982-06-16 | 1985-07-30 | Nitto Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit substrate with resistance layer and process for producing the same |
DD288456A5 (de) * | 1989-10-09 | 1991-03-28 | Veb Keramische Werke Hhermsdorf,De | Verfahren zur herstellung eines edelmetallfreien, relativ hochohmigen duennschichttemperatursensors |
US5144279A (en) * | 1990-05-31 | 1992-09-01 | Ngk Insulators, Inc. | Resistor element with thin porous metallic layer covered with glass coating |
DE4017968A1 (de) * | 1990-06-05 | 1991-12-12 | Heraeus Sensor Gmbh | Temperatur-sensor mit einer in einem metallmantel angeordneten mineralisolierten zuleitung |
JPH07312301A (ja) * | 1994-03-24 | 1995-11-28 | Ngk Insulators Ltd | 抵抗体素子 |
-
2000
- 2000-04-28 DE DE10020932A patent/DE10020932C5/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-27 EP EP01945059A patent/EP1261976B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-27 WO PCT/EP2001/004789 patent/WO2001084562A1/de active IP Right Grant
- 2001-04-27 US US10/240,081 patent/US20040075527A1/en not_active Abandoned
- 2001-04-27 DE DE50100370T patent/DE50100370D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-27 AT AT01945059T patent/ATE244922T1/de not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2538966A1 (de) * | 1974-09-19 | 1976-04-01 | Corning Glass Works | Verfahren zur herstellung elektrischer temperaturfuehler |
DE19830821A1 (de) * | 1997-07-22 | 1999-02-18 | Murata Manufacturing Co | Temperatursensorelement |
DE19932411A1 (de) * | 1998-07-16 | 2000-01-27 | Heraeus Electro Nite Int | Verfahren zur Herstellung eines temperaturabhängigen Widerstandes sowie elektrischer Temperatur-Sensor |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Z: Measurement Techniques, Vol. 39, No. 7, 1996, S. 738-742 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004034185B3 (de) * | 2004-07-15 | 2006-01-05 | Zitzmann, Heinrich, Dr. | Temperaturfühler und Verfahren zu dessen Herstellung |
WO2006007930A1 (de) * | 2004-07-15 | 2006-01-26 | Georg Bernitz | Temperaturfühler und verfahren zu dessen herstellung |
US20120160032A1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Abb Technology Ag | Vortex flowmeter with optimized temperature detection |
US8910527B2 (en) * | 2010-12-24 | 2014-12-16 | Abb Technology Ag | Vortex flowmeter with optimized temperature detection |
DE102018105400B3 (de) | 2018-03-08 | 2019-07-04 | Tmc Sensortechnik Gmbh | Elektrischer Temperaturfühler |
DE102018203971A1 (de) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | Heraeus Nexensos Gmbh | Temperatursensorelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1261976A1 (de) | 2002-12-04 |
DE50100370D1 (de) | 2003-08-14 |
ATE244922T1 (de) | 2003-07-15 |
WO2001084562A1 (de) | 2001-11-08 |
US20040075527A1 (en) | 2004-04-22 |
EP1261976B1 (de) | 2003-07-09 |
DE10020932C5 (de) | 2004-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102007046900B4 (de) | Hochtemperatursensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19540194C1 (de) | Widerstandsthermometer aus einem Metall der Platingruppe | |
EP0973020B1 (de) | Elektrischer Temperatur-Sensor mit Mehrfachschicht | |
EP3371562B1 (de) | Sensorelement und verfahren zur herstellung eines sensorelements | |
EP1144968B1 (de) | Platintemperatursensor und herstellungsverfahren für denselben | |
DE10020932C1 (de) | Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE3512158C2 (de) | ||
DE4300084C2 (de) | Widerstandsthermometer mit einem Meßwiderstand | |
DE19936924C1 (de) | Vorrichtung zur Hochtemperaturerfassung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
WO2022079094A1 (de) | Sensoranordnung und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung | |
EP1255972B2 (de) | Temperaturmessfühler und verfahren zur kontaktierung eines temperaturmessfühlers | |
DE2558752A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines messwiderstandes | |
DE102007046907B4 (de) | Schichtwiderstand und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19932411A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines temperaturabhängigen Widerstandes sowie elektrischer Temperatur-Sensor | |
DE3407784C2 (de) | ||
DE10104493A1 (de) | Temperatursensor und Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensors | |
EP3961170A1 (de) | Temperatursensor und verfahren zur herstellung eines derartigen temperatursensors | |
DE102022133279A1 (de) | Keramiksensor mit Metallisierungsschichten | |
EP0060427A2 (de) | Sensor zur Messung physikalischer Grössen sowie Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung | |
EP4312010A1 (de) | Herstellung von sensormodulen mit einem underfill-prozess | |
AT405688B (de) | Widerstandsthermometer mit einem messwiderstand | |
DE1540175C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kon takten | |
DE3700256A1 (de) | Halbleiter-gassensor | |
DD234984A1 (de) | Verfahren zur herstellung edelmetallfreier widerstandsnetzwerke fuer hybridschaltkreise |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of patent without earlier publication of application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8366 | Restricted maintained after opposition proceedings | ||
8392 | Publication of changed patent specification | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |