DE10020932C1 - Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben

Info

Publication number
DE10020932C1
DE10020932C1 DE10020932A DE10020932A DE10020932C1 DE 10020932 C1 DE10020932 C1 DE 10020932C1 DE 10020932 A DE10020932 A DE 10020932A DE 10020932 A DE10020932 A DE 10020932A DE 10020932 C1 DE10020932 C1 DE 10020932C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
resistance layer
substrate
temperature sensor
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10020932A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10020932C5 (de
Inventor
Heinrich Zitzmann
Georg Bernitz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DE10020932A priority Critical patent/DE10020932C5/de
Priority to US10/240,081 priority patent/US20040075527A1/en
Priority to DE50100370T priority patent/DE50100370D1/de
Priority to EP01945059A priority patent/EP1261976B1/de
Priority to AT01945059T priority patent/ATE244922T1/de
Priority to PCT/EP2001/004789 priority patent/WO2001084562A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10020932C1 publication Critical patent/DE10020932C1/de
Publication of DE10020932C5 publication Critical patent/DE10020932C5/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/183Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer characterised by the use of the resistive element

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Abstract

Ein Temperaturmeßfühler, bestehend aus einem Substrat, einer Widerstandsschicht, einer Oxidschicht und einer Schutzschicht wird hergestellt, indem die strukturierte Widerstandsschicht auf einer Oberfläche des Substrats gebildet wird, die gebildete Widerstandsschicht oxidiert wird, und anschließend die Schutzschicht auf zumindest einem Teil der Widerstandsschicht aufgebracht wird.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Tempe­ raturmeßfühler und auf ein Verfahren zur Herstellung des­ selben.
Temperaturmeßfühler werden seit vielen Jahren in der Dünn­ schichttechnik in unterschiedlichen Ausführungsformen her­ gestellt und für präzise Temperaturmeßaufgaben verwendet.
Ein bekannter Temperaturmeßfühler umfaßt ein Al2O3-Keramik­ substrat, auf dem ein Platinfilm mit einer Dicke von ca. 1 µm aufgebracht ist. Dieser Platinfilm ist so strukturiert, um eine Widerstandsbahn mit einem Widerstandswert von etwa 100 Ω zu haben. Zum Schutz der Platinwiderstandsbahn ist diese mit einer geeigneten Schutzschicht überzogen. An zwei Kontakt­ flächen sind Anschlußdrähte angeschweißt. Um eine mecha­ nische Belastung der Anschlußdrähte zu gewährleisten, wird eine Fixierungsglasur aufgebracht, um die Anschlußdrähte zu­ sätzlich mechanisch zu fixieren. Die Fixierungsglasur wird bei Temperaturen von ca. 800°C eingebrannt (die Glasur muß schmelzen), um eine Einsatztemperatur von bis zu 600°C zu gewähren (die Glasur darf sich bei diesem Temperaturbereich nicht erweichen).
Im Stand der Technik sind Widerstands-Temperaturfühler mit normierter Kennlinie bekannt, und die oben beschriebenen Platintemperaturfühler nach DIN EN 60751 sind am weitesten verbreitet. Insbesondere die oben beschriebene kostengüns­ tige Dünnschichtausführung hat die anderen Metall-Fühlerarten, z. B. Temperaturfühler mit Widerstandsschichten aus Nickel, Nickellegierungen, Kupfer, Molybdän, Iridium, usw. weit in den Hintergrund gedrängt. Neben den technischen Vor­ teilen der Platin-Fühler, wie z. B. die hervorragende Lang­ zeitstabilität, die sehr gute chemische Beständigkeit, die engen Toleranzen, der weite Temperaturbereich von bis zu 600°C bzw. sogar schon bis zu 1000°C, sind diese Dünn­ schichttypen inzwischen auch preislich günstiger als die Temperaturmeßfühler, die unedle Metalle verwenden.
Dennoch besteht weiterhin eine Nachfrage z. B. nach Nickel- Fühlern, da in einigen Anwendungen die früher ebenfalls nor­ mierte Nickelkennlinie (DIN 43760) "eingebürgert" ist, und trotz der heutigen elektronischen Möglichkeiten weiterhin Fühler mit der Nickelkennlinie erforderlich sind.
Die auf dem Markt erhältlichen Nickelfühler sind praktisch alle, ob drahtgewickelt oder in Dünnschicht ausgeführt, auf Temperaturen unter 250°C, meist sogar deutlich unter 200°C eingeschränkt.
Ein Nickel-Dünnschichttemperaturfühler ist üblicherweise ähnlich aufgebaut wie der oben beschriebene Platinfühler. Auf einem keramischen Trägersubstrat wird ein Metallfilm aus Nickel in Dünnschicht entweder durch Sputtern, Aufdampfen oder ähnliches aufgebracht. Dieser Metallfilm wird dann durch ein geeignetes Verfahren fotochemisch strukturiert, Widerstandsbahnen werden freigeätzt, und diese werden dann mittels Laserablation oder ähnlichen Verfahren auf den ge­ wünschten Sollwiderstand abgeglichen.
Im Gegensatz zu Platinfühlern besteht die auf die Wider­ standsschicht aufgebrachte Schutzschicht für den Metall­ film-Widerstand nicht aus Glas, sondern aus einer Schutz­ lackschicht, die beispielsweise aus Silicon oder ähnlichem besteht. Eine im Siebdruckverfahren aufgebrachte Glasab­ deckung, wie sie bei Platintemperaturmeßfühlern üblich ist, bereitet im Fall von Nickel Probleme, da beim Einbrennvor­ gang das Nickel mit dem Glas chemisch reagieren würde, was sich durch eine Bläschenbildung im Glas (Porosität) und durch eine Veränderung der eingestellten Widerstandswerte äußern würde.
Ferner sind die Anschlußdrähte meist entweder gelötet oder geschweißt und mittels Epoxymasse an den Kontaktflächen fi­ xiert. Eine Fixierung mittels Glasur, wie es bei Platinfüh­ lern üblich ist, ist hier nicht möglich, da der herkömmli­ cherweise verwendete Abdeckschutzlack die hohe Einbrenntem­ peratur, welche sehr weit über 400°C liegt, nicht aushält.
Durch diese Gegebenheiten ist die obere Einsatztemperatur auf die oben genannten Werte von 200°C begrenzt.
Die DE 198 30 821 A1 beschreibt ein Temperatursensorelement mit einem isolierenden Substrat, einem Widerstandsmetall­ film, Anschlußelektroden und Anschlußzuleitungen. Die An­ schlußzuleitungen sind mit den Anschlußelektroden verbunden und sind mittels einer Fixierung an dem Substrat mechanisch befestigt.
Die DE 25 38 966 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung elektrischer Temperaturfühler, bei dem auf ein dielektri­ sches Substrat eine elektrisch leitende Metalloxidschicht und auf diese eine weitere Metallschicht aufgebracht wird. Das Substrat umfaßt Anschlüsse und eine dielektrische Schutzschicht, über die die Anschlüsse hinausreichen.
In der Zeitschrift Measurement Techniques, Vol. 39, Nr. 7, 1996, Seiten 738 bis 742 wird die Auswirkung einer Oxidation von Platin auf die Charakteristika eines Standardplatin­ widerstandsthermometers beschrieben.
Die DE 199 32 411 A1 beschreibt einen Temperatursensor, der einen Keramikträger aufweist, auf dem eine Widerstands­ schicht aufgebracht ist. Die äußere Oberfläche der Wider­ standsschicht ist durch eine Diffusionsbarriere abgedeckt, die durch eine Oxidschicht gebildet ist.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegen­ den Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Her­ stellung eines Temperaturmeßfühlers und einen Temperaturmeß­ fühler zu bilden, dessen Widerstandsschicht durch unedle Me­ talle gebildet ist, und der einen Einsatzbereich über einen weiten Bereich von Temperaturen aufweist.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 so­ wie durch einen Temperaturmeßfühler gemäß Anspruch 6 gelöst.
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstel­ lung eines Temperaturmeßfühlers, bei dem zunächst eine strukturierte Widerstandsschicht, vorzugsweise aus einem unedlen Metall, auf einer Oberfläche eines Substrats gebil­ det wird, die so gebildete Widerstandsschicht oxidiert wird und abschließend eine Schutzschicht aufgebracht wird, die die Widerstandsschicht zumindest teilweise bedeckt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Temperaturmeßfüh­ ler geschaffen, der ein Substrat, eine Widerstandsschicht, vorzugsweise aus einem unedlen Metall, die auf dem Substrat gebildet ist, wobei die Widerstandsschicht an der dem Sub­ strat abgewandten Oberfläche oxidiert ist, und eine Schutzschicht aufweist, die die oxidierte Oberfläche der Widerstandsschicht bedeckt.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung besteht die Widerstandsschicht aus Nickel oder einer Nickellegierung.
Bevorzugterweise handelt es sich bei der auf die Wider­ standsschicht aufgebrachte Schutzschicht um eine Glasab­ deckung.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß die erfindungsgemäß Anordnung und die Verwendung der Glasab­ deckung des unedlen Films, wie z. B. des Nickelfilms sowie die Glasfixierung der Anschlußdrähte auch im herkömmlichen Einsatzbereich von 200°C wesentliche qualitative Vorteile bieten, z. B. einen besseren Schutz gegen Feuchte durch die Glasabdeckung bzw. eine bessere Temperaturwechselbeständig­ keit der Glasfixierung aufgrund des angepaßten thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Glases mit der Keramik.
Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß durch die erfin­ dungsgemäße Anordnung der Einsatzbereich der Temperaturmeß­ fühleranordnung, z. B. für Nickelfühler, nach oben bis über 300°C ausgedehnt werden kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die zum Schutz der Widerstandsschicht aufgebrachte Gla­ surschicht mit der Oxidschicht beim Schmelzen nicht rea­ giert, so daß die im Stand der Technik auftretenden Probleme sicher vermieden werden. Hierdurch wird vermieden, daß sich an der Schnittstelle zwischen der Widerstandsschicht und der Glasur Inhomogenitäten, z. B. in Form von Bläschen, bilden, wodurch sich trotz der kostengünstigen Materialien eine si­ chere Aufbringung der Schutzschicht einstellt.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Anmeldung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsichtdarstellung einer erfindungsgemäßen Temperaturmeßfühleranordnung; und
Fig. 2 eine Querschnittdarstellung der in Fig. 1 gezeigten Anordnung.
Fig. 1 zeigt einen Temperaturmeßfühler 100, der ein Sub­ strat 102 umfaßt, auf dem eine strukturierte Widerstands­ schicht 104 angeordnet ist. Die Widerstandsschicht 104 um­ faßt ferner einen ersten Anschlußbereich 106a und einen zweiten Anschlußbereich 106b. Die Anschlußdrähte 108a und 108b sind mit den Anschlußbereichen bzw. Kontaktstellen 106a, 106b verbunden.
Fig. 2 zeigt eine Querschnittdarstellung des Temperaturmeß­ fühlers 100 aus Fig. 1. Gleiche Elemente sind mit den glei­ chen Bezugszeichen versehen. Wie zu erkennen ist, ist auf der Widerstandsschicht 104 eine Oxidschicht 110 angeordnet, die sich teilweise über die Widerstandsschicht erstreckt. Der Bereich, in dem eine Befestigung des Anschlußdrahtes 108a erfolgt, ist nicht mit der Oxidschicht bedeckt. Die Widerstandsschicht 104 wird durch eine Glasurschicht 112 bedeckt. Der Anschlußdraht 108a wird zusätzlich zu seiner Befestigung an der Kontaktstelle 106a mit einer Fixierungs­ glasur 114 mechanisch an dem Element befestigt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung muß die blankliegende Widerstandsschicht 104, die beispielsweise ein Nickelfilm ist, geschützt werden, so daß der Nickelfilm mit der auf­ zubringenden Glasurschicht 112 während des Einbrennvorganges chemisch nicht reagiert. Vor dem Einbrennvorgang wird die Glasurschicht 112 z. B. mittels Siebdruck aufgebracht. Der gerade erwähnte Schutz wird dadurch erreicht, daß die Ober­ fläche des Nickelfilms oxidiert wird, d. h. der Nickelfilm erhält an der Oberfläche eine dichte Nickeloxidschicht (NiO). Dies kann z. B. dadurch erreicht werden, daß die auf dem Substrat 102 aufgebrachte Widerstandsschicht 104 in sauerstoffhaltiger Atmosphäre für eine bestimmte Zeitdauer bei einer höheren Temperatur, z. B. 800°C ausgelagert wird. Durch die Oxidation wird die ursprüngliche Dicke des elek­ trisch leitfähigen Nickelfilms verringert, da die aufbauende NiO-Schicht, die eine Dicke von ca. 0,1 µm aufweist, elek­ trisch ein Isolator ist.
Der Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht u. a. darin, daß sich durch diese Voroxidation die eingestellten Wider­ standswerte in den nachfolgenden Einbrennprozessen der Gla­ surschicht 112 für den Nickelfilm 104 bzw. der Fixierungs­ glasur 114 der Anschlußdrähte 108a, 108b, die bei ca. 800°C ablaufen, nur noch unwesentlich verändern. Insbesondere sind die so geschützten Temperaturmeßfühler 100 bis zu relativ hohen Einsatztemperaturen von etwa um 300°C sehr stabil.
Anstelle der oben beschriebenen Oxidation in sauerstoffhal­ tiger Atmosphäre und bei höheren Temperaturen kann diese auch auf anderem Wege erfolgen, z. B. auf elektrochemischem Wege. In jedem Fall kann die Dicke der Oxidschicht 110 durch die physikalischen Parameter Temperatur, Zeit, etc. beliebig gesteuert werden.
Neben den oben beschriebenen reinen Nickelfilmen kann das Verfahren gemäß der Erfindung auch auf Nickellegierungen ange­ wendet werden, z. B. auf Nickeleisen (Ni99,4Fe oder NiFe30). Die gerade genannten Legierungsverhältnisse sind nicht auf feste Zusammensetzungen beschränkt. Bezüglich der Anschluß­ drähte können verschiedene Drahtmaterialien, z. B. Nickel, Silber, etc. verwendet werden. Es können auch unbedrahtete Fühlerelemente, z. B. SMD-Typen auf diese Weise, d. h. mit Glasabdeckung des Films, hergestellt werden.
Die Fixierungsglasur 114 kann in einem Temperaturbereich zwischen 500°C und 1000°C eingebrannt werden. Der Nickelfilm kann in einem Temperaturbereich zwischen 500°C und 900°C während einer Zeitdauer von wenigen Minuten bis ca. 1 Stunde oxidiert werden.
Zum Befestigen der Anschlußdrähte an den Kontaktstellen 106a und 106b wird nach dem Oxidieren der Widerstandsschicht die Oxidschicht an diesen Bereichen entfernt und die Anschluß­ drähte 108a und 108b werden befestigt und ggf. mit einer Fi­ xierungsglasur 114 fixiert.

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmeßfühlers (100) mit folgenden Schritten:
  • a) Bilden einer strukturierten Widerstandsschicht (104) auf einer Oberfläche eines Substrats (102);
  • b) Oxidieren der gebildeten Widerstandsschicht (104); und
  • c) Aufbringen einer Schutzschicht (112), die die Wider­ standsschicht (104) zumindest teilweise bedeckt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Widerstands­ schicht (104) aus einem Material besteht, das mit der Schutzschicht (112) derart reagiert, daß sich an der Schnittstelle zwischen der Widerstandsschicht (104) und der Schutzschicht (112) Bläschen bilden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Wider­ standsschicht (104) aus Nickel oder einer Nickellegie­ rung besteht.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Widerstandsschicht (104) zumindest eine Kontaktstelle (106a, 106b) umfaßt, wobei die Schutzschicht (112) derart aufgebracht ist, daß die Kontaktstelle (106a, 106b) freiliegt, mit folgenden Schritten:
  • a) Entfernen der Oxidschicht (110) von der Kontakt­ stelle (106a, 106b); und
  • b) Befestigen eines Anschlußdrahtes (108a, 108b) an der Kontaktstelle (106a, 106b).
5. Verfahren nach Anspruch 4 mit folgendem Schritt:
  • a) Fixieren des Anschlußdrahtes (108a, 108b) mittels einer Fixierungsglasur (114).
6. Temperaturmeßfühler, mit
einem Substrat (102),
einer Widerstandsschicht (104), die auf dem Substrat (102) gebildet ist, wobei die Widerstandsschicht (104) an der dem Substrat (102) abgewandten Oberfläche (110) oxidiert ist, und
einer Schutzschicht (112), die die oxidierte Oberfläche der Widerstandsschicht (104) bedeckt.
7. Temperaturmeßfühler nach Anspruch 6, mit einem Anschluß­ draht (108a, 108b), der mit einer Kontaktstelle (106a, 106b) verbunden ist und mit einer Fixierungsglasur (114) befestigt ist.
DE10020932A 2000-04-28 2000-04-28 Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben Expired - Fee Related DE10020932C5 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10020932A DE10020932C5 (de) 2000-04-28 2000-04-28 Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben
US10/240,081 US20040075527A1 (en) 2000-04-28 2001-04-27 Ttemperature probe and a method for producing the same
DE50100370T DE50100370D1 (de) 2000-04-28 2001-04-27 Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben
EP01945059A EP1261976B1 (de) 2000-04-28 2001-04-27 Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben
AT01945059T ATE244922T1 (de) 2000-04-28 2001-04-27 Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben
PCT/EP2001/004789 WO2001084562A1 (de) 2000-04-28 2001-04-27 Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10020932A DE10020932C5 (de) 2000-04-28 2000-04-28 Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10020932C1 true DE10020932C1 (de) 2001-07-05
DE10020932C5 DE10020932C5 (de) 2004-12-30

Family

ID=7640270

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10020932A Expired - Fee Related DE10020932C5 (de) 2000-04-28 2000-04-28 Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben
DE50100370T Expired - Lifetime DE50100370D1 (de) 2000-04-28 2001-04-27 Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE50100370T Expired - Lifetime DE50100370D1 (de) 2000-04-28 2001-04-27 Temperaturmessfühler und verfahren zur herstellung desselben

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20040075527A1 (de)
EP (1) EP1261976B1 (de)
AT (1) ATE244922T1 (de)
DE (2) DE10020932C5 (de)
WO (1) WO2001084562A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004034185B3 (de) * 2004-07-15 2006-01-05 Zitzmann, Heinrich, Dr. Temperaturfühler und Verfahren zu dessen Herstellung
US20120160032A1 (en) * 2010-12-24 2012-06-28 Abb Technology Ag Vortex flowmeter with optimized temperature detection
DE102018105400B3 (de) 2018-03-08 2019-07-04 Tmc Sensortechnik Gmbh Elektrischer Temperaturfühler
DE102018203971A1 (de) * 2018-03-15 2019-09-19 Heraeus Nexensos Gmbh Temperatursensorelement

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3931703B2 (ja) * 2001-12-27 2007-06-20 株式会社日立製作所 光学素子搭載基板及びその製造方法
DE10356367B4 (de) 2003-11-28 2009-06-10 Georg Bernitz Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und Bauelement
US7230517B1 (en) * 2004-08-26 2007-06-12 National Semiconductor Corporation System and method for using plasma to adjust the resistance of thin film resistors
CN101449137B (zh) * 2006-03-28 2012-02-08 斯通瑞智公司 温度传感器
JP5163277B2 (ja) * 2007-05-18 2013-03-13 山里産業株式会社 白金測温抵抗素子の製造方法
US7829428B1 (en) 2008-08-26 2010-11-09 National Semiconductor Corporation Method for eliminating a mask layer during thin film resistor manufacturing
WO2012033859A1 (en) 2010-09-07 2012-03-15 Stoneridge, Inc. Temperature sensor

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2538966A1 (de) * 1974-09-19 1976-04-01 Corning Glass Works Verfahren zur herstellung elektrischer temperaturfuehler
DE19830821A1 (de) * 1997-07-22 1999-02-18 Murata Manufacturing Co Temperatursensorelement
DE19932411A1 (de) * 1998-07-16 2000-01-27 Heraeus Electro Nite Int Verfahren zur Herstellung eines temperaturabhängigen Widerstandes sowie elektrischer Temperatur-Sensor

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3574930A (en) * 1966-12-08 1971-04-13 Gen Motors Corp Method of forming a printed thermistor on a metal sheet
JPS5123693A (en) * 1974-08-21 1976-02-25 Tatsuta Densen Kk Teikoyokinzokuhimakuno netsushori
DE2450551C2 (de) * 1974-10-24 1977-01-13 Heraeus Gmbh W C Elektrischer messwiderstand fuer ein widerstandsthermometer und verfahren zu seiner herstellung
US4019168A (en) * 1975-08-21 1977-04-19 Airco, Inc. Bilayer thin film resistor and method for manufacture
US4323875A (en) * 1981-01-21 1982-04-06 Trw, Inc. Method of making temperature sensitive device and device made thereby
US4531110A (en) * 1981-09-14 1985-07-23 At&T Bell Laboratories Negative temperature coefficient thermistors
US4532186A (en) * 1982-06-16 1985-07-30 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Circuit substrate with resistance layer and process for producing the same
DD288456A5 (de) * 1989-10-09 1991-03-28 Veb Keramische Werke Hhermsdorf,De Verfahren zur herstellung eines edelmetallfreien, relativ hochohmigen duennschichttemperatursensors
US5144279A (en) * 1990-05-31 1992-09-01 Ngk Insulators, Inc. Resistor element with thin porous metallic layer covered with glass coating
DE4017968A1 (de) * 1990-06-05 1991-12-12 Heraeus Sensor Gmbh Temperatur-sensor mit einer in einem metallmantel angeordneten mineralisolierten zuleitung
JPH07312301A (ja) * 1994-03-24 1995-11-28 Ngk Insulators Ltd 抵抗体素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2538966A1 (de) * 1974-09-19 1976-04-01 Corning Glass Works Verfahren zur herstellung elektrischer temperaturfuehler
DE19830821A1 (de) * 1997-07-22 1999-02-18 Murata Manufacturing Co Temperatursensorelement
DE19932411A1 (de) * 1998-07-16 2000-01-27 Heraeus Electro Nite Int Verfahren zur Herstellung eines temperaturabhängigen Widerstandes sowie elektrischer Temperatur-Sensor

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Z: Measurement Techniques, Vol. 39, No. 7, 1996, S. 738-742 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004034185B3 (de) * 2004-07-15 2006-01-05 Zitzmann, Heinrich, Dr. Temperaturfühler und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2006007930A1 (de) * 2004-07-15 2006-01-26 Georg Bernitz Temperaturfühler und verfahren zu dessen herstellung
US20120160032A1 (en) * 2010-12-24 2012-06-28 Abb Technology Ag Vortex flowmeter with optimized temperature detection
US8910527B2 (en) * 2010-12-24 2014-12-16 Abb Technology Ag Vortex flowmeter with optimized temperature detection
DE102018105400B3 (de) 2018-03-08 2019-07-04 Tmc Sensortechnik Gmbh Elektrischer Temperaturfühler
DE102018203971A1 (de) * 2018-03-15 2019-09-19 Heraeus Nexensos Gmbh Temperatursensorelement

Also Published As

Publication number Publication date
EP1261976A1 (de) 2002-12-04
DE50100370D1 (de) 2003-08-14
ATE244922T1 (de) 2003-07-15
WO2001084562A1 (de) 2001-11-08
US20040075527A1 (en) 2004-04-22
EP1261976B1 (de) 2003-07-09
DE10020932C5 (de) 2004-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007046900B4 (de) Hochtemperatursensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE19540194C1 (de) Widerstandsthermometer aus einem Metall der Platingruppe
EP0973020B1 (de) Elektrischer Temperatur-Sensor mit Mehrfachschicht
EP3371562B1 (de) Sensorelement und verfahren zur herstellung eines sensorelements
EP1144968B1 (de) Platintemperatursensor und herstellungsverfahren für denselben
DE10020932C1 (de) Temperaturmessfühler und Verfahren zur Herstellung desselben
DE3512158C2 (de)
DE4300084C2 (de) Widerstandsthermometer mit einem Meßwiderstand
DE19936924C1 (de) Vorrichtung zur Hochtemperaturerfassung und Verfahren zur Herstellung derselben
WO2022079094A1 (de) Sensoranordnung und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung
EP1255972B2 (de) Temperaturmessfühler und verfahren zur kontaktierung eines temperaturmessfühlers
DE2558752A1 (de) Verfahren zur herstellung eines messwiderstandes
DE102007046907B4 (de) Schichtwiderstand und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19932411A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines temperaturabhängigen Widerstandes sowie elektrischer Temperatur-Sensor
DE3407784C2 (de)
DE10104493A1 (de) Temperatursensor und Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensors
EP3961170A1 (de) Temperatursensor und verfahren zur herstellung eines derartigen temperatursensors
DE102022133279A1 (de) Keramiksensor mit Metallisierungsschichten
EP0060427A2 (de) Sensor zur Messung physikalischer Grössen sowie Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
EP4312010A1 (de) Herstellung von sensormodulen mit einem underfill-prozess
AT405688B (de) Widerstandsthermometer mit einem messwiderstand
DE1540175C (de) Verfahren zur Herstellung von Kon takten
DE3700256A1 (de) Halbleiter-gassensor
DD234984A1 (de) Verfahren zur herstellung edelmetallfreier widerstandsnetzwerke fuer hybridschaltkreise

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of patent without earlier publication of application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8363 Opposition against the patent
8366 Restricted maintained after opposition proceedings
8392 Publication of changed patent specification
8339 Ceased/non-payment of the annual fee