DE10009453A1 - Phasenschieber und Anordnung aus mehreren Phasenschiebern - Google Patents
Phasenschieber und Anordnung aus mehreren PhasenschiebernInfo
- Publication number
- DE10009453A1 DE10009453A1 DE10009453A DE10009453A DE10009453A1 DE 10009453 A1 DE10009453 A1 DE 10009453A1 DE 10009453 A DE10009453 A DE 10009453A DE 10009453 A DE10009453 A DE 10009453A DE 10009453 A1 DE10009453 A1 DE 10009453A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- phase
- phase shifter
- insulation layer
- thickness
- micromechanical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/184—Strip line phase-shifters
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft Phasenschieber, insbesondere für Millimeterwellenanwendungen, die entsprechend einem mikromechanischen Schalter ausgebildet sind und deren Dicke d der Isolationsschicht abhängig von der geschalteten, gewünschten Phasenverschiebung PHI gewählt ist. DOLLAR A Vorzugsweise wird die Dicke d nach folgender Beziehung DOLLAR F1 oder nach folgender Beziehung DOLLAR F2 gewählt. DOLLAR A Weiterhin betrifft die Erfindung Anordnungen aus mehreren dieser Phasenverschieber, welche über eine gemeinsame Signalleitung und eine gemeinsame Koplanarleitung zeitgleich gemeinsam ansteuerbar sind.
Description
Es sind eine Vielzahl analoger Phasenschieber bekannt, die
mittels einer angelegten Spannung gesteuert werden. Derar
tige Schaltungen enthalten typisch Varaktordioden, verän
derbare Ferroelektrika oder Ferromagnetika. Weiterhin sind
digitale Phasenschieber bekannt, bei denen der einzustel
lende Phasenbereich in 2N Zustände mit Hilfe von N digita
len Phasenschiebern unterteilt ist. Diese digitalen Pha
senschieber sind typisch durch verschieden lange Leitungen
realisiert, zwischen denen digital gesteuert umgeschaltet
wird.
Aus dem US-Patent 5,526,172 ist ein mikromechanischer
Schalter bekannt, bei dem eine Brückenleitung durch Anlegen
einer Steuerspannung über eine Steuerleitung in Richtung
eines Mittelleiters bewegt wird, bis ein elektrischer
Kontakt geschlossen ist und dadurch der Schaltvorgang
abgeschlossen ist. Derartige mikromechanische Schalter
werden mit bekannten Chipfertigungstechnologien entspre
chend von Widerständen, Kapazitäten und Leitungsstrukturen
in Chips mit bekannten Chipfertigungstechnologien herge
stellt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Phasenschieber
oder Anordnungen daraus anzugeben, die möglichst klein,
kostengünstig und gut herstellbar sind.
Diese Aufgabe wird durch einen Phasenschieber mit den Merk
malen des Anspruchs 1 sowie durch Anordnungen mit mehreren
Phasenschiebern mit den Merkmalen der Ansprüche 6 und 7
gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteran
sprüchen.
Der erfindungsgemäße Phasenschieber, der für hochfrequente
Anwendungen, insbesondere für Millimeterwellenanwendungen,
beispielsweise für die Realisierung von elektronisch
schwenkbaren Radarantennen, besonders geeignet ist, zeigt
eine Anordnung aus einer Brückenleitung, dem Signalleiter
und einer dazwischen angeordneten Isolationsschicht mit
hoher definierter Dicke, was zu einem Aufbau des mikrome
chanischen Schalters in der Art eines Zweiplattenkondensa
tors führt. Dabei ist die Dicke der Isolierschicht, die aus
einem Dielektrikum besteht, so gewählt, daß zwischen dem
geschalteten Zustand des mikromechanischen ausgebildeten
Phasenschiebers und dem ungeschalteten Zustand eine defi
nierte Phasenverschiebung Φ des Transmissionsfaktors
gegeben ist. Durch diesen mikromechanischen Phasenschieber
ist es nun möglich, eine definierte und unveränderliche
Phasenschiebung zu aktivieren oder zu deaktivieren. Dabei
erweist sich der mikromechanische Phasenschieber als in
seinen Abmessungen aufgrund der für die Herstellung
verwendete Chiptechnologie als sehr klein und als sehr
kostengünstig herstellbar. Diese Art von mikromechanischen
Phasenschiebern ist besonders geeignet, für elektronisch
schwenkbare Phased-Array-Antennen, welche eine Vielzahl von
T/R-Modulen aufweisen, denen jeweils ein oder mehrere
geschaltete Phasenschieber zugeordnet sind. Aufgrund der
geringen Größe und des geringen Energieverbrauchs der
mikromechanischen Phasenschieber ist es möglich, diese
unmittelbar in oder an den T/R-Modulen anzuordnen und damit
die Verbindungsleitungen von den Phasenschiebern zu den
T/R-Modulen zu verkürzen, was die Störanfälligkeit der
Übertragung hochfrequenter Signale reduziert. Auch mit
kleinen Abweichungen der Dicke der Isolationsschicht
gegenüber der idealen Dicke sind wesentliche Vorteile
dieser mikromechanischen Phasenschieber gegeben.
Der mikromechanische Phasenschieber zeigt folgenden funk
tionellen Aufbau.
Wird neben den schwachen HF-Signalen eine stärkere Gleich
spannung zwischen der Signalleitung und der Masseverbin
dung, welche als flexible Brückenleitung ausgebildet ist,
angelegt, so wirkt auf die Brückenleitung eine Kraft, die
proportional dem Quadrat der angelegten Spannung ist. Ab
einer bestimmten Spannung ist diese Kraft so groß, daß sie
die flexible Brücke in der Mitte durchbiegt und die Brüc
kenleitung auf der Isolationsschicht über der Signallei
tung, auch Mittelleiter genannt, zum Liegen kommt. Es er
gibt sich eine Kondensatoranordnung zwischen Signalleitung
und Brückenleitung. Die Kapazität des Zweiplattenkondensa
tors wird durch die Breite der Signalleitung, die Breite
der Brücke, die Höhe der Isolationsschicht und die effek
tive Dielektrizitätszahl der Isolationsschicht, welche sich
aus der Dielektrizitätszahl des Isolationsmateriales und
der Art der Strukturierung des Isolationsmaterials und/oder
der Brücke ergibt, bestimmt. Diese zugeschaltete Kapazität
bewirkt eine Phasenänderung des Transmissionsfaktors der
Signalleitung. Um kleine Phasenänderungen zu realisieren,
genügt es einen einzigen, mikromechanischen Phasenschieber
mit dementsprechend festgelegten Abmessungen vorzusehen.
Dabei hat es sich insbesondere bewährt, die Dicke der Iso
lationsschicht des mikromechanischen Phasenschiebers ent
sprechend nachfolgender Formel zu wählen:
Dabei stellt:
d die Dicke der Isolationsschicht,
∈0 die elektrische Feldkonstante,
∈eff die effektive Dielektrizitätszahl,
A die Fläche des Zweiplattenkondensators,
Z0 der Leitungswellenwiderstand,
f die Frequenz des hochfrequenten Signals und
Φ die gewünschte Phasendifferenz zwischen den beiden Zuständen
dar.
d die Dicke der Isolationsschicht,
∈0 die elektrische Feldkonstante,
∈eff die effektive Dielektrizitätszahl,
A die Fläche des Zweiplattenkondensators,
Z0 der Leitungswellenwiderstand,
f die Frequenz des hochfrequenten Signals und
Φ die gewünschte Phasendifferenz zwischen den beiden Zuständen
dar.
Will man nach diesem ermittelten Zusammenhang einen Phasen
schieber mit einer Phasendifferenz von 11,25° bei einem
Leitungswellenwiderstand von 50 Ω, bei einer Frequenz von
35 GHz, einer Fläche A von 2000 µm2 und einer effektiven
Dielektrizitätszahl von 4,8 realisieren, so ergibt sich
nach dem ermittelten Zusammenhang eine erforderliche Dicke
der Isolationsschicht von 2,34 µm. Realisiert man einen
derartigen mikromechanischen Schalter mit Hilfe gängiger
Chipherstellverfahren, so ergibt sich ein sehr kleiner,
kostengünstig hergestellter Phasenschieber von hoher
Qualität.
Soll eine negative Phasenverschiebung realisiert werden, so
wird dies durch eine inverse Verwendung des geschalteten
und des ungeschalteten Zusandes erreicht.
Soll eine noch höhere Qualität, respektive Genauigkeit der
Phasenverschiebung erreicht werden, so hat es sich beson
ders bewährt, die Dicke des Dielektrikums nach folgender
Beziehung zu wählen:
wobei entsprechend der zuvor dargestellten Beziehung zu
sätzlich dA als Abstand der Brückenleitung zur Isola
tionsschicht im ungeschalteten Zustand gewählt ist. Dies
führt bei dem zuvor beschriebenen Rechenbeispiel bei einem
Abstand der Brückenleitung zur Isolationsschicht dA = 3 µm
zu einer Dicke der Isolationsschicht von 2,1 µm. Der be
schriebene Zusammenhang führt zu einer höheren Genauigkeit
zwischen der gewünschten Phasenbeziehung und der Dicke der
Isolationsschicht. Will man für spezielle Anwendungen sehr
genaue Phasenschieber realisieren, so hat es sich bewährt,
diese zuletzt genannte Beziehung zu verwenden, wobei, es
notwendig ist, den Abstand der Brückenleitung zur Isola
tionsschicht sehr genau zu kennen. Dies erweist sich als
durchaus schwierig, da dieser durch die Qualität des Her
stellungsprozeß des mikromechanischen Phasenschiebers stark
beeinflußt wird.
Vorzugsweise wird die Isolationsschicht strukturiert ausge
bildet, so daß sie vorzugsweise Bereiche ohne Dielektrikum
aufweist, wodurch die Dielektrizitätszahl der flächig aus
gebildeten Isolationsschicht zu einer effektiven Dielek
trizitätszahl erniedrigt ist. Entsprechend der Ausbildung
der Strukturierung, beispielsweise durch Ausnehmungen, die
vorzugsweise schachbrettartig angeordnet sind, läßt sich
die effektive Dielektrizitätszahl sehr genau festlegen.
Damit ist es möglich, die gewünschte Phasenverschiebung
sehr genau in kleinen Phasenschritte zu wählen. Alternativ
oder ergänzend ist es auch möglich, die Signalleitung bzw.
die Brückenleitung mit einer entsprechenden Strukturierung
zu versehen, wobei sich dieses als weniger vorteilhaft im
Hinblick auf die Fertigungsqualität und die definierte
Durchbiegung der flexiblen Brückenleitung erweist. Daneben
kann die Strukturveränderung zur Anpassung der Phasen
verschiebung auch durch eine Anpassung der Kondensator
fläche realisiert werden.
Nach einer weiteren, bevorzugten Ausbildung der Erfindung
werden mehrere Phasenschieber zu einer gemeinsamen Anord
nung zusammengefaßt, die gemeinsam mit einer Gleichspannung
beaufschlagt werden, so daß ihre flexiblen Brückenleitungen
zeitgleich auf die Isolationsschicht abgesenkt werden und
damit gemeinsam als mikromechanischer Phasenschieber ein
geschaltet werden. Dadurch ist sichergestellt, daß durch
das Zusammenschalten mehrerer identischer oder im wesent
lichen identischer, mikromechanischer Phasenschieber in ei
ner Anordnung in Reihen- oder Parallelschaltung verschiede
ne Phasenänderungen realisiert werden können, ohne daß
einzelne unterschiedliche, mikromechanische Phasenschieber
realisiert werden müssen. Allein durch die unterschiedliche
Anordnung verschieden vieler gleicher oder auf wenige
Standardtypen reduzierter, mikromechanischer Phasenschieber
mit unterschiedlicher Dicke und/oder Strukturierung des
Dielektrikums, der Brückenleitung bzw. der Signalleitung,
ist es möglich, auf einfache und sichere Weise große Be
reiche von Phasenverschiebungen zu realisieren. Durch die
gemeinsame Ansteuerbarkeit eines Teils oder aller mikrome
chanischer Phasenschieber einer Anordnung gelingt es, zu
definierten Zeitpunkten festgelegte Phasenverschiebungen zu
realisieren, was von besonderer Bedeutung, insbesondere für
das Regeln von phasengesteuerten elektronischen, schwenkba
ren Antennen ist.
Vorzugsweise werden dabei die Phasenschieber in einem Ab
stand von λ/4 hintereinander angeordnet, so daß sich die
durch die geänderte Kapazität bewirkte Reflexion des hoch
frequenten Signals vollständig reduzieren läßt. Bei
geringen Abweichungen von λ/4 ist eine weitgehende
Reduktion gegeben, die ein zufriedenstellendes Ergebnis
zeigt.
Sollen große Phasenwinkel realisiert werden, hat es sich
bewährt, neben den erfindungsgemäßen, mikromechanischen Pha
senschiebern, die die Funktion eines Phasenschiebers
zeigen, auch deren Wirkung als mikromechanischen Schalter
zu verwenden, um zusätzliche Umwegleitungen, die ebenso
eine Wirkung als Phasenschieber besitzen, in den
hochfrequenten Signalweg einzugliedern und dadurch
definierte große Phasenverschiebungen bis zu 360° zu
realisieren.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in den Figuren
dargestellten, beispielhaften Ausführungsformen näher erläu
tert.
Fig. 1 zeigt den erfindungsgemäßen Phasenschieber im
nicht geschalteten Zustand,
Fig. 2 zeigt den erfindungsgemäßen Phasenschieber im
geschalteten Zustand,
Fig. 3 zeigt eine Aufsicht auf den Phasenschieber,
Fig. 4 zeigt eine Struktur der Isolationsschicht zur
Beeinflussung der effektiven Dielektrizitätszahl
und
Fig. 5 zeigt eine Anordnung mehrerer Phasenschieber.
In Fig. 1 ist ein erfindungsgemäßer Phasenschieber 1 im
nicht geschalteten Zustand dargestellt. Der Aufbau dieses
Phasenschiebers 1 entspricht in Grundzügen dem eines mikro
mechanischen Schalters. Der Phasenschieber 1 ist auf einem
Substrat 2 angeordnet. Auf dem Substrat 2 ist ein Signal
leiter 3 aufgebracht, auf dem wiederum eine Isolations
schicht 4 von einer festgelegten Dicke d aufgebracht ist.
Parallel zu dem Signalleiter 3 sind beabstandet
Masseleitungen, hier als Koplanarleitungen 5 ausgebildet,
auf dem Substrat 2 angebracht, die über eine Brückenleitung
6 miteinander verbunden sind. Die Brückenleitung 6 ist als
flexible Membran ausgebildet. Die Membran erstreckt sich
beabstandet zu der Isolationsschicht 4 oberhalb dieser.
Über den Signalleiter 3 werden die hochfrequenten Signale,
die typischerweise Millimeterwellensignale darstellen, geleitet.
Soll der Phasenschieber 1 aktiviert werden, so wird
die Signalleitung gegenüber der Koplanarleitung 5 unter
Spannung gesetzt, so daß aufgrund der Spannungsdifferenz
eine Kraft auf die flexible Brückenleitung 6 gebildet wird,
die die Brückenleitung 6 in Richtung der Isolationsschicht
4 bewegt, bis sie auf dieser zu liegen kommt. Dieser Zu
stand ist in Fig. 2 dargestellt. Durch die geeignete Wahl
der Dicke d der Isolationsschicht 4 ist eine definierte
Phasenverschiebung Φ auf dem Signalleiter 3 für die auf
diesen übertragenen, hochfrequenten Signale gegeben. Wird die
angelegte Gleichspannung zwischen dem Signalleiter 3 und
der Koplanarleitung 5 aufgehoben, so geht der Phasenschie
ber 1 in den Zustand gemäß Fig. 1 zurück, und die einge
schaltete, aktivierte Phasenverschiebung wird wieder auf
gehoben. Der beschriebene Phasenschieber 1 stellt einen
durch Mikromechanik aktivierten Phasenschieber, auch mikro
mechanischer Phasenverschieber genannt, dar. Er erweist
sich als sehr klein; er kann mit weiteren elektronischen
Komponenten in einem Chip realisiert werden, und er kann in
angemessenen Stückzahlen auch sehr kostengünstig und
qualitativ sehr hochwertig realisiert werden.
In Fig. 3 ist in einer Aufsicht der Phasenschieber 1 aus
den Fig. 1 oder 2 dargestellt. Dabei ist die Steuerleitung
3 zwischen zwei parallel verlaufenden Koplanarleitungen 5
beabstandet und voneinander elektrisch isoliert angeordnet.
Die beiden Koplanarleitungen 5 sind über eine Brückenlei
tung 6 verbunden. Die Brückenleitung 6 überspannt die Si
gnalleitung 3 mit Abstand und ist flexibel ausgebildet.
Vorzugsweise werden die beispielhaften Koplanarleitungen
zur Darstellung der für das Schalten des Phasenschiebers
notwendige Spannung auf Masse gelegt, während die
Signalleitung neben dem hochfrequenten Signal mit einem
Gleichspannungssignal überlagert wird. Durch die flächig
ausgebildeten Koplanarleitungen 5 ist eine sehr wirksame
Masse und eine sehr wirksame Abschirmung der Signalleitung
gegen EMV-Störungen gewährleistet.
In Fig. 4 ist ein beispielhafter, strukturierter Aufbau der
Isolationsschicht 4 dargestellt. Er zeigt eine Reihe von
rechteckigen Ausnehmungen 7, die schachbrettartig über die
Fläche der Isolationsschicht 4 verteilt sind. Die Ausneh
mungen 7 sind voneinander durch Stege 8 aus dem Material
der Isolationsschicht 4 getrennt. Durch diese strukturierte
Ausbildung der Isolationsschicht gelingt es, eine effektive
Dielektrizitätszahl zur realisieren, die im wesentlichen
durch das Verhältnis der Ausnehmungen 7 zu der Isolations
schicht bestimmt ist. Durch die Möglichkeit, daß die
Ausnehmungen 7 bzw. die Strukturierung der Isolations
schicht 4 aufgrund der verwendeten Chipherstellungs
verfahren hochpräzise sind, ist es möglich, die effektive
Dielektrizitätszahl sehr genau einzustellen, so daß die
Möglichkeit besteht, neben der Dicke d der Isolations
schicht 4 auch die effektive Dielektrizitätszahl ∈eff fest
zulegen, um eine definiert gewählte Phasenverschiebung zu
realisieren.
In Fig. 5 ist eine Anordnung mehrerer Phasenschieber dar
gestellt, wobei die Signalleitung 3 sich vom Tor 1 bis zum
Tor 2 erstreckt und die Phasenschieber durch die quer zur
Signalleitung 3 angeordneten Brückenleitungen 6 angedeutet
sind. In der Anordnung gemäß Fig. 5 sind Phasenschieber mit
unterschiedlichen Phasenswinkeln dargestellt. Der erste
zeigt einen schaltbaren Phasenwinkel, von 5,6°, der zweite
von 11,25°.
Die Anordnung des gemeinsam geschalteten, dritten und vier
ten Phasenschiebers realisiert gemeinsam eine
Phasenverschiebung von 22,5°. Diese Phasenschieber sind zur
Reduktion der Reflexionswirkung in einem Abstand von λ/4
angeordnet. In entsprechender Weise sind der fünfte und
sechste Phasenschieber zu einer Anordnung mit einem
schaltbaren Phasenwinkel von 45° angeordnet.
Die unterschiedlichen Phasenwinkel werden dabei zum einen
durch die unterschiedlich gewählte Dicke der Isolations
schicht festgelegt und/oder durch eine angepaßte Struktur
der Isolationsschicht und/oder der Brückenleitung und/oder
der Signalleitung festgelegt. Hierdurch (Veränderung der
Breiten- und/oder Längenverhältnisse der Signalleitung bzw.
Der Brückenleitung bzw. der Isolationsschicht) wird die
Fläche des Zweiplattenkondensators bzw. dessen
Dielektrizitätszahl variiert.
Dabei sind der dritte und vierte Phasenschieber durch eine
gemeinsame Ansteuerung über eine gemeinsame Beaufschlagung
mit der Steuerspannung gemeinsam und damit auch zeitgleich
geschaltet, so daß hier die Phasenverschiebung von 0 auf
22,5° ansteigt. In entsprechender Weise ist das auch bei
anderen Anordnungen aus mehreren gemeinsamen, mikro
mechanischen Phasenschiebern realisiert.
Sollen noch höhere Phasenwinkel realisiert werden, so
werden diese durch Kombination von Phasenschiebern und
entsprechenden Umwegleitungen unterschiedlicher Länge
realisiert. Derartige Teilanordnungen sind auf der rechten
Seite der Fig. 5 dargestellt.
Claims (8)
1. Phasenschieber insbesondere für Millimeterwellenanwen
dungen, dadurch gekennzeichnet, daß er als
mikromechanischer Schalter ausgebildet ist und seine
Dicke (d) der Isolationsschicht (4) abhängig von der
geschalteten Phasenverschiebung (Φ) gewählt ist.
2. Phasenschieber nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß der Phasenschieber im geschalteten und im
ungeschalteten Zustand im Transmissionszustand geführt
ist.
3. Phasenschieber nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dicke (d) nach folgender
Beziehung:
gewählt ist.
gewählt ist.
4. Phasenschieber nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dicke (d) nach folgender
Beziehung:
gewählt ist.
gewählt ist.
5. Phasenschieber nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die flächige
Isolationsschicht (4) Ausnehmungen aufweist, durch die
die effektive Dielektrizitätszahl (εeff) festgelegt ist.
6. Phasenschieber nach Anspruch 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Ausnehmungen schachbrettartig
durch Stege voneinander getrennt in der
Isolationsschicht (4) angeordnet sind.
7. Anordnung aus mehreren Phasenschiebern nach einem der
vorstehenden Ansprüche, bei der mehrere Phasenschieber
(1) über eine gemeinsame Signalleitung (3) und
wenigstens eine gemeinsame Masseleitung (5), die
insbesondere als Koplanarleitung ausgebildet sind,
gemeinsam ansteuerbar sind, wobei die Brückenleitungen
(6) mit der/den Masseleitung/en verbunden sind.
8. Anordnung aus mehreren Phasenschiebern nach einem der
vorstehenden Ansprüche, bei der mehrere Phasenschieber
(1) in einem Abstand von etwa λ/4 in Reihe angeordnet
sind.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10009453A DE10009453A1 (de) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | Phasenschieber und Anordnung aus mehreren Phasenschiebern |
US10/220,142 US20030146806A1 (en) | 2000-02-29 | 2001-02-26 | Phase shifters and arrangement consisting of several phase shifters |
EP01923608A EP1266422A1 (de) | 2000-02-29 | 2001-02-26 | Phasenschieber und anordnung aus mehreren phasenschiebern |
PCT/EP2001/002130 WO2001065630A1 (de) | 2000-02-29 | 2001-02-26 | Phasenschieber und anordnung aus mehreren phasenschiebern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10009453A DE10009453A1 (de) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | Phasenschieber und Anordnung aus mehreren Phasenschiebern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10009453A1 true DE10009453A1 (de) | 2002-04-04 |
Family
ID=7632778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10009453A Withdrawn DE10009453A1 (de) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | Phasenschieber und Anordnung aus mehreren Phasenschiebern |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030146806A1 (de) |
EP (1) | EP1266422A1 (de) |
DE (1) | DE10009453A1 (de) |
WO (1) | WO2001065630A1 (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10061205B4 (de) * | 2000-12-08 | 2006-01-05 | Eads Deutschland Gmbh | Mikromechanischer Mikrowellenschalter |
US7148842B1 (en) * | 2003-02-11 | 2006-12-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ferroelectric delay line based on a dielectric-slab transmission line |
US7259641B1 (en) | 2004-02-27 | 2007-08-21 | University Of South Florida | Microelectromechanical slow-wave phase shifter device and method |
US7786820B2 (en) * | 2005-03-21 | 2010-08-31 | Ngimat Co. | Tunable dielectric radio frequency microelectromechanical system capacitive switch |
US20080272857A1 (en) * | 2007-05-03 | 2008-11-06 | Honeywell International Inc. | Tunable millimeter-wave mems phase-shifter |
CA2852858A1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-11-30 | C-Com Satellite Systems Inc. | Phase shifter |
CN105788971A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-07-20 | 上海交通大学 | 基于硅衬底的紧凑型mems电容式射频开关及制备方法 |
CN110824734A (zh) | 2018-08-10 | 2020-02-21 | 北京京东方传感技术有限公司 | 液晶移相器及液晶天线 |
CN114447544B (zh) * | 2020-10-30 | 2023-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移相器、天线装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5168249A (en) * | 1991-06-07 | 1992-12-01 | Hughes Aircraft Company | Miniature microwave and millimeter wave tunable circuit |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5194833A (en) * | 1991-11-15 | 1993-03-16 | Motorola, Inc. | Airbridge compensated microwave conductors |
US5619061A (en) * | 1993-07-27 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical microwave switching |
JPH11168307A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Denso Corp | マイクロ波集積回路 |
JPH11274805A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Ricoh Co Ltd | 高周波スイッチ並びに製造方法、及び集積化高周波スイッチアレイ |
US6143997A (en) * | 1999-06-04 | 2000-11-07 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Low actuation voltage microelectromechanical device and method of manufacture |
-
2000
- 2000-02-29 DE DE10009453A patent/DE10009453A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-02-26 WO PCT/EP2001/002130 patent/WO2001065630A1/de not_active Application Discontinuation
- 2001-02-26 EP EP01923608A patent/EP1266422A1/de not_active Withdrawn
- 2001-02-26 US US10/220,142 patent/US20030146806A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5168249A (en) * | 1991-06-07 | 1992-12-01 | Hughes Aircraft Company | Miniature microwave and millimeter wave tunable circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001065630A1 (de) | 2001-09-07 |
EP1266422A1 (de) | 2002-12-18 |
US20030146806A1 (en) | 2003-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5561407A (en) | Single substrate planar digital ferroelectric phase shifter | |
DE69601848T2 (de) | Chip Antenne | |
DE69228146T2 (de) | Verbesserte Miniatur-Abstimmschaltung für Mikrowellen und Millimeterwellen | |
DE60026388T2 (de) | Spannungsgesteuerte koplanare Phasenschieber | |
DE69909313T2 (de) | Spannungsgesteuerte varaktoren und abstimmbare geräte mit derartigen varaktoren | |
DE60104304T2 (de) | Mikrostreifenleiter-phasenschieber | |
EP1224675B1 (de) | Durchstimmbarer hochfrequenz-kondensator | |
DE4136476C2 (de) | Höchstfrequenzlinse und Antenne mit elektronischer Strahlschwenkung mit einer solchen Linse | |
DE2212735B2 (de) | Hochfrequenz-Übertragungsleitung in Streifenleiterbauweise | |
DE10009453A1 (de) | Phasenschieber und Anordnung aus mehreren Phasenschiebern | |
DE69216742T2 (de) | Breitbandiger Übergang zwischen einer Mikrostreifenleitung und einer Schlitzleitung | |
DE69206951T2 (de) | Dielektrischer resonator | |
DE4427034B4 (de) | Phasenschiebertafel mit vier Phasenzuständen und ihre Anwendung bei einer Höchstfrequenzlinse und einer Antenne mit elektronischer Strahlschwenkung | |
DE69009344T2 (de) | Phasenschieber mit belasteter Leitung. | |
DE602004003717T2 (de) | Substrat mit hoher impedanz | |
EP1024508A2 (de) | Elektrostatisch durchstimmbare Kapazität | |
DE10350033A1 (de) | Bauelement mit Koplanarleitung | |
DE10348722B4 (de) | Elektrisches Anpassungsnetzwerk mit einer Transformationsleitung | |
WO2005064740A1 (de) | Richtkoppler in streifenleitertechnik mit breitem koppelspalt | |
EP0673067A2 (de) | Hochfrequenzschaltung mit integrierter Logikschaltung | |
DE102005046451A1 (de) | Schaltung und Bauelement mit der Schaltung | |
EP1665315B1 (de) | Bauteil zur impedanzänderung bei einem koplanaren wellenleiter sowie verfahren zur herstellung eines bauelements | |
DE60314470T2 (de) | Netzwerk zur Vorspannungsversorgung für symmetrische Leitungen | |
DE2719272A1 (de) | Hoechstfrequenz-diodenphasenschieber | |
DE68909545T2 (de) | Phasenschieber mit durch Dioden verbundenen Streifen. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8130 | Withdrawal |