DE10005183A1 - Gleichrichteranordnung - Google Patents
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Abstract
Es wird eine Gleichrichteranordnung mit einer Schmelzsicherung vorgeschlagen, die als Verpolschutz dient. Die Schmelzsicherung umfaßt einen Halbleiterchip mit positivem Temperaturkoeffizienten, der sich bei Überhitzung auslötet und dadurch den Stromfluß unterbricht.
Description
Die Erfindung geht aus von einer Gleichrichteranordnung nach
der Gattung des Hauptanspruchs. Es ist schon eine solche
Gleichrichteranordnung aus der deutschen Patentanmeldung DE 199 08 697
bekannt, in der jedoch keine Sicherungsmaßnahmen
gegen Verpolung beschrieben sind.
Die erfindungsgemäße Gleichrichteranordnung beziehungsweise
Schmelzsicherung zur Verwendung in einer
Gleichrichteranordnung hat demgegenüber den Vorteil, daß es
ermöglicht wird, frühzeitig den Stromkreis, insbesondere im
Falle einer Verpolung, zu unterbrechen und somit einen
Brand, ausgelöst durch Überhitzung der
Gleichrichterelemente, zu verhindern. Die hierfür
vorgesehene Schmelzsicherung weist in vorteilhafter Weise
die im Bereich hoher Ströme (100 A) notwendigen engen
Herstelltoleranzen auf, so daß während des Normalbetriebs
des Generators keine Gefahr der Auslösung des
Sicherungsmechanismus besteht.
Vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen ergeben sich
durch die in den abhängigen Ansprüchen und in der
Beschreibung genannten Merkmale.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Es zeigen Fig. 1 eine Gleichrichteranordnung,
Fig. 2 den Halbleiterchip einer Schmelzsicherung, Fig. 3
ein Kühlblech, Fig. 4 die Kontaktierung einer
Schmelzsicherung.
Fig. 1 zeigt eine Gleichrichteranordnung für einen
Drehstromgenerator in einem Kraftfahrzeug. Der Eingang mit
den drei Phasenanschlüssen u, v und w ist dabei in an sich
bekannter Weise mit sechs Halbleiter-Gleichrichterelementen
1 bis 6, insbesondere Halbleiterdioden, verbunden. Die
Anoden der Dioden 4, 5 und 6 sind an einem einem
Masseanschluß angeschlossen. Die Kathoden der Dioden 1, 2
und 3 sind ebenfalls miteinander verbunden. Sie sind über
eine Schmelzsicherung 10 an dem Ausgang B+ der
Gleichrichteranordnung angeschlossen.
Der Drehstrom eines Drehstromgenerator, dessen drei
Phasenanschlüsse mit dem Eingang u, v, w verbunden sind, wird
durch den durch die Dioden 1 bis 6 gebildeten
Brückengleichrichter gleichgerichtet. Der Ausgang B+ ist mit
dem Pluspol der Bordbatterie verbindbar, der Minuspol mit
Masse, so daß der gleichgerichtete Strom des
Drehstromgenerators die Bordbatterie aufladen kann. Die
Entladung der Batterie wird durch die Dioden des
Gleichrichters verhindert. Werden jedoch die Pole der
Batterie vertauscht angeschlossen (zum. Beispiel im Falle
einer Starthilfe), kann sich die Batterie über die so in
Flußrichtung geschalteten drei Diodenstrecken 1,4
beziehungsweise 2,5 beziehungsweise 3,6 entladen. Je nach
Größe der Batterie und Ladezustand können Entladeströme bis
zu 900 A entstehen. Um diese Entladeströme zu vermeiden, die
über 60 Sekunden andauern könnten, bis durch Zerstörung der
Gleichrichterdioden oder Abschmelzen von Zuleitungsdrähten
der Stromkreis unterbrochen würde, ist die Schmelzsicherung
10 vorgesehen. So werden Gefahrensituationen vermieden, bei
denen es zu hohen Temperaturen in den
Gleichrichterkomponenten und zur Entzündung von
Isolationskunststoffen kommen kann, die zum Teil mit offener
Flamme brennen und Fahrzeugbrände auslösen können. Die
Schmelzsicherung ist hierbei eine Sicherung auf
Siliziumbasis, also dem gleichen Material, aus dem auch die
Gleichrichterelemente aufgebaut sind.
Fig. 2 zeigt den Halbleiterchip 100 der Schmelzsicherung
10. Dieser Halbleiterchip weist eine n-dotierte Mittelzone
110 auf, wobei die Dotierung der Grunddotierung des bei der
Herstellung verwendeten Halbleiterwafers entspricht. Die
Randbereiche 120 und 130 des Chips sind stark n-dotiert und
über an ihren Außenflächen aufgebrachte Metallisierungen 140
beziehungsweise 150 kontaktierbar.
Der Chip wird in ein Gehäuse eingelötet, das auch bei den
Dioden des Gleichrichters eingesetzt wird. Die
Vorgehensweise ist genau die gleiche wie die beispielsweise
aus der DE 195 49 202 (R.29710) bei den Gleichrichterdioden
bekannte. Der Chip wird hierbei mit Lot auf einem
Einpreßsockel befestigt, und auf der anderen Seite des Chips
wird der Kopfdraht aufgelötet. Der Chip hat eine
Querschnittsfläche senkrecht zur Stromrichtung, die ungefähr
gleich groß ist wie die entsprechende Querschnittsfläche
einer Gleichrichterdiode. Dadurch erreicht man, daß der
Wärmewidestand zwischen Chip und Gehäuseboden dem
entsprechenden Wärmewiderstand der Gleichrichterdioden
gleicht.
In einer einfacheren Ausführungsform können die
hochdotierten Zonen 120 und 130 weggelassen werden und der
Schmelzsicherungschip 100 vollständig aus einem n-dotierten
Gebiet 110 bestehen.
Der Schmelzsicherungschip wird aus einem homogen
beispielsweise mit Phosphor dotierten Siliziumwafer
hergestellt, der eine Dicke zwischen 130 und 200 Mikrometern
aufweist. Die Dotierstoffkonzentration beträgt 1018 cm-3, der
spezifische Widerstand bei 25 Grad Celsius zirka 23 mΩcm.
Dieser wird zur Herstellung der einfachen Ausführungsform
ohne weitere Dotierschritte auf beiden Seiten mit einer
Metallisierung versehen und in quadratische Einzelchips mit
einer Seitenlänge von zirka 4,5 Millimetern zerteilt. Das
ergibt eine Querschnittsfläche von zirka 20
Quadratmillimetern, die sich für Generatorströme über 120 A
eignet. Die Beschichtung mit Metall kann zum Beispiel durch
Aufsputtern von Chrom, nachfolgend Nickel-Vanadium und
zuletzt Silber erfolgen. Das Zerteilen erfolgt vorzugsweise
mit einer Diamantsäge. Soll der Widerstand des
Schmelzsicherungschips abgesenkt werden, so ist der in Fig.
2 gezeigte Aufbau zielführend. Hier muß vor der Aufbringung
der Metallisierung eine weitere Dotierung des bereits
dotierten Wafers und ein Diffusionsschritt erfolgen, um die
hochdotierten n-Gebiete 120 und 130 zu erzeugen.
Während die Flußspannung einer Diode einen negativen
Temperaturkoeffizienten aufweist, ist der
Temperaturkoeffizient des homogen dotierten
Schmelzsicherungschips positiv. Der Widerstand des
Schmelzsicherungschips kann daher so eingestellt werden, daß
im Normalbetrieb des Gleichrichters der Widerstand und damit
die elektrische Verlustleistung vergleichbar ist mit der
elektrischen Verlustleistung einer Gleichrichterdiode. Im
Falle einer Verpolung steigt der Widerstand der Sicherung
wegen des positiven Temperaturkoeffizienten stark an. Die
ansteigende Temperatur lötet den Schmelzsicherungschip aus
dem Gehäuse aus und der Stromkreis ist bereits nach kurzer
Entladezeit der Batterie unterbrochen. Der Widerstand der
Sicherung ist in engen Toleranzen einstellbar, die
elektrische Verlustleistung ist durch die Dotierung und
Geometrie an die Verlustleistung der Gleichrichterdioden
angepaßt. Auch die Kühlung ist durch Verwendung des gleichen
Gehäuses vergleichbar. Die Sicherung wird so im Falle einer
Batterieverpolung stets vor den Gleichrichterdioden
auslöten.
Die Fig. 3 zeigt in Draufsicht ein Kühlblech 20 mit
Aussparungen 30, 40, 50, 60 und 70. Die Aussparungen 20, 30
40, 50 und 60 haben den gleichen Durchmesser.
In die Aussparungen 30 bis 50 werden zur Herstellung der
Gleichrichteranordnung in an sich bekannter Weise die in
Form von Einpreßdioden hergestellten Gleichrichterdioden 1,
2 und 3 eingepreßt. In gleicher Weise wird das zu den
Gehäusen der Gleichrichterchips identische Gehäuse des
Schmelzsicherungschips in die Aussparung 60 eingepreßt. Die
Aussparung 70 dient zur Anbringung einer Kontaktierung des
Schmelzsicherungschips. Diese Kontaktierung ist nachfolgend
in der Erläuterung der Fig. 4 beschrieben.
Fig. 4 zeigt einen Ausschnitt des Kühlblechs 20 mit einer
in die Aussparung 60 eingepreßte Einpreßschmelzsicherung 61,
also einem Einpreßgehäuse, wie es auch für die
Gleichrichterdioden verwendet wird, in das aber statt eines
Diodenchips ein Schmelzsicherungschip montiert ist. Die
Sicherung 61 befindet sich dabei mit ihrem Einpreßsockel 63
in der Aussparung 60 des Kühlblechs. In die Aussparung 70
ist eine Kontaktschraube 71 eingebracht, die mittels einer
Isolation 72 elektrisch vom Kühlblech isoliert ist. Mittels
einer Kontaktmutter 73 ist ein Kontaktdraht 74 festgeklemmt,
der über eine Lötstelle 75 mit dem Kopfdraht 62 der
Schmelzsicherung 61 elektrisch verbunden ist.
Die Kontaktschraube 71 stellt den Ausgang B+ der
Gleichrichteranordnung dar. Der Strom fließt über das
Kühlblech 20, das die elektrische Verbindung der Kathoden
der Dioden 1, 2 und 3 bildet, über den Einpreßsockel 63 in
die Sicherung und von dort über den Kopfdraht 62, den
Kontaktdraht 74 und die Kontaktschraube 71 in das Bordnetz
beziehungsweise in die Batterie des Kraftfahrzeugs. Der
Wärmewiderstand zwischen dem Boden der einzelnen Gehäuse der
Dioden (nicht dargestellt) beziehungsweise der Sicherung 61
ist identisch. Dioden und Schmelzsicherung haben gleiche
Kühlungsbedingungen. Der Gesamtwärmewiderstand zwischen Chip
(also Diodenchip bzw. Schmelzsicherungschip) und Kühlluft
liegt bei einer Drehzahl des Drehstromgenerators von 3000 U/min.
beispielsweise bei etwa 2 K/W. Bei einem
Schmelzsicherungschip ohne hochdotierte Gebiete 120, 130 aus
einem n-dotierten Siliziumwafer mit einem spezifischen
Widerstand von 23 mΩcm bei einer Temperatur von 25 Grad
Celsius, einer Chipdicke von 200 Mikrometern und einer
Chipfläche von 20,3 Quadratmillimetern stellt sich bei der
beschriebenen Kühlblechanordnung beispielsweise bei einem
Normalbetrieb mit 120 A Generatorstrom und 120 Grad Celsius
Kühllufttemperatur so eine Gleichgewichtstemperatur von 215 Grad
Celsius am Schmelzsicherungschip ein. Der
Spannungsabfall beträgt zirka 0,4 Volt, die elektrische
Verlustleistung zirka 48 Watt. Im Vergleich dazu liegt die
Chiptemperatur der Gleichrichterdioden bei 182 Grad Celsius,
die Gesamtverlustleistung der drei Dioden 1, 2 und 3 bei 108
Watt. Werden Chips mit einer kleineren Dicke beispielsweise
von zirka 130 Mikrometern eingesetzt, können die
elektrischen Verlustleistungen weiter gesenkt werden. Die
Gleichgewichtstemperatur am Schmelzsicherungschip liegt dann
bei 177 Grad Celsius, der Spannungsabfall bei 0,24 Volt und
die Verlustleistung bei 28 Watt (also, zirka 25 Prozent der
in etwa von der Chipdicke unabhängigen gleichbleibenden
Verlustleistung der drei Dioden 1, 2 und 3 von 108 Watt.)
Claims (7)
1. Gleichrichteranordnung mit Halbleiter-
Gleichrichterelementen (1, 2, 3, 4, 5, 6) zur Gleichrichtung
einer an einem Eingang (u, v, w) der Gleichrichteranordnung
anliegenden elektrischen Wechselgröße und einem Ausgang (B+)
zum Abgreifen der gleichgerichteten elektrischen Größe,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den
Gleichrichterelementen (1, 2, 3, 4, 5, 6) und dem Ausgang
(B+) eine Schmelzsicherung (10) geschaltet ist, wobei die
Schmelzsicherung einen Halbleiterchip aus dem gleichen
Halbleitermaterial wie die Gleichrichterelemente aufweist.
2. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Gleichrichterelemente
Gleichrichter-Halbleiterchips aufweisen, die von einem
Gehäuse umgeben sind und daß der Halbleiterchip der
Schmelzsicherung von einem Gehäuse umgeben ist, das im
wesentlichen gleich aufgebaut ist wie die Gehäuse der
Halbleiter-Gleichrichterelemente.
3. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der Halbleiterchip der Schmelzsicherung
senkrecht zur Stromrichtung die gleiche Querschnittsfläche
aufweist wie ein Gleichrichter-Halbleiterchip.
4. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Gehäuse der Gleichrichterelemente
und der Schmelzsicherung Einpreßsockel aufweisen und daß
sowohl die Gleichrichterelemente als auch die
Schmelzsicherung in gleicher Weise in ein Kühlblech
eingepreßt sind.
5. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Gleichrichterelemente als
Brückengleichrichter verschaltet sind und daß die
Schmelzsicherung in das gleiche Kühlblech eingepreßt ist wie
die die positiven Anteile der elektrischen Wechselgröße
durchlassenden Halbleiter-Gleichrichterelemente (1, 2, 3).
6. Gleichrichteranordnung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterchip
der Schmelzsicherung eine n+/n/n+-Schichtenfolge aufweist,
wobei die Schichtdicken der drei Schichten etwa gleich groß
sind.
7. Schmelzsicherung zur Verwendung in einer
Gleichrichteranordnung mit Halbleiter-
Gleichrichterelementen, dadurch gekennzeichnet, daß die
Schmelzsicherung einen durch einen Stromfluß aufheizbaren
Halbleiterchip enthält, dessen Lotverbindungen zu äußeren
Kontaktierungen (62, 63) bei Überschreiten einer maximalen
Strombelastung an mindestens einer Stelle durchschmilzt, so
daß der Stromfluß durch den Halbleiterchip irreversibel
unterbrochen wird, und daß der Halbleiterchip aus dem
gleichen Halbleitermaterial besteht wie die
Gleichrichterelemente.
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WO (1) | WO2001058001A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003100855A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Robert Bosch Gmbh | Elektrisches bauelement |
WO2005122388A1 (de) | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Robert Bosch Gmbh | Generatorregler mit diagnosefunktion für halbleiterbauelemente |
DE102005046682A1 (de) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Siemens Ag | Hochstrom-Leistungsendstufe |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010038879A1 (de) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | Robert Bosch Gmbh | Gleichrichteranordnung, welche Einpressdioden aufweist |
US8981763B2 (en) | 2010-09-22 | 2015-03-17 | Infineon Technologies Ag | Di/dt current sensing |
CN103270046B (zh) | 2010-10-12 | 2016-05-11 | 费城儿童医院 | 治疗b型血友病的方法和组合物 |
US9324625B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-04-26 | Infineon Technologies Ag | Gated diode, battery charging assembly and generator assembly |
JP6626929B1 (ja) | 2018-06-29 | 2019-12-25 | 京セラ株式会社 | 半導体デバイス及び電気装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3241031A (en) | 1962-06-14 | 1966-03-15 | Gen Motors Corp | Diode protection |
JPS5228238B2 (de) * | 1972-08-24 | 1977-07-25 | ||
JPS54150683A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature fuse device |
CH661151A5 (de) | 1980-06-03 | 1987-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterelementstapel. |
JPS5745202A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Nippon Electric Co | Method of producing thermistor |
US4670970A (en) * | 1985-04-12 | 1987-06-09 | Harris Corporation | Method for making a programmable vertical silicide fuse |
JP2593471B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1997-03-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2863189B2 (ja) * | 1989-03-22 | 1999-03-03 | 松下電器産業株式会社 | ガラス封入形正特性サーミスタ |
JP2616174B2 (ja) * | 1990-07-19 | 1997-06-04 | 株式会社村田製作所 | 過電流保護部品 |
DE19549202B4 (de) | 1995-12-30 | 2006-05-04 | Robert Bosch Gmbh | Gleichrichterdiode |
DE19908697A1 (de) | 1999-02-26 | 2000-09-07 | Bosch Gmbh Robert | Gleichrichteranordnung, vorzugsweise für einen Drehstromgenerator für Kraftfahrzeuge |
DE10007209A1 (de) * | 2000-02-17 | 2001-09-06 | Bosch Gmbh Robert | Halbleiter-Leistungsbauelement mit Schmelzsicherung |
-
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003100855A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Robert Bosch Gmbh | Elektrisches bauelement |
US7675156B2 (en) | 2002-05-24 | 2010-03-09 | Robert Bosch Gmbh | Electrical component |
WO2005122388A1 (de) | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Robert Bosch Gmbh | Generatorregler mit diagnosefunktion für halbleiterbauelemente |
US7791352B2 (en) | 2004-06-09 | 2010-09-07 | Robert Bosch Gmbh | Generator regulator having a diagnostic function for semiconductor components |
DE102005046682A1 (de) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Siemens Ag | Hochstrom-Leistungsendstufe |
US7696809B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-04-13 | Vdo Automotive Ag | High current power output stage |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001058001A1 (de) | 2001-08-09 |
EP1256163B1 (de) | 2010-06-30 |
EP1256163A1 (de) | 2002-11-13 |
JP2003522513A (ja) | 2003-07-22 |
US6873511B2 (en) | 2005-03-29 |
US20030142522A1 (en) | 2003-07-31 |
DE50115538D1 (de) | 2010-08-12 |
AU2001246354A1 (en) | 2001-08-14 |
JP4873594B2 (ja) | 2012-02-08 |
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---|---|---|
EP1817799B1 (de) | Halbleiterbauelement und gleichrichteranordnung | |
DE60030619T2 (de) | Schutzvorrichtung | |
DE102004025420B4 (de) | Schaltungselement zum Sichern einer Lastschaltung und Chip mit einem derartigen Schaltungselement | |
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---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
R016 | Response to examination communication | ||
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Effective date: 20130522 |