DD280419A1

DD280419A1 - QUADERFOERMIGE CHIPLEITBRUECKE

Info

Publication number: DD280419A1
Application number: DD32633089A
Authority: DD
Inventors: Joerg Schuetze; Juergen Beator; Karin Richter
Original assignee: Elektronische Bauelemente Veb
Priority date: 1989-03-07
Filing date: 1989-03-07
Publication date: 1990-07-04

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine quaderfoermige Chipleitbruecke, die fuer die Aufsetzmontage geeignet ist. Sie ist speziell fuer den Einsatz in qualitativ hochwertigen Erzeugnissen vorgesehen, insbesondere fuer die Militaer- und Weltraumtechnik. Sie besteht aus einem elektrisch isolierenden Traegerkoerper, auf dessen Oberflaechen spezielle Weichlot- und chemisch-reduktiv erzeugte Nickel-Phosphor- oder Nickel-Bor-Schichten so angeordnet sind, dass eine hohe mechanische und elektrische Stabilitaet der Verbindung mit der Leiterplatte sowie eine hohe Funktionssicherheit und Ausbeute gegeben ist.The invention relates to a parallelepiped Chipleitbruecke that is suitable for Aufsetzmontage. It is specially designed for use in high quality products, especially for military and space technology. It consists of an electrically insulating carrier body, on the surfaces of which special soft solder and chemically reductive nickel-phosphorus or nickel-boron layers are arranged so that a high mechanical and electrical stability of the connection to the circuit board and a high reliability and Yield is given.

Description

-2- 280 419 Anwendungsgebiet der Erfindung-2- 280 419 Field of application of the invention

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektrotechnik/Elektronik.The invention relates to the field of electrical engineering / electronics.

Bei der Herstellung elektronischer Baugruppen ist es notwendig, Verbindungen zu Anschlußpunkten einer Leiterplatte, die durch Leiterbahnen nicht direkt verbindbar sind, durch Leiterbrücken zu bilden. Durch die zunehmende Integration von Bauelementen auf Leiterplatten, insbesondere seit dem verstärkten Einsatz von aufsetzbaren Bauelementen (SMDs), hat sich die Komplexität der Leiterzügr. bedeutend erhöht. Dies führt zu einem verstärkten Einsatz von Leiterbrücken, besonders von Chipleiterbrücken. Die Erfindung bezieht sich auf den Aufbau einer quaderförmigen Chipleitbrücke, die besonders für den Einsatz in qualitativ hochwertigen Erzeugnissen vorgesehen ist.In the manufacture of electronic assemblies, it is necessary to form connections to connection points of a printed circuit board, which are not directly connectable by printed conductors, by conductor bridges. Due to the increasing integration of components on printed circuit boards, in particular since the increased use of attachable components (SMDs), the complexity of Leiterzügr. significantly increased. This leads to an increased use of conductor bridges, especially chip conductor bridges. The invention relates to the construction of a cuboid Chipleitbrücke, which is particularly intended for use in high-quality products.

Charakteristik des bekannten Standes der TechnikCharacteristic of the known state of the art

Die Einführung der Aufsetzmontage (SMD-Technologie) in die Fertigung elektronischer Baugruppen stellt eine Alternative zur monolithischen Integration dar. Um die Vorteile der Aufsetzmontage voll auszuschöpfen, ist man bestrebt, möglichst alle Bauelemente einer Leiterplatte, zumindest einer Leiterbahnseite, als SMDs aufzubringen und Mischbestückungen zu vermeiden. Aus diesem Grunde ist auch die Verfügbarkeit geeigneter Chipleiterbrücken notwendig.The introduction of touchdown mounting (SMD technology) in the manufacture of electronic assemblies is an alternative to monolithic integration. In order to fully exploit the advantages of Aufsetzmontage, it is anxious to apply all possible components of a circuit board, at least one conductor track side, as SMDs and mixed assemblies avoid. For this reason, the availability of suitable chip conductor bridges is necessary.

Aus der OS DD 250002 ist eine quaderförmige Chipleiterbrücke mit einer speziell gestalteten metallischen Struktur auf vorgekerbtem keramischem Streifenmaterial bekannt, die für chemisch-reduktive und sich anschließende galvanische Verfahrenstechniken geeignet sein soll. Die Angabe der Ausmaße der metallisierten Bereiche ist unabhängig von der Größe des Chipstreifens und nur für Chipleiterbrücken mittlerer Größe geeignet. Insbesondere bei Verwendung standardisierter großer Substrate (z. B. 105x65mm²) ist der Abstand von 0,2 mm des Strukturrandes zur Kerblinie zu klein, da herstellungsbedingte Toleranzen der Kerbrasters sowie Toleranzen beim Aufbringen der Maskierungsschicht (üblicherweise durch Siebdruck) zu einer unbeabsichtigten Metallisierung der Kerben führen können. Die Größe der Rückseitenmetallisierung ist für mittlere und große Chipleiterbrücken nicht ausreichend, da die Rückseitenmetallisierung der aufgelöteten Chipleiterbrücke Scherkräften unterworfen ist, die auf die unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Leiterplattenmaterials und der Chipleiterbrücke zurückzuführen ist. Sie würde bei der Standardbauform 1206 (3,2 χ 1,6 mm²) nur 5% der gesamten Rückseitenfläche ausmachen. Dies ist insbesondere für Reflowlötungen nicht ausreichend.From OS DD 250002 a cuboid chip conductor bridge with a specially designed metallic structure on pre-scored ceramic strip material is known, which should be suitable for chemical-reductive and subsequent galvanic processing techniques. The indication of the dimensions of the metallized areas is independent of the size of the chip strip and suitable only for chip conductor bridges medium size. In particular, when using standardized large substrates (eg 105x65mm ² ), the distance of 0.2 mm of the structure border to the score line is too small, as manufacturing tolerances of the Kerbrasters and tolerances during application of the masking layer (usually by screen printing) to an unintentional metallization of Can lead to scores. The size of the backside metallization is not sufficient for medium and large chip conductor bridges since the backside metallization of the soldered chipline bridge is subject to shear forces due to the different thermal expansion coefficients of the board material and the chipline bridge. For standard 1206 (3.2 χ 1.6 mm ² ), it would only account for 5% of the total back surface. This is not sufficient in particular for reflow soldering.

Weiterhin können Haupt- oder Fremdstoffe aus der galvanisch aufgebrachten Schicht Iz. B. Cu, Cd) ungehindsert in die Lötstelle zwischen Bauelement und Anschlußpunkt der Leiterplatte gelangen und deren Eigenschaften (Schwingungsfestigkeit, Neigung zur Lötrissigkeit u.a.) negativ beeinflussen.Furthermore, main or foreign substances from the electrodeposited layer Iz. B. Cu, Cd) unhindered in the solder joint between the component and connection point of the circuit board and their properties (vibration resistance, tendency to soldering, etc.) adversely affect.

Bekannt ist auch die Verwendung glasfrittehaltiger Leitpasten auf Edelmetallbasis ?ls funktioneile Schicht auf AI₂O₃-Keramikträgermaterial. Zumeist werden Silberpasten mit Palladiumzusatz verwendet, um eine höhere Ablegierfestigkeit zu erreichen. Bedingt durch die Struktur der Leitpasten ist deren Leitfähigkeit geringer als die reiner Metalle. Um eine ausreichende Leitfähigkeit der Chipleiterbrücke zu gewährleisten, reichen die üblichen Schichtdicken von 10-16Mm nicht aus, und es müssen durch zusätzlichen Aufwand (z. B. Doppel- oder Mehrfachdruck) höhere Schichtdicken realisiert werden.Also known is the use of glass frit-containing conductive pastes based on noble metal oil functional layer on Al ₂ O ₃ -Keramikträgermaterial. In most cases, palladium-added silver pastes are used in order to achieve a higher level of break-off resistance. Due to the structure of the conductive pastes their conductivity is lower than the pure metals. In order to ensure sufficient conductivity of the chip conductor bridge, the usual layer thicknesses of 10-16 μm are not sufficient, and higher layer thicknesses must be realized by additional expenditure (eg double or multiple printing).

Ziel der ErfindungObject of the invention

Ziel der Erfindung ist es, eine qualitativ hochwertige quaderförmige Chipleitbrücke zu gestalten, die für die Aufsetzmontage (SMT) geeignet ist. Sie soll die Voraussetzungen für eine kostengünstige und produktive Herstellung bieten. Dies soll unter anderem durch den Einsatz edelmetallfreier bzw. -armer Werkstoffe erreicht werden. Durch geeigneten Aufbau und Auswahl spezieller Schichtmaterialien sollen eine hohe Funktionssicherheit der Chipleitbrücke und eine hohe Ausbeute im Herstellungsprozeß ermöglicht werden.The aim of the invention is to design a high quality cuboid Chipleitbrücke, which is suitable for mounting (SMT). It should provide the conditions for cost-effective and productive production. This is to be achieved, inter alia, by the use of precious metal-free or -armer materials. By suitable construction and selection of special layer materials a high reliability of the Chipleitbrücke and a high yield in the manufacturing process to be made possible.

Dai legung des Wesens der ErfindungDai statement of the nature of the invention

Aufgabe der Erfindung ist die Gestaltung einer quaderförmigen Chipleitbrücke mit weichlötbaren Anschlüssen auf den Stirnseiten und den angrenzenden Bereichen eines elektrisch isolierenden Trägerkörpers. Die mechanischen und elektrischen Eigenschaften der Lötstelle zwischen den Anschlüssen der Chipleitbrücke und den Anschlußpunkten der Leiterplatte sollen eine hohe Konstanz aufweisen. Der Aufbau der Chipleitbrücke soll ermöglichen, daß eine hohe Kontaktsicherheit der elektrischen Verbindung mit den Anschlüssen der Chipleitbrücke erreicht werden kann und eine gute Leitfähigkeit gegeben ist. Es sollen edelmetallfreie bzw. -arme Materialien eingesetzt werden. Insbesondere sollen die Auswirkungen schwer zu kontrollierender Umgebungseinflüsse (z. B. bei der Lagerung der Bauelemente) im Herstellungsprozeß auf die Funktion, Ausbeute und Qualität der Chipleitbrücke reduziert werden.The object of the invention is the design of a cuboid Chipleitbrücke with weichlötbaren terminals on the end faces and the adjacent areas of an electrically insulating carrier body. The mechanical and electrical properties of the solder joint between the terminals of the Chipleitbrücke and the connection points of the circuit board should have a high consistency. The structure of the Chipleitbrücke should allow a high contact reliability of the electrical connection with the terminals of the Chipleitbrücke can be achieved and good conductivity is given. It should be used precious metals-free or low-materials. In particular, the effects of difficult-to-control environmental influences (eg during storage of the components) in the production process should be reduced to the function, yield and quality of the chip lead bridge.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst, indem der quaderförmige Trägerkörpor auf Ober-, Unter- und Stirnseiten Schichten mit unterschiedlichen physikalischen und chemischen Eigenschatten aufweist, die so gestaltet sind, daß die angestrebten Eigenschaften der quaderförmigen Chipleitbrücke erreichbar sind. Sie dient zum Verbinden zweier Anschlußflächen einer Leiterplatte. Auf der Oberseite (1. Hauptfläche) des quaderförmigen Trägerkörpers befindet sich eine chemisch-reduktiv erzeugte Haftleitschicht aus einer Nickel-Phosphor- oder Nickel-Bor-Legierung, die eine ausreichende Haftfestigkeit der gesamten Schichtsysteme auf der Oberseite des Trägerkörpers sichert. Diese Haftleitschicht wird partiell von einer Weichlotlegierungsschicht bedeckt, deren Hauptbestandteile Zinn und Blei sind. Die Weichlotlegierungsschicht wiederum wird partiell von einer elektrisch isolierenden Schicht bedeckt.According to the invention the object is achieved by the cuboid Trägerkörpor on top, bottom and end faces layers having different physical and chemical properties, which are designed so that the desired properties of the cuboid Chipleitbrücke can be achieved. It serves to connect two pads of a printed circuit board. On the upper side (1st main surface) of the parallelepiped-shaped carrier body is a chemically-reductively produced adhesive layer of a nickel-phosphorus or nickel-boron alloy, which ensures sufficient adhesion of the entire layer systems on the upper side of the carrier body. This adhesive layer is partially covered by a soft solder alloy layer whose main components are tin and lead. The soft solder alloy layer in turn is partially covered by an electrically insulating layer.

Ein Paar einander gegenüberliegender Stirnseiten des Trägerkörpers wird von zwei elektrisch leitenden Schichten bedeckt, die bis auf die Oberseite (1. Hauptfläche) und Unterseite (2. Hauptfläche) des Trägerkörpers horumreichen. Die eine dieser elektrisch leitenden Schichten besteht aus einer chemisch-reduktiv erzeugton Haftschicht aus einer Nickel-Phosphor- oder Nickel-Bor-Legierung und sichert die Haftung des Schichtsystems auf den Stirnseiten und auf einem Teil der Ober- und Unterseite desA pair of opposite end faces of the carrier body is covered by two electrically conductive layers which extend to the top side (1st main surface) and bottom side (2nd main surface) of the carrier body. One of these electrically conductive layers consists of a chemically-reductively generated adhesion layer of a nickel-phosphorus or nickel-boron alloy and ensures the adhesion of the layer system on the front sides and on a part of the top and bottom of the

Trägerkörpers. Sie bedeckt weiterhin die nicht von der elektrisch isolierenden Schicht belegte Oberseite der Weichlotlegierungsschicht sowie deren zwei gegenüberliegenden Stirnseiten und die nicht von der Weichlotlegierungsschicht belegte Oberseite der Haftleitschicht sowie deren zwei gegenüberliegenden Stirnseiten. Die Haftschicht wird von einer Weichlotschicht bedeckt, die zur Kontaktierung mit den Anschlußflächon der Leiterplatte dient. Die Haftschicht und die Weichlotschicht reichen vorteilhafterweise in einer Breite B von 7-20% der Länge C des Trägerkörpers um die Stirnseiten auf die Unterseite des Trägerkörpers herum. Bei der Realisierung der Länge E der Unterseitenmetallisierung von mindestens 80% der Breite F des Trägerkörpers und bei Verwendung von Aluminiumoxyidkeramik mit 92-96%iger Reinheit und einer Oberflächenrauhigkeit von 2-5μιη ist die Verwendung von Leiterplattenmaterial mit Ausdehnungskoeffizienten von (4-25) 10"⁶^C vorteilhaft. Hierdurch ist es möglich, die zwischen Unterseitenmetdllisierung des Trägerkörpers und der Leiterplatte auftretenden Scherkräfte relativ klein zu halten und ein Ablösen der Unter? litenmetallisierung, das zum teilweisen oder vollständigen Ausfall des Bauelementes führen kann, zu vermeiden. Eine in diesem Zusammenhang stehende Vergrößerung der Breite B der Unterseitenmetallisierung ist nicht zweckmäßig, da die Länge des nichtmetallisierten Bereiches der Unterseite möglich groß sein soll, um möglichst viele, die Chipleitbrücke kreuzende Leiterbahnen unter der Unterseite hindurchführen zu können bzw. die Breite der Leiterbahnen aus Sicherheitsgründen größer als die Minimalbreite wählen iu können.Carrier body. It also covers the upper side of the soft soldering alloy layer not covered by the electrically insulating layer and its two opposite end faces and the upper side of the adhesive layer not covered by the soft soldering layer and its two opposite end faces. The adhesive layer is covered by a soft solder layer, which serves to make contact with the Anschlußflächon the circuit board. The adhesive layer and the soft solder layer advantageously extend in a width B of 7-20% of the length C of the carrier body around the end faces on the underside of the carrier body. In the realization of the length E of the underside metallization of at least 80% of the width F of the carrier body and when using Aluminiumoxyidkeramik with 92-96% purity and a surface roughness of 2-5μιη is the use of printed circuit board material with expansion coefficients of (4-25) ^"6 ^ C beneficial. this makes it possible to keep the shear forces occurring between Unterseitenmetdllisierung of the carrier body and the circuit board relatively small and peeling of the sub? litenmetallisierung that can lead to partial or complete failure of the device to avoid. One in this Related enlargement of the width B of the underside metallization is not appropriate, since the length of the non-metallized region of the bottom should be possible large, as many as possible to pass the Chipleitbrücke interconnects under the bottom can and the width of the tracks from safe For reasons of safety, it is possible to choose greater than the minimum width.

Die Kräfte, die notwendig sind, um die Haftschicht vom Trägerkörper zu lösen, sind außer den Eigenschaften des Trägerkörpers auch von der Zusammensetzung und der Dicke der Haftschicht abhängig. Chemisch reduktiv abgeschiedene Nickel-Bor- und Nickel-Phosphor-Legierungsschichten werden seit vielen Jahren in breitem Umfang zur Herstellung elektrischer und elektronischer Bauelemente sowie in anderen Gebieten z. B. Korrosionsschutz, Raumfahrt, Automobilindustrie u. a. eingesetzt. Es wurden Verfahren entwickelt, die es gestatten, chemisch-reduktiv abgeschiedene Nickel-Phosphor-Überzüge mit einem Phosphorlegierungsanteil von über 20% herzustellen. Es ist bekannt, daß Nickel-Phosphor-Legierungen mit 3-5% Phosphor ein kubisch-flächenzentriertes Gitter haben und solche mit 7% und mehr röntgenamorph sind. Mit steigendem Phosphorgehalt geht die Struktur der Legierung von einem amorphfeinkristallinen in einen vollständig amorphen Zustand über Hiermit verbunden ist eine starke Änderung der physikalischen und chemischen Eigenschaften der Nickel-Phosphor-Legierung. Während mit steigendem Phosphorlegierungsgehalt die Korrosionsbeständigkeit, Duktilität und Wärmeausdehnungskoeffizient zunehmen, sinkt die elektrische Leitfähigkeit, die Dichte, Härte und Lötbarkeit. Durch Verwendung einer Nickel-Phosphor-Legierung mit einem Phosphorlegierungsgehalt von 6-12% für die Haftschicht 5 werden eine gute Korrosionsbeständigkeit, Lötbarkeit und elektrische Leitfähigkeit erreicht, die die Herstellung und Funktion der Chipleitbrücke ermöglicht. Die Korrosionsbeständigkeit ist von großer Bedeutung, da beim Herstellungs irozeß der Chipleitbrücke zwischen Auftragen der Haftschicht und der Weichlotschicht eine Zeitspanne von Stunder, oder Tagen liegen kann, währenddessen die Schichten, insbesondere die Weichlotlegierungsschicht, aggressiven Medien (z.B. Luft) ausgesetzt sind und so deren Oberfläche korrodiert. Die negativen Auswirkungen dieses Effekts könnten durch einen Phosphorlegierungsgehalt der Haftschicht von mehr als 12% geringfügig weiter vermindert werden, jedoch spielt die elektrische Leitfähgikeit der Haftschicht ebenfalls eine große Rolle, da sie im Bereich der Berührungsfläche mit der Haftleitschicht und der Weichlotlegierungsschicht als Sperrschicht wirkt, deren Leitfähigkeit möglichst groß sein soll. Die Sperrschicht verhindert die Diffusion von Stoffen aus der Weichlotiegierungsschicht in die Weichlotschicht. Hierdurch wird die Stabilität der elektrischen und mechanischen Verbindung zwischen Weichlotschicht und Anschlußfläche garantiert und selbst geringste Verunreinigungen der Weichlotschicht durch die Weichlotlegierungsschicht vermieden. Dies ist iisbesondere bei Geräten oder Anlagen, die großen Belastungen unterworfen sind oder eine hohe Zuveilässigkeit aufweisen müssen, außerordentlich wichtig. Zum Beispiel sind Geräte, die in Raumfahrzeugen eingesetzt werden, Dauertemperaturen und/oder Temperaturwechselbelastungen von -20⁰C bis +60⁰C ausgesetzt, in Abhängigkeit vcn der Position und Lage können Extremwerte von -60°C bis +16O⁰C auftreten. Damit verbunden sind erhebliche Belastungen durch Schock, Linearbeschleunigung, Sinus-Vibration und Random-Vibration. Da die Verbindung zwischen Weichlotschicht und Anschlußfläche der Leiterplatte den größten Belastungen auegesetzt ist, muß die optimale chemische Zusammensetzung der Weichlotschicht exakt eingehalten werden, da bereits diesbezügliche, geringe Abweichungen zu einer starken Veränderung der mechanischen Eigenschaften wie Vibrationsfestigkeit, Neigung zu Lotrissigkeit, Versprödung u. a. führen können. Im Heretellungsprozeß der Chipleitbrücke kann ebenfalls eine große Zeitspanne von Stunden oder Tagen zwischen dem Aufbringen der Weichlotlegierungsschicht auf die Haftleitschicht und der Metallisierung der zu kontaktierenden Bereiche (die zwei gegenüberliegenden Stirnseiten und ein Teil der angrenzenden Oberseite) der Weichlotiegierungsschicht liegen, währenddessen die zu kontaktierenden Bereiche dieser Schicht in gewissem Maße korrodieren und somit die maximal mögliche Leitfähigkeit der Chipleitbrücke verringert wird. Um dies zu vermeiden und trotz negativer Umgebungseinflüsse während der Herstellung der Chipleitbrücke (insbesondere bezüglich der Lagerung der Bauelemente zwischen den Beschichtungsprozessen) eine ausreichende Funktionsfähigkeit der Bauelemente und somit eine hohe Ausbeute und Qualität zu ermöglichen, überlappt die Haftleitschicht die Weichlotlegierungsschicht, so daß ein Teil der Fläche der Haftleitschicht direkten Kontakt mit der Sperrschicht hat. Da die Haftleitschicht aus einer chemisch- reduktiv erzeugten Nickel-Phosphor-Legierung mit einem Phosphorlegierungsgehalt von 6-12% besteht, die korrosionsbeständig ist, ist eine gute Leitfähigkeit der Verbindung Sperrschicht-Haftleitschicht-Weichlotlegierungsschicht gegeben, die parallel zur Verbindung Spb.-.'schicht-Weichlotlegierungsschicht liegt und selbst beim Totafausfall letzterer Verbindung die Funktionsfähigkeit der Chipleitbrü^ke sichert. Die elektrische Leitfähigkeit der Haftleitschicht aus einer Nickel-Phosphor-Legierung mit einem Phosphorlegierungsgehalt von z.B. 10,5% beträgt 1,05-1,1 m/flrnm² und ist somit etwa fünf- bis achtmal nied'iger als der Wert der Weichlotlegierungsschicht, die als Hauptbestandteile edelmetallfreie Materialien in Form von Zinn und Blei enthält. Dieser Fakt ist jedoch nicht von Nachteil, da did elektrischen Eigenschaften der Haftleitschicht nur in einem wenige Mikrometer großen Bereich in unmittelbarer Umgebung der Berührungsfläche mit der von der Sperrschicht bedeckten Stirnseite der Weichlotlegierungsschicht von Bedeutung sind. Die Haftleitschicht ist 0,8-4pm dick. Hierdurch wird eine ausreichende Haftung auf dem Trägerkörper und eine ökonomische Herstellung (auf Grund der geringen Abscheidegeschwindigkeit chemisch-reduktiv erzeugter Schichten) in Verbindung mit einer ausreichenden elektrischen Leitfähigkeit in den kritischen Bereichen ermöglicht. Gleiches trifft auch für die Haftschicht einschließlich der Sperrschicht zu. Der Legierungsgehalt der Haftschicht und Haftleitschicht kann so gewählt werden, daß er den gleichen Betrag aufweist. Hierdurch ist es möglich, zur Herstellung dieserThe forces which are necessary in order to detach the adhesive layer from the carrier body, apart from the properties of the carrier body, also depend on the composition and the thickness of the adhesive layer. Chemically reductively deposited nickel-boron and nickel-phosphorus alloy layers are widely used for many years for the production of electrical and electronic components and in other areas such. As corrosion protection, space, automotive industry, among others. Processes have been developed which make it possible to produce chemically reductively deposited nickel-phosphorus coatings with a phosphorus alloy content of more than 20%. It is known that 3-5% phosphorus nickel phosphorous alloys have a cubic face centered lattice and those with 7% and more are X-ray amorphous. As the phosphorus content increases, the structure of the alloy changes from an amorphous-crystalline to a fully-amorphous state. Hereby, there is a strong change in the physical and chemical properties of the nickel-phosphorus alloy. As corrosion resistance, ductility and coefficient of thermal expansion increase with increasing phosphorus alloy content, electrical conductivity, density, hardness and solderability decrease. By using a nickel-phosphorus alloy having a phosphorus alloy content of 6-12% for the adhesive layer 5, a good corrosion resistance, solderability and electrical conductivity are achieved, which enables the manufacture and function of the Chipleitbrücke. The corrosion resistance is of great importance, since the manufacturing process of the chip lead bridge between application of the adhesive layer and the soft solder layer may be a period of hours or days, during which the layers, in particular the soft solder layer, aggressive media (eg air) are exposed and so their surface corroded. The negative effects of this effect could be slightly further reduced by a phosphorus alloy content of the adhesive layer of more than 12%, but the electroconductivity of the adhesive layer also plays a large role since it acts as a barrier layer in the region of the interface with the adhesive layer and the soft solder alloy layer Conductivity should be as large as possible. The barrier layer prevents the diffusion of substances from the soft soldering layer into the soft solder layer. As a result, the stability of the electrical and mechanical connection between the soft solder layer and pad is guaranteed and even the slightest contamination of the soft solder layer by the soft solder layer avoided. This is particularly important in devices or systems that are subject to high loads or must have a high level of reliability, extremely important. For example, devices used in spacecraft are exposed to continuous temperatures and / or thermal cycling from -20 ⁰ C to + 60 ⁰ C, depending on the position and position extreme values of -60 ° C to + 16O ⁰ C may occur. This is associated with considerable stress due to shock, linear acceleration, sinusoidal vibration and random vibration. Since the connection between soft solder layer and pad of the printed circuit board is exposed to the greatest loads, the optimum chemical composition of the soft solder layer must be maintained exactly, as already in this respect, small deviations can lead to a strong change in mechanical properties such as vibration resistance, tendency to solder cracking, embrittlement , Also, in the manufacturing process of the chip lead bridge, there may be a long period of hours or days between the application of the soft solder alloy layer to the adhesive layer and the metallization of the areas to be contacted (the two opposite end faces and a part of the adjacent top surface) of the soft soldering layer, while the areas to be contacted thereof Layer to a certain extent corrode and thus the maximum possible conductivity of Chipleitbrücke is reduced. To avoid this and despite a negative environmental influences during the production of the Chipleitbrücke (in particular with respect to the storage of the components between the coating processes) to allow sufficient functionality of the components and thus a high yield and quality, the Haftleitschicht overlaps the soft solder alloy layer, so that a part of Surface of the adhesive layer has direct contact with the barrier layer. Since the adhesive layer consists of a chemically reductively produced nickel-phosphorus alloy having a phosphorus alloy content of 6-12%, which is corrosion resistant, there is good conductivity of the compound barrier adhesive layer-soft solder alloy layer, which is parallel to the compound Spb.-. ' layer-soft solder alloy layer and even in Totafausfall latter compound the operability of the Chipleitbrü ^ ke secures. The electrical conductivity of the adhesion-promoting layer of a nickel-phosphorus alloy having a phosphorus alloy content of, for example, 10.5% is 1.05-1.1 m / nm ² and is thus about five to eight times lower than the value of the soft solder alloy layer, containing as its main components precious metal-free materials in the form of tin and lead. However, this fact is not disadvantageous because the electrical properties of the adhesive layer were important only in a few micrometers in the immediate vicinity of the contact surface with the face of the soft solder alloy layer covered by the barrier layer. The adhesive layer is 0.8-4pm thick. In this way, sufficient adhesion to the carrier body and economical production (due to the low deposition rate of chemically reductively produced layers) in conjunction with a sufficient electrical conductivity in the critical regions is made possible. The same applies to the adhesive layer including the barrier layer. The alloy content of the adhesive layer and adhesive layer may be selected to have the same amount. This makes it possible to produce this

Schichten die gleichen Bäder zu verwenden und so deren ökonomische Auslastung zu erreichen. Dies ist von besonderem Vorteil, wenn man bedenkt, daß die Nutzungsdauer chemisch-reduktiv arbeitender Bäder nicht nur vom Durchsatz, sondern auch wesentlich von der Standzeit abhängt, die realtiv gering ist. Ist die Gefahr einer starken korrosiven Beanspruchung der zu metallisierenden Bereiche der Haftleitschicht im Herstellungsprozeß gegeben, so wird man den Phosphorlegierungsgehalt dieser Schicht relativ groß wählen (9-12%) und auch die Schichtstärke (2-4 pm). Die Schichtstärke der Haftschicht ist abhängig vom Auftragsverfahren der Weichlotschicht und deren Zusammensetzung und beträgt 0,8-4 pm. Wird besonderer Wert auf eine sehr gute elektrische Leitfähigkeit der Chipleitbrücke gelegt, beträgt der Phosphorlegierungsgehalt der Haftschicht 6-9% und die Schichtstärke 0,8-2 pm.Layers to use the same baths and thus to achieve their economic utilization. This is of particular advantage, considering that the useful life of chemical-reductive baths not only depends on the throughput, but also significantly on the life, which is relatively low. If there is a risk of a strong corrosive stress on the areas of the adhesive layer to be metallized in the production process, then the phosphorus alloy content of this layer will be relatively large (9-12%) and also the layer thickness (2-4 μm). The layer thickness of the adhesive layer is dependent on the application method of the soft solder layer and its composition and is 0.8-4 pm. If special emphasis is placed on a very good electrical conductivity of the chip lead bridge, the phosphorus alloy content of the adhesive layer is 6-9% and the layer thickness is 0.8-2 μm.

Ist die Korrosionsbeanspruchung der Haftschicht und/oder Haftleitschicht relativ gering und wird eine besonders gute elektrische Leitfähigkeit der Chipleitbrücke gefordert, so ist es möglich, für diese Schichten chemisch-reduktiv erzeugte Nickel-Bor-Legierungen mit einem Borgehalt von 4-6% zu verwenden, die eine etwa um den Faktor 3,5-5 bessere elektrische Leitfähigkeit als chemisch reduktiv erzeugte Nickel-Phosphor-Legierungen mit einem Phosphorgehalt von 10% aufweisen. Ist der Legierungsgehalt der Haftleitschicht relativ gering und deren Schichtdicke relativ groß, so ist es vorteilhaft, daß die Weichlotlegierungsschicht die Haftleitschicht so überlappt, daß die Weichlotlegierungsschicht die Oberseite der Haftieitschicht im Bereich der Schmalseiten vollständig bedeckt und die Sperrschicht mit der Haftleitschicht nur über deren beiden Stirnseiten und die durch die Sperrschicht zu metallisierenden Bereiche der Längsschmalseiten der Haftleitschicht direkten Kontakt hat. Durch diese Gestaltung ist es möglich, Arbeitsschritte im Herstellungsprozeß der Chipleitbrücke einzusparen. Der generelle Vorteil der Verwendung einer Weichlotlegierungsschicht als funktionsbestimmende Schicht der Chipleitbrücke, die als Hauptbestandteile Zinn und Blei enthält, besteht darin, daß die Weichlotlegierungsschicht eine bessere Leitfähgikeit als z. B. für Chipleitbrücke übliche Silber-Palladium-Dickschichtpasten besitzt und zudem in ökonomisch günstiger Weise in großer Schichtdicke aufgebracht werden kann, wodurch eine sehr gute elektrische Leitfähigkeit der Chipleitbrücke möglich ist. Außerdem spielt der um Größenordnungen geringe Materialpreis eine wesentliche Rolle, um in ökonomischer Weise qualitativ hochwertige Chipleitbrücken herstellen zu können. Um eine verbesserte Haftfestigkeit der Weichlotlegierungsschicht auf der Haftleitschicht zu erreichen, ist es vorteilhaft, der Weichlotlegierungsschicht einen geringen Anteil Silber zuzusetzen. Die Liquidustemperatur der Weichlotlegierungsschicht ist gleich oder größer als die der Weichlotschicht. Dies ist möglich, da zur Kontaktierung von SMDs auf der Leiterplatte fast ausschließlich Lötverfahren zur Anwendung kommen, die eine kurze Verweilzeit der Bauelemente im Lötbad bedingen. Dieser Umstand und der Fakt, daß die elektrisch isolierende Schicht ein schlechter Wärmeleiter ist und die Chipleitbrücke eine große Wärmekapazität besitzt, verhindert ein Aufschmelzen der Weichlotlegierungsschicht selbst bei gleicher Liquidustemperatur von Weichlotlegierungsschicht und Weichlotschicht. Die Dicke der Weichlotlegierungsschicht beträgt mindestens das Fünffache der Dicke der Haftleitschicht, um eine ausreichende Leitfähigkeit der Chipleitbrücke zu sichern.If the corrosion stress of the adhesive layer and / or adhesive layer is relatively low and if a particularly good electrical conductivity of the chip conductive bridge is required, it is possible to use chemically reductively produced nickel-boron alloys with a boron content of 4-6% for these layers. which have about a factor of 3.5-5 better electrical conductivity than chemically reductively produced nickel-phosphorus alloys with a phosphorus content of 10%. If the alloy content of the adhesive layer is relatively small and its layer thickness is relatively large, it is advantageous for the soft solder layer to overlap the adhesive layer so that the soft solder layer completely covers the top of the adhesive layer in the region of the narrow sides and the barrier layer with the adhesive layer only over its two end faces and the areas of the longitudinal narrow sides of the adhesive layer to be metallized by the barrier layer are in direct contact. With this design, it is possible to save work steps in the manufacturing process of Chipleitbrücke. The general advantage of using a soft solder alloy layer as the function-determining layer of the chip lead bridge, which contains tin and lead as main constituents, is that the soft solder alloy layer has better conductivity than, for example, silicon dioxide. B. for Chipleitbrücke usual silver-palladium thick-film pastes and also can be applied in an economically favorable manner in a large layer thickness, whereby a very good electrical conductivity of the Chipleitbrücke is possible. In addition, the order of magnitude small material price plays an essential role in order to produce high quality Chipleitbrücken in an economical way. In order to achieve an improved adhesive strength of the soft solder alloy layer on the adhesive layer, it is advantageous to add a small amount of silver to the soft solder alloy layer. The liquidus temperature of the soft solder alloy layer is equal to or greater than that of the soft solder layer. This is possible because almost exclusively soldering methods are used for contacting SMDs on the printed circuit board, which require a short residence time of the components in the solder bath. This fact and the fact that the electrically insulating layer is a poor conductor of heat and the Chipleitbrücke has a large heat capacity, prevents melting of the soft solder alloy layer even at the same liquidus temperature of soft solder and soft solder layer. The thickness of the soft solder alloy layer is at least five times the thickness of the adhesive layer in order to ensure sufficient conductivity of the Chipleitbrücke.

Durch die erfindungsgemäße Gestaltung der Chipleitbrücke ist es möglich, die Haftleitschicht, die Weichlotlegierungsschicht und die elektrisch isolierende Schicht im Substratverband aufzubringen, anschließend das Substrat in Streifen zu teilen und nach dem Aufbringen der Haftschient und der Weichlotschicht den Mehrfachträgerstreifen in einzelne quaderförmige Chipleitbrücken zu separieren. Hierdurch ist eine ökonomische Herstellung der erfindungsgemäßen quaderförmigen Chipleitbrücke gegeben.The design according to the invention of the chip lead bridge makes it possible to apply the adhesive layer, the soft solder alloy layer and the electrically insulating layer in the substrate assembly, then to divide the substrate into strips and to separate the multi-carrier strip into individual cuboid chip conductor bridges after application of the adhesive rail and the soft solder layer. As a result, an economical production of the cuboid Chipleitbrücke invention is given.

Ausführungsbeispielembodiment

Die Erfindung wird anhand zweier Zeichnungen näher erläutertThe invention will be explained in more detail with reference to two drawings

Es zeigen: Show it:

Fig. 1: Prinzipdarstellung einer erfindungsgemäßen Chipleitbrücke, die auf eine Leiterplatte aufgeklebt ist (Längsschnitt)1 is a schematic diagram of a Chipleitbrücke invention, which is glued to a circuit board (longitudinal section) Fig. 2: Draufsicht auf eine Chipleitbrücke gemäß Figur 1FIG. 2: top view of a chip guide bridge according to FIG. 1 Fig. 3: vergrößerte Darstellung des Bereiches der Sperrschicht 51 gemäß Figur 13 shows an enlarged view of the area of the barrier layer 51 according to FIG. 1 Fig. 4: Prinzipdarstellung der Unterseite der Chipleitbrücke gemäß Figur 1.4 shows a schematic diagram of the underside of the chip guide bridge according to FIG. 1.

In Figur 1 wird der prinzipielle Aufbau einer erfindungsgomäßen quaderförmigen Chipleitbrücke im Längsschnitt gazeigt. Sie weist einen Aluminiumoxidkeramikträgerkörper 1 mit 96% Reinheitsgehalt auf, der eine Länge C von 3,0mm, eine Breite F von 1,5mm, eine Dicke G von 0,5mm und eine Rautiefe von 2-5pm auf. Die Oberseite 12 des Trägerkörpers 1 ist partiell von einer Haftleitschicht 2 aus einer chemisch-reduktiv erzeugten Nickel-Phosphor-Legierung bedeckt, deren Dicke D₂1,5pm beträgt. Der Phosphorlegierungsgehalt liegt bei 9%, so daß die Haftleitschicht 2 eine elektrische Leitfähigkeit von 1,5-1,7 m/Ω mm² aufweist. Die Oberseite 22 der Haftleitschicht 2 wird partiell von einer Weichlotlegierungsschicht 3 in einer Dicke D₃ von 25-30 pm bedeckt (Figur 3). Die Weichlotlegierungsschicht 3 besteht aus 46% Blei, 50% Zinn und 4% Silber, die Solidustemperatur beträgt 171⁰C, die elektrische Leitfähigkeit 7,0 m/Ω mm². Die Oberseite 32 der Weichlotlegierungsschicht 3 wird partiell von einer elektrisch isolierenden Schicht 4 bedeckt. Auf den beiden einander gegenüberliegenden Stirnseiton 11 des Trägerkörpers 1 befindet sich eine 1 pm dicke Haftschicht 5 aus einer chemisch-reduktiv erzeugten Nickelphosphorlegierung mit einem Phosphorgehalt von 9%, deren Leitfähigkeit 1,5-1,7 m/Ω mm² beträgt (Figur 1 und 2). Die Haftschicht 5 reicht bis auf die Oberseite 12 des Trägerkörpers 1 herum und bedeckt den zu metallisierenden Bereich 14 der Oberseite 12, dio beiden Stirnseiten 21 der Haftleitschicht 2, deren zu metallisierenden Bereich 23 der Längsschmalseite 24 und deren nicht von der Weichlotlegierungsschicht 3 bedeckten Bereich der Oberseite 22, die beiden Stirnseiten 31 der Weichlotlegierungsschicht 3, deren zu metallisierenden Bereich 33 der Längsschmalseite 34 und einen Teil doren Oberseite 32. Die Haftschicht 5 endet an der Stirnseite der elektrisch isolierenden Schicht 4. Die Haftschicht 5 reicht auch bis auf die Unterseite 13 des Trägerkörpers 1 herum (Figur 1 und 4). Die Breite B der metallisierten Bereiche 15 der Unterseite beträgt 0,3mm, deren Länge E 1,2mm. Die Haftschicht 5 wird von einer Weichlotschicht 6 bedeckt, die 36% Blei, 60% Zinn und 4% Silber enthält und deren Solidustemperatur 173°C beträgt. Im Kontaktbereich der Haftschicht 5 mit der Haftleitschicht 2 und der Weichlotlegierungsschicht 3 wirkt diese als Sperrschicht 51. Die Sperrschicht 51 verhindert die Diffusion von Fremdstoffen bzw.In Figure 1, the basic structure of a erfindungsgomäßen cuboid Chipleitbrücke is shown in longitudinal section ga. It has an alumina ceramic carrier body 1 with 96% purity content, which has a length C of 3.0 mm, a width F of 1.5 mm, a thickness G of 0.5 mm and a roughness depth of 2-5 pm. The upper side 12 of the carrier body 1 is partially covered by a Haftleitschicht 2 made of a chemically-reductively produced nickel-phosphorus alloy whose thickness D _{2 is} 1.5 pm. The phosphorus alloy content is 9%, so that the adhesive layer 2 has an electrical conductivity of 1.5-1.7 m / Ω mm ² . The upper side 22 of the adhesive layer 2 is partially covered by a soft solder alloy layer 3 in a thickness D ₃ of 25-30 μm (FIG. 3). The soft solder alloy layer 3 consists of 46% lead, 50% tin and 4% silver, the solidus temperature is 171 ⁰ C, the electrical conductivity 7.0 m / Ω mm ² . The upper surface 32 of the soft solder alloy layer 3 is partially covered by an electrically insulating layer 4. On the two opposite Stirnseiton 11 of the carrier body 1 is a 1 pm thick adhesive layer 5 of a chemically-reductively produced nickel phosphorus alloy with a phosphorus content of 9%, whose conductivity is 1.5-1.7 m / Ω mm ² (Figure 1 and 2). The adhesive layer 5 extends up to the upper side 12 of the carrier body 1 and covers the area 14 to be metallized of the upper side 12, the two end faces 21 of the adhesive layer 2, the region 23 of the longitudinal narrow side 24 to be metallized and its region not covered by the soft solder layer 3 The adhesive layer 5 terminates at the end face of the electrically insulating layer 4. The adhesive layer 5 also extends to the underside 13 of the upper side 22, the two end faces 31 of the soft solder layer 3, the metallizing region 33 of the longitudinal narrow side 34 and a part Carrier body 1 around (Figure 1 and 4). The width B of the metallized areas 15 of the underside is 0.3 mm, whose length E is 1.2 mm. The adhesive layer 5 is covered by a soft solder layer 6 which contains 36% lead, 60% tin and 4% silver and whose solidus temperature is 173 ° C. In the contact region of the adhesive layer 5 with the adhesive layer 2 and the soft solder alloy layer 3, this acts as a barrier layer 51. The barrier layer 51 prevents the diffusion of foreign substances or

Verunreinigungen, die in der Weichlotlegierungsschicht 3 in einem geringen Prozentsatz vorhanden sind (z. B. Aluminium, Zink, Cadmium u.a.), in die Woichlotschicht 6, aber auch, einen Konzentrationsausgleich zwischen den Hauptbestandteilen Blei und Zinn, wodurch wesentliche Veränderungen in der dynamischen Festigkeit der Verbindung Weichlotschicht 6 - Anschlußfläche 71 der Leiterplatte 7 verhindert werden.Impurities present in the soft solder alloy layer 3 in a low percentage (eg, aluminum, zinc, cadmium, etc.), in the solder layer 6, but also, a concentration balance between the main components lead and tin, resulting in significant changes in the dynamic strength the compound soft solder layer 6 - pad 71 of the circuit board 7 can be prevented.

Figur 1 zeigt die Schnittdarstellung einer quaderförmigen Chipleitbrücke im aufgeklebten Zustand. Durch den Klebstoff 8 ist die Chipleitbrücke auf der Leiterplatte 7 fixiert. Durch ein geeignetes Lötverfahren, z. B. Schwallöten, kann eine stabile elektrische und mechanische Verbindung zwischen der Kontaktfläche 61 der Weici.lotschicht 6 und der Anschlußfläche 71 der Leiterplatte 7 hergestellt werden. Die Leiterplatte 7 weist einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von (4-25) 10~°| "C auf. Durch die Dimensionierung der Unterseitenmetallisierung 15 ist eine ausreichende mechanische Stabilität gegen Scherbelastung gegeben.Figure 1 shows the sectional view of a cuboid Chipleitbrücke in glued state. By the adhesive 8, the Chipleitbrücke is fixed on the circuit board 7. By a suitable soldering, z. As wave soldering, a stable electrical and mechanical connection between the contact surface 61 of the Weici.lotschicht 6 and the pad 71 of the circuit board 7 can be made. The printed circuit board 7 has a coefficient of thermal expansion of (4-25) 10 ~ ° | The dimensioning of the underside metallization 15 provides adequate mechanical stability against shear stress.

Die nichtmetallisierte Fläche der Unterseite 13 ist so groß, daß zwei Leiterbahnen 72 von 0,3mm Breite und einem Abstand von 0,3 mm zueinander unter der Chipleiterbrücke hindurchgeführt werden können.The non-metallized surface of the underside 13 is so large that two conductor tracks 72 of 0.3 mm width and a distance of 0.3 mm from each other can be passed under the chip conductor bridge.

Claims

1. Quaderförmige Chipleitbrücke zum Verbinden zweier Anschlußflächen (71) einer Leiterplatte (7), bestehend aus einem elektrisch isolierenden quaderförmigen Trägerkörper (1) mit einer Oberseite (12), einer Unterseite (13) und zwei Stirnseiten (11), die von einer Weichlotschicht (6) bedeckt sind, die bis auf die Oberseite (12) und die Unterseite (13) herumreicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberseite (12) von einer chemisch reduktiv erzeugten und 0,8-4μιπ dicken Haftleitschicht (2) aus einer Nickel-Phosphor- oder Nickel-Bor-Legierung bedeckt ist, deren Legiörungsgehalt 6-12% Phosphor oder 4-6% Bor beträgt, daß die Haftleitschicht (2) partiell von einer Weichlotlegierungsschicht (3) bedeckt ist, daß die Weichlotlegierungsschicht (3) partiell von einer elektrisch isolierenden Schicht (4) bedeckt ist, daß der nicht von der elektrisch isolierenden Schicht (4) bedeckte Bereich der Oberseite (32) der Weichlotlegierungsschicht (3), deren zu metallisierender Bereich (33) der Längsschmalseite (34) und deren Stirnseiten (31), der nicht von der Weichlotlegierungsschicht (3) bedeckte Bereich der Oberseite (22) der Haftleitschicht (2), deren zu metallisierender Bereich (23) der Längsschmalseite (24) und deren Stirnseiten (21), die nicht von der Haftleitschicht (2) metallisierten Bereiche (14) der Oberseite (12) des Trägerkörpers (1), die Stirnseiten (11) des Trägerkörpers (1) und ein Teil, dessen Unterseite (13), der die Breite B aufweist, die 7-20% der Länge C des Trägerkörpers (1) beträgt, von einer 0,8-4pm dicken chemisch reduktiv erzeugten Haftschicht (5) aus einer Nickel-Phosphor- oder Nickel-Bor-Legierung mit einem Legierungsgehalt von 6-12% Phosphor bzw. 4-6% Bor bedeckt ist, die zwischen der Weichlotschicht (6) und der Haftleitschicht (2) bzw. Weichlotlegierungsschicht (3) als Sperrschicht (51) wirksam ist und daß das Verhältnis der Dicke (D₃) der Weichlotlegierungsschicht (3) zur Dicke (D;) der Haftleitschicht (2) mindestens 5 beträgt.1. cuboid Chipleitbrücke for connecting two pads (71) of a printed circuit board (7) consisting of an electrically insulating cuboid support body (1) having an upper side (12), a lower side (13) and two end faces (11) of a soft solder layer (6) which extends to the top (12) and the bottom (13), characterized in that the top (12) of a chemically reductively produced and 0.8-4μιπ thick adhesive layer (2) made of a nickel Phosphorous or nickel-boron alloy whose content is 6-12% of phosphorus or 4-6% boron, that the adhesive layer (2) is partially covered by a soft solder layer (3), that the soft solder layer (3) partially is covered by an electrically insulating layer (4) such that the region of the upper surface (32) of the soft soldering alloy layer (3) not covered by the electrically insulating layer (4) has its region (33) to be metallized Longitudinal side (34) and its end faces (31), not covered by the soft solder alloy layer (3) region of the upper side (22) of the Haftleitschicht (2), the area to be metallized (23) of the longitudinal narrow side (24) and the end faces (21) not metallized regions (14) of the upper side (12) of the carrier body (1), the front sides (11) of the carrier body (1) and a part whose underside (13) having the width B, of the adhesive layer (2) which is 7-20% of the length C of the carrier body (1), of a 0.8-4 μm thick chemically reductively generated adhesion layer (5) made of a nickel-phosphorus or nickel-boron alloy having an alloy content of 6-12 % Phosphorus or 4-6% boron, which is effective between the soft solder layer (6) and the adhesive layer (2) and soft solder alloy layer (3) as a barrier layer (51) and that the ratio of the thickness (D ₃ ) of the soft solder alloy layer (3) to the thickness (D;) of the adhesive layer (2) is at least 5.

2. Quaderförmige Chipleitbrücke nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Solidustemperatur der Weichlotlegierungsschicht (3) gleich oder größer ist als die der Weichlotschicht (6).2. Cuboid Chipleitbrücke according to claim 1, characterized in that the solidus temperature of the soft solder alloy layer (3) is equal to or greater than that of the soft solder layer (6).

3. Quaderförmige Chipleitbrücke nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Weichlotlegierungsschicht (3) aus einer Legierung besteht, deren Hauptbestandteile Zinn und Blei sind.3. cuboid Chipleitbrücke according to claim 1, characterized in that the soft solder alloy layer (3) consists of an alloy whose main components are tin and lead.

4. Quaderförmige Chipleitbrücke nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Weichlotlegierungsschicht (3) Silber enthält.4. cuboid Chipleitbrücke according to claim 1 and 2, characterized in that the soft solder alloy layer (3) contains silver.

5. Quaderförmige Chipleitbrücke nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftleitschicht (2) und die Haftschicht (5) den gleichen Legierungsanteil aufweisen.5. cuboid Chipleitbrücke according to claim 1, characterized in that the Haftleitschicht (2) and the adhesive layer (5) have the same alloy content.

6. Quaderförmige Chipleitbrücke nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Weichlotlegierungsschicht (3) von der Haftleitschicht (2) so überlappt wird, daß nur die beiden einander gegenüberliegenden Stirnseiten (21) und der zu metallisierende Bereich der Längsschmalseite (23) der Haftleitschicht (2) mit der Sperrschicht (51) direkten Kontakt hat.6. cuboid Chipleitbrücke according to claim 1, characterized in that the soft solder alloy layer (3) of the Haftleitschicht (2) is overlapped so that only the two opposite end faces (21) and the region to be metallized longitudinal narrow side (23) of the Haftleitschicht ( 2) has direct contact with the barrier layer (51).

7. Quaderförmige Chipleitbrücke nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper (1) ein Mehrfachträgerkörper ist, der vorgegebene Sollbruchstellen aufweist und nach dem Aufbringen der funktioneilen Schichten in einzelne quaderförmige Chipleitbrücken separiert werden kann.7. cuboid Chipleitbrücke according to claim 1, characterized in that the carrier body (1) is a multi-carrier body having predetermined predetermined breaking points and can be separated after application of the functional layers in individual cuboid Chipleitbrücken.

8. Quaderförmige Chipleitbrücke nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper (1) aus Aluminiumoxidkeramik 92-96%iger Reinheit besteht, die eine Rautiefe von 2-5Mm aufweist.8. cuboid Chipleitbrücke according to claim 1, characterized in that the carrier body (1) made of alumina ceramic 92-96% purity, which has a roughness of 2-5Mm.

9. Quaderförmige Chipleitbrücke nach Anspruch 1 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausdehnungskoeffizient der Leiterplatte (7) (4-25) · 10~⁶/°C beträgt.9. cuboid Chipleitbrücke according to claim 1 and 8, characterized in that the coefficient of expansion of the printed circuit board (7) (4-25) × 10 ~ ⁶ / ° C.

10. Qu /derförmige Chipleitbrücke nach Anspruch 1,8 und 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite B des metallisierten Bereiches der Unterseite (13) 7-20% der Länge C des Trägerkörpers beträgt.10. Qu / derförmige Chipleitbrücke according to claim 1,8 and 9, characterized in that the width B of the metallized region of the underside (13) is 7-20% of the length C of the carrier body.

11. Quaderförmige Chipleitbrücke nach Anspruch 1,8, 9 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge E der metallisierten Bereiche mindestens 80% der Breite F des Trägerkörpers beträgt.11. cuboid Chipleitbrücke according to claim 1,8, 9 and 10, characterized in that the length E of the metallized areas is at least 80% of the width F of the carrier body.

Hierzu 2 Seiten ZeichnungenFor this 2 pages drawings