DD273695A1 - METHOD FOR DETECTING FAST-LASTING PROCESSES IN INTEGRATED CIRCUITS, USING A LASER GRID MICROSCOPE WITH OBIC LEVEL - Google Patents

Abstract

Verfahren zur Erfassung schnell ablaufender Prozesse in integrierten Schaltkreisen unter Verwendung eines Laser-Raster-Mikroskopes mit OBIC-Stufe. Die Erfindung ist geeignet fuer die Testung von Halbleiterbauelementen, insbesondere von integrierten Schaltkreisen. Die Loesung besteht darin, dass zwei gepulste Laserstrahlen unterschiedlicher Intensitaet und starrer Kopplung ihrer Impulsfolgefrequenzen vorgesehen sind, von denen der hoeherer Intensitaet auf der Oberflaeche des Schaltkreises wahlweise frei positioniert wird, der Laserstrahl geringerer Intensitaet zur Gewinnung einer raeumlichen Information die Oberflaeche abrastert und zur Gewinnung einer zeitlichen Information die Impulse der beiden Laserstrahlen zeitlich gegeneinander verzoegerbar sind.Method for detecting fast processes in integrated circuits using a laser scanning microscope with OBIC stage. The invention is suitable for the testing of semiconductor devices, in particular of integrated circuits. The solution is that two pulsed laser beams of different intensity and rigid coupling of their pulse repetition frequencies are provided, of which the higher intensity on the surface of the circuit is optionally freely positioned, the laser beam of lesser intensity to obtain a spatial information scans the surface and to obtain a temporal information, the pulses of the two laser beams are temporally verzöberbar against each other.

Description

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Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erfassung schnell ablaufender Prozesse in integrierten Schaltkreisen unter Verwendung eines Laser-Raster-Mikroskopes mit OBIC-Stufe. Die Erfindung kann in der Testung von Halbleiterbauelementen, insbesondere von integrierten Schaltkreisen eingesetzt werden.The invention relates to a method for detecting fast processes in integrated circuits using a laser scanning microscope with OBIC stage. The invention can be used in the testing of semiconductor devices, in particular of integrated circuits.

Charakteristik des bekannten Standes der TechnikCharacteristic of the known state of the art

Der Funktionstest hochintegrierter Schaltkreise erfolgt üblicherweise in rechnergestützten Testanlagen. Die sehr zeitaufwendigen Testverfahren bieten den Eingängen des zu untersuchenden Schaltkreises ein Bitmuster an und aus der Analvse der resultierenden Ausgangsbelegung werden Fehlfunktionen des ICs erkannt. Eine Lokalisierung des Fehlers ist insofern schwierig, da die diskrete Anzahl der Ausgangspins (256) ein eindeutiges Zuordnen auf die um rund 3 Größenordnungen größere Anzahl von Schaltelementen (100000) nicht erlaubt.The functional test of highly integrated circuits is usually carried out in computer-aided test systems. The very time-consuming test procedures provide a bit pattern to the inputs of the circuit under test and malfunction of the IC is detected from the analysis of the resulting output assignment. A localization of the error is difficult because the discrete number of output pins (256) does not allow unambiguous allocation to the number of switching elements (100000) which is larger by about 3 orders of magnitude.

Insbesondere während der Entwicklungsphase eines Schaltkreises müssen Pegelmessungen im Inneren der Schaltung durchgeführt werden. Die in der LSI-Technologie verwendeten Nadeltester sind in der VLSI- und ULSI-Technologie wegen der Kanalbreiten und der bei hohen Betriebsfrequenzen störenden Kapazitäten ungeeignet.In particular, during the development phase of a circuit, level measurements must be performed inside the circuit. The needle testers used in LSI technology are unsuitable in VLSI and ULSI technology because of the channel widths and the disturbing capacitances at high operating frequencies.

Zur Bestimmung der inneren logischen Zustände von ICs wurden in den letzten Jahren Laser-Raster-Mikroskope erfolgreich eingesetzt (R.Müller, Siemens Forschungs- und Entwicklungsbericht 13 [1985] 9-14; Scanning 7 [1,985] 88-96).Laser scanning microscopes have been used successfully in recent years to determine the internal logic states of ICs (R.Müller, Siemens Research and Development Report 13 [1985] 9-14; Scanning 7 [1,985] 88-96).

Die als OBIC-Verfahren (optisch induzierter Strom) bekanntgewordene Untersuchungsmethode beruht auf der punktweisen Abrasterung der Oberfläche des zu untersuchenden Schaltkreises mit einem fokussieren Laserbündel, wobei durch Absorption der Laserstrahlung im Halbleitersubstrat Elektron-Loch-Paare erzeugt werden. Im Bereich eines gesperrten p-n-Überganges werden diese Ladungsträger getrennt und bewirken im äußeren Stromkreis eine Stromänderung. Diese Stromänderung wird verstärkt und entsprechend der Rasterfrequenz des abtastenden Laserspots zum Aufbau eines Bildes genutzt.The OBIC method (optically induced current) became known investigation method based on the pointwise scanning of the surface of the circuit to be examined with a focused laser beam, which are generated by absorption of the laser radiation in the semiconductor substrate electron-hole pairs. In the region of a blocked p-n junction these charge carriers are separated and cause a change in current in the external circuit. This current change is amplified and used according to the scanning frequency of the scanning laser spot to build an image.

Somit ist es möglich, ein Gesamtbild der inneren Pegel eines integrierten Schaltkreises zu bekommen. Nachteilig ist, daß die Bildaufbauzeit im Bereich einiger Sekunden liegt, der Schaltkreis somit nur mit statischer bzw. quasistatischer Eingangsbelegung getestet werden kann.Thus, it is possible to get an overall picture of the internal levels of an integrated circuit. The disadvantage is that the image buildup time is in the range of a few seconds, the circuit can thus be tested only with static or quasi-static input assignment.

Ein anderes Verfahren, das es ermöglicht, den inneren logischen Pegel bei einigen MHz Taktfrequenz zu erfassen, wird von HENLEV beschrieben (US 4588950). Dabei wird mit einem intensitätsmodulierten Laser auf eine diskrete Stelle des ICs eingestrahlt und der modulierte Photostrom aus dem Betriebsstrom des ICs analysiert. Dieses Verfahren liefert aber keine Gesamtheit der logischen Zustände.Another method that makes it possible to detect the internal logic level at some MHz clock frequency is described by HENLEV (US 4588950). In this case, an intensity-modulated laser is irradiated to a discrete location of the IC and the modulated photocurrent is analyzed from the operating current of the IC. However, this method does not provide a set of logical states.

Eine Erweiterung des OBIC-Verfahrens mit einem Laser-Raster-Mikroskop stellt die Untersuchung des dynamischen Verhaltens eines integrierten Schaltkreises dar. Um innerhalb eines Schaltkreises die Elemente zu lokalisieren, die im dynamischen Betrieb die Arbeitsgeschwindigkeit limitieren oder die dynamisch fehlerhaft arbeiten, sind Laser ausgesprochen gut geeignet. Zum einen kann man mit Hilfe von elektrooptischen bzw. akustooptischen Modulatoren die Sirahlungsintensität und damit den induzierten Photostrom bis in den Bereich einiger 100MHz modulieren. Das Signal, das bei fester oder beliebiger Position des Laserspots auf der Schaltkreisoberfläche erzeugt wird, wird dann mit Lock-in-Technik (US 4563642) oder schnellen Oszillographen (US 2203550) aufgenommen. Es können damit sowohl Grenzfrequenz als auch Ladungsträgerlebensdauern bestimmt werden. Das Laser-Raster-Mikroskop dient dabei zur Strahlpositionierung. Um größere Grenzfrequenzen registrieren zu können, werden modensynchronisierte Laser mit Impulslängen von einigen Pikosekunden bis Sub-Pikosekunden eingesetzt (IEEE QE-19 [1983] 658). Das durch optisches Durchschalten eines Transistors erzeugte elektrische Signal wird mit hochfrequenten Sampling-Oszillographen untersucht.An extension of the OBIC method with a laser scanning microscope is the investigation of the dynamic behavior of an integrated circuit. In order to locate elements within a circuit that limit the operating speed during dynamic operation or that operate dynamically erroneously, lasers are extremely good suitable. On the one hand, with the help of electro-optical or acousto-optic modulators one can modulate the intensity of the sirloin and thus the induced photocurrent up to the range of a few 100 MHz. The signal generated at fixed or arbitrary position of the laser spot on the circuit surface is then taken with lock-in technique (US 4563642) or fast oscilloscope (US 2203550). It can thus be used to determine both limit frequency and charge carrier lifetimes. The laser scanning microscope serves for beam positioning. In order to register larger cutoff frequencies, mode-locked lasers with pulse lengths of a few picoseconds to sub-picoseconds are used (IEEE QE-19 [1983] 658). The electrical signal generated by optically switching on a transistor is examined with high-frequency sampling oscillographs.

Ziel der ErfindungObject of the invention

Ziel der Erfindung ist ein Verfahren, das es ermöglicht, OBIC-Bilder von ICs mit einem Laser-Raster-Mikroskop aufzunehmen, die den logischen Zustand nach definierten Zeitintervallen darstellen, wobei die zeitliche Auflösung im Pikosekundenbereich liegt, das dynamische Verhalten auch innerer Strukturen des ICs zu testen und interne Schalt- und Laufzeiten zu registrieren.The aim of the invention is a method which makes it possible to record OBIC images of ICs with a laser scanning microscope, which represent the logical state at defined time intervals, the temporal resolution is in the picosecond range, the dynamic behavior of internal structures of the ICs to test and register internal switching and running times.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu entwickeln, das in der Lage ist, interne Schalt- und Laufzeiten eines hochintegrierten Schaltkreises zu bestimmen und OBIC-Bilder von ICs mit einem Laser-Raster-Mikroskop aufzunehmen, die den logischen Zustand nach definierten Zeitintervallen darstellen, wobei die zeitliche Auflösung im Pikosekundenbereich liegt. Die Lösung dieser Aufgabe gelingt mit einem Laser-Raster-Mikroskop mit OBIC-Stufe erfindungsgemäß dadurch, daß zwei gepulste Laserstrahlen unterschiedlicher Intensität und starrer Kopplung ihrer impulsfolgefrequenzen vorgesehen sind, von denen der höherer Intensität auf der Oberfläche des Schaltkreises wahlweise frei positioniert wird, der Laserstrahl geringerer Intensität zur Gewinnung einer räumlichen Information die Oberfläche abrastert und zur Gewinnung einer zeitlichen Information die Impulse der beiden Laserstrahlen zeitlich gegeneinander verzögerbar sind. Als Laserstrahlungsquelle wird ein modensynchronisierter Laser mit der Impulsbreite tP und der Impulsfolgefrequenz fL verwendet.The invention has for its object to develop a method that is able to determine the internal switching and transit times of a large scale integrated circuit and to record OBIC images of ICs with a laser scanning microscope, the logical state at defined time intervals represent, with the temporal resolution in the picosecond range. The solution of this problem is achieved with a laser scanning microscope with OBIC stage according to the invention characterized in that two pulsed laser beams of different intensity and rigid coupling their pulse repetition frequencies are provided, of which the higher intensity on the surface of the circuit is optionally positioned freely, the laser beam lesser intensity to obtain a spatial information scans the surface and to obtain a temporal information, the pulses of the two laser beams are temporally mutually delayed. The laser radiation source used is a mode-synchronized laser with the pulse width tP and the pulse repetition frequency fL.

Mit dieser fokussieren Strahlung (hohe räumliche Auflösung) wird die Oberfläche des integrierten Schaltkreises abgerastert. Der von der Oberfläche reflektierte Strahlungsanteil wird einem Photoempfänger zugeführt und dient dem Aufbau eines Reflexionsbildes {Auflichtverfahren) zur Orientierung auf dem Schaltkreis. Der von der Laserstrahlung induzierte Photostrom wird zum Aufbau eines OBIC-Bildes benutzt. Dabei muß gelten, daß die Scanfrequenz des Laserspots fS wesentlich kleiner als die Laserfolgefrequenz fL ist (fS < fL), damit pro Bildpunkt eine Vielzahl von Laserimpulsen zur Messung beitragen (hohes Signal-Rausch-Verhältnis). D6r im Vergleich zu fL langsame elektrische Abgriff des photoinduzierten Stromes bewirkt eine Integration über diese Vielzahl von Laserimpulsen beim Bildaufbau. Die Intensität dieses im weiteren als Teststrahl bezeichneten Laserbündels muß so gering sein, daß bei Einstrahlung auf einen Transistor dessen Schaltzustand nicht geändert wird. Mit diesem Teststrahl wird im Laser-Raster-Mikroskop mit OBIC-Stufe ein Bild erzeugt, das Auskunft über den aktuellen Zustand der logischen Pegel im IC gibt.With this focus radiation (high spatial resolution), the surface of the integrated circuit is scanned. The radiation component reflected from the surface is fed to a photoreceiver and serves to build up a reflection image (incident light method) for orientation on the circuit. The photocurrent induced by the laser radiation is used to construct an OBIC image. It should be noted that the scanning frequency of the laser spot fS is much smaller than the laser repetition frequency fL (fS <fL), so contribute a pixel of laser pulses per pixel for measurement (high signal-to-noise ratio). D6r compared to fL slow electrical tapping of the photoinduced current causes integration across this multitude of laser pulses in image building. The intensity of this laser beam, which is referred to below as a test beam, must be so small that when it is irradiated to a transistor, its switching state is not changed. With this test beam, an image is generated in the laser raster microscope with OBIC stage, which provides information about the current state of the logic levels in the IC.

Zusätzlich zum Teststrahl wird ein zweiter Laserstrahl, im weiteren als Anregungsstrahl bezeichnet, auf den Chip fokussiert, wobei der Einstrahlungsort fest, aber beliebig ist. Der Anregungsstrahl besteht ebenfalls aus Laserimpulsen der Folgefrequenz fL. Seine Intensität wird so gewählt, daß er den Schaltzustand des bestrahlten Transistors im Schaltkreis ändert. Somit wird im IC ein elektrischer Impuls erzeugt, dessen Anstiegsflanke im wesentlichen die Impulsdauer des Anregungsimpulses und dessen Abfallflanke die Verweildauer der photoinduzierten Ladungsträger im bestrahlten Transistor repräsentieren. Die Verweildauer t der Ladungsträger ist ein Ausdruck für Rekombinations- und Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger im Bauelement.In addition to the test beam, a second laser beam, referred to below as an excitation beam, is focused on the chip, the irradiation location being fixed, but arbitrary. The excitation beam also consists of laser pulses of the repetition frequency fL. Its intensity is chosen to change the switching state of the irradiated transistor in the circuit. Thus, an electrical pulse is generated in the IC whose rising edge substantially the pulse duration of the excitation pulse and its trailing edge represent the residence time of the photoinduced charge carriers in the irradiated transistor. The residence time t of the charge carriers is an expression of the recombination and drift velocity of the charge carriers in the component.

Die Laserimpulsfolgefrequenz fL muß so gewählt werden, daß VfL > t gilt, nur dann ist der optisch erzeugte elektrische Impuls abgeklungen, wenn der nächste Laserimpuls auf den zu schaltenden Transistor fällt. Der Anregungsimpuls erzeugt somit eine Folge von elektrische ι Impulsen der Impulsfolgefrequenz fL mit einer charakteristischen Einzelimpulsbreite, die sich im IC ausbreitet und nachfolgende Transistoren in andere logische Zustände schaltet. Werden die Impulse des Teststrahles bezüglich der Impulse des Anregungsstrahles um die Zeit dt verzögert, so entsteht nach Abrastern des gesamten Bildfeldes ein OBIC-BiId, das dem Zustand der inneren logischen Pegel nach der Zeit dt entspricht. Somit ist es möglich, trotz Bildaufbauzeiten von einigen Sekunden eine Zeitauflösung im Pikosekundenbereich zu erreichen. Aus der Verschiebung dtO zwischen Anregungs- und Testimpuls wird die Laufzeit des elektrischen Impulses im IC zwischen den diskreten Elementen bestimmt. Die Änderung des -Schaltzustandes eines getesteten Transistors entspricht der Korrelationsfunktion der elektrischen Response des angeregten und des getesteten Transistors.The laser pulse repetition frequency fL must be chosen so that VfL> t, only then the optically generated electrical pulse has decayed when the next laser pulse falls on the transistor to be switched. The excitation pulse thus generates a sequence of electrical pulses of the pulse repetition frequency f L with a characteristic single pulse width which propagates in the IC and switches subsequent transistors into other logic states. If the pulses of the test beam with respect to the pulses of the excitation beam are delayed by the time dt, then after scanning the entire image field, an OBIC image is produced which corresponds to the state of the internal logic levels after the time dt. Thus, it is possible to achieve a time resolution in the picosecond range despite image setup times of a few seconds. From the displacement dtO between excitation and test pulse, the transit time of the electrical pulse in the IC between the discrete elements is determined. The change in the switching state of a transistor under test corresponds to the correlation function of the electrical response of the excited and the tested transistor.

i'.'u - Registrierung des geringen Photostromes, der durch den Teststrahl erzeugt wird, bei Vorhandensein eines starken P'iotostromes, der durch das Durchschalten eines Transistors mittels Anregungsstrahl entsteht, wird die Teststrahlung ζ jsätzlich mit einer oder mehreren Frequenzen fM moduliert und der OBIC-Stufe werden frequenzselektive Verstärker bzw. F hasenempfindliche Gleichrichter für die Frequenz fM vorgeschaltet.i '.' u - registration of the low photocurrent generated by the test beam, in the presence of a strong P'iotostromes, which arises by the switching of a transistor by means of excitation beam, the test radiation ζ is intentionally modulated with one or more frequencies fM and the The OBIC stage is preceded by frequency-selective amplifiers or F-sensitive rectifiers for the frequency fM.

Für die Modulationsfrequenz muß gelten fM < fL, damit über eine bestimmte Anzahl von Einzelimpulsen die Intensität moduliert wird, zum anderen muß aber fM > fS gelten, damit an einem Bildpunkt über mehrere Modulationsperioden gemessen werden kann.The modulation frequency must be fM <fL, so that over a certain number of individual pulses, the intensity is modulated, on the other hand must apply fM> fS, so that at one pixel over several modulation periods can be measured.

Eine weitere Version des Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß die Impulsfolgefrequenz des Laserstrahls geringerer Intensität ein ganzzahliges Vielfaches der des anderen ist. Damit kann bei langsameren Folgefrequenzen der Betriebsstrom beim ersten Impuls mit Anregungsstrahl, beim zweiten Impuls ohne Anregungsstrahl gemessen werden. Durch Differenzbildung wird der Meßwert gewonnen, der damit unabhängig von Temperatur- und Langzeitdrift ist.Another version of the method is characterized in that the pulse repetition frequency of the laser beam of lesser intensity is an integer multiple of that of the other. Thus, at slower repetition rates of the operating current at the first pulse with excitation beam, the second pulse without excitation beam can be measured. By subtraction of the measured value is obtained, which is thus independent of temperature and long-term drift.

Ausführungsbeispielembodiment

Das Wesen der Erfindung soll anhand einer in der Zeichnung dargestellten Anordnung zur Durchführung des Verfahrens erläutert werden.The essence of the invention will be explained with reference to an arrangement shown in the drawing for carrying out the method.

Als Strahlungsquelle dient ein modensynchronisierter Laser, der Impulse der Impulsbreite tP und der Folgefrequenz fL emittiert. Typische Impulslängen liegen im Bereich von 100ps. Die Impulsfolgefrequenz von typisch 100MHz beschränkt den möglichen Zeitbereich für t auf 10ns. Eine Reduzierung der Impulsfolgefrequenz, ζ. B. durch die Methode des ,cavity dumping' erscheint deshalb je nach Untersuchungsgegenstand sinnvoll. An einem Strahlteiler T1, z. B. Glasplatte, wird die Laserstrahlung in zwei Strahlen ungleicher Intensität.die schwache Teststrahlung und die intensive Anregungsstrahlung, aufgeteilt. Der Teststrahl wird mit einem Modulator M in seiner Intensität mit der Frequenz fM moduliert und gelangt über zwei Spiegel (Sx, Sy), die dieThe radiation source used is a mode-synchronized laser which emits pulses of the pulse width tP and the repetition frequency fL. Typical pulse lengths are in the range of 100ps. The pulse repetition frequency of typically 100MHz limits the possible time range for t to 10ns. A reduction of the pulse repetition frequency, ζ. For example, the method of cavity dumping therefore makes sense, depending on the object of investigation. At a beam splitter T1, z. As glass plate, the laser radiation in two beams of uneven intensity.die weak test radiation and the intense excitation radiation, divided. The test beam is modulated with a modulator M in its intensity with the frequency fM and passes through two mirrors (Sx, Sy), the

Ablenkung in χ- bzw. y-Richtung bewirken, und zwei TeilerwUrfel (T2, T3) zum Mikroskopobjektiv (OBJ). Der zu untersuchendeDeflection in χ- or y-direction cause, and two Teilerwurfel (T2, T3) to the microscope objective (OBJ). The to be examined Schaltkreis befindet sich in der Fokusebene des Objektivs. Das von der Oberfläche reflektierte Licht wird über Objektiv undCircuit is located in the focal plane of the lens. The light reflected from the surface is transmitted through the lens and Teiler T2 einem Photoempfänger zugeführt und dient zum Bildaufbau des Auflichtbildes.Divider T2 fed to a photoreceiver and used to image the Auflichtbildes. Der vom Laser im Halbleiterbauelement erzeugte Photostrom wird von der OBIC-Stufe mit Eingangsfrequenzfilter verstärkt undThe photocurrent generated by the laser in the semiconductor device is amplified by the OBIC stage with input frequency filter and

dem Prozeßrechner zum Bildaufbau zugeführt.supplied to the process computer for image construction.

Der Anregungsstrahl gelangt nach Strahlteüer T1 auf eine optische Verzögerungsstrecke, in der über Änderung der WeglängeThe excitation beam passes after Strahlteüer T1 on an optical delay path, in the change over the path length

die Zeitverschiebung zwischen den Impulsen der Anregungs- und Teststrahlung eingestellt wird.the time shift between the pulses of excitation and test radiation is adjusted.

Über einen TeiHrwürfel T3 wird die Anregungsstrahlung in den Strahlengang des Laser-Raster-Mikroskopes eingekoppelt, anThe excitation radiation is coupled into the beam path of the laser scanning microscope via a Te3 cube T3

einer Stelle, an der im Mikroskop eine parallele Strahlenführung erfolgt. Dadurch wird die Anregungsstrahlung ebenfalls voma point at which a parallel beam guidance takes place in the microscope. As a result, the excitation radiation is also from

Objektiv auf die Chipoberfläche fokussiert.Lens focused on the chip surface. Damit der Bestrahlungsort fest aber beliebig ist, muß Teiler T3 hinter den Scannerspiegeln Sx, Sy im MikroskopstrahlengangIn order for the irradiation site to be fixed but arbitrary, divider T3 must be behind the scanner mirrors Sx, Sy in the microscope beam path

liegen und der Anregungsstrahl muß durch einen Strahlversetzer (SV) z. B. zwei Keilplatten, in x- und y-Richtung innerhalb deslie and the excitation beam must by a beam offset (SV) z. B. two wedge plates, in the x and y direction within the

Bildfeldes versetzbar sein.Field of view be displaceable. Zur Erzielung einer möglichst hohen Anregungsintensität ist es günstig, T3 hinter T2 anzuordnen.To achieve the highest possible excitation intensity, it is favorable to arrange T3 behind T2.

Claims (4)

1. Verfahren zur Erfassung schnell ablaufender Prozesse in integrierten Schaltkreisen unter Verwendung eines Laser-Raster-Mikroskopes mit OBIC-Stufe, dadurch gekennzeichnet, daß zwei gepulste Laserstrahlen unterschiedlicher Intensität und starrer Kopplung ihrer Impulsfolgefrequenzen vorgesehen sind, von denen der höherer Intensität auf der Oberfläche des Schaltkreises wahlweise frei positioniert wird, der Laserstrahl geringerer Intensität zur Gewinnung einer räumlichen Information die Oberfläche abrastert und zur Gewinnung einer zeitlichen Information die Impulse der beiden Laserstrahlen zeitlich gegeneinander verzögerbar sind.1. A method for detecting fast processes in integrated circuits using a laser scanning microscope with OBIC stage, characterized in that two pulsed laser beams of different intensity and rigid coupling of their pulse repetition frequencies are provided, of which the higher intensity on the surface of the Optionally, the circuit is freely positioned, the laser beam of lesser intensity scans the surface for obtaining spatial information and the temporal information of the pulses of the two laser beams are temporally mutually delayed to obtain a temporal information. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Laserstrahl geringerer Intensität zusätzlich intensitätsmoduliert wird und das im Schaltkreis optisch induzierte elektrische Signal auf dieser Modulationsfrequenz selektiv erfaßt wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the laser beam of lower intensity is additionally intensity-modulated and in the circuit optically induced electrical signal is selectively detected at this modulation frequency. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Impulsfolgefrequenzen der beiden Laserstrahlen gleich sind.3. The method according to claim 2, characterized in that the pulse repetition frequencies of the two laser beams are equal. 4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Impulsfolgefrequenz des Laserstrahls geringerer Intensität ein ganzzahliges Vielfaches der des anderen Laset ötrahls ist.4. The method according to claim 2, characterized in that the pulse repetition frequency of the laser beam of lower intensity is an integer multiple of the other Laset ötrahls.