DD249998A1

DD249998A1 - PROCESS FOR DEFECT NUCLEATION IN SILICON DISCS

Info

Publication number: DD249998A1
Application number: DD29134586A
Authority: DD
Inventors: Johannes Reichel; Peter Fricke; Fritz G Kirscht; Klaus Wollschlaeger; Holger Klose
Original assignee: Freiberg Spurenmetalle Veb
Priority date: 1986-06-17
Filing date: 1986-06-17
Publication date: 1987-09-23

Abstract

Das Ziel der Erfindung, ein Verfahren zur Defektnukleation in Silicium-Scheiben zu entwickeln, um die Ausbeute von elektronischen und Leistungsbauelementen zu erhoehen und um die Stabilitaet ihrer elektrischen Kenndaten zu verbessern, wird dadurch erreicht, dass innerhalb der Abfolge von Prozessschritten der Scheibenpraeparation und/oder Bauelementeherstellung entweder unabhaengig von diesen Prozessschritten oder in Verknuepfung mit denselben, eine ein- oder mehrmalige, vorzugsweise rueckseitige Energiezufuhr auf die Scheibenoberflaeche mittels Lichtes mit einem hohen Anteil von Wellenlaengen unterhalb der Silicium-Absorptionskante erfolgt. Verwendet werden vorzugsweise Impuls- oder Dauerstrich-Laser, Blitzlampen und Hochleistungs-Wolframhalogenlampen.The object of the invention to develop a method for defect nucleation in silicon wafers, in order to increase the yield of electronic and power devices and to improve the stability of their electrical characteristics, is achieved in that within the sequence of process steps of Scheibenpraeparation and / or Component production either independently of these process steps or in conjunction with the same, a single or multiple, preferably back energy supply to the disk surface by means of light with a high proportion of wavelengths below the silicon absorption edge takes place. Pulse or continuous wave lasers, flash lamps and high-power tungsten halogen lamps are preferably used.

Description

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung betrifft die Ausbildung von getterfähigen Defekten in Siliciumscheiben, weiche nach dem Zonenfloating- beziehungsweise nach dem Czochralski-Verfahren hergestellt wurden. Diese Scheiben sind vorteihaftfürdie Herstellung von mikroelektronischen und Leistungsbauelementen einsetzbar.The invention relates to the formation of getterfähigen defects in silicon wafers, which were produced by the Zonenfloating- or after the Czochralski process. These discs are particularly useful for the fabrication of microelectronic and power devices.

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

Die Realisierung bestimmter Halbleiterbauelemente, insbesondere hochintegrierte mikroelektronischer Bauelemente auf der Basis von Czochralski-Silicium, aber auch von Leistungsbauelementen auf der Basis von Zonenfloating-Silicium, erfordert die Beherrschung funktionsbestimmender elektrischer Kennwerte von Silicium-Prozeßscheiben, wie Lebensdauer von Ladungsträgern oder Variation des spezifischen Widerstandes. Beispielsweise ist in speziellen Fällen eine vertikale Schichtung der Lebensdauer von Minoritäten in Prozeßscheiben erwünscht, das heißt, hohe Lebensdauerwerte in bauelementeaktiven Scheibenbereichen (Frontseite) sowie verringerte Lebensdauerwerte in tieferen Scheibenbereichen. Zur Einstellung derartiger Lebensdauerprofile wird die definierte Einführung getterwirksamer — Verunreinigungen aufsammelnder und damit die Lebensdauer in benachbarten Bereichen erhöhender — sowie gleichzeitig rekombinationsaktiver — Ladungsträger vernichtender und damit die Lebensdauer lokal verringernder — Defekte im Zusammenhang mit Sauerstoff in Czochralski-Silicium ausgenutzt, zum Beispiel WP 212361.The realization of certain semiconductor components, in particular highly integrated microelectronic components based on Czochralski silicon, but also of power components based on zone floating silicon, requires the mastery of function-determining electrical characteristics of silicon process disks, such as lifetime of charge carriers or variation of the specific resistance. For example, in specific cases vertical stratification of minority life in process disks is desired, that is, high lifetime values in device active disk regions (front side) and reduced lifetime values in lower disk regions. To set such lifetime profiles, the defined introduction of getter-effective - impurities collecting and thus increasing the life in adjacent areas - as well as recombination-active - destroying charge carrier and thus the life locally reducing - defects in connection with oxygen in Czochralski silicon is used, for example WP 212361.

Bekannt ist eine Reihe von mehrstufigen Wärmebehandlungen, die unter Einbeziehung einer Nukleatiosbehandlung zur Sauerstoffpräzipitation im Volumen von Silicium vor (JP 59-4128[A]) oder nach (JP 59-202640 [A]) einer Wärmebehandlung bei vorzugsweise T > 1 000⁰C zu verringerter Variation des spezifischen Widerstandes und/oder zu sauberen Scheibenoberflächen, hauptsächlich infolge innerer Getterung, führen. Ein grundsätzlicher Nachteil dieser sowie weiterer Wärmebehandlungen (JP 59-28346 [A], USP 4376657) ist, daß die Ausbildung von vertikalen Defektprofilen beziehungsweise die Realisierung innerer Getterung von einer hohen, für Czochralski-Kristalle typischen Sauerstoffkonzentration abhängt. Eine reproduzierbare Ausbildung von defektverarmten Oberflächenbereichen sowie definierten Defektdichten und -Spektren im Scheibenvolumen ist erschwert wegen deren Abhängigkeit vom Ausgangsgehalt an im allgemeinen inhomogen eingebautem Sauerstoff, Kohlenstoff sowie eingewachsenen Kristalldefekten. Letztere beeinflussen Sauerstoffpräzipitation über heterogene Keimbildung. Um einen homogenisierten Ausgangszustand einzustellen, werden Hochtemperatur-Wärmebehandlungen bei T > 1 200°C (P.Gaworzewski, E. HiId, F.-G.Kirscht, L. Vecsernyes, phys. stat sol. [a] 85 [1984] 133, JP 59-119842 [A]) praktiziert, wobei insbesondere bereits während der Kristallzüchtung gebildete Sauerstoffpräzipitate in gelösten Sauerstoff überführt werden. Nachteilig hierbei ist die hohe thermische Belastung, die Probleme hinsichtlich Scheibenverwerfung und Kontamination einer nocht nicht getterfähigen Scheibe beinhaltet.Known is a series of multi-stage heat treatments involving a Nukleatiosbehandlung for oxygen precipitation in the volume of silicon before (JP 59-4128 [A]) or after (JP 59-202640 [A]) a heat treatment at preferably T> 1 000 ⁰ C. lead to reduced variation in resistivity and / or clean wheel surfaces, mainly due to internal gettering. A fundamental disadvantage of these and other heat treatments (JP 59-28346 [A], USP 4376657) is that the formation of vertical defect profiles or the realization of internal gettering depends on a high, for Czochralski crystals typical oxygen concentration. A reproducible formation of defect-depleted surface areas and defined defect densities and spectra in the pane volume is complicated because of their dependence on the starting content of generally inhomogeneously incorporated oxygen, carbon and ingrown crystal defects. The latter influence oxygen precipitation via heterogeneous nucleation. In order to set a homogenized initial state, high temperature heat treatments at T> 1 200 ° C (P.Gaworzewski, E. Hiild, F.-G.Kirscht, L. Vecsernyes, phys. Stat sol. [A] 85 [1984] 133 , JP 59-119842 [A]), wherein in particular already formed during crystal growth oxygen precipitates are converted into dissolved oxygen. The disadvantage here is the high thermal load, which includes problems with disc distortion and contamination of a not yet getterfähigen disc.

Zusätzliche Schwierigkeiten ergeben sich bei stark dotiertem Czochralski-Silicium infolge reduzierter Sauerstoffpräzipitation (H.Tsuya, Y. Kondo, M. Kanamori, Jap. J. Appl. Phys. 22 [1983] L16-L18, JP 58-207641). Eine weitere Variante zur Realisierung von innerer Getterung in Czochralski-Silicium nutzt das kontinuierliche Wachstum von Sauerstoffpräzipitaten bei langsamer Aufheizung (USP 4437922). Die angegebene Wärmebehandlung führt zwar zu einer extrem hohen Defektdichte, wegen der geringen Defektgröße ist jedoch die lokale Gitterverzerrung und damit die integrale Getterwirkung gering. Eine dreistufige Wärmebehandlung zur Einstellung eines Defektprofiles und damit verknüpfter innerer Getterung wird auch für zonengefloatetes Silicium beschrieben (K. Nauka, J. Lagowski, C. Gatos, Mat. Res. Symp. Proa, Vol. 36, p. 175,1985). Hierbei wird die Ausbildung einer defektverarmten Zone an Scheibenoberflächen auf Ausdiffusion von interstitiellen Silicium-Atomen Si; sowie innere Defektbildung im Scheibenvolumen auf Sij-Präzipitation zurückgeführt. SipAusdiffusion wird durch Einschwemmen von Leerstellen infolge Hochtemperatur-Wärmebehandlung in Chlor-haltiger Atmosphäre erklärt. Vielfach beinhalten Bauelementetechnologien Prozeßschritte, die bei T >. 1 000°C in derartigen Medien arbeiten.Additional difficulties arise with heavily doped Czochralski silicon due to reduced oxygen precipitation (H.Tsuya, Y. Kondo, M. Kanamori, Jap. J. Appl. Phys. 22 [1983] L16-L18, JP 58-207641). Another variant for the realization of internal gettering in Czochralski silicon uses the continuous growth of oxygen precipitates with slow heating (USP 4437922). Although the specified heat treatment leads to an extremely high defect density, because of the small defect size, the local lattice distortion and thus the integral getter effect is low. A three-stage heat treatment for setting a defect profile and associated internal gettering is also described for zone-fused silicon (K.Nauka, J. Lagowski, C. Gatos, Mat. Res. Symp. Proa, Vol. 36, p. 175, 1985). Here, the formation of a defect-depleted zone on disk surfaces on outdiffusion of interstitial silicon atoms Si; and internal defect formation in the disk volume attributed to Sij precipitation. Sip diffusion is explained by the flooding of vacancies due to high-temperature heat treatment in a chlorine-containing atmosphere. In many cases, component technologies include process steps that occur at T >. 1 000 ° C in such media work.

Nachteilig an der Wärmebehandlung zur Realisierung von innerer Getterung in zonengefloatetem Silicium ist insbesondere der für die Nukleation von Si_rPräzipitaten notwendige hohe Zeitaufwand von 20 Stunden. Werden derartig langandauernde Nukleationsbehandlungen im Falle von Czochralski-Material angewendet, so können unerwünschte Leitfähigkeitsänderungen infolge sauerstoffbedingter Bildung von „New Donors" auftreten (V.Cazcarra, P.Zumino, J. Appl. Phys. 51 [1980] 4206). Zur Erzielung eines schnellen Temperaturanstieges ist es üblich, Energie in Form von Licht einzukuppeln, welches direkt im Silicium absorbiert wird. Dies wurde bisher zur Ausheilung von Strahlenschäden, zur Ionenimplantation, zur Rekristallisation dünner Schichten oder zur Ausheilung von Thermodonatoren verwendet. Je nach beabsichtigter Einwirkungsdauer werden Impulsdauer (Robinson, Mc. D.; Celler, G.K.;JJschner, D. J.; Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 33,1984, S.71), Dauerstrich-(CW)-Laser(Lam,H.W.;Pinizotto, R.F.; Tasch,A.F. Jr.; J. Electrochem. Soc. 128,1981 [1981]), Blitzlampenfeld (Klabes, R.; Matthäi,J.; Voelskow, M.; Kachurin, G.A.; Nidaev, E.V.; Bartsch, H.; phys. stat. sol. [a] 66, 261 [1981]), Halogenlampenfeld (Celler, G. K.; Ronbinson, McD.; Lischner, D. J.; Appl. Phys. Lett.42,99 [1983]; W.C.O'Mara; J.E.Parker; P. Butler; A. Gat; Appl. Phys. Lett.46, 299 [19.85]), gescannte Wolfram-Lampe (Kamgar, A.; Labatc, E.; Mat. Lett. 1,91, [1982]) beziehungsweise Graphit-Heizer (Fan, J. C.C; Geis, M. W.; Tsaur, B. Y.; Appl. Phys. Lett. 38, 365 [1981]) verwendet.A disadvantage of the heat treatment for realizing internal gettering in zone-floated silicon is, in particular, the high expenditure of time of 20 hours required for the nucleation of Si _r precipitates. When such long-lasting nucleation treatments are used in the case of Czochralski material, unwanted conductivity changes due to oxygen-induced formation of "new donors" may occur (V.Cazcarra, P. Zumino, J. Appl. Phys. 51 [1980] 4206) It has been customary to incorporate energy in the form of light which is absorbed directly into the silicon, which has hitherto been used to heal radiation damage, ion implantation, recrystallization of thin layers or annealing of thermodonators McD., Celler, GK; JJschner, DJ; Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 33, 1984, p.71), CW (Lam, HW, Pinizotto, RF Tasch, AF Jr, J. Electrochem, Soc, 128, 1981 [1981]), flash lamp field (Klabes, R .; Matthai, J .; Voelskow, M .; Kachurin, GA; Nidaev, EV; Bartsch, H.; phys. stat. sol. [a] 66, 261 [1981]), halogen lamp field (Celler, GK; Ronbinson, McD .; Lischner, DJ; Appl. Phys. Lett.42,99 [1983]; WCO'Mara;JEParker; P. Butler; A. Gat; Appl. Phys. Lett.46, 299 [19.85]), scanned tungsten lamp (Kamgar, A., Labatc, E., Mat., Lett., 1.91, [1982]) and graphite heater, respectively (Fan, JCC, Geis, MW; Tsaur, BY; Appl. Phys. Lett. 38, 365 [1981]).

Ziel der ErfindungObject of the invention

Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Defektnukleation in Silicium-Scheiben zu entwickeln, um die Ausbeute von elektronischen und Leistungsbauelementen zu erhöhen und die Stabilität ihrer elektrischen Kenndaten zu verbessern.The aim of the invention is to develop a method for defect nucleation in silicon wafers in order to increase the yield of electronic and power devices and to improve the stability of their electrical characteristics.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Entwicklung einer Wärmebehandlung zur effektiven Defektnukleation im Volumen von Silicium-Prozeßscheiben, die unabhängig von dem Züchtungsverfahren ist und in den technologischen Ablauf sowohl der Scheibenpräparation als auch von Bauelementetechnologien integriert werden kann. Die Aufgabe wird gelöst, indem innerhalb der Abfolge von Prozeßschritten der Scheibenpräparation und/oder der Bauelementeherstellung entweder unabhängig von diesen Prozeßschritten oder in Verknüpfung mit denselben eine ein- oder mehrmalige, vorzugsweise rückseitige Energiezufuhr auf die Scheibenoberfläche mittels Lichts mit einem hohen Anteil von Wellenlängen unterhalb der Silicium-Absorptionskante kurzzeitig mit einer Impulsdauer von 10~⁸...30s bei gleicher Dichte über der gesamten Scheibenoberfläche und/oder mit hoher Dichte auf kleinen, nacheinander die gesamte Oberfläche erfassenden Teilbereichen erfolgt, wobei zwischen einzelnen Impulsen ein Temperaturausgleich über die gesamte Scheibe und eine schnelle Abkühlung auf eine Temperatur T_u im Bereich 100⁰C = 85O⁰C gewährleistet wird. Verwendet werden vorzugsweise Impuls- oder Dauerstrich-Laser, Blitzlampen und Hochleistungs-Wolframhalogenlampen.The object of the invention is the development of a heat treatment for effective defect nucleation in the volume of silicon process disks, which is independent of the cultivation process and can be integrated into the technological process of both the disk preparation and of component technologies. The object is achieved by, within the sequence of process steps of the wafer preparation and / or the component production either independent of these process steps or in conjunction with the same one or more, preferably back energy supply to the wafer surface by means of light with a high proportion of wavelengths below the Silicon absorption edge for a short time with a pulse duration of 10 ~ ⁸ ... 30s at the same density over the entire disc surface and / or high density on small, sequentially covering the entire surface partial areas takes place, between individual pulses, a temperature compensation over the entire disc and a rapid cooling to a temperature T _u in the range 100 ⁰ C = 85O ⁰ C is ensured. Pulse or continuous wave lasers, flash lamps and high-power tungsten halogen lamps are preferably used.

Bei Verwendung von Lasern im Scanning verfahren wird jeweils in Oberflächenbereichen vorzugsweise eine dem Schmelzpunkt nahe Erwärmung und eine zurTemperatur proportionale Dichte von Punktdefekten erzeugt. Die Wärme und die Punktdefekte breiten sich über die gesamte Scheibe aus, wobei jenseits der halben Scheibendicke eine Temperatur von 85O⁰C nicht überschritten wird. Die Punktdefekte scheiden sich dabei in einer von der angestrahlten zur gegenüberliegenden Oberfläche abnehmenden Dichte aus.When using lasers in the scanning method, it is preferable to produce a density of point defects which is close to the melting point in each case in surface regions and a temperature which is proportional to the temperature. The heat and point defects spread over the entire wafer from said other side of the half disc thickness at a temperature of 85O ⁰ C is not exceeded. The point defects separate in a decreasing from the illuminated to the opposite surface density.

Bei Verwendung von Blitzlampenfeldern wird die gesamte Scheibe innerhalb von Millisekunden auf hohe Temperaturen gebracht und danach schnell abgekühlt, wobei sich die bei der Erwärmung entstandenen Punktdefekte, unter Ausbildung einer defektfreien Zone an der vorder- und rückseitigen Oberfläche, im Scheibeninneren ausscheiden. Die Lichtbestrahlung und damit die Erwärmung der Scheiben muß über der gesamten Oberfläche gleichmäßig erfolgen, so daß keine Versetzungen entstehen.When using flash lamp panels, the entire disk is brought to high temperatures within milliseconds and then rapidly cooled, with the point defects resulting from the heating, with the formation of a defect-free zone on the front and back surface, exiting inside the pane. The light irradiation and thus the heating of the discs must be uniform over the entire surface, so that no dislocations arise.

Bei Verwendung von Wolfram-Halogenlampenfeldern wird die gesamte Scheibe in 10 bis 30 Sekunden gleichmäßig auf eine TemperaturT_o < 1 200⁰C erwärmt und danach schnell abgekühlt. In der Erwärmungsphäse generierte Punktdefekte werden bei der Abkühlung ausgeschieden und wirken im Sinne der Erfindung als Nukleationszentren. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, einen mitteis Halogenlampen streifenförmig ausgebildeten Energiestrahl relativ zur Scheibenoberfläche zu bewegen (Scanning verfahren), so daß die gesamte Oberfläche mit einem Durchlauf erfaßt wird, wobei diese streifenförmig e Bestrahlung auch in Kombination mit ganzflächig einwirkenden Halogenlampenfeldern angewendet werden kann, wegen der Ausbildung hoher Temperaturgradienten jedoch vorzugsweise für Temperaturen unter 900⁰C. Das Überstreichen der gesamten Oberfläche mit einem Laserstrahl und die Bestrahlung mit Blitzlampen sowie mittels Halogenlampen kann hierbei ein- oder mehrmalig erfolgen.When using tungsten halogen lamp fields, the entire disk is uniformly heated to a temperature _{T o} <1 200 ⁰ C in 10 to 30 seconds and then cooled rapidly. Point defects generated in the heating bubble are precipitated on cooling and act as nucleation centers for the purposes of the invention. Another possibility is to move a mitteis halogen lamps strip-shaped energy beam relative to the disk surface (scanning method), so that the entire surface is detected with a run, this strip-e irradiation can also be used in combination with full-surface acting halogen lamp fields, because However, the formation of high temperature gradients preferably for temperatures below 900 ⁰ C. The sweeping the entire surface with a laser beam and the irradiation with flash lamps and halogen lamps can be done one or more times.

Erfindungsgemäß wird der Abkühlvorgang durch Zwangskühlung beschleunigt, wodurch die Neigung zur Ausscheidungvon Punktdefekten erhöht wird. Eine Möglichkeit besteht darin, ein Anblasen mit gekühlten Gasen zu realisieren, eine weitere | Möglichkeit ist die Auflage von Scheiben auf eine gekühlte, gut wärmeleitende Unterlage. In letzterem Fall kann ein verbesserter Wärmekontakt erreicht werden, indem ei η dünner, gut wärmeleitender Verbindungsfilm zwischen Scheibe und Auflage gebracht wird, beispielsweise aus Boroxid oder anorganischen Salzen. In einer speziellen erfindungsgemäßen Ausgestaltung besteht die Scheibenauflage aus einem doppelwandigen, lichtdurchlässigen Material, beispielsweise aus Quarz, das von einer ebenfalls lichtdurchlässigen Kühlflüssigkeit, beispielsweise Wasser, durchströmt wird.According to the invention, the cooling process is accelerated by forced cooling, thereby increasing the tendency to precipitate point defects. One possibility is to realize a blowing with cooled gases, another one Possibility is the application of discs on a cooled, good thermal conductivity pad. In the latter case, an improved thermal contact can be achieved by ei η thin, good heat conducting compound film is brought between disc and support, for example, boron oxide or inorganic salts. In a special embodiment of the invention, the disc support consists of a double-walled, translucent material, such as quartz, which is also flowed through by a likewise transparent cooling fluid, for example water.

Ausführungsbeispielembodiment

Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Geschnittene Siliciumscheiben von 500/xm Dicke, durch Abätzen auf eine Dicke von 420μ.ηι gebracht, werden achtmal mit einem Blitzlampenfeld, bestehend aus 12 Stück 1OkJ-Blitzlampen, in zeitlichem Abstand von 70s bestrahlt. Die Blitzdauer beträgt 17 ms. Die Scheiben erwärmen sich auf 900⁰C und kühlen sich zwischenzeitlich durch Wärmestrahlung ab. Ab einerTiefe von 100μΐη von den Scheibenoberflächen entfernt entstehen Defektcluster in hoher Dichte, welche durch 20 Minuten Ätzen in selektivem Ätzmittel nach Sirtl-Adler sichtbar gemacht werden können. Die Scheiben werden chemisch-mechanisch poliert. Bei der Feuchtoxydation im Prozeß der Bauelementeherstellung bilden sich die Defektcluster zu getterfähigen Zentren aus.The invention will be explained in more detail using an exemplary embodiment. Cut silicon wafers of 500 / xm thickness, brought by etching to a thickness of 420μ.ηι be eight times with a flash lamp array consisting of 12 pieces 1OkJ flash lamps, irradiated at intervals of 70s. The flash duration is 17 ms. The slices warm to 900 ⁰ C and cool down in the meantime by thermal radiation. From a depth of 100μΐη from the disk surfaces defect clusters arise in high density, which can be made visible by etching for 20 minutes in selective etchant according to Sirtl-Adler. The discs are polished chemically-mechanically. In the moist oxidation in the process of component manufacturing, the defect clusters form to getterfähigen centers.

Claims

Patentansprüche:claims:

1. Verfahren zur Defektnukleation in Siliciumscheiben, gezüchtet nach dem Zonenfloating- oder Czochralski-Verfahren, unter Anwendung von Verfahren zur Energieübertragung mittels Lichtes, gekennzeichnet dadurch, daß innerhalb der Abfolge von Prozeßschritten derScheibenpräparation und/oder der Bauelementeherstellung entweder unabhängig von diesen Prozeßschritten oder in Verknüpfung mit denselben eine ein- oder mehrmalige, vorzugsweise rückseitige Energiezufuhr auf die Scheibenoberfläche mittels Lichtes mit einem hohen Anteil von Wellenlängen unterhalb der Silicium-Absorptionskante kurzzeitig mit einer Impulsdauer von 10~⁸...30s bei gleicher Dichte über der gesamten Scheibenoberfläche und/oder mit hoher Dichte auf kleinen, nacheinander die gesamte Oberfläche erfassenden Teilbereichen erfolgt, wobei zwischen einzelnen Impulsen ein Temperaturausgleich über diegesamte Scheibe und eine schnelle Abkühlung auf eineTemperatur T_uim Bereich -100⁰C = 85O⁰C gewährleistet wird.A process for defect nucleation in silicon wafers, grown by the zone floating or Czochralski process, using light energy transfer processes, characterized in that within the sequence of process steps of wafer preparation and / or device fabrication, either independently of or linked to those process steps with the same a one or more times, preferably back energy supply to the disk surface by means of light with a high proportion of wavelengths below the silicon absorption edge briefly with a pulse duration of 10 ~ ⁸ ... 30s at the same density over the entire disk surface and / or with high density on small, sequentially covering the entire surface partial areas takes place, whereby between individual pulses, a temperature compensation over the entire disc and a rapid cooling to a temperature T _u in the range -100 ⁰ C = 85O ⁰ C ensures we d.

2. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Energiezufuhr mittels Impuls- oder Dauerstrich-Lasern erfolgt.2. A process for defect nucleation according to claim 1, characterized in that the energy is supplied by means of pulsed or continuous wave lasers.

3. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Energiezufuhr mittels Blitzlampenentladung erfolgt.3. A process for defect nucleation according to claim 1, characterized in that the energy is supplied by means of flash lamp discharge.

4. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Energiezufuhr mit Hilfe von Halogenlampen erfolgt.4. A process for defect nucleation according to claim 1, characterized in that the energy is supplied by means of halogen lamps.

5. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 1 und 4, gekennzeichnet dadurch, daß die gesamte Scheibenoberfläche gleichzeitig mit gleicher Energiedichte bestrahlt wird.5. A process for defect nucleation according to claim 1 and 4, characterized in that the entire wafer surface is irradiated simultaneously with the same energy density.

6. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 1 und 4, gekennzeichnet dadurch, daß mit einem streifenförmig ausgebildeten Energiestrahl nacheinander die gesamte Scheibenoberfläche bestrahlt wird.6. A process for Defektnukleation according to claim 1 and 4, characterized in that successively the entire disc surface is irradiated with a strip-shaped energy beam.

7. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 1 sowie 4 bis 6, gekennzeichnet dadurch, daß simultan mittels ganzflächiger Energiezufuhr sowie streifenförmiger Bestrahlung gearbeitet wird.7. A method for defect nucleation according to claim 1 and 4 to 6, characterized in that one works simultaneously by means of full-surface energy supply and strip-shaped irradiation.

8. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 2 bis 7, gekennzeichnet dadurch, daß die Energieübertragung auf die gesamte Scheibenoberfläche ein- oder mehrfach mit zwischengelagerten Abkühlphasen erfolgt.8. A method for defect nucleation according to claim 2 to 7, characterized in that the energy transfer takes place on the entire disk surface one or more times with intermediate stored cooling phases.

9. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 1 bis 8, gekennzeichnet dadurch, daß vorzugsweise eine Zwangskühlung erfolgt.9. A process for defect nucleation according to claim 1 to 8, characterized in that preferably a forced cooling takes place.

10. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 9, gekennzeichnet dadurch, daß die Scheiben mit gekühlten Gasen angeblasen werden.10. A process for defect nucleation according to claim 9, characterized in that the slices are blown with cooled gases.

11. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 9 und 10, gekennzeichnet dadurch, daß die Scheiben vorzugsweise auf einer gekühlten, gut wärmeleitenden Unterlage aufgelegt werden.11. A process for defect nucleation according to claim 9 and 10, characterized in that the discs are preferably placed on a cooled, good heat-conducting pad.

12. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 9 bis 11, gekennzeichnet dadurch, daß vorzugsweise ein dünner Verbindungsfilm zwischen Scheibe und Auflage gebracht wird.12. A method for defect nucleation according to claim 9 to 11, characterized in that preferably a thin connection film between disc and support is brought.

13. Verfahren zur Defektnukleation nach Anspruch 9 bis 12, gekennzeichnet dadurch, daß die Scheibenauflage aus einem doppelwandigen, lichtdurchlässigen Material, beispielsweise Quarz, besteht, das von einer ebenfalls lichtdurchlässigen Kühlflüssigkeit, beispielsweise Wasser, durchströmt wird.13. A process for Defektnukleation according to claim 9 to 12, characterized in that the disc support of a double-walled, translucent material, such as quartz, which is flowed through by a likewise transparent cooling fluid, such as water.