DD246194A1 - Verfahren zur qualitaetskontrolle von auf isolierender unterlage erzeugten halbleiterschichten - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Halbleitertechnik und findet Anwendung bei der Qualitaetskontrolle von auf Isolatorschichten erzeugten Halbleiterschichten. Es ist ein Verfahren anzugeben, das es ermoeglicht, die Qualitaet der Halbleiterschicht schnell wieder zu ermitteln, ohne die Probe zu zerstoeren. Die Aufgabe wird dadurch geloest, dass Struktur und Perfektion der Halbleiterschicht durch Messung der lateralen Verteilung des elektrischen Widerstandes der Schicht bestimmt wird.
Description
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Halbleitertechnik und findet Anwendung bei der Qualitätskontrolle von auf einer Isolationsschicht erzeugten Halbleiterschicht.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Zur Untersuchung von auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschichten wird vorzugsweise das Verfahren der optischen Mikroskopie, verbunden mit chemischer Ätztechnik, eingesetzt. Das in G.K.Cellerfin „laser crystallization ofthin Si-filmson amorphons insulating Substrates" J.Cryst. Growth 63 [1983] S.429) beschriebene Verfahren erlaubt Aussagen über die kristallographische Struktur von SOI-Schichten (Silicon On Isulator) sowie über Art und Dichte von Defekten. Bei diesem Verfahren werden die zu untersuchenden Proben zerstört.
Ziel der Erfindung
Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur schnellen und sicheren Qualitätskontrolle von auf isolierenden Unterlagen erzeugten Halbleiterschichten, wobei die Probeschichten nicht zerstört werden, anzugeben.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Bestimmung der Struktur und Perfektion von auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschichten anzugeben.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Struktur und Perfektion der Halbleiterschicht durch Messung der lateralen Verteilung des elektrischen Widerstandes der Schicht bestimmt wird. Dazu wird ein Vier-Spitzen-Meßsystem auf die Schicht aufgesetzt. Die Kontaktstellen der Meßspitzen werden durch Anlegen einer Spannung elektrisch formiert. Der elektrische Widerstand wird mit dem bekannten Vier-Spitzen-Meßverfahren bestimmt und die Meßspitzen werden zur Vorbereitung der Widerstandsmessung des nächsten Punktes auf der Schichtoberfläche schrittweise weiterbewegt. Der Meßzyklus wird wiederholt bis die punktweise gewonnenen Meßwerte Aufschluß über die laterale Widerstandsverteilung relevanter Oberflächenabschnitte geben. Durch die Verwendung von mehr als vier Meßspitzen ist die Realisierung unterschiedlicher Kontaktabstände möglich. Es ist so eine Aussage über die Homogenität der Widerstandsverteilung senkrecht zur Vorschubrichtung der Meßspitzen möglich. Der schrittweise Vorschub der Meßspitzen ist vorzugsweise größer 5,um.
Ausführungsbeispiel
Die Erfindung wird an folgendem Beispiel erläutert:
Auf die zu untersuchende Halbleiterschicht werden mindestens vier Meßspitzen in einer Reihe angeordnet. Über zwei äußere Meßspitzen wird ein Konstantstrom in die Halbleiterschicht eingespeist. Der dabei an den zwei inneren Meßspitzen auftretende Spannungsabfall ist ein Maß für den Schichtwiderstand. Vor dem Meßvorgang werden die Kontaktstellen der Meßspitzen durch Anlegen eines Spannungsimpulses größer 100V elektrisch formiert. Bei mit Hilfe von Keimtechniken erzeugte SOI-Schichten (Silicon On Insulator) ist der gemessene Widerstand zusätzlich eine Funktion des Abstandes der Meßspitzen von der Keimkante, wobei diese Abhängigkeit für das hier beschriebene Verfahren mit hinreichender Genauigkeit als stufenförmige Widerstandsänderung angenommen werden kann. Bei konstanter Dotandenkonzentration sind Wert und laterale Verteilung des elektrischen Widerstandes ein Maß für die kristalline Struktur und somit der Qualität der auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschicht. Die Messung erfolgte unter Prozeßbedingungen mit einem Vielfachsondentester, der durch ein automatisches Testsystem gesteuert wird. Dadurch ist ein definierter Vorschub einstellbar und eine Messung des Schichtwiderstandes und seiner lateralen Verteilung mit hoher Auflösung möglich. • r _
Claims (3)
- Erfindungsanspruch:1. Verfahren zur Qualitätskontrolle von auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschichten, gekennzeichnet dadurch, daß die Struktur und Perfektion der Halbleiterschichten durch Messung der lateralen Verteilung des elektrischen Widerstandes in der Art bestimmt wird, daß in einem Vier-Spitzen-Meßsystem nach Aufsetzen der Meßspitzen eine elektrische Formierung der Meßspitzen vorgenommen wird, an die sich die Widerstandsmessung anschließt und danach der Vorschub der Meßspitzen zur Wiederholung des Meßvorganges in einem definierten Schrittmaß erfolgt.
- 2. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß der Vorschub der Meßspitzen vorzugsweise größer 5μ,ΐη ist.
- 3. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß das Vier-Spitzen-Meßsystem um weitere Meßspitzen erweitert ist.Anwendungsgebiet der ErfindungDie Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Halbleitertechnik und findet Anwendung bei der Qualitätskontrolle von auf einer Isolationsschicht erzeugten Halbleiterschicht.Charakteristik der bekannten technischen LösungenZur Untersuchung von auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschichten wird vorzugsweise das Verfahren der optischen Mikroskopie, verbunden mit chemischer Ätztechnik, eingesetzt. Das in G. K. Celler (in „laser crystallization of thin Si-films on amorphons insulating substrates" J.Cryst. Growth 63 [1983] S. 429) beschriebene Verfahren erlaubt Aussagen über die kristallographische Struktur von SOI-Schichten (Silicon On Isulator) sowie über Art und Dichte von Defekten. Bei diesem Verfahren werden die zu untersuchenden Proben zerstört.Ziel der ErfindungZiel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur schnellen und sicheren Qualitätskontrolle von auf isolierenden Unterlagen erzeugten Halbleiterschichten, wobei die Probeschichten nicht zerstört werden, anzugeben.Darlegung des Wesens der ErfindungDer Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Bestimmung der Struktur und Perfektion von auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschichten anzugeben.Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Struktur und Perfektion der Halbleiterschicht durch Messung der lateralen Verteilung des elektrischen Widerstandes der Schicht bestimmt wird. Dazu wird ein Vier-Spitzen-Meßsystem auf die Schicht aufgesetzt. Die Kontaktstellen der Meßspitzen werden durch Anlegen einer Spannung elektrisch formiert. Der elektrische Widerstand wird mit dem bekannten Vier-Spitzen-Meßverfahren bestimmt und die Meßspitzen werden zur Vorbereitung der Widerstandsmessung des nächsten Punktes auf der Schichtoberfläche schrittweise weiterbewegt. Der Meßzyklus wird wiederholt bis die punktweise gewonnenen Meßwerte Aufschluß über die laterale Widerstandsverteilung relevanter Oberflächenabschnitte geben. Durch die Verwendung von mehr als vier Meßspitzen ist die Realisierung unterschiedlicher Kontaktabstände möglich. Es ist so eine Aussage über die Homogenität der Widerstandsverteilung senkrecht zur Vorschubrichtung der Meßspitzen möglich. Der schrittweise Vorschub der Meßspitzen ist vorzugsweise größer 5μ.ηη.AusführungsbeispielDie Erfindung wird an folgendem Beispiel erläutert:Auf die zu untersuchende Halbleiterschicht werden mindestens vier Meßspitzen in einer Reihe angeordnet. Über zwei äußere Meßspitzen wird ein Konstantstrom in die Halbleiterschicht eingespeist. Der dabei an den zwei inneren Meßspitzen auftretende Spannungsabfall istein Maß für den Schichtwiderstand. Vordem Meßvorgang werden die Kontaktstellen der Meßspitzen durch Anlegen eines Spannungsimpulses größer 100V elektrisch formiert. Bei mit Hilfe von Keimtechniken erzeugte SOI-Schichten (Silicon On Insulator) ist der gemessene Widerstand zusätzlich eine Funktion des Abstandes der Meßspitzen von der Keimkante, wobei diese Abhängigkeit für das hier beschriebene Verfahren mit hinreichender Genauigkeit als stufenförmige Widerstandsänderung angenommen werden kann. Bei konstanter Dotandenkonzentration sind Wert und laterale Verteilung des elektrischen Widerstandes ein Maß für die kristalline Struktur und somit der Qualität der auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschicht. Die Messung erfolgte unter Prozeßbedingungen mit einem Vielfachsondentester, der durch ein automatisches Testsystem gesteuert wird. Dadurch ist ein definierter Vorschub einstellbar und eine Messung des Schichtwiderstandes und seiner lateralen Verteilung mit hoher Auflösung möglich.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD28717586A DD246194A1 (de) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Verfahren zur qualitaetskontrolle von auf isolierender unterlage erzeugten halbleiterschichten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD28717586A DD246194A1 (de) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Verfahren zur qualitaetskontrolle von auf isolierender unterlage erzeugten halbleiterschichten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD246194A1 true DD246194A1 (de) | 1987-05-27 |
Family
ID=5576635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD28717586A DD246194A1 (de) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Verfahren zur qualitaetskontrolle von auf isolierender unterlage erzeugten halbleiterschichten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD246194A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0289661A2 (de) * | 1987-03-28 | 1988-11-09 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur reproduzierbaren Bildung von Materialschichten und/oder zur Behandlung von Halbleiter-Materialschichten |
| WO2008053032A1 (de) * | 2006-11-01 | 2008-05-08 | Sulfurcell Solartechnik Gmbh | Verfahren zur messung des schichtwiderstands von mindestens zweischichtigen elektronischen bauelementen über trenngräben |
-
1986
- 1986-02-20 DD DD28717586A patent/DD246194A1/de unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0289661A2 (de) * | 1987-03-28 | 1988-11-09 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur reproduzierbaren Bildung von Materialschichten und/oder zur Behandlung von Halbleiter-Materialschichten |
| EP0289661A3 (de) * | 1987-03-28 | 1989-02-01 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur reproduzierbaren Bildung von Materialschichten und/oder zur Behandlung von Halbleiter-Materialschichten |
| WO2008053032A1 (de) * | 2006-11-01 | 2008-05-08 | Sulfurcell Solartechnik Gmbh | Verfahren zur messung des schichtwiderstands von mindestens zweischichtigen elektronischen bauelementen über trenngräben |
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