DD223326A1 - PROCESS FOR COATING LOECHERS IN SUBSTRATES - Google Patents

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DD223326A1 DD26217784A DD26217784A DD223326A1 DD 223326 A1 DD223326 A1 DD 223326A1 DD 26217784 A DD26217784 A DD 26217784A DD 26217784 A DD26217784 A DD 26217784A DD 223326 A1 DD223326 A1 DD 223326A1
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Joerg Thieme
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Hermsdorf Keramik Veb
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Abstract

DIE ERFINDUNG BEZIEHT SICH AUF DAS GEBIET DER ELEKTRONIK. ZIEL IST ES, DEN GROSSEN AUSWAND UND DIE BEGRENZTE ANWENDBARKEIT BEKANNTER VERFAHREN ZU BESEITIGEN. DIE AUFGABE BESTEHT DARIN, DIE ANWENDUNG BEKANNTER VERFAHREN NICHT MEHR NOTWENDIG ZU MACHEN, DABEI ABER GLEICHE ODER BESSERE SCHICHTEIGENSCHAFTEN DER METALLISIERUNGSSCHICHT ZU ERREICHEN. ERFINDUNGSGEMAESS WIRD IN EINEM LOCH IN EINEM ABSTAND VON DEN LOCHKANTEN ODER UNTERHALB DES LOCHES UND AUCH IN DIESEM ABSTAND DAS BESCHICHTUNGSMATERIAL BEREITGESTELLT. OBERHALB DES JEWEILS ZU BESCHICHTETEN LOCHES WIRD EINE LASEREINRICHTUNG ANGEORDNET, DIE EINEN LASERSTRAHL IM JET-BETRIEB AUSSENDET. BEI NORMALUMGEBUNGSDRUCK WIRD DER LASERSTRAHL SO GELENKT, DASS DESSEN BRENNFLECK IM ZENTRUM DES BESCHICHTUNGSMATERIALS LIEGT ODER DASS DIESER BEI DYNAMISCHEN BETRIEB AUF EINEM KREISRING BEWEGT WIRD, DESSEN DURCHMESSER KLEINER ALS DER LOCHDURCHMESSER IST. ANWENDUNGSGEBIET DER ERFINDUNG IST DIE HERSTELLUNG VON MEHREBENENSCHALTUNGEN.THE INVENTION RELATED TO THE FIELD OF ELECTRONICS. THE OBJECTIVE IS TO REMOVE THE BIG EXPERIENCE AND THE LIMITED APPLICABILITY OF KNOWN METHODS. THE TASK IS TO NO LONGER REQUIRE THE APPLICATION OF KNOWN METHODS, MOREOVER, TO REACH EQUAL OR IMPROVING CHEMICAL PROPERTIES OF THE METALIZATION LAYER. In accordance with the invention, the coating material is provided in a hole at a distance from, or below, the hole, and also at this distance, the coating material. A laser device is placed above the hole to be coated, which emits a laser beam in Jet mode. IN NORMAL ENVIRONMENT PRESSURE, THE LASER RADIATION IS FOCUSED THAT THEIR BURN IS LOCATED IN THE CENTER OF THE COATING MATERIAL, OR THAT IN DYNAMIC OPERATION, IT IS MOVED ON A CIRCULAR RING WHOSE DIAMETER IS SMALLER THAN THE HOLE DIAMETER. FIELD OF THE INVENTION IS THE MANUFACTURE OF MULTILAYER CIRCUITS.

Description

Dr. Jörg Thieme · P 1029Dr. Jörg Thieme · P 1029

, Int.Cl. : H 05 K, 3/42, 11.4.1984, Int. Cl. : H 05 K, 3/42, 11.4.1984

Titel der ErfindungTitle of the invention

Verfahren zum· Beschichten von Löchern in SubstratenProcess for coating holes in substrates

Anwendungsgebiet der Erfindung; . ' Field of application of the invention; , '

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektronik:» Sie betrifft ein "Verfahren zum Beschichten von Löchern in Substraten. Die Löcher, werden hergestellt, .um elektrisch leitende Verbindungen zwischen den einseinen Ebenen von Mehrebenenschaltungen zu realisieren«The invention relates to the field of electronics: "It relates to a method of coating holes in substrates, the holes are made to realize electrically conductive connections between the one-level of multi-level circuits."

Charakteristik, der bekannten technischen LösungenCharacteristic, the known technical solutions

Zur.Herstellung von elektrisch leitenden Verbindungen zwi— sehen der Vorder- und Rückseite von Schaltkreissubstraten bzw, .zwischen der Vorder— und/oder der Rückseite und innenliegenden Leiterebenen ist es bekannt, Bohrungen in den.Substraten anzubringen, die metallisiert werden müssen* Zur Beschichtung der'Lochwände .sind eine Vielzahl von"Verfahren •bekannt. . . . .' . ...Zur.Herstellung of electrically conductive connections between see the front and back of circuit substrates or., Between the front and / or the back and inner conductor levels, it is known to attach holes in die.Substraten, which must be metallized * For coating A variety of methods are known in the 'hole walls'. ...

Das Verfahren der stromlosen Metallabscheidung in Bohrungen mit anschließender- galvanischer Verstärkung ist auf GrundThe process of electroless metal deposition in holes with subsequent galvanic reinforcement is due

- 2 -..' .- P 1029·- 2 - .. '.- P 1029 ·

der geringen Haftfestigkeit der so abgeschiedenen Schichten und der eingeschränkten Werkstoffpalette nur begrenzt anwendbar (DE 2059 425).the low adhesion of the deposited layers and the limited range of materials only limited applicability (DE 2059 425).

'Desweiteren ist- die Vakuumbedampfung von senkrecht zur Oberfläche, eingebrachten Bohrungen bekannt, wobei zur allseitigen Bedampfung der Lochwände das Substrat während der Beschichtung gleichzeitig um mindestens zwei verschiedene Rotationsachsen bewegt werden muß. Auch diese Durchkontak-.tierungen müssen nachträglich galvanisch verstärkt werden (DE 2147 573,DE 2443 287).'Furthermore, the vacuum deposition of perpendicular to the surface, introduced holes known, for the all-around vapor deposition of the hole walls, the substrate must be moved simultaneously during coating at least two different axes of rotation. These through-contacts must also be subsequently galvanically reinforced (DE 2147 573, DE 2443 287).

·.· " .- · · . < Weiterhin sind Durchkontaktierungsverf ahren bekannt, 'bei denen man die Bohrungen mit einer leitfähigen Siebdruckpaste überdruckt und anschließend mittels Unterdruck die Siebdruckpaste durch die Bohrungen saugt und somit .die..Metallisierung" der Bohrungen realisiert (DS 2926. 335)·· ". · .- <Furthermore Durchkontaktierungsverf Ahren known 'in which it overprints the holes with a conductive screen printing paste and then sucked by means of vacuum screen printing paste through the holes and thus .die..Metallisierung". · Of the holes realized (DS 2926. 335) ·

Aus der DE 255s 361 ^3* ein Verfahren zur Herstellung metallisierter Bohrungen bekannt, bei dem zunächst eine leitfähige " Paste auf die Substratoberflache und in die Bohrungen gedruckt wird* Nach einem Sihterverfahren verflüchtigt sich die Paste teilweise, so 'daß nur eine Metallschicht auf den Innenwänden > verbleibt. ' . >From DE 255s 361 ^ 3 * a method for the production of metallized holes is known, in which first a conductive paste is printed on the substrate surface and in the boreholes. According to a heat treatment method, the paste partially volatilizes so that only one metal layer is volatilized Interior walls > remains. '>

Außerdem ist ein.Verfahren bekannt, bei dem die.Wände der Bohrungen metallisiert werden, in dem zunächst.die Bohrungen mit einer metallischen Paste ausgefüllt werden, wobei anschließend das Substrat geschleudert wird, so daß durch'dieIn addition, a method is known in which the walls of the bores are metallised by firstly filling the bores with a metallic paste, the substrate then being thrown so that the substrate is thrown through

' '..'' . · · ' :. ' - . Zentrifugalkräfte-einerseits überschüssige Me tall paste entfernt und, andererseits die Wände der Bohrungen gleichförmig mit Metallpaste überzogen werden* Danach muß das Substrat zur Verfestigung der Paste gebrannt werden (DS 2538 454)» , '' .. '' . · · ' : . '-. Centrifugal forces-on the one hand excess Me tall paste removed, and, on the other hand, the walls of the holes uniformly coated with metal paste * Then the substrate must be fired to solidify the paste (DS 2538 454) »,

In der Druckschrift DE 314-5 584 wird ein Verfahren zum Durchkontaktieren einer Leiterplatte beschrieben, bei dem ein elastisch verformbarer Druckstempel die leitfähige Siebdruckpaste in die Bohrung druckt. Bei kleinen BohrungsdurchmessernIn the document DE 314-5 584 a method for the through-contacting of a printed circuit board is described in which an elastically deformable pressure stamp prints the conductive screen printing paste into the bore. For small bore diameters

··' .. : ". ' .. - 3 -·· '..:". ' .. - 3 -

- 3 - P 1029- 3 - P 1029

. ist dieses Verfahren nicht; anwendbar., this procedure is not; applicable.

Zur Metallisierung der genannten 'Bohrungen ist außerdem ein Gaszerstäubungsverfahren bekannt, bei dem ein Aufdampfen der Metallisierungsschicht im Vakuum in der Nähe der Bohrungen bei so hohen Drücken vorgenommen wird, daß der Einfall der Teilchen aus allen Winkeln des Halbraumes erfolgt und somit eine Beschichtung" der Bohrungen erreicht wird.For the metallization of said holes also a gas atomization method is known in which a vapor deposition of the metallization layer in a vacuum in the vicinity of the holes is made at such high pressures that the incidence of the particles takes place from all angles of the half-space and thus a coating "of the holes is reached.

Eine ähnliche Wirkung ist zu erwarten,,, wenn man die bekannten Zerstäubungsverfahren in hohen Druckbereichen für die Metallisierung von Bohrungen anwendet.A similar effect is expected when applying the known sputtering processes in high pressure areas for the metallization of bores.

w Alle die genannten Verfahren haben technische und ökonomische Nachteile, insbesondere hinsichtlich der elektrischen Belastbarkeit und der Zuverlässigkeit solcher Verbindungen* Außerdem ist die Anwendungsbreite-verfahrensseitig und werkstoffseitig stark begrenzt. y w All of the mentioned methods have technical and economic disadvantages, in particular with regard to the electrical load-bearing capacity and the reliability of such connections. * In addition, the scope of application and method of the material is severely limited. y

Ziel der Erfindung; ' Aim of the invention; '

Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Beschichten von . Löchern in Substraten zu schaffen, das die genannten"Nachteile der bekannten technischen Lösungen, insbesondere den relativ großen Aufwand und die begrenzte Anwendbarkeit'beseitigt«The aim of the invention is to provide a method for coating. To create holes in substrates which eliminates the said "disadvantages of the known technical solutions, in particular the relatively large expenditure and the limited applicability"

Darlegung des Wesens der Erfindung;Explanation of the essence of the invention;

Die Aufgäbe der Erfindung besteht darin, ein neues Verfahren. zum Beschichten.von Löchern in Substraten zu finden, das die Anwendung aller bisher bekannten Verfahren zum Beschichten . (Metallisieren) dieser Löcher nicht mehr notwendig· macht, dabei aber gleiche oder bessere Schichteigenschäften der Metallisierungsschicht erreicht.The object of the invention is a new process. for coating holes in substrates, which is the application of all previously known methods for coating. (Metallizing) these holes no longer necessary makes *, but achieved the same or better Schichteigenschäften the metallization.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß zunächst in einem Loch in einem Abstand von den Lochkanten oder unter-According to the invention the object is achieved in that initially in a hole at a distance from the hole edges or under-

. - 4 - P 1029, - 4 - P 1029

. . halb des Loches und auch in diesem Abstand das Beschichtungsmaterial bereitgestellt wird« Oberhalb des jeweils zu beschichteten Loches wird eine Lasereinrichtung angeordnet. . Der von dieser Lasereinrichtung ausgesendete Laserstrahl wird in ;einem 'Gasstrom. (Jet-Betrieb) und bei" einem Normalumgebungsdruck:, also keinem Vakuum, so gelenkt, daß dessen . ' Brennfleck im Zentrum des Beschichtungsmaterials liegt oder daß der Brenhfieck bei dynamischem Betrieb des Lasers auf einen Sireisring bewegt wird,, dessen Durchmesser kleiner, als der Lochdurchmesser,ist,, , half of the hole and at this distance, the coating material is provided «above the hole to be coated in each case a laser device is arranged. , The laser beam emitted by this laser device is transformed into a gas flow. (Jet operation) and at "a normal ambient pressure:, so no vacuum, so steered that its. 'Focal spot is in the center of the coating material or that the Brenhfieck is moved during dynamic operation of the laser on a Sireisring whose diameter is smaller than the hole diameter is,

Λ Zweckmäßigerweise wird der Abstand des Beschichtungsmaterials von den Lochkanten im. Bereich von einem Zwölftel bis zu einem ; '.' Sechstel der Lochtiefe eingestellt. ^ Ύ Λ Conveniently, the distance of the coating material from the hole edges. Range from one-twelfth to one; '.' Set sixth of the hole depth.

.In weiterer^Ausgestaltung der Erfindung wird der Laserstrahl ; .. in Abhängigkeit vom Lochdurchmesser fokussiert» .In another embodiment of the invention, the laser beam is; .. depending on the hole diameter ».

/Ss ist weiterhin zweckmäßig, das Beschichtungsmaterial in '.- ' festem Zustand bereitzustellen· Soll es im Loch angeordnet l· :, werden, ,kann es .dort als Stift eingepaßt werden. . ·/ Ss is also expedient to provide the coating material in '.-' solid state · If there disposed in the hole l ·: be, it may .dort be fitted as a pin. , ·

Ss sei hier ausdrücklich--darauf'hingewiesen, daß es zwar '..'. bekannt ist, mit Laserstrahlen Löcher-in Substrate -zu-bohren.It should be explicitly stated here that although it is '..'. It is known to hole-in substrates with laser beams.

und dabei leitende Lochwänae zu erzeugen, aber dabei., keine y - Schicht auf'die Lochwände aufgetragen wird,- sondern nur chemische Reaktionen des Lochwandmateriäis durch Vorhandensein .· . eines Vakuums verhindert werden (DS 3103 'and thereby to produce conductive hole walls, but in doing so, no y - layer is applied to the hole walls, - but only chemical reactions of the hole wall material due to presence. a vacuum can be prevented (DS 3103 '

Natürlich ist ,die Anwendung eines Lasers zur Verdampfung' von Materialien, die. auf flächigen Substraten niedergeschlagen werden-soll,.--.auch bekannt» Die vorliegenden Verhältnisse und Probleme beim Aufbringen einer dünnen Schicht in siner feinen Bohrung, (Loch) sind aber'wesentlich komplizierter. So ist aus den physikalischen Gesetzmäßigkeiten, insbesondere aus den Erkenntnissen für die Abhängigkeit der freien Weglänge von Dampfteilchen von der Srzeugnung einer gleichmäßigen Schicht, keinesfalls zu erwarten,''das bei einer beim erfindungsgemäßenOf course, the application of a laser for evaporation 'of materials that. "The present conditions and problems with the application of a thin layer in a fine bore, (hole) are, however, considerably more complicated. Thus, from the physical laws, in particular from the findings for the dependence of the free path of steam particles from the generation of a uniform layer, not to be expected, '' that at a the inventive

- 5 - P 1029 - 5 - P 1029

Verfahren· erreichten freien Weglänge von kleiner 1 .Aim. die benötigte gleichmäßige, durchgehende Metallisierungsschicht für die Lochwand erreicht werden.kann. Procedure · achieved free path of less than 1 .Aim. the required uniform, continuous metallization layer can be achieved for the hole wall.

Ausführungsbeispielembodiment

Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher beschrieben werden. Die dazugehörigen Zeichnungen ; zeigen:The invention will be described below with reference to an embodiment. The accompanying drawings; demonstrate:

Tig. 1: eine Schnittdarstellung durch ein Substrat mit 1^/ - Loch, wobei das Beschichtungsmaterial im LochTig. FIG. 1 is a cross-sectional view through a 1 / 2 -hole substrate with the coating material in the hole. FIG

angeordnet ist ' is arranged '

, Fig. 2: eine Schnittdarstellung durch ein Substrat mit Loch, wobei das Beschichtungsmaterial unterhalb des Loches angeordnet ist.2 shows a sectional view through a substrate with a hole, wherein the coating material is arranged below the hole.

Zur Herstellung einer Mehrebenenstruktur, die, wie hier beschrieben werden soll, im einfachsten Tail aus einem auf beiden Seiten metallisierten Keramiksubstrat besteht, werden in diesem eine oder mehrere Bohrungen, z.B. mit einem Laserstrahl, eingebracht. Zur Realisierung einer leitenden Verbindung zwischen den beiden Leiterebenen 3>5 muß die Bohrung (Loch) metallisiert v^erden.To produce a multi-level structure which, as will be described here, consists of a metallized ceramic substrate metallized on both sides, one or more holes, e.g. with a laser beam, introduced. To realize a conductive connection between the two conductor levels 3> 5, the hole (hole) must be metallized.

Gemäß der Erfindung wird in ein Keramiksubstrat 4 mit einer Dicke von 630 /am ein Loch 7 sit einem Durchmesser von SuQ /um gebohrt, das 'insbesondere eine konische Form aufweist.According to the invention, a hole 7 is drilled in a ceramic substrate 4 having a thickness of 630 μm on a diameter of SuQ / μm, which has a conical shape in particular.

Innerhalb des Loches 7 (Fig. 1) wird nun das Beschichtungsmaterial .6 angeordnet und zwar in einem Abstand a von 100 /um von den Lochkanten. Als Beschichtungsmaterial 6,kann beispielsweise ein Metall in Stiftform verwendet werden. Zur weiteren Realisierung des Verfahrens wird oberhalb des Loches 7 eine Lasereinrichtung 1 angeordnet. Diese kannWithin the hole 7 (FIG. 1), the coating material 6 is now arranged, specifically at a distance a of 100 μm from the hole edges. As the coating material 6, for example, a metal in stick form can be used. For further implementation of the method, a laser device 1 is arranged above the hole 7. This can

- δ - P 1029- δ - P 1029

nach der Erfindung ein COp-Laser im Jet-Betrieb sein. An den . Umgebungsdruck: werden keine besonderen Anforderungen (kein Vakuum) gestellt. Lediglich eine Argon- oder Stickstoffatmosphäre mit einem Druck kleiner 2 · 10-^ Pa sollte vorhanden sein»7Der Laserstrahl 2'-wird entsprechend dem vorhandenen ;' .." Lochdurohmesser fokussiert und gelenkt, so daß sein Brennfleck im Zentrum des BeSchichtungsmaterials 6 liegt. Bei dynamischen . Betrieb des Lasers (Verfahren des Laserkopfes) wird der Brenn- : fleck auf .einem Kreisring auf dem/Beschichtungsmaterial 6 bewegt, dessen Durchmesser,kleiner als der LochdurchmesserAccording to the invention be a COp laser in jet mode. To the . Ambient pressure: No special requirements (no vacuum) are provided. Only an argon or nitrogen atmosphere with a pressure of less than 2 · 10- ^ Pa should be present. » 7 The laser beam 2'-is selected according to the available; ' Focusing and guiding the hole-making knife so that its focal spot lies in the center of the coating material 6. During dynamic operation of the laser (laser head method), the burning spot is moved on a circular ring on the coating material 6 whose diameter, smaller than the hole diameter

>--Λ In Fig. 2 ist. das Beschichtungsmaterial 6 unterhalb des Loches 7 auf einem Träger 8 angeordnet, unter dem Begriff "Träger" kann dabei auch ein Verdampfertiegel verstanden werden. Der Abstand a des BeSchichtungsmaterials 6 von der Lochkante . beträgt auch hier beispielsweise 100 ,,um. Beim Auf treffen; des . Laserstrahls .2 auf dem Beschichtungsmaterial 6 wird .dieses . explosionsartig verdampft und schlägt sich als eine dünne : Schicht (0,1yum). auf-der Loch(innen)wand nieder· Senkrecht zu dieser beschichteten Fläche, d«iu auf der Substratober— fläche, findet keine Materialablagerung statt. Die durch die selektive Beschichtung der Lochwand entstandene elektrisch leitfähige Schicht weist einen .Übergangswiderstand kleiner ' 1 0hm auf» ' v . '> - Λ In Fig. 2 is. the coating material 6 is arranged below the hole 7 on a carrier 8, the term "carrier" can also be understood to mean an evaporator crucible. The distance a of the BeSchichtungsmaterials 6 from the hole edge. is also here, for example 100, um. When meeting; of . Laser beam .2 on the coating material 6 becomes .This. explosively evaporates and turns out to be a thin: layer (0,1yum). on the hole (inside) wall · perpendicular to this coated surface, ie on the substrate surface, no material deposition takes place. The resulting by the selective coating of the hole wall electrically conductive layer has a smaller .Übergangswiderstand '1 0hm to' 'v. '

• Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet eine breite Anwend-· . barkeit für, die verschiedensten Beschichtungsmateriälien und Substrätwerkstoffe. Die hergestellte Metallisierungsschicht auf der Lochwand besitzt eine gleichmäßige Dicke auf ihrer gesamten Fläche und gute Haftbarkeit zur Keramik. Ihre. Bigen— : schäften sind mit denen einer gesputterten Schicht vergleich- b.ar. ; . ' · -The method according to the invention allows a broad application. availability for a wide variety of coating materials and substrate materials. The prepared metallization layer on the hole wall has a uniform thickness over its entire surface and good adhesion to the ceramic. Your. Bigen-: transactions are comparable with those of a sputtered layer b.ar. ; , '· -

Auf Grund der Tätsache, daß die Lasereinrichtung sowohl zum Bohren der Löcher als auch zum Beschichten dieser verwendet ;.·.' .. . wird, ist der. Aufwand gering.Due to the fact that the laser device uses both for drilling the holes and for coating them; ... is, is that. Effort low.

· ' · ... .· ' ζ ' - 7 -  · '· .... ·' Ζ '- 7 -

- 7 - P 1029- 7 - P 1029

Das Verfallren läßt sich natürlich auch anwenden, wenn mehr als zwei Leiterebenen auf bzw» in einem oder mehreren Substraten elektrisch leitend verbunden werden sollen·Of course, the deterioration can also be used if more than two conductor planes are to be electrically conductively connected to one or more substrates.

Claims (5)

- 8 - P 1029- 8 - P 1029 Brf indunffsanspruchBrf indunffsanspruch Ί. Verfahren zum Beschichten von Löchern.in Substraten, wie sie insbesondere für elektrisch leitende Yerbindungen zwischen den einzelnen Leiterebenen von Mehrebenenschaltungen hergestellt werden, gekennzeichnet dadurch, daß zunächst'ih einem Loch (7) in einem Ί. Process for coating holes in substrates, in particular for electrically conductive connections between the individual conductor planes of multi-level circuits, characterized in that first of all a hole (7) in one . ;.-Abstand'(.a) von den Lochkanten oder unterhalb des Loches. (7) u£<i auch in diesem Abstand Ca) das Beschich- i tungsmateriai (6) bereitgestellt wird, daß anschließend oberhalb des Loches C7) eine Lasereinrichtung (1) angeordnet wird, wobei : ein von. dieser ausgesendez'ter Laserstrahl C2). in einem Gasstrom und bei-üormalumgebungs- · druck so gelenkt wird,- daß dessen Brennfleck is Zentrum des Beschichtungsmaterials, C6) liegt oder daß der Brenn- ' ' fleck bei dynamischen Betrieb: des Lasers-auf-einem Kreisring bewegt vsird, dessen Durchmesser kleiner als der Lochdurchmesser ist* . · : , ; - distance '(a) from the hole edges or below the hole. (7) also at this distance Ca) the coating material (6) is provided, that then above the hole C7) a laser device (1) is arranged, wherein: one of. this emitted laser beam C2). in a gas flow and under normal ambient pressure is directed - that its focal spot is the center of the coating material, C6) or that the burning spot is moved during dynamic operation of the laser-on-a circular ring whose diameter smaller than the hole diameter is *. ·: 2. Yerfahren nachvPunkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß der; Abstand Ca) des Beschichtungsmaterials C5). von den Lochkanten im Bereich von einem Zwölftel bis zu einem Sechstel .der Lochtiefe realisiert wird. . .·2. Yerfahren after v point 1, characterized in that the ; Distance Ca) of the coating material C5). is realized by the hole edges in the range of one-twelfth to one-sixth of the hole depth. , . · 3« ^erfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß der Laserstrahl C2). in Abhängigkeit von dem Lochdurchmesser3 ^ experienced according to item 1, characterized in that the laser beam C2). depending on the hole diameter /fokussiert ..-wird*. V. ' ; / focused ..- will *. V. '; 4. Verfahren nach.Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß das "Beschichtungsmaterial (6) im festen Zustand bereitgestellt wird-, -.  4. The method nach.Punkt 1, characterized in that the "coating material (6) is provided in the solid state, -. 5· Verfahren nach Punkt A, gekennzeichnet dadurch, daß das ' Beschichtungsmaterial C6) als Stift in das Loch C?) einge-Method according to item A, characterized in that the coating material C6) is inserted as a pin in the hole C? ;- paßt' wird* , '...' : · ; - will fit *, '...': · - Hierzu 1 Seite Zeichnungen - ^- See 1 page drawings - ^
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE19581659T1 (en) * 1994-10-20 1997-05-22 Electro Scient Ind Inc Storage system and method for metallizing passageways
US5841099A (en) * 1994-07-18 1998-11-24 Electro Scientific Industries, Inc. Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets

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