DD216137A1 - METHOD FOR DIRECT IMAGING OF MICROSTRUCTURES - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur direkten Abbildung von Mikrostrukturen mittels geladener Teilchen zur Herstellung integrierter mikroelektronischer Schaltkreise auf dem Gebiet der Halbleitertechnik. Das Ziel der Erfindung besteht darin, Substrate mittels hochenergetischer geladener Teilchen, beispielsweise Elektronenstrahlen, direkt zu strukturieren, ohne dass aeussere Einfluesse den Strukturierungsprozess negativ beeinflussen koennen. Die Aufgabe besteht darin, das Sunstrat in definiert vorgegebenen Bereichen ohne Maske oder Schablone unter Zuhilfenahme der Substrattischbewegung so zu exponieren, dass die Strukturabbildung des Schaltkreises direkt auf d.Substratoberflaeche erfolgt. Erfindungsgemaess werden dazu ein vorgeformtes Elektronenstrahlenbuendel so nachgeformt, dass ein Strahlenband entsteht, dessen Breite um ein Vielfaches groesser als seine Dicke ist. Dieses Band wird verschiedenen Ablenkeinrichtungen zugefuehrt, definiert ausgelenkt, der unausgelenkte Strahlenbandanteil wird nachgeformt, beschleunigt u. auf das Substrat gerichtet, wo durch Bewegung desselben entsprechend eines Computerprogrammes die Struktur exponiert wird.The invention relates to a method for the direct imaging of microstructures by means of charged particles for the production of integrated microelectronic circuits in the field of semiconductor technology. The object of the invention is to directly structure substrates by means of high-energy charged particles, for example electron beams, without external influences being able to negatively influence the structuring process. The task is to expose the sunstrat in defined predetermined areas without a mask or stencil with the aid of the substrate table movement in such a way that the structural imaging of the circuit takes place directly on the substrate surface. According to the invention, a preformed electron beam is reshaped to form a beam band whose width is many times greater than its thickness. This band is fed to different deflection devices, defined deflected, the undistorted beam portion is reformed, accelerated u. directed to the substrate, where by movement of the same according to a computer program, the structure is exposed.

Description

Verfahren zur direkten Abbildung von MikrostrukturenMethod for direct imaging of microstructures

Anwendungsgebiet der Srfindung.Field of application of the invention.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur direkten Abbildung von Mikrostrukturen auf einem Substrat mittels geladener Teilchen, beispielsweise Slektronenstrahlen, für die Herstellung integrierter mikroelektronischer Schaltkreise. ' . '. . . '; " ^; . : ' '. ; ' " Das Verfahren ist auf dem Gebiet der Halbleitertechnik anwendbar. ; : . 'The invention relates to a method for direct imaging of microstructures on a substrate by means of charged particles, for example, electrons beams, for the production of integrated microelectronic circuits. '. '. , , ';"^; .: ''.;'""The method is applicable in the field of semiconductor technology. ; :. '

Charakteristik der bekannten technischen ,Lösungen.Characteristic of the known technical, solutions.

Ss sind Verfahren zur Strukturierung von Halbleitersub- \ straten mittels hochenergetischer ,geladener Teilchen, beispielsweise Slektronenstrahlen, bekannt, bei denen in einem Vakuum ein Blektronenstrahlenbündel gebildet und konzentriert wird, welches durch eine einer Ablenkein-¹ richtung zugeführte' elektrische Spannung so positioniert wird, daß das Slektronenstrahlenbündel zu einer vorbestimmten Position auf einem gegenüber Slektronenstrahlen empfindlichen Material auf einem Substrat bewegt ^;wird. Der auf dem strahlenempfindlichen Material entstehende Brennfleck wird entsprechend einer vorgegebenen Strukturierung durch Bewegung des Slektronenstrahlenbündels .Ss are methods for patterning semiconductor substrates \ straten by means of high-energy charged particles, for example Slektronenstrahlen, are known in which a Blektronenstrahlenbündel is formed and concentrated in a vacuum, which is supplied by one of a Ablenkein- ¹ direction 'voltage is positioned so that moving the slektronsstrahlenbündel to a predetermined position on a sensitive to Slektronenstrahlen sensitive material on a substrate ^; becomes. The focal spot formed on the radiation-sensitive material becomes corresponding to a predetermined structuring by movement of the slektronenstrahlenbündels.

oder der das .Substrat tragenden Substrataufnahme so aneinandergereiht vervielfacht, daß eine der geforderten Strukturierung, beispielsweise die eines bestimmten Schaltkreises entsprechende Struktur, exponiert wird. Dieses als Elektronenstrahldirektbelichten oder Elektronenstrahlschreiben bekannte Verfahren ist relativ auf -wendig, da -die im Bereich von 0,1 bis wenige Mikrometer liegende Brennfleckgröße bis zur Exponierung der , Gesamtstruktur einen im Verhältnis zur Substratiläche hohen Zeitaufwand erfordert.or the Substrataufnahme carrying substrate holder so multiplied lined up that one of the required structuring, for example, the structure of a particular circuit corresponding structure is exposed. This method known as electron beam direct or electron beam writing is relatively intrinsic because the focal spot size ranging from 0.1 to a few microns requires exposure to a large amount of time relative to the substrate surface until exposure of the overall structure.

Sin anderes Verfahren arbeitet nach dem Prinzip eines durch ein System von Steuereinrichtungen ausgebildeten !Formstrahles j unter welchem mäanderförmig ein zu bestrahlendes Substrat hindurchgeführt- wird. Ein nach diesem Prinzip arbeitendes e-Strahlsystem erfordert einen nicht, unerheblichen.'Zeitaufwand für die Exponierung der Struktur sowie einen komplizierten Steuer- und Hegelmechani sinus für die Substrat- und Strahlbewegung:, da der Bereich der maximalen Strahlablenkung im Vergleich zur gesamten au exponierenden Fläche gering ist und deshalb das Substrat schrittweise unter dem Ablenkbereich des Elektronenstrahles bewegt werden muß» Die Bewegung des Substrates führt zwangsläufig zu unerwünschten und die Zuverlässigkeit und Qualität beeinträchtigenden Schwingungen im Gesamtsystem. Desweiteren hat die Ablenkspannung direkten Einfluß auf die Position des abgelenkten Slektronenstrahlbündels während des Exponierungsvorganges.'Deshalb ist zur Stabilisierung der Ablenkspannung 'ein ebenfalls hoher Aufwand für die Versorgungselektronik und Abschirmungsmaßnahmen erforderlich. ' : Another method operates on the principle of a shaping jet j formed by a system of control devices, below which a substrate to be irradiated is guided in meandering fashion. An e-beam system operating according to this principle requires a non-negligible time for the exposure of the structure as well as a complex control and Hegelmechani sinus for the substrate and beam movement, as the range of maximum beam deflection compared to the entire au exposed surface is low and therefore the substrate must be moved stepwise under the deflection of the electron beam. "The movement of the substrate inevitably leads to undesirable and the reliability and quality impairing vibrations in the overall system. Furthermore, the deflection voltage has a direct influence on the position of the deflected slektronenstrahlbündels during the Exonierungsvorganges.'Therefore, to stabilize the deflection voltage 'also a high cost of the supply electronics and shielding measures required. ':

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Ziel der Erfindung .· - "\Object of the invention.

Das Ziel der -Erfindung besteht darin, Substrate mittels hochenergetischer geladener Teilchen, beispielsweise Elektronenstrahlen, direkt zu;strukturieren, ohne daß störende Einflüsse, wie Schwingungen des Anlagensystems aus SubstrattischbewegiLQgen oder destabile Spannungen an den Ablenkelektroden den Strukturierungsprozeß beein~ trächtigen.The object of the invention is to directly structure substrates by means of high-energy charged particles, for example electron beams, without interfering influences, such as oscillations of the system of systems of substrate table motion or destabilized voltages on the deflection electrodes, affecting the patterning process.

Aufgäbe der ErfindungAbandonment of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur direkten Erzeugung" von Mikrostrukturen mittels hochenergetischer geladener Teilchen.» beispielsweise Elektronenstrahlen, zu entwickeln das es ermöglicht, in definiert vorgegebenen Bereichen auf einem Substrat ohne linsatz einer Maske oder Schablone Strukturen herzustellen, ohne daß komplizierte Vorrichtungen/zur Schwingungskompensation der Substrattischbewegungen der Anlage, sowie zur Erzeugung hochpräziser Ablenkspannungen für die Ablenk-.. elektroden der Anlage vorgesehen sein müssen.The invention has for its object to develop a method for the direct production of "microstructures by means of high-energy charged particles." For example, electron beams, which makes it possible to produce in defined predetermined areas on a substrate without linsatz a mask or template structures, without complicated devices / for vibration compensation of the substrate table movements of the plant, as well as for generating high-precision deflection voltages for the deflection .. electrodes of the system must be provided.

Merkmale der Erfindung .\ 'Features of the invention.

SrfindungsgemäJB wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß ein durch Blenden vorgeformtes, sehr schmales, paralleles , Ladungsträgerstrahlenband durch ein der Blendenanordnung nachgeordnetes, näherungsweise eindimensional ausgelegtes Projektionslinsensystem geleitet,, innerhalb eines folgend angeordneten Modulationselektrodensystems in definierten Bereichen moduliert', partiell abgelenkt und einer Trennelekiriida. -U2_;afiilir1i ^!,rd, welche nur den unausgelenkten Anteil des Strahlenbandes passieren läßt. Der unausgelenkte Anteil des Ladungsträgerstrahlbandes wird inner-According to the invention, the object is achieved in that a very narrow, parallel, charged-particle beam band preformed by diaphragms passes through an approximately one-dimensional projection lens system arranged downstream of the diaphragm arrangement, modulated in defined areas within a subsequently arranged modulation electrode system, partially deflected and separated by a separating element. -U2 _; afiilir1i ^ !, rd, which allows only the undeflected portion of the radiation band to pass. The undeflected portion of the charged particle beam is internally

halb der Trennelektrode einer räumlichenG-lättung unterzogen und mittels eines ersten Elektrodensystems "beschleunigt, einem weiteren Elektroden- und Linsensystem zugeführt, dessen Aufbau .ebenfalls näherungsweise eindimensional ausgelegt ist, worin der unausgelenkte .Ladungsträgerstrahlenbandanteil auf seine Nennenergie be-,schleunigt und verkleinert wird. Dieser so ausgebildete Ladungsträgerstrahlenbandanteil wird auf einem in der Bildebene befindlichen und auf einer in x-, y-, z- und ' ψ -Bichtung.beaufschlagbaren Substrataufnahme befestigten Substrat verkleinert abgebildet. .' ;.'.is subjected to spatial G-smoothing and accelerated by means of a first electrode system, to another electrode and lens system whose construction is also approximately one-dimensional, in which the undeflected charge carrier beam portion is accelerated, accelerated and reduced to its nominal energy 'shown in reduced ψ -Bichtung.beaufschlagbaren substrate receiving fixed substrate..' thus formed charge carrier beam tape portion is located on a in the image plane and on one in x-, y-, z- and ;. '.

Die Bewegung des Substrates in der Bild- oder Strahlebene erfolgt zur Durchführung des Yerfahrens gleichförmig und in Abhängigkeit von der-Ansteuerung der Modulations-'· und Beschleunigungselektrodensysteme'vorzugsweise senk- . recht zur größeren Ausdehnungs'richtung des Ladungsträgerstrahlenbandquerschnitts oder verläuft in einem beliebigen Winkel zu dieser. . Die Steuerung der Modulation des Ladungsträgerstrahlenbandes,.. dessen Beschleunigung und Verkleinerung sowie . die Steuerung der Substratbewegung in der Bildebene wird von einem dem System zugeordneten Computer ausgeführt.The movement of the substrate in the image or beam plane is carried out uniformly for carrying out the yawing and, depending on the control of the modulation and acceleration electrode systems, preferably in a lowering manner. right to the larger extension direction of the carrier beam cross section or runs at an arbitrary angle to this. , The control of the modulation of the carrier beam, .. its acceleration and reduction as well as. the control of substrate movement in the image plane is performed by a computer associated with the system.

Ausführungsbeispiel . .·.'..· Embodiment. . ·. '· ..

Die Erfindung wird anhand, eines Ausführungsbeispieles und anhand von vier Zeichnungen näher erläutert« . Dabei zeigen: ; .The invention will be explained in more detail with reference to an exemplary embodiment and with reference to four drawings. Show: ,

Pig. i den schematischen,Aufbau einer zur DurchführungPig. i the schematic, building one to carry out

'-'.des Verfahrens geeigneten Einrichtung, ~ Jig» 2 die Drauf sieht von Fig. 1, ,  of the method suitable device, the top of which is shown in FIG. 1, FIG.

Fig. 3 den Schnitt durch ein Modnlatio.nselektroden-3 shows the section through a Modnlatio.nselektroden-

i*ig, 4 Querschnitte des Strahlenbandes.i * ig, 4 cross sections of the radiation band.

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,&emäß Pig· 1 wird ein von einer nichtdargestellten .Strahlenquelle ausgehender paralleler und in geeigneter Weise vorbeschleunigter und vorgeformter Teilchenstrom von Ladungsträgern, beispielsweise Elektronenstrahlen S, -•einer Anordnung von Blenden 2; 3 zugeführt, die "den . Teilchenstrom zu einem flachen Strahlenband Λ umformen, dessen Breite b ein Vielfaches seiner Dicke s aufweist.Referring to Fig. 1, a parallel and suitably pre-accelerated and preformed particle stream of charge carriers, for example electron beams S, emanating from an unillustrated beam source is shown. 3 supplied, which convert "the. Particle stream into a flat band Λ rays, the width b s which is a multiple of its thickness.

.In seinem weiteren Verlauf wird das Ladungsträgerstrahlenband 1 in ein nachgeschaltetes Projektionslinsensystem 4 .geleitet, in dem eine weitere Parallelisierung und Sichtung des LadungsträgerStrahlenbandes 1 erfolgt. Den Querschnitt des. Ladungsträgerstrahlenbandes 1 nach:dem Durchgang durch das Projektionslinsensystem A zeigt Fig. "A im .Schnitt A - A. Im Anschluß daran ist ein Modulationselektrodensystem 5 vorgesehen, welches in seiner Abszissenachse ein fein untergliedertes Ablenksystem für elektrisch geladene Teilchen aufweist, dessen Sinzelelektroden im einfachsten !Fall analogeines Kondensators aufgebaut sind. Bine einfache j stark;vergrößerte Ansicht einer Elektrode zeigt Fig* 3> ' ·. - ' '. '' ' ' Die Ablenkelektroden, sind mittels geeigneter elektronischer Vermittlungs- und Verteilungsschaltungen^:mit einem Steuercomputer 1Ί verbunden und werden von diesem im Zusammenwirken mit der Bewegung des Substrattisches 9, der Beschleunigungseinrichtung 10 und des Verkleinerungssystems 7 gesteuert. Wird an die Ablenkelektroden des. Systems 5 ein elektrisches. Potential angelegt, werden die zwischen diesen Elektroden ^hindurchgehenden Strahlen-?·/ ' bandanteile 1.1 entsprechend aus.gelenkt, während die un-.beschalteten Ablenkelektroden den übrigen Strahlenband-.'anteil 1.2 unausgelenkt passieren lassen. In Fig. 4 ist ein Querschnitt des Strahlenbandes nach dem Durchgang durch das Modulationselektrodensystem 5 'dargestellt (Schnitt B — B) .*- In- dem·· nac/hgeordneten ', Trennelektrodensystem 6 wird der ausgelenkte Strahlen-, bandanteil 1.1 aufgehalten, während der unausgelenkte Anteil 1.2 das System ungehindert passiert. Während des.In its further course, the carrier beam 1 is fed into a downstream projection lens system 4, in which a further parallelization and screening of the carrier beam 1 is carried out. The cross-section of the charged-particle beam 1 after passing through the projection lens system A is shown in FIG. 3A in section A. Subsequently, a modulation electrode system 5 is provided which has a finely divided deflection system for electrically charged particles in its abscissa axis !. Sinzelelektroden Bine simple j are constructed in the simplest case analog of a capacitor strong; enlarged view of an electrode, Figure * 3>'*-.''''''The deflection electrodes are connected by means of suitable electronic switching and distribution ^circuits: a control computer. 1Ί and are controlled by it in cooperation with the movement of the substrate table 9, the accelerator 10 and the reduction system 7. When an electrical potential is applied to the deflection electrodes of the system 5, are the beams passing between these electrodes 1? 'band shares 1.1 accordingly. while the un-connected deflection electrodes allow the remaining beam band to pass undisturbed. FIG. 4 shows a cross section of the radiation band after passing through the modulation electrode system 5 '(section B-B). In the connected separation electrode system 6, the deflected beam, band component 1.1 is stopped, while FIG the undirected portion 1.2 the system passes unhindered. During the

Durchganges des unausgelenkten Anteils 1.2 durch, das Trennelektrodensystem .6 erfolgt eine Glättung desselben in Richtung der Ordinatenachse· Dabei ist es unerheblich, um welchen Betrag der ausgelenkte Strahlenbandanteil 1.1 ausgelenkt wurde, das heißt, welche Ablenkspannung innerhalb bestimmter Grenzwerte im konkreten Fall an jeder Ablenkelektrode anlag, da dieser Strahlenanteil zur Bearbeitung nicht genutzt,wird. Daraus ergibt sich, daß eine präzise'Vorgabe der Ablenkspannung nicht erforderlich ist. .· - , . . ' '-". - ·. ..'.- . '.. ' ' Der in der Pig. 4 dargestellte Schnitt C-C beinhaltet den modulierten: Strahlenbandant eil 1»3 323-ch Verlässen des Trennelektrodensystems 6. · . . >It is irrelevant by what amount the deflected beam portion 1.1 was deflected, that is, which deflection voltage within certain limits in each case was applied to each deflection electrode , because this beam component is not used for processing. As a result, a precise specification of the deflection voltage is not required. · ·,. , The section C-C shown in Fig. 4 includes the modulated: beam bandant 1 »3 323-ch dissipation of the separation electrode system 6. ···················································································

In seiner Weiterführung wird der Strahlenbandanteii I.3 in dem nachgeordneten Beschleunigungssystem 10 beschleunigt und in dem,folgenden. Verkleinerungssystem 7 entsprechend dem gewählten Maßstab in den, Koordinaten χ und y verkleinert und verläßt dasselbe parallel. Durch weitere, dem Verkleinerungssystem 7 nachgeordnete Beschleunigungselektroden 10.1 wird.dsr Strahlenbandanteii 1.3.'auf seine Sndenergie beschleunigt.und anschließend auf eine Bildebene projiziert, "auf der das auf der Substrataufnahme 9 befestigte Substrat 8 angeordnet ist. Die Bewegungsbahn des genutzten Strahlenbandanteiles I.3 ist im 2Tormalfall nach der Justage fest vorgegeben und unterliegt keinem äußeren, von den Koordinaten der zu erzeugenden Struktur bestimmten Ablenkungszwang*..In its continuation, the beam band I.3.3 is accelerated in the downstream acceleration system 10 and in the following. Reduction system 7 according to the selected scale in the, coordinates χ and y reduced and leaves the same in parallel. By means of further acceleration electrodes 10.1 arranged downstream of the reduction system 7, the radiation band portion 1.3 is accelerated to its energy and then projected onto an image plane on which the substrate 8 mounted on the substrate receptacle 9 is arranged is fixed in the 2Tormalfall after the adjustment and is not subject to any external, determined by the coordinates of the structure to be generated distraction compulsion *.

Durch die spezifischen und vorausbestimmten Wechselwirkungen zwischen den Teilchen jedes Teilstromes I..3I des Strahlenbandanteiles 1.3 und der zu beeinflussenden Oberflächenschicht des Substrates 8 wird eine Strukturierung derselben in modulierter Weise parallel zur Abszissenachse sofort in der;gesamten Breite des Strahlenbandes bewirkt. .Due to the specific and predetermined interactions between the particles of each partial stream I..3I of the beam band fraction 1.3 and the surface layer of the substrate 8 to be influenced, structuring thereof in a modulated manner parallel to the abscissa axis is effected immediately in the entire width of the beam band. ,

Durch die gleichzeitige gleichförmige und schwingungsfreie Verschiebung des Substrattisches 9 vorzugsweiseDue to the simultaneous uniform and vibration-free displacement of the substrate table 9 preferably

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parallel oder unter einem Winkel cC von 0°έ<Χ ^ zur Ordinatenachse,wird auf der Oberfläche des Substrates 8,eine Fläche in den Koordinaten χ und y überstrichen und dabei strukturiert. Vparallel or at an angle cC of 0 ° έ <Χ ^ to the ordinate axis, an area in the coordinates χ and y is overlined on the surface of the substrate 8 and thereby structured. V

Die Vorschubgeschwindigkeit des Substrattisches 9 wird mittels des Computers 11 mit dem Modulationselektrodensystem 5 und dem Beschleunigungssystem 10 so koordiniert, daß auf der Oberfläche des Substrates 8 praktisch.jedes Muster im East-ermaß a strukturiert werden kann. Das Eastermaß ä wird dabei durch das Unterteilungsmaß.der Ablenkelektroden des Modulationselektrodensystems 5 und dem gewählten Yerkleinerungsmaßstab bestimmt.. . Sin Vorteil des Verfahrens besteht darin, daß die geometrische Bindung an das Eastermaß. a praktisch nur. für die Koordinate χ eines Musters bestimmend ist, während- das Hastermaß a in der Koordinate j im wesentlichen von der .:fokussierung des Strahlenbandes in Ordinatenrichtung begrenzt wird und sonst nur von der'minimalen Taktzeit des Modulationselektrodensystems in Verbindung mit einer sinnvollen Vorschubgeschwindigkeit der Substrataufnähme abhängig ist». . . ^; _: The feed rate of the substrate table 9 is coordinated by means of the computer 11 with the modulating electrode system 5 and the accelerating system 10 so that practically any pattern can be patterned on the surface of the substrate 8 in the East dimension a. The Easter measure a is thereby determined by the subdivision dimension of the deflection electrodes of the modulation electrode system 5 and the selected yaw reduction scale. Sin advantage of the method is that the geometric bond to the Easter measure. a practically only. is determinative of the coordinate, of a pattern, while the hue dimension a in the coordinate j is essentially limited by the focusing of the beam band in the ordinate direction and otherwise depends only on the minimum cycle time of the modulation electrode system in conjunction with a reasonable feed rate of the substrate pickup is ". , , ^; _:

Kritische-Abmessungen, wie beispielsweise Kanallängen integrierter, aktiver Bauelemente, .werden· vorzugsweise parallel zur Ordinatenachse vorgesehen. Ein weiterer Vorteil ergibt sich aus der direkten Bestrahlung, .'-womit exakte und kleinste Struktur breit en ohne Masken oder Schablonen zum Beispiel auf einem Halbleitersubstrat erzielt werden können.Critical dimensions, such as channel lengths of integrated active devices, are preferably provided parallel to the ordinate axis. A further advantage results from the direct irradiation, with which exact and smallest structure can be achieved broadly without masks or templates, for example on a semiconductor substrate.

Claims (10)

Srfindungsanspruch - . > ' ,Claim for. > ', 1. Verfahren-zur. direkten Abbildung von Mikrostrukturen . mittels geladener '.Te.ilch.en, die in geeigneten Einrichtungen fokussiert und durch Bewegung des mit einem " ; Substrat versehenen Werkstückträgers entsprechend eines vorgegebenen Programmes' die Oberfläche- des Substrates punkt- oder linienförmig Strukturen erzeugen, gekennzeichnet dadurch, daß ein durch'ein elektrisch beaufschlagbares Blendensystem (2;3) vorgeformtes,.paralleles Ladungsträgerstrahlenband (1) mit einer gegenüber seiner Dicke ;(s)_: um, ein Vielfaches .· größeren Breite (b) durch ein der SOkussiereinrichtung nachgeordnetes. Projektionslinsensystem (4) geleitet, innerhalb eines folgenden Modulationselektrodensy- : stems (5) in definierten Bereichen partiell abgelenkt . und daß ein partiell abgelenktes Strahlenband einem Trennelektrodensystem (6) zugeführt,wird, welches einen ausgelenkten Strahlenbandanteil (1*1) aufhält, •während ein ''unattsgelenkter Strahlenbandanteil (1.2) das Trennelektrodensy.stem (6) ungehindert verläßt, dabei einer räumlichen Glättung unterzogen wird und daß danach der geglättete Strahlenbandanteil (1.3) innerhalb eines Beschleunigungselektrodensystems (10) auf 'Nennbeschleunigung^beschleunigt, einem weiteren Linsensystem (7) zugeführt\und innerhalb desselben . / verkleinert'wird-und daß der verkleinerte .Strahlenbandanteil (Ί.4) nach Durchgang durch ein weiteres Beschleunigungselektrodensystem (10.1) nachbeschleunigt auf .einem auf einer in der Bildebene des Beschleunigungssystems (10.1) vorgesehenen Substrataufnahme (9) angeordneten Substrat (8) verkleinert abgebildet wird,. ' . ^ ,1. Procedure-to. direct illustration of microstructures. by means of charged'.Te.ilch.en, which focuses in suitable facilities and by movement of the provided with a "workpiece support according to a predetermined program, the surface of the substrate point or line-shaped structures, characterized in that a by ' an electrically acted upon diaphragm system (2; 3) preformed .paralleles carrier beam tape (1) having a relation to its thickness; _(s):.. to a multiple · greater width (b) downstream by the SOkussiereinrichtung projection lens system (4) passed, within a following modulation electrode system (5) is partially deflected in defined areas, and that a partially deflected beam band is fed to a separation electrode system (6), which holds a deflected beam band component (1 * 1), while an '' unselected beam band component ( 1.2) the Trennelektrodensy.stem (6) leaves unhindered, while a spatial Smoothing is then subjected and that thereafter the smoothed beam band component (1.3) accelerated within an acceleration electrode system (10) to 'nominal acceleration ^ supplied to another lens system (7) and within the same. and that the reduced .beamband portion (Ί.4), after passing through a further acceleration electrode system (10.1), postaccelerated, is reduced to a substrate (8) arranged on a substrate mount (9) provided in the image plane of the acceleration system (10.1) is pictured ,. '. ^, 2. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Substrataufnahme (9) in Abhängigkeit von , der Ansteuerung des Modulationselektrodensystems : (5) senkrecht zur größeren Ausdehnungsrichtung des Ladimgsträgerstrahlenbandanteiles (1.4) und senkrecht zur Strahlrichtung gleichförmig bewegt wird.2. The method according to item 1, characterized in that the substrate holder (9) in response to, the control of the modulation electrode system: (5) is moved uniformly perpendicular to the larger extension direction of Ladimgsträgerstrahlenbandanteiles (1.4) and perpendicular to the beam direction. 3· "Verfahren nach den Punkten 1 und 2, gekennzeichnet dadurch, daß die Bewegungsrichtung der Substrat-' aufnahme (9) in einem beliebigen Winkel oC zur größeren Ausdehnungsrichtung des Ladungsträger-. strahlenbandanteiles '(1.4) und senkrecht, zur Strahlrichtung gesteuert wird. 3 "" Method according to points 1 and 2, characterized in that the direction of movement of the substrate 'recording (9) at an arbitrary angle oC to the larger expansion direction of the carrier beam share ' (1.4) and is controlled perpendicular to the beam direction. 4. Verfahren nach den Punkten 1 bis 3» gekennzeichnet dadurch, daß der Ladungsträger s'trahlenbandänteil (1.3) mit einer koordinatenabhängigen Ablenkung 'zur Strukturierung des Substrates (8) beaufschlagt wird.4. Method according to points 1 to 3 »characterized in that the charge carrier s'trahlenbandänteil (1.3) with a coordinate-dependent deflection 'for structuring the substrate (8) is acted upon. 5· Verfahren nach den Punkten 1 bis 3j gekennzeichnet dadurch, daß der Ladungsträgerstrahlenbandanteil (1,3) ohne koordinatenabhängige Ablenkung zur Strukturierung des Substrates (8), eingesetzt wird. ' 'Method according to points 1 to 3j, characterized in that the charge carrier beam band component (1, 3) without coordinate-dependent deflection is used for structuring the substrate (8). '' 6. Verfahren nach den Punkten .1 bis 5» gekennzeichnet6. Procedure according to points .1 to 5 »marked ,, dadurch, daß die Bewegung der Ladungsträgerstrahlenbandanteile (1; 1.1; .1.2; 1.3) und der Substrataufnähme (9). von einem Computer (11) gesteuert wird.'in that the movement of the carrier beam portions (1; 1.1; 1.2; 1.3) and the substrate receiving means (9). controlled by a computer (11). ' 7. Verfahren nach den Punkten 1 bis 6, gekennzeichnet dadurch, daß als Ladungsträger Elektronen eingesetzt werden. · 7. The method according to points 1 to 6, characterized in that electrons are used as charge carriers. · 8. Verfahren nach, den Punkten 1 bis 6, gekennzeichnet . . dadurch, daß,als Ladungsträger Ionen eingesetzt
" werden. " '8. Method according to items 1 to 6. , in that ions are used as charge carriers
" become. "' 9· Verfahren nach den Punkten 1 bis 8, gekennzeichnet dadurch, daß das Progektionslinsensystem (4) und
das weitere Linsensystem (7) eindimensional ausgelegt sind. " . ,Method according to points 1 to 8, characterized by the fact that the prism lens system (4) and
the further lens system (7) are designed one-dimensionally. "., 10. Verfahren nach den Punkten 1'bis 9» gekennzeichnet10. Method according to items 1'to 9 »marked dadurch, daß die^Steuerung des Computers (11) in
' ' Abhängigkeit von auf dem Substrat '(S). angeordneten . Positioniermarken erfolgt« .in that the control of the computer (11) in
'Dependence on on the substrate' (S). arranged. Positioning marks done «. Hierzu 3 Blatt ZeichnungenFor this 3 sheets of drawings