CZ33879U1 - Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření - Google Patents
Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření Download PDFInfo
- Publication number
- CZ33879U1 CZ33879U1 CZ2019-37049U CZ201937049U CZ33879U1 CZ 33879 U1 CZ33879 U1 CZ 33879U1 CZ 201937049 U CZ201937049 U CZ 201937049U CZ 33879 U1 CZ33879 U1 CZ 33879U1
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- microelectrodes
- visible
- layer
- optical
- photosensitive layer
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 22
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 21
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 claims description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 5
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 nitrogen nitride Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření
Oblast techniky
Technické řešení se týká optického detektoru viditelného a blízkého infračerveného spektra záření, obsahující nosný substrát, na kterém jsou umístěny mikroelektrody, jimž je přiřazena fotocitlivá vrstva.
Dosavadní stav techniky
Pro detekci záření v oblastech viditelného světla (VIS) a blízkého infračerveného světla (NIR) se používají polovodičové detektory záření na bázi polovodičů skupin A(III)B(V), které jsou pro využití v optoelektronice velmi atraktivní.
Jsou známé detektory s přímou detekcí záření, které však vyžadují vrstvené struktury, u nichž je velmi důležité řízení tlouštěk jednotlivých vrstev a jejich přesně definované dopování příměsovými prvky. Velmi problematická je také metalizace takových struktur, jelikož kovy jsou v oblasti viditelného a blízkého infračerveného spektra (VIS, NIR) záření nepropustné pro toto záření. Vertikální metalizace takových struktur je velmi náročným technologickým problémem z důvodu elektivního nanášení na boční stěny deponovaných heterostrukrur a jejich zvýšené defektivity, způsobené např. iontovým či laserovým řezáním.
Další možností polovodičových detektorů jsou detektory s nepřímou detekcí záření, které využívají např. vrstev nitridu hliníku (A1N), u kterých po ozáření rezonančního mikromůstku dojde ke změně piezoelektrických vlastností vrstvy, což se projeví změnou rezonanční frekvence mikrojazýčku. Taková řešení jsou však velmi komplikovaná z důvodu nutné selektivní depozice pouze na mikromůstek, popř. z důvodu nutnosti nasazení kombinace litografických procesů a plasmatického/iontového leptání, což výrazně prodlužuje pracovní a časovou náročnost produkce takového zařízení.
Nevýhodou dosavadního stavu techniky je výrobní složitost a náročnost a také velká defektivita vyráběných detektorů. Navíc, současné konvenčně používané materiály, jako je křemík (Si), již narážejí na fýzikální limity dané pohyblivostí nosičů elektrického náboje, kde u křemíku má teoretický limit pohyblivosti nosičů náboje při pokojové teplotě pSi hodnotu okolo 1.200 cm2/Vs.
Cílem tohoto technického řešení je odstranit nebo alespoň minimalizovat nevýhody dosavadního stavu techniky, zejména navrhnout polovodičový detektor záření s fotoaktivní vrstvou vhodnou pro velkoplošnou depozici a s minimalizovaným množstvím dalších technologických kroků po depozici vrstvy a vhodnou zejména pro vysokofrekvenční fotocitlivé elektronické prvky.
Podstata technického řešení
Cíle technického řešení je dosaženo optickým detektorem viditelného a blízkého infračerveného spektra záření, jehož podstata spočívá v tom, že na nosném substrátu je nanesena pasivační vrstva, na které jsou vytvořeny mikroelektrody opatřené kontaktními ploškami pro elektricky vodivé propojení každé mikroelektrody s obvodem pro zpravování a vyhodnocení elektrického signálu, přičemž na mikroelektrodách je mimo kontaktní plošky celoplošně nebo selektivně nanesena adaptační vrstva, na které je nanesena fotocitlivá vrstva.
Výhodně je fotocitlivá vrstva tvořena vrstvou nitridu india vytvořenou metodou chemické depozice z plynné fáze za použití organokovových sloučenin. Výhodné také je, jestliže má
- 1 CZ 33879 U1 fotocitlivá vrstva má směrem od mikroelektrod ke své vnější ploše vzrůstající atomární poměr In:N ve prospěch india.
Výhodou detektoru podle tohoto technického řešení je, že fotoaktivní vrstva na bázi InN vykazuje násobně vyšší pohyblivosti nosičů náboje, protože teoretický limit pohyblivosti nosičů náboje při pokojové teplotě pSi pro křemík je okolo 1.200 cm2/Vs, kdežto pro InN je teoretický limit pohyblivosti nosičů náboje při pokojové teplotě plnN = 8.000 cm2/Vs. Tyto parametry tak předurčují fotoaktivní vrstvy na bázi InN pro vysokofrekvenční fotocitlivé elektronické prvky, jako jsou detekční prvky pro optické spektrometry pracující v oblastech VIS až NIR, snímací prvky pro optické datové sítě, při vytvoření v maticové konfiguraci (matice pixelů) je možné vytvořit snímací člen kamerového systému schopného pracovat nezávisle na světelných podmínkách v průběhu dne atd. Výsledkem technického řešení je tak detektor s heterostrukturou, vhodnou pro velkoplošnou depozici aktivní vrstvy InN metodou chemické depozice z plynné fáze za použití organokovových sloučenin (MOCVD) s minimalizovaným množstvím dalších technologických kroků po depozici vrstvy. Pro zajištění vysoké efektivity detektoru je taková heterostruktura navíc opatřena výhodnou konfigurací kontaktů, umístěných pod fotoaktivní vrstvou InN. Rozměry jednoho detektoru vytvořeného podle tohoto technického řešení splňují podmínky pro nasazení v mikroelektronických systémech, např. 600 x 800 pm a mohou být i menší.
Objasnění výkresů
Technické řešení je schematicky znázorněno na výkrese.
Příklady uskutečnění technického řešení
Technické řešení bude popsáno na příkladu uskutečnění detektoru pro detekci záření v oblastech VIS a NIR, který reaguje na vystavení dopadajícímu záření změnou elektrického odporu své fotocitlivé vrstvy 6, přičemž tato změna elektrického odporuje pomocí elektrodového systému 3, 4 a 5 detekovatelná.
Detektor obsahuje nosný substrát 1, přičemž technologicky výhodný je křemíkový substrát 1, který je výhodný pro svou kompatibilitu s výrobními procesy v polovodičovém průmyslu, má technologické parametry podobné jako navazující součásti detektoru (např. teplotní roztažnost, teplotní a chemická odolnost), je dostupný a je možno je produkovat jako velkoplošné díly.
Na nosném substrátu 1 je nanesena pasivační vrstva 2 příkladně tvořená vrstvou oxidu křemičitého S1O2. která jednak zajišťuje chemickou stabilitu substrátu 1 (zabraňuje vzniku nežádoucích chemických sloučenin) a zabezpečuje vysokou adhezi dvojice mikroelektrod 3 v planámí formě, zde výhodně mikroelektrod 3 ve formě hřebínkových mikroelektrod 3, tzv. interdigitálních mikroelektrod z anglického InterDigitated Electrodes IDEs. Hřebínkové mikroelektrody 3 jsou příkladně vyrobeny z T1O2, což je materiál s vysokou elektronovou vodivostí, a jsou vytvořeny přímo na pasivační vrstvě 2, protože T1O2 je chemicky vysoce stabilním a dostupným materiálem tvořícím navíc elektricky blokující kontakt s nosným substrátem E Hřebínková konstrukce mikroelektrod 3 je výhodná pro získání vysoce citlivého detektoru.
Hřebínkové mikroelektrody 3 obsahují ramena 30, která jsou uspořádána navzájem střídavě mezi sebou, přičemž s výhodou mají sousedící ramena 30 velikost mezery mezi sebou (tzv. drážku meandru) v poměru 1:1 k šířce ramen 30.
Hřebínkové mikroelektrody 3 jsou zakončeny kontaktními ploškami 4 pro elektricky vodivé propojení každé hřebínkové mikroelektrody 3 s neznázoměnými obvody pro zpracování
-2 CZ 33879 U1 a vyhodnocení elektrického signálu generovaného zářením dopadajícím na fotocitlivou vrstvu 6 detektoru. Za tímto účelem je výhodné, aby kontaktní plošky 4 byly vytvořeny ze zlata, platiny, hafnia nebo slitiny obsahující aspoň jeden z uvedených kovů, a to nejlépe depozicí takového kovu nebo slitiny přímo při výrobě detektoru. Takové kontaktní plošky 4 jsou navíc odolné vůči vnějším vlivům, mají nízký přechodový elektrický odpor a jsou snadno pájitelné.
Uvedené elektricky vodivé propojení každé hřebínkové mikroelektrody 3 přes kontaktní plošku 4 s ne znázorněnými obvody pro zpracování a vyhodnocení elektrického signálu je pak příkladně realizováno pájením nebo bondováním atd.
Na mikroelektrodách 3, resp. alespoň na části jejich půdorysné plochy, případně půdorysné plochy ramen 30 hřebínkových mikroelektrod 3, je nanesena, celoplošně nebo selektivně, adaptační vrstva 5 tvořená A1N (nitridem hliníku), která je výhodná z důvodu konstrukčního požadavku malé neshody velikosti mřížkové konstanty fotocitlivé vrstvy 6 a zajištění rovnoměrného pokrytí nosného substrátu 1 a mikroelektrod 3 fotocitlivou vrstvou 6. Adaptační vrstva 5 je tak silná (tlustá), aby umožnila planámí růst na ní umístěné epitaxní fotocitlivé vrstvy 6, přičemž adaptační vrstva 5 je současně natolik tenká, aby nenarušila sběr elektrického náboje z fotocitlivé vrstvy 6 hřebínkovými mikroelektrodami 3. K epitaxnímu růstu fotocitlivé vrstvy 6 přitom dojde pouze v místech výskytu adaptační vrstvy 5.
Fotocitlivá vrstva 6 má souvislý charakter přes mikroelektrody 3 a nosný substrát 1, což je konstrukčně výhodné z důvodu minimalizace necitlivých míst fotodetektoru. Výhodně je fotocitlivá vrstva 6 tvořena vrstvou nitridu India (InN), který vykazuje vysokou mobilitu elektronů generovaných dopadajícím světlem a také vykazuje vysokou koncentraci volných elektronů, která je dána polohou nábojově neutrální oblasti situovaná hluboko ve vodivostním pásu nitridu india.
Obzvláště výhodné je, je-li fotocitlivá vrstva 6 nitridu india vytvořena metodou MOCVD, tj. chemickou depozicí z plynné fáze za použití organokovových sloučenin, např. za použití prekurzorů trimethyl indium a plynného čpavku. Epitaxním růstem vytvořená fotocitlivá vrstva 6 nitridu India je technologicky výhodná pro její krystalický charakter a má oproti v současně používaným fotocitlivým vrstvám optických detektorů výrazně sníženou koncentrací elektricky aktivních defektů a minimalizovaný výskyt subzm, na jejichž hranicích se vyskytují materiálové defekty typu dislokace.
Výhodné řešení fotocitlivé vrstvy 6 vytvořené metodou MOCVD spočívá v tom, že se v průběhu růstu (vytváření) vrstvy 6 pozvolna mění poměr atomárních koncentrací india ku dusíku (In:N) ze startovního stechiometrického poměru In:N = 50:50 ve vrstvu bohatou na indium, tj. vrstvu, pro kterou platí In > 50 %. Změna poměru atomárních koncentrací In:N je totiž technologicky výhodná z důvodu rozšíření spektrální citlivosti fotocitlivé vrstvy 6 z původní citlivosti pouze v oblasti viditelného záření (VIS) pro In:N = 50:50, až do oblasti citlivosti fotocitlivé vrstvy 6 na infračervené spektrum pro In > 50 %, čímž lze vytvořit optický detektor se šířkou pásma citlivosti tak velkou, jaká je pro stávající optické detektory obtížně realizovatelná, ne-li nemožná.
Rozumí se, že popsané příklady konkrétní realizace technického řešení jsou uvedeny pro ilustraci, nikoli pro konkrétní vymezení technické realizaci. Osoby znalé stavu techniky budou schopny realizovat při použití zaběhlých experimentálních postupů nalézt ekvivalenty ke zde popsanému řešení, lépe vyhovujícím konkrétním realizacím technického řešení. Takto nalezené ekvivalenty budou zahrnuty v rozsahu nároků na ochranu.
-3 CZ 33879 U1
Průmyslová využitelnost
Technické řešení je průmyslově využitelné např. jako detekční prvek pro optické spektrometry pracující v oblastech VIS až NIR, jako snímací prvek pro optické datové sítě, jako snímací člen pro kamerové systémy schopné pracovat nezávisle na světelných podmínkách v průběhu dne atd.
Claims (10)
- NÁROKY NA OCHRANU1. Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření obsahující nosný substrát (1), na kterém jsou umístěny mikroelektrody (3), jimž je přiřazena fotocitlivá vrstva (6), vyznačující se tím, že na nosném substrátu (1) je nanesena pasivační vrstva (2), na které jsou vytvořeny mikroelektrody (3) opatřené kontaktními ploškami (4) pro elektricky vodivé propojení každé mikroelektrody (3) s obvodem pro zpravování a vyhodnocení elektrického signálu, přičemž na mikroelektrodách (3) je mimo kontaktní plošky (4) celoplošně nebo selektivně nanesena adaptační vrstva (5), na které je nanesena fotocitlivá vrstva (6).
- 2. Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření podle nároku 1, vyznačující se tím, že fotocitlivá vrstva (6) je tvořena vrstvou nitridu india vytvořenou metodou chemické depozice z plynné fáze za použití organokovových sloučenin.
- 3. Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření podle nároku 2, vyznačující se tím, že fotocitlivá vrstva (6) má směrem od mikroelektrod (3) ke své vnější ploše vzrůstající atomární poměr In:N ve prospěch india.
- 4. Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření podle kteréhokoli z nároků 1 až 3, vyznačující se tím, že pasivační vrstva (2) je tvořena vrstvou SÍO2.
- 5. Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření podle kteréhokoli z nároků 1 až 4, vyznačující se tím, že mikroelektrody (3) jsou tvořeny dvojicí hřebínkových mikroelektrod (3).
- 6. Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření podle nároku 5, vyznačující se tím, že hřebínkové mikroelektrody (3) jsou tvořeny TÍO2.
- 7. Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření podle nároku 5 nebo 6, vyznačující se tím, že hřebínkové mikroelektrody (3) obsahují ramena (30), která jsou uspořádána navzájem střídavě mezi sebou a sousedící ramena (30) mají velikost mezery mezi sebou v poměru 1:1 k šířce ramen (30).
- 8. Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření podle kteréhokoli z nároků 1 až 7, vyznačující se tím, že alespoň na části půdorysné plochy mikroelektrod (3) je mezi mikroelektrodami a fotocitlivou vrstvou (6) celoplošně nebo selektivně nanesena adaptační vrstva (5) nitridu dusíku.
- 9. Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření podle kteréhokoli z nároků 1 až 8, vyznačující se tím, že kontaktní plošky (4) jsou vytvořeny ze zlata, platiny, hafnia nebo slitiny obsahující aspoň jeden z uvedených kovů.-4 CZ 33879 U1
- 10. Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření podle kteréhokoli z nároků 1 až 8, vyznačující se tím, že fotocitlivá vrstva (6) je vytvořena jako vrstva epitaxní.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2019-37049U CZ33879U1 (cs) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2019-37049U CZ33879U1 (cs) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ33879U1 true CZ33879U1 (cs) | 2020-03-24 |
Family
ID=69948101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ2019-37049U CZ33879U1 (cs) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ33879U1 (cs) |
-
2019
- 2019-12-19 CZ CZ2019-37049U patent/CZ33879U1/cs active IP Right Grant
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100626775B1 (ko) | 자외선 센서 및 이의 제조 방법 | |
| NL1012961C2 (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| NL2004065C2 (en) | Solar panel module and method for manufacturing such a solar panel module. | |
| US8759932B2 (en) | Photodetector with a plasmonic structure | |
| TW200941751A (en) | Radiation receiver and method for the production of a radiation receiver | |
| CN104662679A (zh) | 光电子半导体芯片和用于其制造的方法 | |
| US10069023B2 (en) | Optical sensor with integrated pinhole | |
| US9318627B2 (en) | Semiconductor radiation detector | |
| TW202136725A (zh) | 具有整合化氮化鋁種晶或波導層的超導奈米線單光子偵測器 | |
| CN110828601B (zh) | 使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极区 | |
| KR101641654B1 (ko) | 반도체 소자 및 반도체 소자 제조방법 | |
| CZ33879U1 (cs) | Optický detektor viditelného a blízkého infračerveného spektra záření | |
| TW201935670A (zh) | 光電偵測器、用以偵測紫外光之光偵測器、以及操作氮化鎵基光電偵測器之方法 | |
| KR100728082B1 (ko) | 다이아몬드 자외선 센서 | |
| EP3642574B1 (en) | Fast detector of electromagnetic radiation | |
| KR101299079B1 (ko) | Ｖ형 트렌치 적용 나노선 센서 | |
| US20220221416A1 (en) | Mems gas sensor and method for manufacturing mems gas sensor | |
| Wegrzecka et al. | Technology of silicon charged-particle detectors developed at the Institute of Electron Technology (ITE) | |
| JP4931475B2 (ja) | 紫外線検出素子及び検出方法 | |
| US20240194816A1 (en) | Method of manufacturing optical detection element and optical detection element | |
| CN114744059B (zh) | 基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器及其制备方法 | |
| JP5339377B2 (ja) | センサ及びセンサの製造方法 | |
| KR20010096692A (ko) | 자외선 감지소자 및 그의 제조방법과 자외선 감지 시스템 | |
| CN116686429A (zh) | 石墨烯霍尔传感器及其制造和使用 | |
| RU2178601C1 (ru) | Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG1K | Utility model registered |
Effective date: 20200324 |